CN1722459B - 图像传感器和制造其的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。

Description

图像传感器和制造其的方法
技术领域
本发明涉及图像传感器，且更具体地涉及具有改善的灵敏度的CMOS图像传感器。
背景技术
图像传感器是从物体接收光信号且将光信号转化为电信号的器件。电信号然后可以被传输用于进一步的处理，诸如数字化，且然后在诸如存储器或光盘或磁盘的存储器件中存储，或用于在显示器上显示、打印等。图像传感器通常用于诸如数字相机、摄像机、打印机、传真机等的装置。
图像传感器通常为两种类型，即，电荷耦合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CIS)。CCD传感器通常具有包括低噪音运转和器件均匀度的优点。CIS器件通常的特征在于低功耗和由于高帧频能力可以在高速运行。
图1包含依据现有技术的图像传感器的示意性部分横截面图。图1的器件包括半导体衬底1，在半导体衬底1上形成隔离区3，隔离区3在其间界定像素有源区3a。多个光敏元件8包括n型光电二极管5和p型空穴聚集器件(HAD)区7，多个光敏元件8形成于衬底1上像素有源区3a中。第一层间介质层9形成于光敏元件8的上方。多个第一互连线11形成于第一层间介质层9的上方。第二层间介质层13形成于第一介质层9和第一互连线11的上方。多个第二互连线15形成于第二层间介质层13上。钝化层19形成于第二互连线15上。彩色滤光器23如所示形成于钝化层19上在有源像素区3a的上方，且平化层(flattening layer)25形成于彩色滤光器23的上方。微透镜27形成于彩色滤光器23上方的平化层25上。
钝化层19用于防止内部电路受到诸如水气的外部环境因素的影响。氮化硅(SiN)通常用作钝化层。但是，SiN比其它一般使用的介质膜诸如二氧化硅(SiO2)具有较高的光子吸收率和较高的折射率。结果，到达光敏元件8被传感器探测的入射光29的量当光通过钝化层19时通过吸收和折射而减小。因此，传感器的灵敏度减小。
发明内容
本发明的特征是提供一种图像传感器，其具有比现有技术的传感器改善的灵敏度。
本发明的另一特征是提供一种制造具有改善的灵敏度的图像传感器的方法。
依据第一方面，本发明涉及一种图像传感器。本发明的图像传感器包括衬底，在衬底上形成有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区。主像素阵列区形成于有源像素阵列区。钝化层形成于图像传感器上，钝化层存在于控制电路区中且不存在于有源阵列区的主像素阵列区和焊盘区的焊接区中。
在一实施例中，有源像素阵列区包括伪像素阵列区。在一实施例中，有源像素阵列区包括光学黑区。
图像传感器可以是CMOS图像传感器。
在一实施例中，钝化层包括氮化硅。
图像传感器可以还包括在有源像素阵列区中的彩色滤光器。图像传感器可以还可以包括形成于有源像素阵列区中的微透镜。图像传感器可以还包括形成于有源像素阵列区中的平化层。
依据另一方面，本发明涉及一种图像传感器。图像传感器包括衬底，在衬底上形成有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区。主像素阵列区形成于有源像素阵列区中。第一钝化层形成于图像传感器上，第一钝化层存在于控制电路区中且不存在于有源阵列区的主像素阵列区和焊盘区的焊接区中。第二钝化层形成于第一钝化层的上方。
在一实施例中，有源像素阵列区包括伪像素阵列区。在一实施例中，有源像素阵列区包括光学黑区。
图像传感器可以是CMOS图像传感器。
在一实施例中，第一和/或第二钝化层包括氮化硅。
图像传感器可以还包括形成于有源像素阵列区中的微透镜。图像传感器可以还可以包括形成于有源像素阵列区中的平化层。
在一实施例中，第二钝化层不存在于焊盘区的焊接区中。在一实施例中，第二钝化层存在于控制电路区中。在一实施例中，第二钝化层存在于有源像素阵列区的主像素阵列区中。
依据另一方面，本发明涉及制造图像传感器的方法，该方法包括：在衬底上形成有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区；在有源像素阵列区中形成主像素阵列区；和在图像传感器上形成钝化层，钝化层存在于控制电路区中，且不存在于有源像素阵列区的主像素阵列区和焊盘区的焊接区中。
在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成伪像素阵列区。在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成光学黑区。
在一实施例中，图像传感器是CMOS图像传感器。钝化层可以包括氮化硅。
在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成彩色滤光器。在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成微透镜。在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成平化层。
在一实施例中，通过包括n型注入和p型注入的两步离子注入工艺形成主像素阵列区。
在一实施例中，本发明的方法还包括在主像素阵列区中形成晶体管。
在一实施例中，本发明的方法还包括：形成层间介质层；形成导电线；在导电线的上方形成钝化层；利用光刻蚀刻钝化层；在钝化层的上方形成彩色滤光器；和在彩色滤光器的上方形成微透镜。该方法可以还包括：形成n型浮置扩散区；在浮置扩散区的上方形成层间第二介质层；在第二层间介质层的上方形成第一互连线；在第一层间介质层的上方形成第二层间介质层；形成绝缘层；在彩色滤光器下形成第一平化层；在彩色滤光器的上方形成第二平化层；蚀刻第一和第二平化层来敞开焊盘区的焊接区；和在第二平化层的上方形成第二钝化层。该方法可以还包括：蚀刻第二钝化层来敞开焊盘区的焊接区；蚀刻第二平化层来敞开焊盘区的焊接区。
依据另一方面，本发明涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在衬底上形成有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区；在有源像素阵列区中形成主像素阵列区；在图像传感器上形成第一钝化层，第一钝化层存在于控制电路区中且不存在于有源阵列区的主像素阵列区和焊盘区的焊接区中；和在第一钝化层的上方形成第二钝化层。
