TWI488712B - Polishing pad and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

研磨墊及其製造方法 發明領域
本發明係有關於一種研磨墊，其能夠穩定且高研磨效率地進行透鏡、反射鏡等的光學材料、矽晶圓、硬碟用的玻璃基板、鋁基板、及通常的金屬研磨加工等被要求高度表面平坦性之材料的平坦化加工。本發明的研磨墊係特別是能夠適合使用於將矽晶圓以及在其上形成有氧化物層、金屬層等之元件，在該等進一步積層、形成氧化物層和金屬層之前進行平坦化之步驟。
 發明背景
作為代表性之被要求高度表面平坦性的材料，可舉出製造半導體集積電路(IC、LSI)之被稱為矽晶圓之單結晶矽的圓盤。矽晶圓係在IC、LS1等的製造步驟，為了形成在電路形成所使用之各種薄膜能夠信頼的半導體接合，在積層、形成氧化物層和金屬層之各步驟，係被要求將表面高精度且精加工成為平坦。在此種研磨精加工步驟，一般而言，研磨墊係被固定在被稱為研磨轉盤之能夠旋轉的支撐圓盤，且半導體晶圓等的加工物係被固定在研磨頭。然後，藉由雙方的運動，使研磨轉盤與研磨頭之間產生相對 速度，而且將含有研磨粒之研磨漿料連續供給至研磨墊上，來實行研磨操作。
作為研磨墊的研磨特性，係要求被研磨材平坦性(planarity)及面向均勻性優異且研磨速度大。關於被研磨材的平坦性、面內均勻性，藉由將研磨層高彈性模數化，能夠某種程度改善，關於研磨速度，藉由使其成為含有氣泡的發泡體，漿料的保持量增多而能夠提升。
作為滿足上述特性之研磨墊，有提案揭示由聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成之研磨墊(專利文獻1、2)。該聚胺甲酸酯樹脂發泡體係藉由使異氰酸酯末端預聚合物與鏈延長劑(硬化劑)反應來製造。
又，專利文獻3係揭示一種研磨墊，其含有由異氰酸酯末端反應物、及硬化劑所形成之聚胺甲酸酯聚合材料，其中該異氰酸酯末端反應物係藉由使用多元醇與多官能芳香族異氰酸酯之預聚合物反應而得到且具有4.5-8.7重量%之未反應的NCO。
通常，使用研磨墊而進行多數片半導體晶圓的平坦化處理時，研磨墊表面的微細凹凸部磨耗而將研磨劑(漿料)供給至半導體晶圓的加工面之性能低落，或晶圓加工面的平坦化速度低落，或是平坦化特性變差。因此，進行預定片數之半導體晶圓的平坦化處理之後，必須使用修整器而將研磨墊表面更新、粗面化(修整)。進行修整預定時間時，在研磨墊表面係能夠產生無數的微細凹凸部且墊表面成為起毛狀態。
但是，習知的研磨墊係布修整時的修整速度低，而有在修整需要太多時間之問題。
為了解決上述問題，專利文獻4係提案揭示一種技術，其係使用多量化二異氰酸酯及芳香族二異氰酸酯作為聚胺甲酸酯樹脂發泡體的原料之異氰酸酯成分。
但是，使用多量化二異氰酸酯時，聚胺甲酸酯樹脂發泡體的硬度變高，使用由該聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成之研磨墊時，有容易在被研磨材表面產生刮痕之傾向。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2000-17252號公報
專利文獻2：日本特許第3359629號說明書
專利文獻3：美國專利申請公報第2005/0171225號說明書
專利文獻4：日本特開2006-297582號公報
 發明概要
本發明之目的係提供一種不容易在被研磨材的表面產生刮痕且使修整性提升之研磨墊。又，本發明之目的係提供一種除了前述特性以外，相較於習知，研磨速度較大的研磨墊及其製造方法。又，本發明係提供一種除了前述特性以外，相較於習知，平坦化特性優異之研磨墊。而且本發明之目的係提供一種使用該研磨墊之半導體元件的製造方法。
本發明者等為了解決前述課題而重複專心研討之結果，發現藉由如以下所表示的研磨墊，能夠達成上述目的，而完成了本發明。
亦即，本發明係有關於一種研磨墊，係具有由具有微細氣泡的聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成的研磨層者，前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體係含有ASKER-D硬度為20~60度且以下述式表示的磨耗參數為1~3之聚胺甲酸酯樹脂：磨耗參數={1/(拉伸斷裂強度[MPa]×拉伸斷裂伸長率[%]/100)}×100
本發明之研磨層的形成材料亦即聚胺甲酸酯樹脂(無發泡體)，相較於習知作為研磨層的形成材料所使用之聚胺甲酸酯樹脂，因為硬度較低且柔軟，不容易在被研磨材的表面產生刮痕。又，一般而言，因為柔軟的聚胺甲酸酯樹脂係塑性優異，磨耗參數有變小的傾向。但是本發明之研磨層的形成材料亦即聚胺甲酸酯樹脂，儘管柔軟然而磨耗參數大而修整性優異。因此，藉由將本發明所特定之聚胺甲酸酯樹脂使用作為研磨層的形成材料，不僅是能夠抑制被研磨材表面的刮痕且能夠縮短修整時間，能夠使半導體晶圓等被研磨材製造效率提升。
聚胺甲酸酯樹脂的ASKER-D硬度小於20度時，研磨墊的平坦化特性係變差，另一方面，大於60度時，容易在被研磨材的表面產生刮痕。
又，聚胺甲酸酯樹脂的磨耗參數小於1時，因為 修整性差，研磨速度低落或修整需要太多時間，致使半導體晶圓等的製造效率低落。另一方面，磨耗參數大於3時，因為使用修整器而修整研磨層表面時，研磨層表面變為太粗糙，容易在被研磨材的表面產生刮痕、或研磨速度低落，而且墊壽命變短。
