JP2002208685A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JP2002208685A JP2002208685A JP2001003172A JP2001003172A JP2002208685A JP 2002208685 A JP2002208685 A JP 2002208685A JP 2001003172 A JP2001003172 A JP 2001003172A JP 2001003172 A JP2001003172 A JP 2001003172A JP 2002208685 A JP2002208685 A JP 2002208685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- photoelectric conversion
- film
- state imaging
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外線領域における感度を確保した上で暗電
流の低減を図る。 【解決手段】 半導体基板４の表面部に光電変換素子８
および垂直電荷転送レジスター１０が形成され、全体
が、窒素を含有しない透明な絶縁材料、具体的にはシリ
コンの酸化物から成る平坦化膜２２により覆われてい
る。そして光電変換素子８の受光部２０前方の箇所を除
いて、半導体基板４の表面部全体に、遮光膜２６を介し
て、シリコン窒化膜２４が被着されている。これによ
り、固体撮像素子２の暗電流が抑えられ、また、紫外線
は、窒素を含有しない平坦化膜２２を通じ吸収されるこ
となく光電変換素子８に入射するので、紫外線領域にお
ける感度が低下することもない。
流の低減を図る。 【解決手段】 半導体基板４の表面部に光電変換素子８
および垂直電荷転送レジスター１０が形成され、全体
が、窒素を含有しない透明な絶縁材料、具体的にはシリ
コンの酸化物から成る平坦化膜２２により覆われてい
る。そして光電変換素子８の受光部２０前方の箇所を除
いて、半導体基板４の表面部全体に、遮光膜２６を介し
て、シリコン窒化膜２４が被着されている。これによ
り、固体撮像素子２の暗電流が抑えられ、また、紫外線
は、窒素を含有しない平坦化膜２２を通じ吸収されるこ
となく光電変換素子８に入射するので、紫外線領域にお
ける感度が低下することもない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子に関
し、特に紫外線領域に感度を有する固体撮像素子に関す
るものである。
し、特に紫外線領域に感度を有する固体撮像素子に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ
Ｄｅｖｉｃｅ）撮像素子は、半導体基板上に多数の光
電変換素子をマトリクス状に配列して、光電変換素子の
各列ごとにＣＣＤ構造の垂直電荷転送レジスターを配置
するとともに垂直電荷転送レジスターの一端部に水平電
荷転送レジスターを配置し、半導体基板の表面部全体を
平坦化膜により覆って構成されている。
Ｄｅｖｉｃｅ）撮像素子は、半導体基板上に多数の光
電変換素子をマトリクス状に配列して、光電変換素子の
各列ごとにＣＣＤ構造の垂直電荷転送レジスターを配置
するとともに垂直電荷転送レジスターの一端部に水平電
荷転送レジスターを配置し、半導体基板の表面部全体を
平坦化膜により覆って構成されている。
【０００３】ところで、このようなＣＣＤ撮像素子で
は、光が入射していない状態でも暗電流として微弱な検
出電流が出力されるが、この暗電流は、上記平坦化膜
を、窒素を含むシリコンの窒化膜（たとえばＳｉＮやＳ
ｉＯＮ）により形成することで抑制し得ることが従来よ
り知られている。窒化膜による暗電流の抑制効果は、窒
化膜が膜中に水素を豊富に含有しおり、窒化膜から半導
体基板に水素が供給される結果、得られるものである。
は、光が入射していない状態でも暗電流として微弱な検
出電流が出力されるが、この暗電流は、上記平坦化膜
を、窒素を含むシリコンの窒化膜（たとえばＳｉＮやＳ
ｉＯＮ）により形成することで抑制し得ることが従来よ
り知られている。窒化膜による暗電流の抑制効果は、窒
化膜が膜中に水素を豊富に含有しおり、窒化膜から半導
体基板に水素が供給される結果、得られるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、窒化膜は、波長
が４００ｎｍ以下の紫外線領域の光、特に波長が２００
ｎｍ以下の光を吸収する性質を有している。したがっ
て、紫外線領域に感度を有するＣＣＤ撮像素子を製作す
る場合には、紫外線領域において十分な感度を確保する
ため、上記平坦化膜として窒化膜を用いることができな
い。その結果、紫外線領域に感度を有するＣＣＤ撮像素
子では暗電流の増加が問題となっており、その抑制が課
題となっていた。
が４００ｎｍ以下の紫外線領域の光、特に波長が２００
ｎｍ以下の光を吸収する性質を有している。したがっ
て、紫外線領域に感度を有するＣＣＤ撮像素子を製作す
る場合には、紫外線領域において十分な感度を確保する
ため、上記平坦化膜として窒化膜を用いることができな
い。その結果、紫外線領域に感度を有するＣＣＤ撮像素
子では暗電流の増加が問題となっており、その抑制が課
題となっていた。
【０００５】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、紫外線領域における感度
