JP2002223393A - 電荷転送素子 - Google Patents

電荷転送素子

Info

Publication number
JP2002223393A
JP2002223393A JP2001265822A JP2001265822A JP2002223393A JP 2002223393 A JP2002223393 A JP 2002223393A JP 2001265822 A JP2001265822 A JP 2001265822A JP 2001265822 A JP2001265822 A JP 2001265822A JP 2002223393 A JP2002223393 A JP 2002223393A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
output
charge transfer
circuit
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001265822A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Takahashi
達也 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2001265822A priority Critical patent/JP2002223393A/ja
Priority to TW090123287A priority patent/TW512527B/zh
Priority to KR10-2001-0073725A priority patent/KR100411212B1/ko
Priority to US09/995,319 priority patent/US7102674B2/en
Publication of JP2002223393A publication Critical patent/JP2002223393A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体撮像装置において、電荷転送素子の出力
部における消費電力を低減する。 【解決手段】 CCDイメージセンサ30の出力アンプ
46を構成するソースフォロア増幅回路に制御トランジ
スタTS1、TS2、TS3を設ける。ゲート電圧を電荷転送
素子の動作状態に応じて切り換えることによって、制御
トランジスタのオン/オフを切り換える。例えば、撮像
装置がスタンバイモードである場合には、制御トランジ
スタをオフ状態としてソースフォロア増幅回路の動作を
停止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電荷転送素子に関
し、特に電荷転送素子の出力部の省電力化に関する。
【0002】
【従来の技術】図3はCCDイメージセンサを用いた固
体撮像装置の出力部の構成を説明する概略の回路図であ
る。CCDイメージセンサの撮像部2にて生成された画
素ごとの情報電荷は、水平CCDレジスタ4を介して浮
遊拡散層6に順次、転送される。
【0003】そして情報電荷は電圧信号である画像信号
に変換され、出力アンプ8に入力される。出力アンプ8
は、ソースの負荷にトランジスタを用いたソースフォロ
ワ増幅回路であり、ここではソースフォロワを3段に接
続した構成を示している。各ソースフォロワ回路は電源
DとアースGNDとの間に接続され、増幅を行うトラ
ンジスタTD1,TD2,TD3はそれぞれ浮遊拡散層6の出
力信号又は前段のソースフォロワ出力をゲートに入力さ
れる。これらトランジスタTD1,TD2,TD3のソースに
は負荷トランジスタTL1,TL2,TL3のドレインが接続
される。負荷トランジスタは、設定されたゲートバイア
ス電圧に応じて、ソース−ドレイン間に一定の電流を流
す定電流源として機能する。
【0004】最終段のソースフォロワから、CCDイメ
ージセンサの出力信号として取り出されるCCD出力
は、周辺回路10に入力される。周辺回路10ではエミ
ッタフォロワ増幅回路12がCCD出力を受け、増幅さ
れた信号がフロントエンド回路14へ入力される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の出力アンプは、
通常の撮像動作時に得られる画像信号の周波数特性を考
慮して、十分な帯域が得られるように設計され、ゲート
バイアス電圧もその観点から所定の値に設定されてい
た。ここで、周波数特性を改善するためには、一般にソ
ースフォロワに流れる電流を大きくすればよいが、その
反面、消費電力が大きくなるという問題があった。この
問題は、周辺回路のエミッタフォロワ増幅回路について
も同様である。すなわち、CCD出力の周波数特性を劣
化させないためには、エミッタフォロワ増幅回路に十分
な電流を流すことが必要であり、そのため大きな電力が
消費されるという問題があった。
【0006】また、出力アンプは、画像信号が生じてい
ない期間を含め常時動作している。そのため、画像信号
以外の不要な信号が出力アンプ等で増幅されて、後段の
画像信号処理回路に入力される。
【0007】本発明は上記問題点を解消するためになさ
れたもので、画質を維持しつつ、出力部における消費電
力が低減される電荷転送素子を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電荷転送素
子は、情報電荷をパケット単位で転送する電荷転送部
と、前記電荷転送部の出力側に設けられ、前記情報電荷
をパケット単位で電圧値に変換する出力部と、前記出力
部から得られる電圧値をインピーダンス変換して取り出
すソースフォロワ増幅回路と、を有する電荷転送素子に
おいて、前記ソースフォロワ増幅回路は、前記出力部の
電圧値をゲートに受けて、ソースから電圧値の変化に対
応する出力信号を得る増幅トランジスタと、前記増幅ト
ランジスタと接地点との間に接続されて前記増幅トラン
ジスタから接地側へ定電流を流す負荷トランジスタと、
