JPH09168119A - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその駆動方法Info
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- JPH09168119A JPH09168119A JP7326721A JP32672195A JPH09168119A JP H09168119 A JPH09168119 A JP H09168119A JP 7326721 A JP7326721 A JP 7326721A JP 32672195 A JP32672195 A JP 32672195A JP H09168119 A JPH09168119 A JP H09168119A
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高感度モードでも暗電流等による黒レベルの
シェーディングが発生しにくい固体撮像装置およびその
駆動方法を提供する。 【解決手段】 固体撮像装置は入射光量に応じた信号電
荷を蓄積する撮像領域１と、信号電荷の蓄積時間を制御
する蓄積時間手段９と、蓄積時間内に蓄積された信号電
荷を順次転送する電荷転送手段２と、転送されてきた信
号電荷を電圧信号に変換する電荷検出部３と、電圧信号
を映像信号として外部に出力するＭＯＳ−ＦＥＴによる
ソースフォロア回路で構成された出力アンプ４と、この
出力アンプを構成するＭＯＳ負荷抵抗のゲートに接続さ
れたアンプゲート制御回路５とを具備する。アンプゲー
ト制御回路５からの制御電圧の発生により、信号出力区
間ではＭＯＳ負荷抵抗をオン状態にして出力アンプ４を
活動状態にし、信号蓄積期間ではＭＯＳ負荷抵抗をオフ
状態にして出力アンプ４を休止状態にする。
シェーディングが発生しにくい固体撮像装置およびその
駆動方法を提供する。 【解決手段】 固体撮像装置は入射光量に応じた信号電
荷を蓄積する撮像領域１と、信号電荷の蓄積時間を制御
する蓄積時間手段９と、蓄積時間内に蓄積された信号電
荷を順次転送する電荷転送手段２と、転送されてきた信
号電荷を電圧信号に変換する電荷検出部３と、電圧信号
を映像信号として外部に出力するＭＯＳ−ＦＥＴによる
ソースフォロア回路で構成された出力アンプ４と、この
出力アンプを構成するＭＯＳ負荷抵抗のゲートに接続さ
れたアンプゲート制御回路５とを具備する。アンプゲー
ト制御回路５からの制御電圧の発生により、信号出力区
間ではＭＯＳ負荷抵抗をオン状態にして出力アンプ４を
活動状態にし、信号蓄積期間ではＭＯＳ負荷抵抗をオフ
状態にして出力アンプ４を休止状態にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は蓄積時間制御方式に
よる高感度モードを備えた固体撮像装置に関し、特に、
暗電流等によるシェーディングを低減させた固体撮像装
置の駆動方法に関する。
よる高感度モードを備えた固体撮像装置に関し、特に、
暗電流等によるシェーディングを低減させた固体撮像装
置の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来の２次元固体撮像装置の構成
を示す。従来の２次元固体撮像装置は、電荷結合素子
（以後、ＣＣＤと呼ぶ）撮像領域１０１と、ＣＣＤ水平
レジスタ１０２と、電荷検出部１０３と、出力アンプ１
０４と、映像信号処理回路１０５と、フレームメモリ１
０６と、ＣＣＤ駆動回路１０７と、蓄積時間制御回路１
０８とから構成されている。
を示す。従来の２次元固体撮像装置は、電荷結合素子
（以後、ＣＣＤと呼ぶ）撮像領域１０１と、ＣＣＤ水平
レジスタ１０２と、電荷検出部１０３と、出力アンプ１
０４と、映像信号処理回路１０５と、フレームメモリ１
０６と、ＣＣＤ駆動回路１０７と、蓄積時間制御回路１
０８とから構成されている。
【０００３】図５は図４に示した従来の２次元固体撮像
装置の動作を説明するためのタイミング図であり、一例
として蓄積時間が標準状態（約１／６０秒）の４倍（約
１／１５秒）の場合が示されている。
装置の動作を説明するためのタイミング図であり、一例
として蓄積時間が標準状態（約１／６０秒）の４倍（約
１／１５秒）の場合が示されている。
【０００４】以下、図４と図５を参照して、従来の２次
元固体撮像装置について説明する。まず、図４におい
て、入射光量に応じてＣＣＤ撮像領域１０１中の光電変
換素子群（図示せず）に蓄積された信号電荷は、所定の
蓄積時間ごとに、すなわち本例の場合には４フィールド
期間（約１／１５秒）ごとに、垂直転送パルスΦv に重
畳された信号電荷読み出しパルス１０９により、ＣＣＤ
