JP2002192456A

JP2002192456A - 研磨パッド

Info

Publication number: JP2002192456A
Application number: JP2000393216A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Nakamori; 雅彦中森; Tetsuo Shimomura; 哲生下村; Shigeru Komai; 茂駒井; Hiroshi Seyanagi; 博瀬柳; Kazuyuki Ogawa; 一幸小川
Original assignee: Toyo Tire and Rubber Co Ltd; Toyobo Co Ltd
Current assignee: Toyobo Co Ltd; Toyo Tire Corp
Priority date: 2000-12-25
Filing date: 2000-12-25
Publication date: 2002-07-10

Abstract

(57)【要約】【課題】研磨パッドにおいて、ドレス工程を行い、表面
を更新しても同一の表面とはならず、研磨特性に違いを
見せるという問題点やブロック内で微小体の分布が不均
一となりパッドの品質バラツキという問題点を解決し、
研磨特性に優れたパッドを提供する。【解決手段】以下の式で示される変動係数が４０％以下
の微小体およびポリウレタン樹脂を含むことを特徴とす
る研磨パッド。変動係数（％）＝｛（標準偏差）/（平均粒子径）｝×
１００

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レンズ、反射ミラ
ー等の光学材料やシリコンウエハー、ハードディスク用
のガラス基板、情報記録用樹脂板やセラミック板等の高
度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工処理を安
定、かつ高い研磨速度で行う研磨パッドに関するもので
ある。本発明の研磨パッドは、特にシリコンウエハー並
びにその上に酸化物層、金属層等が形成されたデバイス
を、さらにこれらの層を積層・形成する前に平坦化する
工程に使用することが好適である。

【０００２】

【従来の技術】高度な表面平坦性を要求される材料の代
表的なものとしては、半導体集積回路（ＩＣ，ＬＳＩ）
を製造するシリコンウエハーと呼ばれる単結晶シリコン
の円板が挙げられる。シリコンウエハーは、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の製造工程において、回路作成に使用する各種薄膜
の信頼できる半導体接合を形成するために、各薄膜作成
工程において表面を高精度に平坦に仕上げることが要求
される。

【０００３】一般的には、研磨パッドはプラテンと呼ば
れる回転可能な支持円盤に固着せれ、半導体ウエハーは
自公転運動可能な研磨ヘッドと呼ばれる円盤に固着され
る。双方の回転運動により、プラテンと研磨ヘッドとの
間に相対速度を発生させ、研摩パッドとウエハーとの間
隙に微細な粒子（砥粒）を懸濁させた研摩スラリーを付
加することで、研磨、平坦化加工が実施される。この
際、研磨パッドがウエハ―表面上を移動する時、接触点
で砥粒がウエハー表面上に押し付けられる。従って、ウ
エハー表面と砥粒との間の滑り動摩擦的な作用により加
工面の研磨が実行される。このような研磨加工は、通常
ＣＭＰ加工と称されている。

【０００４】かかる研磨工程において使用される半導体
ウェハーの鏡面研磨用パッドとしては、ポリウレタン発
泡体タイプの研磨パッド、ポリエステル系の不織布にポ
リウレタン樹脂を含浸させた研磨布タイプの研磨パッド
が公知である。

【０００５】従来、上記の高精度の研磨に使用される研
磨パッドとしては、一般的に空洞率が３０〜３５％程度
のポリウレタン発泡体シートが使用されている。また、
ポリウレタン等のマトリックス樹脂に中空微小粒子又は
水溶性高分子粉末等を分散した研磨パッドを開示した特
表平８−５００６２２号公報に記載の技術も公知であ
る。

【０００６】研磨パッド中に含有されている中空の微小
体は、研磨層表面において細かな凹部を形成している。
この凹部はスラリーの保持や削りかすをためる機能を有
しており、研磨に関して重要な役割を果たす。

