JP2002334918A - 処理装置 - Google Patents
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- JP2002334918A JP2002334918A JP2002057303A JP2002057303A JP2002334918A JP 2002334918 A JP2002334918 A JP 2002334918A JP 2002057303 A JP2002057303 A JP 2002057303A JP 2002057303 A JP2002057303 A JP 2002057303A JP 2002334918 A JP2002334918 A JP 2002334918A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットを低下させることなく、かつ装
置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さく
することができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理
ユニットを備えた処理装置を提供すること。 【解決手段】 被処理基板Ｇに対して複数の液処理を含
む一連の処理を行う処理装置100であって、被処理基板
Ｇが略水平に搬送されつつ液処理が行われる複数の液処
理ユニット21,23,24と、複数の液処理に付随する熱的処
理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された複数の熱
的処理ユニットセクション26,27,28とを具備し、複数の
液処理ユニット21,23,24は、処理の順に、被処理基板の
搬送ラインが平行な２列の搬送ラインＡ，Ｂとなるよう
に配置され、これら搬送ラインＡ，Ｂの間には空間部40
を有し、かつこの空間部40を移動可能に設けられ、搬送
ラインＡ，Ｂとの間で被処理基板Ｇが受け渡され、基板
Ｇを保持して移動させる基板保持・移動部材41を有す
る。
置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さく
することができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理
ユニットを備えた処理装置を提供すること。 【解決手段】 被処理基板Ｇに対して複数の液処理を含
む一連の処理を行う処理装置100であって、被処理基板
Ｇが略水平に搬送されつつ液処理が行われる複数の液処
理ユニット21,23,24と、複数の液処理に付随する熱的処
理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された複数の熱
的処理ユニットセクション26,27,28とを具備し、複数の
液処理ユニット21,23,24は、処理の順に、被処理基板の
搬送ラインが平行な２列の搬送ラインＡ，Ｂとなるよう
に配置され、これら搬送ラインＡ，Ｂの間には空間部40
を有し、かつこの空間部40を移動可能に設けられ、搬送
ラインＡ，Ｂとの間で被処理基板Ｇが受け渡され、基板
Ｇを保持して移動させる基板保持・移動部材41を有す
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジス
ト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後
に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関
する。
置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジス
ト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後
に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤの製造においては、被処理基板で
あるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォ
トレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パタ
ーンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理す
るという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回
路パターンを形成する。
あるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォ
トレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パタ
ーンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理す
るという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回
路パターンを形成する。
【０００３】このフォトリソグラフィー技術では、被処
理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理
→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジス
ト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという
一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形
成する。
理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理
→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジス
ト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという
一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形
成する。
【０００４】従来、このような処理は、各処理を行う処
理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した
形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により
各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセス
ブロックを一または複数配置してなる処理システムによ
り行われている。このような処理システムは、基本的に
ランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高
い。
理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した
形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により
各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセス
ブロックを一または複数配置してなる処理システムによ
り行われている。このような処理システムは、基本的に
ランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶ
ような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平
面的な配置を有する処理システムではフットプリントが
極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点か
らフットプリントの縮小が強く求められている。
ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶ
ような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平
面的な配置を有する処理システムではフットプリントが
極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点か
らフットプリントの縮小が強く求められている。
【０００６】フットプリントを小さくするためには、処
理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現
行の処理システムにおいては、スループット向上の観点
から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度
に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ
高精度に移動させることには自ずから限界がある。ま
た、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化して
おり、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等
のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困
難である。
理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現
行の処理システムにおいては、スループット向上の観点
から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度
に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ
高精度に移動させることには自ずから限界がある。ま
た、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化して
おり、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等
のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困
難である。
【０００７】また、フットプリントを小さくする他の手
段としては、中央搬送装置を用いずに処理の順に処理ユ
ニットを配置することが考えられるが、この場合には予
め定められた一連のプロセスにしか対応することができ
ず、処理の自由度が小さいという問題がある。
段としては、中央搬送装置を用いずに処理の順に処理ユ
ニットを配置することが考えられるが、この場合には予
め定められた一連のプロセスにしか対応することができ
ず、処理の自由度が小さいという問題がある。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、スループットを低下させることなく、かつ装
置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さく
することができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理
ユニットを備えた処理装置を提供することを目的とす
る。
であって、スループットを低下させることなく、かつ装
置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さく
することができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理
ユニットを備えた処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決する手段】上記課題を解決するために、本
発明の第１の観点では、被処理基板に対して複数の液処
理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基
板が略水平に搬送されつつ液処理が行われ、処理の順
に、搬送ラインが２列になるように配置された複数の液
処理ユニットと、前記複数の液処理に付随する熱的処理
を行う複数の熱的処理ユニットと、前記２列の搬送ライ
ンの間に設けられた空間部と、前記空間部を移動可能に
設けられ、前記搬送ラインとの間で被処理基板が受け渡
され、基板を保持して移動させる基板保持・移動部材と
を具備する処理装置を提供する。
発明の第１の観点では、被処理基板に対して複数の液処
理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基
板が略水平に搬送されつつ液処理が行われ、処理の順
に、搬送ラインが２列になるように配置された複数の液
処理ユニットと、前記複数の液処理に付随する熱的処理
を行う複数の熱的処理ユニットと、前記２列の搬送ライ
ンの間に設けられた空間部と、前記空間部を移動可能に
設けられ、前記搬送ラインとの間で被処理基板が受け渡
され、基板を保持して移動させる基板保持・移動部材と
を具備する処理装置を提供する。
【００１０】本発明の第２の観点では、被処理基板に対
して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であ
って、前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対し
て所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部
と、処理前の被処理基板および／または処理後の被処理
基板が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対し
て被処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、前記処
理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ液処理が行
われ、処理の順に、搬送ラインが２列になるように配置
された複数の液処理ユニットと、前記複数の液処理に付
随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットと、前記
２列の搬送ラインの間に設けられた空間部と、前記空間
部を移動可能に設けられ、前記搬送ラインとの間で被処
理基板が受け渡され、基板を保持して移動させる基板保
持・移動部材とを有する処理装置を提供する。
して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であ
って、前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対し
て所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部
と、処理前の被処理基板および／または処理後の被処理
基板が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対し
て被処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、前記処
理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ液処理が行
われ、処理の順に、搬送ラインが２列になるように配置
された複数の液処理ユニットと、前記複数の液処理に付
随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットと、前記
２列の搬送ラインの間に設けられた空間部と、前記空間
部を移動可能に設けられ、前記搬送ラインとの間で被処
理基板が受け渡され、基板を保持して移動させる基板保
持・移動部材とを有する処理装置を提供する。
【００１１】これら処理装置において、前記複数の熱的
処理ユニットは、前記各熱処理に対応するもの毎に集約
された複数の熱的処理ユニットセクションを構成し、各
熱的処理ユニットセクションに対応して、その中の複数
の熱的処理ユニットとの間で、および対応する液処理ユ
ニットとの間で被処理基板の搬送を行う複数の搬送装置
を具備するように構成することができる。また、前記複
数の熱的処理ユニットセクションは、それぞれの搬送装
置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂
直方向に積層して構成された熱的処理ユニットブロック
を有するように構成することができる。
処理ユニットは、前記各熱処理に対応するもの毎に集約
された複数の熱的処理ユニットセクションを構成し、各
熱的処理ユニットセクションに対応して、その中の複数
の熱的処理ユニットとの間で、および対応する液処理ユ
ニットとの間で被処理基板の搬送を行う複数の搬送装置
を具備するように構成することができる。また、前記複
数の熱的処理ユニットセクションは、それぞれの搬送装
置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂
直方向に積層して構成された熱的処理ユニットブロック
を有するように構成することができる。
【００１２】本発明の第３の観点では、被処理基板に対
して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連
の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応
して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処
理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板およ
び／または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載
置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入
出部と、処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡
しを行うインターフェイス部とを具備し、前記処理部
は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗
浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
トと、前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニッ
ト、および前記現像処理ユニットによって構成された、
被処理基板を搬送する平行な２列の搬送ラインと、前記
各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処
理ユニットと、前記２列の搬送ラインの間に設けられた
空間部と、前記空間部を移動可能に設けられ、前記搬送
ラインとの間で被処理基板が受け渡され、基板を保持し
て移動させる基板保持・移動部材とを有し、前記２列の
搬送ラインのうち一方は、前記搬入出部から搬入された
被処理基板を前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト
処理ユニットを経て前記インターフェイス部に至り、他
方は、前記インターフェイス部から前記現像処理ユニッ
トを経て前記搬入出部へ至る処理装置を提供する。
して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連
の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応
して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処
理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板およ
び／または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載
置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入
出部と、処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡
しを行うインターフェイス部とを具備し、前記処理部
は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗
浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
トと、前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニッ
ト、および前記現像処理ユニットによって構成された、
被処理基板を搬送する平行な２列の搬送ラインと、前記
各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処
理ユニットと、前記２列の搬送ラインの間に設けられた
空間部と、前記空間部を移動可能に設けられ、前記搬送
ラインとの間で被処理基板が受け渡され、基板を保持し
て移動させる基板保持・移動部材とを有し、前記２列の
搬送ラインのうち一方は、前記搬入出部から搬入された
被処理基板を前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト
処理ユニットを経て前記インターフェイス部に至り、他
方は、前記インターフェイス部から前記現像処理ユニッ
トを経て前記搬入出部へ至る処理装置を提供する。
【００１３】この処理装置において、前記複数の熱的処
理ユニットは、前記洗浄処理ユニットから搬出された被
処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理
ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクショ
ンと、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理
基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニ
ットが集約された第２の熱的処理ユニットセクション
と、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に
対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが
集約された第３の熱的処理ユニットセクションとを構成
し、かつ、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理
基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送す
るとともに、前記第１の熱的処理ユニットセクションか
らの被処理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する
第１の搬送装置と、前記レジスト処理ユニットから搬出
された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクシ
ョンへ搬送するとともに、前記第２の熱的処理ユニット
セクションからの被処理基板を前記インターフェイス部
へ搬送する第２の搬送装置と、前記現像処理ユニットか
ら搬出された被処理基板を前記第３の熱的処理ユニット
セクションへ搬送するとともに、前記第３の熱的処理ユ
ニットセクションからの被処理基板を前記搬入出部へ搬
送する第３の搬送装置とをさらに具備するものとするこ
とができる。また、前記第１、第２および第３の熱的処
理ユニットセクションは、それぞれ、第１、第２および
第３の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理
ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニ
ットブロックを有するように構成することができる。
理ユニットは、前記洗浄処理ユニットから搬出された被
処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理
ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクショ
ンと、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理
基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニ
ットが集約された第２の熱的処理ユニットセクション
と、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に
対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが
集約された第３の熱的処理ユニットセクションとを構成
し、かつ、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理
基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送す
るとともに、前記第１の熱的処理ユニットセクションか
らの被処理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する
第１の搬送装置と、前記レジスト処理ユニットから搬出
された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクシ
ョンへ搬送するとともに、前記第２の熱的処理ユニット
セクションからの被処理基板を前記インターフェイス部
へ搬送する第２の搬送装置と、前記現像処理ユニットか
ら搬出された被処理基板を前記第３の熱的処理ユニット
セクションへ搬送するとともに、前記第３の熱的処理ユ
ニットセクションからの被処理基板を前記搬入出部へ搬
送する第３の搬送装置とをさらに具備するものとするこ
とができる。また、前記第１、第２および第３の熱的処
理ユニットセクションは、それぞれ、第１、第２および
第３の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理
ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニ
ットブロックを有するように構成することができる。
【００１４】上記いずれの処理装置においても、前記基
板保持・移動部材は、その上面に被処理基板を支持する
ベース部材と、前記ベース部材に対して着脱自在に設け
られ、その上方の空間を覆うカバー部材とを有する構成
を採用することができる。この場合に、前記カバー部材
の開閉は、前記基板保持・移動部材に対する被処理基板
の受け取り／受け渡し位置に設けられた開閉機構により
行われることが好ましい。
板保持・移動部材は、その上面に被処理基板を支持する
ベース部材と、前記ベース部材に対して着脱自在に設け
られ、その上方の空間を覆うカバー部材とを有する構成
を採用することができる。この場合に、前記カバー部材
の開閉は、前記基板保持・移動部材に対する被処理基板
の受け取り／受け渡し位置に設けられた開閉機構により
行われることが好ましい。
【００１５】また、上記第２または第３の観点におい
て、前記搬入出部は、前記処理ユニットとの間で被処理
基板の受け渡しを行う基板搬送機構を有し、前記処理部
は、前記空間部の前記基板搬送機構に隣接した部分に、
前記基板搬送機構と前記基板保持・移動部材との間の被
処理基板の受け渡しを行う基板受渡機構を有し、この基
板受渡機構は、被処理基板の向きを変える基板回転機構
を有しているように構成することができる。この場合
に、前記基板受渡機構は、昇降可能な基板支持部を有
し、前記基板保持・移動部材は、前記基板支持部が貫通
する穴が形成された、被処理基板を支持するベース部材
を有し、前記基板受渡機構の基板支持部は、前記ベース
部材の下方から前記穴を貫通してその上方へ突出した状
態で被処理基板を受け取り、前記基板回転機構により被
処理基板を回転させ、前記基板支持部を下降させること
により、前記基板支持部に支持されていた被処理基板を
前記ベース部材上に載置させるように構成することがで
きる。
て、前記搬入出部は、前記処理ユニットとの間で被処理
基板の受け渡しを行う基板搬送機構を有し、前記処理部
は、前記空間部の前記基板搬送機構に隣接した部分に、
前記基板搬送機構と前記基板保持・移動部材との間の被
処理基板の受け渡しを行う基板受渡機構を有し、この基
板受渡機構は、被処理基板の向きを変える基板回転機構
を有しているように構成することができる。この場合
に、前記基板受渡機構は、昇降可能な基板支持部を有
し、前記基板保持・移動部材は、前記基板支持部が貫通
する穴が形成された、被処理基板を支持するベース部材
を有し、前記基板受渡機構の基板支持部は、前記ベース
部材の下方から前記穴を貫通してその上方へ突出した状
態で被処理基板を受け取り、前記基板回転機構により被
処理基板を回転させ、前記基板支持部を下降させること
により、前記基板支持部に支持されていた被処理基板を
前記ベース部材上に載置させるように構成することがで
きる。
【００１６】本発明によれば、洗浄処理、レジスト処
理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニッ
トをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の
液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、
被処理基板の搬送ラインが平行な２列となるように配置
し、被処理基板を搬送ラインに沿って流しながら一連の
処理を行うようにしたので高スループットを維持するこ
とができるとともに、従来のような複数の処理ユニット
の間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走
行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペ
ース化を図ることができフットプリントを小さくするこ
とができる。また、２列の搬送ラインの間の空間部を移
動可能に設けられ、前記搬送ラインとの間で基板が受け
渡され保持される基板保持・移動部材を設けたので、通
常の処理の他に種々のパターンの処理を行うことがで
き、処理の自由度が高い。このとき、基板保持部材は、
従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して
移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、
従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大き
な空間は必要がなく、省スペース効果は維持される。
理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニッ
トをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の
液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、
被処理基板の搬送ラインが平行な２列となるように配置
し、被処理基板を搬送ラインに沿って流しながら一連の
処理を行うようにしたので高スループットを維持するこ
とができるとともに、従来のような複数の処理ユニット
の間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走
行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペ
ース化を図ることができフットプリントを小さくするこ
とができる。また、２列の搬送ラインの間の空間部を移
動可能に設けられ、前記搬送ラインとの間で基板が受け
渡され保持される基板保持・移動部材を設けたので、通
常の処理の他に種々のパターンの処理を行うことがで
き、処理の自由度が高い。このとき、基板保持部材は、
従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して
移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、
従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大き
な空間は必要がなく、省スペース効果は維持される。
【００１７】また、上述のように、前記複数の熱的処理
ユニットが、前記各熱的処理に対応するもの毎に集約さ
れた複数の熱的処理ユニットセクションを構成するよう
にすることにより、よりフットプリントを小さくするこ
とができ、しかも熱的処理も被処理基板の処理の流れに
沿って行うことができるようになるので、よりスループ
ットを高めることができる。
ユニットが、前記各熱的処理に対応するもの毎に集約さ
れた複数の熱的処理ユニットセクションを構成するよう
にすることにより、よりフットプリントを小さくするこ
とができ、しかも熱的処理も被処理基板の処理の流れに
沿って行うことができるようになるので、よりスループ
ットを高めることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の
実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処
理装置を示す平面図である。
図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１の
実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処
理装置を示す平面図である。
【００１９】このレジスト塗布現像処理装置１００は、
複数のＬＣＤガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置
するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇに
レジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための
複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理
部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行う
ためのインターフェイスステーション（インターフェイ
ス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端に
それぞれカセットステーション１およびインターフェイ
スステーション３が配置されている。なお、図１におい
て、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方
向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とす
る。
複数のＬＣＤガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置
するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇに
レジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための
複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理
部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行う
ためのインターフェイスステーション（インターフェイ
ス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端に
それぞれカセットステーション１およびインターフェイ
スステーション３が配置されている。なお、図１におい
て、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方
向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とす
る。
【００２０】カセットステーション１は、カセットＣと
処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行
うための搬送装置１１を備えており、このカセットステ
ーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が
行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有
し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けら
れた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａ
によりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇ
の搬入出が行われる。
処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行
うための搬送装置１１を備えており、このカセットステ
ーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が
行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有
し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けら
れた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａ
によりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇ
の搬入出が行われる。
【００２１】処理ステーション２は、基本的にＸ方向に
伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを
有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーショ
ン１側からインターフェイスステーション３に向けてス
クラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処
理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３
および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列さ
れている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイ
スステーション３側からカセットステーション１に向け
て第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−Ｕ
Ｖ）２５および第３の熱的処理ユニット２８が配列され
ている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上
の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２
が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット
（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有
機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けら
れる。
伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを
有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーショ
ン１側からインターフェイスステーション３に向けてス
クラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処
理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３
および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列さ
れている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイ
スステーション３側からカセットステーション１に向け
て第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−Ｕ
Ｖ）２５および第３の熱的処理ユニット２８が配列され
ている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上
の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２
が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット
（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有
機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けら
れる。
【００２２】上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）
２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されること
なく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を
行うようになっている。上記現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略
水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、
および乾燥処理を行うようになっている。なお、これら
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処
理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えば
コロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入
口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。ま
た、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇ
の搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構
と同様の機構により連続して行われる。
２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されること
なく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を
行うようになっている。上記現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略
水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、
および乾燥処理を行うようになっている。なお、これら
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処
理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えば
コロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入
口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。ま
た、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇ
の搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構
と同様の機構により連続して行われる。
【００２３】レジスト処理ユニット２３は、図２のその
内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをス
ピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズル
からレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理
装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜
を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）
２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺
をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周
縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除
去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイ
ドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム
５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。
このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基
板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、
ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８
から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡
しが可能となっている。
内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをス
ピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズル
からレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理
装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜
を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）
２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺
をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周
縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除
去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイ
ドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム
５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。
このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基
板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、
ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８
から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡
しが可能となっている。
【００２４】第１の熱的処理ユニットセクション２６
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２
１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そ
して、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられてい
る。図３の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロ
ック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行
うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、基板Ｇに対して脱水
ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）
６２，６３、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）６４の４段積層されて構
成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２
は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット
（ＰＡＳＳ）６５、基板Ｇを冷却する２つのクーリング
ユニット（ＣＯＬ）６６，６７、基板Ｇに対して疎水化
処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８
の４段積層されて構成されている。第１の搬送装置３３
は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ
洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取
り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、および
パスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理
ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２
１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そ
して、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられてい
る。図３の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロ
ック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行
うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、基板Ｇに対して脱水
ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）
６２，６３、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）６４の４段積層されて構
成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２
は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット
（ＰＡＳＳ）６５、基板Ｇを冷却する２つのクーリング
ユニット（ＣＯＬ）６６，６７、基板Ｇに対して疎水化
処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８
の４段積層されて構成されている。第１の搬送装置３３
は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ
洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取
り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、および
パスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理
ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２５】第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイ
ドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部
材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベー
ス部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設け
られ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有して
いる。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によ
って行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によ
って行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９
７によって行われる。第１の搬送装置３３はこのように
上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれの
ユニットにもアクセス可能である。
ドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部
材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベー
ス部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設け
られ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有して
いる。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によ
って行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によ
って行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９
７によって行われる。第１の搬送装置３３はこのように
上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれの
ユニットにもアクセス可能である。
【００２６】第２の熱的処理ユニットセクション２７
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けら
れ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、
これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，
３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。図４
の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３４は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６９、基板Ｇに対してプリベーク処
理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
７０，７１，７２の４段積層されて構成されており、熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順に基
板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、
基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、
基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベーク
ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６の４段積層され
て構成されている。第２の搬送装置３６は、パスユニッ
ト（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２
３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の
基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介し