在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成伪像素阵列区。在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成光学黑区。
在一实施例中，本发明的方法还包括，图像传感器可以是CMOS图像传感器。第一和/或第二钝化层可以包括氮化硅。在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成微透镜。在一实施例中，本发明的方法还包括在有源像素阵列区中形成平化层。
在一实施例中，第二钝化层不存在于焊盘区的焊接区。在一实施例中，第二钝化层存在于控制电路区中。在一实施例中，第二钝化层存在于有源像素阵列区的主像素阵列区中。
依据本发明，通过从有源像素阵列区的主像素阵列区去除钝化层，钝化层不干扰被本发明的传感器所探测的入射光。即，在本发明中消除了易于减小现有技术的传感器的灵敏度的现有技术的吸收和折射影响。结果，获得更灵敏的图像传感器。
附图说明
本发明的前述和其它特征和优点将从本发明的实施例的更具体的描述明显易懂，如附图所示。附图不必按比例，而是着重于示出本发明的原理。贯穿附图相似的附图标记指示相似的元件。
图1包含依据现有技术的图像传感器的示意性部分横截面图。
图2包含依据本发明的有源像素的示意图。
图3是依据本发明的CMOS图像传感器的顶平面示意图。
图4是图3的图像传感器IS的一实施例的部分横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。
图5是图3的图像传感器IS的另一实施例的部分横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。
图6包含依据本发明制造图像传感器的方法的一实施例的步骤的横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。
图7包含依据本发明制造图像传感器的方法的一实施例的附加步骤的横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。
图8包含依据本发明制造图像传感器的方法的一实施例的附加步骤的横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。
图9包含依据本发明制造图像传感器的方法的另一实施例的附加步骤的横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。
具体实施方式
图2包含依据本发明的有源像素PX的示意图。有源像素PX包括光电二极管PD，用于俘获光且将它转换为电信号，即一定量的电荷。传输晶体管TX从光电二极管PD接收电荷且将电荷从光电二极管传输到像素传感器电路的浮置扩散区。重置二极管RX用于重置在浮置扩散区中聚集的任何电荷至基准电平。以源跟随器方式连接驱动晶体管DX以缓冲输出电压Vout。在选择像素电路期间使用选择晶体管SX。
传输晶体管TX的栅电极电连接到电路的传输线TL。重整晶体管RX的栅电极电连接到重置线RL。选择晶体管SX的栅电极电连接到字线WL。
图3是依据本发明的CMOS图像传感器的顶平面示意图。图像传感器IS包括具有主像素阵列区A1、可选的伪像素阵列区A2和可选的光学黑区B的有源像素阵列区A。图像传感器IS还包括控制电路区C，其可以包括：行驱动器C1、列驱动器E和其它电路C2，其可以包括诸如相关双取样器(CDS)、模拟数字转换器(ADC)、数字信号处理器(DSP)和其它与图像传感器IS的运行有关的其他电路。图像传感器IS还包括焊盘区D，在焊盘区D可以将诸如引线和导电线路的电连接焊接到图像传感器IS。
图4是图3的图像传感器IS的一实施例的部分横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。参考图4，所显示的传感器包括有源像素阵列区A，其包括主像素阵列区A1、伪像素阵列区A2和光学黑区B。还显示了控制电路区C和焊盘区D。
图4的传感器形成于半导体衬底51上。隔离区53形成于衬底51中来界定主像素有源区53a、基准像素(光学黑)有源区53b和伪像素有源区53c。在主像素阵列区的有源区A1、光学黑区B和伪像素阵列区A2中分别界定光敏区60a、60b和60c。每个光敏区60a、60b和60c包括n型光电二极管55和p型HAD区59。
层间介质层72形成于衬底51和光敏区的上方。在图4所示的实施例中，层间介质层72包括第一层间介质层63、在第一层间介质层63上方的第二层间介质层67和在第二层间介质层67上的第三层间介质层71。第一互连线65形成于第一层间介质层63的上方，第二层间介质层67形成于第一互连线65的上方。第二互连线69形成于第二层间介质层67的上方，第三层间介质层71形成于第二互连线69的上方。第二互连线69包括有源像素阵列区A中的第一部分69a和在控制电路区C中的第二部分69b。
由例如导电铝制成的层73形成于第三层间介质层71的上方。层73包括形成于光学黑区B的光阻挡层73a、形成于控制电路区C的电源线部分73b和形成于焊盘区D中的焊盘部分73c。导电层73的部分73c在焊盘区D的焊盘焊接区域中。由例如氧化硅制成的绝缘层形成于第三层间介质层71和导电层73的上方，导电层73包括光阻挡部分73a和电源线部分73b。绝缘层不存在于导电层73的焊盘焊接部分73c上。
由例如氮化硅(SiN)制成的钝化层77a形成于绝缘层75的上方。钝化层77a不存在于有源像素阵列区A的主像素阵列区A1的上方。钝化层部分地存在于有源像素阵列区A的伪像素阵列区A2中。钝化层77a存在于光学黑区B和控制电路C中。钝化层77a部分地存在于焊盘区D中，其中其不存在于焊盘区D的实际焊接区中。
平化层79在有源像素阵列区A的主像素阵列区A1中形成于钝化层77a的上方和的绝缘层75的上方。标记为81R、81G和81B和81B’的彩色滤光器形成于主像素阵列区A1、光学黑区B和控制电路区C的上方。第二平化层83形成于彩色滤光器的上方，除了焊盘区D的焊接区中。微透镜85在有源像素阵列区A的主像素阵列A1和光学黑区B中形成于第二平化层83的上方。
