JP2002190609A - Mirror-type solar cell and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、金属光沢を有する
ミラー型太陽電池とその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mirror type solar cell having a metallic luster and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、環境問題が重要視されるようにな
り、従来の火力や原子力以外のエコロジーな発電源とし
て太陽光発電が注目されている。太陽光発電は住宅用ば
かりでなく様々な電子機器にも応用範囲が広がってきて
いる。2. Description of the Related Art In recent years, environmental issues have become increasingly important, and solar power generation has attracted attention as an ecological power source other than conventional thermal power and nuclear power. The application range of solar power generation is expanding not only for residential use but also for various electronic devices.
【０００３】図２は従来の太陽電池の構造を示した図で
ある。一般的な従来の太陽電池では、第２電極膜４ｂと
して酸化インジウム錫などの透明導電膜を用いていた。
前記透明導電膜４ｂから入射した光は光電変換層３を介
して第１電極膜２である金属膜で反射し、再び光電変換
層３と第２電極膜４ｂを介して反射光となる。FIG. 2 is a view showing the structure of a conventional solar cell. In a general conventional solar cell, a transparent conductive film such as indium tin oxide is used as the second electrode film 4b.
Light incident from the transparent conductive film 4b is reflected by the metal film as the first electrode film 2 via the photoelectric conversion layer 3, and becomes reflected light again via the photoelectric conversion layer 3 and the second electrode film 4b.
【０００４】前記光電変換層３にアモルファスシリコン
を用いた太陽電池の場合には、可視光の緑色付近にキャ
リア収集効率のピークを持ち、また、結晶シリコンを用
いた太陽電池の場合には、可視光の赤色付近にキャリア
収集効率のピークを持つ。このように全波長域に対して
均一なキャリア収集効率を持つような太陽電池は存在し
ない。従って、反射光はその太陽電池材料特有の色味を
有するので、人間は該色味を感知することになる。In the case of a solar cell using amorphous silicon for the photoelectric conversion layer 3, the carrier collection efficiency has a peak near the green color of visible light. It has a carrier collection efficiency peak near the red color of light. There is no solar cell having such a uniform carrier collection efficiency over the entire wavelength range. Therefore, since the reflected light has a color unique to the solar cell material, a human perceives the color.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】前記色味を人間の目で
認識させないために、太陽電池上面に色調補正の干渉膜
を配置したり、太陽電池を覆うように有色の保護膜を配
置して太陽電池材料特有の色味を変化させ、各種の色味
を得ていた。In order to prevent the color from being recognized by human eyes, a color tone correcting interference film is disposed on the upper surface of the solar cell, or a colored protective film is disposed so as to cover the solar cell. By changing the color unique to the solar cell material, various colors were obtained.
【０００６】しかし金属的な光沢の反射面が欲しい場
合、従来のように前記干渉膜や有色の保護膜を太陽電池
上面に設ける方法では、反射率の高い光沢反射面を得る
事は物理的に不可能であった。また、光電変換層に光を
入射させる必要があるため金属膜を入射光側の電極に用
いる事はできなかった。例え膜厚を薄くして半透過とし
た金属膜を用いても太陽電池からの反射光は色味を有す
るため、やはり金属的な光沢の反射面得る事が出来なか
った。However, when a metallic glossy reflection surface is desired, the conventional method of providing the interference film or the colored protective film on the upper surface of the solar cell does not physically provide a glossy reflection surface having a high reflectance. It was impossible. Further, since light needs to be incident on the photoelectric conversion layer, a metal film cannot be used as an electrode on the incident light side. Even if a metal film having a thin film thickness and being semi-transmissive is used, since the reflected light from the solar cell has a tint, a metallic glossy reflection surface could not be obtained.
【０００７】本発明の目的は上記課題を解決して、波長
依存性のない金属光沢を有するミラー型太陽電池を提供
することにある。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a mirror type solar cell having metallic luster without wavelength dependence.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のミラー型太陽電池は、下記記載の手段を採用す
る。基板の少なくとも一方の面に第１電極膜／光電変換
層／第２電極膜を順次積層した太陽電池であって、前記
第１電極膜および第２電極膜が金属膜であり、該太陽電
池の第２電極膜および光電変換層に部分的欠落部を設け
ることで該光電変換層への入射光を確保できる構成とし
たことを特徴とするものである。To achieve the above object, a mirror type solar cell of the present invention employs the following means. A solar cell in which a first electrode film / photoelectric conversion layer / second electrode film is sequentially laminated on at least one surface of a substrate, wherein the first electrode film and the second electrode film are metal films, By providing a partially missing portion in the second electrode film and the photoelectric conversion layer, it is possible to secure a light incident on the photoelectric conversion layer.