【０００７】半導体ウェハ等の研磨工程において、現
在、ウェハを所定時間研磨し、その後ウェハの厚みを測
定し、単位時間当たりの研磨量を算出し、研磨速度とし
ている。この速度をもとに、必要研磨量に対し算出され
た時間を研磨している。

【０００８】一般には、研磨中に、研磨層表面の孔にス
ラリー中の砥粒、削りかす等がたまり、研磨速度を低下
させるため、研磨途中で定期的にダイヤモンド砥粒を蒸
着させたヘッドを用いて、表面を研磨し、新しい表面を
出すドレス工程が必要である。

【０００９】しかし、上記のパッドを用いた場合、ドレ
ス前後で研磨速度に差が出るといった問題があった。ま
た、パッドの製造時に、予め厚みのあるブロック状の成
形体を作成し、これをスライスしてパッドとしている
が、スライスにより得られた部分で研磨速度に差が出る
といった問題があった。

【００１０】上記のように、スライスやドレス工程で研
磨速度に違いが起こると、初めに算出した研磨速度を用
いると、研磨の不足や過剰が起こり、歩留まりの低下や
生産性の低下を招く。

【００１１】上記のような問題より、一般的に研磨速度
の変動が１０％以下にすることが切に望まれている。本
発明者らの検討によると、これらの問題が、添加する微
小体の大きさ等にばらつきがあることに起因することが
分かった。

【００１２】すなわち、研磨パッド内の空洞は均一に分
散していない、空洞の大きさ、形がそろっていない等の
理由により、ドレス工程を行い、表面を更新しても同一
の表面とはならず、研磨特性に違いを見せるためである
ことが分かった。

【００１３】また、高分子樹脂中に含有される微小体の
個々の重量、大きさなどにバラツキが存在すると製造中
にブロック内で微小体の分布が不均一となりパッドの部
分的な品質バラツキという問題を引き起こしていること
が分かった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記の研磨パッド内の
空洞は均一に分散していない、空洞の大きさ、形がそろ
っていない等の理由により、ドレス工程を行い、表面を
更新しても同一の表面とはならず、研磨特性に違いを見
せるという問題点やブロック内で微小体の分布が不均一
となりパッドの品質バラツキという問題点を解決する必
要がある。

【００１５】

【課題を解決するため手段】上記問題を解決する方法と
して、ポリウレタン樹脂に含有する微小体のバラツキを
少なくすることでドレス工程による研磨特性の変化、ブ
ロック内の微小体の分布の均一性を向上させ、パッドの
品質のバラツキを低減させる。具体的には、分級等の手
段をとり、バラツキの少ない微小体を用いることによ
り、変動係数が４０％以下の微小体およびポリウレタン
樹脂から構成された研磨パッドを提供し、工業的に望ま
れている研磨速度のバラツキを１０％以下にする。

【００１６】ここでいう変動係数とは以下の式１にて導
き出されたものである。変動係数（％）＝｛（標準偏差）/（平均粒子径）｝×１００式１

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明でいうポリウレタン樹脂と
しては、イソシアネート末端ウレタンプレポリマーと有
機ジアミン化合物とからなり、イソシアネート末端ウレ
タンプレポリマーは、ポリイソシアネートと高分子ポリ
オールと低分子ポリオールからなる。

【００１８】ポリイソシアネートとしては、一例として
２，４−及び／または２，６−ジイソシアナトトルエ
ン、２，２´−、２，４´−及び／または４，４´−ジ
イソシアナトジフェニルメタン、１，５−ナフタレンジ
イソシアネ−ト、ｐ−及びｍ−フェニレンジイソシアネ
−ト、ダイメリルジイソシアネ−ト、キシリレンジイソ
シアネ−ト、ジフェニル−４，４´−ジイソシネ−ト、
１，３−及び１，４−テトラメチルキシリデンジイソシ
アネ−ト、テトラメチレンジイソシアネート、１,６−
ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイ
ソシアネート、シクロヘキサン−１,３−及び１,４ージ
イソシアネート、１−イソシアナト−３−イソシアナト
メチル−３,５,５−トリメチルシクロヘキサン（＝イソ
ホロンジイソシアネート）、ビス−（４−イソシアナト
シクロヘキシル）メタン（＝水添ＭＤＩ）、２−及び４
−イソシアナトシクロヘキシル−２´−イソシアナトシ
クロヘキシルメタン、１，３−及び１，４−ビス−（イ
ソシアナトメチル）−シクロヘキサン、ビス−（４−イ
ソシアナト−３−メチルシクロヘキシル）メタン、等が
挙げられる。