因此，依据本发明，已知微透镜85和彩色滤光器保护主像素阵列区A1免受诸如水气的外部环境影响。因此，钝化层77a不用于主像素阵列区A1中。因此，在主像素阵列区A1中被探测的入射光不需经过钝化层77a。结果，由钝化层导致的现有技术的器件中的吸收和折射得到消除，且实现了具有更高灵敏度的传感器。
注意在图4所示的本发明的实施例中，钝化层77a不存在于有源像素阵列区A的主像素阵列区A1中。钝化层77a可以或可以不出现于光学黑区B中。它可以或可以不存在于伪像素阵列区A2中。它可以存在于控制电路区C中，且它可以部分地存在于焊盘区D中，其中它不存在于焊盘区D的实际焊盘焊接区中。
图5是图3的图像传感器IS的另一实施例的部分横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。图5的传感器是黑白传感器。因此，它不包括图4的实施例的彩色滤光器。因为彩色滤光器不存在，它们提供的对于诸如水气的外部环境影响的保护也不存在。因此，为了保护图5的传感器免受水气和其它影响，在形成图3的传感器的钝化层之后增加第二钝化层。允许第二钝化层保留于有源像素阵列区A的主像素阵列区A中来保护主像素阵列区A1免受外部环境影响。
除了缺少彩色滤光器和存在第二钝化层之外，图5的图像传感器非常相似于图4的图像传感器。具体地，图5的传感器与图4的传感器直到氧化硅绝缘层75都是相同的。因此，这里将不重复两个传感器的相似特征的描述。
参考图5，由例如氮化硅(SiN)制成的第一钝化层77a形成于绝缘层75的上方。第一钝化层77a不存在于有源像素阵列区A的主像素阵列区A1的上方。第一钝化层77a部分地存在于有源像素阵列区A的伪像素阵列区A2中。第一钝化层77a存在于光学黑区B和控制电路区C中。第一钝化层77a部分地存在于焊盘区D中，其中它不存在于焊盘区D的实际焊接区中。
由例如氮化硅制成的第二钝化层129在主像素阵列区A1中形成于绝缘层75的上方、在伪像素阵列区A2中绝缘层75和第一钝化层77a的上方、在光学黑区B、控制电路区C和焊盘区D中第一钝化层77a的上方。第二钝化层129不存在于焊盘区D的焊接区中。在一实施例中，第一钝化层77a是第二钝化层129的五倍厚。例如，在一特别的实施例中，第一钝化层是1000厚，而第二钝化层129是200厚。
平化层131在有源像素阵列区A的主像素阵列区A1中形成于第二钝化层129和绝缘层75的上方。微透镜135可以可选地在有源像素阵列区A的主像素阵列区A1和光学黑区B中形成于平化层131的上方。
如上所述，在图5的传感器中，第二钝化层129在没有彩色滤光器的主像素阵列区中提供保护使之免受诸如水气的外部环境影响，彩色滤光器在图4的实施例中提供保护。因为第二钝化层129比较薄，光吸收和折射效应被最小化，再次获得具有改善灵敏度的传感器。
在图5的图像传感器的实施例中，第一钝化层77a不存在于主像素阵列区A1中。它存在于控制电路区C中，它部分地存在于焊盘区D中，其中它不存在于焊盘区D的焊盘焊接区中。第一钝化层77a可以或可以不存在于伪像素阵列区A2和光学黑区B中。第二钝化层129存在于主像素阵列区A1中且部分地存在于焊盘区D中。第二钝化层129可选地存在于控制电路区C、伪像素阵列区A2和光学黑区B中。通常，在这些后面的三个区域中，如果没有允许去除第二钝化层129的随后的光刻制造步骤，第二钝化层129将被允许保留。即，因为第二钝化层129是可选的，就制造时间和成本的观点而言，不包括从这些区域去除层129的特别的步骤是受到欢迎的。
图6包含依据本发明制造图像传感器的方法的一实施例的步骤的横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。参考图6，制备半导体衬底51，且在衬底51中形成隔离区53来界定主像素有源区53a、基准像素(光黑)有源区53b和伪像素有源区53c。在主像素阵列区的有源区A1、光学黑区B和伪像素阵列区A2中分别界定光敏区60a、60b和60c。每个光敏区60a、60b和60c包括n型光电二极管55和p型HAD区59。光敏区可以通过两步离子注入工艺形成，其包括n型注入来形成n型光电二极管55和p型注入来形成p型HAD区59。
如图所示，可以通过在表面上形成晶体管栅结构和通过形成n型浮置扩散区61在该结构上形成晶体管。第一层间介质层63形成于该结构的上方，且第一互连线65形成于第一层间介质层63的上方。
图7包含依据本发明制造图像传感器的方法的一实施例的附加步骤的横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。参考图7，在衬底51和光敏区域的上方形成层间介质层72。通过形成第一层间介质层63，在第一层间介质层63的上方形成第二层间介质层67和在第二层间介质层67的上方形成第三层间介质层71来形成层间介质层62。在第一层间介质层63的上方形成第一互连线65，且在第一互连线65的上方形成第二层间介质层67。在第二层间介质层67的上方形成第二互连线69，且在第二互连线69的上方形成第三层间介质层71。第二互连线69包括在有源像素阵列区A中的第一部分69a和在控制电路区C中的第二部分69b。
在第三层间介质层71的上方形成由例如导电铝制成的导电线或层73。层73包括形成于光学黑区B中的光阻挡层73a、形成于控制电路区C中的电源线部分73b和形成于焊盘区D中的焊盘部分73c。导电层73的部分73c在焊盘区D的焊盘焊接区中。在第三层间介质层71和导电层73的上方形成由例如氧化硅制成的绝缘层，导电层73包括光阻挡部分73a和电源线部分73b。绝缘层不存在于导电层73的焊盘焊接部分73c上。在绝缘层75的上方形成由例如氮化硅(SiN)制成的钝化层77a。
图8包含如图4、6和7的制造图像传感器的方法中的附加步骤的横截面示意图。参考图8，蚀刻钝化层77a使得它从主像素阵列区A1和部分的伪像素阵列区A2和焊盘区D的焊接区去除。即，在蚀刻钝化层77a之后，钝化层77a不存在于有源像素阵列区A的主像素阵列区A1的上方。钝化层77a部分地存在于有源像素阵列区A的伪像素阵列区A2中。钝化层77a存在于光学黑区B和控制电路区C中。钝化层77a部分地存在于焊盘区D中，其中它不存在于焊盘区D的实际焊接区中。