【０００９】本発明のミラー型太陽電池は、前記欠落部
が太陽電池の第１電極膜、光電変換層、第２電極膜に設
けられていることを特徴とするものであり、更に前記基
板に透明性基板を用いることが望ましい。A mirror type solar cell according to the present invention is characterized in that the missing portion is provided in a first electrode film, a photoelectric conversion layer, and a second electrode film of the solar cell. It is desirable to use a transparent substrate.
【００１０】また、前記光電変換層の接合形態がｐ−ｉ
−ｎ接合であることが好ましい。[0010] Further, the photoelectric conversion layer has a bonding mode of pi
It is preferably an -n junction.
【００１１】さらにいうと、前記接合が、アモルファス
シリコンと微結晶シリコンのいずれか又はその組み合わ
せの半導体で構成されていることが好ましい。Furthermore, it is preferable that the junction is made of a semiconductor of either amorphous silicon or microcrystalline silicon or a combination thereof.
【００１２】本発明のミラー型太陽電池の製造方法は、
基板の少なくとも一方の面に金属材料からなる第１電極
膜、光電変換層、金属材料からなる第２電極膜を順次積
層し、所望のパターンで第２電極膜および光電変換層に
部分的欠落部を形成することを特徴とする。The method for manufacturing a mirror type solar cell according to the present invention comprises:
A first electrode film made of a metal material, a photoelectric conversion layer, and a second electrode film made of a metal material are sequentially laminated on at least one surface of the substrate, and the second electrode film and the photoelectric conversion layer are partially missing in a desired pattern. Is formed.
【００１３】本発明のミラー型太陽電池の製造方法は、
基板の少なくとも一方の面に金属材料からなる第１電極
膜、光電変換層、金属材料からなる第２電極膜を順次積
層し、所望のパターンで第２電極膜、光電変換層および
第１電極膜に部分的欠落部を形成することを特徴とす
る。The method for manufacturing a mirror type solar cell according to the present invention comprises:
A first electrode film made of a metal material, a photoelectric conversion layer, and a second electrode film made of a metal material are sequentially laminated on at least one surface of the substrate, and the second electrode film, the photoelectric conversion layer, and the first electrode film are formed in a desired pattern. Is characterized in that a partially missing portion is formed.
【００１４】本発明のミラー型太陽電池では、第１電極
膜および第２電極膜として金属膜を用いているので、波
長依存性のないミラーおよび半透過ミラーを実現するこ
とができる。しかも、太陽電池は部分的な欠落部側壁か
らの光によって発電を行うことができる構成である。In the mirror type solar cell of the present invention, since the metal films are used as the first electrode film and the second electrode film, a mirror and a semi-transmissive mirror having no wavelength dependency can be realized. In addition, the solar cell has a configuration in which power can be generated by light from a partially missing portion side wall.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明になる波長依存性のないミ
ラー型および半透過ミラー型太陽電池の構造は図１
（ａ）または（ｂ）に示すものである。図１における基
板１としてはガラス、プラスチック、ステンレス等の材
料を用いることができる。該材料は使用する用途によっ
て選択が可能である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of a mirror-type and semi-transmissive mirror-type solar cell having no wavelength dependency according to the present invention is shown in FIG.
(A) or (b). As the substrate 1 in FIG. 1, a material such as glass, plastic, and stainless steel can be used. The material can be selected depending on the use to be used.
【００１６】図１において第１電極層２および第２電極
層４ａは例えばアルミニウム材料である。In FIG. 1, the first electrode layer 2 and the second electrode layer 4a are made of, for example, an aluminum material.
【００１７】図１において光電変換層３は例えばｐ−ｉ
−ｎ接合構造のアモルファスシリコンである。In FIG. 1, the photoelectric conversion layer 3 is made of, for example, pi
-Amorphous silicon having an n-junction structure.
