JP2002236459A - 電気光学装置、その製造方法、半導体装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 基板上のパッドとフレキシブル配線基板など
の配線との間の導通不良を防ぐ。 【解決手段】 本発明に係る電気光学装置の基板上に
は、外部からの信号が入力されるパッドが形成されてい
る。基板の面上には、上記パッドに対応する部分を有す
る第１導電膜２７１と、当該第１導電膜２７１を覆う第
１層間絶縁膜２８３と、当該第１層間絶縁膜２８３の面
上に形成され、上記パッドに対応する部分を有する第２
導電膜２７２と、第１層間絶縁膜２８３の面上に形成さ
れた第２層間絶縁膜と、上記パッドを構成する第３導電
膜２７３とが形成されている。第２層間絶縁膜は、上記
パッドが形成される領域と当該パッドの周辺の領域とか
らなるパッド形成領域を避けて形成されている。第３導
電膜２７３は、当該パッド形成領域内において第２導電
膜２７２と接触する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置、そ
の製造方法、半導体装置および電子機器に関し、特に、
外部からの信号が入力されるパッド近傍の構造に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置は、液晶やＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）素子といった電気光学物質を保持す
る基板と、当該電気光学物質に対して電圧を印加するた
めの電極とを備えた構成が一般的である。さらに、この
種の電気光学装置として、上記基板上に複数のパッドが
形成されたものが知られている。かかる構成の下、上記
電極への印加電圧を指示する信号（すなわち表示画像に
応じた信号）は、外部装置から上記パッドを介して入力
されるようになっている。

【０００３】図２２は、従来の電気光学装置の一例たる
液晶装置の構成を示す平面図である。なお、同図におい
ては、上記電極に与えられるべき駆動信号を生成して出
力する駆動回路（走査線駆動回路およびデータ線駆動回
路）が、基板の表面に直接形成された液晶装置が例示さ
れている。同図に示すように、液晶装置１０は、アクテ
ィブマトリクス基板２０と対向基板３０とがシール材４
０を介して貼り合わされ、両基板間に液晶が封止された
構成となっている。すなわち、シール材４０に設けられ
た液晶注入口４１から液晶が注入された後、当該液晶注
入口４１が封止材４２によって封止される。対向基板３
０には、その全面にわたって対向電極が形成されるとと
もに、表示に寄与し得る領域以外の領域を遮光する遮光
層３１が形成されている。一方、アクティブマトリクス
基板２０の面上には、複数の走査線およびデータ線と、
これらの各交差に対応して設けられた画素電極および薄
膜トランジスタとが設けられている。また、アクティブ
マトリクス基板２０は、対向基板３０から張り出した領
域を有しており、この領域には、上記走査線に対して走
査信号を出力する走査線駆動回路２１１と、データ線に
対してデータ信号を出力するためのデータ線駆動回路２
１２とが形成されている。これらの駆動回路は、複数の
引廻し配線２１３を介して、アクティブマトリクス基板
２０の縁辺に沿って列をなす複数のパッド２１４の各々
に接続されている。そして、アクティブマトリクス基板
２０のうちパッド２１４の近傍の領域には、フレキシブ
ルプリント基板（Flexible Print Circuit；以下、「Ｆ
ＰＣ」と表記する）の一方の縁端部が接合されるように
なっている。このような構成の下、走査線駆動回路２１
１およびデータ線駆動回路２１２は、外部装置からＦＰ
Ｃを介してパッドに入力された信号に応じて走査信号ま
たはデータ信号をそれぞれ生成する。

【０００４】図２３は、図２２に示した液晶装置１０の
パッド２１４近傍の構成を示す断面図である。同図に示
すように、アクティブマトリクス基板２０を覆うゲート
絶縁膜２８２上には第１導電膜２７１と第２導電膜２７
２と第３導電膜２７３とが形成され、当該第３導電膜２
７３がパッド２１４として機能する。この第３絶縁膜２
７３は、底側から開口側に向かってテーパー状に広くな
る断面凹状の形状となっており、開口側に鍔状の接地面
２７３１を有している。また、隣接するパッド２１４同
士の間には、第１層間絶縁膜２８３と第２層間絶縁膜２
８４とが図２３における下側から順に設けられている。
より具体的には、第１層間絶縁膜２８３のうち第１導電
膜２７１上の部分は除去されており、第２導電膜２７２
はこの部分を介して第１導電膜２７１と導通するように
なっている。また、第２層間絶縁膜２８４のうち第２導
電膜２７２上の部分は除去されており、第３導電膜２７
３はこの部分を介して第２導電膜２７２と導通するよう
になっている。すなわち、第１導電膜２７１と第２導電
膜２７２と第３導電膜２７３とは相互に導通している。

【０００５】一方、パッド２１４に接続されるＦＰＣ
は、図２４（ａ）に示すように、略平行に配列された複
数の金属導線９１の周囲を絶縁性の合成樹脂層９２によ
って被覆したものであり、可撓性を有する平板状の実装
部品である。ここで、図２４（ｂ）は、このＦＰＣ９の
うちアクティブマトリクス基板２０と接合されるべき部
分の近傍の構成を示す断面図である。同図に示すよう
に、ＦＰＣ９の縁端部においては、金属導線９１に対し
て一方の側の合成樹脂層９２が剥離されるとともに、当
該合成樹脂層９２に代えて異方性導電膜９３が貼着され
ている。この異方性導電膜９３は、多数の導通粒子９３
１が分散された接着剤９３２からなる。この導通粒子９
３１としては、金属のメッキが施された樹脂製の粒子、
または銅などの金属や導電性樹脂材料などからなる粒子
が用いられる。

【０００６】次に、図２５は、ＦＰＣ９がアクティブマ
トリクス基板２に接合された状態を示す断面図である。
これらを接合する場合、パッド２１４（第３導電膜２７
３）上にＦＰＣ９の金属導線９１を重ね合わせた状態
で、当該ＦＰＣ９をアクティブマトリクス基板２側に熱
圧着する。そしてこれにより、図２５に示すように、Ｆ
ＰＣ９上の金属導線９１と、アクティブマトリクス基板
２０上の第３導電膜２７３の接地面２７３１および内面
２７３２とが、接着剤９３２中の金属粒子９３１を介し
て導通するのである。

【０００７】また、図２６は、従来の電気光学装置の他
の例として液晶装置１１の構成を示す平面図である。同
図に示すように、この液晶装置１１は、走査線駆動回路
２１１およびデータ線駆動回路２１２がアクティブマト
リクス基板２０上に形成されておらず、これらの駆動回
路が外部に設けられている点で、図２２に示した液晶装
置１０とは異なっている。かかる液晶装置１１のアクテ
ィブマトリクス基板２０上には、走査線およびデータ線
の本数と同数以上のパッド２１５が設けられている。図
２７は、この液晶装置１１におけるパッド２１５の構成
を示す概略断面図である。同図に示すように、この液晶
装置１１におけるパッド２１５の層構造は、前掲図２３
に示した液晶装置１０におけるパッド２１４の構成と同
様である。すなわち、パッド２１５を構成する第３導電
膜２７３は、その下層に形成された第１導電膜２７１お
よび第２導電膜２７２と導通している。そして、第３導
電膜２７３は、底側から開口側に向かってテーパー状に
広くなる断面視凹状であり、開孔部に鍔状の接地面２７
３１を有している。ただし、図２６に示した液晶装置１
１は、図２２に示した液晶装置１０と比較してパッド２
１５の数が多いため、パッド２１５同士の間隔が狭くな
っている。図２８は、液晶装置１１のアクティブマトリ
クス基板２０に図２４に示したＦＰＣ９を接合した状態
を表す断面図である。図２８に示すように、これらが接
合された状態において、ＦＰＣ９の金属導線９１と、第
３導電膜２７３の接地面２７３１および内面２７３２と
が、導通粒子９３１を介して導通される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た液晶装置１０または１１においては、金属導線９１と
第３導電膜２７３との接触面積が少ないため、パッド２
１４または２１５と金属導線９１とが導通不良を起こし
やすいという問題があった。これは、第３導電膜２７３
がテーパー状に設けられた第２層間絶縁膜２８３の開孔
部に入り込むように形成されるため、当該第２層間絶縁
膜２８３の面上に位置する接地面２７３１を狭くせざる
を得ず、加えて、当該第３導電膜２７３の段差が大きい
ため導通粒子９３１および接着剤９３２が第３導電膜２
７３の全面にわたって接触しないためである。特に、図
２６に示した液晶装置１１のように、駆動回路が外部に
設けられている構成を採った場合には、数多くのパッド
２１５を形成する必要があるため、隣接するパッド２１
５同士の間隔を狭くせざるを得ない。このため、各パッ
ド２１５に対応する第３導電膜２７３の接地面２７３１
の面積が極めて狭くなってしまい、当該第３導電膜２７
３と金属導線９１との導通不良が生じやすいという問題
が生じていた。

【０００９】加えて、近年においては、表示の高精細化
および高解像度化の要請が強い。かかる要請に応えるべ
く入力信号の数を増大させた場合には、さらにパッド２
１４または２１５同士の間隔を狭くせざるを得ない。か
かる事情を考慮すると、第３導電膜２７３の接地面２７
３１の面積を充分に確保することがより一層困難になっ
てきており、これに伴ってパッド２１４または２１５と
ＦＰＣ９との導通不良がより一層生じやすくなってきて
いるといえる。また、これらの問題は、液晶装置に限ら
れるものではなく、ＥＬディスプレイパネルなどの他の
電気光学装置においても同様に生じ得る問題である。

【００１０】本発明は、以上説明した事情に鑑みてなさ
れたものであり、ＦＰＣなどの実装部品の端子との間で
導通不良が生じにくいパッドを備えた電気光学装置、そ
の製造方法、半導体装置および電子機器を提供すること
を目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の電気光学装置は、基板上のパッドを介し
て入力された信号に応じて画像を表示する電気光学装置
であって、前記基板の面上に形成され、前記パッドに対
応する部分を有する第１導電膜と、前記基板の面上に形
成されて前記第１導電膜を覆う第１層間絶縁膜と、前記
第１層間絶縁膜の面上に形成され、前記パッドに対応す
る部分を有する第２導電膜と、前記第１層間絶縁膜の面
上にあって前記パッドが形成される領域と当該パッドの
周辺の領域とからなるパッド形成領域を避けて形成され
た第２層間絶縁膜と、前記第２導電膜と接触して、前記
パッドを構成する第３導電膜とを具備することを特徴と
している。

【００１２】この電気光学装置においては、第２層間絶
縁膜がパッド形成領域を除く領域に設けられているた
め、当該第２層間絶縁膜の厚さの分だけ、第３導電膜の
段差を低く抑えることができる。このため、上記パッド
のうちフレキシブルプリント基板などの実装部品の配線
との導通に用いられ得る部分の面積を広く確保すること
ができるから、当該パッドと実装部品の配線との間の導
通不良を防止することができる。このため、歩留まりを
向上させることができる。

【００１３】すなわち、第２層間絶縁膜をパッド形成領
域にも至るように形成するとともに、第２導電膜と第３
導電膜とを、パッドに対応して当該第２層間絶縁膜に設
けられた開孔部を介して導通させる構成を採った場合に
は、当該第２層間絶縁膜の厚さに対応して、第３導電膜
の段差（すなわち、底側から開口側までの深さ）が大き
くなり、基板と実装部品とを接合するための接着剤を第
３導電膜の窪み部分に十分に入り込ませることができな
い。また、上記第２層間絶縁膜の開孔部の形状を、第２
導電膜側の開口面積よりも第３導電膜が形成される側の
開口面積の方が大きくなるテーパー状の形状とすると、
第３導電膜のうち第２層間絶縁膜の面上に位置する接地
面の面積を狭くせざるを得ない。このように、第２層間
絶縁膜をパッド形成領域にも至るように形成した場合に
は、実装部品との接合に用いられ得る面積を十分に確保
することができないため、当該実装部品の配線とパッド
との導通不良が生じやすくなってしまう。これに対し、
本発明によれば、上述した通り、かかる問題を解決でき
るのである。

【００１４】上記電気光学装置においては、前記第２層
間絶縁膜が、前記パッド形成領域に加えて当該パッド形
成領域から前記基板の縁辺に至る縁辺領域を避けて形成
されていることが望ましい。こうすれば、パッド形成領
域と縁辺領域との段差を抑えることができるから、特に
フレキシブルプリント基板のような実装部品を基板に接
合する場合に、その接合を容易に行なうことができる。
なお、上記電気光学装置においては、前記パッド形成領
域を、前記基板上に列をなす複数の前記パッドのうち隣
接するパッド同士の間の領域を含むものとしてもよい。
こうすれば、パッドの近傍の段差をより少なくすること
ができるから、パッドと実装部品の配線との導通不良を
より確実に抑えることができる。

【００１５】また、上記電気光学装置においては、前記
第２導電膜のうち前記パッド形成領域内に位置する周縁
部を覆う保護絶縁層をさらに設けることが望ましい。上
述したように、第２層間絶縁膜はパッド形成領域を避け
るように形成されているため、第２導電膜の周縁部が第
３導電膜のみによって覆われた構成を採ることも考えら
れる。しかしながら、かかる構成の下では、場合によっ
ては第２導電膜が、その周縁部において第１層間絶縁膜
から剥離しやすくなるといった問題が生じ得る。これに
対し、上記保護絶縁膜によって第２導電膜の周縁部を覆
う構成を採れば、当該第２導電膜が周縁部において剥離
する事態が抑えられるのである。

