JP2002252156A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JP2002252156A JP2001046329A JP2001046329A JP2002252156A JP 2002252156 A JP2002252156 A JP 2002252156A JP 2001046329 A JP2001046329 A JP 2001046329A JP 2001046329 A JP2001046329 A JP 2001046329A JP 2002252156 A JP2002252156 A JP 2002252156A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フットプリントを縮小した処理装置を提供す
る。 【解決手段】 被処理体に対して液処理を含む一連の処
理を施す処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現
像処理システム１００において、被処理体である基板Ｇ
に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを有する液
処理部を上下二段に仕切られた下段の処理ブロック１１
ａ・１１ｂに設け、基板Ｇに所定の熱的処理を施す複数
の熱処理ユニットを有する熱的処理部を上段の処理ブロ
ック１１ｃ・１１ｄに設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置（ＬＣＤ）用のガラス基板等の被処理体に対してレジ
スト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前
後に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤの製造においては、被処理体であ
るガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジス
ト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対
応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するとい
う、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パタ
ーンを形成している。
【０００３】このフォトリソグラフィー技術において
は、ガラス基板は、概略、洗浄処理→脱水ベーク→アド
ヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク
→露光→現像→ポストベークという一連の処理工程を経
て処理され、基板に形成されたレジスト層に所定の回路
パターンが形成される。
【０００４】従来、このような処理は、各処理を行う処
理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した
形態で配置し、搬送路を走行可能な搬送装置により各処
理ユニットへのガラス基板の搬入出を行うプロセスブロ
ックを１つまたは複数配置してなる処理システムにより
行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
ＬＣＤの大型化や量産化を背景としてガラス基板の大型
化が進み、一辺の長さが１ｍにもなる巨大なガラス基板
まで出現している。このため、上述のような平面的な配
置を有する処理システムの構造をそのまま大型のガラス
基板の処理に適合させたのでは、装置のフットプリント
が極めて大きなものとなってしまう問題があり、このた
め、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く
求められている。
【０００６】ここで、フットプリントを小さくするため
には、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられ
るが、現行の処理システムにおいては、スループット向
上の観点から搬送装置はガラス基板を水平方向に高速か
つ高精度に移動させており、これに加えて高さ方向にも
高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界があ
る。また、ガラス基板の大型化にともなって処理ユニッ
トが大型化しており、レジスト塗布ユニットや現像処理
ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けること
は極めて困難である。さらに、現行装置においては、ガ
ラス基板の搬送を行う搬送装置の数が多くなり、このた
め装置が高額となる問題もある。
【０００７】さらにまた、ガラス基板の大型化に対して
処理ユニットを大型化させるのではなく、処理方法を見
直すことによってフットプリントを縮小する要望も大き
く、このとき、スループットの低下が起こらないように
効率的に一連の処理を行うことができるように各種の処
理ユニットを配置する必要がある。なお、液処理を行う
液処理ユニットと熱処理を行う熱処理ユニットが併存せ
ざるを得ない処理システムにおいては、熱処理ユニット
からの熱拡散、排気等が液処理ユニットに影響しないよ
うに配慮する必要がある。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、フットプリントを縮小またはその増大が最小
限に抑えられる処理装置を提供することを目的とする。
また、本発明は装置コストの低減を可能ならしめる処理
装置を提供することを目的とする。さらに本発明は、熱
処理を行う熱処理ユニットからの熱拡散、排気等が液処
理を行う液処理ユニットに影響せず、各処理ユニットを
安定した状態で運転することができる処理装置を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は第１発明として、被処理体に対して液
処理を含む一連の処理を施す処理装置であって、被処理
体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを有する
液処理部と、被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱
処理ユニットを有する熱的処理部と、を具備し、上下二
段に仕切られた下段に前記液処理部が配置され、上段に
前記熱的処理部が配置されていることを特徴とする処理
装置、を提供する。
【００１０】本発明は第２発明として、被処理体に対し
て液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、前
記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す複
数の処理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理体
および／または処理後の被処理体を収納可能な収納容器
を載置し、前記処理部に対して被処理体を搬入出する搬
入出部と、を具備し、前記処理部は、上下二段に仕切ら
れた下段に設けられ、被処理体に所定の液処理を施す複
数の液処理ユニットを有する液処理部と、上下二段に仕
切られた上段に設けられ、被処理体に所定の熱的処理を
施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処理部と、前記
上段と前記下段との間で被処理体を搬送する搬送装置
と、を有することを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１１】本発明は第３発明として、被処理体に対し
て液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被
処理体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを有
する液処理部が上下二段に仕切られた下段に配置され、
かつ、被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処理ユ
ニットを有する熱的処理部が上下二段に仕切られた上段
に配置されてなる処理ユニット群が複数配置された処理
部と、前記複数の処理ユニット群の間で、または、１つ
の処理ユニット群における上段と下段との間で被処理体
を搬送する搬送装置と、を具備することを特徴とする処
理装置、を提供する。
【００１２】本発明は第４発明として、被処理体に対し
て液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、処
理前または処理後の被処理体を収納可能な収納容器を載
置する容器搬入出部と、被処理体に所定の液処理を施す
複数の液処理ユニットを有する液処理部が上下二段に仕
切られた下段に配置され、かつ、被処理体に所定の熱的
処理を施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処理部と
が上下二段に仕切られた上段に配置されてなる処理ユニ
ット群が並列に２台連設されてなる第１の処理部と、被
処理体を搬送するために前記容器搬入出部と前記第１の
処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、被処理体
に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを有する液
処理部が上下二段に仕切られた下段に配置され、かつ、
被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処理ユニット
を有する熱的処理部とが上下二段に仕切られた上段に配
置されてなる処理ユニット群を有する第２の処理部と、
被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２
の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、被処理
体を搬送するために前記第２の処理部を挟んで前記第２
の搬送装置の反対側に設けられた第３の搬送装置と、を
具備することを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１３】本発明は第５発明として、被処理体に対し
て洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の
処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応し
て被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備
えた第１の処理部および第２の処理部と、処理前または
処理後の被処理体を収納可能な収納容器を載置する容器
搬入出部と、被処理体を搬送するために前記容器搬入出
部と前記第１の処理部との間に設けられた第１の搬送装
置と、被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前
記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置
との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフ
ェイス部と、を具備し、前記第１の処理部は、被処理体
を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニット
と被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に所定のレ
ジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二段
に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行となるよ
うに並列に配置されてなる液処理部と、内部において被
処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理後の被処理体に所
定の熱的処理を施す第１の熱処理ユニットと内部におい
て被処理体を略水平に搬送しつつ現像処理後の被処理体
に所定の熱的処理を施す第２の熱処理ユニットとが上下
二段に仕切られた上段に被処理体の搬送方向が平行とな
るように並列に配置されてなる熱的処理部と、を有し、
前記第２の処理部は、上下二段に仕切られた下段に配置
され、内部において露光処理後の被処理体を略水平に搬
送しつつ現像液の塗布、現像後の現像液除去、リンス処
理、乾燥処理を行う現像処理ユニットと、上下二段に仕
切られた上段に配置され、内部において被処理体を略水
平に搬送しつつレジスト液が塗布された被処理体に所定
の熱的処理を施す第３の熱処理ユニットと、を有するこ
とを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１４】本発明は第６発明として、被処理体に対し
て洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の
処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応し
て被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備
えた第１の処理部および第２の処理部と、処理前または
処理後の被処理体を収納可能な収納容器を載置する容器
搬入出部と、被処理体を搬送するために前記容器搬入出
部と前記第１の処理部との間に設けられた第１の搬送装
置と、被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前
記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置
との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフ
ェイス部と、を具備し、前記第１の処理部は、被処理体
を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニット
と被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に所定のレ
ジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二段
に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行となるよ
うに並列に配置されてなる液処理部と、洗浄処理後の被
処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された
熱処理ユニットと現像処理後の被処理体に所定の熱的処
理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットとが上
下二段に仕切られた上段に配置されてなる第１の熱的処
理部と、前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理
ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装
置と、を有し、前記第２の処理部は、上下二段に仕切ら
れた下段に配置され、内部において露光処理後の被処理
体を略水平に搬送しつつ現像液の塗布、現像後の現像液
除去、リンス処理、乾燥処理を行う現像処理ユニット
と、上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液
が塗布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互
いに分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理
部と、前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユ
ニットに対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置
と、を有することを特徴とする処理装置、を提供する。
【００１５】本発明は第７発明として、被処理体に対し
て洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の
処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応し
て被処理体に所定の処理を施す複数の処理ユニットを備
えた第１の処理部および第２の処理部と、処理前または
処理後の被処理体を収納可能な収納容器を載置する容器
搬入出部と、被処理体を搬送するために前記容器搬入出
部と前記第１の処理部との間に設けられた第１の搬送装
置と、被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前
記第２の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、
被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置
との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフ
ェイス部と、を具備し、前記第１の処理部は、被処理体
の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと被処理体に所定の
レジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが上下二
段に仕切られた下段に配置されてなる液処理部と、前記
洗浄処理ユニットと前記レジスト塗布ユニットに対して
被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、洗浄処理後
の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離さ
れた熱処理ユニットと現像処理後の被処理体に所定の熱
的処理を施す複数の互いに分離された熱処理ユニットと
が上下二段に仕切られた上段に配置されてなる第１の熱
的処理部と、前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱
処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う第５の搬
送装置と、を有し、前記第２の処理部は、上下二段に仕
切られた下段に配置され、内部において露光処理後の被
処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗布、現像後の現
像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う１または複数の
現像処理ユニットと、前記現像処理ユニットに対して被
処理体の搬入出を行う第６の搬送装置と、上下二段に仕
切られた上段に配置され、レジスト液が塗布された被処
理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱
処理ユニットからなる第２の熱的処理部と、前記第２の
熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニットに対して被
処理体の搬入出を行う第７の搬送装置と、を有すること
を特徴とする処理装置、を提供する。
【００１６】本発明の処理装置においては、液処理部を
上下二段に仕切られた下段に配置し、液処理部の上段に
熱的処理部を設けた構成として、フットプリントが縮小
されている。また、被処理体を一方向に搬送しながら所
定の液処理および熱的処理を行う構造を用いることによ
ってもフットプリントが縮小され、この場合には被処理
体の搬送を行う搬送装置の数を最小限に抑えることがで
き、装置コストも低減される。さらに、液処理部と熱的
処理部の配置を被処理体の一連の処理工程に適合させて
配置しているので被処理体を効率的に処理することが可
能である。なお、液処理部の上部に熱的処理部を配置す
ることで、熱的処理部ユニットからの熱拡散が液処理部
に及ぶことが回避され、液処理の均一性が向上し、ひい
ては被処理体の品質が高められる
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の
第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板（以下「基板」
という）Ｇのレジスト塗布・現像処理システム１００の
外観を示す斜視図であり、図２は、（ａ）が図１中の矢
印Ａ１の方向から見た側面図で、（ｂ）が図１中の矢印
Ａ２の方向から見た側面図であり、図３は、（ａ）が上
段の構成を示した平面図で、（ｂ）が下段の構成を示し
た平面図である。
【００１８】レジスト塗布・現像処理システム１００
は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置する容器
搬入出部（カセットステーション）６と、基板Ｇに所定
の熱的処理または液処理を施す各種のゾーンが設けられ
た第１処理部１および第２処理部２と、図示しない露光
装置との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフ
ェイス部５と、第１処理部１と容器搬入出部６との間に
設けられた第１搬送部３と、第１処理部１と第２処理部
２との間に設けられた第２搬送部４と、を有している。
なお、図１に示されるように、レジスト塗布・現像処理
システム１００の長手方向をＸ方向、水平面においてＸ
方向と直交する方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とす
る。
【００１９】第１処理部１は、上下方向（Ｚ方向）に２
段に仕切られた積層構造を有しており、かつ上段と下段
がそれぞれＹ軸方向にも２つに仕切られている。こうし
て、第１処理部１には、独立した処理ブロック１１ａ・
１１ｂ（下段）および処理ブロック１１ｃ・１１ｄ（上
段）が形成されている。第２処理部２も同様に上下方向
（Ｚ方向）に２段に仕切られ、また、上段と下段がそれ
ぞれＹ軸方向にも２つに仕切られており、独立した処理
ブロック１２ａ・１２ｂ（下段）と処理ブロック１２ｃ
・１２ｄ（上段）が形成されている。
【００２０】容器搬入出部６は、カセットＣを載置する
ステージ７を有しており、例えば、４個のカセットＣを
所定位置に載置することができるようになっている。容
