JP7300935B2 - 塗布、現像装置 - Google Patents

Description

本開示は、塗布、現像装置に関する。

従来、半導体ウエハ等の基板に対してレジストの塗布処理を行い、露光装置にて露光された後の基板に対して現像液を供給して現像処理を行う塗布、現像装置が知られている。

特開２００９－２３１６２４号公報

本開示は、塗布、現像装置において、装置構成を簡略化することができる技術を提供する。

本開示の一態様による塗布、現像装置は、積層された６つ以上の処理ブロックを備える。６つ以上の処理ブロックは、積層方向に隣接する２つの第１処理ブロックと、積層方向に隣接する２つの第２処理ブロックと、積層方向に隣接する２つの第３処理ブロックとを含む。２つの第１処理ブロックは、基板にレジストを塗布する塗布処理を行う複数の塗布処理部と、２つの第１処理ブロックにおいて基板を搬送する第１搬送部とを備える。２つの第２処理ブロックは、塗布処理部によってレジストが塗布され、露光装置によって露光処理が施された基板に対して現像処理を施す複数の現像処理部および複数の塗布処理部のうち何れか一方と、２つの第２処理ブロックにおいて基板を搬送する第２搬送部とを備える。２つの第３処理ブロックは、複数の現像処理部と、２つの第３処理ブロックにおいて基板を搬送する第３搬送部とを備える。

本開示によれば、塗布、現像装置において、装置構成を簡略化することができる。

図１は、実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。 図２は、実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。 図３は、実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。 図４は、実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。 図５は、実施形態に係る第１受渡ステーション、処理ステーションおよび第２受渡ステーションの概略側面図である。 図６は、カセットから取り出されて露光装置に搬入されるまでのウエハの流れの一例を示す図である。 図７は、カセットから取り出されて露光装置に搬入されるまでのウエハの流れの一例を示す図である。 図８は、カセットから取り出されて露光装置に搬入されるまでのウエハの流れの一例を示す図である。 図９は、露光装置から取り出されてカセットに収容されるまでのウエハの流れの一例を示す図である。 図１０は、露光装置から取り出されてカセットに収容されるまでのウエハの流れの一例を示す図である。 図１１は、露光装置から取り出されてカセットに収容されるまでのウエハの流れの一例を示す図である。 図１２は、露光装置から取り出されてカセットに収容されるまでのウエハの流れの一例を示す図である。 図１３は、フロント側処理ブロックの具体的構成の一例を示す図である。 図１４は、塗布、現像装置の天井部の構成例を示す図である。 図１５は、変形例に係る塗布、現像装置の概略側面図である。

以下に、本開示による塗布、現像装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による塗布、現像装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

図１は、実施形態に係る塗布、現像装置の概略平面図である。図２および図３は、実施形態に係る塗布、現像装置の概略側面図である。図４は、実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。図５は、実施形態に係る第１受渡ステーション、処理ステーションおよび第２受渡ステーションの概略側面図である。

図１に示すように、実施形態に係る塗布、現像装置１は、搬入出ステーションＳ１と、第１受渡ステーションＳ２と、処理ステーションＳ３と、第２受渡ステーションＳ４と、インタフェースステーションＳ５とを備える。これらは、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って、搬入出ステーションＳ１、第１受渡ステーションＳ２、処理ステーションＳ３、第２受渡ステーションＳ４およびインタフェースステーションＳ５の順番に連結されている。また、塗布、現像装置１は、制御装置６を備える。

＜搬入出ステーションＳ１＞
搬入出ステーションＳ１には、カセットＣを載置可能な複数の載置台１１と、載置台１１から見て前方の壁面に設けられる複数の開閉部１２と、開閉部１２を介してカセットＣからウエハＷを取り出すための搬送部１３とが設けられている。

カセットＣは、複数の半導体ウエハ（以下、ウエハＷと記載する）を収容可能な容器である。搬送部１３は、後述する第１棚ユニット２１に配置された複数の第１受渡部ＴＲＳ１－１、ＴＲＳ１－２とカセットＣとの間でウエハＷの搬送を行う（図５参照）。搬送部１３は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

＜第１受渡ステーションＳ２＞
第１受渡ステーションＳ２には、第１棚ユニット２１と、複数の搬送部２２と、第２棚ユニット２３とが設けられている。第１棚ユニット２１は、第１受渡ステーションＳ２の中央に配置されており、複数（ここでは、２つ）の搬送部２２は、第１棚ユニット２１を挟んで対向する位置にそれぞれ配置されている。また、第２棚ユニット２３は、搬送部２２から見て第１棚ユニット２１と反対側に配置される。第１棚ユニット２１は、搬送部１３および２つの搬送部２２がアクセス可能な位置に配置されるのに対し、第２棚ユニット２３は、１つの搬送部２２のみがアクセス可能な位置に配置される。

第１棚ユニット２１には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、図２に示すように、第１棚ユニット２１には、後述する第１処理層Ｌ１に対応する高さ位置に第１受渡部ＴＲＳ１－１と複数（ここでは、２つ）の第１冷却部ＣＬ１－１，ＣＬ１－２が配置される。たとえば、第１処理層Ｌ１を構成する処理ブロックＢ１，Ｂ２のうち、処理ブロックＢ１の高さ位置に第１冷却部ＣＬ１－２が配置される。また、処理ブロックＢ２の高さ位置に第１冷却部ＣＬ１－２および第１受渡部ＴＲＳ１－１が、下から第１冷却部ＣＬ１－２および第１受渡部ＴＲＳ１－１の順番で配置される。

