JP2002229056A

JP2002229056A - 表示装置用電極基板及びその検査方法

Info

Publication number: JP2002229056A
Application number: JP2001027844A
Authority: JP
Inventors: Akira Tomita; 暁富田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-02-05
Filing date: 2001-02-05
Publication date: 2002-08-14

Abstract

(57)【要約】【課題】ｐ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤに用いられる表示
装置用電極基板において、行電極駆動回路の面積増や設
備投資額の増加を招くことなしに高精度なＯＳ検査を可
能とし、不良基板のセル工程への流れ込みを低減して、
製造コストを削減する。【解決手段】行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍの行電極駆動
回路１５と接続しない側の端部をアレイ基板上配線１０
１に接続し、且つアレイ基板上配線１０１をプロービン
グパッド１０２ａに接続する。検査に際しては、アレイ
テスタ１１０からアレイ基板上配線１０１へ印加した電
圧と行電極駆動回路１５から行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍ
へ印加した電圧との電位差により流れる電流を測定する
ことで、行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍの電気的な不良の有
無を検査する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、表示装置用電極
基板及びその検査方法に関し、詳しくはガラス基板上に
ｐ−ｓｉＴＦＴによりスイッチング素子や駆動回路が形
成された液晶表示装置に用いられる表示装置用電極基板
及びその検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、液晶表示装置は軽量で薄型、低
消費電力であるため、テレビ、携帯型情報端末、或いは
グラフィックディスプレイなどの表示素子として利用さ
れている。特に、スイッチング素子として薄膜トランジ
スタ（以下、ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型
の液晶表示装置（以下、ＴＦＴ−ＬＣＤ）は、高速応答
性に優れ、高精細化に適しているため、ディスプレイ画
面の高画質化、大型化及びカラー画像化を実現するもの
として注目されている。

【０００３】図４は、従来の一般的なＴＦＴ−ＬＣＤに
用いられるアレイ基板の回路構成図である。アレイ基板
１０上には、マトリクス状に配線された走査用の行電極
Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍ（以下、総称Ｇ）、及び画像信号用
の列電極Ｄ１，Ｄ２，…Ｄｎ−１，Ｄｎ（以下、総称
Ｄ）が形成され、これら行電極Ｇと列電極Ｄの各交差部
分には、スイッチング素子としてのＴＦＴ１１が設けら
れている。これらＴＦＴ１１のドレインは画素電極１２
に接続されると共に、この画素電極１２と電気的に接続
された補助容量１３に接続されている。各補助容量１３
は補助容量電極１４に共通に接続され、所定の電位が与
えられる。なお、図４は液晶パネルとして組み立てる前
のアレイ基板を示したものであるために図示していない
が、このアレイ基板１０と所定間隔をもって対向配置さ
れる図示しない対向基板上には全面に対向電極が形成さ
れ、両基板間には液晶層が挟持される。

【０００４】また、行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍの一端は
行電極駆動回路１５に、列電極Ｄ１，Ｄ２，…Ｄｎ−
１，Ｄｎの一端は列電極駆動回路１６に、それぞれ接続
されている。行電極駆動回路１５、列電極駆動回路１６
及び補助容量電極１４には、図示しない外部駆動回路基
板から各種タイミング信号、映像信号及び電源電圧など
が入出力端子群（以下、プロービングパッド）１７を通
じて供給されている。

【０００５】上記アレイ基板１０を用いて構成された液
晶パネルにおいて、行電極駆動回路１５から行電極Ｇ
１，Ｇ２，…Ｇｍに対し、図の上方から下方に向かって
順に、水平走査周期に同期した選択信号が印加される
と、ＴＦＴ１１は行電極Ｇからの選択信号が印加された
タイミングでオン状態となる。これと同期して列電極駆
動回路１６から列電極Ｄ１，Ｄ２，…Ｄｎ−１，Ｄｎに
対し、画像信号に対応した信号電圧が印加されると、列
電極Ｄからの画像信号に対応した信号電圧が画素電極１
２に与えられる。このため、両基板間に挟持された図示
しない液晶層には、画素電極１２に加わった信号電圧
と、図示しない対向電極に与えられた対向電圧との差分
に応じた電圧が印加されることになり、このときの電圧
の大きさに応じて液晶層が光学応答することで表示がな
される。