を確保した上で暗電流の低減を図った固体撮像素子を提
供することにある。
なされたもので、その目的は、紫外線領域における感度
を確保した上で暗電流の低減を図った固体撮像素子を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、半導体基板上に多数の光電変換素子が相互に
間隔をおいて配列され、前記光電変換素子の受光部前方
の箇所を含めて半導体基板表面部の少なくとも主要部
が、窒素を含有しない透明な絶縁材料から成る膜により
覆われている固体撮像素子であって、前記光電変換素子
の受光部前方の箇所を除いて、前記半導体基板の表面部
に、窒素を含有する膜が被着されていることを特徴とす
る。
するため、半導体基板上に多数の光電変換素子が相互に
間隔をおいて配列され、前記光電変換素子の受光部前方
の箇所を含めて半導体基板表面部の少なくとも主要部
が、窒素を含有しない透明な絶縁材料から成る膜により
覆われている固体撮像素子であって、前記光電変換素子
の受光部前方の箇所を除いて、前記半導体基板の表面部
に、窒素を含有する膜が被着されていることを特徴とす
る。
【０００７】このように本発明の固体撮像素子では、半
導体基板の表面部に、窒素を含有する膜が被着されてい
るため、この膜が豊富に含む水素が半導体基板に供給さ
れ、固体撮像素子の暗電流が抑制される。一方、窒素を
含有する膜は、光電変換素子の受光部前方の箇所には被
着されていないので、紫外線は吸収されることなく光電
変換素子の受光部に到達し、したがって紫外線領域にお
ける感度が損なわれることがない。
導体基板の表面部に、窒素を含有する膜が被着されてい
るため、この膜が豊富に含む水素が半導体基板に供給さ
れ、固体撮像素子の暗電流が抑制される。一方、窒素を
含有する膜は、光電変換素子の受光部前方の箇所には被
着されていないので、紫外線は吸収されることなく光電
変換素子の受光部に到達し、したがって紫外線領域にお
ける感度が損なわれることがない。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態例につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明による固体撮
像素子の一例を示す部分断面側面図、図２は実施の形態
例の固体撮像素子を示す平面図である。なお、図１は図
２におけるＡ−Ａ’線に沿った断面を示している。図２
に示したように、本実施の形態例の固体撮像素子２で
は、シリコンから成る半導体基板４上の撮像領域６に多
数の光電変換素子８（フォトセンサーともいう）が相互
に間隔をおいてマトリクス状に配列されている。そして
光電変換素子８の各列ごとに垂直電荷転送レジスター１
０が、光電変換素子８の列方向に延設され、垂直電荷転
送レジスター１０の一端部に水平電荷転送レジスター１
２が配置されている。また、水平電荷転送レジスター１
２の一方の端部には出力部１４が形成されている。
て図面を参照して説明する。図１は本発明による固体撮
像素子の一例を示す部分断面側面図、図２は実施の形態
例の固体撮像素子を示す平面図である。なお、図１は図
２におけるＡ−Ａ’線に沿った断面を示している。図２
に示したように、本実施の形態例の固体撮像素子２で
は、シリコンから成る半導体基板４上の撮像領域６に多
数の光電変換素子８（フォトセンサーともいう）が相互
に間隔をおいてマトリクス状に配列されている。そして
光電変換素子８の各列ごとに垂直電荷転送レジスター１
０が、光電変換素子８の列方向に延設され、垂直電荷転
送レジスター１０の一端部に水平電荷転送レジスター１
２が配置されている。また、水平電荷転送レジスター１
２の一方の端部には出力部１４が形成されている。
【０００９】このような構成において、各光電変換素子
８が光を受光して生成した電荷は対応する垂直電荷転送
レジスター１０に出力され、垂直電荷転送レジスター１
０はこの電荷を順次、水平電荷転送レジスター１２に向
けて転送する。水平電荷転送レジスター１２は各垂直電
荷転送レジスター１０から電荷を受け取って出力部１４
に転送し、出力部１４から映像信号が出力される。
８が光を受光して生成した電荷は対応する垂直電荷転送
レジスター１０に出力され、垂直電荷転送レジスター１
０はこの電荷を順次、水平電荷転送レジスター１２に向
けて転送する。水平電荷転送レジスター１２は各垂直電
荷転送レジスター１０から電荷を受け取って出力部１４
に転送し、出力部１４から映像信号が出力される。
【００１０】図１に示したように、光電変換素子８およ
び垂直電荷転送レジスター１０は半導体基板４の表面部
に形成され、その上をシリコン酸化膜１６が覆ってい
る。各垂直電荷転送レジスター１０の上方には、上記シ
リコン酸化膜１６を介して、光電変換素子８に係わるポ
リシリコンによる電極１８が形成されて、その表面もシ
リコン酸化膜１６により覆われている。さらに、半導体
基板４は、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所を含
めて本実施の形態例では全体が、窒素を含有しない透明
な絶縁材料、具体的にはＳｉＯ 2などのシリコンの酸化
物から成る平坦化膜２２により覆われている。
び垂直電荷転送レジスター１０は半導体基板４の表面部
に形成され、その上をシリコン酸化膜１６が覆ってい
る。各垂直電荷転送レジスター１０の上方には、上記シ
リコン酸化膜１６を介して、光電変換素子８に係わるポ