在钝化层77a的上方和绝缘层75的上方在有源像素阵列区A的主像素阵列区A1中形成平化层79。在主像素阵列区A1、光学黑区B和控制电路区C的上方形成标记81R、81G、81B和81B’的彩色滤光器。在彩色滤光器的上方，除了焊盘区D的焊接区之外形成第二平化层83。
在第二平化层83的上方在有源像素阵列区A的主像素阵列区A1和光学黑区B中形成微透镜85。
图9包含依据本发明制造图像传感器的方法的另一实施例中的附加步骤的横截面示意图，沿图3的线I-I’截取。具体地，图9示出了在制造图5的传感器中使用的步骤，其不同于用于图4的传感器的图6至图8所示的步骤。直至形成第一钝化层77a之前，制造图5的传感器中使用的步骤与用于图4的传感器的那些步骤相同。因此，不重复相似步骤的描述。
参考图9，在绝缘层75的上方形成由例如具有50至400厚度的氮化硅制成的第二钝化层129。蚀刻第二钝化层129来敞开焊盘区D的焊盘焊接区。即，蚀刻第二钝化层使得它不存在于焊盘区D的焊接区中。在一实施例中，第一钝化层77a是第二钝化层129的厚度的五倍。例如，在一特别实施例中，第一钝化层77a是1000厚，且第二钝化层129是200厚。
在第二钝化层129的上方形成平化层131且蚀刻平化层131来敞开焊盘区D的焊接区。在有源像素阵列区A的主像素阵列区A1和光学黑区B中在第二平化层131的上方可选地形成微透镜135。应注意作为上述实施例的替换，可以形成三层且然后可以一次蚀刻所有三层来敞开焊盘窗口，在上述实施例中，第一和第二钝化层和平化层均分开地形成和蚀刻来敞开焊盘窗口。
虽然参考其示范性实施例具体显示和描述了本发明，然而本领域的一般技术人员可以理解在不脱离权利要求所界定的本发明的精神和范围内，可以作出形式和细节上的不同变化。
本申请要求于2004年7月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.04-55760的优先权，其全体内容引入作为参考。

Claims (40)

1.一种图像传感器，包括：
衬底，在所述衬底上形成有有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区；
主像素阵列区，形成于所述有源像素阵列区中，所述主像素阵列区包括隔离区和所述隔离区定义的主像素有源区；以及
钝化层，所述钝化层存在于所述控制电路区中，而不存在于所述主像素阵列区的所述隔离区和所述主像素有源区中且不存在于所述焊盘区的焊接区中。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源像素阵列区包括伪像素阵列区。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有源像素阵列区包括光学黑区。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器是CMOS图像传感器。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述钝化层包括氮化硅。
6.如权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述有源像素阵列区中的彩色滤光器。
7.如权利要求1所述的图像传感器，还包括形成于所述有源像素阵列区中的微透镜。
8.如权利要求1所述的图像传感器，还包括形成于所述有源像素阵列区中的平化层。
9.一种图像传感器，包括：
衬底，在所述衬底上形成有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区；
主像素阵列区，形成于所述有源像素阵列区中，所述主像素阵列区包括隔离区和所述隔离区定义的主像素有源区；
第一钝化层，所述第一钝化层存在于所述控制电路区中，而不存在于所述主像素阵列区的所述隔离区和所述主像素有源区中且不存在于所述焊盘区的焊接区中；
第二钝化层，形成于所述第一钝化层的上方且在所述主像素阵列区中。
10.如权利要求9所述的图像传感器，其中，所述有源像素阵列区包括伪像素阵列区。
11.如权利要求9所述的图像传感器，其中，所述有源像素阵列区包括光学黑区。
12.如权利要求9所述的图像传感器，其中，所述图像传感器是CMOS图像传感器。
13.如权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第一钝化层包括氮化硅。
14.如权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第二钝化层包括氮化硅。
15.如权利要求9所述的图像传感器，还包括形成于所述有源像素阵列区中的微透镜。
16.如权利要求9所述的图像传感器，还包括形成于所述有源像素阵列区中的平化层。
17.如权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第二钝化层不存在于所述焊盘区的焊接区中。
18.如权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第二钝化层存在于所述控制电路区中。
19.一种制造图像传感器的方法，包括：
在衬底上形成有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区；
在所述有源像素阵列区中形成主像素阵列区，所述主像素阵列区包括隔离区和所述隔离区定义的主像素有源区；和
形成钝化层，所述钝化层存在于所述控制电路区中，而不存在于所述主像素阵列区的所述隔离区和所述主像素有源区中且不存在于所述焊盘区的焊接区中。
20.如权利要求19所述的方法，还包括在所述有源像素阵列区中形成伪像素阵列区。
21.如权利要求19所述的方法，还包括在所述有源像素阵列区中形成光学黑区。
22.如权利要求19所述的方法，其中，所述图像传感器是CMOS图像传感器。
23.如权利要求19所述的方法，其中，所述钝化层包括氮化硅。
24.如权利要求19所述的方法，还包括在所述有源像素阵列区中形成彩色滤光器。
25.如权利要求19所述的方法，还包括在所述有源像素阵列区中形成微透镜。
26.如权利要求19所述的方法，还包括在所述有源像素阵列区中形成平化层。
27.如权利要求19所述的方法，其中，通过包括n型注入和p型注入的两步离子注入工艺形成所述主像素阵列区。
28.如权利要求19所述的方法，还包括在所述主像素阵列区中形成晶体管。