【００１６】なお、保護絶縁層を設けた場合には、上記
第１導電膜が、当該保護絶縁層のうち第２導電膜の周縁
部に沿った内周縁よりも内側に形成された構成を採るこ
とが望ましい。換言すれば、基板面と垂直方向からみ
て、保護絶縁層と第１導電膜とが重ならない構成を採る
ことが望ましい。こうすれば、両者が重なる構成を採っ
た場合と比較して、保護絶縁層の表面の高さを第１導電
膜の厚さの分だけ低くすることができるから、パッド近
傍の領域をより確実に平坦化することができる。この場
合、前記保護絶縁層の厚さと前記第１導電膜の厚さとを
略同一とすれば、パッド近傍の領域をほとんど段差のな
い平坦な領域にすることができる。

【００１７】また、上記課題を解決するため、本発明
は、基板上のパッドを介して入力された信号に応じて画
像を表示する電気光学装置であって、前記基板の面上に
形成され、前記パッドに対応する部分を有する第１導電
膜と、前記基板の面上に形成されて前記第１導電膜を覆
う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜の面上に形成
され、前記パッドに対応する部分を有する第２導電膜
と、前記第１層間絶縁膜の面上に積層された複数の絶縁
層からなる第２層間絶縁層であって、前記複数の絶縁層
のうちの一部の絶縁層は前記パッドが形成される領域と
当該パッドの周辺の領域とからなるパッド形成領域を避
けて形成される一方、他の絶縁層は前記パッド形成領域
を含む領域にわたって形成された第２層間絶縁層と、前
記他の絶縁層に形成された開孔部を介して前記第２導電
膜に接触し、前記パッドを構成する第３導電膜とを具備
することを特徴としている。

【００１８】かかる電気光学装置によれば、第２層間絶
縁膜を構成する一部の絶縁層がパッド形成領域を避けて
形成されている。このため、第２層間絶縁層の全部をパ
ッド形成領域にも至るように形成した場合と比較して、
当該一部の絶縁層の厚さの分だけ、第３導電膜に生じる
段差を抑えることができる。このため、上述した電気光
学装置について示したのと同様の理由により、当該第３
導電膜によって構成されるパッドと、実装部品の配線と
の導通不良を防止することができる。なお、この電気光
学装置においても、上記と同様に、前記一部の絶縁層
を、前記パッド形成領域に加えて当該パッド形成領域か
ら前記基板の縁辺に至る縁辺領域を避けて形成されたも
のとしてもよいし、または前記パッド形成領域を、前記
基板上に列をなす複数の前記パッドのうち隣接するパッ
ド同士の間の領域を含むものとしてもよい。

【００１９】また、この電気光学装置においては、前記
開孔部を、前記他の絶縁層のうち前記第３導電膜に対応
する領域の大部分にわたって設けた構成が望ましい。こ
うすれば、第２導電膜と第３導電膜とを当該開孔部に対
応する広い領域にわたって接触させることができるか
ら、当該パッドにおける抵抗値を低く抑えることができ
る。

【００２０】なお、かかる開孔部を設けた場合には、前
記他の絶縁層が、前記第２導電膜のうち前記パッド形成
領域内に位置する周縁部を覆う構成とすることが望まし
い。こうすれば、第２導電膜が、その周縁部において第
１層間絶縁膜の表面から剥離するのを抑えることができ
るから、かかる剥離部分から水分などが浸入して第２導
電膜の腐食の原因となるのを抑えることができる。さら
にこの場合、前記第１導電膜を、前記開孔部の内周縁よ
りも内側に形成することが望ましい。こうすれば、第１
導電膜が他の絶縁層と重なるように形成された場合と比
較して、他の絶縁層の表面の高さを第１導電膜の厚さの
分だけ低く抑えることができる。換言すれば、第１導電
膜を設けない場合と比較して、第３導電膜の中央部近傍
の高さを当該第１導電膜の厚さの分だけ高く維持するこ
とができる。したがって、当該パッド近傍の領域に形成
される段差を抑えることができるから、より確実に導通
不良を抑えることができるのである。

【００２１】一方、他の絶縁層のうちパッドに対応する
領域の大部分にわたって前記開孔部を設けるのではな
く、前記他の絶縁層のうち前記パッドに対応する領域内
に複数の開孔部を設けた構成としてもよい。こうすれ
ば、第３導電膜のうち開孔部に対応する領域以外の領域
の高さを他の絶縁層の厚さの分だけ高く維持することが
できるから、パッド近傍の領域をより平坦化することが
できる。なお、この構成を採った場合には、前記複数の
開孔部が、前記第３導電膜によって覆われる領域内にお
いて略均等に分布するようにしてもよいし、略矩形状の
前記第３導電膜によって覆われる領域のうち対向する二
辺の近傍に偏在するようにしてもよい。後者の構成を採
る場合には、さらに前記第３導電膜のうちの中央部近傍
に対応して開孔部を設けることも望ましい。

【００２２】また、上記のように他の絶縁層に複数の開
孔部を設けた場合であって、第３導電膜と実装部品の端
子とを導通粒子を介して接続する場合には、当該開孔部
の大きさが、前記開孔部に対応して前記第３導電膜に形
成された窪みに前記導通粒子が嵌り込むように選定され
ることが望ましい。こうすれば、窪みに嵌り込んだ導通
粒子が、その位置から移動してしまうのを回避すること
ができるから、上記実装部品の端子と第３導電膜との間
に確実に導通粒子を位置させることができる。さらにこ
の場合、前記第３導電膜の窪みに嵌り込んだ前記導通粒
子の一部が当該第３導電膜の表面に対して突出するよう
に、前記開孔部の大きさを選定することが望ましい。導
通粒子が第３導電膜の窪みに完全に入り込むとすれば、
この導通粒子は、実装部品の端子とパッドとの導通に何
ら寄与し得ないものとなるが、開孔部の大きさを上記の
ように選定することによってかかる事態を抑えることが
でき、この結果、両者の導通をより確実に図ることがで
きる。

【００２３】また、本発明に係る電気光学装置において
は、前記第１層間絶縁膜のうち前記第１導電膜と第２導
電膜とが対向する領域に設けられた開孔部を介して、当
該第１導電膜と当該第２導電膜とが接触した構成が望ま
しい。こうすれば、当該パッドにおける抵抗値を低く抑
えることができる。

【００２４】なお、この場合には、前記第１層間絶縁膜
のうち前記第３導電膜に対応する領域の大部分にわたっ
て前記開孔部を設けた構成とすれば、第１導電膜と第２
導電膜との接触面積を大きくすることができるから、よ
り大幅に抵抗値を低くすることができる。一方、前記第
１層間絶縁膜において、前記第３導電膜に対応する領域
内に複数の開孔部を設けた構成とすれば、第１層間絶縁
膜のうち開孔部以外の部分において、当該第１層間絶縁
膜の厚さの分だけ第３導電膜の高さを高く維持すること
ができるから、パッド近傍の領域を段差の少ない平坦な
領域とすることができる。

【００２５】また、本発明に係る電気光学装置において
は、前記基板の面上に形成された薄膜トランジスタを具
備し、前記第１導電膜は、前記薄膜トランジスタのゲー
ト電極と同一層から形成され、前記第２導電膜は、前記
薄膜トランジスタのソース電極と同一層から形成されて
いることが望ましい。こうすれば、薄膜トランジスタの
形成工程において、同時にパッド近傍の構成要素を形成
することができるから、製造工程をより簡素化すること
ができる。なお、この場合の薄膜トランジスタは、画素
電極に接続されて当該画素電極に印加される電圧を制御
するためのものであってもよいし、または基板上に形成
された駆動回路に含まれる薄膜トランジスタであっても
よい。なお、前者の場合には、前記第３導電膜が、前記
画素電極と同一層から形成されるものとすれば、製造工
程をより一層簡素化することができる。

【００２６】また、上記課題を解決するため、本発明に
係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えることを
特徴としている。上述したように、本発明に係る電気光
学装置によれば、パッドと実装部品の端子との導通不良
を有効に抑えることができるから、これを搭載した電子
機器においても、高い信頼性を確保することができる。

【００２７】また、上記課題を解決するため、本発明に
係る電気光学装置の製造方法は、基板上のパッドを介し
て入力された信号に応じて画像を表示する電気光学装置
の製造方法であって、前記パッドに対応する部分を有す
る第１導電膜を前記基板の面上に形成する第１工程と、
前記第１導電膜を覆う第１層間絶縁膜を前記基板の面上
に形成する第２工程と、前記パッドに対応する部分を有
する第２導電膜を前記第１層間絶縁膜の面上に形成する
第３工程と、前記第１層間絶縁膜の面上に、前記パッド
に対応する領域と当該パッドの周辺の領域とからなるパ
ッド形成領域を避けて第２層間絶縁膜を形成する第４工
程と、前記第２導電膜に接触する第３導電膜を前記パッ
ドとして形成する第５工程とを有することを特徴として
いる。

【００２８】また、本発明に係る電気光学装置の他の製
造方法は、基板上のパッドを介して入力された信号に応
じて画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、
前記パッドに対応する部分を有する第１導電膜を前記基
板の面上に形成する第１工程と、前記第１導電膜を覆う
第１層間絶縁膜を前記基板の面上に形成する第２工程
と、前記パッドに対応する部分を有する第２導電膜を前
記第１層間絶縁膜の面上に形成する第３工程と、前記第
１層間絶縁膜の面上に複数の絶縁層を積層して第２層間
絶縁膜を形成する工程であって、前記複数の絶縁層のう
ちの一部の絶縁層を前記パッドに対応する領域と当該パ
ッドの周辺の領域とからなるパッド形成領域を避けて形
成する一方、他の絶縁層を前記パッド形成領域を含む領
域にわたって形成する第４工程と、前記他の絶縁層に形
成された開孔部を介して前記第２導電膜と接触する第３
導電膜を前記パッドとして形成する第５工程とを有する
ことを特徴としている。

【００２９】これらの製造方法によって得られた電気光
学装置によれば、上述したのと同様の理由により、パッ
ドと実装部品の端子との間の導通不良を有効に抑えるこ
とができる。

【００３０】上記製造方法を、前記基板上に形成された
薄膜トランジスタを具備する電気光学装置に適用した場
合、前記第１工程を、前記薄膜トランジスタのゲート電
極の形成とともに当該ゲート電極と同一の層から前記第
１導電膜を形成する工程とする一方、前記第３工程を、
前記薄膜トランジスタのソース電極の形成とともに当該
ソース電極と同一の層から前記第２導電膜を形成する工
程とすることが望ましい。こうすれば、第１導電膜と第
２導電膜とを基板上に形成する工程を別個に実行する必
要がなくなるため、製造工程の簡素化が図られる。

【００３１】また、前記薄膜トランジスタが、電気光学
物質に電圧を印加する画素電極に接続されるものである
場合、前記第５工程を、前記画素電極の形成とともに当
該画素電極と同一の層から前記第３導電膜を形成する工
程とすることが望ましい。こうすれば、第３導電膜を形
成するための工程を独立して実行する必要がないから、
製造工程をさらに簡素化することができる。

【００３２】さらに、上記製造方法においては、前記第
４工程を、前記基板上に形成された前記第２層間絶縁膜
のうち、当該薄膜トランジスタと前記画素電極とを電気
的に接続するための開孔部に対応する領域と、前記パッ
ド形成領域とを同時に除去する工程を含むものとするこ
とが望ましい。こうすれば、薄膜トランジスタと画素電
極とを接続するための開孔部と、パッド形成領域を除去
するための工程とを各々別個に実行した場合と比較し
て、製造工程を簡素化することができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態について説明する。かかる実施の形態は、本発
明の一態様を示すものであり、この発明を限定するもの
ではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可
能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各
部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。

【００３４】＜Ａ−１：第１実施形態＞ ＜Ａ−１−１：電気光学装置の構成＞まず、電気光学物
質として液晶を用いた液晶装置に本発明を適用した第１
実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る
液晶装置の構成を示す平面図である。同図に示す液晶装
置１０１は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の液
晶装置である。さらに、液晶装置１０１は、画素電極に
データ信号を書き込むか否かを制御するＴＦＴに加え、
駆動回路（走査線駆動回路およびデータ線駆動回路）を
構成するＴＦＴについても基板上に形成された構成とな
っている。

【００３５】図１に示すように、液晶装置１０１は、相
互に対向するアクティブマトリクス基板２０と対向基板
３０とが略長方形状のシール材４０を介して貼り合わさ
れるとともに、両基板とシール材４０とによって囲まれ
た領域に、電気光学物質として例えばＴＮ（Twisted Ne
matic）型などの液晶が封入された構成となっている。
アクティブマトリクス基板２０および対向基板３０は、
ガラスや石英、プラスチックといった光透過性を有する
絶縁性の板状部材である。このうち対向基板３０におけ
るアクティブマトリクス基板２０との対向面上には、そ
の全面にわたってＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透
明導電材料からなる対向電極が形成されるとともに、表
示に寄与し得る領域以外の領域を遮光するための遮光層
３１などが形成されている。一方、アクティブマトリク
ス基板２０の面上には、画素電極やＴＦＴなどが形成さ
れている。なお、実際には、アクティブマトリクス基板
２０および対向基板３０の外側表面には、入射光を反射
させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差
板などが貼着されるが、本発明とは直接の関係がないた
め、その図示および説明を省略する。