【００１９】また、高分子ポリオールとしては、例えば
ヒドロキシ末端ポリエステル、ポリカ−ボネ−ト、ポリ
エステルカ−ボネ−ト、ポリエ−テル、ポリエ−テルカ
−ボネ−ト、ポリエステルアミド等が挙げられるが、こ
れらのうち耐加水分解性の良好なポリエ−テル及びポリ
カ−ボネ−トが好ましく、価格面と溶融粘度面からはポ
リエ−テルが特に好ましい。ポリエ−テルポリオ−ルと
しては、反応性水素原子を有する出発化合物と、例えば
酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化ブチレン、酸化ス
チレン、テトラヒドロフラン、エピクロルヒドリンの様
な酸化アルキレン又はこれら酸化アルキレンの混合物と
の反応生成物が挙げられる。反応性水素原子を有する出
発化合物としては、水、ビスフェノ−ルＡ並びにポリエ
ステルポリオ−ルを製造するべく上記した二価アルコ−
ルが挙げられる。

【００２０】更にヒドロキシ基を有するポリカ−ボネ−
トとしては、例えば、１，３−プロパンジオ−ル、１，
４−ブタンジオ−ル、１，６−ヘキサンジオ−ル、ジエ
チレングリコ−ル、ポリエチレングリコ−ル、ポリプロ
ピレングリコ−ル及び／又はポリテトラメチレングリコ
−ルの様なジオ−ルとホスゲン、ジアリルカ−ボネ−ト
（例えばジフェニルカ−ボネ−ト）もしくは環式カ−ボ
ネ−ト（例えばプロピレンカ−ボネ−ト）との反応生成
物が挙げられる。ポリエステルポリオ−ルとしては、二
価アルコ−ルと二塩基性カルボン酸との反応生成物が挙
げられるが、耐加水分解性向上の為には、エステル結合
間距離が長い方が好ましく、いずれも長鎖成分の組み合
わせが望ましい。

【００２１】二価アルコ−ルとしては、特に限定はしな
いが、例えばエチレングリコ−ル、１，３−及び１，２
−プロピレングリコ−ル、１，４−及び１，３−及び
２，３−ブチレングリコ−ル、１，６−ヘキサングリコ
−ル、１，８−オクタンジオ−ル、ネオペンチルグリコ
−ル、シクロヘキサンジメタノ−ル、１，４−ビス−
（ヒドロキシメチル）−シクロヘキサン、２−メチル−
１，３−プロパンジオ−ル、３−メチル−１,５−ペン
タンジオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペン
タンジオ−ル、ジエチレングリコ−ル、ジプロピレング
リコ−ル、トリエチレングリコ−ル、トリプロピレング
リコ−ル、ジブチレングリコ−ル等が挙げられる。

【００２２】二塩基性カルボン酸としては、脂肪族、脂
環族、芳香族及び／又は複素環式のものがあるが、生成
する末端ＮＣＯプレポリマーを液状又は低溶融粘度とす
る必要上から、脂肪族や脂環族のものが好ましく、芳香
族系を適用する場合は脂肪族や脂環族のものとの併用が
好ましい。