【０００６】以上は、行電極及び列電極の各駆動回路が
アレイ基板（ガラス基板）上に内蔵される場合の例を示
したものであり、用いられるトランジスタの半導体材料
から、ｐ−Ｓｉ（多結晶シリコン）型ＴＦＴ−ＬＣＤと
呼ばれる。一方、半導体材料としてａ−Ｓｉ（非晶質シ
リコン）を用いたものはａ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤと呼
ばれる。図５は、一般的なａ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤに
用いられるアレイ基板の回路構成図であり、図４と同等
部分を同一符号で示している。ａ−Ｓｉは、ｐ−Ｓｉに
比べてトランジスタ特性が劣り、ＴＦＴを小さくするこ
とができないため、アレイ基板上に駆動回路を内蔵する
ことは困難である。したがって、ａ−Ｓｉ型ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤのアレイ基板は画素部分のみで構成され、駆動回路
はドライバＩＣとして図示しない外部駆動回路基板上に
形成されている。駆動回路とアレイ基板２０との接続
は、アレイ基板２０上に形成されたプロービングパッド
１８、１９にＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）等の技術を用いて接続される。

【０００７】ところで、ａ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤで
は、アレイ基板２０上の行電極及び列電極が直接プロー
ビングパッド１８、１９に引き出されるため、プロービ
ングパッド１８、１９の数やピッチは、行電極及び列電
極の数やピッチと同等となる。一方、ｐ−Ｓｉ型ＴＦＴ
−ＬＣＤでは、行電極と列電極はアレイ基板１０上に内
蔵された駆動回路により直接駆動されるため、プロービ
ングパッド１７に引き出されるのは、内蔵駆動回路への
各種信号や電源電圧のみであり、その本数は行電極や列
電極の数よりも１桁程度少ない。したがって、接続信頼
性確保のためにプロービングパッド１７のピッチを大き
くすることができ、これに伴いプローバの精度も低くて
よいため、設備投資額が少なくて済むというメリットが
ある。

【０００８】このようなプロービングパッドの違いは、
アレイ工程中の検査にも違いを与えている。ａ−Ｓｉ型
ＴＦＴ−ＬＣＤでは、アレイ工程中で行電極が形成され
ると、オープン（断線）・ショート（短絡）検査（以
下、ＯＳ検査）が実施される。これを図５で説明する
と、行電極Ｇの一方の端に形成されたプロービングパッ
ド１９と図示していない他端に配置されたプロービング
パッドにアレイテスタのプローブをあて、所定の電圧を
印加し、このとき流れる電流を測定する検査である。こ
のとき、行電極Ｇが正常に形成されていれば、印加電圧
と行電極との抵抗から求められる所定の電流が観察され
る。もし行電極Ｇがオープンしていれば、電流が流れな
いので、オープン不良を検出することができる。また、
この検査の際に列電極Ｄや補助容量電極１４に行電極Ｇ
とは異なる電圧を印加しておけば、行電極Ｇがそれらと
ショートしたときには異常な電流が流れるため、ショー
ト不良を検出することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】これに対しｐ−Ｓｉ型
ＴＦＴ−ＬＣＤでは、行電極Ｇの一端にプローブをあて
るためのプロービングパッドがないので、上記のような
ＯＳ検査を実施することはできない。このため、アレイ
工程の最後に図４に示すプロービングパッド１７から何
らかの信号を入力又は出力させ、駆動回路を介して画素
部分の検査を行う必要があった。このような駆動回路を
介しての検査はＳ／Ｎ比が悪いため、ｐ−Ｓｉ型ＴＦＴ
−ＬＣＤはａ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤに比べて行電極の
オープン／ショート欠陥の検出率が低いものとなってい
た。この結果、不良アレイ基板が後段のセル工程に流れ
込むことが多くなり、セル工程で無駄な製造コストを発
生させるという問題点があった。