【００３６】ここで、アクティブマトリクス基板２０
は、対向基板３０の縁辺から張り出した部分（以下、
「張出領域」と表記する）２０１を有する。そして、こ
の張出領域２０１には、図示しない外部回路からの各種
信号が入力される複数のパッド２２１と、引廻し配線２
１３を介して当該各パッド２２１に接続された走査線駆
動回路２１１およびデータ線駆動回路２１２とが形成さ
れている。この走査線駆動回路２１１およびデータ線駆
動回路２１２は、アクティブマトリクス基板２０上に直
接形成されたＴＦＴを含む回路であり、各パッド２２１
から入力された信号に応じて走査信号およびデータ信号
をそれぞれ生成して出力する。

【００３７】また、アクティブマトリクス基板２０のう
ちシール材４０の内側に対応する領域（以下、「表示領
域」と表記する）には、所定の方向に延在する複数の走
査線と、当該走査線に交差する方向に延在する複数のデ
ータ線とが設けられている（ともに図示略）。さらに、
表示領域には、走査線およびデータ線の各交差に対応し
て、ＴＦＴと、当該ＴＦＴを介して走査線およびデータ
線に接続された画素電極とが設けられている。複数の画
素電極は、ＩＴＯなどの透明導電材料によって形成され
てマトリクス状に配列するとともに、対向基板３０上の
対向電極に液晶を挟んで対向するようになっている。か
かる構成の下、画素電極と対向電極との間に挟まれた液
晶は、両電極の間に印加された電圧に応じてその配向方
向が変化する。

【００３８】次に、図２は、表示領域内において各画素
に対応して設けられたＴＦＴ２４の近傍の構成を示す断
面図である。同図に示すように、アクティブマトリクス
基板２０の表面には、ＳｉＯ₂（酸化珪素）などからな
る下地保護膜２８１を下地として、シリコン層２４１が
形成されている。このシリコン層２４１の表面はゲート
絶縁膜２８２によって覆われている。そして、このシリ
コン層２４１のうち、ゲート絶縁膜２８２を挟んでゲー
ト電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとな
っている。このゲート電極２４２は走査線の一部であ
る。一方、シリコン層２４１およびゲート電極２４２が
形成された下地保護膜２８１の表面は、ＳｉＯ₂などか
らなる第１層間絶縁膜２８３によって覆われている。

【００３９】また、図２に示すように、シリコン層２４
１のうちチャネル領域２４１ａのソース側には低濃度ソ
ース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設
けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には
低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域
２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Lightly Dope
d Drain）構造となっている。このうち、高濃度ソース
領域２４１Ｓは、ゲート絶縁膜２８２と第１層間絶縁膜
２８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介し
て、ソース電極２４３に接続されている。このソース電
極２４３は、上述したデータ線（図２における紙面垂直
方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃
度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁膜２８２と第１
層間絶縁膜２８３とにわたって開孔するコンタクトホー
ルを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイ
ン電極２４４に接続されている。

【００４０】ソース電極２４３およびドレイン電極２４
４が形成された第１層間絶縁膜２８３の表面は、例えば
アクリル系の樹脂材料などからなる第２層間絶縁膜２８
４によって覆われている。そして、上述した画素電極２
３は、この第２層間絶縁膜２８４の面上に形成されると
ともに、当該第２層間絶縁膜２８４に設けられたコンタ
クトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続さ
れている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２
４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域
２４１Ｄに接続されている。

【００４１】なお、走査線駆動回路２１１およびデータ
線駆動回路２１２に含まれるＴＦＴ、すなわち、例えば
これらの駆動回路のうちシフトレジスタに含まれるイン
バータを構成するＮチャネル型およびＰチャネル型のＴ
ＦＴは、後の製造プロセスの説明において詳述するよう
に、画素電極２３と接続されていない点を除いて上記Ｔ
ＦＴ２４と同様の構成となっている。

【００４２】次に、アクティブマトリクス基板２０の張
出領域２０１に形成されたパッド２２１の構成について
説明する。図１に示すように、外部装置から与えられた
信号の入力端子として機能するパッド２２１は、アクテ
ィブマトリクス基板２０の縁辺に沿って列をなすように
形成される。ここで、図３（ａ）は、このパッド２２１
近傍の構成を示す断面図であり、図３（ｂ）はアクティ
ブマトリクス基板２０と前掲図２４に示したＦＰＣ９と
を接合した状態におけるパッド２２１近傍の構成を示す
断面図である。

【００４３】図３（ａ）に示すように、アクティブマト
リクス基板２０を覆うゲート絶縁膜２８２上には、パッ
ド２２１に対応した部分を有する第１導電膜２７１およ
び第２導電膜２７２と、当該パッド２２１を構成する第
３導電膜２７３とが形成されている。このうち第１導電
膜２７１は、上述したゲート電極２４２（すなわち走査
線）と同一層から形成される一方、第２導電膜２７２
は、上述したソース電極２４３（およびドレイン電極２
４４）と同一層から形成される。ここで、表示領域内に
おいてゲート電極２４２とソース電極２４３との間に第
１層間絶縁膜２８３が介在しているのは図２を例示して
説明した通りであるが、この第１層間絶縁膜２８３は張
出領域２０１にも至るように形成されている。ただし、
第１層間絶縁膜２８３のうちパッド２２１に対応する部
分には開孔部２７２ａが設けられており、当該開孔部２
７２ａを介して第１導電膜２７１と第２導電膜２７２と
が面接触するようになっている。逆に、隣接するパッド
２２１同士の間の領域においては、表示領域と同様に第
１層間絶縁膜２８３が形成されている。このように第１
導電膜２７１と第２導電膜２７２とを導通させるのは、
パッド２２１から走査線駆動回路２１１またはデータ線
駆動回路２１２に至る引廻し配線２１３の抵抗値を低く
抑えるためである。

【００４４】また、パッド２２１に相当する第３導電膜
２７３は、上述した画素電極２３と同一層から形成され
る。ここで、表示領域内において画素電極２３とソース
電極２４３との間に第２層間絶縁膜２８４が介在してい
るのは上述した通りであるが、この第２層間絶縁膜２８
４は、表示領域のみならず張出領域２０１にも至るよう
に形成される。ただし、本実施形態における第２層間絶
縁膜２８４は、図１に示すように、各パッド２２１が形
成された領域と当該各パッド２２１の周辺の領域（すな
わち、各パッド２２１の外側の領域であって当該パッド
２２１を包囲する領域）とからなるパッド形成領域２０
１ａ内には設けられていない。なお、このようにパッド
形成領域２０１ａ内には第２層間絶縁膜２８４は形成さ
れていないので、図３（ａ）においては当該第２層間絶
縁膜２８４は現われていない。また、本実施形態におい
ては、図１に示すように、アクティブマトリクス基板２
０上に列をなす複数のパッド２２１の各々の間の領域
も、パッド形成領域２０１ａに含まれるようになってお
り、この領域にも第２層間絶縁膜２８４は設けられてい
ない。

【００４５】さらに、本実施形態においては、上記パッ
ド形成領域２０１ａに加えて、当該パッド形成領域２０
１ａからアクティブマトリクス基板２０における当該各
パッド２２１に近接する縁辺までの領域（以下、「縁辺
領域」と表記する）２０１ｂにおいても、第２層間絶縁
膜２８４が設けられていない。このように、本実施形態
においては、第２層間絶縁膜２８４がパッド形成領域２
０１ａおよび縁辺領域２０１ｂを避けるように形成され
ているため、パッド２２１を構成する第３導電膜２７３
は、第２導電膜２７２の表面を覆うとともに当該第２導
電膜２７２と接触するように形成され、図３（ａ）に示
すように断面視凹状の形状となっている。かかる構成に
より、第１導電膜２７１と第２導電膜２７２と第３導電
膜２７３とが相互に導通するようになっている。

【００４６】そして、かかるアクティブマトリクス基板
２０のうちパッド２２１近傍の領域には、図２４に示し
たＦＰＣ９が接合される。すなわち、パッド２２１とＦ
ＰＣ９の金属導線９１とがＡＣＦ９３を挟んで対向する
ようにアクティブマトリクス基板２０とＦＰＣ９とを配
置させるとともに、ＡＣＦ９３の接着剤９３２を加熱し
た状態で両者を圧着するのである。このとき、図３
（ｂ）に示すように、パッド２２１とＦＰＣ９との導通
は金属導線９１と第３導電膜２７３の表面全体との接触
により得られる。

【００４７】以上説明したように、本実施形態に係る液
晶装置１０１においては、アクティブマトリクス基板２
０を覆う第２層間絶縁膜２８４が、パッド形成領域２０
１ａおよび縁辺領域２０１ｂを避けるように形成されて
いる。すなわち、第２導電膜２７２と第３導電膜２７３
との間や隣接するパッド２２１同士の間には、第２層間
絶縁膜２８４が形成されていない。したがって、第２導
電膜２７２の表面を覆うように第３導電膜２７３が形成
されたとき、図２３に示した従来の液晶装置と比較し
て、第３導電膜２７３の凹状の内面の深さを第２層間絶
縁膜２８４の厚さの分だけ浅くすることができる。この
ため、ＦＰＣ９の接着剤９３２は第３導電膜２７３の内
面に充分に入り込むことができるから、第３導電膜２７
３の表面全体をＦＰＣ９との接合に利用することができ
る。このように、本実施形態に係る液晶装置１０１によ
れば、パッド２２１（第３導電膜２７３）におけるＦＰ
Ｃ９と接触する部分の面積を十分に確保することができ
るから、当該パッド２２１とＦＰＣ９の金属導線９１と
を導通粒子９３１を介して確実に導通させることができ
る。こうして両者間の導通不良が防止される結果、液晶
装置の歩留まりが向上される。また、第２導電膜２７２
の表面を覆うように第３導電膜２７３が形成されるの
で、第２導電膜２７２と第３導電膜２７３との導通がよ
り一層確実なものとなる。

【００４８】さらに、この液晶装置１０１においては、
第２層間絶縁膜２８４が、パッド形成領域２０１ａに加
えて縁辺領域２０１ｂをも避けるように形成されてい
る。このため、パッド２２１の近傍の領域と縁辺領域２
０１ｂとの段差を少なくすることができるから、アクテ
ィブマトリクス基板２０とＦＰＣ９との接合を容易に行
なうことができる。

【００４９】＜Ａ−１−２：製造プロセス＞次に、本実
施形態に係る液晶装置１０１の製造プロセスについて説
明する。まず、図４ないし図６を参照して、液晶装置１
０１の製造プロセス、特にアクティブマトリクス基板２
０上の各構成要素に関する製造プロセスを説明する。な
お、図４ないし図６に示す各断面図は、図１中のＡ−
Ａ’線の断面のうち駆動回路が形成される領域の断面
（図面左側）と、ＴＦＴ２４が形成される領域の断面
（図面中央）と、パッド形成領域２０１ａおよび縁辺領
域２０１ｂの断面（図面右側）とにそれぞれ対応してい
る。なお、以下の説明において、不純物濃度は、いずれ
も活性化アニール後の不純物濃度として表されている。

【００５０】まず、図４（ａ）に示すように、石英基板
やガラス基板などの絶縁性基板であるアクティブマトリ
クス基板２０の表面に、シリコン酸化膜などからなる下
地保護膜２８１を形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１
を形成した後、レーザアニール法または急速加熱法によ
り結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。さらに、
図４（ｂ）に示すように、当該ポリシリコン層をフォト
リソグラフィ法によってパターニングして、島状のシリ
コン層２４１、２５１および２６１を残す。このうちシ
リコン層２４１は、表示領域内に形成されて画素電極２
３に接続されるＴＦＴ（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記
する場合がある）２４を構成するものであり、シリコン
層２５１および２６１は、走査線駆動回路２１１または
データ線駆動回路２１２に含まれるＰチャネル型および
Ｎチャネル型のＴＦＴ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と
表記する場合がある）２５および２６をそれぞれ構成す
るものである。

【００５１】次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などに
より、シリコン層の全表面に厚さが約３０ｎｍ〜約２０
０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２８２を
形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁膜２
８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１およ
び２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシ
リコン層とすることができる。チャネルドープを行う場
合には、例えば、このタイミングで約１×１０¹²ｃｍ^-2
のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリ
コン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度が約
１×１０¹⁷ｃｍ ^-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。

【００５２】次に、図４（ｃ）に示すように、ゲート絶
縁膜２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイ
ド膜、あるいはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜
といった金属膜などからなるゲート電極形成用導電膜５
０２を形成する。当該導電膜５０２の厚さはおおむね２
００ｎｍ程度である。

【００５３】次に、ゲート電極形成用導電膜５０２の表
面にパターニング用マスク５０３を形成し、この状態で
パターニングを行なって、図４（ｄ）に示すように、Ｐ
チャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５を構成するゲート電
極２５２を形成する。このとき、ゲート電極形成用導電
膜５０２のうち、画素用ＴＦＴ２４およびＮチャネル型
の駆動回路用ＴＦＴ２６に対応する部分はパターニング
用マスク５０３で覆われているので、上記パターニング
に際して除去されない。また、ゲート電極形成用導電膜
５０２のうちパッド２２１に対応する部分も除去される
ことはない。

【００５４】続いて、図４（ｅ）に示すように、上記パ
ターニングにおいて除去されることなく残ったゲート電
極形成用導電膜５０２をマスクとして用い、シリコン層
２５１に対してボロンイオンを約１×１０¹⁵ｃｍ^-2ドー
ズ量でイオン注入する。その結果、不純物濃度が１×１
０²⁰ｃｍ^-3の高濃度のソース領域２５１Ｓおよびドレイ
ン領域２５１Ｄがゲート電極２５２に対してセルフアラ
イン的に形成される。シリコン層２５１のうちゲート電
極２５２によって覆われていた領域はチャネル領域２５
１ａとなる。