前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體，係以氣泡數為200個/mm2 以上且平均氣泡徑為50μm以下為佳。使用習知的機械發泡法所製造之聚胺甲酸酯樹脂發泡體，其氣泡數為150~180個/mm2 左右，平均氣泡徑為55~70μm左右。氣泡數為200個/mm2 以上且平均氣泡徑為50μm以下的聚胺甲酸酯樹脂發泡體係相較於習知，因為氣泡數為較多且平均氣泡徑為較小，所以漿料的保持性非常優異。因此，具有由該聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成的研磨層之研磨墊，相較於習知，研磨速度非常大。氣泡數小於200個/mm2 時，或平均氣泡徑大於50μm時，研磨速度的提升效果係不充分。
前述聚胺甲酸酯樹脂，係以含有異氰酸酯末端預聚合物及鏈延長劑作為原料成分為佳，其中該異氰酸酯末端預聚合物係將含有作為異氰酸酯成分之多量化二異氰酸酯及芳香族二異氰酸酯、高分子量多元醇、以及含活性氫基的低分子量化合物之預聚合物原料組成物進行反應而得到。使用預聚合物法所得到之聚胺甲酸酯樹脂，因為研磨特性優異，乃是較佳。
多量化二異氰酸酯的含量係相對於總異氰酸酯成分為15~60重量%，異氰酸酯末端預聚合物的NCOwt%係 以5~8wt%為佳。藉由將多量化二異氰酸酯的含量及預聚合物的NCOwt%調整在前述範圍，而容易製造ASKER-D硬度為20~60度且磨耗參數為1~3之聚胺甲酸酯樹脂。
在本發明，前述多量化二異氰酸酯係多量化脂肪族二異氰酸酯，前述芳香族二異氰酸酯係以甲苯二異氰酸酯為佳。多量化脂肪族二異氰酸酯係以多量化六亞甲基二異氰酸酯為特佳。藉由使用該等，能夠製造操作性良好的聚胺甲酸酯樹脂發泡體。
又，使用前述聚胺甲酸酯樹脂所製成之聚胺甲酸酯樹脂發泡體，其ASKER-D硬度係以10~45度為佳。ASKER-D硬度小於10度時，被研磨材的平坦性有低落之傾向。另一方面，大於45度時，雖然平坦性良好，但是被研磨材的面內均勻性有低落之傾向。又，容易在被研磨材的表面產生刮痕。
又，使用前述聚胺甲酸酯樹脂所製成之聚胺甲酸酯樹脂發泡體，其比重係以0.5~1.0為佳。比重小於0.5時，研磨層整體的硬度變為太低且平坦化特性變差，或是研磨層的表面摩耗係必要以上地變大致使研磨墊的壽命變短，而且修整後之研磨層表面的起毛係在晶圓研磨時立刻被除去致使研磨速度穩定性有低落之傾向。另一方面，比重大於1.0時，不容易使研磨層的修整性充分地提升。
又，使用中空微小球體而使聚胺甲酸酯樹脂發泡而成之聚胺甲酸酯樹脂發泡體，相較於使用習知的機械發泡法或化學發泡法所得到的聚胺甲酸酯樹脂發泡體，壓縮 彈性優異。因此，具有由前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成的研磨層之研磨墊，相較於習知的研磨墊，平坦化特性優異。
而且，本發明係有關於一種研磨墊的製造方法，其係前述研磨墊的製造方法，其特徵在於含有以下的步驟：將含有異氰酸酯末端預聚合物、矽酮系界面活性劑、及第3級胺觸媒之第1成分與非反應性氣體進行攪拌而調製以前述非反應性氣體作為微細氣泡且使其分散而成之氣泡分散液，隨後，在前述氣泡分散液混合含有鏈延長劑的第2成分且硬化而製造前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體，其中前述異氰酸酯末端預聚合物係將預聚合物原料組成物進行反應而得到者，該預聚合物原料組成物係含有作為異氰酸酯成分之多量化二異氰酸酯及芳香族二異氰酸酯、高分子量多元醇、以及含活性氫基的低分子量化合物，而且第3級胺觸媒的含量係相對於異氰酸酯末端預聚合物100重量份，為0.1~3重量份。
依照本發明的製造方法，能夠容易地製造含有ASKER-D硬度為20~60度且磨耗參數為1~3之聚胺甲酸酯樹脂，而且氣泡數為200個/mm2 以上且平均氣泡徑為50μm以下之聚胺甲酸酯樹脂發泡體。第3級胺觸媒的含量係相對於異氰酸酯末端預聚合物100重量份，小於0.1重量份時，難以製造氣泡數為200個/mm2 以上且平均氣泡徑為50μm以下之聚胺甲酸酯樹脂發泡體，另一方面，大於3重量份時，有硬化反應太快且操作性變差之傾向。
而且，本發明係有關於一種半導體元件的製造方法，其含有使用前述研磨墊而研磨半導體晶圓的表面之步驟。
在本發明，作為研磨層的形成材料之聚胺甲酸酯樹脂，係使用ASKER-D硬度為20~60度且磨耗參數為1~3之聚胺甲酸酯樹脂，該聚胺甲酸酯樹脂係具有儘管低硬度且柔軟者，但是磨耗參數大且修整性優異之特徵。因此，藉由將該聚胺甲酸酯樹脂使用作為研磨層的形成材料(聚胺甲酸酯樹脂發泡體的形成材料)，不僅是能夠抑制被研磨材之表面的刮傷，而且能夠縮短修整器時間，使半導體晶圓等的製造效率提升。
又，本發明的聚胺甲酸酯樹脂發泡體係因為氣泡數為200個/mm2 以上且平均氣泡徑為50μm以下，漿料的保持性非常優異。因此，相較於習知，具有由該聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成的研磨層之研磨墊，其研磨速度係非常大。
而且，本發明之使用中空微小球體且使其發泡而成之聚胺甲酸酯樹脂發泡體，壓縮彈性優異。因此，具有由該聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成的研磨層之研磨墊，相較於習知，係平坦化特性優異。
1‧‧‧研磨墊(研磨層)
2‧‧‧研磨轉盤
3‧‧‧研磨劑(漿料)
4‧‧‧被研磨材(半導體晶圓)
5‧‧‧支撐台(拋光頭)
6、7‧‧‧旋轉軸
圖1係顯示在CMP研磨所使用之研磨裝置的一個例子之概略構成圖。
 用以實施發明之形態
本發明的研磨墊係具有由具有微細氣泡的聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成之研磨層。本發明的研磨墊係可以是只有前述研磨層，亦可以是研磨層與其他層(例如緩衝層等)之積層體。