【００１０】ちなみに、ｐ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤでＯ
Ｓ検査を実施しようとすると、行電極Ｇの両端にプロー
ビングパッドが必要となるが、プロービングパッドを行
電極Ｇと行電極駆動回路１５との間に配置すると、実質
上、行電極駆動回路１５の面積が増大して、製品となる
表示モジュールのコンパクトさが損なわれることにな
る。また、プロービングパッドをコンパクトに配置でき
たとしても、そのピッチは行電極のピッチと同じとなる
ため、高精度なａ−Ｓｉ用のプローバが必要となり、設
備投資額が少なくて済むというメリットが損なわれてし
まう。

【００１１】本発明の目的は、行電極駆動回路の面積増
や設備投資額の増加を招くことなしに高精度なＯＳ検査
を可能とし、不良アレイ基板のセル工程への流れ込みを
低減して、製造コストを削減することができる表示装置
用電極基板及びその検査方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、複数の行電極及び複数の列電極
の各交差部にスイッチング素子を介して接続された複数
の画素電極と、これら画素電極を前記行電極及び前記列
電極を通して駆動する駆動回路とを有する表示装置用電
極基板において、前記複数の行電極の前記駆動回路と接
続しない側の端部が基板上に形成された配線に接続さ
れ、且つ前記配線が外部回路との入出力端子群の少なく
とも一つに接続することを特徴とする。

【００１３】請求項２の発明は、請求項１において、前
記複数の行電極の端部と前記配線とが抵抗を介して接続
されることを特徴とする。

【００１４】請求項３の発明は、請求項１において、前
記複数の行電極の端部と前記配線とがトランジスタを介
して接続されることを特徴とする。

【００１５】請求項４の発明は、請求項１において、前
記複数の行電極の端部と前記配線とがダイオードを介し
て接続されることを特徴とする。

【００１６】請求項５の発明は、請求項４において、前
記ダイオードが前記行電極の保護ダイオードであること
を特徴とする。

【００１７】また、上記目的を達成するため、請求項６
の発明は、請求項１乃至５において、前記行電極と前記
配線との間に電位差を生じさせ、そのとき流れる電流を
測定することにより、前記行電極の電気的な導通状態を
検査することを特徴とする。

【００１８】請求項７の発明は、請求項６において、前
記行電極、前記列電極及び前記配線の電位に応じて観察
される電流値に基づいて、電気的な導通状態の種類を特
定することを特徴とする。

【００１９】請求項８の発明は、請求項６において、前
記行電極、前記列電極、前記配線及び前記画素電極と電
気的に並列に接続された補助容量に所定の電圧を印加す
る補助容量電極の電位に応じて観察される電流値に基づ
いて、電気的な導通状態の種類を特定することを特徴と
する。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、この発明に係わる表示装置
用電極基板及びその検査方法を、液晶表示装置（ＴＦＴ
−ＬＣＤ）用電極基板に適用した場合の実施形態につい
て説明する。

【００２１】［実施形態１］図１は、実施形態１のＴＦ
Ｔ−ＬＣＤに用いられるアレイ基板の回路構成図であ
り、図４と同等部分を同一符号で示している（ただし、
一部符号を省略）。

【００２２】この実施形態１のアレイ基板１００では、
行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍの行電極駆動回路１５に接続
されていない側の端部がアレイ基板上配線１０１に共通
に接続され、このアレイ基板上配線１０１が、さらにプ
ロービングパッド１０２の一つ（符号１０２ａとする）
に接続されている。