【００５５】次に、図５（ａ）に示すように、Ｐチャネ
ル型の駆動回路用ＴＦＴ２５に対応する部分を完全に覆
うとともに、画素用ＴＦＴ２４のゲート電極およびＮチ
ャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２６のゲート電極が形成さ
れるべき領域を覆うパターニング用マスク５０４を形成
する。このとき、同時にパッド形成領域２０１ａ内にお
いて第１導電膜２７１となるべき領域もパターニング用
マスク５０４によって覆う。この後、図５（ｂ）に示す
ように、パターニング用マスク５０４を使用してゲート
電極形成用導電膜５０２をパターニングし、画素用ＴＦ
Ｔ２４のゲート電極２４２と、Ｎチャネル型の駆動回路
用ＴＦＴ２６のゲート電極２６２と、張出領域２０１内
の第１導電膜２７１とを同時に形成する。

【００５６】次に、パターニング用マスク５０４を残し
たまま、リンイオンを１×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量でイ
オン注入する。その結果、パターニング用マスク５０４
に対してセルフアライン的に不純物が導入されて、シリ
コン層２４１および２６１中に高濃度ソース領域２４１
Ｓおよび２６１Ｓならびに高濃度ドレイン領域２４１Ｄ
および２６１Ｄが形成される。ここで、シリコン層２４
１および２６１のうち、高濃度のリンが導入されない領
域は、ゲート電極２４２および２６２によって覆われて
いた領域よりも広い。したがって、シリコン層２４１お
よび２６１において、ゲート電極２４２および２６２
と、高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓならびに
高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄとの間（す
なわち、ゲート電極２４２および２６２の両側）には、
高濃度のリンが導入されない領域が形成される。

【００５７】次いで、パターニング用マスク５０４を除
去し、この状態でリンイオンを１×１０¹³ｃｍ^-2のドー
ズ量でイオン注入する。その結果、シリコン層２４１お
よび２６１にはゲート電極２４２および２６２に対して
セルフアライン的に低濃度の不純物が導入され、図５
（ｃ）に示すように、低濃度ソース領域２４１ｂおよび
２６１ｂ、ならびに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび
２６１ｃが形成される。一方、ゲート電極２４２および
２６２と重なる領域にはチャネル形成領域２４１ａおよ
び２６１ａがそれぞれ形成される。この後、図５（ｄ）
に示すように、アクティブマトリクス基板２０の全面に
わたって第１層間絶縁膜２８３を形成するとともに、フ
ォトリソグラフィ法を用いて当該第１層間絶縁膜２８３
をパターニングすることによって、各ＴＦＴのソース電
極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホー
ルを形成する。このとき、同時に第１層間絶縁膜２８３
のうち各パッド２２１に対応する部分を除去して、第１
導電膜２７１と第２導電膜２７２とを接触させるための
開孔部２７２ａを形成する。

【００５８】次に、第１層間絶縁膜２８３を覆うよう
に、アルミニウムやクロム、タンタルなどの金属からな
る導電膜５０５を形成する。この導電膜５０５の厚さは
概ね２００ｎｍないし３００ｎｍ程度である。この後、
導電膜５０５のうちＴＦＴ２４、２５および２６のソー
ス電極およびドレイン電極が形成されるべき領域と、パ
ッド形成領域２０１ａ内の第２導電膜２７２が形成され
るべき領域を覆うようにパターニング用マスク５０６を
形成するとともに、当該導電膜５０５をパターニングし
て、図５（ｅ）に示すソース電極２４３、２５３、２６
３、ドレイン電極２４４および２５４、ならびに第２導
電膜２７２を同時に形成する。

【００５９】次いで、図６（ａ）に示すように、これら
が形成された第１層間絶縁膜２８３を覆う第２層間絶縁
膜２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって
形成する。この第２層間絶縁膜２８４は、約１μｍない
し２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。続い
て、図６（ｂ）に示すように、当該第２層間絶縁膜２８
４のうち画素用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４４に対応
する部分をエッチングなどによって除去してコンタクト
ホール２３ａを形成する。このとき、同時に第２層間絶
縁膜２８４のうちパッド形成領域２０１ａおよび縁辺領
域２０１ｂに対応する領域も除去する。

【００６０】この後、アクティブマトリクス基板２０の
全面を覆うようにＩＴＯなどの透明導電材料からなる薄
膜を形成する。そして、当該薄膜をパターニングするこ
とにより、図６（ｃ）に示すように、上記第２層間絶縁
膜２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電
極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、
第２導電膜２７２の上面に位置する第３絶縁膜２７３を
パッド２２１として形成する。さらに、当該アクティブ
マトリクス基板２０の表示領域を覆うように配向膜を形
成するとともに、当該配向膜に対して所定の方向にラビ
ング処理を施す。

【００６１】こうして各構成要素が形成されたアクティ
ブマトリクス基板２０のうち対向基板３０と対向すべき
領域の縁辺に沿って、光硬化性樹脂インクをディスペン
サによって描画し、未硬化のシール材４０を形成する。
このとき、シール材４０の一部には液晶注入口４１を形
成しておく。

【００６２】他方、アクティブマトリクス基板２０とは
別に、透明な絶縁基板である対向基板３０の一方の面上
に、対向電極および遮光層３１を形成するとともに、配
向膜を塗布して所定の方向にラビング処理を施す。

【００６３】次に、以上の工程により得られたアクティ
ブマトリクス基板２０と対向基板３０とを、それぞれの
基板に形成された配向膜が内側を向くように対向させ、
未硬化のシール材４０を硬化させて両基板を貼り合わせ
る。その後、液晶注入装置を用いることにより、アクテ
ィブマトリクス基板２０と対向基板３０と間に液晶注入
口４１を介して液晶を注入する。そして、液晶注入口４
１を封止剤４２で封止して液晶装置１０１が完成する。

【００６４】以上説明したように、本実施形態に係る液
晶装置１０１の製造方法においては、パッド２２１に対
応する第１導電膜２７１とＴＦＴ（画素用ＴＦＴおよび
駆動回路用ＴＦＴ）のゲート電極、パッド２２１に対応
する第２導電膜２７２とＴＦＴのソース電極（およびド
レイン電極）、パッド２２１を構成する第３導電膜２７
３と画素電極２３が、それぞれ同一の工程において同一
の層から形成されるようになっている。加えて、本実施
形態においては、画素用ＴＦＴ２４と画素電極２３とを
接続するためのコンタクトホール２３ａを第２層間絶縁
膜２８４に形成すると同時に、当該第２層間絶縁膜２８
４のうちパッド形成領域２０１ａおよび縁辺領域２０１
ｂに相当する領域を除去するようになっている。このた
め、ＴＦＴを形成すると同時にパッド２２１が形成さ
れ、パッド２２１を形成するための特別な工程を追加す
る必要がない。したがって、ＴＦＴを備える一般的な液
晶装置の製造と同等の生産効率を確保しつつ、導通不良
が生じにくいパッドを備えた液晶装置を製造することが
できるのである。

【００６５】＜Ａ−２：第２実施形態＞次に、図７を参
照して、本発明の第２実施形態に係る液晶装置について
説明する。前掲図１を例示して説明したように、上記第
１実施形態に係る液晶装置１０１においては、第２層間
絶縁膜２８４が、パッド形成領域２０１ａに加えて縁辺
領域２０１ｂを避けるように形成された構成とした。こ
れに対し、本実施形態に係る液晶装置１０２は、図７に
示すように、第２層間絶縁膜２８４がパッド形成領域２
０１ａのみを避けるように形成されており、縁辺領域２
０１ｂには形成されている点で、上記第１実施形態に示
した液晶装置１０１とは異なっている。

【００６６】本実施形態に係る液晶装置１０２において
も、第２層間絶縁膜２８４がパッド形成領域２０１ａを
避けるように形成されているため、第２導電膜２７２と
第３導電膜２７３との間や隣接するパッド２２１同士の
間には、第２層間絶縁膜２８４が存在しない。したがっ
て、第２導電膜２７２の表面を覆うように第３導電膜２
７３が形成され、第３導電膜２７３の凹状の内面の深さ
が、第２層間絶縁膜２８４の厚さの分だけ浅くなる。こ
のため、第３導電膜２７３の内面にＡＣＦ９３の接着剤
９３２を十分に入り込ませることができるから、パッド
２２１におけるＦＰＣ９と接触する部分の面積を十分に
確保することができ、パッド２２１とＦＰＣ９の金属導
線９１とを導通粒子９３１を介して確実に導通させるこ
とができるという第１実施形態と同様の効果が得られ
る。

【００６７】＜Ａ−３：第３実施形態＞次に、本発明の
第３実施形態に係る液晶装置について説明する。上記第
１または第２実施形態においては、第２層間絶縁膜２８
４が単一層からなる構成を例示した。これに対し、本実
施形態に係る液晶装置は、第２層間絶縁膜２８４が複数
の層からなる構成を採る。

【００６８】図８は、アクティブマトリクス基板２０の
うち表示領域内に形成された（画素用）ＴＦＴ２４近傍
の構成を示す断面図である。同図に示すように、本実施
形態に係る液晶装置においては、第２層間絶縁膜２８４
と画素電極２３との間に、アルミニウムや銀といった光
反射性を有する材料からなる反射層２９が形成されてい
る。かかる構成の下、対向基板３０側から入射した太陽
光や室内照明光などの外光は、当該反射層２９の表面で
反射して対向基板３０側に出射し、これによりいわゆる
反射型表示が実現される。さらに、本実施形態において
は、第１層間絶縁膜２８３と画素電極２３との間に介在
する第２層間絶縁膜２８４が、当該第１層間絶縁膜２８
３側に位置する下側絶縁層２８４ａと、画素電極２３側
に位置する上側絶縁層２８４ｂの２層から構成されてい
る。詳述すると、以下の通りである。

【００６９】本実施形態においては、第２層間絶縁膜２
８４のうち反射層２９に接する表面（すなわち、上側絶
縁層２８４ｂの表面）が、多数の微細な凹凸（図示略）
が形成された粗面となっている。したがって、かかる粗
面上に薄膜状に形成された反射層２９の表面には、当該
粗面を反映した凹凸（すなわち散乱構造）が形成される
こととなる。この結果、対向基板３０側からの入射光
は、当該反射層２９の表面において適度に散乱した後に
対向基板３０側に出射するため、当該反射層２９表面に
おける鏡面反射を回避して広い視野角を確保することが
できるのである。そして、本実施形態においては、第２
層間絶縁膜２８４の表面を粗面化するために以下に示す
方法を用いる。すなわち、まず、ソース電極２４３など
が形成された第１層間絶縁膜２８３を覆うように樹脂層
を形成するとともに、当該絶縁層表面のうち表示領域内
の多数の微細な部分をエッチングによって選択的に除去
し、表面に凹凸を有する下側絶縁層２８４ａを形成す
る。このようにエッチングによって形成された凹凸は滑
らかな粗面とはならず、角部を有している。次いで、か
かる下側絶縁層２８４ａの表面に樹脂材料を塗布するこ
とによって上側絶縁層２８４ｂを形成する。この結果、
上側絶縁層２８４ｂの表面は、先に形成された下側絶縁
層２８４ａ表面の凹凸を反映し、かつ滑らかな凹凸形状
の粗面となる。このように滑らかな粗面上に反射層２９
を形成することによって、当該反射層２９の表面に良好
な特性をもった散乱構造を形成することができるのであ
る。すなわち、本実施形態においては、良好な散乱特性
を有する反射層を形成するために樹脂材料を二度塗りす
るようになっており、この各々の工程において下側絶縁
層２８４ａおよび上側絶縁層２８４ｂが形成される。

【００７０】次に、本実施形態に係る液晶装置のパッド
２２１の構成を説明する。図９（ａ）は、各パッド２２
１の構成を示す概略断面図であり、図９（ｂ）はアクテ
ィブマトリクス基板２０とＦＰＣ９とを接合した状態を
示す断面図である。下側絶縁層２８４ａと上側絶縁層２
８４ｂの２層からなる第２層間絶縁膜２８４は、表示領
域のみならず張出領域２０１にも至るように形成され
る。しかしながら、このうちの上側絶縁層２８４ｂは、
パッド２２１が形成される領域および当該パッド２２１
の周辺の領域からなるパッド形成領域２０１ａと、当該
パッド形成領域２０１ａからアクティブマトリクス基板
２０の縁辺に至る縁辺領域２０１ｂとを除く領域に設け
られている。このため、図９（ａ）および（ｂ）中に上
側絶縁層２８４ｂは現われていない。その一方、下側絶
縁層２８４ａは、図９（ａ）および（ｂ）に示すよう
に、パッド形成領域２０１ａおよび縁辺領域２０１ｂに
も至るように形成されている。そして、下側絶縁層２８
４ａのうちパッド２２１に対応する領域には開孔部２７
３ａが形成されている。パッド２２１を構成する第３導
電膜２７３は、当該下側絶縁層２８４ａを覆うように形
成されるため、開孔部２７３ａを介して第２導電膜２７
２と面接触する。