【００１８】図１（ａ）に示すような本願発明の太陽電
池の上面から見た場合には、全面が金属膜となるため太
陽電池に吸収されなかった入射光は全て金属膜で反射さ
れて返ってくることになる。すなわち、波長依存性のな
い反射率の高いミラー型太陽電池とすることができる。When viewed from the upper surface of the solar cell of the present invention as shown in FIG. 1A, the entire surface is a metal film, so that all the incident light not absorbed by the solar cell is reflected by the metal film. I will come back. That is, a mirror type solar cell having high reflectance without wavelength dependency can be obtained.
【００１９】前記太陽電池は、厚みを有するために前記
欠落部の側壁からの入射光により発電することが可能で
ある。該欠落部により露出された光電変換層の側壁部分
は太陽電池の上面からは見えないために、ミラーの機能
に影響を及ぼすものではない。Since the solar cell has a thickness, it can generate electric power by incident light from the side wall of the missing portion. Since the side wall portion of the photoelectric conversion layer exposed by the missing portion is not visible from the upper surface of the solar cell, it does not affect the function of the mirror.
【００２０】そして、図１に示した光電変換層３の膜厚
Ｈを変えることにより発電量を調整することができる。The amount of power generation can be adjusted by changing the thickness H of the photoelectric conversion layer 3 shown in FIG.
【００２１】また、基板１に透明性基板を用い、図１
（ｂ）に示すように前記第１電極層にも欠落部を設け、
半透過ミラー型太陽電池としても良い。該太陽電池を上
面から見た場合には、金属面とガラス面のみとなるの
で、波長依存性のない半透過ミラーが実現できる。この
構成においては、前記第１電極層の欠落部（透光部）の
面積を変えることにより光の反射率を変更することがで
きる。また、図１（ａ）で示した太陽電池と同様に光電
変換層３の側壁からの入射光によって発電することが可
能である。Further, when a transparent substrate is used as the substrate 1, FIG.
As shown in (b), the first electrode layer is also provided with a missing portion,
A transflective mirror type solar cell may be used. When the solar cell is viewed from above, only a metal surface and a glass surface are provided, so that a semi-transmissive mirror having no wavelength dependency can be realized. In this configuration, the reflectance of light can be changed by changing the area of the missing portion (light transmitting portion) of the first electrode layer. Further, similarly to the solar cell shown in FIG. 1A, it is possible to generate power by incident light from the side wall of the photoelectric conversion layer 3.
【００２２】一般的な微結晶シリコンを太陽電池のｐ−
ｉ−ｎ接合に導入した場合について説明する。最適な光
電変換層３の膜厚Ｈは１から2μm程度であり、前記欠落
部の光電変換層３の側壁からの十分な光入射が期待でき
る。また、該微結晶シリコンとアモルファスシリコンを
組み合わせて太陽電池を構成しても良いことは言うまで
もない。A general microcrystalline silicon is used for p-type solar cells.
The case of introducing to an i-n junction will be described. The optimum thickness H of the photoelectric conversion layer 3 is about 1 to 2 μm, and sufficient light incidence from the side wall of the photoelectric conversion layer 3 in the missing portion can be expected. Needless to say, a solar cell may be formed by combining the microcrystalline silicon and the amorphous silicon.
【００２３】次にアモルファスシリコンでｐ−ｉ−ｎ接
合を構成した太陽電池について説明する。最適な光電変
換層２の膜厚Ｈは0.5μm程度と非常に薄く、光電変換に
用いる光の波長と同等の大きさである。したがって、側
壁部からの入射光で光電変換が可能か懸念される。Next, a solar cell having a pin junction made of amorphous silicon will be described. The optimal film thickness H of the photoelectric conversion layer 2 is as extremely small as about 0.5 μm, which is equivalent to the wavelength of light used for photoelectric conversion. Therefore, there is a concern whether photoelectric conversion can be performed with incident light from the side wall.
【００２４】そこで、本発明を用いて光電変換層２の膜
厚Ｈが光の波長よりも小さい0.16μmと0.26μmという通
常よりも薄いアモルファスシリコン太陽電池を作成し、
その太陽電池特性を評価した。まず、１cm2のエリアに
等間隔の100μm幅の太陽電池を10μｍ間隔で100本配置
して評価用サンプルを作成した。つまり、該評価用サン
プルは、100μm幅の線状帯からなる太陽電池と10μm幅
の欠落部を有するものである。特性の評価は太陽電池に
1000ルクスの蛍光灯の光を当てて、その合計起電力の測定
により行った。Therefore, using the present invention, an amorphous silicon solar cell in which the thickness H of the photoelectric conversion layer 2 is 0.16 μm and 0.26 μm, which is smaller than the wavelength of light, which is thinner than usual, is produced.