【００２３】次に、上記のように構成されたアレイ基板
１００において、行電極ＧのＯＳ検査を行う場合につい
て説明する。ＯＳ検査に用いるアレイテスタ１１０は、
テスト用の各種信号や電圧を供給する信号源／電圧源１
０３のほか、とくに行電極ＧのＯＳ検査のために接続さ
れた電流計１０４、電圧源１０５により構成されてい
る。アレイテスタ１１０の図示しないプローブは、アレ
イ基板１００のプロービングパッド１０２と接続されて
おり、このうち、プロービングパッド１０２ａには電流
計１０４及び電圧源１０５からのプローブが接続されて
いる。なお、プロービングパッド１０２の規格（大き
さ、間隔及び本数など）は従来と同じであり、プロービ
ングパッド１０２ａは、そのうちの一つを利用してい
る。

【００２４】行電極ＧのＯＳ検査に際しては、アレイテ
スタ１１０からプロービングパッド１０２ａを介してア
レイ基板上配線１０１に所定の電圧を印加すると共に、
行電極駆動回路１５から行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍに所
定の電圧を印加する。アレイ基板上配線１０１と行電極
Ｇに異なる電圧を印加すると、その電位差により電流が
流れるため、このときの電流を測定することによって、
行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍの電気的な導通を検査するこ
とができる。すなわち、あらかじめアレイ基板上配線１
０１と行電極Ｇの抵抗値とこれに印加する電圧により決
まる電流値（以下、正常値）を算出しておき、実際の測
定値と正常値とを比較することで、行電極Ｇのオープ
ン、行電極Ｇと列電極Ｄ（又は補助容量電極１４）との
ショート、並びに行電極駆動回路１５の出力電圧異常な
どの不良の有無を検出することができる。なお、電流値
の測定に際しては、行電極駆動回路１５から行電極Ｇ
１，Ｇ２，…Ｇｍに順に所定の電圧を印加していき、各
行電極ごとの電流値を記録しておくことで、各行電極ご
との不良の有無を判定することができる。

【００２５】上記ＯＳ検査に際しては、行電極Ｇ１，Ｇ
２，…Ｇｍと行電極駆動回路１５との間に、例えば図５
のようなプロービングパッド１９を配置する必要がない
ため、行電極駆動回路１５の面積を増大させることがな
く、表示モジュールのコンパクトさを維持することがで
きる。また、プローブは従来と同じ規格のプロービング
パッドにあてるので、高精度なａ−Ｓｉ用のプローバが
不要となり、設備投資額が少なくて済むメリットを生か
すことができる。したがって、行電極駆動回路の面積増
や設備投資額を増加させることなしに、高精度なＯＳ検
査を行うことができる。

【００２６】なお、ＯＳ検査後は、アレイ基板１００の
アレイ基板上配線１０１に相当する部分を切り離すこと
により、行電極間のショートを防止することができる。
または、図２（Ａ）の部分回路図に示すように、行電極
Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍとアレイ基板上配線１０１との間に
抵抗１０６を接続することにより、アレイ基板上配線１
０１を介して行電極間のショートを防止することができ
る。さらには、図２（Ｂ）の部分回路図に示すように、
行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍとアレイ基板上配線１０１と
の間にトランジスタ１０７を接続して、ＯＳ検査時には
信号線１０８からの制御信号によりトランジスタ１０７
をオン状態とし、それ以外はオフ状態とするようにして
もよい。この場合は、図２（Ａ）のように抵抗１０６を
接続するのに比べてＳ／Ｎ比が向上するため、検査時に
十分な電流の確保することができ、また検査後の行電極
間のショート防止をより確実にすることができる。

【００２７】［実施形態２］図３は、実施形態２のＴＦ
Ｔ−ＬＣＤに用いられるアレイ基板の回路構成図であ
り、図４と同等部分を同一符号で示している（ただし、
一部符号を省略）。

【００２８】この実施形態２のアレイ基板２００では、
行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍの行電極駆動回路１５に接続
されていない側の端部に、それぞれ一対のダイオード２
０１、２０２が接続されている。この一対のダイオード
２０１、２０２は、異なる電流方向となるように接続さ
れ、このうちダイオード２０１はアレイ基板上配線２０
３に、またダイオード２０２はアレイ基板上配線２０４
にそれぞれ接続されている。これらのダイオード２０
１、２０２は、アレイ基板の製造工程中に発生する静電
気から行電極Ｇを保護するための保護ダイオードであ
る。