【００７１】このように、本実施形態に係る液晶装置に
おいては、隣接するパッド２２１同士の間や第２導電膜
２７２と第３導電膜２７３との間には下側絶縁層２８４
ａのみが形成されており、上側絶縁層２８４ｂは形成さ
れていない。このため、第３導電膜２７３の凹状の内面
の深さを、上側絶縁層２８４ｂの厚さの分だけ薄くする
ことができる。この結果、図９（ｂ）に示すように、第
３導電膜２７３の内面に接着剤９３２を充分に行き渡ら
せることができ、第３導電膜２７３の表面全体をＦＰＣ
９との接合に利用することができる。これにより、本実
施形態に係る液晶装置においても、上記第１または第２
実施形態に係る液晶装置と同様に、パッド２２１におけ
るＦＰＣ９と接触する部分の面積を十分に確保すること
ができ、パッド２２１とＦＰＣ９の金属導線９１とを導
通粒子９３１を介して確実に導通させることができると
いう効果が得られる。

【００７２】＜Ａ−４：第４実施形態＞次に、図１０を
参照して、本発明の第４実施形態に係る液晶装置１０４
について説明する。上述した第１実施形態においては、
走査線駆動回路２１１およびデータ線駆動回路２１２が
アクティブマトリクス基板２０上に直接形成された液晶
装置１０１を例示した（図１参照）。これに対し、本実
施形態に係る液晶装置１０４においては、図１０に示す
ように、駆動回路がアクティブマトリクス基板２０上に
は形成されていない。すなわち、本実施形態において
は、ＦＰＣ９のうちアクティブマトリクス基板２０に接
合されるべき縁端部とは反対側の縁端部に回路基板が接
合されるようになっており、この回路基板上に走査線駆
動回路およびデータ線駆動回路を搭載したＩＣチップが
実装されているのである。このように、本実施形態にお
いては、外部に設けられた駆動回路から各走査線および
各データ線に対して駆動信号が与えられるようになって
いるため、アクティブマトリクス基板２０には、走査線
およびデータ線の数と同数のパッド２２２が設けられて
いる。したがって、図１０に示すように、液晶装置１０
４のパッド２２２は、図１に示した液晶装置１０１のパ
ッド２２１と比較して数が多く、かつパッド２２２同士
の間隔が狭くなっている。なお、以下では、アクティブ
マトリクス基板２０上に駆動回路が直接形成された液晶
装置におけるパッド（すなわち図１に示したパッド２２
１）と、駆動回路が外部に設けられた液晶装置における
パッド（すなわち図４に示すパッド２２２）とを特に区
別する場合、前者を「大パッド」と表記する一方、後者
を「小パッド」と表記するものとする。

【００７３】図１１（ａ）は、本実施形態に係る液晶装
置１０４のパッド２２２近傍の構造を示す概略断面図で
あり、図１１（ｂ）は、アクティブマトリクス基板２０
とＦＰＣ９とを接続した状態を示す断面図である。これ
らの図に示すように、本実施形態におけるパッド２２２
近傍の層構造は、上記第１実施形態と同様の構造となっ
ている。すなわち、画素電極２３と同一層から形成され
てパッド２２２を構成する第３導電膜２７３が、ソース
電極２４３（もしくは２５３または２６３）と同一層か
らなる第２導電膜２７２、およびゲート電極２４２（も
しくは２５２または２６２）と同一層からなる第１導電
膜２７１と導通する。そして、表示領域内においてソー
ス電極２４３と画素電極２３との間に介在する第２層間
絶縁膜２８４は、パッド形成領域２０１ａおよび縁辺領
域２０１ｂを避けるように形成されている。ただし、本
実施形態においては、上述したように、隣接するパッド
２２２同士の間隔および各パッド自体の幅が狭いため、
各パッド２２２に対応して第１層間絶縁膜２８３に形成
された開孔部２７２ａも面積が小さい。したがって、当
該開孔部２７２ａに入り込んだ第２導電膜２７２の表面
は概ね平坦となる。この結果、前掲図３に示した第３導
電膜２７３と比較すれば明らかな通り、第２導電膜２７
２を覆うように形成された第３導電膜２７３の表面は概
ね平坦となる。したがって、アクティブマトリクス基板
２０とＦＰＣ９とを接合した場合、図１１（ｂ）に示す
ように、当該ＦＰＣ９の金属導線９１は、第３導電膜２
７３の表面全体と接触して導通することとなる。

【００７４】このように、本実施形態においても、上記
第１実施形態と同様に、第２層間絶縁膜２８４がパッド
形成領域２０１ａおよび縁辺領域２０１ｂを避けるよう
に形成されているため、図１１（ａ）に示すように、隣
接するパッド２２２同士の間や第２導電膜２７２と第３
導電膜２７３との間には、第２層間絶縁膜２８４が存在
しない。この結果、第３導電膜２７３の表面を概ね平坦
にすることができるから、パッド２２２同士の間隔およ
び各パッド２２２の幅が狭いにもかかわらず、ＦＰＣ９
の金属導線９１との接触に利用できる第３導電膜２７３
の面積を十分に確保することができる。したがって、パ
ッド２２２とＦＰＣ９の金属導線９１とを導通粒子９３
１を介して確実に導通させることができ、両者間の導通
不良を有効に防止することができる。また、第２導電膜
２７２の表面を覆うように第３導電膜２７３が形成され
るので、第２導電膜２７２と第３導電膜２７３との導通
がより一層確実なものとなる。

【００７５】＜Ａ−５：第５実施形態＞次に、図１２
は、本発明の第５実施形態に係る液晶装置１０５の構成
を示す平面図である。同図に示すように、この液晶装置
１０５は、第２層間絶縁膜２８４がパッド形成領域２０
１ａのみを避けるように設けられている点で、パッド形
成領域２０１ａおよび縁辺領域２０１ｂの双方の領域に
わたって第２層間絶縁膜２８４が除去された構成を採る
上記第４実施形態に係る液晶装置１０４（図１０参照）
とは異なっている。

【００７６】本実施形態においても、第２層間絶縁膜２
８４がパッド形成領域２０１ａを避けるように形成され
ているため、第２導電膜２７２と第３導電膜２７３との
間やパッド２２２同士の間には第２層間絶縁膜２８４が
存在しない。この結果、第２導電膜２７２の表面を覆う
ように形成された第３導電膜２７３の表面を、前掲図１
１（ａ）および（ｂ）に示したのと同様に、概ね平坦な
形状にすることができる。したがって、第３導電膜２７
３の表面全体をＦＰＣ９の金属導線９１との接触に利用
することができるから、パッド２２２同士の間隔や各パ
ッド２２２自体の幅が狭いにもかかわらず金属導線９１
との接触に利用できる第３導電膜２７３の面積を十分に
確保することができる。したがって、パッド２２２とＦ
ＰＣ９の金属導線９１とを導通粒子９３１を介して確実
に導通させることができ、両者間の導通不良を防止する
ことができる。

【００７７】＜Ａ−６：第６実施形態＞次に、本発明の
第６実施形態に係る液晶装置について説明する。本実施
形態に係る液晶装置は、第２層間絶縁膜２８４が下側絶
縁層２８４ａおよび上側絶縁層２８４ｂの２層から構成
される点で、上記第３実施形態に示した液晶装置と共通
するが、走査線駆動回路およびデータ線駆動回路が外部
に設けられているため、当該第３実施形態に示した液晶
装置と比較してパッド２２２の数が多く、かつパッド２
２２同士の間隔が狭くなっている。

【００７８】図１３（ａ）は、本実施形態に係る液晶装
置の構成を示す概略断面図であり、図１３（ｂ）は、ア
クティブマトリクス基板２０とＦＰＣ９とが接続された
状態を示す断面図である。これらの図に示すように、本
実施形態におけるパッド２２２近傍の層構造は、上記第
３実施形態に示したものと同様である。すなわち、第２
層間絶縁膜２８４は表示領域のみならず張出領域２０１
にも至るように形成されるが、図１３（ａ）および
（ｂ）に示すように、当該第２層間絶縁膜２８４のうち
上側絶縁層２８４ｂは、パッド２２２が形成される領域
および当該パッド２２２の周辺の領域からなるパッド形
成領域２０１ａと、当該パッド形成領域２０１ａからア
クティブマトリクス基板２０の縁辺に至る縁辺領域２９
１ｂとを除く領域に設けられている。その一方、下側絶
縁層２８４ａは、パッド形成領域２０１ａおよび縁辺領
域２０１ｂにも至るように形成されるとともに、当該下
側絶縁層２８４ａのうちパッド２２２に対応する領域に
設けられた開孔部２７３ａを介して、第２導電膜２７２
と第３導電膜２７３とが接触するようになっている。こ
の場合、第３導電膜２７３は、図１３（ａ）および
（ｂ）に示すように、底側から開口側に向かってテーパ
ー状に広くなる断面視凹状であり、下側絶縁層２８４ａ
の面上に位置する鍔状の接地面２７３１を有している。

【００７９】このように、本実施形態においては、第２
導電膜２７２と第３導電膜２７３との間やパッド２２２
同士の間には下側絶縁層２８４ａのみが形成されてお
り、上側絶縁層２８４ｂは形成されていない。このた
め、第３導電膜２７３の凹状の内面の深さを、上側絶縁
層２８４ｂの厚さの分だけ薄くすることができる。この
ため、図１３（ｂ）に示すように、ＦＰＣ９の接着剤９
３２を第３導電膜２７３の内面に十分に行き渡らせるこ
とができるから、第３導電膜２７３の表面全体をＦＰＣ
９との接合に利用することができる。また、第３導電膜
２７３の底側から開口側までの深さが浅いため、第３導
電膜２７３の底側の内径と開口側の内径との差が小さく
なる。この結果、パッド２２２同士の間隔が狭いにもか
かわらず、ＦＰＣ９との接触に利用できる第３導電膜２
７３の接地面２７３１の面積を十分に確保することがで
きる。したがって、この液晶装置においても、パッド２
２２におけるＦＰＣ９と接触する部分の面積を十分に確
保することができ、パッド２２２とＦＰＣ９の金属導線
９１とを導通粒子９３１を介して確実に導通させること
ができ、両者間の導通不良を有効に防止することができ
る。

【００８０】ところで、上記第３または第６実施形態に
おいては、第２層間絶縁膜２８４のうち上側絶縁層２８
４ｂをパッド形成領域２０１ａおよび縁辺領域２０１ｂ
を避けるように形成した場合を想定したが、これらの領
域を避けるように形成されるのは必ずしも上側絶縁層２
８４ｂである必要はない。すなわち、上記の例とは逆
に、下側絶縁層２８４ａをパッド形成領域２０１ａおよ
び縁辺領域２０１ｂを避けるように形成する一方、上側
絶縁層２８４ｂを両領域に至るように形成してもよい。
反射層２９の散乱構造を形成するために、第２層間絶縁
膜２８４を下側絶縁層２８４ａと上側絶縁層２８４ｂの
２層から形成する場合には、下側絶縁層２８４ａをパッ
ド形成領域２０１ａおよび縁辺領域２０１ｂを避けるよ
うに形成する方がむしろ望ましいといえる。その理由
は、以下の通りである。すなわち、第２層間絶縁膜２８
４の表面（上側絶縁層２８４ｂの表面）を粗面とする場
合には、上記第３実施形態において例示したように、下
側絶縁層２８４ａとなる樹脂層表面を選択的に除去する
ことによって微細な凹凸を形成した後、この面上に上側
絶縁層２８４ｂを形成する方法を採ることが考えられ
る。かかる方法を採った場合には、下側絶縁層２８４ａ
の表面を選択的に除去するのと同時に、当該下側絶縁層
２８４ａのうちパッド形成領域２０１ａおよび縁辺領域
２０１ｂに対応する領域を除去すれば、上側絶縁層２８
４ｂの一部を除去する場合と比較して、絶縁層のうちパ
ッド形成領域２０１ａおよび縁辺領域２０１ｂに対応す
る部分を除去するためだけの独立した工程が不要とな
り、製造プロセスを簡素化することができるのである。

【００８１】また、上記第３または第６実施形態におい
ては、第２層間絶縁膜２８４が２層から形成される場合
を例示したが、当該第２層間絶縁膜２８４を構成する層
の数はこれに限られるものではない。要は、第２層間絶
縁膜２８４が複数の層から構成されるとともに、そのう
ちの一部の層がパッド形成領域２０１ａ（またはパッド
形成領域２０１ａおよび縁辺領域２０１ｂの双方）を避
けるように形成される一方、他の一部の層が当該領域に
も至るように形成されていればよいのである。

【００８２】＜Ａ−７：第７実施形態＞次に、本発明の
第７実施形態に係る液晶装置の構成を説明する。上記第
３実施形態においては、パッド形成領域２０１ａに至る
ように形成された第２層間絶縁膜２８４の一部の層（下
側絶縁層２８４ａ）のうち、パッド２２１に対応する領
域の大部分にわたって開孔部２７３ａが形成され、第２
導電膜２７２と第３導電膜２７３とが当該開孔部２７３
ａを介して接触する構成を例示した。これに対し、本実
施形態に係る液晶装置は、第２層間絶縁膜２８４のうち
上側絶縁層２８４ｂがパッド形成領域２０１ａにも至る
ように形成される一方、当該上側絶縁層２８４ｂのうち
第３導電膜２７３に対応する領域内に複数の開孔部２７
３ａが設けられた構成となっている。