垂直レジスタ（図示せず）に読み出される。次いで、こ
れら信号電荷は所定のタイミングに従ってＣＣＤ垂直レ
ジスタ（図示せず）とＣＣＤ水平レジスタ１０２中を順
次転送され、電荷検出部１０３へと供給される。
元固体撮像装置について説明する。まず、図４におい
て、入射光量に応じてＣＣＤ撮像領域１０１中の光電変
換素子群（図示せず）に蓄積された信号電荷は、所定の
蓄積時間ごとに、すなわち本例の場合には４フィールド
期間（約１／１５秒）ごとに、垂直転送パルスΦv に重
畳された信号電荷読み出しパルス１０９により、ＣＣＤ
垂直レジスタ（図示せず）に読み出される。次いで、こ
れら信号電荷は所定のタイミングに従ってＣＣＤ垂直レ
ジスタ（図示せず）とＣＣＤ水平レジスタ１０２中を順
次転送され、電荷検出部１０３へと供給される。
【０００５】電荷検出部１０３は、出力ゲート電極１１
０と、フローティング・ディフュージョン領域１１１
と、リセットゲート電極１１２と、リセットドレイン１
１３とで構成され、転送されて来た信号電荷を電圧信号
に変換する役割を果たす。
０と、フローティング・ディフュージョン領域１１１
と、リセットゲート電極１１２と、リセットドレイン１
１３とで構成され、転送されて来た信号電荷を電圧信号
に変換する役割を果たす。
【０００６】電荷検出部１０３からの振幅変調された電
圧信号は、出力アンプ１０４を介して、４フィールド期
間に１フィールドの割合で外部に出力される。ここで出
力アンプ１０４は、必要とされる周波数帯域に合わせて
１〜３段の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴ）によるソースフォロア回路で構成されて
ることが多い。本例では、２段のＭＯＳ−ＦＥＴによる
ソースフォロア回路１１４と１１５で構成された場合が
示されている。またソースフォロア回路を構成するＭＯ
Ｓ−ＦＥＴのうち、下側のＭＯＳ負荷抵抗（ロードトラ
ンジスタとも呼ばれる）１１６、１１７のゲート端子に
は、一定の直流電圧ＶAGが印加され低定電流源として動
作するようになっている。ここで、本例ではＭＯＳ負荷
抵抗１１６、１１７としてエンハンスメント型の場合を
想定しているので、直流電圧ＶAGの値としては＋１〜＋
３Ｖ程度が適当であるが、デプレッション型の場合には
ソース電圧と同じ０Ｖ（ＧＮＤ電圧）とすることもでき
る。
圧信号は、出力アンプ１０４を介して、４フィールド期
間に１フィールドの割合で外部に出力される。ここで出
力アンプ１０４は、必要とされる周波数帯域に合わせて
１〜３段の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴ）によるソースフォロア回路で構成されて
ることが多い。本例では、２段のＭＯＳ−ＦＥＴによる
ソースフォロア回路１１４と１１５で構成された場合が
示されている。またソースフォロア回路を構成するＭＯ
Ｓ−ＦＥＴのうち、下側のＭＯＳ負荷抵抗（ロードトラ
ンジスタとも呼ばれる）１１６、１１７のゲート端子に
は、一定の直流電圧ＶAGが印加され低定電流源として動
作するようになっている。ここで、本例ではＭＯＳ負荷
抵抗１１６、１１７としてエンハンスメント型の場合を
想定しているので、直流電圧ＶAGの値としては＋１〜＋
３Ｖ程度が適当であるが、デプレッション型の場合には
ソース電圧と同じ０Ｖ（ＧＮＤ電圧）とすることもでき
る。
【０００７】次に、出力アンプ１０４から出力される振
幅変調された電圧信号は、映像信号処理回路１０５で雑
音除去されると同時に時系列映像信号に変換され、さら
に規定レベルまでの増幅やガンマ処理等の非線形処理が
施された後に、通常の映像信号として外部に出力され
る。但し、映像信号処理回路１０５から出力される映像
信号は、図５の１１８に示すごとく、４フィールド期間
に１フィールドの割合で出力される間欠信号であるた
め、フレームメモリ１０６を介して、連続した映像信号
１１９に変換される。
幅変調された電圧信号は、映像信号処理回路１０５で雑
音除去されると同時に時系列映像信号に変換され、さら
に規定レベルまでの増幅やガンマ処理等の非線形処理が
施された後に、通常の映像信号として外部に出力され
る。但し、映像信号処理回路１０５から出力される映像
信号は、図５の１１８に示すごとく、４フィールド期間
に１フィールドの割合で出力される間欠信号であるた
め、フレームメモリ１０６を介して、連続した映像信号
１１９に変換される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体撮像装置では、出力アンプ１０４の発熱、あるいは
出力アンプ１０４を構成するＭＯＳ−ＦＥＴのショート