ての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け
渡し、および後述するインターフェイスステーション３
の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリング
ステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する基板Ｇの受け
渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６
は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的
処理ユニットブロック３４，３５のいずれのユニットに
もアクセス可能である。
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けら
れ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、
これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，
３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。図４
の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３４は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６９、基板Ｇに対してプリベーク処
理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
７０，７１，７２の４段積層されて構成されており、熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順に基
板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、
基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、
基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベーク
ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６の４段積層され
て構成されている。第２の搬送装置３６は、パスユニッ
ト（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２
３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の
基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介し
ての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け
渡し、および後述するインターフェイスステーション３
の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリング
ステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する基板Ｇの受け
渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６
は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的
処理ユニットブロック３４，３５のいずれのユニットに
もアクセス可能である。
【００２７】第３の熱的処理ユニットセクション２８
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設
けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセ
ットステーション１側に設けられている。そして、これ
ら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８
の間に第３の搬送装置３９が設けられている。図５の側
面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３７は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニッ
ト（ＰＡＳＳ）７７、基板Ｇに対してポストベーク処理
を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７
８，７９，８０の４段積層されて構成されており、熱的
処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順にポス
トベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、基板Ｇの受け
渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡ
ＳＳ・ＣＯＬ）８２、基板Ｇに対してポストベーク処理
を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８
３，８４の４段積層されて構成されている。第３の搬送
装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介しての
ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの
受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、
パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を
介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡し
を行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３
３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３７，３８のいずれのユニットにもアクセス可
能である。
は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設
けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセ
ットステーション１側に設けられている。そして、これ
ら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８
の間に第３の搬送装置３９が設けられている。図５の側
面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３７は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニッ
ト（ＰＡＳＳ）７７、基板Ｇに対してポストベーク処理
を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７
８，７９，８０の４段積層されて構成されており、熱的
処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順にポス
トベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、基板Ｇの受け
渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡ
ＳＳ・ＣＯＬ）８２、基板Ｇに対してポストベーク処理
を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８
３，８４の４段積層されて構成されている。第３の搬送
装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介しての
ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの
受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、
パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を
介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡し
を行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３
３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３７，３８のいずれのユニットにもアクセス可
能である。
【００２８】なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット（Ｓ
ＣＲ）２１およびエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−Ｕ
Ｖ）２２への基板Ｇの搬入は、カセットステーション１
の搬送装置１１によって行われる。また、スクラブ洗浄
処理ユニット（ＳＣＲ）２１の基板Ｇは上述したように
例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出され、
そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げ
られた基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。
また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、
第１の搬送装置３３により基板Ｇがパスユニット（ＰＡ
ＳＳ）６５に受け渡された後、一対のサブアーム５６に
より搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２
３では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通
って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）６９まで搬送され、そこで突出された
ピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、熱的処理ユ
ニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）７３において図示しないピンを突出させて基板を上
昇させた状態から下降させることにより、パスユニット
（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機
構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニ
ット（ｉ−ＵＶ）２５の基板Ｇは例えばコロ搬送により
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット
（ＰＡＳＳ）７７に搬出され、そこで図示しないピンが
突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第３の搬
送装置３９により搬送される。さらに全ての処理が終了
した後の基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）
８２に搬送されてカセットステーションの搬送装置１１
により搬出される。
ＣＲ）２１およびエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−Ｕ
Ｖ）２２への基板Ｇの搬入は、カセットステーション１
の搬送装置１１によって行われる。また、スクラブ洗浄
処理ユニット（ＳＣＲ）２１の基板Ｇは上述したように
例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出され、
そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げ
られた基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。
また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、
第１の搬送装置３３により基板Ｇがパスユニット（ＰＡ
ＳＳ）６５に受け渡された後、一対のサブアーム５６に
より搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２
３では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通
って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）６９まで搬送され、そこで突出された
ピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、熱的処理ユ
ニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）７３において図示しないピンを突出させて基板を上
昇させた状態から下降させることにより、パスユニット
（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機
構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニ
ット（ｉ−ＵＶ）２５の基板Ｇは例えばコロ搬送により
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット
（ＰＡＳＳ）７７に搬出され、そこで図示しないピンが
突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第３の搬
送装置３９により搬送される。さらに全ての処理が終了
した後の基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）
３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）
８２に搬送されてカセットステーションの搬送装置１１
により搬出される。
【００２９】処理ユニットステーション２では、以上の
ように２列の搬送ラインＡ，Ｂを構成するように、かつ
基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬
送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ，Ｂの間
には、空間部４０が設けられている。そして、この空間
部４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が
設けられている。このシャトル４１は基板Ｇを保持可能
に構成されており、搬送ラインＡ，Ｂとの間で基板Ｇが
受け渡し可能となっている。
ように２列の搬送ラインＡ，Ｂを構成するように、かつ
基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬
送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ，Ｂの間
には、空間部４０が設けられている。そして、この空間
部４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が
設けられている。このシャトル４１は基板Ｇを保持可能
に構成されており、搬送ラインＡ，Ｂとの間で基板Ｇが
受け渡し可能となっている。
【００３０】具体的には、図６に示すように、シャトル
４１は、ベース部材１０１と、ベース部材１０１の表面
から突没可能に設けられ、基板Ｇを昇降する複数の昇降
ピン１０２と、基板Ｇを位置決めするガイド部材１０３
と、昇降ピン１０２を駆動するピン駆動部１０４と、連
結部１０５を有しており、連結部１０５が空間部４０内
をＸ方向に延びるガイドレール１０６にスライド可能に
連結されている。そして、マグネットを用いた駆動、ベ
ルト駆動等の適宜の方式の図示しない駆動機構によりシ
ャトル４１がガイドレール１０６に沿って空間部４０内
をＸ方向に沿って移動される。発塵を防止する観点から
はマグネット駆動のほうが有利である。シャトル４１へ
の基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３
３，３６，３９によって行われる。また、シャトル４１
への基板Ｇの受け渡しはカセットステーション１の搬送
装置１１によっても行うことができるようになってい
る。
４１は、ベース部材１０１と、ベース部材１０１の表面
から突没可能に設けられ、基板Ｇを昇降する複数の昇降
ピン１０２と、基板Ｇを位置決めするガイド部材１０３
と、昇降ピン１０２を駆動するピン駆動部１０４と、連
結部１０５を有しており、連結部１０５が空間部４０内
をＸ方向に延びるガイドレール１０６にスライド可能に
連結されている。そして、マグネットを用いた駆動、ベ
ルト駆動等の適宜の方式の図示しない駆動機構によりシ
ャトル４１がガイドレール１０６に沿って空間部４０内
をＸ方向に沿って移動される。発塵を防止する観点から
はマグネット駆動のほうが有利である。シャトル４１へ
の基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３
３，３６，３９によって行われる。また、シャトル４１
への基板Ｇの受け渡しはカセットステーション１の搬送
装置１１によっても行うことができるようになってい
る。
【００３１】インターフェイスステーション３は、処理
ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬
入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置
するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を
備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリ
ングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、
タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）と
が上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４
２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アー
ム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステ
ーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行わ
れる。
ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬
入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置
するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を
備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリ
ングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、
タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）と
が上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４
２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アー
ム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステ
ーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行わ
れる。
【００３２】このように構成されたレジスト塗布現像処
理装置１００においては、まず、カセットステーション
１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１
により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット
（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行
われる。次いで、搬送機構１１により、基板Ｇがエキシ
マＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置された
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、
スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが
従来のように回転されることなく略水平に搬送されつ
つ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、
これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニ
ットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ない
スペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理
後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニ
ットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出さ
れる。
理装置１００においては、まず、カセットステーション
１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１
により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット
（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行
われる。次いで、搬送機構１１により、基板Ｇがエキシ
マＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置された
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、
スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが
従来のように回転されることなく略水平に搬送されつ
つ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、
これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニ
ットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ない
スペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理
後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニ
ットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出さ
れる。
【００３３】パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置され
た基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持
ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に
搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、ま
ず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱
水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３のいずれかに搬
送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，
６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの
定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、
および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送さ
れ、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化
処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却され、さら
に熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニッ
ト（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。この際に搬送処理は
全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アド
ヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、
基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。
た基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持
ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に
搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、ま
ず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱
水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３のいずれかに搬
送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，
６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの
定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、
および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送さ
れ、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化
処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却され、さら
に熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニッ
ト（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。この際に搬送処理は
全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アド
ヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、
基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。
【００３４】その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に
配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブア
ーム５６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入され
る。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装
置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレ
ジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５
６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧
乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除
去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分な
レジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了
後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニッ
ト２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理
装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ
を設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗
布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポ
ストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形
状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧
乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うこと
により、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して
乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに
悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させるこ
とができ、基板上に転写が生じることを有効に防止する
ことができるからである。
配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブア
ーム５６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入され
る。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装
置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレ
ジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５
６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧
乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除
去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分な
レジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了
後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニッ
ト２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理
装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ
を設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗
布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポ
ストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形
状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧
乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うこと
により、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して
乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに
悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させるこ
とができ、基板上に転写が生じることを有効に防止する
ことができるからである。
【００３５】このようにして塗布処理が終了し、サブア
ーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出され
た基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に
属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。パスユニット
（ＰＡＳＳ）６９に配置された基板Ｇは、第２の搬送装
置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４
のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，
７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプ
リベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６のいず
れかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理
ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット
（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そ
して、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニ
ットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）
７３に搬送される。
ーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出され
た基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に
属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。パスユニット
（ＰＡＳＳ）６９に配置された基板Ｇは、第２の搬送装
置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４
のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，
７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプ
リベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６のいず
れかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理
ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット
（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そ
して、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニ
ットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）
７３に搬送される。
【００３６】その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によ
りインターフェイスステーション３のエクステンション
・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送さ
れ、インターフェイスステーション３の搬送装置４２に
より外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬
送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次い
で搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基
板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成
される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）
４３上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光
装置４に搬送される。
りインターフェイスステーション３のエクステンション