【００２３】これらカルボン酸としては、限定はしない
が、例えばコハク酸、アジピン酸、スベリン酸、アゼラ
イン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフ
タル酸、ナフタレンジカルボン酸、シクロヘキサンジカ
ルボン酸（o-,m-,p-）、ダイマ−脂肪酸、例えばオレイ
ン酸、等が挙げられる。これらポリエステルポリオール
としては、カルボキシル末端基の一部を有することもで
きる。例えば、ε−カプロラクトンの様なラクトン、又
はε−ヒドロキシカプロン酸の様なヒドロキシカルボン
酸のポリエステルも使用することができる。

【００２４】低分子ポリオ−ルとしては、前述のポリエ
ステルポリオ−ルを製造するのに用いられる二価アルコ
−ルが挙げられるが、本発明の低分子ポリオールとは、
ジエチレングリコール、１,３−ブチレングリコール、
３−メチル−１,５−ペンタンジオール及び１,６−ヘキ
サメチレングリコールのいずれか１種又はそれらの混合
物を用いることが好ましい。

【００２５】本発明以外の低分子ポリオールであるエチ
レングリコールや１,４−ブチレングリコールを用いる
と、注型成形時の反応性が速くなり過ぎたり、最終的に
得られるポリウレタン研磨材成形物の硬度が高くなりす
ぎる為、本発明の研磨材としては、脆くなったり又ＩＣ
表面に傷がつき易くなる。他方、１,６−ヘキサメチレ
ングリコールよりも長鎖の二価アルコールを用いると、
注型成形時の反応性や、最終的に得られるポリウレタン
研磨材成形物の硬度が適切なものが得られる場合もある
が、価格的に高くなり過ぎ、実用的ではない。

【００２６】イソシアネート成分は、注型成形時に必要
とされるポットライフに応じて適宜に選定されると共
に、生成する末端ＮＣＯプレポリマーを低溶融粘度とす
ることが必要である為、単独又は２種以上の混合物で適
用される。

【００２７】それらの具体例としては、特に限定はしな
いが、２，４−及び／または２，６−ジイソシアナトト
ルエン、２，２´−、２，４´−及び／または４，４´
−ジイソシアナトジフェニルメタン、１，５−ナフタレ
ンジイソシアネ−ト、ｐ−及びｍ−フェニレンジイソシ
アネ−ト、ダイメリルジイソシアネ−ト、キシリレンジ
イソシアネ−ト、ジフェニル−４，４´−ジイソシネ−
ト、１，３−及び１，４−テトラメチルキシリデンジイ
ソシアネ−ト、テトラメチレンジイソシアネート、１,
６−ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレン
ジイソシアネート、シクロヘキサン−１,３−及び１,４
ージイソシアネート、１−イソシアナト−３−イソシア
ナトメチル−３,５,５−トリメチルシクロヘキサン（＝
イソホロンジイソシアネート）、ビス−（４−イソシア
ナトシクロヘキシル）メタン（＝水添ＭＤＩ）、２−及
び４−イソシアナトシクロヘキシル−２´−イソシアナ
トシクロヘキシルメタン、１，３−及び１，４−ビス−
（イソシアナトメチル）−シクロヘキサン、ビス−（４
−イソシアナト−３−メチルシクロヘキシル）メタン、
等が挙げられる。

【００２８】本発明で使用される有機ジアミン化合物と
しては、特に限定は無いが、例えば、３,３'−ジクロロ
−４,４'−ジアミノジフェニルメタン、クロロアニリン
変性ジクロロジアミノジフェニルメタン、１,２−ビス
（２−アミノフェニルチオ）エタン、トリメチレングリ
コールージ−p−アミノベンゾエート、３,５−ビス（メ
チルチオ）−２,６−トルエンジアミン等が挙げられ
る。

【００２９】本発明でいう微小体とは、中空高分子樹脂
のビーズであることが好ましい。工業的に製造されたア
クリルビーズ、スチレンビーズやポリカーバイトビーズ
などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
中空高分子樹脂の製造方法としては、一般的に、懸濁重
合の際、溶剤や発泡剤、気体などを内包する方法などが
用いられる。内包される物質により、膨張型、既膨張型
のビーズ等が作製される。具体的には、マツモトマイク
ロスフェアやエクスパンセルなどが代表的なものとして
挙げられる。