リシリコンによる電極１８が形成されて、その表面もシ
リコン酸化膜１６により覆われている。さらに、半導体
基板４は、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所を含
めて本実施の形態例では全体が、窒素を含有しない透明
な絶縁材料、具体的にはＳｉＯ 2などのシリコンの酸化
物から成る平坦化膜２２により覆われている。
【００１１】そして、本実施の形態例では、図１に示し
たように、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所を除
いて、半導体基板４の表面部全体に、窒素を含有する
膜、具体的にはＳｉＮやＳｉＯＮなどのシリコン窒化膜
２４が被着されている。より詳しくは、本実施の形態例
では、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所を除い
て、半導体基板４の表面部に遮光膜２６が被着され、シ
リコン窒化膜２４は遮光膜２６の上に形成されている。
なお、図２では電極１８、遮光膜２６、ならびにシリコ
ン窒化膜２４などは省略されている。遮光膜２６および
シリコン窒化膜２４は、たとえば、いったん基板表面全
体にこれらの膜を形成した後、フォトリソグラフィーな
どによりこれらの膜を光電変換素子８の受光部２０前方
の箇所で除去することにより形成することができる。
たように、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所を除
いて、半導体基板４の表面部全体に、窒素を含有する
膜、具体的にはＳｉＮやＳｉＯＮなどのシリコン窒化膜
２４が被着されている。より詳しくは、本実施の形態例
では、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所を除い
て、半導体基板４の表面部に遮光膜２６が被着され、シ
リコン窒化膜２４は遮光膜２６の上に形成されている。
なお、図２では電極１８、遮光膜２６、ならびにシリコ
ン窒化膜２４などは省略されている。遮光膜２６および
シリコン窒化膜２４は、たとえば、いったん基板表面全
体にこれらの膜を形成した後、フォトリソグラフィーな
どによりこれらの膜を光電変換素子８の受光部２０前方
の箇所で除去することにより形成することができる。
【００１２】このように本実施の形態例の固体撮像素子
２では、半導体基板４の表面部に、窒素を含有するシリ
コン窒化膜２４が広く被着されているため、この窒化膜
２４が豊富に含む水素が半導体基板４に供給され、固体
撮像素子２の暗電流が抑制される。一方、シリコン窒化
膜２４は、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所には
被着されていないので、紫外線は吸収されることなく光
電変換素子８の受光部２０に到達し、したがって固体撮
像素子２の感度は紫外線領域において損なわれることが
ない。
２では、半導体基板４の表面部に、窒素を含有するシリ
コン窒化膜２４が広く被着されているため、この窒化膜
２４が豊富に含む水素が半導体基板４に供給され、固体
撮像素子２の暗電流が抑制される。一方、シリコン窒化
膜２４は、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所には
被着されていないので、紫外線は吸収されることなく光
電変換素子８の受光部２０に到達し、したがって固体撮
像素子２の感度は紫外線領域において損なわれることが
ない。
【００１３】なお、シリコン窒化膜２４は、できるだけ
半導体基板４上の広い範囲に形成することが望ましい
が、暗電流の抑制において要求される性能水準などによ
っては、たとえば撮像領域６のみに形成することも可能
である。また、遮光膜２６もその目的上、撮像領域６の
みに形成してもよい。
半導体基板４上の広い範囲に形成することが望ましい
が、暗電流の抑制において要求される性能水準などによ
っては、たとえば撮像領域６のみに形成することも可能
である。また、遮光膜２６もその目的上、撮像領域６の
みに形成してもよい。
【００１４】次に、本発明の第２の実施の形態例につい
て説明する。図３は本発明の第２の実施の形態例として
の固体撮像素子を示す部分断面側面図である。この図面
は上記図１に相当するものとなっており、図１と同一の
要素には同一の符号が付されている。第２の実施の形態
例の固体撮像素子２８が、上記固体撮像素子２と異なる
のは、遮光膜２６とシリコン窒化膜２４の形成順序が入
れ替わっている点である。すなわち、図３に示したよう
に、本実施の形態例では、光電変換素子８の受光部２０
前方の箇所を除いて、シリコン窒化膜２４がまず形成さ
れ、その上に遮光膜２６が形成されている。
て説明する。図３は本発明の第２の実施の形態例として
の固体撮像素子を示す部分断面側面図である。この図面
は上記図１に相当するものとなっており、図１と同一の
要素には同一の符号が付されている。第２の実施の形態
例の固体撮像素子２８が、上記固体撮像素子２と異なる
のは、遮光膜２６とシリコン窒化膜２４の形成順序が入
れ替わっている点である。すなわち、図３に示したよう
に、本実施の形態例では、光電変換素子８の受光部２０
前方の箇所を除いて、シリコン窒化膜２４がまず形成さ
れ、その上に遮光膜２６が形成されている。
【００１５】この第２の実施の形態例においても、半導
体基板４の表面部に、窒素を含有するシリコン窒化膜２
４が広く被着されているため、この膜の作用によって固