・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送さ
れ、インターフェイスステーション３の搬送装置４２に
より外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬
送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次い
で搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基
板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成
される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）
４３上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光
装置４に搬送される。
【００３７】露光終了後、基板Ｇはインターフェイスス
テーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４
５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基
板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・ク
ーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、
そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわ
ち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処
理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に
搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に
おいてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下
降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
からパスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている
例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が
施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回
転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送
されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥
処理を行うようになっており、これにより、従来、回転
タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ
処理能力をより少ないスペースで実現することができ
る。
テーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４
５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基
板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・ク
ーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、
そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわ
ち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処
理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に
搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に
おいてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下
降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
からパスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている
例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が
施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回
転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送
されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥
処理を行うようになっており、これにより、従来、回転
タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ
処理能力をより少ないスペースで実現することができ
る。
【００３８】現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬
送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送
され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基
板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送
機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセ
クション２８に属する熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出され
る。
ト（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬
送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送
され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基
板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送
機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセ
クション２８に属する熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出され
る。
【００３９】パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置され
た基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）７８，７９，８０および熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡ
ＫＥ）８１，８３，８４のいずれかに搬送されてポスト
ベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯ
Ｌ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセッ
トステーション１の搬送装置１１によって、カセットス
テーション１に配置されている所定のカセットＣに収容
される。
た基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）７８，７９，８０および熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡ
ＫＥ）８１，８３，８４のいずれかに搬送されてポスト
ベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯ
Ｌ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセッ
トステーション１の搬送装置１１によって、カセットス
テーション１に配置されている所定のカセットＣに収容
される。
【００４０】以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４をその中で基板Ｇが略水
平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成
し、これらを処理の順に、基板Ｇの搬送ラインが２列と
なるように配置し、基板Ｇをこの平行な２列の搬送ライ
ンＡ，Ｂに沿って流しながら一連の処理を行うようにし
たので高スループットを維持することができるととも
に、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大
がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路
が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ること
ができ、フットプリントを小さくすることができる。ま
た、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇを回転させ
ずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し
方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く発生
していたミストを減少させることが可能となる。
（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４をその中で基板Ｇが略水
平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成
し、これらを処理の順に、基板Ｇの搬送ラインが２列と
なるように配置し、基板Ｇをこの平行な２列の搬送ライ
ンＡ，Ｂに沿って流しながら一連の処理を行うようにし
たので高スループットを維持することができるととも
に、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大
がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路
が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ること
ができ、フットプリントを小さくすることができる。ま
た、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇを回転させ
ずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し
方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く発生
していたミストを減少させることが可能となる。
【００４１】また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣ
Ｒ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２４各液処理ユニット毎に、その後
の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第
１から第３の熱処理ユニットセクション２６，２７，２
８を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積
層した熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したの
で、その分さらにフットプリントを小さくすることがで
きるとともに、熱的処理を基板Ｇの搬送を極力少なくし
て基板Ｇの処理の流れに沿って行うことができるように
なるので、よりスループットを高めることができる。ま
た、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して
各熱的処理ユニットセクション専用の第１から第３の搬
送装置３３，３６，３９を設けたので、このことによっ
てもスループットを高くすることができる。
Ｒ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２４各液処理ユニット毎に、その後
の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第
１から第３の熱処理ユニットセクション２６，２７，２
８を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積
層した熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したの
で、その分さらにフットプリントを小さくすることがで
きるとともに、熱的処理を基板Ｇの搬送を極力少なくし
て基板Ｇの処理の流れに沿って行うことができるように
なるので、よりスループットを高めることができる。ま
た、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して
各熱的処理ユニットセクション専用の第１から第３の搬
送装置３３，３６，３９を設けたので、このことによっ
てもスループットを高くすることができる。
【００４２】以上が基本的な処理パターンであるが、本
実施形態では、処理ステーション２において２列の搬送
ラインＡ，Ｂの間に空間部４０が設けられており、この
空間部４０を往復動可能にシャトル４１が設けられてい
るので、上記基本的な処理パターンの他に種々のパター
ンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。
実施形態では、処理ステーション２において２列の搬送
ラインＡ，Ｂの間に空間部４０が設けられており、この
空間部４０を往復動可能にシャトル４１が設けられてい
るので、上記基本的な処理パターンの他に種々のパター
ンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。
【００４３】例えば、レジスト処理だけ行いたいという
場合には、以下のような手順により可能である。まず、
シャトル４１をカセットステーション１に隣接した位置
まで移動させておき、次いで、搬送装置１１によりカセ
ットＣの基板Ｇを一枚取り出してシャトル４１上に載置
し、シャトル４１を第１の搬送装置３３に対応する位置
まで移動させ、第１の搬送装置３３によりシャトル４１
上の基板Ｇをアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６
４，６８のいずれかに搬送し、基板Ｇに対してアドヒー
ジョン処理を行った後、基板Ｇをクーリングユニット
（ＣＯＬ）６６または６７で冷却し、熱的処理ユニット
ブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５
を経てレジスト処理ユニット２３へ搬入する。そして、
レジスト処理ユニット２３において周縁レジスト除去装
置（ＥＲ）２３ｃによるレジスト除去処理が終了し、熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット
（ＰＡＳＳ）６９に基板Ｇを搬出し、第２の搬送装置３
６によって基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットス
テーション１へ戻す。なお、アドヒージョン処理を行わ
ない場合には、シャトル４１から基板Ｇを受け取った第
１の搬送装置３３が直接パスユニット（ＰＡＳＳ）６５
へ基板を搬送する。
場合には、以下のような手順により可能である。まず、
シャトル４１をカセットステーション１に隣接した位置
まで移動させておき、次いで、搬送装置１１によりカセ
ットＣの基板Ｇを一枚取り出してシャトル４１上に載置
し、シャトル４１を第１の搬送装置３３に対応する位置
まで移動させ、第１の搬送装置３３によりシャトル４１
上の基板Ｇをアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６
４，６８のいずれかに搬送し、基板Ｇに対してアドヒー
ジョン処理を行った後、基板Ｇをクーリングユニット
（ＣＯＬ）６６または６７で冷却し、熱的処理ユニット
ブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５
を経てレジスト処理ユニット２３へ搬入する。そして、
レジスト処理ユニット２３において周縁レジスト除去装
置（ＥＲ）２３ｃによるレジスト除去処理が終了し、熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット
（ＰＡＳＳ）６９に基板Ｇを搬出し、第２の搬送装置３
６によって基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットス
テーション１へ戻す。なお、アドヒージョン処理を行わ
ない場合には、シャトル４１から基板Ｇを受け取った第
１の搬送装置３３が直接パスユニット（ＰＡＳＳ）６５
へ基板を搬送する。
【００４４】また、現像処理のみを行いたい場合には、
以下のような手順により可能である。まずカセットステ
ーション１から基板Ｇを受け取ったシャトル４１を、第
２の搬送装置３６に対応する位置まで移動させ、第２の
搬送装置３６によりシャトル４１上の基板Ｇを熱的処理
ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）７３を経て現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入
する。そして、現像処理およびｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５による脱色処理が終了して基板Ｇを熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット
（ＰＡＳＳ）７７に搬出し、第３の搬送装置３９によっ
て基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットステーショ
ン１へ戻す。
以下のような手順により可能である。まずカセットステ
ーション１から基板Ｇを受け取ったシャトル４１を、第
２の搬送装置３６に対応する位置まで移動させ、第２の
搬送装置３６によりシャトル４１上の基板Ｇを熱的処理
ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）７３を経て現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入