【００３０】これらの中でも変動係数を４０％以下にし
たものを用いる。変動係数が４０％を越えるものは、パ
ッドを製造する際にはブロックで硬化させてこれをスラ
イスしてパッドとするが、このブロックでの硬化の際
に、ブロック上部と下部でビーズの分布状態が異なりや
すく（大きなビーズは上に行きやすい）、同じロットで
得られたパッドでも特性が異なるものになったり、生産
でのロスが多くなったりする。

【００３１】また、上記の様にできたパッドを用いる
と、ドレッシング工程を行う毎に研磨層表面の状態（凹
凸）が異なり、研磨速度、平坦性、面内均一性に関して
バラツキを引き起こすことになる。また、大きなビーズ
は研磨中にその空洞部に削りかすやスラリーが長時間溜
まって凝集し、ウエハーにスクラッチ（微小引っかき
傷）を付けることがある。

【００３２】微小体の平均粒径としては、１００μｍ以
下が好ましい。より好ましくは５０μｍ以下である。１
００μｍを越えるものであれば、被研磨体表面のスクラ
ッチが問題となり、歩留まりの低下が考えられる。

【００３３】微小体の変動係数を４０％以下にする方法
としては、分級による方法が一般的であるが、その方法
は公知の方法が使われる。

【００３４】ここでいう変動係数は、式１で表されるよ
うに、標準偏差を平均粒子径で除したものであり、粒子
のバラツキを表す指標となる係数として、一般的に用い
られている。この係数の値が低いほど、バラツキの少な
いことを示している。

【００３５】その他として、研磨層の性能、品質を向上
させるために、種々の添加剤が添加される。例えば、分
散剤、潤滑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤、溶剤
などが挙げられる。

【００３６】本発明において、上記の化合物を任意に組
み合わせて、分散、混練する。分散、混練の方法は特に
限定されるわけではなく、また各化合物の添加順序、分
散、混練中の添加位置、分散温度などを適宜選定する。
分散、混練の方法としては、一般的な混練機で、例え
ば、ロールミル、ボールミル、サンドグラインダー、高
速インペラー、分散機、高速ストーンミル、衝撃ミル、
ディスパー、ニーダー、高速ミキサー、リボンブレンダ
ー、コニーダー、タンブラー、ブレンダー、ホモジナイ
ザー、単軸押し出し機、二軸押し出し機、超音波分散機
などを用いることが可能である。

【００３７】本発明において、研磨パッドを製造する際
には、金型内にブロック状で作りスライスをしシートを
作製する方法が挙げられる。また、パッドの厚みムラの
調整やスキン層の除去のために表面をバフ加工すること
も可能である。

【００３８】本発明における研磨パッドの圧縮率が０．
５〜１０％であることが好ましい。圧縮率０．５％より
低いときは被研磨体の反りなどに追従することが難しく
なり、面内の均一性を低下させることになる。また、圧
縮率が１０％を越えるときは、パターン付きウェハのロ
ーカルな段差での平坦性が低下することになる。

【００３９】本発明における研磨パッドの密度が０．５
〜１．１ｇ/ｃｍ³であるであることが好ましい。密度が
０．５ｇ／ｃｍ³より低いときは内部の空洞が多い状態
となり、研磨を行うと脆く、パッドとしての寿命が短く
なる。また、密度が１．１ｇ／ｃｍ³を越えるときは、
有効なスラリー溜めが減少し、研磨速度の低下を招く。

【００４０】パッドの表面のパターンに関しては、円柱
状、円錐状、直線溝、直交溝、ピラミッド型、孔やこれ
らの複合等が挙げられるが、凹凸形状、幅、ピッチ、深
さなどの関しては限定されるものではなく、被研磨材の
硬さや弾性特性、使用するスラリーの砥粒の大きさや形
状や硬さ、積層する場合には、研磨層以外の層の硬さ、
弾性特性等により、それぞれの条件に最適な凹凸形状が
選択される。