チャネル効果に起因して発生するホットエレクトロンの
拡散により、アンプ近傍の光電変換素子群に他の領域よ
りも多くの不要電荷（暗電流）が蓄積され、再生画面の
左上をピークとする黒レベルのシェーディングが発生
し、再生画像が著しく劣化している。
固体撮像装置では、出力アンプ１０４の発熱、あるいは
出力アンプ１０４を構成するＭＯＳ−ＦＥＴのショート
チャネル効果に起因して発生するホットエレクトロンの
拡散により、アンプ近傍の光電変換素子群に他の領域よ
りも多くの不要電荷（暗電流）が蓄積され、再生画面の
左上をピークとする黒レベルのシェーディングが発生
し、再生画像が著しく劣化している。
【０００９】そこで、本発明はこのような従来技術の欠
点を解決すべくなされたものであって、その課題とする
ところは、高感度モードでも暗電流等による黒レベルの
シェーディングが発生しにくい固体撮像装置およびその
駆動方法を提供することにある。
点を解決すべくなされたものであって、その課題とする
ところは、高感度モードでも暗電流等による黒レベルの
シェーディングが発生しにくい固体撮像装置およびその
駆動方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、入射光量に応じた信号電荷を蓄積する撮像領域
と、信号電荷の蓄積時間を制御する蓄積時間手段と、蓄
積時間内に蓄積された信号電荷を順次転送する電荷転送
手段と、この電荷転送手段により転送されてきた信号電
荷を電圧信号に変換する電荷検出部と、この電荷検出部
に接続され、電圧信号を映像信号として外部に出力する
少なくとも１段以上のＭＯＳ−ＦＥＴによるソースフォ
ロア回路で構成された出力アンプと、この出力アンプを
構成するＭＯＳ負荷抵抗のゲートに接続されたアンプゲ
ート制御回路とを具備することを特徴とする。
置は、入射光量に応じた信号電荷を蓄積する撮像領域
と、信号電荷の蓄積時間を制御する蓄積時間手段と、蓄
積時間内に蓄積された信号電荷を順次転送する電荷転送
手段と、この電荷転送手段により転送されてきた信号電
荷を電圧信号に変換する電荷検出部と、この電荷検出部
に接続され、電圧信号を映像信号として外部に出力する
少なくとも１段以上のＭＯＳ−ＦＥＴによるソースフォ
ロア回路で構成された出力アンプと、この出力アンプを
構成するＭＯＳ負荷抵抗のゲートに接続されたアンプゲ
ート制御回路とを具備することを特徴とする。
【００１１】また、本発明による固体撮像装置の駆動方
法は、上記固体撮像装置を駆動する方法であって、アン
プゲート制御回路から所定の制御電圧を発生させること
により、信号出力区間ではＭＯＳ負荷抵抗をオン状態に
して出力アンプを活動状態にし、信号蓄積期間ではＭＯ
Ｓ負荷抵抗をオフ状態にして出力アンプを休止状態にす
ることを特徴とする。
法は、上記固体撮像装置を駆動する方法であって、アン
プゲート制御回路から所定の制御電圧を発生させること
により、信号出力区間ではＭＯＳ負荷抵抗をオン状態に
して出力アンプを活動状態にし、信号蓄積期間ではＭＯ
Ｓ負荷抵抗をオフ状態にして出力アンプを休止状態にす
ることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】図１に、本発明の一実施形態による２次元
固体撮像装置の構成を示す。図１に示された２次元固体
撮像装置は、ＣＣＤ撮像領域１と、ＣＣＤ水平レジスタ
２と、電荷検出部３と、出力アンプ４と、アンプゲート
制御回路５と、映像信号処理回路６と、フレームメモリ
７と、ＣＣＤ駆動回路８と、蓄積時間制御回路９とから
構成されている。図１に示された本発明に係る２次元固
体撮像装置と図４に示した従来の２次元固体撮像装置と
の相違点は、本発明のものではアンプゲート制御回路５
が備えられたことにある。
固体撮像装置の構成を示す。図１に示された２次元固体
撮像装置は、ＣＣＤ撮像領域１と、ＣＣＤ水平レジスタ
２と、電荷検出部３と、出力アンプ４と、アンプゲート
制御回路５と、映像信号処理回路６と、フレームメモリ
７と、ＣＣＤ駆動回路８と、蓄積時間制御回路９とから
構成されている。図１に示された本発明に係る２次元固
体撮像装置と図４に示した従来の２次元固体撮像装置と
の相違点は、本発明のものではアンプゲート制御回路５
が備えられたことにある。
【００１４】図２は図１に示した２次元固体撮像装置の
動作を説明するためのタイミング図であり、一例として
蓄積時間が標準状態（約１／６０秒）の４倍（約１／１
５秒）の場合が示されている。
動作を説明するためのタイミング図であり、一例として
蓄積時間が標準状態（約１／６０秒）の４倍（約１／１
５秒）の場合が示されている。
【００１５】以下、図１と図２を参照して、本実施形態