体撮像素子２の暗電流が抑制される。一方、シリコン窒
化膜２４は、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所に
は被着されていないので、紫外線は吸収されることなく
光電変換素子８の受光部２０に到達し、したがって固体
撮像素子２８の感度は紫外線領域において損なわれるこ
とがない。
体基板４の表面部に、窒素を含有するシリコン窒化膜２
４が広く被着されているため、この膜の作用によって固
体撮像素子２の暗電流が抑制される。一方、シリコン窒
化膜２４は、光電変換素子８の受光部２０前方の箇所に
は被着されていないので、紫外線は吸収されることなく
光電変換素子８の受光部２０に到達し、したがって固体
撮像素子２８の感度は紫外線領域において損なわれるこ
とがない。
【００１６】特に第２の実施の形態例では、遮光膜２６
が水素を吸蔵し易い金属から成る場合でも、半導体基板
４との間に遮光膜２６が介在しないことから、シリコン
窒化膜２４中の水素が十分に半導体基板４に行き渡た
り、良好な暗電流抑制効果が得られる。
が水素を吸蔵し易い金属から成る場合でも、半導体基板
４との間に遮光膜２６が介在しないことから、シリコン
窒化膜２４中の水素が十分に半導体基板４に行き渡た
り、良好な暗電流抑制効果が得られる。
【００１７】次に本発明の第３の実施の形態例について
説明する。図４は本発明の第３の実施の形態例としての
固体撮像素子を示す平面図である。図中、図２などと同
一の要素には同一の符号が付されている。図４に示した
ように、本実施の形態例の固体撮像素子３０では、半導
体基板４上の周辺領域７にのみ、その表面全体にシリコ
ン窒化膜２４が形成されている。この実施の形態例の構
造でも、周辺領域７の面積が十分に広い場合には、周辺
領域７のシリコン窒化膜２４から水素が半導体基板４に
供給され、上記実施の形態例の場合と同様に暗電流抑制
効果が得られる。そして、撮像領域６にはシリコン窒化
膜は形成されていないので、紫外線は吸収されることな
く光電変換素子８に入射し、したがって、固体撮像素子
３０の紫外線領域における感度が損なわれることがな
い。そして、このようなシリコン窒化膜２４は形状が簡
素であるから、製造時のパターン化が容易である。
説明する。図４は本発明の第３の実施の形態例としての
固体撮像素子を示す平面図である。図中、図２などと同
一の要素には同一の符号が付されている。図４に示した
ように、本実施の形態例の固体撮像素子３０では、半導
体基板４上の周辺領域７にのみ、その表面全体にシリコ
ン窒化膜２４が形成されている。この実施の形態例の構
造でも、周辺領域７の面積が十分に広い場合には、周辺
領域７のシリコン窒化膜２４から水素が半導体基板４に
供給され、上記実施の形態例の場合と同様に暗電流抑制
効果が得られる。そして、撮像領域６にはシリコン窒化
膜は形成されていないので、紫外線は吸収されることな
く光電変換素子８に入射し、したがって、固体撮像素子
３０の紫外線領域における感度が損なわれることがな
い。そして、このようなシリコン窒化膜２４は形状が簡
素であるから、製造時のパターン化が容易である。
【００１８】
【実施例】シリコン窒化膜２４の膜厚は、厚くするほど
豊富な水素が供給され暗電流を抑制する効果が大きくな
るが、通常、たとえば２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度す
ることで十分な効果を得ることができる。遮光膜２６の
材料としては一般にタングステン（Ｗ），ＷＳｉ，Ａｌ
などが用いられ、その厚さは１００ｎｍ〜１０００ｎｍ
とされる。
豊富な水素が供給され暗電流を抑制する効果が大きくな
るが、通常、たとえば２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度す
ることで十分な効果を得ることができる。遮光膜２６の
材料としては一般にタングステン（Ｗ），ＷＳｉ，Ａｌ
などが用いられ、その厚さは１００ｎｍ〜１０００ｎｍ
とされる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板上に多数の光電変換素子が相互に間隔をおいて配列さ
れ、前記光電変換素子の受光部前方の箇所を含めて半導
体基板表面部の少なくとも主要部が、窒素を含有しない
透明な絶縁材料から成る膜により覆われている固体撮像
素子であって、前記光電変換素子の受光部前方の箇所を
除いて、前記半導体基板の表面部に、窒素を含有する膜
が被着されていることを特徴とする。
板上に多数の光電変換素子が相互に間隔をおいて配列さ
れ、前記光電変換素子の受光部前方の箇所を含めて半導
体基板表面部の少なくとも主要部が、窒素を含有しない
透明な絶縁材料から成る膜により覆われている固体撮像
素子であって、前記光電変換素子の受光部前方の箇所を
除いて、前記半導体基板の表面部に、窒素を含有する膜
が被着されていることを特徴とする。
【００２０】このように本発明の固体撮像素子では、半
導体基板の表面部に、窒素を含有する膜が被着されてい
るため、この膜が豊富に含む水素が半導体基板に供給さ
れ、固体撮像素子の暗電流が抑制される。一方、窒素を
含有する膜は、光電変換素子の受光部前方の箇所には被
着されていないので、紫外線は吸収されることなく光電
変換素子の受光部に到達し、したがって紫外線領域にお
ける感度が損なわれることがない。
導体基板の表面部に、窒素を含有する膜が被着されてい
るため、この膜が豊富に含む水素が半導体基板に供給さ