前記増幅トランジスタと電源との間に接続され、ゲート
に印加される制御信号に応答して、電源から前記増幅ト
ランジスタへ流れる電流を制御する制御トランジスタ
と、を備えたことを特徴とするものである。
【0009】電荷転送素子の出力部には、順次転送出力
される情報電荷に従う信号を増幅する出力アンプが設け
られる。この出力アンプは電荷転送素子内に設けられ、
電荷転送素子と同一プロセスで製造されるものであり、
MOS FETを用いたソースフォロワ増幅回路を多段
に設けた構成とされる。ここでソースフォロワ増幅回路
は、入力された信号を増幅するトランジスタと、これに
定電流を供給する負荷トランジスタとを含んで構成さ
れ、負荷トランジスタが供給する定電流量は、ゲートに
印加されるゲートバイアス電圧に応じて定まる。本発明
によれば、ソースフォロワ増幅回路は、さらに制御トラ
ンジスタが増幅トランジスタのドレインと電源との間に
接続される。この制御トランジスタのゲート電圧を制御
することにより、ソースフォロワ増幅回路に流れる電流
を断続、又は増減することができる。これにより、ソー
スフォロワ増幅回路を動作させる必要がない場合には停
止させることができ、また必要とされる周波数特性等に
応じてソースフォロワ増幅回路に流れる電流を可変する
ことができるので、出力アンプでの必要以上の電力消費
を避けることができる。
【0010】他の本発明に係る電荷転送素子において
は、前記制御トランジスタが、エンハンスメント型であ
る。
【0011】本発明によれば、制御トランジスタは、ド
レインに接続された電源の電圧をゲートに印加すること
により基本的にオフ状態となり、ソースフォロワ増幅回
路に流れる電流が遮断され、電力消費が基本的になくな
る。一方、ゲート電圧を0Vとすればオン状態とするこ
とができる。ここでデプレッション型のトランジスタで
は、十分なオフ状態となるゲート電圧として電源電圧以
上の電圧を必要とする。これに対してエンハンスメント
型では、デプレッション型より低い電圧で、オフ状態と
することができ、制御信号の生成上、都合がよい。すな
わち、電荷転送素子の駆動に通常使用される信号を用い
て、制御トランジスタの断続を制御することができる。
【0012】他の本発明に係る電荷転送素子は、前記制
御トランジスタのゲートと負荷トランジスタのゲートと
が、当該電荷転送素子の同一の入力端子に接続されるも
のである。
【0013】本発明によれば、制御トランジスタのゲー
トと負荷トランジスタのゲートとが共通端子に接続さ
れ、電荷転送素子の入出力端子数が抑制される。制御ト
ランジスタがオフ状態とされるときには、ソースフォロ
ワ増幅回路の動作は基本的にオフ状態とされるので、こ
のとき負荷トランジスタに印加されるゲート電圧が負荷
トランジスタをオン状態とするかオフ状態とするかはい
ずれでもよい。
【0014】本発明に係る電荷転送素子は、前記制御ト
ランジスタのゲートと前記入力端子との間に、外部から
当該入力端子へ入力される入力信号に基づいて前記制御
信号を生成する制御信号生成回路を有し、前記負荷トラ
ンジスタが、前記入力信号に対しオン状態を維持するも
のである。
【0015】本発明によれば、負荷トランジスタは入力
信号のいずれの電圧レベルでもオン状態を維持する。そ
のような入力信号を直接、制御トランジスタのゲートに
印加しても、制御トランジスタのオン/オフを制御し得
るとは限らない。そこで、制御信号生成回路は入力信号
の電圧レベルの変化を、制御トランジスタをオン/オフ
するレベル変化に変換する。これにより、制御トランジ
スタがオフ状態にあるときに、負荷トランジスタはオン
状態にあり、出力アンプの出力端子は、負荷トランジス
タのソースに接続されるアースに短絡される。つまり、
制御トランジスタがオフ状態にあるとき、出力端子が所
定電位に設定される。通常、電荷転送素子の出力端子に
接続される周辺回路では、電荷転送素子の出力をエミッ
タフォロワ増幅回路又はソースフォロワ増幅回路で受け
る。特に、通常はそれらはNPNトランジスタを用いた
エミッタフォロワ増幅回路又はNチャネルのソースフォ
ロワ増幅回路に構成され、この場合、本発明の電荷転送
素子によれば、制御トランジスタをオフ状態とすると、
周辺回路のエミッタフォロワ増幅回路又はソースフォロ
ワ増幅回路もオフ状態若しくは低電流状態となり、周辺
回路での省電力化が図られる。
【0016】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
【0017】[実施形態1]図1は本発明の電荷転送素
子に係る第1の実施形態の固体撮像装置の概略の回路構
成図である。本装置は電荷転送素子の一種であるCCD
イメージセンサ30を用い、CCDイメージセンサ30
の動作を制御するCCD制御LSI32、及びCCDイ
メージセンサ30の出力信号を処理する周辺回路34を
含んで構成される。
【0018】CCDイメージセンサ30の撮像部40に
て画素ごとに生成された情報電荷は垂直CCDレジスタ
により水平CCDレジスタ42に1ラインずつ読み出さ
れる。水平CCDレジスタ42は情報電荷を水平転送し
て浮遊拡散層44に出力する。浮遊拡散層44は、水平
CCDレジスタ42から入力される電荷量に応じて電圧
信号である画像信号を出力する。これにより得られた画
像信号は、出力アンプ46に入力される。
【0019】出力アンプ46はソースフォロワ回路を複
数段接続したものであり、本実施形態では3段構成であ
る。各ソースフォロワ回路は電源VDとアースGNDと
の間に接続される。ソースフォロワ回路は、制御トラン
ジスタTS1,TS2,TS3と、増幅を行うトランジスタT
D1,TD2,TD3と、負荷トランジスタTL1,TL2,T L3
とで構成される。増幅トランジスタTD1,TD2,T
D3は、それぞれ浮遊拡散層44の出力信号又は前段のソ
ースフォロワ出力をゲートに受ける。これら増幅トラン
ジスタTD1,TD2,TD3のソースには負荷トランジスタ
L1,TL2,TL3のドレインが接続される。負荷トラン