器搬入出部６には、外部からレジスト塗布・現像処理シ
ステム１００において処理すべき基板Ｇが収納されたカ
セットＣが搬入され、また、レジスト塗布・現像処理シ
ステム１００において所定の処理が終了した基板Ｇが収
納されたカセットＣが次工程へと搬送される。このよう
なカセットＣの搬入出は、手動搬送またはコンベア等を
用いた自動搬送のいずれの形態を用いても構わない。
【００２１】第１処理部１と容器搬入出部６との間に設
けられた第１搬送部３には、第１搬送装置１７が配設さ
れており、第１搬送装置１７は、Ｘ方向に伸縮する搬送
アーム１７ａを有しており、搬送アーム１７ａは、Ｙ方
向にスライド自在であり、また水平面内で回転自在であ
り、さらにＺ方向に昇降可能に構成されている。こうし
て、第１搬送装置１７は容器搬入出部６と第１処理部１
にアクセス可能であり、容器搬入出部６と第１処理部１
にとの間で基板Ｇの受け渡しを行い、また、第１処理部
１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇ
の受け渡しを行う。
【００２２】第１処理部１と第２処理部２との間に設け
られた第２搬送部４には、搬送アーム１８ａを有する第
２搬送装置１８が配設されている。この第２搬送装置１
８は第１搬送装置１７と同様の構造を有しており、第１
処理部１と第２処理部２との間での基板Ｇの受け渡し
と、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１
ｄ間での基板Ｇの受け渡しと、第２処理部２を構成する
処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを
行う。
【００２３】インターフェイス部５には、第１搬送装置
１７と同様の構造を有する第３搬送装置１９が配設され
ており、第３搬送装置１９の搬送アーム１９ａは、第２
処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄにアク
セス可能であり、また、第２処理部２との間にインター
フェイス部５を挟むように配設された図示しない露光装
置にアクセスすることができるようになっている。こう
して、第３搬送装置１９は、第２処理部２を構成する処
理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行
い、また、第２処理部２と露光装置との間で基板Ｇの受
け渡しを行う。
【００２４】第１処理部１を構成する処理ブロック１１
ａには、第１搬送部３側にスクラバ洗浄に先立って基板
Ｇの有機物を除去するためのエキシマＵＶ照射ゾーン
（ｅ−ＵＶ）２１が設けられている。また、処理ブロッ
ク１１ａには、エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２
１に隣接して基板Ｇのスクラブ洗浄処理を行うスクラバ
洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２が第２搬送部４側に設けられ
ており、エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１とス
クラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２の天井部にはフィルタ
ーファンユニット（ＦＦＵ）７１が設けられている。
【００２５】この処理ブロック１１ａ内においては、基
板Ｇは回転処理されることなく、コロ搬送等の方法を用
いてＸ方向に略水平に搬送されつつ、エキシマＵＶ照射
処理とスクラブ洗浄処理が連続して行われるようになっ
ている。なお、基板Ｇのスクラブ洗浄処理中に発生する
処理液のミスト等がスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２
からエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１へ飛散し
ないように、スクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２とエキ
シマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１との間にはシャッ
ター２８を設けることが好ましい。また、フィルターフ
ァンユニット（ＦＦＵ）７１からのダウンフローの向き
を調節することによっても、ミスト等の飛散を防止する
ことができる。
【００２６】処理ブロック１１ａのＹ方向側に仕切壁を
隔てて位置する処理ブロック１１ｂには、第１搬送部３
から第２搬送部４に向かって、クーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）２３、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧
乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット
（ＥＲ）２６が並べて配置されており、処理ブロック１
１ｂの天井部には、フィルターファンユニット７２が配
設されている。
【００２７】クーリングユニット（ＣＯＬ）２３におい
ては、レジスト塗布前に基板Ｇの温度均一性を高める熱
処理が行われ、これにより基板Ｇに形成されるレジスト
膜の均一性を高めることができるようになっている。レ
ジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４としては、例えば、ス
ピンコートによって基板Ｇの表面にレジスト膜を塗布す
る装置が配置される。また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）
２５は、基板Ｇに形成されたレジスト膜を熱処理によら
ずに減圧処理することにより、レジスト膜に含まれる揮
発成分を蒸発させて、後に行われるプリベーク処理前の
予備的な乾燥処理を行う。周縁レジスト除去ユニット
（ＥＲ）２６は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４に
おけるレジスト膜の塗布の際に基板Ｇの裏面に付着した
レジストを除去し、また、基板Ｇの周縁部分のレジスト
膜を除去する。このようなクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）２３から周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６に
向けての基板Ｇの搬送は、図示しない基板搬送アームを
有する処理ブロック内基板搬送装置により行われる。
【００２８】なお、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５は必
ず設けなくてはならないものではない。また、レジスト
塗布ユニット（ＣＴ）２４として、基板Ｇを回転処理し
ないでレジスト塗布処理を行う装置を配置することによ
り、処理ブロック内基板搬送装置を設けることなく、基
板ＧをＸ方向に略水平に搬送しつつ、レジスト塗布処理
から基板Ｇの周縁部のレジスト除去処理に至る一連の処
理を行うことも可能である。
【００２９】処理ブロック１１ａの上段に位置する処理
ブロック１１ｃには、第２搬送部４から第１搬送部３に
向かって、スクラブ洗浄処理が終了した基板Ｇの脱水ベ
ーク処理を行う脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１と、基
板Ｇに対して疎水化処理を施す２つのアドヒージョン処
理ゾーン（ＡＤ）５２、基板Ｇを所定温度に冷却するク
ーリングゾーン（ＣＯＬ）５３が設けられており、Ｙ方
向に隣接する処理ブロック１１ｄ側に空気導入路４１ａ
が設けられている。
【００３０】これらの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５
１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリン
グゾーン（ＣＯＬ）５３はＸ方向に仕切られてはおら
ず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだ
けであり、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、
基板Ｇは、処理ブロック１１ｃ内をＸ方向に略水平に搬
送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理が施
される。なお、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２
とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３とでは設定温度に大
きな差があるために、シャッター５９ａによりこれらの
ゾーンを遮断することが可能となっている。シャッター
５９ａは、基板Ｇのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）
５２からクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３への通過時に
のみ開口され、それ以外のときには閉口した状態に保持
される。
【００３１】処理ブロック１１ｂの上段に位置する処理
ブロック１１ｄには、第２搬送部４から第１搬送部３に
向かって、現像処理が終了した基板のポストベーク処理
を行うポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６と、ポストベ
ーク処理後の基板Ｇを冷却するクーリングゾーン（ＣＯ
Ｌ）５７が設けられており、Ｙ方向に隣接する処理ブロ
ック１１ｃ側に空気導入路４１ｂが設けられている。
【００３２】処理ブロック１１ｃの構造と同様に、ポス
トベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（Ｃ
ＯＬ）５７についても、これらはＸ方向に仕切られては
おらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられてい
るだけであり、第２搬送部４から第１搬送部３に向かっ
て、基板Ｇは、処理ブロック１１ｄ内をＸ方向に略水平
に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理
が施される。なお、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６
とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７とでは設定温度に大
きな差があるために、シャッター５９ｃによりポストベ
ークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯ
Ｌ）５７を遮断することが可能となっている。
【００３３】ここで、処理ブロック１１ｃ・１１ｄにお
ける空気導入と熱排気（気流制御）の形態について説明
する。図４（ａ）は処理ブロック１１ｃ・１１ｄにおけ
る気流制御の実施形態を示した説明図であり、処理ブロ
ック１１ｃの空気導入路４１ａ側の壁面に空気導入口４
５ａが複数箇所形成され、また、空気導入口４５ａが形
成された壁面と対向する壁面に空気排出口４６ａが複数