れ、固体撮像素子の暗電流が抑制される。一方、窒素を
含有する膜は、光電変換素子の受光部前方の箇所には被
着されていないので、紫外線は吸収されることなく光電
変換素子の受光部に到達し、したがって紫外線領域にお
ける感度が損なわれることがない。
【図１】本発明による固体撮像素子の一例を示す部分断
面側面図である。
面側面図である。
【図２】実施の形態例の固体撮像素子を示す平面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施の形態例としての固体撮像
素子を示す部分断面側面図である。
素子を示す部分断面側面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態例としての固体撮像
素子を示す平面図である。
素子を示す平面図である。
２……固体撮像素子、４……半導体基板、６……撮像領
域、７……周辺領域、８……光電変換素子、１０……垂
直電荷転送レジスター、１２……水平電荷転送レジスタ
ー、１４……出力部、１６……シリコン酸化膜、１８…
…電極、２０……受光部、２２……平坦化膜、２４……
シリコン窒化膜、２６……遮光膜、２８……固体撮像素
子、３０……固体撮像素子。
域、７……周辺領域、８……光電変換素子、１０……垂
直電荷転送レジスター、１２……水平電荷転送レジスタ
ー、１４……出力部、１６……シリコン酸化膜、１８…
…電極、２０……受光部、２２……平坦化膜、２４……
シリコン窒化膜、２６……遮光膜、２８……固体撮像素
子、３０……固体撮像素子。
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に多数の光電変換素子が相
互に間隔をおいて配列され、前記光電変換素子の受光部
前方の箇所を含めて半導体基板表面部の少なくとも主要
部が、窒素を含有しない透明な絶縁材料から成る膜によ
り覆われている固体撮像素子であって、 前記光電変換素子の受光部前方の箇所を除いて、前記半
導体基板の表面部に、窒素を含有する膜が被着されてい
ることを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記光電変換素子の受光部前方の箇所を
除いて、前記半導体基板の表面部に遮光膜が被着され、
前記窒素を含有する膜は前記遮光膜の上に形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。 - 【請求項３】 前記光電変換素子の受光部前方の箇所を
除いて、前記窒素を含有する膜の上に遮光膜が形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。 - 【請求項４】 前記光電変換素子は前記半導体基板上の
撮像領域内に配列され、前記窒素を含む膜は、前記撮像
領域の周辺領域の表面部に被着されていることを特徴と
する請求項１記載の固体撮像素子。 - 【請求項５】 前記窒素を含有しない透明な絶縁材料は
シリコンの酸化物であることを特徴とする請求項１記載
の固体撮像素子。 - 【請求項６】 前記窒素を含有しない透明な絶縁材料か
ら成る膜は平坦化膜を構成していることを特徴とする請
求項１記載の固体撮像素子。 - 【請求項７】 前記窒素を含有する膜は、シリコンの窒
化物から成ることを特徴とする請求項１記載の固体撮像
素子。 - 【請求項８】 波長が４００ｎｍ以下の光を検出するこ
とを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001003172A JP2002208685A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001003172A JP2002208685A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208685A true JP2002208685A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=18871562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001003172A Pending JP2002208685A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002208685A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100433346C (zh) * | 2004-08-10 | 2008-11-12 | 索尼株式会社 | 固态成像装置及其制造方法以及照相机 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283667A (ja) * | 1991-01-31 | 1993-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPH07202160A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-08-04 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに半導体装置 |
| JPH0992813A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
| JP2000031456A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-01-11 JP JP2001003172A patent/JP2002208685A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283667A (ja) * | 1991-01-31 | 1993-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPH07202160A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-08-04 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに半導体装置 |
| JPH0992813A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
| JP2000031456A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100433346C (zh) * | 2004-08-10 | 2008-11-12 | 索尼株式会社 | 固态成像装置及其制造方法以及照相机 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1722459B (zh) | 图像传感器和制造其的方法 | |
| TW201027727A (en) | Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus | |
| KR100683390B1 (ko) | 이미지센서의 제조 방법 | |
| US8729650B2 (en) | Solid-state imaging device and method of fabricating the same | |
| JP2995960B2 (ja) | 赤外線ｃｃｄ | |
| JPH08148665A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP4419264B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4878117B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
| JP2002208685A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0424964A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04152674A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2002231915A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04259256A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3339249B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP3496888B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2001308299A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2007035993A (ja) | Ｍｏｓ型固体撮像装置 | |
| JPH09232552A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP4449298B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 | |
| JPH0794699A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0730090A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3413977B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2856774B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10294446A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH05243546A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080107 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090817 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091009 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101020 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101130 |