ジスタは、設定されたゲートバイアス電圧に応じて、ソ
ース−ドレイン間に一定の電流を流す定電流源として機
能する。各負荷トランジスタのゲートはCCDイメージ
センサ30のゲートバイアス入力端子VGBに接続され、
一定の電圧を印加される。また制御トランジスタTS1
S2,TS3は、電源VDと各増幅トランジスタのドレイ
ンとの間に接続され、各ソースフォロワ回路に流れる電
流を制御する。各制御トランジスタのゲートは、CCD
イメージセンサ30の制御端子VSCに接続され、この制
御端子VSCはCCD制御LSI32から制御電圧信号を
入力される。ここでは、各トランジスタTS1〜T S3,T
D1〜TD3,TL1〜TL3は撮像部40等と同一の基板上に
形成されたMOSFETであり、TS1〜TS3はPチャネ
ル・エンハンスメント型、またTD1〜TD 3,TL1〜TL3
はNチャネル・デプレション型のMOS FETであ
る。また電源VDは正電圧、例えば10〜15Vの電圧
を供給する。本装置では、制御トランジスタは、ソース
フォロワ回路に流れる電流をオン/オフ制御するスイッ
チとして機能し、オン状態においてソースフォロワ回路
に流れる電流に制限を課さないように構成される。具体
的には、制御トランジスタは、極力大きいチャネル幅に
するといった構成によりチャネルのインピーダンスが低
くなるように形成されている。
【0020】最終段のソースフォロワから、CCDイメ
ージセンサの出力信号として取り出されるCCD出力
は、周辺回路34に入力される。周辺回路34ではエミ
ッタフォロワ増幅回路50がCCD出力を受け、増幅さ
れた信号がフロントエンド回路52へ入力される。フロ
ントエンド回路52の後段には映像信号処理回路(図示
せず)が続き、映像信号に対する処理が行われる。その
処理には例えば、利得制御やガンマ補正の他、モニタ
(図示せず)への画像表示や、記録媒体への画像信号の
記録等も含まれる。ちなみに、エミッタフォロワ増幅回
路50は従来と同様にNPN型のトランジスタを用いて
構成されている。
【0021】CCD制御LSI32は、CCDイメージ
センサ30の動作を制御する回路が集積された半導体素
子である。CCD制御LSI32は、駆動回路60と出
力制御回路62とを含む。
【0022】駆動回路60は、撮像部40での信号電荷
の蓄積と、CCDを用いて行われる情報電荷の垂直転送
及び水平転送とを制御する各種のクロックパルスを生成
してCCDイメージセンサ30へ供給する。例えば駆動
回路60は、垂直転送クロックパルスφV、水平転送ク
ロックパルスφH、電子シャッタ動作のための電圧パル
スφSHなどを供給する。
【0023】出力制御回路62は、出力アンプ46の動
作を制御する回路であり、具体的には制御トランジスタ
S1,TS2,TS3のゲート電圧を制御する。出力制御回
路62は、駆動回路60から駆動状態の情報を取得し、
その駆動状態に応じて制御トランジスタのゲート電圧を
切り換え、そのオン/オフを制御する。
【0024】本装置では、出力制御回路62は、制御ト
ランジスタをオン状態とするゲート電圧であるオン電圧
と、オフ状態とするゲート電圧であるオフ電圧とのそれ
ぞれに応じたデジタル値を格納しており、その何れかを
選択して出力する。DAC(Digital-to-Analog Conver
ter)66は、出力制御回路62から出力されたデジタ
ル値に応じた電圧を発生させる。生成された電圧は、ゲ
ート電圧としてCCDイメージセンサ30のゲート入力
端子へ出力される。ここでは制御トランジスタにPチャ
ネル・エンハンスメント型を採用し、また制御トランジ
スタはドレインを電源VDに接続されているので、例え
ば、オン電圧は0V、オフ電圧は電源VDの電圧とする
ことができる。なお、ここではDAC66を用いて電圧
信号を発生させたが、これを用いずに、出力制御回路6
2が直接、電圧信号を発生するように構成してもよい。
そして、出力制御回路62は、インターフェース64を
介して外部システムに接続することができ、接続された
外部システムから条件の設定/変更や、その外部システ
ムの制御に基づいて制御トランジスタの制御を行うこと
もできる。
【0025】次に本装置におけるCCDイメージセンサ
30の出力部に関する動作を説明する。上述したように
本装置では、出力制御回路62が、所定の条件に基づい
て制御トランジスタTS1〜TS3のゲート電圧を変更す
る。
【0026】例えば、制御トランジスタのオン/オフ
は、CCD出力に画素信号が出力される期間か否かに応
じて切り換えられる。出力制御回路62は、水平ブラン
キング期間、または垂直ブランキング期間の少なくとも
一方に対応して、浮遊拡散層44に画素信号が読み出さ
れていない期間において、制御トランジスタをオフさせ
る。一方、浮遊拡散層44に画素信号が読み出されてい
る期間には、制御トランジスタをオンさせる。これによ
り、画素信号が読み出される期間においては、出力アン
プ46を動作させて、画素信号に応じて浮遊拡散層44
に生じる電圧変動を増幅してCCD出力信号とする一
方、画素信号が読み出されない期間においては、出力ア
ンプを基本的に停止させる。すなわち、画素信号が読み
出されない期間においては、出力アンプ46を構成する
ソースフォロワ回路に流れる電流をほぼ0とすることが
でき、消費電力の抑制が図られる。
【0027】また、このようにブランキング期間におい
て、出力アンプ46の動作を基本的に停止させることに
より、ブランキング期間にCCD出力に不要なノイズ信
号が現れるのを防止できる。例えば、電子シャッタ動作
は、いずれかの水平ブランキング期間においてCCDイ
メージセンサ30の基板に電圧パルスを印加して、その
タイミングまで画素に蓄積されていた信号電荷を基板に
排出する。また、水平ブランキング期間には、水平CC
Dレジスタ42へ1行分の信号電荷を垂直転送するライ
ン送りの動作が行われる。さらに、CCDイメージセン
サ30がフレームトランスファ型である場合には、撮像
領域から蓄積領域へ信号電荷を高速に垂直転送するフレ