箇所形成されており、空気導入口４５ａから処理ブロッ
ク１１ｃ内に導入された空気は、基板Ｇの搬送方向を垂
直に横切るようにＹ方向に向かって流れ、空気排出口４
６ａから排出されるようになっている。
【００３４】同様に、処理ブロック１１ｄの空気導入路
４１ｂ側の壁面に空気導入口４５ｂが複数箇所形成さ
れ、また、空気導入口４５ｂが形成された壁面と対向す
る壁面に空気排出口４６ｂが複数箇所形成されており、
空気導入口４５ｂから処理ブロック１１ｄ内に導入され
た空気は、基板Ｇの搬送方向を垂直に横切るようにＹ方
向に向かって流れ、空気排出口４６ｂから排出されるよ
うになっている。
【００３５】このような処理ブロック１１ｃ・１１ｄ内
の気流制御によって、各温度ゾーンを所定の温度に保持
することができる。なお、空気排出口４６ａ・４６ｂか
ら排出された熱排気は、他の温度ゾーンに影響を与える
ことのないように設けられた所定の排気経路を通って排
気される。
【００３６】また、図４（ｂ）は処理ブロック１１ｃに
おける気流制御の別の実施形態を示したものであるが、
ここで、処理ブロック１１ｃと処理ブロック１１ｄとの
間に空気導入路は形成されておらず、処理ブロック１１
ｃ内への空気導入は、第１搬送部３側の基板搬出口４７
ａと第２搬送部４側の基板搬入口４７ｂから行われる。
クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３とアドヒージョン処理
ゾーン（ＡＤ）５２との境界近傍には、２つの空気排出
口４８ａ・４８ｂが形成されており、基板搬出口４７ａ
からクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３内に流入した空気
は空気排出口４８ａから排出され、基板搬入口４７ｂか
ら脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１を経てアドヒージョ
ン処理ゾーン（ＡＤ）５２に流入した空気は空気排出口
４８ｂから排出されるようになっている。
【００３７】こうして、脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５
１およびアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２内の気
流とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３内の気流とが分離
され、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３がアドヒージョ
ン処理ゾーン（ＡＤ）５２による熱の影響を受け難いよ
うになっている。なお、図４（ａ）・（ｂ）に示した処
理ブロック１１ｃ・１１ｄ内における気流制御の形態
は、処理ブロック１２ｃ・１２ｄにおいても同様に用い
られる。
【００３８】このように、第１処理部１においては、下
段の処理ブロック１１ａ・１１ｂに積層して配置するこ
とが困難である液処理を行う各種装置が配設され、上段
の処理ブロック１１ｃ・１１ｄに液処理が行われた基板
Ｇに対する一連の熱処理を行う装置が配設された構造と
なっており、このような上下二段の積層構造とすること
でフットプリントの縮小が実現されている。また、第１
処理部１においては、基板Ｇは全ての処理ブロック１１
ａ〜１１ｄにおいて処理ブロック１１ａ〜１１ｄ内をＸ
方向に搬送されるため、処理ブロック１１ａ〜１１ｄ内
の異なる処理ゾーンにアクセスさせる搬送装置を必要と
しない点でも、フットプリントが縮小される。さらに、
Ｙ方向から容易に処理ブロック１１ａ〜１１ｄにアクセ
スすることができることから処理ブロック１１ａ〜１１
ｄのメンテナンスも容易である。
【００３９】さらにまた、下段の処理ブロック１１ａ・
１１ｂの天井部に配設されたフィルターファンユニット
（ＦＦＵ）７１・７２が断熱材としても機能するため
に、上段の処理ブロック１１ｃ・１１ｄから下段の処理
ブロック１１ａ・１１ｂへの熱拡散が抑制され、こうし
て下段の処理ブロック１１ａ・１１ｂの雰囲気を所定の
状態に保持して、処理品質を一定に保つことができるよ
うになっている。ここで、第１処理部１における上段と
下段の境界壁を断熱構造することで、より効果的に上段
の処理ブロック１１ｃ・１１ｄから下段の処理ブロック
１１ａ・１１ｂへの熱拡散を防止することができる。
【００４０】なお、従来のレジスト塗布・現像処理シス
テムは、例えば、ポストベーク処理については複数の分
割されたポストベークユニットを有しており、これら複
数のポストベークユニットに基板Ｇを搬入してポストベ
ーク処理を行っていたが、この場合には、ポストベーク
ユニットごとの特性差に起因して、基板Ｇに微妙な熱履
歴の差が生じ、品質がばらつく問題があった。しかし、
レジスト塗布・現像処理システム１００においては、基
板Ｇは処理ブロック１１ｄに設けられたポストベークゾ
ーン（ＰＯＢ）５６を通過する以外に、ポストベーク処
理を行う場所を有していないために、熱履歴は一定とな
り、基板Ｇの品質を一定に保持することが容易となる。
このような第１処理部１の有する特徴は、第２処理部２
についても当てはまる。
【００４１】第２処理部２を構成する下段の処理ブロッ
ク１２ａは、露光処理後の基板Ｇの現像処理を行う現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２７となっており、処理ブロッ
ク１２ａ内においては、基板Ｇは回転されることなく、
インターフェイス部５から第２搬送部４に向けてＸ方向
に略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液
洗浄、および乾燥処理が行われるようになっている。な
お、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７の天井部には、フ
ィルターファンユニット（ＦＦＵ）７３が設けられ、清
浄な空気のダウンフローが内部を移動する基板Ｇに供給
されるようになっている。
【００４２】処理ブロック１２ａのＹ方向側に仕切壁を
隔てて位置する処理ブロック１２ｂには、第２搬送部４
側に露光処理後の基板Ｇに所定の情報を記録するタイト
ラー（ＴＩＴ）６２が配設され、またインターフェイス
部５側に一時的に露光後の基板Ｇを退避させてストック
するストックユニット（ＳＴ）６４が配置され、さら
に、これらタイトラー（ＴＩＴ）６２とストックユニッ
ト（ＳＴ）６４との中間に、レジスト塗布・現像処理シ
ステム１００のシーケンサや現像処理等に使用する各種
の処理液を供給するためのポンプ等、各種制御機器や動
力機器を収納可能なユーティリティユニット（ＵＴＬ）
６３が設けられている。
【００４３】処理ブロック１２ａの上段に位置する処理
ブロック１２ｃには、第２搬送部４からインターフェイ
ス部５に向かって、レジスト塗布処理が終了した基板の
プリベーク処理を行うプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４
と、基板Ｇの所定温度に冷却するクーリングゾーン（Ｃ
ＯＬ）５５が設けられており、Ｙ方向に隣接する処理ブ
ロック１２ｄ側に空気導入路４２ａが設けられている。
【００４４】前述した処理ブロック１１ｃの構造と同様
に、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾー
ン（ＣＯＬ）５５についても、これらはＸ方向に仕切ら
れてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けら
れているだけであり、第２搬送部４からインターフェイ
ス部５に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１２ｃ内を
Ｘ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過す
ることで熱処理が施される。なお、プリベークゾーン
（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５とで
は設定温度に大きな差があるために、シャッター５９ｂ
によりプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾ
ーン（ＣＯＬ）５５を遮断することが可能となってい
る。
【００４５】処理ブロック１２ｂの上段に位置する処理
ブロック１２ｄは、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１となっ
ており、第２搬送部４とインターフェイス部５との間で
何ら処理を行うことなく基板Ｇを搬送することができる
ようになっている。ここで搬送中の基板Ｇにパーティク
ル等が付着しないように、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１
内に清浄な空気を送ることができるように、処理ブロッ
ク１２ｃ側に空気導入路４２ｂが設けられている。な
お、処理ブロック１２ｂ・１２ｄは必ずしも必要ではな
く、必要に応じてその他の処理装置を配置することも可
能である。
【００４６】次に、上述した構成を有するレジスト塗布
・現像処理システム１００における基板Ｇの搬送経路に
ついて、図５を参照しながら説明する。図５は、先に示
した図３における基板Ｇの搬送順路を矢印Ｄ１〜Ｄ１６
で示した説明図である。なお、図５においては第１搬送
装置１７〜第３搬送装置１９の図示を省略している。
【００４７】最初に、第１搬送装置１７が容器搬入出部
６に載置されたカセットＣから基板Ｇを搬出し（矢印Ｄ
１）、処理ブロック１１ａのエキシマＵＶ照射ゾーン
（ｅ−ＵＶ）２１に搬入する。基板Ｇは、処理ブロック
１１ａ内を略水平に搬送されつつエキシマＵＶ照射ゾー
ン（ｅ−ＵＶ）２１およびスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣ
Ｒ）２２を通過し、所定の液処理が施される（矢印Ｄ
２）。続いて、第２搬送装置１８がスクラブ洗浄処理が
終了した基板Ｇを処理ブロック１１ａから搬出し、処理
ブロック１１ｃの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１に搬
入する。こうして基板Ｇは、処理ブロック１１ｃ内を略
水平に搬送されつつ、脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５
１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリン
グゾーン（ＣＯＬ）５３を逐次通過して所定の熱的処理
が施される（矢印Ｄ３）。
【００４８】次に、第１搬送装置１７が所定温度に冷却
された基板Ｇを処理ブロック１１ｃから搬出し、処理ブ
ロック１１ｂのクーリングユニット（ＣＯＬ）２３に搬
入する。基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３
において均一温度に調節された後に、レジスト塗布ユニ
ット（ＣＴ）２４、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周
縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２６の順で所定の処理
を施され、基板Ｇにレジスト膜が形成される（矢印Ｄ