また、第１棚ユニット２１には、後述する第２処理層Ｌ２に対応する高さ位置に第１受渡部ＴＲＳ１－２と複数（ここでは、２つ）の第１冷却部ＣＬ１－３，ＣＬ１－４が配置される。たとえば、第２処理層Ｌ２を構成する処理ブロックＢ３，Ｂ４のうち、処理ブロックＢ３の高さ位置に第１受渡部ＴＲＳ１－２および第１冷却部ＣＬ１－３が、下から第１受渡部ＴＲＳ１－２および第１冷却部ＣＬ１－３の順番で配置される。また、処理ブロックＢ４の高さ位置に第１冷却部ＣＬ１－４が配置される。

また、第１棚ユニット２１には、第３処理層Ｌ３に対応する高さ位置に複数（ここでは、２つ）の第１冷却部ＣＬ１－５，ＣＬ１－６が配置される。たとえば、第３処理層Ｌ３を構成する処理ブロックＢ５，Ｂ６のうち、処理ブロックＢ５の高さ位置に第１冷却部ＣＬ１－５，ＣＬ１－６が、下から第１冷却部ＣＬ１－５，ＣＬ１－６の順番で配置される。

第１受渡部ＴＲＳ１－１，ＴＲＳ１－２は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。また、第１受渡部ＴＲＳ１－１，ＴＲＳ１－２は、複数の搬送部（ここでは、搬送部１３，２２，３１～３３）によってアクセス可能である。なお、受渡部ＴＲＳ１－１，ＴＲＳ１－２は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。

搬送部２２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。搬送部２２は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、保持部を用いて保持したウエハＷを第１棚ユニット２１に配置される複数の処理部間で搬送する。

第２棚ユニット２３には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、図３に示すように、第２棚ユニット２３には、第３処理層Ｌ３に対応する高さ位置に複数（ここでは、４つ）のアドヒージョン処理部ＡＤが配置される。アドヒージョン処理部ＡＤは、ウエハＷとレジスト膜との密着性が向上するように、たとえばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の蒸気雰囲気でウエハＷを熱処理するアドヒージョン処理を行う。

なお、ここでは、第３処理層Ｌ３に対応する高さ位置に複数のアドヒージョン処理部ＡＤが配置される場合を例示したが、複数のアドヒージョン処理部ＡＤは、第１処理層Ｌ１または第２処理層Ｌ２に対応する高さ位置に配置されてもよい。

＜処理ステーションＳ３：処理ブロックＢ１～Ｂ６＞
図１～図４に示すように、処理ステーションＳ３は、積層された６つの処理ブロックＢ１～Ｂ６と、搬送ブロックＢＭとを備える。搬送ブロックＢＭは、搬入出ステーションＳ１～処理ステーションＳ３の並び方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って延在する。搬送ブロックＢＭには、後述する第１処理層Ｌ１に対応する搬送部３１、第２処理層Ｌ２に対応する搬送部３２および第３処理層Ｌ３に対応する搬送部３３が、処理ブロックＢ１～Ｂ６の積層方向である高さ方向に並べて配置される（図４参照）。

各処理ブロックＢ１～Ｂ６は、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとを備える。フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂと、搬送ブロックＢＭとは、搬入出ステーションＳ１～インタフェースステーションＳ５の並び方向と直交する方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って並べて配置される。また、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとは、搬送ブロックＢＭを挟んで対向する位置に配置される。具体的には、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆは、搬送ブロックＢＭのＸ軸正方向側に配置され、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、搬送ブロックＢＭのＸ軸負方向側に配置される。

図２に示すように、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆは、下から順にこの順番で積層される。フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆのうち、後述する第１処理層Ｌ１に属するフロント側処理ブロックＢ１Ｆ，Ｂ２Ｆには、複数の塗布処理部３５が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。複数の塗布処理部３５は、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ，Ｂ２Ｆにそれぞれ３つずつ設けられる。

塗布処理部３５は、ウエハＷにレジストを塗布する。具体的には、塗布処理部３５は、たとえば、ウエハＷを保持して回転させる保持部と、保持部を囲むカップなどを備えており、不図示の薬液ノズルからウエハＷの表面にレジストを供給することにより、ウエハＷの表面にレジスト膜を形成する。

また、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆのうち、後述する第２処理層Ｌ２に属するフロント側処理ブロックＢ３Ｆ，Ｂ４Ｆには、複数の現像処理部３７が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。複数の現像処理部３７は、フロント側処理ブロックＢ３Ｆ，Ｂ４Ｆにそれぞれ３つずつ設けられる。

現像処理部３７は、露光処理後のウエハＷに対して現像処理を施す処理部である。具体的には、現像処理部３７は、ウエハＷを保持して回転させる保持部と、保持部を囲むカップなどを備えており、不図示の薬液ノズルからウエハＷの表面に現像液を供給する。その後、現像処理部３７は、図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハＷの表面に残存する現像液を洗い流し、つづいて保持部を用いてウエハＷを高速で回転させることによってウエハＷを乾燥させる。

また、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆのうち、後述する第３処理層Ｌ３に属するフロント側処理ブロックＢ５Ｆ，Ｂ６Ｆには、複数の現像処理部３７が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。複数の現像処理部３７は、フロント側処理ブロックＢ５Ｆ，Ｂ６Ｆにそれぞれ３つずつ設けられる。

図３に示すように、バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、下から順にこの順番で積層される。バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂは、それぞれフロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆと同じ高さ位置に配置される。

バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂのうち、第１処理層Ｌ１に属するバック側処理ブロックＢ１Ｂ，Ｂ２Ｂには、それぞれ、ウエハＷを加熱する複数の第１加熱部ＢＫ１と、ウエハＷの一時的な載置場所であるバッファ部ＢＦとが配置される。