による２次元固体撮像装置について説明する。まず、図
１において、入射光量に応じてＣＣＤ撮像領域１中の光
電変換素子群（図示せず）に蓄積された信号電荷は、所
定の蓄積時間ごとに、すなわち本例の場合には４フィー
ルド期間（約１／１５秒）ごとに、垂直転送パルスΦv
に重畳された信号電荷読み出しパルス１０により、ＣＣ
Ｄ垂直レジスタ（図示せず）に読み出される。次いで、
これら信号電荷は所定の駆動タイミングに従ってＣＣＤ
垂直レジスタ（図示せず）とＣＣＤ水平レジスタ２中を
順次転送され、電荷検出部３へと供給される。
による２次元固体撮像装置について説明する。まず、図
１において、入射光量に応じてＣＣＤ撮像領域１中の光
電変換素子群（図示せず）に蓄積された信号電荷は、所
定の蓄積時間ごとに、すなわち本例の場合には４フィー
ルド期間（約１／１５秒）ごとに、垂直転送パルスΦv
に重畳された信号電荷読み出しパルス１０により、ＣＣ
Ｄ垂直レジスタ（図示せず）に読み出される。次いで、
これら信号電荷は所定の駆動タイミングに従ってＣＣＤ
垂直レジスタ（図示せず）とＣＣＤ水平レジスタ２中を
順次転送され、電荷検出部３へと供給される。
【００１６】電荷検出部３は、出力ゲート電極１１と、
フローティング・ディフュージョン領域１２と、リセッ
トゲート電極１３と、リセットドレイン１４とで構成さ
れ、転送されて来た信号電荷を電圧信号に変換する役割
を果たす。
フローティング・ディフュージョン領域１２と、リセッ
トゲート電極１３と、リセットドレイン１４とで構成さ
れ、転送されて来た信号電荷を電圧信号に変換する役割
を果たす。
【００１７】電荷検出部３からの振幅変調された電圧信
号は、出力アンプ４を介して、４フィールド期間に１フ
ィールドの割合で外部に出力される。ここで出力アンプ
４は、一例として２段のソースフォロア回路１５と１６
で構成された場合が示されている。またソースフォロア
回路を構成するＭＯＳ−ＦＥＴのうち、下側のＭＯＳ負
荷抵抗１７、１８のゲート端子には、アンプゲート制御
回路５が接続されている。
号は、出力アンプ４を介して、４フィールド期間に１フ
ィールドの割合で外部に出力される。ここで出力アンプ
４は、一例として２段のソースフォロア回路１５と１６
で構成された場合が示されている。またソースフォロア
回路を構成するＭＯＳ−ＦＥＴのうち、下側のＭＯＳ負
荷抵抗１７、１８のゲート端子には、アンプゲート制御
回路５が接続されている。
【００１８】ここで、アンプゲート制御回路５の働き
は、信号出力期間のみ＋１〜＋３Ｖ程度の電圧を印加し
て出力アンプ４が活動状態になるようにし、信号蓄積期
間では０Ｖ（ＧＮＤ電圧）の電圧を印加して出力アンプ
４が休止状態となるように動作している。
は、信号出力期間のみ＋１〜＋３Ｖ程度の電圧を印加し
て出力アンプ４が活動状態になるようにし、信号蓄積期
間では０Ｖ（ＧＮＤ電圧）の電圧を印加して出力アンプ
４が休止状態となるように動作している。
【００１９】図３にＭＯＳ負荷抵抗（ロードトランジス
タ）１７、１８の伝達特性を示す。本実施の形態では、
ＭＯＳ負荷抵抗としてエンハンスメント型を想定してい
るため、アンプゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）Ｖ
AGとして約＋２Ｖを印加したとき所定の量のドレイン電
流ＩD が流れ、出力アンプ４が活動状態となることが分
かる。また、アンプゲート電圧ＶAGが０Ｖのときにはド
レイン電流ＩD が零となり、ＭＯＳ負荷抵抗１７、１８
がカットオフして出力アンプ４が休止状態となることが
分かる。
タ）１７、１８の伝達特性を示す。本実施の形態では、
ＭＯＳ負荷抵抗としてエンハンスメント型を想定してい
るため、アンプゲート電圧（ゲート・ソース間電圧）Ｖ
AGとして約＋２Ｖを印加したとき所定の量のドレイン電
流ＩD が流れ、出力アンプ４が活動状態となることが分
かる。また、アンプゲート電圧ＶAGが０Ｖのときにはド
レイン電流ＩD が零となり、ＭＯＳ負荷抵抗１７、１８
がカットオフして出力アンプ４が休止状態となることが
分かる。
【００２０】次に、出力アンプ４から出力される振幅変
調された電圧信号は、映像信号処理回路６で雑音除去さ
れると同時に時系列映像信号に変換され、さらに規定レ
ベルまでの増幅やガンマ処理等の非線形処理が施された
後に、通常の映像信号として外部に出力される。但し、
映像信号処理回路６から出力される映像信号は、図２の
１９に示すごとく、４フィールド期間に１フィールドの
割合で出力される間欠信号であるため、フレームメモリ
７を介して、連続した映像信号２０に変換される。
調された電圧信号は、映像信号処理回路６で雑音除去さ