【００８３】図１４（ａ）は本実施形態に係る液晶装置
のパッド２２１近傍の構成を示す平面図であり、同図
（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’線視断面図である。図
１４（ａ）に示すように、本実施形態においては、第２
層間絶縁膜２８４のうち、下側絶縁層２８４ａはパッド
形成領域２０１ａを避けるように形成される一方、上側
絶縁層２８４ｂはパッド形成領域２０１ａ内にも形成さ
れて第２導電膜２７２を覆うようになっている。そし
て、上側絶縁層２８４ｂのうちパッド２２１に対応する
領域内には、複数（本実施形態においては９個）の開孔
部２７３ａが設けられている。パッド２２１を構成する
第３導電膜２７３は、かかる上側絶縁層２８４ｂを覆う
ように形成されるため、当該第３導電膜２７３の一部は
上記開孔部２７３ａに入り込んで第２導電膜２７２と接
触する。さらに、本実施形態においては、ひとつのパッ
ド２２１に対応して上側絶縁層２８４ｂに設けられた複
数の開孔部２７３ａが、当該パッド２２１に対応する領
域内にわたって概ね均等に（すなわち、当該領域内の一
部に偏ることなく）分布するようになっている。

【００８４】また、本実施形態においては、第３導電膜
２７３とＦＰＣ９の金属導線９１とを導通させるための
導通粒子９３１の径に対応して、上側絶縁層２８４ｂに
設けられた開孔部２７３ａの大きさが選定されている。
具体的には、図１４（ｂ）に示すように、各開孔部２７
３ａに対応して第３導電膜２７３の表面に形成される窪
みに上記導通粒子９３１が嵌り込むように、各開孔部２
７３ａの大きさが選定されているのである。さらに、本
実施形態においては、図１４（ｂ）に示すように、導通
粒子９３１の全体が上記窪みに完全に入り込むのではな
く、その一部のみが当該窪みに嵌りこむように、すなわ
ち導通粒子９３１の一部が第３導電膜２７３の表面から
みて突出するように、当該開孔部２７３ａの大きさが選
定されている。

【００８５】このように、本実施形態においては、上側
絶縁層２８４ｂのうちパッド２２１に対応する領域に、
相互に離間する複数の開孔部２７３ａが形成されるよう
になっているため、パッド２２１の表面を広い範囲にわ
たって平坦化することができる。したがって、接着剤９
３２をパッド２２１の全面に容易に行き渡らせることが
できるから、パッド２２１とＦＰＣ９の金属導線９１と
を導通粒子９３１を介してより確実に導通させることが
できる。

【００８６】さらに、本実施形態においては、パッド２
２１とＦＰＣ９の金属導線９１とを導通させるための導
通粒子９３１が第３導電膜２７３の窪みに嵌り込むよう
に、開孔部２７３ａの大きさが選定されている。ここ
で、アクティブマトリクス基板２０とＦＰＣ９との接合
時には、加熱により軟化した接着剤９３２が流動するた
め、これに伴って導通粒子９３１も移動しやすくなる。
しかしながら、本実施形態によれば、図１４（ｂ）に示
したように第３導電膜２７３の窪みに嵌り込んだ導通粒
子９３１は、当該接着剤９３２の流動にもかかわらず、
その位置が保持されることとなる。この結果、導通対象
となるパッド２２１と金属導線９１との間に位置すべき
導通粒子９３１が接着剤９３２の流動に伴って移動して
しまうといった事態を回避することができるから、両者
の導通をより確実に図ることができるのである。また、
本実施形態においては、導通粒子９３１の全体が第３導
電膜２７３の窪みに完全に入り込むことは回避されるよ
うになっているから、この観点からも両者の導通が確実
に図られる。

【００８７】なお、本実施形態においては、走査線駆動
回路２１１およびデータ線駆動回路２１２がアクティブ
マトリクス基板２０に直接形成され、大パッド２２１を
備える液晶装置を例示したが、これらの駆動回路が外部
に設けられ、小パッド２２２を備える液晶装置において
も同様の構成を採ることができる。すなわち、この場合
には、図１５（ａ）および（ｂ）に示した構成とすれば
よい。なお、この場合にも、開孔部２７３ａの大きさ
を、導通粒子９３１の大きさに応じて選定することが望
ましい。

【００８８】＜Ａ−８：第８実施形態＞次に、本発明の
第８実施形態に係る液晶装置について説明する。図１６
（ａ）は、本実施形態に係る液晶装置のパッド近傍の構
成を示す平面図であり、同図（ｂ）は（ａ）におけるＤ
−Ｄ’線視断面図である。なお、図１６（ａ）および
（ｂ）においては、走査線駆動回路およびデータ線駆動
回路が外部に設けられ、小パッドを備えた液晶装置が例
示されている。

【００８９】上記第７実施形態においては、上側絶縁層
２８４ｂに形成された複数の開孔部２７３ａが、パッド
２２１に対応する領域内において略均等に分布する構成
を採った。これに対し、本実施形態においては、図１６
（ａ）および（ｂ）に示すように、複数の開孔部２７３
ａがパッド２２２に対応する領域のうち特定の部分に偏
在するようになっている。具体的には、上側絶縁層２８
４ｂの面上にあってパッド２２２に対応する略長方形状
の領域のうち、対向する二辺（短辺）の近傍に偏在する
ように、複数の開孔部２７３ａが形成されている。な
お、図１６（ａ）および（ｂ）においては、上記二辺の
近傍にそれぞれ４個の開孔部２７３ａが形成された場合
が例示されている。加えて、本実施形態においては、パ
ッド２２２に対応する領域の中央部近傍にも開孔部２７
３ａが形成されている。かかる構成を採った場合にも、
上記第７実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実
施形態においても、開孔部２７３ａの大きさを、導通粒
子９３１の大きさに応じて選定することが望ましい。

【００９０】＜Ａ−９：第９実施形態＞次に、図１７
（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の第９実施形態
に係る液晶装置について説明する。前掲図９に示した第
３実施形態に係る液晶装置においては、第１導電膜２７
１と第２導電膜２７２とが第１層間絶縁膜２８３に形成
された開孔部２７２ａを介して導通する構成を例示し
た。これに対し、本実施形態においては、図１７（ａ）
および（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜２８３には
開孔部２７２ａが形成されていない。したがって、第１
導電膜２７１と第２導電膜２７２との間には第１層間絶
縁膜２８３が介在し、両導電膜は導通していない。

【００９１】また、本実施形態における第２層間絶縁膜
２８４は、下側絶縁層２８４ａおよび上側絶縁層２８４
ｂの２層からなり、このうち下側絶縁層２８４ａはパッ
ド形成領域２０１ａを避けるように形成されている一
方、上側絶縁層２８４ｂはパッド形成領域２０１ａ内に
も形成されている。ただし、上側絶縁層２８４ｂのうち
各パッド２２２に対応する領域には、図１７（ｂ）に示
すように、その大部分にわたって開孔部２７３ａが形成
されている。第３導電膜２７３は、第２層間絶縁膜２８
４の面上に形成されるから、当該開孔部２７３ａを介し
て第２導電膜２７２に面接触する。さらに、図１７
（ｂ）に示すように、上側絶縁層２８４ｂの開孔部２７
３ａは、その内周縁が第２導電膜２７２の外周縁よりも
内側に位置するようになっている。換言すれば、第２導
電膜２７２の外周縁は、上側絶縁層２８４ｂによって覆
われているのである。かかる構成を採った場合、第２導
電膜２７２が、その外周縁において第１層間絶縁膜２８
３から剥離するのを抑えることができる。したがって、
両者の剥離部分から侵入した水分などに起因して当該第
２導電膜２７２が腐食するといった事態を防止すること
ができるのである。

【００９２】加えて、本実施形態においては、第１層間
絶縁膜２８３に覆われた第１導電膜２７１が、上側絶縁
層２８４ｂの開孔部２７３ａにおける内周縁よりも内側
の領域に形成されている。すなわち、アクティブマトリ
クス基板２０の基板面と垂直な方向からみて、第１導電
膜２７１は、その全体にわたって上側絶縁層２８４ｂと
重ならないようになっている。ここで、上側絶縁層２８
４ｂの内周縁の近傍と、第１導電膜２７１の外周縁の近
傍とが重なる構成を採った場合、当該上側絶縁層２８４
ｂにおける内周縁近傍の表面の高さは第１導電膜２７１
の厚さ分だけ高くなる。これに対し、本実施形態によれ
ば、上側絶縁層２８４ｂが第１導電膜２７１と重ならな
いようになっているから、上記の場合と比較して、上側
絶縁層２８４ｂの表面の高さを第１導電膜２７１の厚さ
の分だけ低くすることができる。その一方、第３導電膜
２７３の下側（アクティブマトリクス基板２０側）には
第１導電膜２７１が形成されているから、当該第１導電
膜２７１が形成されていない場合と比較して、第３導電
膜２７３表面の高さは第１導電膜２７１の厚さの分だけ
高くなる。このように、本実施形態によれば、上側絶縁
層２８４ｂの表面の高さを低く抑える一方、第３導電膜
２７３の表面の高さを第１導電膜２７１の厚さ分だけ高
く維持することができるから、両表面の間に生じる段差
を小さくすることができる。したがって、アクティブマ
トリクス基板２０とＦＰＣ９とを接合するときに、当該
ＦＰＣ９の接着剤９３２を第３導電膜２７３の全面にわ
たって行き渡らせることができる。この結果、アクティ
ブマトリクス基板２０とＦＰＣとがより確実に接合され
るとともに、パッド２２２と金属導線９１とを導通粒子
９３１を介して確実に導通させることができる。

【００９３】＜Ａ−１０：第１０実施形態＞次に、本発
明の第１０実施形態に係る液晶装置について説明する。
上記第１および２実施形態においては、パッド形成領域
２０１ａ内の第２層間絶縁膜２８４を完全に除去する構
成を採った。この場合、図３からも明らかなように、第
２導電膜２７２のうち第１層間絶縁膜２８３の面上に至
った外周縁は、第３導電膜２７３のみによって覆われて
いる。このため、場合によっては、製造プロセス中で第
３導電膜２７３をパターニングする際に当該第２導電膜
２７２のうち外周縁近傍の部分が電触によって同時に除
去されたり、当該第２導電膜２７２が外周縁において第
１層間絶縁膜２８３から剥離し、両者の間に水分が浸入
して当該第２導電膜２７２が腐食するといった事態が起
こり得る。本実施形態は、かかる事態を有効に抑えると
いう観点に基づくものである。

【００９４】図１８（ａ）は本実施形態に係る液晶装置
のパッド２２２近傍の構成を示す平面図であり、同図
（ｂ）は（ａ）におけるＦ−Ｆ’線視断面図である。同
図に示すように、本実施形態に係る液晶装置は、第２層
間絶縁膜２８４の全部がパッド形成領域２０１ａを避け
るように形成されている点で上記第１または第２実施形
態と共通するが、第１層間絶縁膜２８３の面上に位置す
る第２導電膜２７２の外周縁が、保護絶縁層２８５によ
って覆われている点で異なっている。この保護絶縁層２
８５は、ＳｉＮなどの絶縁性物質によって第１層間絶縁
膜２８３の面上に形成される。パッド２２２を構成する
第３導電膜２７３は、図１８（ｂ）に示すように、その
外周縁の近傍の領域が保護絶縁層２８５の面上に位置す
ることとなる。つまり、前掲図１７（ｂ）に示した第９
実施形態に係る液晶装置においては、第２層間絶縁膜２
８４のうち上側絶縁層２８４ｂによって第２導電膜２７
２の外周縁を覆う構成を採ったが、本実施形態において
は、この上側絶縁層２８４ｂに代えて保護絶縁層２８５
を別途設け、これによって第２導電膜２７２の外周縁を
覆う構成となっているのである。

【００９５】かかる保護絶縁層２８５は、図６（ｂ）に
示した工程において、アクティブマトリクス基板２０の
全面を覆う第２層間絶縁膜２８４のうちパッド形成領域
２０１ａ内の部分を除去した後、第２導電膜２７２を覆
う第３導電膜２７３を形成する工程（図６（ｃ）に示す
工程）の前に形成される。すなわち、図６（ｂ）に示し
た工程の後、アクティブマトリクス基板２０の全面を覆
うようにＳｉＮなどからなる薄膜を形成し、この薄膜を
フォトリソグラフィやエッチングの技術を用いてパター
ニングすることによって、上述した形状の保護絶縁層２
８５を形成するのである。なお、この保護絶縁層２８５
は、アクティブマトリクス基板２０の基板面全体にわた
って形成されていてもよいが、液晶装置の薄型化などを
考慮すると、パッド形成領域２０１ａ内にのみ形成され
ることが望ましいと考えられる。

【００９６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができ
る。加えて、本実施形態によれば、第２導電膜２７２の
うち第１層間絶縁膜２８３の面上に位置する外周縁を覆
うように保護絶縁層２８５が形成されているため、第３
導電膜２７３パターニングの際に当該第２導電膜２７２
のうち外周縁近傍の部分が電蝕によって同時に除去され
たり、当該第２導電膜２７２が外周縁において第１層間
絶縁膜２８３から剥離してこの隙間に水分などが浸入す
るといった事態を抑えることができるから、液晶装置の
信頼性をより向上させることができる。

【００９７】＜Ａ−１１：第１１実施形態＞次に、本発
明の第１１実施形態に係る液晶装置の構成を説明する。
この液晶装置は、第２導電膜２７２と第３導電膜２７３
とが第１層間絶縁膜２８３に設けられた複数の開孔部２
７２ａを介して導通する点で上記第１０実施形態に係る
液晶装置とは異なっている。