ームシフト動作が垂直ブランキング期間に行われる。こ
のようなブランキング期間内に行われる動作においてC
CDイメージセンサ30に印加される電圧パルスに起因
して、例えば浮遊拡散層44の電位が変動し、それが出
力アンプ46で増幅されることにより、CCD出力に不
要電圧変動を生じるおそれがある。本装置では、上述の
ように、ブランキング期間において制御トランジスタを
オフ状態として出力アンプ46の動作を基本的に停止さ
せることにより、これら不要電圧変動がフロントエンド
回路52に伝達されることが防止される。
【0028】また、本装置では、CCDイメージセンサ
30において、出力アンプ46以外の部分を駆動して撮
像は行いながら、ゲート電圧の制御により出力アンプ4
6を停止させるスタンバイモードを設けることができ
る。このスタンバイモードでは、出力アンプ46の消費
電力が低減される一方で、その解除時には、撮像部40
やCCDレジスタの駆動の立ち上がり時間を要せずに直
ちにCCD出力に安定した画像信号が得られる。
【0029】本装置によれば、制御トランジスタをエン
ハンスメント型のMOS FETで構成することによ
り、デプレッション型と異なりゲート電圧をドレインに
印加された電源の電圧とすれば、ソースフォロワ増幅回
路が基本的に完全に遮断される。また、ゲート電圧を例
えば接地電位である0Vとすることにより、制御トラン
ジスタは導通状態となる。このように、制御トランジス
タをオン/オフする制御信号は、ソースフォロワ増幅回
路の駆動電圧の範囲内で生成でき、制御信号の生成回路
が簡易となる。
【0030】さらに、固体撮像装置では多くの場合、エ
ミッタフォロワ増幅回路50はNPNトランジスタを用
いて構成され、また出力アンプ46の増幅トランジス
タ、負荷トランジスタはNチャネルに構成される。本装
置の制御トランジスタを用いた出力アンプ46を用いれ
ば、この従来の構成を基本的に維持しながら、上述した
出力アンプ46自体の消費電力の低減だけでなく、周辺
回路のエミッタフォロワ増幅回路の消費電力も低減する
ことができる。この理由を説明する。ソースフォロワ最
終段の制御トランジスタTS3がオンのとき、エミッタフ
ォロワ増幅回路50は、ベースバイアス電圧に接地電位
と電源の正電圧VDとの中間の正電圧を印加されオンす
る。一方、制御トランジスタTS3がオフしたとき、負荷
トランジスタTL3はオン状態を維持しているため、エミ
ッタフォロワ増幅回路のベースは、負荷トランジスタT
L3を介してアースに接続される。すなわち、制御トラン
ジスタがオフしたときには、エミッタフォロワ増幅回路
のベースバイアス電圧が接地電位へシフトし、エミッタ
フォロワ増幅回路も動作を停止する。
【0031】なお、これは周辺回路34においてエミッ
タフォロワ増幅回路50に代えてソースフォロワ増幅回
路を用いてCCD出力を受ける場合も同様である。具体
的には、出力アンプ46の電源VDが正電圧である本装
置の構成の場合には、周辺回路34のソースフォロワ増
幅回路にはNチャネルMOS FETが採用される。
【0032】以上の第1の実施形態では、制御トランジ
スタをオン/オフの2値制御としたが、出力制御回路6
2が、本装置の動作状態に応じて制御トランジスタのゲ
ート電圧を変更し、出力アンプ46のソースフォロワ増
幅回路に流れる電流が異なる複数のオン状態を提供する
ように構成することもできる。
【0033】例えば、デジタルスチルカメラを構成する
場合、動作状態としては、出力アンプ46からCCD出
力信号を出力しないスタンバイモードの他に、撮像モー
ドとして動画撮像モード及び静止画撮像モードを有して
いる。
【0034】動画撮像モードでは駆動回路60は、CC
Dイメージセンサ30に画像信号の生成及び読み出しを
反復させ、これにより連続的な複数画像から構成される
動画像が生成される。生成された動画像は、操作者が被
写体を確認するビューファインダにモニタ画像として表
示されると共に、操作者の指示により記録媒体(図示せ
ず)に記録することもできる。この動画撮像モードで
は、人間の視覚特性上、又ビューファインダの解像度の
制約からそれほど高い解像度は必要とされない。よっ
て、インターレース走査とすることができる。一方、静
止画撮像モードでは駆動回路60は、CCDイメージセ
ンサ30をノンインターレース走査で駆動し、これによ
り解像度の高い静止画像が生成される。この静止画の撮
影は、操作者がモニタ画像で被写体を確認してシャッタ
ボタン(図示せず)を押下することにより行われる。す
なわち、シャッタボタンを押すことにより静止画撮影指
示信号が生成され、これが駆動回路60に伝達される
と、駆動回路60は撮像モードを静止画撮像モードに切
り換える。撮影された静止画像は記録媒体に記録され
る。
【0035】また駆動回路60は、CCDイメージセン
サ30からのCCD出力信号の読み出し速度が異なる複
数の読み出しモードを提供することができる。例えば、
動画撮像モードでは、1秒間に30フレームの画素信号
を読み出すように構成される。一方、静止画撮像モード
では、ある静止画の撮影から次の静止画の撮影までのイ
ンターバルは、一般に1/30秒より大きくすることが
でき、その場合には動画撮像モードよりも低い読み出し
速度で画素信号を読み出すように構成することができ
る。
【0036】また、静止画の撮影に先だって、露光条件
を決定するための予備撮像を行うように構成することが
できる。例えば、この予備撮像は、シャッタボタンが半
押しされたことにより起動されるように構成され、静止
画撮像の直前タイミングにおいて露光状態を検出する。
静止画撮像は予備撮像で検知された露光条件に基づいて
実行される。この予備撮像は静止画撮像の指示があった
時点では完了していることが望ましいため、短時間で露
光し、短時間で読み出すように構成される。このため、
駆動回路60は、この予備撮像の画素信号を動画撮像モ
ードよりも高速で読み出すように構成される。
【0037】本装置では、これらの各動作状態に適した
出力アンプ特性が得られるように、制御トランジスタの