４）。第２搬送装置１８は、レジスト膜が形成された基
板Ｇを処理ブロック１１ｂから搬出し、処理ブロック１
２ｃに搬入する。基板Ｇは処理ブロック１２ｃ内を略水
平に搬送されつつ、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４と
クーリングゾーン（ＣＯＬ）５５を逐次通過して所定の
プリベーク処理が終了する（矢印Ｄ５）。
【００４９】その後、第３搬送装置１９がプリベーク処
理が終了した基板Ｇを処理ブロック１２ｃから搬出し、
インターフェイス部５に隣接して設けられた図示しない
露光装置に搬入する（矢印Ｄ６）。そして、第３搬送装
置１９は露光処理が終了した基板Ｇを露光装置から搬出
し（矢印Ｄ７）、例えば、処理ブロック１２ｄ（搬送ユ
ニット（ＴＲＳ）６１）に搬入する。基板Ｇは処理ブロ
ック１２ｄ内を搬送され（矢印Ｄ８）、第２搬送装置１
８が基板Ｇを処理ブロック１２ｄから搬出し、処理ブロ
ック１２ｂのタイトラー（ＴＩＴ）６２に搬入する（矢
印Ｄ９）。タイトラー（ＴＩＴ）６２において所定の情
報が記録された基板Ｇは、第２搬送装置１８によって搬
出され（矢印Ｄ１０）、次いで、処理ブロック１２ｄに
搬入されてインターフェイス部５側へ搬送される（矢印
Ｄ１１）。
【００５０】第３搬送装置１９は処理ブロック１２ｄか
ら基板Ｇを搬出し、処理ブロック１２ａに設けられた現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が空いている場合には現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２７へ搬入し、一方、現像処
理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用中のために基板Ｇを搬
入することができない場合には、一時的に基板Ｇをスト
ックユニット（ＳＴ）６４へ搬入する（矢印Ｄ１２）。
そして、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用可能と
なった時点で、第３搬送装置１９は基板Ｇをストックユ
ニット（ＳＴ）６４から搬出し（矢印Ｄ１３）、処理ブ
ロック１２ａに搬入する。
【００５１】なお、矢印Ｄ８〜矢印Ｄ１３の工程は、上
記順序に限定されるものではなく、例えば、露光処理が
終了した基板Ｇを最初にストックユニット（ＳＴ）６４
に収納し（矢印Ｄ１２）、所定時間経過後に搬送ユニッ
ト（ＴＲＳ）６１を用いてストックユニット（ＳＴ）６
４からタイトラー（ＴＩＴ）６２へと搬送（矢印Ｄ１３
→Ｄ８→Ｄ９）し、タイトラー（ＴＩＴ）６２での処理
が終了した後に再び搬送ユニット（ＴＲＳ）６１を用い
て基板Ｇをインターフェイス部５へ戻し（矢印Ｄ１０→
Ｄ１１）、直接に処理ブロック１２ａの現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）２７に搬入しても構わず、この場合におい
てタイトラー（ＴＩＴ）６２での処理が終了した基板Ｇ
を再びストックユニット（ＳＴ）６４に収納しても構わ
ない。
【００５２】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７に搬入さ
れた基板Ｇは処理ブロック１２ａ内を略水平に搬送され
つつ所定の現像処理が施され（矢印Ｄ１４）、第２搬送
装置１８により現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７から搬
出される。第２搬送装置１８は、現像処理が終了した基
板Ｇを処理ブロック１１ｄに搬入し、基板Ｇは処理ブロ
ック１１ｄ内を略水平に搬送されつつ、ポストベークゾ
ーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７
を逐次通過して、ポストベーク処理が行われる（矢印Ｄ
１５）。続いて、第１搬送装置１７が処理ブロック１１
ｄからポストベーク処理が終了した基板Ｇを搬出し、所
定のカセットＣに搬入する（矢印Ｄ１６）。こうして、
基板Ｇに対する洗浄からレジスト塗布、現像に至る処理
が終了する。
【００５３】このようにレジスト塗布・現像処理システ
ム１００においては、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１では
基板Ｇの双方向搬送が可能であるが、その他の処理ブロ
ック１１ａ〜１１ｄ・１２ａ・１２ｃでは基板Ｇは一方
向にのみに搬送され、また、処理を行うことなく搬送す
る必要がないように各種の装置が配置されており、スル
ープットが高くなるように構成されている。
【００５４】次に、レジスト塗布・現像処理システムの
別の実施の形態について説明する。図６は先に図３に示
したレジスト塗布・現像処理システム１００における処
理ブロック１２ｂ・１２ｄの構成を変更し、その他の部
分の構成には変更を加えていないレジスト塗布・現像処
理システムを示す平面図であり、図６（ａ）が上段の概
略構造を、図６（ｂ）が下段の概略構造をそれぞれ示し
ている。第２処理部２の下段にある処理ブロック１２ｂ
のインターフェイス部５側にはストックユニット（Ｓ
Ｔ）６４が設けられ、その上段の処理ブロック１２ｄの
インターフェイス部５側にタイトラー（ＴＩＴ）６２が
設けられている。そして、処理ブロック１２ｂ・１２ｄ
のストックユニット（ＳＴ）６４とタイトラー（ＴＩ
Ｔ）６２以外の部分は、ユーティリティユニット（ＵＴ
Ｌ）６３ａ・６３ｂとなっている。
【００５５】このような図６に示した構成とすることに
より、第３搬送装置１９がタイトラー（ＴＩＴ）６２に
対して基板Ｇの搬入出を行うことができるようになり、
先に図３に示したように、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１
を設ける必要がなくなる。つまり、基板Ｇをただ単に搬
送する必要がなくなることから、スループットが向上
し、基板Ｇの破損等の危険性も小さなものとなる。
【００５６】続いて、図７にレジスト塗布・現像処理シ
ステムのさらに別の実施形態を示す平面図を示す。図７
に示したレジスト塗布・現像処理システムは、先に図３
に示したレジスト塗布・現像処理システム１００におけ
る第１処理部１と第２処理部２における上段の処理ブロ
ック１１ｃ・１１ｄ・１２ｃ・１２ｄの構成を変更し、
その他の部分には変更を加えていない構造を有し、図７
（ａ）が上段の概略構造を、図７（ｂ）が下段の概略構
造をそれぞれ示している。以下、処理ブロック１１ｃ・
１１ｄ・１２ｃ・１２ｄの構造について説明する。
【００５７】処理ブロック１１ｃには、脱水ベークユニ
ット（ＤＨＰ）８１ａ・８１ｂと、アドヒージョン処理
ユニット（ＡＤ）８２ａ・８２ｂと、ポストベークユニ
ット（ＰＯＢ）８３ａ・８３ｂが配設され、また、処理
ブロック１１ｄには、クーリングユニット８４ａ〜８４
ｃと、ポストベークユニット（ＰＯＢ）８３ｃ〜８３ｅ
が配設され、処理ブロック１１ｃと処理ブロック１１ｄ
の中間には、Ｘ方向に延在する水平搬送路が形成されて
おり、水平搬送路に第４搬送装置９１が配置されてい
る。
【００５８】処理ブロック１１ｃ・１１ｄに配置された
上記各種の熱処理ユニットは独立した箱体となってお
り、熱処理ユニットに対する基板Ｇの搬入出は水平搬送
路側から行われ、処理ブロック１１ｃ・１１ｄ内をＸ方
向に移動することは不可能となっている。一方、第４搬
送装置９１は水平搬送路に沿ってＸ方向に移動可能であ
り、また、Ｚ方向に昇降可能に構成され、その搬送アー
ムはＹ方向に伸縮して処理ブロック１１ｃ・１１ｄを構
成する熱処理ユニットにアクセス可能であり、第１搬送
装置１７の搬送アーム１７ａおよび第２搬送装置１８の
搬送アーム１８ａとの間で基板Ｇの受け渡しを行うこと
ができるようになっている。
【００５９】処理ブロック１１ｃ・１１ｄには、洗浄後
レジスト塗布前に行うべき熱処理を行うための熱処理ユ
ニットと、現像処理後に行うべき熱処理ユニットが配設
されるが、第４搬送装置９１の搬送アームが処理ブロッ
ク１１ｃ・１１ｄを構成する複数の熱処理ユニットにラ
ンダムにアクセス可能であることから、これらの熱処理
ユニットの配置位置に制限はない。
【００６０】例えば、図８の平面図に示すレジスト塗布
・現像処理システムのように、処理ブロック１１ｄには
何ら熱処理ユニットを設けず、処理ブロック１１ｃに、
上下二段に断熱積層された脱水ベーク（下段）／クーリ
ング（上段）ユニット（ＤＨＰ／ＣＯＬ）８６ａ・８６
ｂ、アドヒージョン（下段）／ポストベーク（上段）ユ
ニット（ＡＤ／ＰＯＢ）８７ａ・８７ｂ、ポストベーク
（上下段）ユニット（ＰＯＢ／ＰＯＢ）８８、ポストベ
ーク（下段）／クーリング（上段）（ＰＯＢ／ＣＯＬ）
８９等の熱処理ユニットを配設することも可能である。
【００６１】処理ブロック１２ｃには、プリベークユニ
ット（ＰＲＢ）８５ａ〜８５ｄと、クーリングユニット
（ＣＯＬ）８４ｄ・８４ｅが配置され、処理ブロック１
２ｃのＹ方向側面にはＸ方向に延在する水平搬送路が形
成されており、水平搬送路に第４搬送装置９１と同等の
構造を有する第５搬送装置９２が配置されている。処理
ブロック１２ｄは、図７においては何ら装置が配設され
ていない空きスペースとなっているが、例えば、ユーテ
ィリティユニット（ＵＴＬ）６３と同様に用いることが
可能である。
【００６２】処理ブロック１２ｃには、レジスト膜形成
後露光処理前に行うべき熱処理を行うための熱処理ユニ
ットが配置される。これらの熱処理ユニットは独立した
箱体となっており、これらの熱処理ユニットに対する基
板Ｇの搬入出は水平搬送路側から第５搬送装置９２の搬
送アームを用いてランダムに行うことができるようにな
っている。このためプリベークユニット（ＰＲＢ）８５
ａ〜８５ｄと、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄ・
８４ｅの配置位置は図７に示されるものに制限されず、
また、図８に示すように、上下二段に断熱積層されたプ
リベーク（上段）／プリベーク（下段）ユニット（ＰＲ
Ｂ／ＰＲＢ）９９を設けることも可能である。
【００６３】なお、第５搬送装置９２の搬送アームは、
第２搬送装置１８の搬送アーム１８ａおよび第３搬送装
置１９の搬送アーム１９ａとの間で基板Ｇの受け渡しを
行うことができるようになっており、第５搬送装置９２
は、露光処理後の基板Ｇの処理ブロック１２ｂに設けら
れたタイトラー（ＴＩＴ）６２への搬送や、タイトラー
（ＴＩＴ）６２から搬出された基板Ｇのインターフェイ
ス部５側への搬送をも行う。
【００６４】このように、レジスト塗布・現像処理シス
テムにおける熱処理については、複数設けられた熱処理
ユニットにランダムにアクセスが可能な構成とすること
により、適宜、使用していない熱処理ユニットに基板Ｇ
を搬送して熱処理を行うことができることから、スルー
プットが向上する。
【００６５】次に、図９にレジスト塗布・現像処理シス
テムのさらに別の実施形態を示す平面図を示す。図９に
示したレジスト塗布・現像処理システムは、先に図７に
示したレジスト塗布・現像処理システムにおける第１処
理部１と第２処理部２における下段の処理ブロック１１
ａ・１１ｂ・１２ａの構成を変更し、また、このような
構成変更に伴って第２搬送部４内に構造の簡略化された
搬送装置（基板搬送装置９５）を配設し、その他の部分
には変更を加えていない構造を有しており、図９（ａ）