第１加熱部ＢＫ１およびバッファ部ＢＦは、たとえば、１つの処理ブロックＢ１～Ｂ６に対して、高さ方向に複数（ここでは、２段）積層して配置することが可能である。また、第１加熱部ＢＫ１およびバッファ部ＢＦは、たとえば、１つの処理ブロックＢ１～Ｂ６に対して、Ｙ軸方向に複数（ここでは、４つ）並べて配置することが可能である。

たとえば、バック側処理ブロックＢ１Ｂの下段には、１つのバッファ部ＢＦと、３つの第１加熱部ＢＫ１とが、Ｙ軸方向に並べて配置される。同様に、バック側処理ブロックＢ１Ｂの上段にも、１つのバッファ部ＢＦと、３つの第１加熱部ＢＫ１とが、Ｙ軸方向に並べて配置される。また、バック側処理ブロックＢ２Ｂについても同様である。

バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂのうち、第２処理層Ｌ２に属するバック側処理ブロックＢ３Ｂ，Ｂ４Ｂには、それぞれ、ウエハＷを加熱する複数の第２加熱部ＢＫ２が配置される。たとえば、バック側処理ブロックＢ３Ｂの下段には、３つの第２加熱部ＢＫ２が、Ｙ軸方向に並べて配置される。同様に、バック側処理ブロックＢ３Ｂの上段にも、３つの第２加熱部ＢＫ２が、Ｙ軸方向に並べて配置される。また、バック側処理ブロックＢ４Ｂについても同様である。

バック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂのうち、第３処理層Ｌ３に属するバック側処理ブロックＢ５Ｂ，Ｂ６Ｂには、それぞれ、ウエハＷを加熱する複数の第３加熱部ＢＫ３が配置される。たとえば、バック側処理ブロックＢ５Ｂの下段には、３つの第３加熱部ＢＫ３が、Ｙ軸方向に並べて配置される。同様に、バック側処理ブロックＢ５Ｂの上段にも、３つの第３加熱部ＢＫ３が、Ｙ軸方向に並べて配置される。また、バック側処理ブロックＢ６Ｂについても同様である。

なお、実施形態に係る塗布、現像装置１において、同一の処理ブロックＢ１～Ｂ６に配置される複数の加熱部ＢＫ１～ＢＫ３は、同一のブレーカに接続される。すなわち、処理ブロックＢ１に配置される６つの第１加熱部ＢＫ１は、これらに対応する１つのブレーカ（第１ブレーカ）に接続され、処理ブロックＢ２に配置される６つの第１加熱部ＢＫ１は、これらに対応する１つのブレーカ（第２ブレーカ）に接続される。同様に、処理ブロックＢ３に配置される６つの第２加熱部ＢＫ２は、これらに対応する１つのブレーカ（第３ブレーカ）に接続され、処理ブロックＢ４に配置される６つの第２加熱部ＢＫ２は、これらに対応する１つのブレーカ（第４ブレーカ）に接続される。同様に、処理ブロックＢ５に配置される６つの第３加熱部ＢＫ３は、これらに対応する１つのブレーカ（第５ブレーカ）に接続され、処理ブロックＢ６に配置される６つの第３加熱部ＢＫ３は、これらに対応する１つのブレーカ（第６ブレーカ）に接続される。このように構成することで、部品点数を抑えることができる。また、処理ブロックＢ１～Ｂ６ごとに加熱部ＢＫ１～ＢＫ３のメンテナンス等を安全に行うことができる。

＜処理ステーションＳ３：搬送ブロックＢＭ＞
搬送ブロックＢＭは、上述したフロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆとバック側処理ブロックＢ１Ｂ～Ｂ６Ｂとの間に配置される。図４に示すように、搬送ブロックＢＭには、複数（ここでは、３つ）の搬送部３１～３３が、高さ方向に並べて配置される。具体的には、搬送部３１～３３は、下から順にこの順番で配置される。搬送部３１～３３は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部３１～３３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

搬送部３１は、処理ブロックＢ１および処理ブロックＢ２の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ１および処理ブロックＢ２におけるウエハＷの搬送を担当する。具体的には、搬送部３１は、処理ブロックＢ１内におけるウエハＷの搬送、処理ブロックＢ２内におけるウエハＷの搬送、並びに、処理ブロックＢ１および処理ブロックＢ２間におけるウエハＷの搬送を行うことができる。

搬送部３２は、処理ブロックＢ３および処理ブロックＢ４の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ３および処理ブロックＢ４におけるウエハＷの搬送を担当する。具体的には、搬送部３２は、処理ブロックＢ３内におけるウエハＷの搬送、処理ブロックＢ４内におけるウエハＷの搬送、並びに、処理ブロックＢ３および処理ブロックＢ４間におけるウエハＷの搬送を行うことができる。

搬送部３３は、処理ブロックＢ５および処理ブロックＢ６の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ５および処理ブロックＢ６におけるウエハＷの搬送を担当する。具体的には、搬送部３３は、処理ブロックＢ５内におけるウエハＷの搬送、処理ブロックＢ６内におけるウエハＷの搬送、並びに、処理ブロックＢ５および処理ブロックＢ６間におけるウエハＷの搬送を行うことができる。

このように、実施形態に係る塗布、現像装置１は、積層方向（高さ方向）に隣接する２つの処理ブロックごとに、すなわち、処理ブロックＢ１，Ｂ２、処理ブロックＢ３，Ｂ４および処理ブロックＢ５，Ｂ６ごとに、搬送部３１～３３を設けることとした。言い換えれば、塗布、現像装置１は、２つの処理ブロックで１つの搬送部３１～３２を共用する処理層を複数（ここでは、３つ）備える構成を有する。したがって、実施形態に係る塗布、現像装置１によれば、たとえば、１つ処理ブロックＢ１～Ｂ６に１つの搬送部を設けた構成と比較して、装置構成を簡略化することができる。