The solar cell characteristics were evaluated. First, an evaluation sample was prepared by arranging 100 solar cells having a width of 100 μm at regular intervals in an area of 1 cm 2 at an interval of 10 μm. That is, the evaluation sample had a solar cell composed of a linear band having a width of 100 μm and a missing portion having a width of 10 μm. Evaluation of characteristics for solar cells
The measurement was performed by irradiating a light of a 1000 lux fluorescent lamp and measuring the total electromotive force.
【００２５】その結果、図４に示すように通常の太陽電
池（従来品）より性能は低いものの十分使用に耐える性
能の特性が得られることが確認できた。これは、光電変
換層３の膜厚Ｈを光電変換に用いる光の波長より小さく
してもアモルファスシリコンの高い屈折率により、前記
欠落部の側壁で生じる近接場光がアモルファスシリコン
へ吸い込まれていくためと推測する。本評価においては
単位面積あたりの起電流は従来品に及ばないが、これほ
どの薄膜でも太陽電池として、しっかり機能しているこ
とがわかった。As a result, as shown in FIG. 4, it was confirmed that although the performance was lower than that of a normal solar cell (conventional product), the characteristics of performance enough to withstand use were obtained. This is because even if the film thickness H of the photoelectric conversion layer 3 is smaller than the wavelength of light used for photoelectric conversion, the near-field light generated on the side wall of the missing portion is absorbed into the amorphous silicon due to the high refractive index of the amorphous silicon. To guess. In this evaluation, the electromotive current per unit area was lower than that of the conventional product, but it was found that such a thin film still functioned well as a solar cell.
【００２６】（実施例１）以下に、図１（ａ）に示す太
陽電池を作成する第１の実施例について説明する。実施
例１の方法は、200μm以上のラフなパターンの部分的欠
落部を太陽電池に作り込む場合に有効である。まず、前
記基板１上に第１電極膜２を成膜する。そして、図示は
しないが、第１電極膜２の一部を所望のパターンにマス
キングし、周知のマスクデポ法を用いて、その上に光電
変換層３、第２電極膜４ａを順次成膜し、最終的に前記
マスクを取り除いて図１（ａ）に示すような、第２の電
極４ａと光電変換層３に欠落部を有するミラー型太陽電
池を構成することができた。(Example 1) A first example for producing the solar cell shown in FIG. 1A will be described below. The method of the first embodiment is effective when a partially missing portion having a rough pattern of 200 μm or more is formed in a solar cell. First, a first electrode film 2 is formed on the substrate 1. Then, although not shown, a part of the first electrode film 2 is masked in a desired pattern, and a photoelectric conversion layer 3 and a second electrode film 4a are sequentially formed thereon by using a known mask deposition method. Finally, by removing the mask, a mirror type solar cell having a missing portion in the second electrode 4a and the photoelectric conversion layer 3 as shown in FIG.
【００２７】（実施例２）実施例１に比べ微細パターン
からなる部分的欠落部を形成する場合について説明す
る。微細で高密度な欠落部を形成することで、光電変換
層３への入射光量を容易に調節することができ、高効率
化が期待できる。(Embodiment 2) A case where a partially missing portion formed of a fine pattern is formed as compared with Embodiment 1 will be described. By forming fine and high-density cutouts, the amount of incident light on the photoelectric conversion layer 3 can be easily adjusted, and high efficiency can be expected.
【００２８】まず、基板１としてガラスを用い、第１電
極膜２として高反射率の金属であるアルミニウムを用
い、ｐｉｎ接合の第１光電変換層３としてアモルファス
シリコン（以下、ａ−Ｓｉ膜）を用い、第２電極膜４ａ
にもアルミニウムを用いる構成について図３を用いて説
明する。First, glass is used as the substrate 1, aluminum, which is a metal having high reflectivity, is used as the first electrode film 2, and amorphous silicon (hereinafter a-Si film) is used as the first photoelectric conversion layer 3 having a pin junction. Used, second electrode film 4a
A configuration using aluminum will be described with reference to FIG.