【００２９】ここで、保護ダイオードの動作について簡
単に説明する。アレイ基板上配線２０３には正常な行電
極電位より高い電圧が、またアレイ基板上配線２０４に
は正常な行電極電位より低い電圧が印加される。このと
き、行電極Ｇの電位が正常な場合には２つのダイオード
は共にオフ状態となり、電流は流れない。ここで、静電
気により行電極Ｇに異常な電圧が発生した場合について
考える。もし、行電極Ｇの電位が正常な電位よりも高く
なると、ダイオード２０１がオン状態となり、行電極Ｇ
とアレイ基板上配線２０３との間に電流が流れる。この
電流は行電極Ｇの電位が徐々に正常に戻り、アレイ基板
上配線２０３の電位よりも低くなるまで流れ続ける。逆
に、行電極Ｇの電位が正常な電位よりも低くなると、ダ
イオード２０２がオン状態となり、行電極Ｇとアレイ基
板上配線２０４との間に電流が流れる。この電流は行電
極Ｇの電位が徐々に正常に戻り、アレイ基板上配線２０
４の電位よりも高くなるまで流れ続ける。このように、
行電極Ｇに発生した異常な電圧をアレイ基板上配線を通
じて外部に逃がすことにより、行電極Ｇを静電気による
破壊から保護している。この保護ダイオードは、とくに
ＴＦＴなどの半導体回路が形成された基板に用いられて
おり、これに関する技術は、例えば特開２０００−９８
３３８号等に開示されている。

【００３０】上記のような保護ダイオードを備えた基板
についても、本発明を適用することができる。このため
に、実施形態２のアレイ基板２００では、ダイオード２
０１につながるアレイ基板上配線２０３がプロービング
パッド２０５の一つ（符号２０５ａとする）に、またダ
イオード２０２につながるアレイ基板上配線２０４がプ
ロービングパッド２０５の他の一つ（符号２０５ｂとす
る）に接続されている。この実施形態２においても、プ
ロービングパッド２０５の規格は従来と同じであり、プ
ロービングパッド２０５ａ、２０５ｂは、そのうちの２
つを利用したものである。

【００３１】次に、上記のように構成されたアレイ基板
２００において、行電極ＧのＯＳ検査を行う場合につい
て説明する。ＯＳ検査に用いるアレイテスタ２１０は、
テスト用の各種信号や電圧を供給する信号源／電圧源２
１１のほか、行電極ＧのＯＳ検査のために接続された電
流計２１２、２１３、及び電圧源２１４、２１５により
構成されている。アレイテスタ２１０の図示しないプロ
ーブは、アレイ基板２００のプロービングパッド２０５
と接続されており、このうち、プロービングパッド２０
５ａ、２０５ｂには、電流計２１２、２１３及び電圧源
２１４、２１５からのプローブが接続されている。

【００３２】行電極ＧのＯＳ検査に際しては、アレイ基
板上配線２０３又は２０４のいずれか一方を利用する。
アレイ基板上配線２０３を利用する場合は、アレイテス
タ２１０からプロービングパッド２０５ａを介してアレ
イ基板上配線２０３の電位を正常な行電極Ｇの電位より
も低くする。同時に、行電極駆動回路１５から行電極Ｇ
１，Ｇ２，…Ｇｍにアレイ基板上配線２０３よりも高い
電圧を印加する。これにより、ダイオード２０１がオン
状態となり、行電極駆動回路１５からアレイ基板上配線
２０３までの電流経路が確保される。すなわち、行電極
Ｇとアレイ基板上配線２０３の電位差により電流が流れ
るため、このときの電流を測定することによって、行電
極Ｇのオープン、行電極Ｇと列電極Ｄ（又は補助容量電
極１４）とのショート、並びに行電極駆動回路１５の出
力電圧異常などの不良の有無を検出することができる。
一方、アレイ基板上配線２０４を利用する場合は、アレ
イテスタ２１０からプロービングパッド２０５ｂを介し
てアレイ基板上配線２０４の電位を正常な行電極Ｇの電
位よりも高くする。同時に、行電極駆動回路１５から行
電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍにアレイ基板上配線２０４より
も低い電圧を印加する。これにより、ダイオード２０２
をオン状態とし、行電極駆動回路１５からアレイ基板上
配線２０４までの電流経路を確保することで、同様の検
査を行うことができる。