29.如权利要求21所述的方法，还包括：
在形成所述钝化层之前形成层间介质层；
在所述层间介质层的上方形成导电线，所形成的导电线包括覆盖部分的所述控制电路区的电源线、覆盖部分的焊盘区的焊盘和在有源像素阵列区中覆盖所述光学黑区的光阻挡层，由此暴露在主像素阵列区中的层间介质层；
在所述导电线上形成所述钝化层之后在所述主像素阵列区中在所述层间介质层的上方形成彩色滤光器；和
在所述彩色滤光器的上方形成微透镜。
30.如权利要求29所述的方法，还包括：
在形成层间介质层之前在所述衬底中形成光敏元件；
在所述层间介质层和所述导电线的上方且在所述钝化层之下形成绝缘层；
在形成所述彩色滤光器之前在所述绝缘层和钝化层上方形成第一平化层；
在形成所述彩色滤光器之后在所述彩色滤光器和所述第一平化层的上方形成第二平化层；和
蚀刻所述第一和第二平化层来敞开所述焊盘区的焊盘。
31.一种形成图像传感器的方法，包括：
在衬底上形成有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区；
在所述有源像素阵列区中形成主像素阵列区，所述主像素阵列区包括隔离区和所述隔离区定义的主像素有源区；
形成第一钝化层，所述第一钝化层存在于所述控制电路区中，而不存在于所述主像素阵列区的所述隔离区和所述主像素有源区中且不存在于所述焊盘区的焊接区中；和
在所述第一钝化层的上方且在所述主像素阵列区中形成第二钝化层。
32.如权利要求31所述的方法，还包括在所述有源像素阵列区中形成伪像素阵列区
33.如权利要求31所述的方法，还包括在所述有源像素阵列区中形成光学黑区。
34.如权利要求31所述的方法，其中，所述图像传感器是CMOS图像传感器。
35.如权利要求31所述的方法，其中，所述第一钝化层包括氮化硅。
36.如权利要求31所述的方法，其中，所述第二钝化层包括氮化硅。
37.如权利要求31所述的方法，还包括在所述有源像素阵列区中在第二钝化层上方形成微透镜。
38.如权利要求37所述的方法，还包括在形成所述微透镜之前在所述第二钝化层的上方形成平化层。
39.如权利要求31所述的方法，其中，所述第二钝化层不存在于所述焊盘区的焊接区中。
40.如权利要求31所述的方法，其中，所述第二钝化层存在于所述控制电路区中。
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KR1020040055760A KR100653691B1 (ko) 2004-07-16 2004-07-16 적어도 메인 화소 어레이 영역의 전면을 노출시키는패시베이션막을 갖는 이미지 센서들 및 그 제조방법들
KR55760/04 2004-07-16
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US11/044,135 US7545423B2 (en) 2004-07-16 2005-01-27 Image sensor having a passivation layer exposing at least a main pixel array region and methods of fabricating the same

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Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6979588B2 (en) * 2003-01-29 2005-12-27 Hynix Semiconductor Inc. Method for manufacturing CMOS image sensor having microlens therein with high photosensitivity
US7902624B2 (en) * 2004-02-02 2011-03-08 Aptina Imaging Corporation Barrier regions for image sensors
KR100640531B1 (ko) * 2004-08-20 2006-10-30 동부일렉트로닉스 주식회사 자기 정렬 이미지 센서 제조방법
KR100649022B1 (ko) * 2004-11-09 2006-11-28 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100595601B1 (ko) * 2004-12-14 2006-07-05 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 제조방법
KR100654342B1 (ko) * 2005-02-07 2006-12-08 삼성전자주식회사 이미지 센서
US7704778B2 (en) * 2005-02-23 2010-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Microlens structure for image sensors
US20070010042A1 (en) * 2005-07-05 2007-01-11 Sheng-Chin Li Method of manufacturing a cmos image sensor
FR2902236B1 (fr) * 2006-06-08 2008-12-05 St Microelectronics Sa Realisation d'un filtre de couleurs ameliore sur un dispositif microelectronique imageur comportant une cavite
KR100795922B1 (ko) * 2006-07-28 2008-01-21 삼성전자주식회사 이미지 픽업 소자 및 이미지 픽업 소자의 제조방법
US7547573B2 (en) * 2006-08-01 2009-06-16 United Microelectronics Corp. Image sensor and method of manufacturing the same