＜第２受渡ステーションＳ４＞
第２受渡ステーションＳ４には、第３棚ユニット４１と、搬送部４２とが設けられている。第３棚ユニット４１は、第２受渡ステーションＳ４の中央に配置されており、搬送部３１～３３、搬送部４２および上述するインタフェースステーションＳ５に設けられた搬送部５１によってアクセス可能である。

第３棚ユニット４１には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、図５に示すように、第３棚ユニット４１には、第１処理層Ｌ１に対応する高さ位置に第２受渡部ＴＲＳ２－１と複数（ここでは、２つ）の第２冷却部ＣＬ２－１，ＣＬ２－２が配置される。たとえば、第１処理層Ｌ１を構成する処理ブロックＢ１，Ｂ２のうち、処理ブロックＢ１の高さ位置に第２冷却部ＣＬ２－１が配置される。また、処理ブロックＢ２の高さ位置に第２冷却部ＣＬ２－１および第２受渡部ＴＲＳ２－１が、下から第２冷却部ＣＬ２－１および第２受渡部ＴＲＳ２－１の順番で配置される。

また、第３棚ユニット４１には、第２処理層Ｌ２に対応する高さ位置に第２受渡部ＴＲＳ２－２と複数（ここでは、２つ）の周辺露光処理部ＷＥＥが配置される。周辺露光処理部ＷＥＥは、たとえばウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光処理を行う。

たとえば、第２処理層Ｌ２を構成する処理ブロックＢ３，Ｂ４のうち、処理ブロックＢ３の高さ位置に１つの周辺露光処理部ＷＥＥが配置される。また、処理ブロックＢ４の高さ位置に第２受渡部ＴＲＳ２－２および周辺露光処理部ＷＥＥが、下から第２受渡部ＴＲＳ２－２および周辺露光処理部ＷＥＥの順番で配置される。

また、第３棚ユニット４１には、第３処理層Ｌ３に対応する高さ位置に第２受渡部ＴＲＳ２－３が配置される。第２受渡部ＴＲＳ２－３は、たとえば、第３処理層Ｌ３を構成する処理ブロックＢ５，Ｂ６のうち、処理ブロックＢ５の高さ位置に配置される。

第２受渡部ＴＲＳ２－１，ＴＲＳ２－２，ＴＲＳ２－３は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。また、第２受渡部ＴＲＳ２－１，ＴＲＳ２－２，ＴＲＳ２－３は、複数の搬送部（ここでは、搬送部３１～３３，４２，５１）によってアクセス可能である。なお、受渡部ＴＲＳ２－１，ＴＲＳ２－２，ＴＲＳ２－３は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。

搬送部４２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。搬送部４２は、水平方向および鉛直方向への移動が可能であり、保持部を用いて保持したウエハＷを第３棚ユニット４１に配置される複数の処理部間で搬送する。

＜インタフェースステーションＳ５＞
インタフェースステーションＳ５には、搬送部５１と、第４棚ユニット５２とが設けられている。搬送部５１は、第３棚ユニット４１に配置された複数の処理部、第４棚ユニット５２および露光装置ＥＸＰ間でウエハＷの搬送を行う（図５参照）。搬送部５１は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部５１は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第４棚ユニット５２には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、第４棚ユニット５２には、複数のバッファ部ＢＦが配置される（図８参照）。

＜制御装置６＞
図１に示すように、制御装置６は、制御部６１と、記憶部６２とを備える。制御部６１は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体には、塗布、現像装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。

制御部６１は、記憶媒体に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって塗布、現像装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部６１の記憶媒体にインストールされたものであってもよい。

コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

＜塗布、現像装置１の具体的動作の一例＞
次に、塗布、現像装置１の具体的動作の一例について図６～図１２を参照して説明する。図６～図８は、カセットＣから取り出されて露光装置ＥＸＰに搬入されるまでのウエハＷの流れの一例を示す図である。また、図９～図１２は、露光装置ＥＸＰから取り出されてカセットＣに収容されるまでのウエハＷの流れの一例を示す図である。

図６に示すように、実施形態に係る塗布、現像装置１では、搬送部１３が載置台１１に載置されたカセットＣからウエハＷを取り出して第１棚ユニット２１の第１受渡部ＴＲＳ１－１に載置する。つづいて、搬送部２２が第１受渡部ＴＲＳ１－１からウエハＷを取り出して第２棚ユニット２３のアドヒージョン処理部ＡＤに搬送し、アドヒージョン処理部ＡＤがウエハＷに対してアドヒージョン処理を行う。

つづいて、図７に示すように、搬送部２２がアドヒージョン処理部ＡＤからウエハＷを取り出して第１冷却部ＣＬ１－１へ搬送し、第１冷却部ＣＬ１－１がウエハＷの温度を予め設定された温度に調整（冷却）する。つづいて、第１処理層Ｌ１に対応する搬送部３１が第１冷却部ＣＬ１からウエハＷを取り出して塗布処理部３５へ搬送し、塗布処理部３５がウエハＷに対して塗布処理を行う。

つづいて、搬送部３１が塗布処理後のウエハＷを塗布処理部３５から取り出して第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１がウエハＷを予め設定された温度に加熱する。その後、搬送部３１が第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出してバッファ部ＢＦへ搬送する。そして、搬送部３１がバッファ部ＢＦからウエハＷを取り出して第３棚ユニット４１の第２冷却部ＣＬ２－２へ搬送し、第２冷却部ＣＬ２－２がウエハＷの温度を予め設定された温度に調整（冷却）する。