【００３３】このＯＳ検査の際に、アレイ基板上配線２
０３、２０４、列電極Ｄ、行電極Ｇに与える電位を所定
の関係に設定することにより、配線のオープンや各種シ
ョートの識別が可能となる。例えば、設定電位を表１の
ようにする。

【００３４】

【表１】配線／電極設定電位アレイ基板上配線２０３１０Ｖアレイ基板上配線２０４１０Ｖ列電極Ｄ０Ｖ行電極Ｇ５Ｖこのときは、アレイ基板上配線２０４に接続されたダイ
オード２０２がオン状態となる。そして、行電極Ｇが正
常でオープンや列電極Ｄとのショートがない場合は、行
電極Ｇの電位５Ｖとアレイ基板上配線２０４の電位１０
Ｖの間で電位差５Ｖが生じ、行電極Ｇの抵抗値とこれに
印加する電圧により決まる正常値の電流が観察される。

【００３５】一方、行電極Ｇがオープンしている場合
は、電流が流れる経路が無くなるため、観察される電流
はほぼ０［Ａ］となる。また、行電極Ｇと列電極Ｄとの
間がショートしている場合、行電極Ｇの電位は正常時の
５Ｖから降下し、０Ｖに近づく。この結果、行電極Ｇと
アレイ基板上配線２０４との間の電位差が大きくなり、
観察される電流値は正常値よりも大きくなる。これをま
とめると表２のようになる。

【００３６】

【表２】正常／異常（モード）観察される電流行電極正常正常値行電極オープン電流値≒０列電極−行電極ショート正常値に比べ過大な電流以上のように、アレイ基板上配線、列電極及び行電極に
与える電位を所定の関係に設定することにより、不良の
有無だけでなく、不良の種類を特定することができるた
め、不良解析をより効率良く行うことが可能となる。こ
のような電位の設定は実施形態１にも適用することがで
きる。また、行電極Ｇ、列電極Ｄ、アレイ基板上配線２
０３又は２０４のほか、補助容量電極１４にも所定の電
位を与えることにより、行電極Ｇと補助容量電極１４と
の間がショートしているときは異常な電流が流れるた
め、行電極Ｇと補助容量電極１４との間のショートの有
無を検査することができる。

【００３７】この実施形態２についても、保護ダイオー
ドを備えたアレイ基板の検査に際して、行電極Ｇ１，Ｇ
２，…Ｇｍと行電極駆動回路１５との間にプロービング
パッドを配置する必要がないため、行電極駆動回路１５
の面積を増大させることがなく、表示モジュールのコン
パクトさを維持することができる。また、プローブは従
来と同じ規格のプロービングパッドにあてるので、高精
度なａ−Ｓｉ用のプローバが不要となり、設備投資額が
少なくて済むメリットを生かすことができる。したがっ
て、行電極駆動回路の面積増や設備投資額を増加させる
ことなしに、高精度なＯＳ検査を行うことができる。