因為研磨層(聚胺甲酸酯樹脂發泡體)的形成材料之聚胺甲酸酯樹脂係耐摩耗性優異，藉由改變各種原料組成，能夠容易地得到具有所需要的物性之聚合物，係作為研磨層的形成材料之特佳材料。
前述聚胺甲酸酯樹脂係由異氰酸酯成分、含活性氫基的化合物(高分子量多元醇、含活性氫基的低分子量化合物)、及鏈延長劑等所構成者。
作為異氰酸酯成分，係沒有特別限定而能夠使用在聚胺甲酸酯的領域之眾所周知的化合物。例如可舉出2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、2,2’-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、聚合MDI、碳二醯亞胺改性MDI(例如，商品名MILLIONATE MTL、日本POLYURETHANE工業製)、1,5-萘二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、間苯二異氰酸酯、對苯二甲基二異氰酸酯、間苯二甲基二異氰酸酯等的芳香族二異氰酸酯、伸乙基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、4,4’-環己基甲烷二異氰酸酯、異佛 爾酮二異氰酸酯、降莰烷二異氰酸酯等的指環式二異氰酸酯。該等係可以使用1種，亦可以併用2種以上。
亦可以與前述二異氰酸酯同時，使用多量化二異氰酸酯。所謂多量化二異氰酸酯，係指3個以上的二異氰酸酯藉由加成而多量化之異氰酸酯改性體或其等的混合物。作為前述異氰酸酯改性體，例如可舉出1)三羥甲基丙烷加成物型、2)縮二脲型、3)異氰酸酯型等，以異氰酸酯型為特佳。
在本發明，作為異氰酸酯成分，以併用多量化二異氰酸酯及芳香族二異氰酸酯為佳。作為形成多量化二異氰酸酯之二異氰酸酯，以使用脂肪族二異氰酸酯為佳，以使用1,6-六亞甲基二異氰酸酯為特佳。又，多量化二異氰酸酯亦可以是胺甲酸酯改性、脲基甲酸酯(alophanate)改性、及縮二脲改性等改性化而成者。又，芳香族二異氰酸酯係以甲苯二異氰酸酯為佳。
多量化二異氰酸酯係相對於總異氰酸酯成分，以使用15~60重量%為佳，較佳是19~55重量%。
作為高分子量多元醇，可舉出以聚四亞甲基醚二醇為代表之聚醚多元醇、以聚己二酸丁二酯(polybutylene adipate)為代表之聚酯多元醇、聚己內酯多元醇、以如聚己內酯之聚酯二醇與碳酸烷酯的反應物等所例示之聚酯聚碳酸酯多元醇、使碳酸伸乙酯與多元醇反應，其次使所得到的反應混合物與有機二羧酸反應而成之聚酯聚碳酸酯多元醇、及多羥基化合物與碳酸芳酯藉由酯交換反應而得到的 聚碳酸酯多元醇等。該等可以單獨使用，亦可以併用2種以上。
高分子量多元醇的數量平均分子量係沒有特別限定，從所得到之聚胺甲酸酯樹脂的彈性特性等的觀點，以500~5000為佳。數量平均分子量小於500時，使用它之聚胺甲酸酯樹脂係不具有充分的彈性特性，而成為較脆的聚合物。因此，由該聚胺甲酸酯樹脂所製造之研磨墊係變為太硬，而成為晶圓表面的刮痕之原因。另一方面，數量平均分子量大於5000時，因為使用它之聚胺甲酸酯樹脂係變為太軟，由該聚胺甲酸酯樹脂所製造的研磨墊，有平坦化特性差之傾向。
除了高分子量多元醇以外，亦可使用含活性氫基的低分子量化合物。所謂含活性氫的低分子量化合物，係分子量為小於500的化合物，例如可舉出乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、1,4-環己烷二甲醇、3-甲基-1,5-戊二醇、二乙二醇、三乙二醇、1,4-雙(2-羥基乙氧基)苯、三羥甲基丙烷、甘油、1,2,6-己三醇、新戊四醇、四羥甲基環己烷、甲基葡萄糖苷、山梨糖醇、甘露糖醇、甜醇(dulcitol)、蔗糖、2,2,6,6-肆(羥甲基)環己醇、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、及三乙醇胺等的低分子量多元醇；乙二胺、甲苯二胺、二苯基甲烷二胺、及二伸乙三胺等的低分子量多元胺；一乙醇胺、2-(2-胺乙基胺基)乙醇、及一丙醇胺等的醇胺等。該等含活性氫基的低分子量化合物係可以 單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
高分子量多元醇與含活性氫基的低分子量化合物的比，係能夠依照由該等所製造的研磨層被要求之特性來決定。
在使用預聚合物法製造聚胺甲酸酯樹脂時，預聚合物的硬化係使用鏈延長劑。鏈延長劑係具有至少2個以上的活性氫基之有機化合物，作為活性氫基，能夠例示羥基、第1級或第2級胺基、硫醇基(SH)等。具體而言，能夠舉出在4,4’-亞甲雙(鄰氯苯胺)(MOCA)、2,6-二氯-對苯二胺、4,4’-亞甲雙(2,3-二氯苯胺)、3,5-雙(甲硫基)-2,4-甲苯二胺、3,5-雙(甲硫基)-2,6-甲苯二胺、3,5-二乙基甲苯-2,4-二胺、3,5-二乙基甲苯-2,6-二胺、三亞甲基二醇-二-對胺基苯甲酸酯、聚氧化四亞甲基-二-對胺基苯甲酸酯、4,4’-二胺基-3,3’,5,5’-四乙基二苯基甲烷、4,4’-二胺基-3,3’-二異丙基-5,5’-二甲基二苯基甲烷、4,4’-二胺基-3,3’,5,5’-四異丙基二苯基甲烷、1,2-雙(2-胺基苯硫基)乙烷、4,4’-二胺基-3,3’-二乙基-5,5’-二甲基二苯基甲烷、N,N’-二-第二丁基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,3’-二乙基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、間苯二甲基二胺、N,N’-二-第二丁基-對苯二胺、間苯二胺、及對苯二甲基二胺等所例示之多元胺類、或是上述低分子量多元醇、低分子量多元胺。該等係可以使用1種，混合2種以上而使用亦沒有妨礙。