する。そして、現像処理およびｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５による脱色処理が終了して基板Ｇを熱
的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット
（ＰＡＳＳ）７７に搬出し、第３の搬送装置３９によっ
て基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットステーショ
ン１へ戻す。
【００４５】なお、シャトル４１を使用しないときは、
シャトル４１を空間部４０の端部に退避させておくこと
により、空間部４０をメンテナンススペースとして用い
ることができる。
シャトル４１を空間部４０の端部に退避させておくこと
により、空間部４０をメンテナンススペースとして用い
ることができる。
【００４６】このようなシャトル４１は、従来の中央搬
送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけ
であるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬
送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要
がなく、シャトル４１を設けても省スペース効果は維持
される。
送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけ
であるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬
送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要
がなく、シャトル４１を設けても省スペース効果は維持
される。
【００４７】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。図７は本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガ
ラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図であ
る。上記第１の実施形態では、基板Ｇをカセットステー
ション１におけるＹ方向の一方の端部から処理ステーシ
ョン２に搬入し、他方の端部から搬出しているが、本実
施形態のレジスト塗布現像処理装置１００′ではカセッ
トステーション１の中央から基板Ｇの搬出入を行えるよ
うな処理ステーション２′を備えている。具体的には、
処理ステーション２′は、上記第３の熱的処理ユニット
セクション２８に代えて、カセットステーション１のＹ
方向中央に対応する部分に熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３８と同様のユニットが積層された熱的処理ユ
ニットブロック（ＴＢ）３８′を配置し、搬送ラインＢ
の終点に熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７と同様
のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３７′を配した第３の熱的処理ユニットセクション
２８′を設け、第３の搬送装置３９′を空間部４０のカ
セットステーション１側端部に設け、基板Ｇの処理ステ
ーション２′に対する搬入出をいずれも熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３８′のパス・クーリングユニット
（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介して第３の搬送装置３９′に
より行うようにしたものである。なお、基板Ｇの搬入出
の形態が第１の実施形態とは異なっている関係上、本実
施形態では、搬入口が第３の搬送装置３９′に対応して
空間部４０側に設けられたスクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１′およびキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−
ＵＶ）２２′が第１の実施形態と同様に積層して設けら
れている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２
５から熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７′までの
基板Ｇの搬送は、例えばコロ搬送によって行われる。
明する。図７は本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガ
ラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図であ
る。上記第１の実施形態では、基板Ｇをカセットステー
ション１におけるＹ方向の一方の端部から処理ステーシ
ョン２に搬入し、他方の端部から搬出しているが、本実
施形態のレジスト塗布現像処理装置１００′ではカセッ
トステーション１の中央から基板Ｇの搬出入を行えるよ
うな処理ステーション２′を備えている。具体的には、
処理ステーション２′は、上記第３の熱的処理ユニット
セクション２８に代えて、カセットステーション１のＹ
方向中央に対応する部分に熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３８と同様のユニットが積層された熱的処理ユ
ニットブロック（ＴＢ）３８′を配置し、搬送ラインＢ
の終点に熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７と同様
のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３７′を配した第３の熱的処理ユニットセクション
２８′を設け、第３の搬送装置３９′を空間部４０のカ
セットステーション１側端部に設け、基板Ｇの処理ステ
ーション２′に対する搬入出をいずれも熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３８′のパス・クーリングユニット
（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介して第３の搬送装置３９′に
より行うようにしたものである。なお、基板Ｇの搬入出
の形態が第１の実施形態とは異なっている関係上、本実
施形態では、搬入口が第３の搬送装置３９′に対応して
空間部４０側に設けられたスクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１′およびキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−
ＵＶ）２２′が第１の実施形態と同様に積層して設けら
れている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２
５から熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７′までの
基板Ｇの搬送は、例えばコロ搬送によって行われる。
【００４８】本実施形態においても基本的に第１の実施
形態と同様のフローで処理が行われる。このとき、第３
の搬送装置３９′は基板Ｇの受け渡し時に必ず９０度回
転するため、第３の搬送装置３９′から例えばスクラブ
洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入した時点では基
板Ｇの向きが９０度ずれてしまう。これを防止するため
に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８′のパス・
クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に回転機構を
設けておく。
形態と同様のフローで処理が行われる。このとき、第３
の搬送装置３９′は基板Ｇの受け渡し時に必ず９０度回
転するため、第３の搬送装置３９′から例えばスクラブ
洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入した時点では基
板Ｇの向きが９０度ずれてしまう。これを防止するため
に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８′のパス・
クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に回転機構を
設けておく。
【００４９】本実施形態においては、カセットステーシ
ョン１の中央から基板の搬入出が行えるので、カセット
ステーションとして、図示したような構造ではなく、例
えば搬送装置がＹ方向に移動できないタイプのものが指
定されたとしても対応可能であり、汎用性の高いものと
なる。
ョン１の中央から基板の搬入出が行えるので、カセット
ステーションとして、図示したような構造ではなく、例
えば搬送装置がＹ方向に移動できないタイプのものが指
定されたとしても対応可能であり、汎用性の高いものと
なる。
【００５０】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。図８は本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガ
ラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図であ
る。本実施形態のレジスト塗布現像処理装置１００″で
は、第１および第２の実施形態のシャトル４１とは異な
る形態のシャトル４１′を有し、かつ空間部４０のカセ
ットステーション１側端部に、カセットステーション１
の搬送装置１１とシャトル４１′との間の基板Ｇの受け
渡しを行う受渡機構１１０を有している。他は第１の実
施形態と同様に構成されている。
明する。図８は本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガ
ラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図であ
る。本実施形態のレジスト塗布現像処理装置１００″で
は、第１および第２の実施形態のシャトル４１とは異な
る形態のシャトル４１′を有し、かつ空間部４０のカセ
ットステーション１側端部に、カセットステーション１
の搬送装置１１とシャトル４１′との間の基板Ｇの受け
渡しを行う受渡機構１１０を有している。他は第１の実
施形態と同様に構成されている。
【００５１】シャトル４１′は、図９に示すように、ベ
ース部材１２１と、ベース部材１２１の表面の四隅近傍
に設けられ、基板Ｇを支持する４本の支持ピン１２２
と、連結部１２３を有しており、連結部１２３が空間部
４０内をＸ方向に延びるガイドレール１２４にスライド
可能に連結されている。ベース部材１２１の中央は円形
にくり抜かれたくり抜き部１２５が形成されている。一
方、受渡機構１１０は、図１０に示すように、基板Ｇを
支持するための支持部１３１と、支持部１３１を昇降可
能なシリンダ１３２と、シリンダ１３２を回転させるこ
とにより支持部１３１に支持された基板Ｇを回転させる
回転機構１３３とを有している。そして、支持部１３１
は、シリンダ１３２のピストン１３４の上端に取り付け
られた十字状部材１３５と、十字状部材１３５の４つの
端部から上方に突出した基板Ｇを支持する４つの支持ピ
ン１３６とを有する。
ース部材１２１と、ベース部材１２１の表面の四隅近傍
に設けられ、基板Ｇを支持する４本の支持ピン１２２
と、連結部１２３を有しており、連結部１２３が空間部
４０内をＸ方向に延びるガイドレール１２４にスライド
可能に連結されている。ベース部材１２１の中央は円形
にくり抜かれたくり抜き部１２５が形成されている。一
方、受渡機構１１０は、図１０に示すように、基板Ｇを
支持するための支持部１３１と、支持部１３１を昇降可
能なシリンダ１３２と、シリンダ１３２を回転させるこ
とにより支持部１３１に支持された基板Ｇを回転させる
回転機構１３３とを有している。そして、支持部１３１
は、シリンダ１３２のピストン１３４の上端に取り付け
られた十字状部材１３５と、十字状部材１３５の４つの
端部から上方に突出した基板Ｇを支持する４つの支持ピ
ン１３６とを有する。
【００５２】搬送装置１１からシャトル４１′へ基板Ｇ
を渡す際には、図１０に示すように、シャトル４１′
を、そのくり抜き部１２５が受渡機構１１０の支持ピン
１３６に対応するようにする。具体的には図１１の
（ａ）〜（ｃ）に示すようにして受け渡しを行う。ま
ず、（ａ）に示すように、シャトル４１′を受渡機構１
１０に対応する位置まで移動させ、その状態で、（ｂ）
に示すように、シリンダ１３２により支持ピン１３６が
くり抜き部１２５を通って上方へ突出するように支持部
１３１を上昇させる。そして、搬送装置１１から支持部
１３１上に基板Ｇを受け渡し、この状態で回転機構１３
３によりシリンダ１３２を回転させて基板Ｇを９０°回
転させる。次いでシリンダ１３２により支持部１３１を
下降させ、これにより基板Ｇは、（ｃ）に示すように、
ベース部材１２１に設けられた支持ピン１２２上に載置
される。
を渡す際には、図１０に示すように、シャトル４１′
を、そのくり抜き部１２５が受渡機構１１０の支持ピン
１３６に対応するようにする。具体的には図１１の
（ａ）〜（ｃ）に示すようにして受け渡しを行う。ま
ず、（ａ）に示すように、シャトル４１′を受渡機構１
１０に対応する位置まで移動させ、その状態で、（ｂ）
に示すように、シリンダ１３２により支持ピン１３６が
くり抜き部１２５を通って上方へ突出するように支持部
１３１を上昇させる。そして、搬送装置１１から支持部
１３１上に基板Ｇを受け渡し、この状態で回転機構１３
３によりシリンダ１３２を回転させて基板Ｇを９０°回
転させる。次いでシリンダ１３２により支持部１３１を
下降させ、これにより基板Ｇは、（ｃ）に示すように、
ベース部材１２１に設けられた支持ピン１２２上に載置
される。
【００５３】シャトル４１′から第１〜第３の搬送装置
３３，３６，３９へ基板Ｇを受け渡す場合には、各搬送
装置のアームを基板Ｇとベース部材１２１との間のスペ
ースに挿入してからアームを持ち上げることにより実現
され、これら搬送装置からシャトル４１′へ基板Ｇを受
け渡す場合には、ベース部材１２１上へ基板Ｇが位置し
た際に、アームを下降させることにより基板Ｇを支持ピ
ン１２２上に載置させる。
３３，３６，３９へ基板Ｇを受け渡す場合には、各搬送
装置のアームを基板Ｇとベース部材１２１との間のスペ
ースに挿入してからアームを持ち上げることにより実現
され、これら搬送装置からシャトル４１′へ基板Ｇを受
け渡す場合には、ベース部材１２１上へ基板Ｇが位置し
た際に、アームを下降させることにより基板Ｇを支持ピ
ン１２２上に載置させる。
【００５４】このように受渡機構１１０を介在させるこ
とにより、搬送装置１１からシャトル４１′へ基板Ｇを
受け渡した際の基板Ｇの向きを調整することができる。
つまり、搬送装置１１は基板Ｇの長手方向をＸ方向にし
て基板Ｇを保持するから、単に搬送装置１１からシャト
ル４１′に基板Ｇを受け渡した場合にはシャトル４１′
上では基板Ｇの長手方向がＸ方向になっている。この状
態でシャトル４１′から第１〜第３の搬送装置３３，３
６，３９のいずれかへ基板Ｇを受け渡すと、これら搬送
装置から各処理ユニットへ基板Ｇが搬送された際に、基
板Ｇの向きが９０°ずれてしまう。これに対し、受渡機
構１１０で基板Ｇを９０°回転させることにより、この
ような不都合が解消される。このように受渡機構１１０
を設けることにより、各搬送装置毎に基板Ｇを回転させ
る機構を設けることなく基板Ｇを所定の向きにして搬送
することができる。
とにより、搬送装置１１からシャトル４１′へ基板Ｇを
受け渡した際の基板Ｇの向きを調整することができる。
つまり、搬送装置１１は基板Ｇの長手方向をＸ方向にし
て基板Ｇを保持するから、単に搬送装置１１からシャト
ル４１′に基板Ｇを受け渡した場合にはシャトル４１′
上では基板Ｇの長手方向がＸ方向になっている。この状
態でシャトル４１′から第１〜第３の搬送装置３３，３
６，３９のいずれかへ基板Ｇを受け渡すと、これら搬送
装置から各処理ユニットへ基板Ｇが搬送された際に、基
板Ｇの向きが９０°ずれてしまう。これに対し、受渡機
構１１０で基板Ｇを９０°回転させることにより、この
ような不都合が解消される。このように受渡機構１１０
を設けることにより、各搬送装置毎に基板Ｇを回転させ
る機構を設けることなく基板Ｇを所定の向きにして搬送
することができる。
【００５５】また、本実施形態では、シャトル４１′に
ピン駆動部が存在しないので、その軽量化を図ることが
でき、駆動機構への負担を軽くすることができる。ま
た、シャトル４１′にシリンダが存在しないので、移動
するシャトル４１′に対するエア配管が不要となる。
ピン駆動部が存在しないので、その軽量化を図ることが
でき、駆動機構への負担を軽くすることができる。ま
た、シャトル４１′にシリンダが存在しないので、移動
するシャトル４１′に対するエア配管が不要となる。
【００５６】次に、シャトルの他の例について説明す
る。この例のシャトル４１″は、図１２に示すように、
基板Ｇを支持するベース部材１４１と、ベース部材１４
１に対して着脱自在に設けられ、ベース部材１４１の上
方の空間を覆うカバー部材１４２とを有している。基板
Ｇの搬送時には、図１２の（ａ）に示すように、このカ
バー部材１４２により基板Ｇが密閉空間に存在すること
となる。カバー部材１４２の側壁はベース部材１４１の
周囲を囲むようになっており、ベース部材１４１とカバ
ー部材１４２とは図示しないロック機構により（ａ）の
状態でロックされるようになっている。各搬送装置とシ
ャトル４１″との間の基板Ｇの受け渡しに際しては、ロ
ック機構を外した状態で、図１２の（ｂ）に示すよう
に、シャトル４１″の受け渡しポジションに設けられた
複数、例えば４本のシリンダ１４３（２本のみ図示）に
より、カバー部材１４２を上昇させる。このように、カ
バー部材１４２によりベース部材１４１上の基板Ｇ存在
領域を密閉空間とするので、シャトル４１″による基板
Ｇの搬送時に基板Ｇにパーティクル等が付着することを
防止することができる。また、シャトル４１″にはカバ
ー部材１４２開閉用のシリンダが設けられていないの
で、エア配管の煩雑さを回避することができる。
る。この例のシャトル４１″は、図１２に示すように、
基板Ｇを支持するベース部材１４１と、ベース部材１４
１に対して着脱自在に設けられ、ベース部材１４１の上
方の空間を覆うカバー部材１４２とを有している。基板
Ｇの搬送時には、図１２の（ａ）に示すように、このカ
バー部材１４２により基板Ｇが密閉空間に存在すること
となる。カバー部材１４２の側壁はベース部材１４１の
周囲を囲むようになっており、ベース部材１４１とカバ
ー部材１４２とは図示しないロック機構により（ａ）の
状態でロックされるようになっている。各搬送装置とシ
ャトル４１″との間の基板Ｇの受け渡しに際しては、ロ
ック機構を外した状態で、図１２の（ｂ）に示すよう
に、シャトル４１″の受け渡しポジションに設けられた
複数、例えば４本のシリンダ１４３（２本のみ図示）に