【００３８】なお、実施形態２は保護ダイオードを備え
たアレイ基板に本発明を適用した場合について示した
が、図２の部分回路図に示したように、行電極Ｇ１，Ｇ
２，…Ｇｍとアレイ基板上配線との間に抵抗やトランジ
スタを接続する代わりにダイオードを接続してもよい。
ダイオードの接続方向は行電極駆動回路１５から見て順
方向でもよいし、逆方向でもよい。検査方法は上記実施
形態２と同じとなる。すなわち、順方向に接続した場合
は、アレイ基板上配線の電位を正常な行電極Ｇの電位よ
りも低くし、また行電極駆動回路１５から行電極Ｇ１，
Ｇ２，…Ｇｍに前記アレイ基板上配線よりも高い電圧を
印加して、ダイオードをオン状態とし、行電極駆動回路
１５からアレイ基板上配線までの電流経路を確保するこ
とで検査を行う。逆方向に接続した場合は、アレイ基板
上配線の電位を正常な行電極Ｇの電位よりも高くし、ま
た行電極駆動回路１５から行電極Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍに
前記アレイ基板上配線よりも低い電圧を印加して、ダイ
オードをオン状態とし、行電極駆動回路１５からアレイ
基板上配線までの電流経路を確保することで検査を行
う。この場合も、図２（Ａ）のように抵抗１０６を接続
するのに比べ検査時の電流の確保と検査後の行電極間の
ショート防止をより確実にすることができる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
行電極駆動回路の面積増や設備投資額を増加させずに、
ｐ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤについて高精度なＯＳ検査を
行うことができるため、不良アレイ基板のセル工程への
流れ込みを低減して、製造コストの削減を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１のＴＦＴ−ＬＣＤに用いられるアレ
イ基板の回路構成図。

【図２】（Ａ）は行電極とアレイ基板上配線との間に抵
抗を接続した場合の部分回路図、（Ｂ）は行電極とアレ
イ基板上配線との間にトランジスタを接続した場合の部
分回路図。

【図３】実施形態２のＴＦＴ−ＬＣＤに用いられるアレ
イ基板の回路構成図。

【図４】従来の一般的なＴＦＴ−ＬＣＤに用いられるア
レイ基板の回路構成図。

【図５】一般的なａ−Ｓｉ型ＴＦＴ−ＬＣＤに用いられ
るアレイ基板の回路構成図。

【符号の説明】

１１…ＴＦＴ、１２…画素電極、１３…補助容量、１４
…補助容量電極、１５…行電極駆動回路、１６…列電極
駆動回路、１００，２００…アレイ基板、１０１，２０
３，２０４…アレイ基板上配線、１０２，２０５…プロ
ービングパッド、１１０，２１０…アレイテスタ、１０
６…抵抗、１０７…トランジスタ、２０１，２０２…ダ
イオード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の行電極及び複数の列電極の各交差
部にスイッチング素子を介して接続された複数の画素電
極と、これら画素電極を前記行電極及び前記列電極を通
して駆動する駆動回路とを有する表示装置用電極基板に
おいて、前記複数の行電極の前記駆動回路と接続しない側の端部
が基板上に形成された配線に接続され、且つ前記配線が
外部回路との入出力端子群の少なくとも一つに接続する
ことを特徴とする表示装置用電極基板。
【請求項２】前記複数の行電極の端部と前記配線とが
抵抗を介して接続されることを特徴とする請求項１に記
載の表示装置用電極基板。
【請求項３】前記複数の行電極の端部と前記配線とが
トランジスタを介して接続されることを特徴とする請求
項１に記載の表示装置用電極基板。
【請求項４】前記複数の行電極の端部と前記配線とが
ダイオードを介して接続されることを特徴とする請求項
１に記載の表示装置用電極基板。
【請求項５】前記ダイオードが前記行電極の保護ダイ
オードであることを特徴とする請求項４に記載の表示装
置用電極基板。
【請求項６】前記行電極と前記配線との間に電位差を
生じさせ、そのとき流れる電流を測定することにより、
前記行電極の電気的な導通状態を検査することを特徴と
する請求項１乃至５に記載の表示装置用電極基板の検査
方法。
【請求項７】前記行電極、前記列電極及び前記配線の
電位に応じて観察される電流値に基づいて、電気的な導
通状態の種類を特定することを特徴とする請求項６に記
載の表示装置用電極基板の検査方法。
【請求項８】前記行電極、前記列電極、前記配線及び
前記画素電極と電気的に接続された補助容量に所定の電
圧を印加する補助容量電極の電位に応じて観察される電
流値に基づいて、電気的な導通状態の種類を特定するこ
とを特徴とする請求項６に記載の表示装置用電極基板の
検査方法。