チャネルのコンダクタンスを制御する。すなわち、静止
画撮像モードに対しては、良好な画質で画素信号が出力
されるように、出力アンプ46のソースフォロワ回路に
比較的大きな電流を流すゲート電圧VSC1が制御トラン
ジスタに印加される。ソースフォロワ回路に流れる電流
が大きいことにより、ソースフォロワ回路の周波数特性
が向上し、画像信号の波形の劣化が抑制され、良好な画
質が確保される。出力制御回路62はこの電圧VSC1
応じたデジタル値を保持し、駆動回路60が静止画撮像
モードでCCDイメージセンサ30を駆動する場合にお
いてはそれに連動して、これを読み出してDAC66へ
出力する。
【0038】一方、動画撮像モードに対しては静止画撮
像モードほどの画質は要求されない。そのため、出力ア
ンプ46の周波数特性も静止画撮像モードほど良好であ
る必要はなく、出力アンプ46のソースフォロワ回路に
は、静止画撮像モードほどの大きな電流を流さなくてよ
い。よって、動画撮像モードでは、静止画撮像モードに
比べて小さな電流が流れるようなゲート電圧VSC2が制
御トランジスタに印加され、消費電力が抑制される。特
に、デジタルスチルカメラの動作において、動画撮像モ
ードは静止画撮像モードに比べて長い時間を占めるの
で、動画撮像モードでの消費電力の低減の効果は、デジ
タルスチルカメラの長時間動作に大きく寄与する。
【0039】ちなみに本装置では、制御トランジスタに
PチャネルMOS FETを採用しているので、ゲート
電圧が低いほど制御トランジスタのチャネルコンダクタ
ンスが大きくなり、ソースフォロワ増幅回路に流れる電
流量は大きくなる。よって、本装置においては、VSC1
<VSC2である。
【0040】また、CCD出力の読み出し速度に応じて
制御トランジスタのゲート電圧を変更することができ
る。上述したように、本装置は、動画撮像モード、静止
画撮像モード、及び予備撮像動作での駆動が可能であ
り、これらは異なる速度で画素信号を読み出すように構
成される。例えば、動画撮像モードよりも予備撮像動作
での読み出しを高速に行うように構成される。予備撮像
動作に対し動画撮像モードと同程度の画質を要求するこ
ととした場合、読み出し速度が高速である分、予備撮像
動作では出力アンプ46の周波数特性が良好である必要
がある。そのため、本装置では予備撮像動作において
は、ソースフォロワ増幅回路に十分な電流が流れるゲー
ト電圧VSC3が制御トランジスタに印加され、本装置の
動作期間において大きな割合を占める動画撮像モードに
おいては、ソースフォロワ増幅回路に流れる電流が予備
撮像動作での電流より小さくなるようなゲート電圧V
SC2が制御トランジスタに印加される。出力制御回路6
2はこの電圧VSC3に応じたデジタル値を保持し、予備
撮像動作においては、これを読み出してDAC66へ出
力する。このように出力制御回路62が、CCDイメー
ジセンサ30の各動作状態に応じて必要十分な電流が出
力アンプ46に流れるように、制御トランジスタのゲー
ト電圧を制御することにより、本装置では不必要な電力
消費が抑制される。
【0041】[実施形態2]図2は本発明の電荷転送素
子に係る第2の実施形態の固体撮像装置の主要部の概略
の回路構成図である。この図において、図1と同一の構
成要素には同一の符号を付し、説明の簡略化を図る。ま
た、CCDイメージセンサ30の撮像部40やCCD制
御LSI32は、図1と同様の構成であるので、図示を
省略した。本装置が上記実施形態と相違する点は、制御
トランジスタのゲートと、負荷トランジスタのゲートと
が、CCDイメージセンサ30の同一の入力端子VSC
接続される構成にある。この入力端子の共通化により、
CCDイメージセンサ30のICパッケージのピン数を
減らすことができる。
【0042】入力端子VSCと制御トランジスタのゲート
との間には、制御信号生成回路70が設けられる。一
方、負荷トランジスタのゲートは直接、入力端子VSC
接続される。VSCには、出力制御回路62からHレベル
(電圧VH)とLレベル(電圧VL)との2つのレベルを
有する2値化電圧信号が入力される。ここで制御信号生
成回路70が入力電圧VH、VLに対し出力する電圧を、
それぞれVH'、VL'で表す。VH、VLはいずれも負荷ト
ランジスタをオン状態とするという条件を満たすように
設定される。一方、VH'、VL'に関しては、いずれか一
方が制御トランジスタをオンし、他方が制御トランジス
タをオフするという条件が課される。これらの条件が満
たされるように、VH、VLが定められ、また制御信号生
成回路70が構成される。
【0043】例えば、VH=7V、VL=2Vに設定す
る。負荷トランジスタはNチャネル・デプレッション型
なので、正電圧VH、VLからなるVSC信号に対してオン
状態を維持する。制御信号生成回路70は、例えばVH
とVLとの間に閾値を有する比較器と、その出力に接続
されるインバータとを用いて構成される。比較器は
H,VLそれぞれに対して例えば論理値“0”,“1”
に対応する電圧0V,VDを出力し、インバータは論理
値を反転して入力電圧0Vに対してVDを出力し、入力
電圧VDに対して0Vを出力する。これにより、制御信
号生成回路70はVH'=0V、VL'=VDを出力する。
制御トランジスタはPチャネル・エンハンスメント型で
あり、ドレインを電源VDに接続されるので、VH'=0
Vに対してオンし、VL'=VDに対してオフする。
【0044】制御トランジスタのオフ状態において負荷
トランジスタがオン状態を維持することにより、上記第
1の実施形態と同様、周辺回路のNPNトランジスタを
用いたエミッタフォロワ増幅回路50のベースバイアス
電圧が接地電位にシフトする。これにより、出力アンプ
46の停止に連動してエミッタフォロワ増幅回路50の
動作を停止させることができ、消費電力の抑制が図られ
る。なお、制御トランジスタをオン/オフする条件に関
しては、上記第1の実施形態と同様である。
【0045】
【発明の効果】本発明の電荷転送素子によれば、電荷転