【００２９】図３（ａ）に示すように、基板１の上に第
１電極膜２、光電変換層３および第２電極膜４ａを積層
する。この実施例においては第１電極膜２と第２電極膜
４ａはアルミニウムであり、スパッタリング法により成
膜した。該スパッタリング条件は、ターゲット材として
アルミニウムを用い、スパッタリング装置内に100sccm
のアルゴンガスを導入し、装置内の圧力を5〜30mTorrと
して、これに1〜3KWの電力を印加して生成したプラズマ
によって行った。As shown in FIG. 3A, a first electrode film 2, a photoelectric conversion layer 3, and a second electrode film 4a are laminated on a substrate 1. In this embodiment, the first electrode film 2 and the second electrode film 4a are made of aluminum and formed by a sputtering method. The sputtering conditions were such that aluminum was used as a target material, and 100 sccm
, An argon gas was introduced, the pressure in the apparatus was set to 5 to 30 mTorr, and a plasma generated by applying a power of 1 to 3 KW to the apparatus was performed.
【００３０】また、Ｐ型、Ｉ型、Ｎ型の接合構造を有す
るａ−Ｓｉ膜３の成膜はプラズマＣＶＤ法により行っ
た。まずＰ型のａ−Ｓｉ膜を、プラズマＣＶＤ装置内に
シランガス500sccmと0.1〜1sccmのジボランガスを導入
し、装置内の圧力を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波
電力（13.56MHz）を印加して生成したプラズマを用いて
ガスを分解し、温度を250℃とした電極上に基板１を置
いて成膜した。次にＩ型のａ−Ｓｉ膜を、プラズマＣＶ
Ｄ装置内にシランガス500sccmを導入し、装置内の圧力
を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波電力（13.56MHz）
を印加して生成したプラズマを用いてガスを分解し、温
度を250℃とした電極上に基板１を置いて成膜した。更
にＮ型のａ−Ｓｉ膜をプラズマＣＶＤ装置内にシランガ
ス500sccmと0.1〜1sccmのホスフィンガスを導入し、装
置内の圧力を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波電力
（13.56MHz）を印加して生成したプラズマを用いてガス
を分解し、温度を250℃とした電極上に基板１を置いて
成膜した。The formation of the a-Si film 3 having a P-type, I-type, and N-type junction structure was performed by a plasma CVD method. First, a P-type a-Si film is introduced into a plasma CVD apparatus by introducing a silane gas of 500 sccm and a diborane gas of 0.1 to 1 sccm. The gas was decomposed using the plasma generated by this, and the substrate 1 was placed on an electrode at a temperature of 250 ° C. to form a film. Next, an I-type a-Si film is formed by plasma CV.
D Introduce 500 sccm of silane gas into the device, set the pressure in the device to 0.5 to 2 Torr, and use a high frequency power of 50 to 300 W (13.56 MHz).
The gas was decomposed using the plasma generated by applying the pressure, and the substrate 1 was placed on the electrode at a temperature of 250 ° C. to form a film. Further, a silane gas of 500 sccm and a phosphine gas of 0.1 to 1 sccm are introduced into the N type a-Si film into the plasma CVD apparatus, the pressure in the apparatus is set to 0.5 to 2 Torr, and a high frequency power of 50 to 300 W (13.56 MHz) is applied. The gas was decomposed using the plasma generated by this, and the substrate 1 was placed on an electrode at a temperature of 250 ° C. to form a film.
【００３１】上記のようにして図３（ａ）に示す構造体
を作製した後、前記第２電極膜４ａの上面にレジストを
塗布し、これをフォトリソグラフィー法により図３
（ｂ）に示すように所望のレジストパターン１０を形成
した。After the structure shown in FIG. 3A is manufactured as described above, a resist is applied to the upper surface of the second electrode film 4a, and the resist is applied by photolithography.
A desired resist pattern 10 was formed as shown in FIG.
【００３２】そして、前記レジストパターン１０をエッ
チングマスクとして第２電極膜４ａであるアルミニウム
と光電変換層であるａ−Ｓｉ膜３のエッチングを行い部
分的欠落部を形成した。Then, using the resist pattern 10 as an etching mask, aluminum as the second electrode film 4a and the a-Si film 3 as the photoelectric conversion layer were etched to form partially missing portions.
【００３３】この後、レジストパターン１０を剥離し
て、図３（ｃ）に示すように所望のパターンの欠落部を
有するミラー型太陽電池を得た。Thereafter, the resist pattern 10 was peeled off to obtain a mirror type solar cell having a desired pattern missing portion as shown in FIG.