【００９８】ここで、図１９（ａ）は本実施形態に係る
液晶装置のパッド２２２近傍の構成を示す平面図であ
り、同図（ｂ）は（ａ）におけるＧ−Ｇ’線視断面図で
ある。上記第１０実施形態においては、第１導電膜２７
１と第２導電膜２７２とが、第１層間絶縁膜２８３のう
ちパッド２２２に対応する領域の大部分にわたって設け
られた開孔部２７２ａを介して面接触する構成とした。
これに対し、本実施形態においては、図１９（ａ）およ
び（ｂ）に示すように、第１導電膜２７１がその大部分
にわたり第１層間絶縁膜２８３によって覆われている一
方、当該第１層間絶縁膜２８３のうちパッド２２２に対
応する領域内に設けられた複数の開孔部２７２ａを介し
て第１導電膜２７１と第２導電膜２７２とが導通するよ
うになっている。図１９（ａ）および（ｂ）において
は、第１層間絶縁膜２８３のうち、ひとつのパッド２２
２に対応する領域内に、２つの開孔部２７２ａが形成さ
れた場合が図示されている。なお、第２導電膜２７２の
うち第１層間絶縁膜２８３の面上に位置する外周縁を覆
うように保護絶縁層２８５が形成されている点は上記第
１０実施形態と同様である。

【００９９】かかる構成を採る本実施形態においても、
上記第１０実施形態と同様の効果が得られる。さらに、
本実施形態においては、第１導電膜２７１と第２導電膜
２７２とを導通させることにより抵抗値を低く抑えるこ
とができるとともに、パッド２２２に対応する領域の大
部分にわたって第１層間絶縁膜２８３が形成されている
ため、パッド２２２を構成する第３導電膜２７３の表面
を平坦化することができる。例えば、前掲図１８（ｂ）
に示した第１０実施形態に係る液晶装置においては、第
３導電膜２７３の中央部と周縁部との間に第１層間絶縁
膜２８３の厚さに対応する段差が形成されるが、本実施
形態によれば、図１９（ｂ）に示すようにかかる段差は
生じない。したがって、第３導電膜２７３表面の大部分
を金属導線９１との接続に用いることができるから、両
者の間の導通不良を有効に抑えることができる。

【０１００】＜Ａ−１２：第１２実施形態＞次に、本発
明の第１２実施形態に係る液晶装置の構成を説明する。
この液晶装置は、第２導電膜２７２のうち第１層間絶縁
膜２８３の面上に位置する外周縁を覆うように保護絶縁
層２８５が設けられている点で上記第１０または第１１
実施形態に示した液晶装置と共通するが、第１層間絶縁
膜２８３に開孔部２７２ａが設けられていない点で異な
っている。

【０１０１】図２０（ａ）は本実施形態に係る液晶装置
のパッド２２２近傍の構成を示す平面図であり、同図
（ｂ）は（ａ）におけるＨ−Ｈ’線視断面図である。同
図に示すように、本実施形態においては、第１導電膜２
７１がその全面にわたって第１層間絶縁膜２８３に覆わ
れており、当該第１層間絶縁膜２８３の面上に設けられ
た第２導電膜２７２とは導通していない。さらに、第１
層間絶縁膜２８３によって覆われた第１導電膜２７１
は、保護絶縁層２８５の内周縁（すなわち、第２導電膜
２７２の外周縁に沿った縁部）よりも内側の領域に形成
されている。逆にいえば、保護絶縁層２８５は、第１導
電膜２７１の外周縁よりも外側に形成されているのであ
る。つまり、アクティブマトリクス基板２０の基板面と
垂直な方向からみて、第１導電膜２７１は、その全体に
わたって保護絶縁層２８５と重ならないように形成され
ている。

【０１０２】かかる構成を採った場合、保護絶縁層２８
５が形成されたパッド２２２の周縁部近傍においては、
第１導電膜２８１が形成されていない分だけ当該保護絶
縁層２８５の表面の高さを抑えることができる。他方、
パッド２２２の中央部近傍においては、保護絶縁層２８
５が形成されていないものの第１導電膜２８１が形成さ
れている分だけ第３導電膜２７３の表面の高さを高く維
持することができる。このように、本実施形態によれ
ば、パッド２２２の周縁部と中央部との間に段差が形成
されるのを抑えて、当該パッド２２２の近傍の領域を平
坦化することができる。特に、図２０（ｂ）に示すよう
に、第１導電膜２７１の厚さと保護絶縁層２８５の厚さ
とを略同一とすれば、パッド２２２近傍の領域をほとん
ど段差のない平坦な領域とすることができる。

【０１０３】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、パッド２２２近傍の領域を平坦化することができる
から、パッド２２２の周縁部における表面と中央部にお
ける表面との間に段差がある場合（例えば図３に示した
場合）と比較して、当該パッド２２２と金属導線９１と
をより確実に接続することができる。上述したように、
この効果は、第１導電膜２７１の厚さと保護絶縁層２８
５の厚さとを略同一とした場合により顕著に現れる。

【０１０４】＜Ｂ：変形例＞以上この発明の一実施形態
について説明したが、上記実施形態はあくまでも例示で
あり、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱
しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例
としては、例えば以下のようなものが考えられる。

【０１０５】＜Ｂ−１：変形例１＞上記第７ないし第１
２実施形態においては、第２層間絶縁膜２８４の一部ま
たは全部が、パッド形成領域２０１ａのみを除くように
形成された場合を例示したが、上記第１または第４実施
形態に示したように、当該第２層間絶縁膜２８４の一部
または全部が、パッド形成領域２０１ａのみならず縁辺
領域２０１ｂをも避けるように形成されるようにしても
よい。また、第９ないし第１２実施形態においては、走
査線駆動回路およびデータ線駆動回路が外部に設けら
れ、小パッドを備える液晶装置を例示したが、上記第１
ないし第３実施形態に示したように、走査線駆動回路お
よびデータ線駆動回路がアクティブマトリクス基板２０
上に直接形成され、大パッドを備える液晶装置にあって
も同様の構成を採用することができることは言うまでも
ない。

【０１０６】＜Ｂ−２：変形例２＞上記各実施形態にお
いては、パッド２２１（または２２２）近傍の各構成要
素、すなわち第１ないし第３導電膜ならびに第１および
第２層間絶縁膜を、ＴＦＴの形成工程と同時に形成する
ようにした。かかる製造プロセスを用いた場合、上述し
たようにパッド２２１に関わる製造プロセスを独立して
実行する必要がないため、生産性の低下を回避すること
ができるという利点があるが、必ずしもこうする必要は
なく、パッド２２１に関わる構成要素をＴＦＴとは別個
の工程において形成してもよい。

【０１０７】＜Ｂ−３：変形例３＞上記各実施形態にお
いては、電気光学物質として液晶を用いた液晶装置に本
発明を適用した場合を例示したが、本発明を適用できる
電気光学装置はこれに限られるものではない。すなわ
ち、電気光学物質としてＥＬ素子を用いたＥＬディスプ
レイパネルや、電気光学物質としてガスを用いたプラズ
マディスプレイパネルなど、電気光学物質の電気光学効
果によって表示を行なう各種の装置にも、本発明を適用
可能である。このように、表示画像を指示する信号が入
力されるパッドを基板上に備えた構成を採る電気光学装
置であれば、他の構成要素の態様の如何を問わず本発明
を適用可能である。また、本発明は、電気光学装置のみ
ならず、半導体装置にも適用できる。この場合において
も、パッドにおける外部との接続に使用されるＦＰＣな
どと接触する部分の面積を十分に確保することができ、
当該パッドとＦＰＣとを導通粒子を介して確実に導通さ
せることができる。

【０１０８】＜Ｃ：電子機器＞次に、本発明に係る電気
光学装置を用いた電子機器について説明する。

【０１０９】＜Ｃ−１：モバイル型コンピュータ＞ま
ず、本発明に係る電気光学装置を、可搬型のパーソナル
コンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に
適用した例について説明する。図２１（ａ）は、このパ
ーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図
に示すように、パーソナルコンピュータ８１は、キーボ
ード８１１を備えた本体部８１２と、本発明に係る電気
光学装置を適用した表示部８１３とを備えている。

【０１１０】＜Ｃ−２：携帯電話機＞続いて、本発明に
係る電気光学装置を、携帯電話機の表示部に適用した例
について説明する。図２１（ｂ）は、この携帯電話機の
構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話
機８２は、複数の操作ボタン８２１のほか、受話口８２
２、送話口８２３とともに、本発明に係る電気光学装置
を適用した表示部８２４を備える。

【０１１１】なお、本発明に係る電気光学装置を適用可
能な電子機器としては、図２１（ａ）に示したパーソナ
ルコンピュータや同図（ｂ）に示した携帯電話機のほか
にも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ直視
型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、
ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワーク
ステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルス
チルカメラ、あるいは本発明に係る電気光学装置をライ
トバルブとして用いたプロジェクタなどが挙げられる。
上述したように、本発明に係る電気光学装置によれば、
基板上のパッドと実装部品の配線（端子）との導通不良
を抑えることができるから、これを具備する電子機器に
おいては、かかる導通不良に起因して生じ得る不都合を
防止して高い信頼性を確保することができる。

【０１１２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電気
光学装置によれば、第２層間絶縁膜の一部または全部
が、パッドが形成されるべき領域および当該パッドの周
辺の領域からなるパッド形成領域を避けるように形成さ
れているので、ＦＰＣなどの実装部品を基板に接合する
際に、その接合に利用できる面積を十分に確保すること
ができる。したがって、実装部品の配線（端子）とパッ
ドとの間の導通不良を抑えることができる。

【０１１３】また、本発明の電気光学装置の製造方法に
よれば、パッドと薄膜トランジスタを同時に形成するこ
とができる。したがって、パッドを形成するために特段
の工程を増やすことなく、一般的なＴＦＴを有する液晶
装置を製造する製造方法と同等の生産効率を維持しつ
つ、ＴＦＴを備え、かつ実装部品とパッドとの間の導通
不良が生じにくい電気光学装置を製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の外観
構成を示す平面図である。

【図２】 同液晶装置の表示領域内に形成されたＴＦＴ
近傍の構成を示す断面図である。

【図３】 （ａ）は、同液晶装置のパッド近傍の構成を
示す概略断面図であり、（ｂ）は当該パッドとＦＰＣと
を接続した状態を示す断面図である。

【図４】 （ａ）ないし（ｅ）は同液晶装置の製造プロ
セスの一部を示す断面図である。

【図５】 （ａ）ないし（ｅ）は同液晶装置の製造プロ
セスのうち上記図４に示す工程に続いて行なわれる工程
を示す断面図である。

【図６】 （ａ）ないし（ｃ）は同液晶装置の製造プロ
セスのうち上記図５に示す工程に続いて行なわれる工程
を示す断面図である。

【図７】 本発明の第２実施形態に係る液晶装置の外観
構成を示す平面図である。

【図８】 本発明の第３実施形態に係る液晶装置の表示
領域内に形成されたＴＦＴ近傍の構成を示す断面図であ
る。

【図９】 （ａ）は本発明の第３実施形態に係る液晶装
置のパッド近傍の構成を示す断面図であり、（ｂ）は当
該パッドとＦＰＣとを接続した状態を示す断面図であ
る。

【図１０】 本発明の第４実施形態に係る液晶装置の外
観構成を示す平面図である。

【図１１】 （ａ）は同液晶装置のパッド近傍の構成を
示す断面図であり、（ｂ）は当該パッドとＦＰＣとを接
続した状態を示す断面図である。

【図１２】 本発明の第５実施形態に係る液晶装置の外
観構成を示す平面図である。

【図１３】 （ａ）は本発明の第６実施形態に係る液晶
装置のパッド近傍の構成を示す断面図であり、（ｂ）は
当該パッドとＦＰＣとを接続した状態を示す断面図であ
る。

【図１４】 （ａ）は本発明の第７実施形態に係る液晶
装置のパッド近傍の構成を示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＢ−Ｂ’線視断面図である。

【図１５】 （ａ）は上記第７実施形態の他の例に係る
液晶装置のパッド近傍の構成を示す平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ’線視断面図である。

【図１６】 （ａ）は本発明の第８実施形態に係る液晶
装置のパッド近傍の構成を示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＤ−Ｄ’線視断面図である。

【図１７】 （ａ）は本発明の第９実施形態に係る液晶
装置のパッド近傍の構成を示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＥ−Ｅ’線視断面図である。

【図１８】 （ａ）は本発明の第１０実施形態に係る液
晶装置のパッド近傍の構成を示す平面図であり、（ｂ）
は（ａ）におけるＦ−Ｆ’線視断面図である。

【図１９】 （ａ）は本発明の第１１実施形態に係る液
晶装置のパッド近傍の構成を示す平面図であり、（ｂ）
は（ａ）におけるＧ−Ｇ’線視断面図である。

【図２０】 （ａ）は本発明の第１２実施形態に係る液
晶装置のパッド近傍の構成を示す平面図であり、（ｂ）
は（ａ）におけるＨ−Ｈ’線視断面図である。

【図２１】 （ａ）は本発明に係る電気光学装置を適用
した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成
を示す斜視図であり、（ｂ）は本発明に係る電気光学装
置を適用した電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示
す斜視図である。