【００４１】本発明において、研磨を行う層に弾性特性
の異なる層を積層する事ができる。研磨層より低い弾性
を持った材質を積層する事が好ましい。これにより、被
研磨物の均一性が向上する。

【００４２】

【実施例】以下、実施例により、この発明をさらにくわ
しく説明するが、本発明は実施例により特に制限される
ものではない。

【００４３】（微小体の変動係数、平均粒子径の測定）
少量の微小体をスライドガラス上にのせ、顕微鏡で１０
０倍の拡大写真を撮影した。その写真の上に透明なフィ
ルムを張り付け、黒色の油性ペンでフィルム上に粒子の
外周をなぞり写してマーキングを行った。マーキングは
無作為に抽出した２００〜２５０個の粒子について行
い、マーキングされたフィルムを画像解析装置（Ｉｍａ
ｇｅＡｎａｌａｙｚｅｒＶ１０東洋紡績（株）
製）を用いて測定を行った。

【００４４】(圧縮率の測定)加工後の研磨層を直径５ｍ
ｍの円筒状の圧子を利用し、マックサイエンス社製ＴＭ
Ａにて２５℃、６５％ＲＨにてＴ１、Ｔ２を測定し、下
記の式にて求めた。圧縮率（％）＝１００（Ｔ１―Ｔ２）／Ｔ１Ｔ１：無負荷状態から３０ｋＰａ（３００ｇ／cm²）の
応力の負荷を６０秒保持したときのシートの厚みＴ２：Ｔ１の状態から１８０ｋＰａの応力の負荷を６０
秒保持したときのシートの厚み

【００４５】（密度の測定）直径３ｃｍの円形の金属製
の打ち抜きポンチでサンプルを打ち抜き、打ち抜いたサ
ンプルの質量、厚みを測定し、以下の式２で算出した。密度（ｇ／ｃｍ³）＝｛サンプル質量（ｇ）｝／｛７．０６５×厚み（ｃｍ）｝式２

【００４６】実施例１容器にポリエーテル系ウレタンプレポリマー（ユニロイ
ヤル社製アジプレンＬ−３２５）を３０００重量部と分
級した中空高分子樹脂ビーズ（エクスパンセル５５１Ｄ
Ｅ日本フィライト）（変動係数：２３％）を９０重量
部を入れ、攪拌機にて約４００ｒｐｍで攪拌し混合溶液
を作った。その後、攪拌機を交換し硬化剤３，３‘−ジ
クロロー４，４’−ジアミノジフェニルメタン（ＭＯＣ
Ａ）を７７０重量部を攪拌しながら投入した。約１分間
攪拌した後、パン型のオープンモールドへ混合液を入
れ、オーブンにて１１０℃、６時間ポストキュアを行
い、発泡ポリウレタンブロックを製作した。

【００４７】次にこの発泡ポリウレタンブロックを、約
５０℃に加熱しながらスライサー（アミテック社製Ｖ
ＧＷ―１２５）にてブロックの中間部より厚さ１．２７
ｍｍにスライスし研磨シートを得た。圧縮率１．２％、
密度０．７５ｇ／ｃｍ³であった。得られた研磨シート
に両面テープ（積水化学工業社製ダブルタックテープ
＃５６７３ＦＷ）を貼り合せ、研磨パッドを完成させ
た。