つづいて、図８に示すように、搬送部４２が第２冷却部ＣＬ２－２からウエハＷを取り出して周辺露光処理部ＷＥＥへ搬送し、周辺露光処理部ＷＥＥがウエハＷに対して周辺露光処理を行う。つづいて、搬送部５１が周辺露光処理部ＷＥＥからウエハＷを取り出して第４棚ユニット５２のバッファ部ＢＦへ搬送する。その後、搬送部５１がバッファ部ＢＦからウエハＷを取り出して第２冷却部ＣＬ２－１へ搬送し、第２冷却部ＣＬ２－１がウエハＷを予め設定された温度に調整（冷却）する。そして、搬送部５１が第２冷却部ＣＬ２－１からウエハＷを取り出して露光装置ＥＸＰへ搬送し、露光装置ＥＸＰがウエハＷに対して露光処理を行う。

つづいて、図９に示すように、搬送部５１が露光装置ＥＸＰから露光処理後のウエハＷを取り出して第３棚ユニット４１の第２受渡部ＴＲＳ２－１に載置する。その後、搬送部５１が第２受渡部ＴＲＳ２－１からウエハＷを取り出して第４棚ユニット５２のバッファ部ＢＦに載置する。そして、搬送部５１がバッファ部ＢＦからウエハＷを取り出して、第２処理層Ｌ２に対応する第２受渡部ＴＲＳ２－２または第３処理層Ｌ３に対応する第２受渡部ＴＲＳ２－３（ここでは、第２受渡部ＴＲＳ２－３）へ載置する。

つづいて、図１０に示すように、第３処理層Ｌ３に対応する搬送部３３が第２受渡部ＴＲＳ２－３からウエハＷを取り出して第３加熱部ＢＫ３に搬送し、第３加熱部ＢＫ３がウエハＷを予め設定された温度に加熱する。つづいて、搬送部３３が第３加熱部ＢＫ３からウエハＷを取り出して第１棚ユニット２１の第１冷却部ＣＬ１－５へ搬送し、第１冷却部ＣＬ１－５がウエハＷを予め設定された温度に調整（冷却）する。その後、搬送部３３が第１冷却部ＣＬ１－５からウエハＷを取り出して現像処理部３７へ搬送し、現像処理部３７がウエハＷに対して現像処理を行う。

つづいて、図１１に示すように、搬送部３３が現像処理部３７からウエハＷを取り出して第３加熱部ＢＫ３へ搬送し、第３加熱部ＢＫ３がウエハＷを予め設定された温度に加熱する。つづいて、搬送部３３が第３加熱部ＢＫ３からウエハＷを取り出して第１棚ユニット２１の第１冷却部ＣＬ１－６へ搬送し、第１冷却部ＣＬ１－６がウエハＷを予め設定された温度に調整（冷却）する。

つづいて、図１２に示すように、搬送部２２がウエハＷを第１冷却部ＣＬ１－６から第１受渡部ＴＲＳ１－１へ移し替える。そして、搬送部１３が第１受渡部ＴＲＳ１からウエハＷを取り出してカセットＣへ収容する。これにより、塗布、現像装置１による一連の基板処理（塗布、塗布処理）が終了する。

＜フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆの具体的構成＞
次に、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆの具体的構成の一例について図１３を参照して説明する。図１３は、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ６Ｆの具体的構成の一例を示す図である。なお、図１３には、一例として、フロント側処理ブロックＢ６Ｆの構成例を示しているが、他のフロント側処理ブロックＢ１Ｆ～Ｂ５Ｆについても同様である。

図１３に示すように、フロント側処理ブロックＢ６Ｆは、筐体３００を備える。言い換えれば、筐体３００により周囲を囲まれた領域がフロント側処理ブロックＢ６Ｆであり、複数の現像処理部３７は、かかる筐体３００の内部に収容される。

筐体３００は、筐体３００の四隅に位置する４つの柱部３０１と、Ｘ軸方向に沿って並ぶ２つの柱部３０１間に配置された２つの側面パネル３０２と、Ｙ軸方向に沿って並ぶ２つの柱部３０１間に水平に掛け渡された複数の梁部３０３とを備える。梁部３０３は、たとえば、Ｙ軸方向に沿って並ぶ２つの柱部３０１間において上下に１つずつ設けられる。すなわち、筐体３００をＸ軸方向から見た場合に、左右２つの柱部３０１と上下２つの梁部３０３とによって矩形状の枠体が形成されている。

上記枠体は、搬送部３３が配置されるＸ軸負方向側と、その反対側であるＸ軸正方向側すなわちメンテナンス側にそれぞれ１つずつ形成される。このうち、搬送部３３が配置されるＸ軸負方向側の枠体には、鉛直方向に延在する複数（ここでは、２つ）の中間柱部３０４が設けられる。中間柱部３０４は、上下２つの梁部３０３間に掛け渡される。また、中間柱部３０４は、複数の現像処理部３７間に配置される。一方、Ｘ軸正方向側すなわちメンテナンス側の枠体には、中間柱部３０４は設けられていない。すなわち、左右２つの柱部３０１の間には、これら柱部３０１以外の柱部材は設けられていない。

このように、搬送部３３が配置されるＸ軸負方向側にのみ中間柱部３０４を設け、その反対側であるＸ軸正方向側すなわちメンテナンス側には中間柱部３０４を設けないこととした。メンテナンス側の中間柱部３０４を省略することで、梁部３０３を跨いでＸ軸方向に部材や作業者の身体等を通過させやすくなる。したがって、筐体３００の左右幅（Ｙ軸方向の幅）をコンパクト化しつつ、たとえばカップの交換やフィルタの交換等、各種メンテナンスを行うためのスペースが狭くなることを抑制することができる。