送素子の出力アンプを構成するソースフォロワ増幅回路
に制御トランジスタが設けられ、そのゲート電圧を制御
することにより、ソースフォロワ増幅回路に流れる電流
の断続、又は可変制御が実施される。これにより、出力
アンプに流れる電流が低減され、電荷転送素子での消費
電力が低減される効果が得られる。また、制御トランジ
スタのオフ状態で、電荷転送素子の出力端に接続される
エミッタフォロワ増幅回路又はソースフォロワ増幅回路
がオフするように構成することで、周辺回路のエミッタ
フォロワ増幅回路又はソースフォロワ増幅回路での消費
電力も低減される効果がある。また、CCDイメージセ
ンサから読み出される画素信号の間欠期間において、制
御トランジスタをオフ状態として出力アンプの動作を停
止させることで、出力アンプの消費電力の低減が図られ
ると共に、その期間に不要な電圧変動が電荷転送素子か
ら出力されることが防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る第1の実施形態の固体撮像装置
の概略の回路構成図である。
【図2】 本発明に係る第2の実施形態の固体撮像装置
の主要部の概略の回路構成図である。
【図3】 CCDイメージセンサを用いた従来の固体撮
像装置の出力部の構成を説明する概略の回路図である。
【符号の説明】
30 CCDイメージセンサ、32 CCD制御LS
I、34 周辺回路、40 撮像部、42 水平CCD
レジスタ、44 浮遊拡散層、46 出力アンプ、50
エミッタフォロワ増幅回路、52 フロントエンド回
路、60 駆動回路、62 出力制御回路、70 制御
信号生成回路、TS1,TS2,TS3 制御トランジスタ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 情報電荷をパケット単位で転送する電荷
    転送部と、前記電荷転送部の出力側に設けられ、前記情
    報電荷をパケット単位で電圧値に変換する出力部と、前
    記出力部から得られる電圧値をインピーダンス変換して
    取り出すソースフォロワ増幅回路と、を有する電荷転送
    素子において、 前記ソースフォロワ増幅回路は、 前記出力部の電圧値をゲートに受けて、ソースから電圧
    値の変化に対応する出力信号を得る増幅トランジスタ
    と、 前記増幅トランジスタと接地点との間に接続されて前記
    増幅トランジスタから接地側へ定電流を流す負荷トラン
    ジスタと、 前記増幅トランジスタと電源との間に接続され、ゲート
    に印加される制御信号に応答して、電源から前記増幅ト
    ランジスタへ流れる電流を制御する制御トランジスタ
    と、 を備えたことを特徴とする電荷転送素子。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電荷転送素子において、 前記制御トランジスタは、エンハンスメント型であるこ
    とを特徴とする電荷転送素子。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の電荷転送
    素子において、 前記制御トランジスタのゲートと前記負荷トランジスタ
    のゲートとに共通に接続される入力端子を有すること、 を特徴とする電荷転送素子。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の電荷転送素子において、 前記制御トランジスタのゲートと前記入力端子との間
    に、外部から当該入力端子へ入力される入力信号に基づ
    いて前記制御信号を生成する制御信号生成回路を有し、 前記負荷トランジスタは、前記入力信号に対しオン状態
    を維持すること、 を特徴とする電荷転送素子。
JP2001265822A 2000-11-27 2001-09-03 電荷転送素子 Pending JP2002223393A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001265822A JP2002223393A (ja) 2000-11-27 2001-09-03 電荷転送素子
TW090123287A TW512527B (en) 2000-11-27 2001-09-21 Charge transfer device
KR10-2001-0073725A KR100411212B1 (ko) 2000-11-27 2001-11-26 전하 전송 소자
US09/995,319 US7102674B2 (en) 2000-11-27 2001-11-26 Charge transfer device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000359941 2000-11-27
JP2000-359941 2000-11-27
JP2001265822A JP2002223393A (ja) 2000-11-27 2001-09-03 電荷転送素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002223393A true JP2002223393A (ja) 2002-08-09

Family

ID=26604648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001265822A Pending JP2002223393A (ja) 2000-11-27 2001-09-03 電荷転送素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7102674B2 (ja)
JP (1) JP2002223393A (ja)
KR (1) KR100411212B1 (ja)
TW (1) TW512527B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008072490A1 (ja) * 2006-12-11 2008-06-19 Sharp Kabushiki Kaisha 固体撮像装置及びこれを備えた電子機器