れると同時に時系列映像信号に変換され、さらに規定レ
ベルまでの増幅やガンマ処理等の非線形処理が施された
後に、通常の映像信号として外部に出力される。但し、
映像信号処理回路６から出力される映像信号は、図２の
１９に示すごとく、４フィールド期間に１フィールドの
割合で出力される間欠信号であるため、フレームメモリ
７を介して、連続した映像信号２０に変換される。
【００２１】本発明は上述した実施の形態には限定せ
ず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可
能である。例えば、ＭＯＳ負荷抵抗はデプレッション型
でも良い。この場合には、信号出力期間ではアンプゲー
ト電圧ＶAGとして０Ｖ（ＧＮＤ電圧）を印加することに
より、ＭＯＳ負荷抵抗をオン状態にして出力アンプを活
動状態にし、また、信号蓄積区間ではアンプゲート電圧
ＶAGとして−８〜−９Ｖ程度の電圧を印加することによ
り、ＭＯＳ負荷抵抗をオフ状態にして出力アンプを休止
状態にすれば良い。
ず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可
能である。例えば、ＭＯＳ負荷抵抗はデプレッション型
でも良い。この場合には、信号出力期間ではアンプゲー
ト電圧ＶAGとして０Ｖ（ＧＮＤ電圧）を印加することに
より、ＭＯＳ負荷抵抗をオン状態にして出力アンプを活
動状態にし、また、信号蓄積区間ではアンプゲート電圧
ＶAGとして−８〜−９Ｖ程度の電圧を印加することによ
り、ＭＯＳ負荷抵抗をオフ状態にして出力アンプを休止
状態にすれば良い。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の固体撮像装置では、アンプゲート制御回路の作用によ
り、信号出力期間のみ出力アンプが活動状態となり、そ
の他の信号蓄積期間では出力アンプが休止状態となって
いる。このため、出力アンプの発熱、および出力アンプ
を構成するＭＯＳ−ＦＥＴのショートチャネル効果に起
因して発生するホットエレクトロンの拡散は、上記実施
の形態の場合、従来例の約１／４に軽減される。さら
に、蓄積時間が長くなるに従って、すなわち、高感度に
なるに従って、この効果は顕著となる。このため、アン
プ近傍の光電変換素子群に他の領域よりも多くの不要電
荷（暗電流）が蓄積されることによって発生する再生画
面の左上をピークとする黒レベルのシェーディングを低
減することができ、その効果は大きい。
の固体撮像装置では、アンプゲート制御回路の作用によ
り、信号出力期間のみ出力アンプが活動状態となり、そ
の他の信号蓄積期間では出力アンプが休止状態となって
いる。このため、出力アンプの発熱、および出力アンプ
を構成するＭＯＳ−ＦＥＴのショートチャネル効果に起
因して発生するホットエレクトロンの拡散は、上記実施
の形態の場合、従来例の約１／４に軽減される。さら
に、蓄積時間が長くなるに従って、すなわち、高感度に
なるに従って、この効果は顕著となる。このため、アン
プ近傍の光電変換素子群に他の領域よりも多くの不要電
荷（暗電流）が蓄積されることによって発生する再生画
面の左上をピークとする黒レベルのシェーディングを低
減することができ、その効果は大きい。
【図１】本発明の一実施形態による２次元固体撮像装置
の構成を示すブロック図である。
の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示した２次元固体撮像装置の動作を説明
するためのタイミング図である。
するためのタイミング図である。
【図３】図１に示した２次元固体撮像装置に使用される
出力アンプを構成するＭＯＳ負荷抵抗の伝達特性を示す
図である。
出力アンプを構成するＭＯＳ負荷抵抗の伝達特性を示す
図である。
【図４】従来の２次元固体撮像装置の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図５】図４に示した２次元固体撮像装置の動作を説明
するためのタイミング図である。
するためのタイミング図である。
１ ＣＣＤ撮像領域 ２ ＣＣＤ水平レジスタ ３ 電荷検出部 ４ 出力アンプ ５ アンプゲート制御回路 ６ 映像信号処理回路 ７ フレームメモリ ８ ＣＣＤ駆動回路 ９ 蓄積時間制御回路 １１ 出力ゲート電極 １２ フローティング・ディフュージョン領域 １３ リセットゲート電極 １４ リセットドレイン １５，１６ ソースフォロア回路 １７，１８ ＭＯＳ負荷抵抗（ロードトランジスタ）
Claims (4)
- 【請求項１】 入射光量に応じた信号電荷を蓄積する撮
像領域と、 前記信号電荷の蓄積時間を制御する蓄積時間手段と、 前記蓄積時間内に蓄積された前記信号電荷を順次転送す