また、図１３に示すように、筐体３００のＹ軸方向における側面には、塗布処理部３５や現像処理部３７に供給される各種の処理液（レジストや現像液など）を流通させる複数の配管が集約されたダクト部３５０が配置される。かかる位置にダクト部３５０を設けることで、たとえば、塗布、現像装置１の組み立て容易性やメンテナンス容易性を向上させることができる。

＜塗布、現像装置１の天井部の構成例＞
次に、塗布、現像装置１の天井部の構成例について図１４を参照して説明する。図１４は、塗布、現像装置１の天井部の構成例を示す図である。

図１４に示すように、塗布、現像装置１の天井部には、載置台４００が設けられている。載置台４００は、ベース部４０１と、ベース部４０１を所定の高さに支持する複数の支柱部４０２とを備える。

ベース部４０１の上部には、各種の電装部品４１０が載置される。このように、電装部品４１０を塗布、現像装置１の天井部から離隔させることで、たとえば加熱部ＢＫ１～ＢＫ３から発せられる熱の影響を低減することができる。

また、塗布、現像装置１の天井部とベース部４０１との間に形成されたスペースには、各種のダクト４２０が載置される。このように、ベース部４０１の上方に電装部品４１０を配置し、ベース部４０１の下方にダクト４２０を配置することで、電装部品４１０とダクト４２０との干渉を抑制することができ、これらの設置作業を容易化することができる。また、電装部品４１０とダクト４２０とを高さ方向に重ねて配置することで、フットプリントの増加を抑制することができる。

（その他の実施形態）
上述した実施形態では、塗布、現像装置が、積層された６つの処理ブロックを備える場合の例について説明したが、塗布、現像装置は、７つ以上の処理ブロックを備えていてもよい。また、塗布、現像装置が備える処理層の数は４つ以上であってもよい。

また、上述した実施形態では、塗布、現像装置が備える３つの処理層のうちの１つに複数の塗布処理部が配置され、残りの２つに複数の現像処理部が配置される場合の例について説明した。これに限らず、３つの処理層のうちの１つに複数の現像処理部が配置され、残りの２つに複数の塗布処理部が配置されてもよい。

また、上述した実施形態では、塗布、現像装置が備える３つの処理層のうち最下段の処理層に複数の塗布処理部が配置される場合の例について説明したが、これに限らず、たとえば、現像装置が備える３つの処理層のうち最上段の処理層に複数の塗布処理部が配置されてもよい。

また、上述した実施形態では、第２処理層Ｌ２を構成する２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４が複数の現像処理部３７を備える場合の例について説明したが、処理ブロックＢ３，Ｂ４は、複数の現像処理部３７に代えて、複数の塗布処理部３５を備えていてもよい。図１５は、塗布、現像装置の概略側面図である。図１５に示すように、変形例に係る塗布、現像装置１Ａは、第２処理層Ｌ２に属するフロント側処理ブロックＢ３Ｆ，Ｂ４Ｆに複数の塗布処理部３５を備える。複数の塗布処理部３５は、フロント側処理ブロックＢ３Ｆ，Ｂ４Ｆにそれぞれ３つずつ、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。

上述してきたように、実施形態に係る塗布、現像装置（一例として、塗布、現像装置１）は、積層された６つ以上の処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１～Ｂ６）を備える。６つ以上の処理ブロックは、積層方向に隣接する２つの第１処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１，Ｂ２）と、積層方向に隣接する２つの第２処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ３，Ｂ４）と、積層方向に隣接する２つの第３処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ５，Ｂ６）とを含む。２つの第１処理ブロックは、基板（一例として、ウエハＷ）にレジストを塗布する複数の塗布処理部（一例として、３つの塗布処理部３５）と、２つの第１処理ブロックにおいて基板を搬送する第１搬送部（一例として、搬送部３１）とを備える。２つの第２処理ブロックは、塗布処理部によってレジストが塗布され、露光装置（一例として、露光装置ＥＸＰ）によって露光処理が施された基板に対して現像処理を施す複数の現像処理部（一例として、３つの現像処理部３７）および複数の塗布処理部のうち何れか一方（一例として、３つの現像処理部３７）と、２つの第２処理ブロックにおいて基板を搬送する第２搬送部（一例として、搬送部３２）とを備える。２つの第３処理ブロックは、複数の現像処理部と、２つの第３処理ブロックにおいて基板を搬送する第３搬送部（一例として、搬送部３３）とを備える。

このように、実施形態に係る塗布、現像装置によれば、２つの処理ブロックで１つの搬送部を共用することとしたため、装置構成を簡略化することができる。

２つの第２処理ブロックは、複数の現像処理部を備えていてもよい。この場合、２つの第１処理ブロックは、２つの第２処理ブロックおよび２つの第３処理ブロックよりも下方に配置されてもよい。これにより、基板の搬送の流れとして、６つ以上の処理ブロックの下から上に向かう流れを形成することができる。

２つの第１処理ブロックは、塗布処理後の基板を加熱するプレ加熱部（一例として、第１加熱部ＢＫ１）をさらに備えていてもよい。また、２つの第３処理ブロックは、露光処理後の基板を加熱するポスト加熱部（一例として、第３加熱部ＢＫ３）をさらに備えていてもよい。

第１処理ブロックにおいて、塗布処理部が基板に対して塗布処理を施した後、塗布処理後の基板を第１搬送部が前記プレ加熱部へ搬送する。また、第３処理ブロックにおいて、露光処理後の基板に対して現像処理部が現像処理を施した後、現像処理後の基板を第３搬送部がポスト加熱部へ搬送する。これにより、たとえば、塗布処理部およびプレ加熱部間での基板の搬送を行う際に、複数の搬送部間での基板の受け渡しを不要とすることができる。また、現像処理部およびポスト加熱部間での基板の搬送を行う際に、複数の搬送部間での基板の受け渡しを不要とすることができる。したがって、一連の塗布、現像処理のスループットを高めることができる。