【００３４】上記のアルミニウムのエッチングは、ドラ
イエッチング装置内に100〜300sccmのBCL3ガスと0〜100
sccmのCL2ガスを導入し、全体の圧力を10〜100ｍTorrと
して、これに1000〜3000Wの高周波電力（13.56MHz）を
印加して生成したプラズマによって行った。The above-mentioned etching of aluminum is performed by using 100 to 300 sccm of BCL 3 gas and 0 to 100 sccm in a dry etching apparatus.
introducing CL 2 gas sccm, a pressure of overall 10～100MTorr, went this by plasma generated by applying a 1000~3000W high frequency power (13.56 MHz).
【００３５】また、ａ−Ｓｉ膜３のエッチングは、ドラ
イエッチング装置内に50〜100sccmのSF6ガスと50〜100s
ccmのCL2ガスを導入し、全体の圧力を10〜100ｍTorrと
して、これに1000〜3000Wの高周波電力（13.56MHz）を
印加して生成したプラズマによって行った。The etching of the a-Si film 3 is performed in a dry etching apparatus by using SF 6 gas of 50 to 100 sccm and 50 to 100 s.
The plasma was generated by introducing ccm of CL 2 gas, setting the total pressure to 10 to 100 mTorr, and applying high-frequency power (13.56 MHz) of 1000 to 3000 W thereto.
【００３６】上記図３（ｃ）に於いて前記第１電極層も
前記レジストパターン１０またはこれと異なるレジスト
パターンを用いてエッチングにより欠落部を設ければ、
前記図１（ｂ）に示した半透過ミラー型太陽電池を形成
する事が出来る。In FIG. 3 (c), if the first electrode layer is also provided with a notch by etching using the resist pattern 10 or a resist pattern different therefrom,
The transflective mirror type solar cell shown in FIG. 1B can be formed.
【００３７】以上述べたように、光電変換に用いる光の
波長よりも小さな膜厚（少なくとも膜厚Ｈが0.16μｍ以
上）のアモルファスシリコン太陽電池へも十分適用可能
であると判断できた。また、ここで使用される光電変換
層は微結晶シリコンとアモルファスシリコンにより構成
すると明記したが、他の材料による光電変換層を用いて
もミラー型太陽電池を形成できることは言うまでもな
い。更に、上記方法により基板の裏面に太陽電池を形成
することで、基板両面にミラー型太陽電池を形成しても
良い。As described above, it was determined that the present invention can be sufficiently applied to an amorphous silicon solar cell having a film thickness smaller than the wavelength of light used for photoelectric conversion (at least the film thickness H is 0.16 μm or more). In addition, although it has been specified that the photoelectric conversion layer used here is composed of microcrystalline silicon and amorphous silicon, it is needless to say that a mirror type solar cell can be formed by using a photoelectric conversion layer of another material. Furthermore, a mirror type solar cell may be formed on both surfaces of the substrate by forming the solar cell on the back surface of the substrate by the above method.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上詳述したごとく、本発明のミラー型
太陽電池を採用することで、入射光に対して基板の全面
を金属膜とすることができ、波長依存性のないミラーお
よび半透過ミラーに適用できる太陽電池を提供すること
ができる。As described in detail above, by adopting the mirror type solar cell of the present invention, the entire surface of the substrate can be made of a metal film with respect to the incident light, the mirror having no wavelength dependence and the semi-transmission. A solar cell applicable to a mirror can be provided.
【００３９】なお、本発明のミラー型太陽電池を時計の
文字盤に用いることで、金属光沢を有する装飾性に優れ
た太陽電池一体型文字盤とすることができ、更に太陽電
池時計の部品点数を減らすという効果をもたらす。ま
た、本発明のミラー型太陽電池の部分的欠落部の面積を
変えることで回折格子としても応用できる。また、本発
明のミラー型太陽電池は反射型液晶パネル等の反射板と
して用いることもできる。By using the mirror type solar cell of the present invention for a clock face, it is possible to obtain a solar cell integrated dial having a metallic luster and excellent decorativeness. Has the effect of reducing Further, the mirror type solar cell of the present invention can be applied as a diffraction grating by changing the area of a partially missing portion. Further, the mirror type solar cell of the present invention can be used as a reflection plate of a reflection type liquid crystal panel or the like.