KR100790288B1 (ko) * 2006-08-31 2008-01-02 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
CN101197320B (zh) * 2006-12-05 2010-05-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器和cmos图像传感器的制造方法
KR100843969B1 (ko) * 2006-12-20 2008-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100866248B1 (ko) * 2006-12-23 2008-10-30 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지센서의 제조방법
KR100824628B1 (ko) * 2006-12-29 2008-04-24 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7755120B2 (en) * 2007-01-22 2010-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device
US20080173904A1 (en) * 2007-01-22 2008-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMOS image sensors with a bonding pad and methods of forming the same
KR100872990B1 (ko) * 2007-03-19 2008-12-08 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 그의 제조 방법
KR100881200B1 (ko) * 2007-07-30 2009-02-05 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US20090101947A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Visera Technologies Company Limited Image sensor device and fabrication method thereof
KR100924412B1 (ko) * 2007-11-28 2009-10-29 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100920541B1 (ko) * 2007-12-21 2009-10-08 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2009181976A (ja) 2008-01-29 2009-08-13 Panasonic Corp 固体撮像装置および撮像装置
KR101463609B1 (ko) * 2008-02-15 2014-11-21 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR101503683B1 (ko) * 2008-03-04 2015-03-20 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
CN101661943B (zh) * 2008-08-26 2011-01-26 北京大学 一种单片集成紫外图像传感器及其像素单元以及制备方法
US9142586B2 (en) * 2009-02-24 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for backside illuminated image sensor
US8264377B2 (en) 2009-03-02 2012-09-11 Griffith Gregory M Aircraft collision avoidance system
JP5493461B2 (ja) * 2009-05-12 2014-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器及び固体撮像装置の製造方法
CN101989606B (zh) * 2009-07-29 2013-04-03 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 具***假像素的影像传感器
US20110032391A1 (en) * 2009-08-04 2011-02-10 Himax Imaging, Inc. Image Sensor with Peripheral Dummy Pixels
US8030776B2 (en) * 2009-10-07 2011-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit with protective structure
JP5513872B2 (ja) * 2009-12-18 2014-06-04 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2011216865A (ja) * 2010-03-17 2011-10-27 Canon Inc 固体撮像装置
JP2012164768A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Toshiba Corp 固体撮像装置
US8988440B2 (en) 2011-03-15 2015-03-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Inactive dummy pixels
US20120249519A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dummy pixels made inactive