在本發明，係使用ASKER-D硬度為20~60度且磨耗參數為1~3之聚胺甲酸酯樹脂而製造聚胺甲酸酯樹脂發 泡體。聚胺甲酸酯樹脂的ASKER D硬度係以25~60度為佳，較佳是30~60度。又，聚胺甲酸酯樹脂的磨耗參數係以1~2為佳，較佳是1~1.5。
聚胺甲酸酯樹脂發泡體係能夠使用前述聚胺甲酸酯樹脂的原料且應用熔融法、溶液法等眾所周知的胺甲酸酯化技術而製造，考慮成本、作業環境等的情況，以使用熔融法來製造為佳。
聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造係能夠是預聚合物法、單發(one-shot)法的任一者，預先從異氰酸酯成分與多元醇成分合成異氰酸酯末端預聚合物，而且使其與鏈延長劑反應之預聚合物法，因為所得到的聚胺甲酸酯樹脂的物理特性亦優異，乃是適合的。
在合成異氰酸酯末端預聚合物時，相對於含活性氫基的化合物之活性氫基(羥基、胺基)數，異氰酸酯成分的異氰酸酯基數係以1.5~3.0為佳，較佳是1.8~2.5。
又，在合成異氰酸酯末端預聚合物時，係以NCOwt%為5~8wt%的方式調整為佳，較佳是5.8~8wt%。
異氰酸酯末端預聚合物與鏈延長劑的比係能夠依照各自的分子量和研磨墊之所需要的物性等而進行各種改變。為了得到具有所需要的研磨特性之研磨墊，相對於鏈延長劑的活性氫基(羥基、胺基)數，預聚合物的異氰酸酯基數係以0.80~1.20為佳，較佳是0.99~1.15。異氰酸酯基數為前述範圍外時，產生硬化不良而無法得到被要求之比重及硬度，且研磨特性有低落之傾向。
作為聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造方法，可舉出添加中空微小球體之方法、機械發泡法(包含機械泡沫法)、化學發泡法等。又，亦可併用各方法。
機械發泡法時，以使用聚烷基矽氧烷與聚醚的共聚合物之矽酮系界面活性劑為佳。作為矽酮系界面活性劑，SH-192及L-5340(TORAY-DOWCORNING SILICONE公司製)、B8443、B8465(Goldschmidt公司製)等係可例示作為適合的化合物。矽酮系界面活性劑係在聚胺甲酸酯原料組成物中以添加0.05~10重量%為佳，較佳是0.1~5重量%。
又，亦可以按照必要添加抗氧化劑等的安定劑、滑劑、顏料、填料、抗靜電劑、其他的添加劑。
以下，說明使用機械發泡法製造構成研磨墊(研磨層)之獨立氣泡型的熱硬化性聚胺甲酸酯樹脂發泡體時之例子。此種聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造方法係具有以下的步驟。
1)製造氣泡分散液之發泡步驟
在含有異氰酸酯末端預聚合物之第1成分，以在聚胺甲酸酯樹脂發泡體中為0.05~10重量%的方式添加矽酮系界面活性劑，在非反應性氣體的存在下進行攪拌，將非反應性氣體作為微細氣泡且使其分散而製成氣泡分散液。前述預聚合物係在常溫為固體時，係在適當的溫度預熱且熔融而使用。
2)硬化劑(鏈延長劑)混合步驟
在上述的氣泡分散液添加含有鏈延長劑之第2成分且 混合、攪拌而製成發泡反應液。
3)注模步驟
將上述的發泡反應液流進模具。
4)硬化步驟
將流進模具後之發泡反應液加熱且使其反應硬化。
在前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造方法，使用第3級胺系等眾所周知之促進聚胺甲酸酯反應的觸媒亦無妨。觸媒種類、添加量係考慮混合步驟後，流進預定形狀的模具之流動時間而選擇。
在本發明的聚胺甲酸酯樹脂發泡體之製造方法，以預先在第1成分添加第3級胺觸媒為佳。藉此，能夠使發泡反應液的流動性在短時間降低(亦即，迅速地使其硬化)。其結果，能夠抑制注模步驟及硬化步驟時在發泡反應液中的氣泡之間產生整體化，能夠使氣泡數增多且使氣泡徑減小。即便使用NCOwt%為較小的異氰酸酯末端預聚合物時，亦能夠製造氣泡數多且氣泡徑小的聚胺甲酸酯樹脂發泡體。
第3級胺觸媒的添加量係相對於異氰酸酯末端預聚合物100重量份，以0.1~3重量份為佳，較佳是0.2~1.5重量份。
作為用以形成前述微細氣泡所使用之非反應性氣體，以不可燃性者為佳，具體而言，可例示氮、氧、二氧化碳氣體、氦、氬等的稀有氣體和該等的混合氣體，在成本上，以使用進行乾燥而除去水分後之空氣為最佳。
作為使非反應性氣體為微細氣泡狀且使其分散在含有矽酮系界面活性劑的第1成分之攪拌裝置，能夠使用眾所周知的攪拌裝置而沒有特別限定，具體而言，可例示均化器、溶解器(dissolver)、雙軸行星式混合機(行星齒輪混合機)等。攪拌裝置的攪拌葉形狀亦沒有特別限定，因為能夠得到微細氣泡，以使用起泡器型的攪拌葉為佳。
又，在發泡步驟，製造氣泡分散液之攪拌與在混合步驟添加鏈延長劑而混合之攪拌，使用不同的攪拌裝置亦是較佳態樣。特是在混合步驟之攪拌，亦可以不是形成氣泡之攪拌，以使用不會將大的氣泡捲入之攪拌裝置為佳。作為此種攪拌裝置，以行星式混合機為適合。將發泡步驟與混合步驟的攪拌裝置使用相同的攪拌裝置亦沒有障礙，按照必要而進行調整攪拌葉的轉速等的攪拌條件而使用亦是適合的。
在聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造方法，將發泡反應液流進模具且反應至不流動為止之發泡體，進行加熱、後熟化，係具有使發泡體的物理特性提升之效果，乃是非常適合。亦可以設作將發泡反應液流進模具立刻放入加熱烘箱中而進行後熟化之條件，因為在此種條件下，熱不會立刻傳達至反應成分，氣泡徑不會變大。因為氣泡形狀穩定，硬化反應係以在常壓進行為佳。
聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造，係可以是將各成分計量而投入容器且攪拌之分批方式，又，亦可以是將各成分及非反應性氣體連續供給至攪拌裝置且攪拌，而且送 出氣泡分散液而製造成形品之連續生產方式。
又，亦可以將當作聚胺甲酸酯樹脂發泡體的原料之預聚合物加入反應容器，隨後投入鏈延長劑，攪拌後，流進預定大小的注模而製造方塊，而且將該方塊使用鉋子狀、或帶鋸狀的切片器進行切片之方法，或是在前述的注模階段，製成薄片狀。
前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體的平均氣泡徑係以100μm以下為佳，較佳是50μm以下，特佳是30~50μm。從該範圍脫離時，研磨後之被研磨材的平坦性(planarity)有低落的傾向。
前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體的氣泡數係以200個/mm2 以上為佳，較佳是250個/mm2 以上。
另一方面，使用中空微小球體時，中空微小球體係可以添加在含有異氰酸酯末端預聚合物的第1成分，亦可以添加在含有鏈延長劑的第2成分，為了使其均勻地分散在聚胺甲酸酯樹脂發泡體中，以添加在第2成分為佳。
所謂前述中空微小球體，係內部為中空且外殼係由樹脂所形成者。在本發明，能夠使用眾所周知的中空微小球體而沒有特別限定，例如可例示EXPANCEL DE(日本FILLITE公司製)、MICROPEARL(松本油脂工業製)、及ARBOCEL(Rettenmaier&Sohne製)、MATSUMOTO MICRO SPHERE-F(松本油脂製藥製)等。
中空微小球體的添加量係沒有特別限制，以在聚胺甲酸酯樹脂發泡體中為1.5~6.0重量%的方式添加為佳， 較佳是2.5~4.5重量%。
又，亦可以按照必要添加抗氧化劑等的安定劑、滑劑、顏料、填料、抗靜電劑、其他的添加劑。
以下，說明使用中空微小球體而製造構成研磨墊(研磨層)之熱硬化性聚胺甲酸酯樹脂發泡體的方法之例子。此種聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造方法係具有以下的步驟。
1)中空微小球體的混合步驟
在含有異氰酸酯末端預聚合物的第1成分，以在聚胺甲酸酯樹脂發泡體中為1.5~6.0重量%的方式添加中空微小球體，且其均勻分散而得到分散液。前述預聚合物係在常溫為固體時，係在適當的溫度預熱、熔融而使用。
2)硬化劑(鏈延長劑)的混合步驟
在上述分散液添加含有鏈延長劑之第2成分，混合而得到反應液。
3)注模步驟
將上述反應液流進模具。
4)硬化步驟
將流進模具後的反應液進行加熱，來使其反應硬化。
在聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造方法，將反應液流進模具且反應至不流動為止之發泡體進行加熱、後熟化，係具有使發泡體的物理特性提升之效果，乃是非常適合的。
使用第3級胺系等的眾所周知之促進聚胺甲酸酯 反應之觸媒亦無妨。觸媒的種類、添加量係考慮混合步驟後流進預定形狀的模具之流動時間而選擇。
聚胺甲酸酯樹脂發泡體的製造係可以是將各成分計量而投入容器且攪拌之分批方式，又，亦可以是將各成分連續供給至攪拌裝置而攪拌，且將反應液送出而製造成形品之連續生產方式。
又，將當作聚胺甲酸酯樹脂發泡體的原料之預聚合物及中空微小球體等加入反應容器，隨後投入鏈延長劑，攪拌後，流進預定的大小注模來製造方塊，而且將該方塊使用鉋子狀、或帶鋸狀的切片器進行切片之方法，或是在前述的注模階段，製成薄片狀。又，亦可以將當作原料的樹脂溶解且從T型塑模擠出，而且成形而直接得到薄片狀的聚胺甲酸酯樹脂發泡體。
前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體中之中空微小球體的平均氣泡徑係以20~60m為佳，較佳是30~50μm。從該範圍脫離時，研磨後之被研磨材的平坦性(planarity)有低落之傾向。
前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體的比重係以0.5~1.0為佳，較佳是0.6~0.9，特佳是0.7~0.8。
前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體的硬度係使用ASKER-D硬度計以10~45度為佳，較佳是15~35度，特佳是20-35度。
在本發明的研磨墊(研磨層)之與被研磨材接觸的研磨表面，以具有保持、更新漿料之表面形狀為佳。雖 然由發泡體所構成之研磨層係在研磨表面具有許多開口而具有保持、更新漿料之作用，但是為了效率更良好地進行漿料的保持及更新，又，為了防止因與被研磨材產生吸附引起被研磨材破壞，以在研磨表面具有凹凸構造為佳。凹凸構造係只要是保持、更新漿料之形狀，就沒有特別限定，例如可舉出XY格子溝、同心圓狀溝、貫穿孔、未貫穿的孔穴、多角柱、圓柱、螺旋狀溝、偏心圓狀溝、放射狀溝、及組合該等溝組合而成者。又，該等凹凸構造係通常是具有規則性者，為了使漿料的保持、更新性為所希望的，亦能夠在每個某範圍使溝間距、溝寬、溝深度等變化。
前述凹凸構造的製造方法係沒有特別限定，例如可舉出使用如預定尺寸的切削刀具之治具進行機械切削之方法；藉由在將樹脂流進具有預定表面形狀之模具且使其硬化來製造之方法；使用具有預定表面形狀之加壓板加壓樹脂來製造之方法；使用光微影技術而製造之方法；使用印刷手法而製造之方法；使用二氧化碳氣體雷射等之藉由雷射光之製造方法等。