る電荷転送手段と、 該電荷転送手段により転送されてきた前記信号電荷を電
圧信号に変換する電荷検出部と、 該電荷検出部に接続され、前記電圧信号を映像信号とし
て外部に出力する少なくとも１段以上のＭＯＳ−ＦＥＴ
によるソースフォロア回路で構成された出力アンプと、 該出力アンプを構成するＭＯＳ負荷抵抗のゲートに接続
されたアンプゲート制御回路とを具備することを特徴と
する固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記ＭＯＳ負荷抵抗がエンハンスメント
型である、請求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記ＭＯＳ負荷抵抗がデプレッション型
である、請求項１に記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の固体撮像装置を駆動す
る方法であって、 前記アンプゲート制御回路から所定の制御電圧を発生さ
せることにより、信号出力区間では前記ＭＯＳ負荷抵抗
をオン状態にして前記出力アンプを活動状態にし、信号
蓄積期間では前記ＭＯＳ負荷抵抗をオフ状態にして前記
出力アンプを休止状態にすることを特徴とする固体撮像
装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7326721A JPH09168119A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7326721A JPH09168119A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09168119A true JPH09168119A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18190942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7326721A Pending JPH09168119A (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09168119A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004347625A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-12-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板及び発光装置 |
| US6862041B2 (en) | 2000-01-27 | 2005-03-01 | Nec Electronics Corporation | Circuit for processing charge detecting signal having FETS with commonly connected gates |
| CN100388759C (zh) * | 2004-06-04 | 2008-05-14 | 松下电器产业株式会社 | 成像设备 |
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| US8026877B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP7326721A patent/JPH09168119A/ja active Pending
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| US8400067B2 (en) | 2003-03-26 | 2013-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light emitting device |
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| US11430845B2 (en) | 2003-03-26 | 2022-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Element substrate and light-emitting device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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