【図１】本発明によるミラー型太陽電池とおよび半透過
ミラー型太陽電池の実施形態を示す構造断面図である。FIG. 1 is a structural sectional view showing an embodiment of a mirror type solar cell and a transflective mirror type solar cell according to the present invention.
【図２】従来の太陽電池を示す構造断面図である。FIG. 2 is a structural sectional view showing a conventional solar cell.
【図３】本発明によるミラー型太陽電池の製造方法を示
す工程図である。FIG. 3 is a process chart showing a method for manufacturing a mirror type solar cell according to the present invention.
【図４】本発明によるミラー型太陽電池における近接場
光の光電変換特性を表した電圧と電流密度と太陽電池膜
厚の関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a relationship between a voltage, a current density, and a solar cell film thickness showing a photoelectric conversion characteristic of near-field light in a mirror type solar cell according to the present invention.
１ 基板 ２ 第１電極膜 ３ 光電変換層 ４ａ 第２電極膜 １０ レジストパターン Reference Signs List 1 substrate 2 first electrode film 3 photoelectric conversion layer 4a second electrode film 10 resist pattern
Claims (7)
／光電変換層／第２電極膜を順次積層した太陽電池であ
って、該第１電極膜および第２電極膜が金属膜であり、
該太陽電池の第２電極膜および光電変換層に部分的欠落
部を設けることを特徴とするミラー型太陽電池。1. A solar cell in which a first electrode film / a photoelectric conversion layer / a second electrode film is sequentially laminated on at least one surface of a substrate, wherein the first electrode film and the second electrode film are metal films. ,
A mirror type solar cell, wherein a partially missing portion is provided in the second electrode film and the photoelectric conversion layer of the solar cell.
電変換層、第２電極膜に設けられていることを特徴とす
る請求項１に記載のミラー型太陽電池。2. The mirror type solar cell according to claim 1, wherein the missing part is provided in a first electrode film, a photoelectric conversion layer, and a second electrode film of the solar cell.
とする請求項２に記載のミラー型太陽電池。3. The mirror type solar cell according to claim 2, wherein the substrate is a transparent substrate.
接合であることを特徴とする請求項１から３のいずれか
に記載のミラー型太陽電池。4. The bonding mode of the photoelectric conversion layer is pin
The mirror type solar cell according to claim 1, wherein the mirror type solar cell is a junction.
と微結晶シリコンのいずれか又は組み合わせの半導体で
構成されていることを特徴とする請求項１から４のいず
れかに記載のミラー型太陽電池。5. The mirror type solar cell according to claim 1, wherein the bonding mode is made of a semiconductor of one or a combination of amorphous silicon and microcrystalline silicon.
らなる第１電極膜、光電変換層、金属材料からなる第２
電極膜を順次積層し、所望のパターンで第２電極膜およ
び光電変換層に部分的欠落部を形成することを特徴とす
るミラー型太陽電池の製造方法。6. A first electrode film made of a metal material, a photoelectric conversion layer, and a second electrode made of a metal material on at least one surface of the substrate.
A method for manufacturing a mirror type solar cell, comprising sequentially laminating electrode films and forming partially missing portions in the second electrode film and the photoelectric conversion layer in a desired pattern.
らなる第１電極膜、光電変換層、金属材料からなる第２
電極膜を順次積層し、所望のパターンで第２電極膜、光
電変換層および第１電極膜に部分的欠落部を形成するこ
とを特徴とするミラー型太陽電池の製造方法。7. A first electrode film made of a metal material, a photoelectric conversion layer, and a second electrode made of a metal material on at least one surface of the substrate.
A method for manufacturing a mirror type solar cell, comprising sequentially laminating electrode films and forming partially missing portions in a second electrode film, a photoelectric conversion layer, and a first electrode film in a desired pattern.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000389725A JP2002190609A (en) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | Mirror-type solar cell and its manufacturing method |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190609A true JP2002190609A (en) | 2002-07-05 |
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| JP (1) | JP2002190609A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012507884A (en) * | 2008-11-03 | 2012-03-29 | コーニング インコーポレイテッド | Thin film semiconductor photovoltaic device |
| KR101366642B1 (en) * | 2007-02-23 | 2014-02-26 | 린텍 코포레이션 | Translucent solar cell module, its manufacturing method, and solar cell panel |
-
2000
- 2000-12-22 JP JP2000389725A patent/JP2002190609A/en active Pending
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