研磨層的厚度係沒有特別限定，通常為0.8~4mm左右，以1.0~2.5mm為佳。
本發明的研磨墊係亦可以是使前述研磨層與緩衝薄片貼合而成者。
前述緩衝薄片(緩衝層)係補充研磨層的特性者。在CMP，為了使對立關之平坦性與均勻性的兩者並存，緩衝薄片係必要的。所謂平坦性，係指將具有在圖案形成 時所產生的微小凹凸之被研磨材進行研磨後之圖案部的平坦性，所謂均勻性，係指被研磨材整體的均勻性。藉由研磨層的特性而改善平坦性；藉由緩衝薄片的特性而均勻性。在本發明的研磨墊，緩衝薄片係以使用比研磨層柔軟者為佳。
作為緩衝層，例如可舉出聚酯不織布、．耐綸不織布、及丙烯酸酯不織布等的纖維不織布；如含浸聚胺甲酸酯而成之聚酯不織布之樹脂含浸不織布；聚胺甲酸酯發泡體及聚乙烯發泡體等的高分子樹脂發泡體；丁二烯橡膠及異戊二烯橡膠等的橡膠性樹脂；感光性樹脂等。
作為將研磨層與緩衝薄片貼合之手段，例如可舉出使用雙面膠帶夾在研磨層與緩衝薄片之間且加壓之方法。
前述雙面膠帶係具有在不織布和薄膜等基材的兩面設置有接著層之通常的構成者。考慮防止漿料往緩衝薄片滲透等時，以在基材使用薄膜為佳。又，作為接著層的組成，例如可舉出橡膠系接著劑、丙烯酸系接著劑等。考慮金屬離子的含量時，丙烯酸系接著劑係因為金屬離子含量少，乃是較佳。又，因為亦有研磨層與緩衝薄片係組成不同之情形，亦能夠將雙面膠帶之各接著層的組成設為不同，來使各層的接著力適當化。
本發明的研磨墊亦可以在與研磨轉盤接著之面，設置雙面膠帶。作為該雙面膠帶，係與上述同樣地，能夠使用具有在基材的兩面設置有接著層之通常的構成 者。作為基材，可舉出例如不織布、薄膜等。考慮研磨墊在使用後從研磨轉盤剝離時，以在基材使用薄膜為佳。又，作為接著層的組成，例如可舉出橡膠系接著劑、丙烯酸系接著劑等。考慮金屬離子的含量時，丙烯酸系接著劑係因為金屬離子含量少，乃是較佳。
半導體元件係經過使用前述研磨墊而研磨半導體晶圓的表面之步驟而製造。所謂半導體晶圓，係通常指在矽晶圓上積層有配線金屬及氧化膜者。半導體晶圓的研磨方法、研磨裝置係沒有特別限制，例如，如圖1所顯示，能夠使用具備下列之研磨裝置等來進行：研磨轉盤2，其係支撐研磨墊1；支撐台(拋光頭)5，其係支撐半導體晶圓4；背襯材，其係用以對背晶圓進行均勻加壓；以及研磨劑3的供給機構。研磨墊1係例如藉由使用雙面膠帶黏貼而被安裝在研磨轉盤2。所謂研磨轉盤2及支撐台5，係以各自所支撐的研磨墊1及半導體晶圓4為相對的方式配置，且各自具備旋轉軸6、7。又，在支撐台5側係設置有用以將半導體晶圓4壓住積層研磨墊1之加壓機構。在研磨時，係使研磨轉盤2及支撐台5旋轉之同時，將半導體晶圓4壓住層研磨墊1且邊供給漿料邊進行研磨。漿料的流量、研磨荷重、研磨轉盤轉數、及晶圓轉數係沒有特別限制，可適當地調整而進行。
藉此，半導體晶圓4之表面的突出部分係被除去且被研磨成為平坦狀。隨後，藉由切割(dicing)、接合、封裝等來製造半導體元件。半導體元件係能夠使用於運算處理裝置、記憶體等。
實施例
以下，舉出實施例而說明本發明，但是本發明係不被該等實施例限定。
[測定、評價方法]
(氣泡數及平均氣泡徑的測定)
將所製造的聚胺甲酸酯樹脂發泡體，以剖面盡可能平坦的方式使用切刀切斷，使用掃描型電子顯微鏡(日立SCIENCE SYSTEMS公司製、S-3500N)以100倍拍攝其剖面。然後，使用影像解析軟體(MITANI CORPORATION公司製、WIN-ROOF)測定任意範圍的氣泡數及全部氣泡的圓相當徑，且從其測定值算出算出1mm2的氣泡數、及氣泡600個的平均氣泡徑。
(硬度的測定)
依據JIS K6253-1997進行。將所製造的無發泡聚胺甲酸酯樹脂薄片、及聚胺甲酸酯樹脂發泡體薄片切取2cm×2cm(厚度：任意)的大小作為硬度測定用試料，在溫度23℃±2℃、濕度50%±5%的環境下靜置16小時。測定時係將試料疊合且設為厚度6mm以上。使用硬度計(高分子計器公司製、ASKER-D型硬度計)來測定1分鐘後的硬度。
(拉伸斷裂強度及拉伸斷裂伸長率的測定)
將所製造的無發泡聚胺甲酸酯樹脂薄片，依據JIS K7312-1996使用啞鈴體(dumbbell)3號的形狀進行沖切而得到試樣。將該試樣在22℃、66%RH的條件下培養24小時，隨後進行拉伸試驗。計量拉伸斷裂強度(MPa)及拉伸斷裂伸 長率(%)。作為拉伸試驗機，係使用AUTOGRAPH AG-X(島津製作所製)且使用影像延伸計(video extensometer)。拉伸速度係設為50mm/min。
(磨耗參數的算出)
磨耗參數係將在前述測定所得到的拉伸斷裂強度及拉伸斷裂伸長率之值代入下述式來算出。
磨耗參數={1/(拉伸斷裂強度[MPa]×拉伸斷裂伸長率[%]/100)}×100
(比重的測定)
依據JIS Z8807-1976而進行。將所製造的聚胺甲酸酯樹脂發泡體薄片切取4cm×8.5cm的薄長方形狀(厚度：任意)者作為比重測定用試料，且在溫度23℃±2℃、濕度50%±5%的環境下靜置16小時。測定係使用比重計(SARTORIUS公司製)來測定比重。
(研磨特性的評價)
使用SPP600S(岡本工作機械公司製)作為研磨裝置，使用所製造的研磨墊而進行研磨特性的評價。研磨速度係藉由在8英吋的矽晶圓將熱氧化膜製膜1μm1者進行研磨60秒，藉由此時的研磨量來算出。氧化膜膜厚測定係使用光干渉式膜厚測定裝置(Nanometrics公司製、裝置名：Nanospec)。作為研磨條件，係在研磨中以流量150ml/min添加二氧化矽漿料(SS12 Cabot公司製)作為漿料。作為研磨荷重，係設為350g/cm2，研磨轉盤轉數設為35rpm、晶圓轉數設為30rpm。