が上段の概略構造を、図９（ｂ）が下段の概略構造をそ
れぞれ示している。以下、処理ブロック１１ａ・１１ｂ
・１２ａの構造について説明する。
【００６６】処理ブロック１１ａには、エキシマＵＶ照
射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１ａと、２台のスクラバ洗浄
ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・２２ｂが配設されており、
また、処理ブロック１１ｂには、クーリングユニット
（ＣＯＬ）２３、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニ
ット（ＥＲ）２６が並べて配置されている。処理ブロッ
ク１１ａと処理ブロック１１ｂの中間には、Ｘ方向に延
在する水平搬送路が形成されており、この水平搬送路に
は、第４搬送装置９１と同様の構造を有する第６搬送装
置９３が配置されている。
【００６７】処理ブロック１２ａには、３台の現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２７ａ〜２７ｃが配設されており、
処理ブロック１２ａのＹ方向側面には、Ｘ方向に延在す
る水平搬送路が形成されており、この水平搬送路には、
第４搬送装置９１と同様の構造を有する第７搬送装置９
４が配置されている。なお、第４〜第７搬送装置の配設
によって、第２搬送部４内に配置される基板搬送装置は
Ｙ方向へスライドさせる必要がなくなるために、Ｚ方向
における昇降動作と、水平面内での回転動作と、Ｘ方向
への伸縮動作のみが可能な基板搬送装置９５が配置され
ている。
【００６８】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・
２２ｂとしては、例えば、１台で粗洗浄から仕上げ洗
浄、洗浄液の振り切り乾燥を行うことができるスピナー
系ユニットを配設することができる。また、現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２７ａ〜２７ｃについても、１台で現
像処理およびリンス処理とリンス液の振り切り乾燥を行
うことができるスピナー系ユニットを配設することがで
きる。このように、複数の液処理ユニットを設けること
によって、スループットを向上させることが可能とな
る。
【００６９】第６搬送装置９３の搬送アームは、処理ブ
ロック１１ａ・１１ｂに配設された複数の処理ユニット
（減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２５を除く）にランダムに
アクセス可能であり、例えば、逐次、空いている処理ユ
ニットへ基板Ｇを搬送する。また、第６搬送装置９３
は、第１搬送装置１７および基板搬送装置９５との間で
基板Ｇの受け渡しが可能である。
【００７０】第７搬送装置９４の搬送アームは、処理ブ
ロック１２ａに配設された３台の現像処理ユニット２７
ａ〜２７ｃにランダムにアクセスすることが可能であ
り、逐次、空いている処理ユニットへ基板Ｇを搬送す
る。また、第７搬送装置９４は、第３搬送装置１９およ
び基板搬送装置９５との間で基板Ｇの受け渡しが可能で
ある。なお、タイトラー（ＴＩＴ）６２に対しては、基
板搬送装置９５または第７搬送装置９４のいずれかがア
クセスできればよく、ストックユニット（ＳＴ）６４に
対しては、第７基板搬送装置９４または第３搬送装置１
９のいずれかがアクセスできればよい。
【００７１】上述した図５〜図９に示したレジスト塗布
・現像処理装置においても、カセットＣに収納された基
板Ｇが所定の処理を経て再びカセットＣに収納されるま
でに基板Ｇに施される処理内容は、図１〜図３に示した
レジスト塗布・現像処理システム１００を用いた場合と
変わるところはない。つまり、図５〜図９に示したレジ
スト塗布・現像処理装置においては、基板Ｇは処理ブロ
ック内をＸ方向に搬送されつつ処理され、または、所定
の搬送装置を用いて所定の処理ユニットに搬入されて処
理された後に搬出され、次の処理ユニットに搬送され
る。
【００７２】例えば、図９に示したレジスト塗布・現像
処理装置における基板Ｇの搬送工程は、最初に、第１搬
送装置１７が容器搬入出部６に載置されたカセットＣか
ら基板Ｇを搬出し、基板Ｇを第６搬送装置９３に移し替
える。第６搬送装置９３は、基板ＧをエキシマＵＶ照射
ユニット（ｅ−ＵＶ）２１ａに搬入し、ＵＶ照射処理後
に基板Ｇを搬出する。続いて、第６搬送装置９３は、基
板Ｇをスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２２ａ・２
２ｂの一方に搬入し、スクラブ洗浄処理が終了した後に
基板Ｇを搬出し、基板搬送装置９５に受け渡す。
【００７３】基板搬送装置９５は基板Ｇを第４搬送装置
９１に受け渡し、第４搬送装置９１は、例えば、脱水ベ
ークユニット（ＤＨＰ）８１ａ、アドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）８２ａ、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４
ｂの順序で、これらのユニットに対して基板Ｇの搬入出
を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｂでの処理
が終了した基板Ｇを第１搬送装置１７へ受け渡す。
【００７４】次いで、第１搬送装置１７は第６搬送装置
９３に基板Ｇを受け渡し、第６搬送装置９３は、基板Ｇ
をクーリングユニット（ＣＯＬ）２３に搬入する。基板
Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３において均一
温度に調節された後に、第６搬送装置９３によって搬出
され、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４に搬入され
る。こうしてレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧
乾燥ユニット（ＶＤ）２５、周縁レジスト除去ユニット
（ＥＲ）２６の順で所定の処理を施され、レジスト膜が
形成された基板Ｇは再び第６搬送装置９３によって搬出
され、基板搬送装置９５に受け渡しされる。
【００７５】基板搬送装置９５は、このレジスト膜が形
成された基板Ｇを第５搬送装置９２に受け渡し、第５搬
送装置９２は、例えば、プリベークユニット（ＰＲＢ）
８５ａ、クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄの順序
で、これらのユニットに対して基板Ｇの搬入出を行い、
クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ｄでの処理が終了し
た基板Ｇを第３搬送装置１９へ受け渡す。第３搬送装置
１９は露光装置へ基板Ｇを受け渡し、また、露光処理が
終了した基板Ｇを露光装置から受け取って、第７搬送装
置９４へ受け渡す。第７搬送装置９４は、例えば、露光
処理が終了した基板Ｇをタイトラー（ＴＩＴ）６２に搬
入し、タイトラー（ＴＩＴ）６２にて所定の処理が終了
した基板Ｇを搬出し、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７
ａ〜２７ｃのいずれかに搬入する。
【００７６】こうして、現像処理が終了した基板Ｇは第
７搬送装置９４によって搬出された後、基板搬送装置９
５へ受け渡しされる。そして、基板搬送装置９５は第４
搬送装置９１に基板Ｇを受け渡し、第４搬送装置９１
は、例えば、ポストベークユニット（ＰＯＢ）８３ｃ、
クーリングユニット（ＣＯＬ）８４ａの順序で、これら
のユニットに対して基板Ｇの搬入出を行い、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）８４ａでの処理が終了した基板Ｇを
第１搬送装置１７へ受け渡す。第１搬送装置１７は、ポ
ストベーク処理が終了した基板Ｇ所定のカセットＣに搬
入し、こうして基板Ｇに対する洗浄からレジスト塗布、
現像に至る処理が終了する。
【００７７】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明はこのような実施の形態に限定される
ものではない。例えば、上記実施の形態では第２処理部
２を第１処理部１のＸ方向隣に配置したが、基板Ｇの搬
送方向はＸ方向のままで第２処理部をＹ方向隣に配置す
ることも可能である。この場合には、第１処理部１と第
２処理部２との中間にメンテナンススペースを確保する
ことが好ましく、第３搬送装置１９を設ける必要はなく
なる。また、レジスト塗布・現像処理システム１００に
おいて用いられている熱処理ブロック、つまり、基板Ｇ
が内部を略水平に搬送されつつ所定の熱的処理が施され
る複数の温度ゾーンからなる処理ブロックは、複数段に
積層することも可能である。さらに、処理部は２箇所に
限定されるものではなく、１箇所または３箇所以上であ
ってもよく、被処理体はＬＣＤガラス基板Ｇに限定され
るものではなく、例えば、半導体ウエハ等であってもよ
い。
【００７８】
【発明の効果】上述の通り、本発明の処理装置によれ
ば、液処理部を上下二段に仕切られた下段に配置し、こ
の液処理部の上段に熱的処理部を配置することにより、
処理装置のフットプリントが縮小されるという効果が得
られる。また、本発明は、被処理体を一方向に搬送しつ
つ所定の液処理および熱的処理を行う処理形態を採用す
ることによって、被処理体の搬送に必要な搬送装置の数
を低減してその配置スペースを省き、フットプリントを
縮小するという効果を奏する。このとき、装置コストを
低減することが可能となるという効果が得られる。さら
に、本発明は、液処理部の上部に熱的処理部を配置する
ことで、熱的処理部からの熱拡散が液処理部に及ぶこと
が回避され、液処理の均一性が向上し、ひいては被処理
体の品質が高められるという効果を奏する。
【００７９】さらにまた、本発明においては、被処理体
に対して所定の液処理を行う液処理部と熱的処理を行う
熱的処理部の配置を被処理体の一連の処理工程に適合さ
せて配置することで被処理体を効率的に処理し、スルー
プットを向上させる効果が得られる。なお、被処理体を
一方向に搬送しつつ所定の液処理および熱的処理を行う
処理部に代えて、同種の液処理ユニットと熱処理ユニッ
トを複数設け、これらの処理ユニットにランダムにアク
セスすることができる構造とすることにより、フットプ
リントを縮小したままスループットを向上させることが
可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト
塗布・現像処理システムの一実施形態を示す斜視図。
【図２】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムの
概略構造を示す側面図。
【図３】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムの
概略構造を示す平面図。
【図４】熱処理を行う処理ブロックにおける気流制御の
一形態を示す説明図。
【図５】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムに
おける基板の搬送順路を示した説明図。
【図６】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト
塗布・現像処理システムの別の実施形態を示す平面図。
【図７】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト
塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平
面図。
【図８】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト
塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平
面図。
【図９】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト
塗布・現像処理システムのさらに別の実施形態を示す平
面図。
【符号の説明】
１；第１処理部 ２；第２処理部 ３；第１搬送部 ４；第２搬送部 ５；インターフェイス部 ６；容器搬入出部 １１ａ〜１１ｄ・１２ａ〜１２ｄ；処理ブロック １７；第１搬送装置 １８；第２搬送装置 １９；第３搬送装置 ２１；エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ） ２２；スクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ） ２２ａ・２２ｂ；スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ） ２３；クーリングユニット（ＣＯＬ） ２４；レジスト塗布ユニット（ＣＴ） ２５；減圧乾燥ユニット（ＶＤ） ２６；周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ） ２７・２７ａ〜２７ｃ；現像処理ユニット（ＤＥＶ） ４１ａ・４１ｂ・４２ａ・４２ｂ；空気導入路 ５１；脱水ベークゾーン（ＤＨＰ） ５２；アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ） ５３；クーリングゾーン（ＣＯＬ） ５４；プリベークゾーン（ＰＲＢ） ５５；クーリングゾーン（ＣＯＬ） ５６；ポストベークゾーン（ＰＯＢ） ５７；クーリングゾーン（ＣＯＬ） ６１；搬送ユニット（ＴＲＳ） ６２；タイトラー（ＴＩＴ） ６３；ユーティリティユニット（ＵＴＬ） ６４；ストックユニット（ＳＴ） ９１；第４搬送装置 ９２；第５搬送装置 ９３；第６搬送装置 ９４；第７搬送装置 ９５；基板搬送装置 １００；レジスト塗布・現像処理システム Ｇ；基板（ＬＣＤ基板）
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F042 AA02 AA07 BA08 DA01 DA09 DB01 DB41 DE01 DE03 DE06 DF01 DF25 DF28 DF32 DF34 EB09 ED03 5F031 CA05 FA02 FA07 FA12 FA14 GA47 GA48 GA49 GA53 MA02 MA03 MA06 MA23 MA24 MA26 NA03 NA16 PA11 PA23 5F046 HA02 JA22 KA10 LA18

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体に対して液処理を含む一連の処
    理を施す処理装置であって、 被処理体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを
    有する液処理部と、 被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処理ユニット
    を有する熱的処理部と、 を具備し、 上下二段に仕切られた下段に前記液処理部が配置され、
    上段に前記熱的処理部が配置されていることを特徴とす
    る処理装置。
  2. 【請求項２】 被処理体に対して液処理を含む一連の処
    理を行う処理装置であって、 前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す
    複数の処理ユニットを備えた処理部と、 処理前の被処理体および／または処理後の被処理体を収
    納可能な収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理
    体を搬入出する搬入出部と、 を具備し、 前記処理部は、 上下二段に仕切られた下段に設けられ、被処理体に所定
    の液処理を施す複数の液処理ユニットを有する液処理部
    と、 上下二段に仕切られた上段に設けられ、被処理体に所定
    の熱的処理を施す複数の熱処理ユニットを有する熱的処
    理部と、 前記上段と前記下段との間で被処理体を搬送する搬送装
    置と、 を有することを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項３】 被処理体に対して液処理を含む一連の処
    理を行う処理装置であって、 被処理体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを
    有する液処理部が上下二段に仕切られた下段に配置さ
    れ、かつ、被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処
    理ユニットを有する熱的処理部が上下二段に仕切られた
    上段に配置されてなる処理ユニット群が複数配置された
    処理部と、 前記複数の処理ユニット群の間で、または、１つの処理
    ユニット群における上段と下段との間で被処理体を搬送
    する搬送装置と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項４】 被処理体に対して液処理を含む一連の処
    理を行う処理装置であって、 処理前または処理後の被処理体を収納可能な収納容器を
    載置する容器搬入出部と、 被処理体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを
    有する液処理部が上下二段に仕切られた下段に配置さ
    れ、かつ、被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処
    理ユニットを有する熱的処理部とが上下二段に仕切られ
    た上段に配置されてなる処理ユニット群が並列に２台連
    設されてなる第１の処理部と、 被処理体を搬送するために前記容器搬入出部と前記第１
    の処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、 被処理体に所定の液処理を施す複数の液処理ユニットを
    有する液処理部が上下二段に仕切られた下段に配置さ
    れ、かつ、被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱処
    理ユニットを有する熱的処理部とが上下二段に仕切られ
    た上段に配置されてなる処理ユニット群を有する第２の
    処理部と、 被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２
    の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、 被処理体を搬送するために前記第２の処理部を挟んで前
    記第２の搬送装置の反対側に設けられた第３の搬送装置
    と、 を具備することを特徴とする処理装置。
  5. 【請求項５】 前記液処理部は、内部において被処理体
    が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる構造を
    有し、 前記熱的処理部は、内部において被処理体が略水平に搬
    送されつつ所定の熱的処理が行われる構造を有し、 前記液処理部における被処理体の搬送方向と前記熱的処
    理部における被処理体の搬送方向が互いに平行であるこ
    とを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に
    記載の処理装置。
  6. 【請求項６】 前記熱的処理部には、低温側から高温側
    へ気流が流れて排気される排気経路が形成されており、
    かつ、相対的に高温での熱処理後に低温へ冷却する熱的
    処理が行われる部分においては高温側から低温側への気
    流の流れが生じないように高温で熱処理を行う部分と低
    温で熱処理を行う部分とが遮蔽可能に構成されているこ
    とを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
  7. 【請求項７】 前記熱的処理部には、被処理体の搬送方
    向と垂直な方向に気流の流れが生ずるように、給気口お
    よび排気口が形成されていることを特徴とする請求項５
    に記載の処理装置。
  8. 【請求項８】 前記液処理部は、内部において被処理体
    が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる構造を
    有し、 前記熱的処理部は、区切られた複数の熱的処理ユニット
    が連設された構造を有しており、前記複数の熱的処理ユ
    ニットに対して被処理体の搬入出を行うユニット間搬送
    装置を具備することを特徴とする請求項１から請求項４
    のいずれか１項に記載の処理装置。
  9. 【請求項９】 前記液処理部は、異なる液処理を行う複
    数の液処理ユニットを有しており、前記液処理ユニット
    に対して被処理体の搬入出を行う第１のユニット間搬送
    装置を具備し、 前記熱的処理部は、区切られた複数の熱処理ユニットが
    連設された構造を有しており、前記複数の熱処理ユニッ
    トに対して被処理体の搬入出を行う第２のユニット間搬
    送装置を具備することを特徴とする請求項１から請求項
    ４のいずれか１項に記載の処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記熱的処理部は、複数の熱処理ユニ
    ットが複数段に積層された構造を有することを特徴とす
    る請求項８または請求項９に記載の処理装置。
  11. 【請求項１１】 被処理体に対して洗浄、レジスト塗布
    および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置で
    あって、 前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す
    複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の
    処理部と、 処理前または処理後の被処理体を収納可能な収納容器を
    載置する容器搬入出部と、 被処理体を搬送するために前記容器搬入出部と前記第１
    の処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、 被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２