より、カバー部材１４２を上昇させる。このように、カ
バー部材１４２によりベース部材１４１上の基板Ｇ存在
領域を密閉空間とするので、シャトル４１″による基板
Ｇの搬送時に基板Ｇにパーティクル等が付着することを
防止することができる。また、シャトル４１″にはカバ
ー部材１４２開閉用のシリンダが設けられていないの
で、エア配管の煩雑さを回避することができる。
【００５７】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例
えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに
限るものではない。また、シャトルの構造も上記構造に
限るものではなく、例えば上記実施形態におけるレジス
ト処理ユニット２３に用いたサブアーム５６と同様の構
造のものであってもよい。また、シャトルに複数枚の基
板を保持するようにしてもよい。処理に関しても上記の
ようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られる
ものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用
することも可能である。さらに被処理基板としてＬＣＤ
基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラ
ーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用
可能であることはいうまでもない。
ず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例
えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに
限るものではない。また、シャトルの構造も上記構造に
限るものではなく、例えば上記実施形態におけるレジス
ト処理ユニット２３に用いたサブアーム５６と同様の構
造のものであってもよい。また、シャトルに複数枚の基
板を保持するようにしてもよい。処理に関しても上記の
ようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られる
ものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用
することも可能である。さらに被処理基板としてＬＣＤ
基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラ
ーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用
可能であることはいうまでもない。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基
板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるよう
に構成し、これらを処理の順に、被処理基板の搬送ライ
ンが平行な２列となるように配置し、被処理基板を搬送
ラインに沿って流しながら一連の処理を行うようにした
ので、高スループットを維持することができるととも
に、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大
がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路
が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ること
ができフットプリントを小さくすることができる。ま
た、２列の搬送ラインの間の空間を移動可能に設けら
れ、前記搬送ラインとの間で基板が受け渡され保持され
る基板保持部材を設けたので、通常の処理の他に種々の
パターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高
い。
液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基
板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるよう
に構成し、これらを処理の順に、被処理基板の搬送ライ
ンが平行な２列となるように配置し、被処理基板を搬送
ラインに沿って流しながら一連の処理を行うようにした
ので、高スループットを維持することができるととも
に、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大
がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路
が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ること
ができフットプリントを小さくすることができる。ま
た、２列の搬送ラインの間の空間を移動可能に設けら
れ、前記搬送ラインとの間で基板が受け渡され保持され
る基板保持部材を設けたので、通常の処理の他に種々の
パターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高
い。
【００５９】また、上述のように、前記複数の熱的処理
ユニットが、前記各熱処理に対応するもの毎に集約され
た複数の熱的処理ユニットセクションを構成するように
することにより、よりフットプリントを小さくすること
ができ、しかも熱的処理も被処理基板の処理の流れに沿
って行うことができるようになるので、よりスループッ
トを高めることができる。
ユニットが、前記各熱処理に対応するもの毎に集約され
た複数の熱的処理ユニットセクションを構成するように
することにより、よりフットプリントを小さくすること
ができ、しかも熱的処理も被処理基板の処理の流れに沿
って行うことができるようになるので、よりスループッ
トを高めることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部
を示す平面図。
ジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部
を示す平面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置の第１の熱的処理ユニットセク
ションを示す側面図。
ジスト塗布現像処理装置の第１の熱的処理ユニットセク
ションを示す側面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置の第２の熱的処理ユニットセク
ションを示す側面図。
ジスト塗布現像処理装置の第２の熱的処理ユニットセク
ションを示す側面図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置の第３の熱的処理ユニットセク
ションを示す側面図。
ジスト塗布現像処理装置の第３の熱的処理ユニットセク
ションを示す側面図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す
斜視図。
ジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す
斜視図。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板のレ
ジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す
斜視図。
ジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す
斜視図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板の
レジスト塗布現像処理装置に用いた受渡機構の構造を示
す斜視図。
レジスト塗布現像処理装置に用いた受渡機構の構造を示
す斜視図。
【図１１】図１０の受渡機構を用いて図９のシャトルに
基板を載置する動作を説明するための側面図。
基板を載置する動作を説明するための側面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板の
レジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示
す断面図。
レジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示
す断面図。
１……カセットステーション ２……処理ステーション ３……インターフェイスステーション ２１……スクラブ洗浄処理ユニット（液処理ユニット） ２３……レジスト処理ユニット（液処理ユニット） ２４……現像処理ユニット（液処理ユニット） ２６……第１の熱的処理ユニットセクション ２７……第２の熱的処理ユニットセクション ２８……第３の熱的処理ユニットセクション ３１，３２，３４，３５，３７，３８……熱的処理ユニ
ットブロック ３３……第１の搬送装置 ３６……第２の搬送装置 ３９……第３の搬送装置 ４０……空間 ４１，４１′，４１″……シャトル １００，１００′，１００″……レジスト塗布現像処理
装置（処理装置） Ｇ……ＬＣＤガラス基板
ットブロック ３３……第１の搬送装置 ３６……第２の搬送装置 ３９……第３の搬送装置 ４０……空間 ４１，４１′，４１″……シャトル １００，１００′，１００″……レジスト塗布現像処理
装置（処理装置） Ｇ……ＬＣＤガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA05 DA01 FA02 FA07 FA11 FA12 FA15 GA47 GA48 GA49 GA51 GA60 KA02 KA12 LA07 LA08 LA13 LA15 MA02 MA03 MA07 MA23 MA24 MA26 MA27 NA18 PA18 5F046 CD01 CD05 JA04 JA22 KA04 KA07 LA01 LA18
Claims (11)
- 【請求項１】 被処理基板に対して複数の液処理を含む
一連の処理を行う処理装置であって、 被処理基板が略水平に搬送されつつ液処理が行われ、処
理の順に、搬送ラインが２列になるように配置された複
数の液処理ユニットと、 前記複数の液処理に付随する熱的処理を行う複数の熱的
処理ユニットと、 前記２列の搬送ラインの間に設けられた空間部と、 前記空間部を移動可能に設けられ、前記搬送ラインとの
間で被処理基板が受け渡され、基板を保持して移動させ
る基板保持・移動部材とを具備することを特徴とする処
理装置。 - 【請求項２】 被処理基板に対して複数の液処理を含む
一連の処理を行う処理装置であって、 前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定
の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、 処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板
が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対して被
処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、 前記処理部は、 被処理基板が略水平に搬送されつつ液処理が行われ、処
理の順に、搬送ラインが２列になるように配置された複
数の液処理ユニットと、 前記複数の液処理に付随する熱的処理を行う複数の熱的
処理ユニットと、 前記２列の搬送ラインの間に設けられた空間部と、 前記空間部を移動可能に設けられ、前記搬送ラインとの
間で被処理基板が受け渡され、基板を保持して移動させ
る基板保持・移動部材とを有する処理装置。 - 【請求項３】 前記複数の熱的処理ユニットは、前記各
熱的処理に対応するもの毎に集約された複数の熱的処理
ユニットセクションを構成し、 各熱的処理ユニットセクションに対応して、その中の複
数の熱的処理ユニットとの間で、および対応する液処理
ユニットとの間で被処理基板の搬送を行う複数の搬送装
置を具備することを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記複数の熱的処理ユニットセクション
は、それぞれの搬送装置に隣接して設けられた、複数の
熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的
処理ユニットブロックを有することを特徴とする請求項
３に記載の処理装置。 - 【請求項５】 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布
および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置で
あって、 前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定
の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、 処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板
を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処
理基板を搬入出する搬入出部と、 処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行う
インターフェイス部とを具備し、 前記処理部は、 被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処
理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
トと、 前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニット、お
よび前記現像処理ユニットによって構成された、被処理
基板を搬送する平行な２列の搬送ラインと、 前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱
的処理ユニットと、 前記２列の搬送ラインの間に設けられた空間部と、 前記空間部を移動可能に設けられ、前記搬送ラインとの
間で被処理基板が受け渡され、基板を保持して移動させ
る基板保持・移動部材とを有し、 前記２列の搬送ラインのうち一方は、前記搬入出部から
搬入された被処理基板を前記洗浄処理ユニットおよび前
記レジスト処理ユニットを経て前記インターフェイス部
に至り、他方は、前記インターフェイス部から前記現像
処理ユニットを経て前記搬入出部へ至る処理装置。 - 【請求項６】 前記複数の熱的処理ユニットは、 前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対
し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
約された第１の熱的処理ユニットセクションと、 前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に
対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが
集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、 前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対
し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
約された第３の熱的処理ユニットセクションとを構成
し、かつ、 前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記
第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送するととも
に、前記第１の熱的処理ユニットセクションからの被処
理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する第１の搬
送装置と、 前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を
前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとと
もに、前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被
処理基板を前記インターフェイス部へ搬送する第２の搬
送装置と、 前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記
第３の熱的処理ユニットセクションへ搬送するととも
に、前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被処
理基板を前記搬入出部へ搬送する第３の搬送装置とをさ
らに具備することを特徴とする請求項５に記載の処理装
置。 - 【請求項７】 前記第１、第２および第３の熱的処理ユ
ニットセクションは、それぞれ、第１、第２および第３
の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニ
ットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニット
ブロックを有することを特徴とする請求項６に記載の処
理装置。 - 【請求項８】 前記搬入出部は、前記処理ユニットとの
間で被処理基板の受け渡しを行う基板搬送機構を有し、
前記処理部は、前記空間部の前記基板搬送機構に隣接し
た部分に、前記基板搬送機構と前記基板保持・移動部材
との間の被処理基板の受け渡しを行う基板受渡機構を有
し、この基板受渡機構は、被処理基板の向きを変える基
板回転機構を有していることを特徴とする請求項２から
請求項７のいずれか１項に記載の処理装置。 - 【請求項９】 前記基板受渡機構は、昇降可能な基板支
持部を有し、前記基板保持・移動部材は、前記基板支持
部が貫通する穴が形成された、被処理基板を支持するベ
ース部材を有し、前記基板受渡機構の基板支持部は、前
記ベース部材の下方から前記穴を貫通してその上方へ突
出した状態で被処理基板を受け取り、前記基板回転機構
により被処理基板を回転させ、前記基板支持部を下降さ
せることにより、前記基板支持部に支持されていた被処
理基板を前記ベース部材上に載置させることを特徴とす
る請求項８に記載の処理装置。 - 【請求項１０】 前記基板保持・移動部材は、その上面
に被処理基板を支持するベース部材と、前記ベース部材
に対して着脱自在に設けられ、その上方の空間を覆うカ
バー部材とを有することを特徴とする請求項１から請求
項９のいずれか１項に記載の処理装置。 - 【請求項１１】 前記カバー部材の開閉は、前記基板保
持・移動部材に対する被処理基板の受け取り／受け渡し
位置に設けられた開閉機構により行われることを特徴と
する請求項１０に記載の処理装置。
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