平坦化特性的評價係使用以下的方法進行。使8英吋矽晶圓堆積熱氧化膜0.5m之後，進行L/S(線與間隙)=5μm/5μm及L/S=5μm/25μm的圖案化，而且使其堆積氧化膜(TEOS)1μm間隙堆積來製造初期段差0.5μm之附有圖案的晶圓。使用前述條件進行研磨該晶圓，而且藉由測定整體的段差為2000Å以下時之25μm間隙的底部分之研削量來進行評價。平坦化特性係可以說是研削量的值越小越優異。
(刮痕的評價)
使用前述條件研磨4片之8英吋的仿真晶圓(dummy wafer)，隨後，將使其堆積厚度10000Å的熱氧化膜而成之8英吋的晶圓研磨1分鐘。然後使用KLA Tencor公司製的缺陷評價裝置(SurfscanSP1)而測定在研磨後的晶圓上有多少0.1gμm以上的條痕。
(修整器速度的測定)
使用鑽石修整器(diamond dresser)(旭DAIMOND公司製、M型#100、20cm Φ圓形)，邊使其旋轉邊均勻地進行修整所製造的研磨墊之表面。此時的修整器荷重係設為50g/cm2或450g/cm2，研磨轉盤轉數係設為30rpm，修整器轉數係設為15rpm，修整器時間係設為60min。然後，從修整器前後之研磨墊的厚度算出修整器速度。
實施例1
(無發泡聚胺甲酸酯樹脂薄片的製造)
在容器添加甲苯二異氰酸酯(三井化學公司製、TD1-80、2,4-體/2,6-體=80/20的混合物)18.2重量份、多量化 1,6-六亞甲基二異氰酸酯(住化BAYER URETHANE公司製、SUMIDUR N3300、異氰酸酯型)22.5重量份、聚四亞甲基醚二醇(三菱化學公司製、PTMG1000、羥值：112.2KOHmg/g)57.1重量份、1,4-丁二醇(NACALAI試藥公司製、1,4-BG)2.2重量份，於70℃使其反應4小時而得到異氰酸酯末端預聚合物A。又，多量化1,6-六亞甲基二異氰酸酯的含量係相對於總異氰酸酯成分為55重量%。
將前述預聚合物A100重量份及於120℃熔融後的4,4’-亞甲雙(鄰氯苯胺)19.9重量份加入行星式攪拌脫泡裝置，進行脫泡而調製聚胺甲酸酯原料組成物。將該組成物流進縱横向為200mm、深度為2mm的敞模(注模容器)且於100℃進行後熟化16小時，來製造無發泡聚胺甲酸酯樹脂薄片。
(研磨墊的製造)
將前述預聚合物A100重量份及矽酮系界面活性劑(Goldschmidt公司製、B8465)3重量份添加至聚合容器內而混合，調整為80℃且進行減壓脫泡。隨後，使用攪拌葉且使用轉數900rpm，以反應系內包含氣泡的方式激烈地進行攪拌約4分鐘。在此，添加預先於120℃熔融之4,4’-亞甲雙(鄰氯苯胺)19.9重量份。將該混合液攪拌約1分鐘之後，流進盤式的敞模(注模容器)。在該混合液的流動性消失時點放入烘箱內，於100℃進行後熟化16小時，來得到聚胺甲酸酯樹脂發泡體方塊。
將加熱至約80℃後的前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體方塊，使用切片器(AMITEC公司製、VGW-125)進行切片，來 得到聚胺甲酸酯樹脂發泡體薄片。其次，使用磨光機(AMITEC公司製)，進行該薄片的表面磨光處理直到厚度成為1.27mm為止，來製成厚度精度整修薄片。將該進行磨光處理後的薄片使用直徑61cm的大小進行沖切，且使用溝加工機(TECHNO公司製)在表面進行溝寬0.25mm、溝間距1.50mm、溝深度0.40mm之同心圓狀的溝加工而得到研磨層。使用貼合機將該研磨層之與溝加工面相反側的面，黏貼雙面膠帶(積水化學工業公司製、雙面膠帶)。而且將經電暈處理的緩衝薄片(TORAY公司製、聚乙烯發泡體、TORAYPEF、厚度0.8mm)的表面進行磨光處理，且使用貼合機將其貼合在前述雙面膠帶。而且，在緩衝薄片的另一面使用貼合機貼合雙面膠帶而製成研磨墊。
實施例2~7、比較例1~5
除了使用在表1及2所記載之配合以外，係使用與實施例1同樣的方法製造無發泡聚胺甲酸酯樹脂薄片及研磨墊。表1及2中的化合物係如以下。
LF600D：Chemtura公司製、由甲苯二異氰酸酯及聚四亞甲基醚二醇所合成之預聚合物、NCOwt%=7.25
LF950A：Chemtura公司製、由甲苯二異氰酸酯及聚四亞甲基醚二醇所合成之預聚合物、NCOwt%=6.05
L167：Chemtura公司製、由甲苯二異氰酸酯及聚四亞甲基醚二醇所合成之預聚合物、NCOwt%=6.30
實施例8
(研磨墊的製造)
將前述預聚合物F100重量份及矽酮系界面活性劑(Goldschmidt公司製、B8465)3重量份及第3級胺觸媒(花王公司製、KAO：NO25(N,N-二甲胺基己醇))0.75重量份添加至聚合容器內而混合，調整為80℃且進行減壓脫泡。隨後，使用攪拌葉且使用轉數900rpm，以反應系內包含氣泡的方式激烈地進行攪拌約4分鐘。在此，添加預先於120℃熔融之4,4’-亞甲雙(鄰氯苯胺)19.1重量份。將該混合液攪拌約1分鐘之後，流進盤式的敞模(注模容器)。在該混合液的流動性消失時點放入烘箱內，於100℃進行後熟化16小時，來得到聚胺甲酸酯樹脂發泡體方塊。
將加熱至約80℃後的前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體方塊，使用切片器(AMITEC公司製、VGW-125)進行切片，來得到聚胺甲酸酯樹脂發泡體薄片。其次，使用磨光機(AMITEC公司製)，進行該薄片的表面磨光處理直到厚度成為1.27mm為止，來製成厚度精度整修薄片。將該進行磨光處理後的薄片使用直徑61cm的大小進行沖切，且使用溝加工機(TECHNO公司製)在表面進行溝寬2.0mm、溝間距15mm、溝深度0.60mm之XY狀的溝加工而得到研磨層。使用貼合機將該研磨層之與溝加工面相反側的面，黏貼雙面膠帶(積水化學工業公司製、雙面膠帶)。而且將經電暈處理的緩衝薄片(TORAY公司製、聚乙烯發泡體、TORAYPEF、厚度0.8mm)的表面進行磨光處理，且使用貼合機將其貼合 在前述雙面膠帶。而且，在緩衝薄片的另一面使用貼合機貼合雙面膠帶而製成研磨墊。