また、実施形態に係る塗布、現像装置は、搬入出ステーション（一例として、搬入出ステーションＳ１）と、第１受渡ステーション（一例として、第１受渡ステーションＳ２）と、インタフェースステーション（一例として、インタフェースステーションＳ５）と、第２受渡ステーション（一例として、第２受渡ステーションＳ４）とをさらに備えていてもよい。搬入出ステーションは、カセット（一例として、カセットＣ）から基板を取り出して搬送する第４搬送部（一例として、搬送部１３）を備える。第１受渡ステーションは、搬入出ステーションと６つ以上の処理ブロックとの間に配置され、基板の受け渡しが行われる第１受渡部（一例として、２つの第１受渡部ＴＲＳ１－１，ＴＲＳ１－２）を備える。インタフェースステーションは、露光処理前の基板の搬出および露光処理後の基板の搬入を行う第５搬送部（一例として、搬送部５１）を備える。第２受渡ステーションは、６つ以上の処理ブロックとインタフェースステーションとの間に配置され、基板の受け渡しが行われる第２受渡部（一例として、３つの第２受渡部ＴＲＳ２－１～ＴＲＳ２－３）を備える。また、第１受渡ステーションは、第１冷却部（一例として、６つの第１冷却部ＣＬ１－１～ＣＬ１－６）と、第６搬送部（一例として、２つの搬送部２２）とをさらに備えていてもよい。第１冷却部は、第１受渡部の上方または下方に配置され、基板を冷却する。第６搬送部は、第１受渡ステーション内において基板の搬送を行う。また、第２受渡ステーションは、第２冷却部（一例として、第２冷却部ＣＬ２－１～ＣＬ２－３）と、第７搬送部（一例として、搬送部４２）とをさらに備えていてもよい。第２冷却部は、第２受渡部の上方または下方に配置され、基板を冷却する。第７搬送部は、第２受渡ステーション内において基板の搬送を行う。

搬入出ステーションにおいて、第４搬送部がカセットから基板を取り出して第１受渡部に載置する。第１受渡ステーションにおいて、第６搬送部が基板を第１受渡部から第１冷却部に搬送する。第１処理ブロックにおいて、第１搬送部が基板を第１冷却部から塗布処理部へ搬送し、塗布処理部が基板に対して塗布処理を施し、塗布処理後の基板を第１搬送部がプレ加熱部へ搬送し、第１搬送部が基板をプレ加熱部から第２冷却部へ搬送する。また、インタフェースステーションにおいて、第５搬送部が基板を第２冷却部から取り出して搬出する。

インタフェースステーションにおいて、第５搬送部が露光処理後の基板を搬入して第２受渡部に載置する。また、第３処理ブロックにおいて、第３搬送部が基板を第２受渡部から現像処理部へ搬送し、現像処理部が基板に対して現像処理を施し、現像処理後の基板を第３搬送部がポスト加熱部へ搬送し、第３搬送部が基板をポスト加熱部から第１冷却部へ搬送する。また、第１受渡ステーションにおいて、第６搬送部が基板を第１冷却部から第１受渡部へ搬送する。また、搬入出ステーションにおいて、第４搬送部が基板を第１受渡部から取り出してカセットに収容する。

これにより、塗布、現像装置の装置構成を簡略化しつつ、スループットの低下を抑制することができる。

インタフェースステーションにおいて、露光処理後の基板を搬入して第２受渡部に載置する。第３処理ブロックにおいて、第３搬送部が基板を第２受渡部からポスト加熱部へ搬送し、第３搬送部が基板をポスト加熱部から第１冷却部へ搬送し、第３搬送部が基板を第１冷却部から現像処理部へ搬送し、現像処理部が基板に対して現像処理を施し、現像処理後の基板を第３搬送部が現像処理部からポスト加熱部へ搬送し、第３搬送部が基板をポスト加熱部から第１冷却部へ搬送する。また、第１受渡ステーションにおいて、現像処理後の基板を第６搬送部が第１冷却部から第１受渡部へ搬送する。また、搬入出ステーションにおいて、第４搬送部が基板を第１受渡部から取り出してカセットに収容する。露光処理後、現像処理前の基板をポスト加熱部へ搬送して加熱することにより、たとえば、露光処理の際にレジスト膜内に生じた定在波効果を低減することができる。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｃ カセット
Ｗ ウエハ
Ｓ１ 搬入出ステーション
Ｓ２ 受渡ステーション
Ｓ３ 処理ステーション
Ｓ４ 第２受渡ステーション
Ｓ５ インタフェースステーション
ＥＸＰ 露光装置
ＢＭ 搬送ブロック
Ｂ１～Ｂ６ 処理ブロック
Ｂ１Ｆ～Ｂ６Ｆ フロント側処理ブロック
Ｂ１Ｂ～Ｂ６Ｂ バック側処理ブロック
Ｌ１ 第１処理層
Ｌ２ 第２処理層
Ｌ３ 第３処理層
１ 塗布、現像装置
３１～３３ 搬送部
３５ 塗布処理部
３７ 現像処理部

Claims (6)