【００４８】単結晶シリコン表面に５０００ÅのＳｉＯ
₂膜を形成したウェハーを加工材として、評価に使用
し、以下の条件で研磨評価を行った。研磨装置として
は、試験研磨装置として一般的なラップマスター／ＬＭ
１５（φ４インチ対応）を使用した。また、研磨スラリ
ーとしては、セリア（ＣｅＯ₂）ゾル（日産化学社製）
を使用した。研磨ヘッドに被加工材であるウェハーを水
吸着／標準バッキング材（ＮＦ２００）条件にて保持
し、プラテン（研磨パッド支持体）に研磨パッドサンプ
ルを張り付けて固定し、研磨圧力として２０ｋＰａ（２
００ｇ／cm²）、研磨ヘッドとプラテン間の相対速度と
して、３０ｍ／ｍｉｎを与え、研磨スラリー供給速度１
１０ｃｍ³/ｍｉｎにて２分間研磨操作を行い、研磨速度
を測定した。また、ドレス回数と研磨速度の関係の評価
に関しては、研磨中にダイヤモンド砥粒の蒸着したドレ
ッサーによるドレス工程を入れ、研磨層の表面凹凸に残
留するものをなくし、研磨を再開し、所定時間研磨を行
い、研磨速度を測定した。研磨後のウェハを洗浄、乾燥
し、ＫＬＡ（ケーエルエー・テンコール社製、型式「Ｋ
ＬＡ２１１２」）によってスクラッチを測定したところ
ウェハ中に３個のマイクロスクラッチが見られた。

【００４９】実施例２〜３各微小体の変動係数が以下のものを用い、他は同様に行
った。マイクロスクラッチは実施例２で３個、実施例３
で５個であった。

【００５０】

【表１】

【００５１】比較例１上記実施例１において、分級を行なっていない中空高分
子樹脂ビーズ（変動係数：４３％）を用いた以外は同様
に行った。研磨速度のバラツキとウェハ中に１５個のマ
イクロスクラッチが見られた。

【００５２】各研磨パッドに関して、ドレス工程後の研
磨速度の結果を示す。

【００５３】

【表２】

【００５４】バラツキ（％）＝１００×｛（研磨速度最
大値）―（研磨速度最小値）｝／（平均の研磨速度）

【００５５】

【発明の効果】以上に示す結果より、変動係数４０％以
下の微小体を含有させた研磨パッドは空洞のバラツキが
低減されたため、ドレス工程前後の研磨速度のバラツキ
は低減され、そのバラツキは工業的に望まれている１０
％以下であることがわかる。また、スクラッチも少な
い。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年３月１６日（２００１．３．１
６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４７】次にこの発泡ポリウレタンブロックを、約
５０℃に加熱しながらスライサー（アミテック社製Ｖ
ＧＷ―１２５）にてブロックの中間部より厚さ１．２７
ｍｍにスライスし研磨シートを得た。圧縮率１．２％、
密度０．７５ｇ／ｃｍ3であった。得られた研磨シート
に両面テープ（積水化学工業社製ダブルタックテー
プ）を貼り合せ、研磨パッドを完成させた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者駒井茂滋賀県大津市堅田二丁目１番１号東洋紡績株式会社総合研究所内 (72)発明者瀬柳博大阪府大阪市西区江戸堀一丁目17番18号東洋ゴム工業株式会社内 (72)発明者小川一幸大阪府大阪市西区江戸堀一丁目17番18号東洋ゴム工業株式会社内Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 CB01 DA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】以下の式で示される変動係数が４０％以
下の微小体およびポリウレタン樹脂を含むことを特徴と
する研磨パッド。変動係数（％）＝｛（標準偏差）/（平均粒子径）｝×
１００
【請求項２】前記微小体の平均粒径が１００μｍ以下
である請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】上記微小体が中空体である請求項１記載
の研磨パッド。
【請求項４】圧縮率が０．５〜１０％である請求項１
記載の研磨パッド。
【請求項５】密度が０．５〜１．１ｇ/ｃｍ^３である
請求項１記載の研磨パッド。
【請求項６】被研磨対象が半導体ウェハ、精密機器用
ガラス基板である請求項１記載の研磨パッド。
【請求項７】請求項１〜６のいずれかに研磨パッドで
あって、該パッド層と異なる弾性率の材料を積層するこ
とを特徴とする研磨パッド。