    の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、 被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置
    との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフ
    ェイス部と、 を具備し、 前記第１の処理部は、 被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理
    ユニットと被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に
    所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが
    上下二段に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行
    となるように並列に配置されてなる液処理部と、 内部において被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理後
    の被処理体に所定の熱的処理を施す第１の熱処理ユニッ
    トと内部において被処理体を略水平に搬送しつつ現像処
    理後の被処理体に所定の熱的処理を施す第２の熱処理ユ
    ニットとが上下二段に仕切られた上段に被処理体の搬送
    方向が平行となるように並列に配置されてなる熱的処理
    部と、 を有し、 前記第２の処理部は、 上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露
    光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗
    布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う
    現像処理ユニットと、 上下二段に仕切られた上段に配置され、内部において被
    処理体を略水平に搬送しつつレジスト液が塗布された被
    処理体に所定の熱的処理を施す第３の熱処理ユニット
    と、 を有することを特徴とする処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記第１から第３の熱処理ユニットに
    は、低温側から高温側へ気流が流れて排気される排気経
    路が形成されており、かつ、相対的に高温での熱処理後
    に低温に冷却する熱的処理が行われる部分においては、
    高温側から低温側への気流の流れが生じないように高温
    で熱処理を行う部分と低温で熱処理を行う部分とが遮蔽
    可能に構成されていることを特徴とする請求項１１に記
    載の処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記第１から第３の熱処理ユニット
    は、被処理体の搬送方向と垂直な方向に気流の流れが生
    ずるように、給気口および排気口が形成されていること
    を特徴とする請求項１１に記載の処理装置。
  14. 【請求項１４】 被処理体に対して洗浄、レジスト塗布
    および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置で
    あって、 前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す
    複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の
    処理部と、 処理前または処理後の被処理体を収納可能な収納容器を
    載置する容器搬入出部と、 被処理体を搬送するために前記容器搬入出部と前記第１
    の処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、 被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２
    の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、 被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置
    との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフ
    ェイス部と、 を具備し、 前記第１の処理部は、 被処理体を略水平に搬送しつつ洗浄処理を行う洗浄処理
    ユニットと被処理体を所定の方向に搬送して被処理体に
    所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットとが
    上下二段に仕切られた下段に被処理体の搬送方向が平行
    となるように並列に配置されてなる液処理部と、 洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互
    いに分離された熱処理ユニットと現像処理後の被処理体
    に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処理
    ユニットとが上下二段に仕切られた上段に配置されてな
    る第１の熱的処理部と、 前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニット
    に対して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、 を有し、 前記第２の処理部は、 上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露
    光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗
    布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う
    現像処理ユニットと、 上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液が塗
    布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに
    分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理部
    と、 前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニット
    に対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置と、 を有することを特徴とする処理装置。
  15. 【請求項１５】 被処理体に対して洗浄、レジスト塗布
    および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置で
    あって、 前記一連の処理に対応して被処理体に所定の処理を施す
    複数の処理ユニットを備えた第１の処理部および第２の
    処理部と、 処理前または処理後の被処理体を収納可能な収納容器を
    載置する容器搬入出部と、 被処理体を搬送するために前記容器搬入出部と前記第１
    の処理部との間に設けられた第１の搬送装置と、 被処理体を搬送するために前記第１の処理部と前記第２
    の処理部との間に設けられた第２の搬送装置と、 被処理体を搬送するために前記第２の処理部と露光装置
    との間に設けられた第３の搬送装置を有するインターフ
    ェイス部と、 を具備し、 前記第１の処理部は、 被処理体の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、被処理
    体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット
    とが、上下二段に仕切られた下段に配置されてなる液処
    理部と、 前記洗浄処理ユニットと前記レジスト塗布ユニットに対
    して被処理体の搬入出を行う第４の搬送装置と、 洗浄処理後の被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互
    いに分離された熱処理ユニットと、現像処理後の被処理
    体に所定の熱的処理を施す複数の互いに分離された熱処
    理ユニットとが、上下二段に仕切られた上段に配置され
    てなる第１の熱的処理部と、 前記第１の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニット
    に対して被処理体の搬入出を行う第５の搬送装置と、 を有し、 前記第２の処理部は、 上下二段に仕切られた下段に配置され、内部において露
    光処理後の被処理体を略水平に搬送しつつ現像液の塗
    布、現像後の現像液除去、リンス処理、乾燥処理を行う
    １または複数の現像処理ユニットと、 前記現像処理ユニットに対して被処理体の搬入出を行う
    第６の搬送装置と、 上下二段に仕切られた上段に配置され、レジスト液が塗
    布された被処理体に所定の熱的処理を施す複数の互いに
    分離された熱処理ユニットからなる第２の熱的処理部
    と、 前記第２の熱的処理部を構成する複数の熱処理ユニット
    に対して被処理体の搬入出を行う第７の搬送装置と、 を有することを特徴とする処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記第２の処理部は、 被処理体を一時的に保管する退避ユニットと、 被処理体に所定の情報を記録するタイトル付与ユニット
    と、 を有することを特徴とする請求項１１から請求項１５の
    いずれか１項に記載の処理装置。
  17. 【請求項１７】 前記洗浄処理ユニットに隣接して被処
    理体に所定波長の紫外線照射を行う紫外線照射ユニット
    が配設されていることを特徴とする請求項１１から請求
    項１６のいずれか１項に記載の処理装置。
  18. 【請求項１８】 前記レジスト塗布ユニットは、レジス
    トを塗布する前に被処理体の温度を調節する温度調整ユ
    ニットを具備することを特徴とする請求項１１から請求
    項１７のいずれか１項に記載の処理装置。
  19. 【請求項１９】 前記レジスト塗布ユニットは、 被処理体にレジスト液を塗布するスピンコーターと、 レジスト液が塗布された被処理体の周縁部のレジストを
    除去する周縁レジスト除去装置と、 前記スピンコーターから前記周縁レジスト除去装置へ被
    処理体を搬送するユニット内搬送装置と、 を具備することを特徴とする請求項１１から請求項１８
    のいずれか１項に記載の処理装置。
  20. 【請求項２０】 上下二段に仕切られた下段に配設され
    た液処理部と上段に配設された熱的処理部との間は、断
    熱構造となっていることを特徴とする請求項１から請求
    項１９のいずれか１項に記載の処理装置。
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