【図２２】 従来の液晶装置の外観構成を示す平面図で
ある。

【図２３】 同液晶装置のパッド近傍のの構造を示す断
面図である。

【図２４】 （ａ）はフレキシブルプリント基板（ＦＰ
Ｃ）の外観構成を示す斜視図であり、（ｂ）は当該ＦＰ
Ｃの縁端部近傍の構成を示す断面図である。

【図２５】 図２３に示したパッドに図２４に示したＦ
ＰＣを接続した状態を示す断面図である。

【図２６】 従来の他の液晶装置の外観構成を示す平面
図である。

【図２７】 同液晶装置のパッド近傍の構成を示す断面
図である。

【図２８】 図２７に示したパッドに図２４に示したＦ
ＰＣを接続した状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１０１，１０２，１０４，１０５……液晶装置（電気光
学装置）、２……アクティブマトリクス基板（基板）、
２０１……張出領域、２０１ａ……パッド形成領域、２
０１ｂ……縁辺領域、２２１，２２２……パッド、２３
……画素電極、２４，２５，２６……ＴＦＴ、２４２，
２５２，２６２……ゲート電極、２４３，２５３，２６
３……ソース電極、２４４，２５４……ドレイン電極、
２７１……第１導電膜、２７２……第２導電膜、２７２
ａ，２７３ａ……開孔部、２７３……第３導電膜、２８
２……ゲート絶縁膜、２８３……第１層間絶縁膜、２８
４……第２層間絶縁膜、２８４ａ……下側絶縁層、２８
４ｂ……上側絶縁層、２９……反射層、３０……対向基
板、９……ＦＰＣ（実装部品）、９１……金属導線、９
３……ＡＣＦ、９３１……導通粒子、９３２……接着
剤。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA48 GA50 NA15 5C094 AA21 AA42 BA43 DA15 DB03 FB12 FB15 HA08 5F110 AA30 BB02 BB04 CC02 DD01 DD02 DD03 DD13 EE03 EE04 EE05 EE09 FF02 FF23 FF30 GG02 GG13 GG32 GG34 GG44 GG45 GG52 HJ01 HJ04 HJ13 HL03 HL04 HM15 NN03 NN04 NN23 NN27 NN72 PP02 PP03 QQ11

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上のパッドを介して入力された信号
   に応じて画像を表示する電気光学装置であって、 前記基板の面上に形成され、前記パッドに対応する部分
   を有する第１導電膜と、 前記基板の面上に形成されて前記第１導電膜を覆う第１
   層間絶縁膜と、 前記第１層間絶縁膜の面上に形成され、前記パッドに対
   応する部分を有する第２導電膜と、 前記第１層間絶縁膜の面上にあって前記パッドが形成さ
   れる領域と当該パッドの周辺の領域とからなるパッド形
   成領域を避けて形成された第２層間絶縁膜と、 前記第２導電膜と接触して、前記パッドを構成する第３
   導電膜とを具備することを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記第２層間絶縁膜は、前記パッド形成
   領域に加えて当該パッド形成領域から前記基板の縁辺に
   至る縁辺領域を避けて形成されていることを特徴とする
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記パッド形成領域は、前記基板上に列
   をなす複数の前記パッドのうち隣接するパッド同士の間
   の領域を含むことを特徴とする請求項１または２に記載
   の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記第２導電膜のうち前記パッド形成領
   域内に位置する周縁部を覆う保護絶縁層を具備すること
   を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気
   光学装置。
5. 【請求項５】 前記第１導電膜は、前記保護絶縁層のう
   ち前記第２導電膜の周縁部に沿った内周縁よりも内側に
   形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気
   光学装置。
6. 【請求項６】 前記保護絶縁層の厚さと前記第１導電膜
   の厚さとは略同一であることを特徴とする請求項５に記
   載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 基板上のパッドを介して入力された信号
   に応じて画像を表示する電気光学装置であって、 前記基板の面上に形成され、前記パッドに対応する部分
   を有する第１導電膜と、 前記基板の面上に形成されて前記第１導電膜を覆う第１
   層間絶縁膜と、 前記第１層間絶縁膜の面上に形成され、前記パッドに対
   応する部分を有する第２導電膜と、 前記第１層間絶縁膜の面上に積層された複数の絶縁層か
   らなる第２層間絶縁層であって、前記複数の絶縁層のう
   ちの一部の絶縁層は前記パッドが形成される領域と当該
   パッドの周辺の領域とからなるパッド形成領域を避けて
   形成される一方、他の絶縁層は前記パッド形成領域を含
   む領域にわたって形成された第２層間絶縁層と、 前記他の絶縁層に形成された開孔部を介して前記第２導
   電膜に接触し、前記パッドを構成する第３導電膜とを具
   備することを特徴とする電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記一部の絶縁層は、前記パッド形成領
   域に加えて当該パッド形成領域から前記基板の縁辺に至
   る縁辺領域を避けて形成されていることを特徴とする請
   求項７に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記パッド形成領域は、前記基板上に列
   をなす複数の前記パッドのうち隣接するパッド同士の間
   の領域を含むことを特徴とする請求項７または８に記載
   の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記開孔部は、前記他の絶縁層のうち
    前記第３導電膜に対応する領域の大部分にわたって設け
    られていることを特徴とする請求項７ないし９のいずれ
    かに記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記他の絶縁層は、前記第２導電膜の
    うち前記パッド形成領域内に位置する周縁部を覆うこと
    を特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記第１導電膜は、前記開孔部の内周
    縁よりも内側に形成されていることを特徴とする請求項
    ７ないし１１のいずれかに記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記開孔部は、前記他の絶縁層のうち
    前記パッドに対応する領域内に複数設けられていること
    を特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記載の電気
    光学装置。
14. 【請求項１４】 基板上のパッドを介して入力された信
    号に応じて画像を表示する電気光学装置であって、 前記基板の面上に形成され、前記パッドに対応する部分
    を有する第１導電膜と、 前記基板の面上に形成されて前記第１導電膜を覆う第１
    層間絶縁膜と、 前記第１層間絶縁膜の面上に形成され、前記パッドに対
    応する部分を有する第２導電膜と、 前記パッドに対応する領域と当該パッドの周辺の領域と
    からなるパッド形成領域を含んで形成されて前記第２導
    電膜を覆う第２層間絶縁膜と、 前記第２層間絶縁膜のうち前記パッド形成領域内に形成
    された複数の開孔部を介して前記第２導電膜に接触し、
    前記パッドを構成する第３導電膜とを具備することを特
    徴とする電気光学装置。
15. 【請求項１５】 前記複数の開孔部は、前記第３導電膜
    によって覆われる領域内において略均等に分布すること
    を特徴とする請求項１３または１４に記載の電気光学装
    置。
16. 【請求項１６】 前記複数の開孔部は、前記第３導電膜
    によって覆われる領域内に形成され、かつ略矩形状の当
    該第３導電膜のうち対向する二辺の近傍に偏在すること
    を特徴とする請求項１３または１４に記載の電気光学装
    置。
17. 【請求項１７】 前記第３導電膜のうちの中央部近傍に
    対応して、前記開孔部がさらに設けられていることを特
    徴とする請求項１６に記載の電気光学装置。
18. 【請求項１８】 前記第３導電膜は、導通粒子を介して
    実装部品の端子と接続されるものであり、 前記開孔部は、前記開孔部に対応して前記第３導電膜に
    形成された窪みに前記導通粒子が嵌り込むように、その
    大きさが選定されていることを特徴とする請求項１３な
    いし１８のいずれかに記載の電気光学装置。
19. 【請求項１９】 前記開孔部は、前記第３導電膜の窪み
    に嵌り込んだ前記導通粒子の一部が当該第３導電膜の表
    面に対して突出するように、その大きさが選定されてい
    ることを特徴とする請求項１８に記載の電気光学装置。
20. 【請求項２０】 前記第１層間絶縁膜のうち前記第１導
    電膜と第２導電膜とが対向する領域に設けられた開孔部
    を介して、当該第１導電膜と当該第２導電膜とが接触し
    ていることを特徴とする請求項１ないし１９のいずれか
    に記載の電気光学装置。
21. 【請求項２１】 前記第１層間絶縁膜には、前記第３導
    電膜に対応する領域の大部分にわたって前記開孔部が設
    けられていることを特徴とする請求項２０に記載の電気
    光学装置。
22. 【請求項２２】 前記第１層間絶縁膜には、前記第３導
    電膜に対応する領域内に複数の前記開孔部が設けられて
    いることを特徴とする請求項２０に記載の電気光学装
    置。
23. 【請求項２３】 前記基板の面上に形成された薄膜トラ
    ンジスタを具備し、 前記第１導電膜は、前記薄膜トランジスタのゲート電極
    と同一層から形成され、 前記第２導電膜は、前記薄膜トランジスタのソース電極
    と同一層から形成されていることを特徴とする請求項１
    ないし２２のいずれかに記載の電気光学装置。
24. 【請求項２４】 前記薄膜トランジスタに接続されて、
    電気光学物質に電圧を印加する画素電極を具備し、 前記第３導電膜は、前記画素電極と同一層から形成され
    ていることを特徴とする請求項２３に記載の電気光学装
    置。
25. 【請求項２５】 請求項１ないし２４のいずれかに記載
    の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
26. 【請求項２６】 基板の面上に形成され、前記パッドに
    対応する部分を有する第１導電膜と、 前記基板の面上に形成されて前記第１導電膜を覆う第１
    層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜の面上に形成され、
    前記パッドに対応する部分を有する第２導電膜と、 前記第１層間絶縁膜の面上にあって前記パッドが形成さ
    れる領域と当該パッドの周辺の領域とからなるパッド形
    成領域を避けて形成された第２層間絶縁膜と、 前記第２導電膜と接触して、前記パッドを構成する第３
    導電膜とを具備することを特徴とする半導体装置。
27. 【請求項２７】 基板の面上に形成され、前記パッドに
    対応する部分を有する第１導電膜と、 前記基板の面上に形成されて前記第１導電膜を覆う第１
    層間絶縁膜と、 前記第１層間絶縁膜の面上に形成され、前記パッドに対
    応する部分を有する第２導電膜と、 積層された複数の絶縁層からなる第２層間絶縁層であっ
    て、前記複数の絶縁層のうちの一部の絶縁層は前記パッ
    ドが形成される領域と当該パッドの周辺の領域とからな
    るパッド形成領域を避けて形成される一方、他の絶縁層
    は前記パッド形成領域を含む領域にわたって形成された
    第２層間絶縁層と前記他の絶縁層に形成された開孔部を
    介して前記第２導電膜と接触して、前記パッドを構成す
    る第３導電膜とを具備することを特徴とする半導体装
    置。
28. 【請求項２８】 基板上のパッドを介して入力された信
    号に応じて画像を表示する電気光学装置の製造方法であ
    って、 前記パッドに対応する部分を有する第１導電膜を前記基
    板の面上に形成する第１工程と、 前記第１導電膜を覆う第１層間絶縁膜を前記基板の面上
    に形成する第２工程と、 前記パッドに対応する部分を有する第２導電膜を前記第
    １層間絶縁膜の面上に形成する第３工程と、 前記第１層間絶縁膜の面上に、前記パッドに対応する領
    域と当該パッドの周辺の領域とからなるパッド形成領域
    を避けて第２層間絶縁膜を形成する第４工程と、 前記第２導電膜に接触する第３導電膜を前記パッドとし
    て形成する第５工程とを有することを特徴とする電気光
    学装置の製造方法。
29. 【請求項２９】 基板上のパッドを介して入力された信
    号に応じて画像を表示する電気光学装置の製造方法であ
    って、 前記パッドに対応する部分を有する第１導電膜を前記基
    板の面上に形成する第１工程と、 前記第１導電膜を覆う第１層間絶縁膜を前記基板の面上
    に形成する第２工程と、 前記パッドに対応する部分を有する第２導電膜を前記第
    １層間絶縁膜の面上に形成する第３工程と、 前記第１層間絶縁膜の面上に複数の絶縁層を積層して第
    ２層間絶縁膜を形成する工程であって、前記複数の絶縁
    層のうちの一部の絶縁層を前記パッドに対応する領域と
    当該パッドの周辺の領域とからなるパッド形成領域を避
    けて形成する一方、他の絶縁層を前記パッド形成領域を
    含む領域にわたって形成する第４工程と、 前記他の絶縁層に形成された開孔部を介して前記第２導
    電膜と接触する第３導電膜を前記パッドとして形成する
    第５工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製
    造方法。
30. 【請求項３０】 前記電気光学装置は、前記基板上に形
    成された薄膜トランジスタを具備し、 前記第１工程は、前記薄膜トランジスタのゲート電極の
    形成とともに当該ゲート電極と同一の層から前記第１導
    電膜を形成する工程であり、 前記第３工程は、前記薄膜トランジスタのソース電極の
    形成とともに当該ソース電極と同一の層から前記第２導
    電膜を形成する工程であることを特徴とする請求項２８
    または２９に記載の電気光学装置の製造方法。
31. 【請求項３１】 前記電気光学装置は、前記薄膜トラン
    ジスタに接続されて、電気光学物質に電圧を印加する画
    素電極を具備し、 前記第５工程は、前記画素電極の形成とともに当該画素
    電極と同一の層から前記第３導電膜を形成する工程であ
    ることを特徴とする請求項３０に記載の電気光学装置の
    製造方法。
32. 【請求項３２】 前記第４工程は、前記基板上に形成さ
    れた前記第２層間絶縁膜のうち、当該薄膜トランジスタ
    と前記画素電極とを電気的に接続するための開孔部に対
    応する領域と、前記パッド形成領域とを同時に除去する
    工程を含むことを特徴とする請求項３１に記載の電気光
    学装置の製造方法。