CN102760742B (zh) * 2011-04-26 2015-08-05 欣兴电子股份有限公司 电子装置及其制法
JP2012238632A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び、電子機器
US8569856B2 (en) * 2011-11-03 2013-10-29 Omnivision Technologies, Inc. Pad design for circuit under pad in semiconductor devices
US9029972B2 (en) * 2012-09-25 2015-05-12 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with in-pixel anti-blooming drains
CN104576662A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 豪威科技(上海)有限公司 一种高量子转换效率的堆叠式cmos传感器及其制备方法
US9349767B2 (en) * 2014-04-16 2016-05-24 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with through-oxide via structures
KR102225787B1 (ko) * 2014-10-10 2021-03-10 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR102367384B1 (ko) 2015-01-13 2022-02-25 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 형성 방법
JP2017045786A (ja) * 2015-08-25 2017-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置およびその製造方法
CN105405857B (zh) * 2015-10-29 2018-08-10 上海集成电路研发中心有限公司 硅基与量子点全集成的图像传感器及制备方法
CN109102758B (zh) * 2017-06-20 2021-08-17 天马微电子股份有限公司 显示装置
US10205033B1 (en) * 2017-12-14 2019-02-12 Sensl Technologies Ltd. ESD protected semiconductor photomultiplier
CN110098218A (zh) 2018-01-31 2019-08-06 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
US10560811B2 (en) 2018-02-20 2020-02-11 Intelligent Cleaning Equipment Holdings Co., Ltd. Tracking device, system for tracking objects, and associated method of use
DE102020123708A1 (de) * 2020-02-27 2021-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Bildsensoren mit dummy-pixel-strukturen
US11682313B2 (en) 2021-03-17 2023-06-20 Gregory M. Griffith Sensor assembly for use in association with aircraft collision avoidance system and method of using the same
US20230307478A1 (en) * 2022-03-25 2023-09-28 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor diagonal isolation structures

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6251700B1 (en) * 1998-06-16 2001-06-26 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor photosensitive device
US6507365B1 (en) * 1998-11-30 2003-01-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device
CN1444293A (zh) * 2002-03-12 2003-09-24 三菱电机株式会社 半导体器件的制造方法及半导体器件

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4936514B1 (zh) * 1970-05-13 1974-10-01
KR100292851B1 (ko) * 1991-09-27 2001-09-17 스콧 티. 마이쿠엔 높은얼리전압,고주파성능및고항복전압특성을구비한상보형바이폴라트랜지스터및그제조방법
US5233181A (en) * 1992-06-01 1993-08-03 General Electric Company Photosensitive element with two layer passivation coating
KR100337870B1 (ko) 1995-09-30 2002-11-07 삼성에스디아이 주식회사 이중섀도우마스크를구비한컬러음극선관장치
US6306676B1 (en) * 1996-04-04 2001-10-23 Eastman Kodak Company Method of making self-aligned, high-enegry implanted photodiode for solid-state image sensors