1. 積層された６つ以上の処理ブロックと、
   搬入出ステーションと、
   第１受渡ステーションと、
   インタフェースステーションと、
   第２受渡ステーションと
   を備え、
   前記６つ以上の処理ブロックは、
   積層方向に隣接する２つの第１処理ブロックと、
   積層方向に隣接する２つの第２処理ブロックと、
   積層方向に隣接する２つの第３処理ブロックと
   を含み、
   前記２つの第１処理ブロックは、
   基板にレジストを塗布する塗布処理を行う複数の塗布処理部と、
   前記２つの第１処理ブロックにおいて前記基板を搬送する第１搬送部と、
   前記塗布処理後の前記基板を加熱するプレ加熱部と
   を備え、
   前記２つの第２処理ブロックは、
   前記塗布処理部によって前記レジストが塗布され、露光装置によって露光処理が施された前記基板に対して現像処理を施す複数の現像処理部および前記複数の塗布処理部のうち何れか一方と、
   前記２つの第２処理ブロックにおいて前記基板を搬送する第２搬送部と
   を備え、
   前記２つの第３処理ブロックは、
   前記複数の現像処理部と、
   前記２つの第３処理ブロックにおいて前記基板を搬送する第３搬送部と、
   前記露光処理後の前記基板を加熱するポスト加熱部と
   を備え、
   前記搬入出ステーションは、
   カセットから前記基板を取り出して搬送する第４搬送部
   を備え、
   前記第１受渡ステーションは、
   前記搬入出ステーションと前記６つ以上の処理ブロックとの間に配置されており、
   前記基板の受け渡しが行われる第１受渡部と、
   前記第１受渡部の上方または下方に配置され、前記基板を冷却する第１冷却部と、
   前記第１受渡ステーション内において前記基板の搬送を行う第６搬送部と
   を備え、
   前記インタフェースステーションは、
   前記露光処理前の前記基板の搬出および前記露光処理後の前記基板の搬入を行う第５搬送部
   を備え、
   前記第２受渡ステーションは、
   前記６つ以上の処理ブロックと前記インタフェースステーションとの間に配置されており、
   前記基板の受け渡しが行われる第２受渡部と、
   前記第２受渡部の上方または下方に配置され、前記基板を冷却する第２冷却部と、
   前記第２受渡ステーション内において前記基板の搬送を行う第７搬送部と
   を備える、塗布、現像装置。
2. 前記２つの第２処理ブロックは、
   前記複数の現像処理部
   を備え、
   前記２つの第１処理ブロックは、
   前記２つの第２処理ブロックおよび前記２つの第３処理ブロックよりも下方に配置される、請求項１に記載の塗布、現像装置。
3. 前記第１処理ブロックにおいて、
   前記塗布処理部が前記基板に対して前記塗布処理を施した後、前記塗布処理後の前記基板を前記第１搬送部が前記プレ加熱部へ搬送し、
   前記第３処理ブロックにおいて、
   前記露光処理後の前記基板に対して前記現像処理部が前記現像処理を施した後、前記現像処理後の前記基板を前記第３搬送部が前記ポスト加熱部へ搬送する、請求項１または２に記載の塗布、現像装置。
4. 前記搬入出ステーションにおいて、
   前記第４搬送部が前記カセットから前記基板を取り出して前記第１受渡部に載置し、
   前記第１受渡ステーションにおいて、
   前記第６搬送部が前記基板を前記第１受渡部から前記第１冷却部に搬送し、
   前記第１処理ブロックにおいて、
   前記第１搬送部が前記基板を前記第１冷却部から前記塗布処理部へ搬送し、前記塗布処理部が前記基板に対して前記塗布処理を施し、前記塗布処理後の前記基板を前記第１搬送部が前記プレ加熱部へ搬送し、前記第１搬送部が前記基板を前記プレ加熱部から前記第２冷却部へ搬送し、
   前記インタフェースステーションにおいて、
   前記第５搬送部が前記基板を前記第２冷却部から取り出して搬出する、請求項１～３のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
5. 前記インタフェースステーションにおいて、
   前記第５搬送部が前記露光処理後の前記基板を搬入して前記第２受渡部に載置し、
   前記第３処理ブロックにおいて、
   前記第３搬送部が前記基板を前記第２受渡部から前記現像処理部へ搬送し、前記現像処理部が前記基板に対して前記現像処理を施し、前記現像処理後の前記基板を前記第３搬送部が前記ポスト加熱部へ搬送し、前記第３搬送部が前記基板を前記ポスト加熱部から前記第１冷却部へ搬送し、
   前記第１受渡ステーションにおいて、
   前記第６搬送部が前記基板を前記第１冷却部から前記第１受渡部へ搬送し、
   前記搬入出ステーションにおいて、
   前記第４搬送部が前記基板を前記第１受渡部から取り出して前記カセットに収容する、請求項４に記載の塗布、現像装置。
6. 前記インタフェースステーションにおいて、
   前記露光処理後の前記基板を搬入して前記第２受渡部に載置し、
   前記第３処理ブロックにおいて、
   前記第３搬送部が前記基板を前記第２受渡部から前記ポスト加熱部へ搬送し、前記第３搬送部が前記基板を前記ポスト加熱部から前記第１冷却部へ搬送し、前記第３搬送部が前記基板を前記第１冷却部から前記現像処理部へ搬送し、前記現像処理部が前記基板に対して前記現像処理を施し、前記現像処理後の前記基板を前記第３搬送部が前記現像処理部から前記ポスト加熱部へ搬送し、前記第３搬送部が前記基板を前記ポスト加熱部から前記第１冷却部へ搬送し、
   前記第１受渡ステーションにおいて、
   前記現像処理後の前記基板を前記第６搬送部が前記第１冷却部から前記第１受渡部へ搬送し、
   前記搬入出ステーションにおいて、
   前記第４搬送部が前記基板を前記第１受渡部から取り出して前記カセットに収容する、請求項４に記載の塗布、現像装置。

Images