WO2008123112A1 (ja) 2007-03-23 2008-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba 核酸検出カセット及び核酸検出装置
JP2008278461A (ja) * 2008-02-07 2008-11-13 Canon Inc 固体撮像装置および撮像システム
JP2008278460A (ja) * 2008-02-07 2008-11-13 Canon Inc 固体撮像装置および撮像システム
JP2008278379A (ja) * 2007-05-02 2008-11-13 Canon Inc 固体撮像装置および撮像システム
WO2016006302A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 オリンパス株式会社 撮像素子、撮像装置、内視鏡、内視鏡システムおよび撮像素子の駆動方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7212241B2 (en) * 2001-05-09 2007-05-01 Sony Corporation Solid-state imaging device and method for driving the same
AU2002305780A1 (en) 2001-05-29 2002-12-09 Transchip, Inc. Patent application cmos imager for cellular applications and methods of using such
US7738013B2 (en) * 2001-05-29 2010-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Systems and methods for power conservation in a CMOS imager
JP2003264745A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Sanyo Electric Co Ltd 電荷転送装置
AU2003214199A1 (en) * 2002-03-18 2003-10-08 Massachusetts Institute Of Technology Event-driven charge-coupled device design and applications therefor
US7408577B2 (en) * 2003-04-09 2008-08-05 Micron Technology, Inc. Biasing scheme for large format CMOS active pixel sensors
US7068446B2 (en) * 2003-05-05 2006-06-27 Illumitech Inc. Compact non-imaging light collector
JP4742542B2 (ja) * 2004-09-02 2011-08-10 株式会社ニコン 撮像装置
JP2006340071A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 固体撮像素子用出力アンプ
JP2007242697A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Canon Inc 撮像装置および撮像システム
US20090243025A1 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Stevens Eric G Pixel structure with a photodetector having an extended depletion depth
JP2009267836A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Panasonic Corp 固体撮像装置、その駆動方法およびカメラ
JP5251765B2 (ja) * 2009-07-15 2013-07-31 ソニー株式会社 固体撮像素子の出力回路、固体撮像素子及び撮像装置
US10364572B2 (en) 2014-08-30 2019-07-30 Innovative Building Technologies, Llc Prefabricated wall panel for utility installation
KR101991055B1 (ko) 2014-08-30 2019-06-19 이노베이티브 빌딩 테크놀러지스 엘엘씨 건물에서의 사용을 위한 바닥 및 천장 패널

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5583457A (en) * 1992-04-14 1996-12-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having power reduction mechanism
JP3116550B2 (ja) * 1992-05-01 2000-12-11 ソニー株式会社 固体撮像素子
EP0851691B1 (en) * 1993-11-09 2002-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Signal processing apparatus for a stereoscopic display
JPH07255013A (ja) * 1994-01-31 1995-10-03 Sony Corp 固体撮像装置
JP2795314B2 (ja) * 1996-05-13 1998-09-10 日本電気株式会社 半導体装置