實施例9、10
除了採用在表3所記載的配合以外，係使用與實施例8同樣的方法製成研磨墊。表3中的化合物係如以下。
KAO：NO1；花王公司製、N,N,N’,N’-四甲基己烷-1,6-二胺
實施例11
(研磨墊的製造)
將調整為70℃且進行減壓脫泡後的前述預聚合物F 100重量份及作為中空微小球體之MATSUMOTO MICRO SPHERE-F65DE(松本油脂製藥股份公司製)4重量份添加至聚合容器內，使用MAZERUSTAR-KK-2000(KURABO公司製)混合3分鐘。將所得到的混合液於70℃進行減壓脫泡1小時而得到分散液。在此，添加預先於120℃熔融之4,4’-亞甲雙(鄰氯苯胺)19.1重量份(NCOIndex：1.1)，且使用混合式攪拌機(hybrid mixer)混合1分鐘而調製反應液。然後，將該反應液流進盤式的敞模(注模容器)。在該反應液的流動性消失時點放入烘箱內，於100℃進行後熟化16小時，來得到聚胺甲酸酯樹脂發泡體方塊。
將加熱至約80℃後的前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體方塊，使用切片器(AMITEC公司製、VGW-125)進行切片，來得到聚胺甲酸酯樹脂發泡體薄片。其次，使用磨光機(AMITEC公司製)，進行該薄片的表面磨光處理直到厚度成為1.27mm為止，來製成厚度精度整修薄片。將該進行磨光處理後的薄片使用直徑61cm的大小進行沖切，且使用溝加工機(TECHNO公司製)在表面進行溝寬0.25mm、間距1.50mm、溝深度0.40mm之同心圓狀的溝加工而得到研磨層。使用貼合機將該研磨層之與溝加工面相反側的面，黏貼雙面膠帶(積水化學工業公司製、雙面膠帶)。而且將經電暈處理的緩衝薄片(TORAY公司製、聚乙烯發泡體、TORAYPEF、厚度0.8mm)的表面進行磨光處理，且使用貼合機將其貼合在前述雙面膠帶。而且，在緩衝薄片的另一面使用貼合機貼合雙面膠帶而製成研磨墊。
實施例12、13及比較例6、7
除了採用在表4所記載的配合以外，係使用與實施例11同樣的方法製成研磨墊。
產業上之可利用性
本發明的研磨墊係能夠穩定且高研磨效率地進行透鏡、反射鏡等的光學材料、矽晶圓、鋁基板、及通常的金屬研磨加工等被要求高度表面平坦性之材料的平坦化加工。本發明的研磨墊係特別是能夠適合使用於將矽晶圓以及在其上形成有氧化物層、金屬層等之元件，在該等進一步積層、形成氧化物層和金屬層之前進行平坦化之步驟。

Claims (10)

  1. 一種研磨墊，係具有由具有微細氣泡的聚胺甲酸酯樹脂發泡體所構成的研磨層者，其特徵在於：前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體含有ASKER-D硬度為20~60度且下式所示的磨耗參數為1~3之聚胺甲酸酯樹脂，並且，該聚胺甲酸酯樹脂含有使預聚物原料組成物發生反應而得之異氰酸酯末端預聚物及鏈延長劑來作為原料成分，該預聚物原料組成物含有：作為異氰酸酯成分之多量化二異氰酸酯及芳香族二異氰酸酯、高分子量多元醇、以及含活性氫基的低分子量化合物；磨耗參數={1/(拉伸斷裂強度[MPa]×拉伸斷裂伸長率[%]/100)}×100。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體之氣泡數為200個/mm2 以上且平均氣泡徑為50μm以下。
  3. 如申請專利範圍第2項之研磨墊，其中相對於總異氰酸酯成分，多量化二異氰酸酯的含量為15~60重量%，異氰酸酯末端預聚物的NCO wt%為5~8wt%。
  4. 如申請專利範圍第2項之研磨墊，其中多量化二異氰酸酯為多量化脂肪族二異氰酸酯，芳香族二異氰酸酯為甲苯二異氰酸酯。
  5. 如申請專利範圍第4項之研磨墊，其中多量化脂肪族二異氰酸酯為多量化六亞甲基二異氰酸酯。
  6. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中聚胺甲酸酯樹脂 發泡體之ASKER-D硬度為10~45度。
  7. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中聚胺甲酸酯樹脂發泡體之比重為0.5~1.0。
  8. 如申請專利範圍第1項之研磨墊，其中前述微細氣泡係以中空微小球體形成。
  9. 一種研磨墊的製造方法，係如申請專利範圍第1項之研磨墊的製造方法，其特徵在於含有下述步驟：將含有異氰酸酯末端預聚物、矽酮系界面活性劑、及第3級胺觸媒之第1成分與非反應性氣體進行攪拌，調製出使前述非反應性氣體作為微細氣泡而分散之氣泡分散液，隨後，在前述氣泡分散液中混合含有鏈延長劑的第2成分，使其硬化而製出前述聚胺甲酸酯樹脂發泡體；並且，前述異氰酸酯末端預聚物係使預聚物原料組成物發生反應而得者，該預聚合物原料組成物含有：作為異氰酸酯成分之多量化二異氰酸酯及芳香族二異氰酸酯、高分子量多元醇、以及含活性氫基的低分子量化合物；前述製造方法中，相對於異氰酸酯末端預聚合物100重量份，第3級胺觸媒的含量為0.1~3重量份。
  10. 一種半導體元件的製造方法，其含有使用如申請專利範圍第1項之研磨墊而研磨半導體晶圓的表面之步驟。
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