US6023081A (en) * 1997-11-14 2000-02-08 Motorola, Inc. Semiconductor image sensor
JP3204216B2 (ja) * 1998-06-24 2001-09-04 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR100464955B1 (ko) * 1998-06-29 2005-04-06 매그나칩 반도체 유한회사 메모리소자와 함께 집적화된 씨모스 이미지센서
KR100293719B1 (ko) 1998-12-22 2001-07-12 박종섭 단파장 빛에 대한 광투과를 개선한 이미지센서 및 그 제조방법
JP3934827B2 (ja) * 1999-06-30 2007-06-20 株式会社東芝 固体撮像装置
JP4131059B2 (ja) * 1999-08-23 2008-08-13 ソニー株式会社 受光素子を有する半導体装置、光学ピックアップ装置、および受光素子を有する半導体装置の製造方法
KR100358291B1 (ko) 1999-11-26 2002-10-25 (주)건아계측시스템연구소 암반균열 진전 측정에 의한 낙석 방지 모니터링 시스템
KR100477789B1 (ko) * 1999-12-28 2005-03-22 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 제조 방법
JP3824469B2 (ja) * 2000-04-03 2006-09-20 シャープ株式会社 固体撮像装置、及びその製造方法
JP2002231915A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Sony Corp 固体撮像素子
JP4489319B2 (ja) * 2001-04-26 2010-06-23 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US6566151B2 (en) * 2001-06-21 2003-05-20 United Microelectronics Corp. Method of forming a color filter
KR100776148B1 (ko) 2001-11-06 2007-11-15 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100748318B1 (ko) 2001-12-31 2007-08-09 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서 및 그 제조 방법
TW513809B (en) * 2002-02-07 2002-12-11 United Microelectronics Corp Method of fabricating an image sensor
US6642076B1 (en) * 2002-10-22 2003-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Asymmetrical reset transistor with double-diffused source for CMOS image sensor
KR100919199B1 (ko) * 2002-12-31 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
US6861686B2 (en) * 2003-01-16 2005-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Structure of a CMOS image sensor and method for fabricating the same
US6995411B2 (en) * 2004-02-18 2006-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with vertically integrated thin-film photodiode
US7372497B2 (en) * 2004-04-28 2008-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Effective method to improve sub-micron color filter sensitivity
KR100684870B1 (ko) * 2004-12-07 2007-02-20 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법
US7932539B2 (en) * 2005-11-29 2011-04-26 The Hong Kong University Of Science And Technology Enhancement-mode III-N devices, circuits, and methods
KR100731130B1 (ko) * 2005-12-29 2007-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6251700B1 (en) * 1998-06-16 2001-06-26 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor photosensitive device
US6507365B1 (en) * 1998-11-30 2003-01-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device
CN1444293A (zh) * 2002-03-12 2003-09-24 三菱电机株式会社 半导体器件的制造方法及半导体器件

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