JP3529022B2 (ja) * 1998-01-30 2004-05-24 シャープ株式会社 電荷転送素子
JP3972446B2 (ja) * 1998-02-13 2007-09-05 ソニー株式会社 Ccd固体撮像素子の出力回路
JP2000152090A (ja) * 1998-11-06 2000-05-30 Sony Corp 固体撮像装置
JP3770741B2 (ja) * 1998-11-20 2006-04-26 富士通株式会社 半導体集積回路、および半導体集積回路内のトランジスタのソース電位切換方法
US6552324B1 (en) * 1998-12-18 2003-04-22 Xerox Corporation Selectable pixel amplifier for use in a photosensor array
JP2000224485A (ja) * 1999-02-01 2000-08-11 Sony Corp Ccd固体撮像素子のバッファ回路
US6686957B1 (en) * 1999-03-31 2004-02-03 Cirrus Logic, Inc. Preview mode low resolution output system and method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008072490A1 (ja) * 2006-12-11 2008-06-19 Sharp Kabushiki Kaisha 固体撮像装置及びこれを備えた電子機器
WO2008123112A1 (ja) 2007-03-23 2008-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba 核酸検出カセット及び核酸検出装置
JP2008278379A (ja) * 2007-05-02 2008-11-13 Canon Inc 固体撮像装置および撮像システム
JP2008278461A (ja) * 2008-02-07 2008-11-13 Canon Inc 固体撮像装置および撮像システム
JP2008278460A (ja) * 2008-02-07 2008-11-13 Canon Inc 固体撮像装置および撮像システム
JP4551936B2 (ja) * 2008-02-07 2010-09-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP4551935B2 (ja) * 2008-02-07 2010-09-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
WO2016006302A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 オリンパス株式会社 撮像素子、撮像装置、内視鏡、内視鏡システムおよび撮像素子の駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7102674B2 (en) 2006-09-05
KR20020041300A (ko) 2002-06-01
US20020063790A1 (en) 2002-05-30
KR100411212B1 (ko) 2003-12-18
TW512527B (en) 2002-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100411212B1 (ko) 전하 전송 소자
JP4192428B2 (ja) 固体撮像装置及び画像入力装置
JP4144535B2 (ja) 固体撮像装置、画素信号読出方法
US7030922B2 (en) Image pickup apparatus which reduces noise generated in an amplifier transistor
JP4277911B2 (ja) 固体撮像装置及び撮像装置
JP4442590B2 (ja) 固体撮像素子およびその駆動装置、撮像装置、並びに、固体撮像素子の駆動方法
JP2000244818A (ja) 増幅型固体撮像装置
KR100363355B1 (ko) 촬상장치
JP2009267836A (ja) 固体撮像装置、その駆動方法およびカメラ
JPH01231485A (ja) 固体撮像装置
JP2003264745A (ja) 電荷転送装置
JP4548428B2 (ja) 固体撮像装置及び画像入力装置
JP2009284015A (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP2003259228A (ja) 固体撮像装置およびその信号処理方法
JP2002171448A (ja) 固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP3697164B2 (ja) 走査回路とそれを用いた撮像装置
JPH09181986A (ja) 固体撮像素子
JP4000442B2 (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法
JP4243047B2 (ja) Ccd出力回路およびccd出力方法
JPH05103274A (ja) 電荷転送装置の出力回路
JPH09168119A (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法
JP4102098B2 (ja) 固体撮像装置
JP5067414B2 (ja) 固体撮像素子の駆動装置、画像入力装置および固体撮像素子の駆動方法
JPH01196982A (ja) 固体撮像素子
JP2007150751A (ja) 固体撮像素子の出力バッファ回路およびこれを用いた固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20051227