JP2002184888A - 入出力端子および半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波信号の伝送時の伝播遅延を有効に防止
するとともに、基体の歪みを有効に防止することによ
り、半導体素子の高周波信号や光信号による作動性を良
好なものとする。 【解決手段】 上側主面に一辺から対向する他辺にかけ
て形成された線路導体４ａ−Ａと線路導体４ａ−Ａの両
側に形成された同一面接地導体層４ａ−Ｂとを有する誘
電体から成る平板部４ａと、平板部４ａの上側主面に線
路導体４ａ−Ａおよび同一面接地導体層４ａ−Ｂを間に
挟んで接合された誘電体から成る立壁部４ｂとを具備
し、立壁部４ｂの上面と平板部４ａの線路導体４ａ−Ａ
に略平行な側面４ｄとその側面４ｄに略面一な立壁部４
ｂの端面４ｅおよび平板部４ａの下側主面に、弾性率が
１３０ＧＰａ以下で厚さが０．１〜２ｍｍの金属板４ｃ
がそれぞれ接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯やミ
リ波帯等の高周波信号を伝送する入出力端子、およびそ
の入出力端子を用いているとともに半導体素子を気密に
収納する半導体素子収納用パッケージに関する。

【０００２】

【従来の説明】従来のマイクロ波帯やミリ波帯等の高周
波信号を伝送する入出力端子、および、半導体レーザ
（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子
やＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を気密に収納する半導体
素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージとい
う）について、それぞれ図３，図４に示す。これらの図
に示すように、高周波信号を入出力させる入出力端子１
０４は、上側主面に一辺から対向する他辺にかけて形成
された線路導体１０４ａ−Ａとこの線路導体１０４ａ−
Ａの両側に等間隔で形成された同一面接地導体層１０４
ａ−Ｂとを有する誘電体から成る平板部１０４ａと、平
板部１０４ａの上側主面に線路導体１０４ａ−Ａおよび
同一面接地導体層１０４ａ−Ｂを間に挟んで接合された
誘電体から成る立壁部１０４ｂとを具備して成る。

【０００３】そして、入出力端子１０４は、その外周
（入出力端子１０４の嵌着される部位）に形成されたメ
タライズ層１０４ｃと、メタライズ層１０４ｃと取付部
１０２ａの間に設けられたロウ材とにより、取付部１０
２ａの内周面に嵌着接合される。また、線路導体１０４
ａ−Ａ，同一面接地導体層１０４ａ−Ｂの枠体１０２外
側の上面に銀ロウ等のロウ材で接合されたリード端子１
０５を介して、半導体パッケージの内部に収容された半
導体素子１０９と、外部電気回路（図示せず）とを電気
的に接続する。

【０００４】このような入出力端子１０４は、平板部１
０４ａの上側主面の線路導体１０４ａ−Ａが高周波信号
の入出力線路として使用され、またこの線路導体１０４
ａ−Ａの両側には、半導体素子１０９と外部電気回路と
の間の電気的接続におけるインピーダンスのミスマッチ
ングを効果的に抑えて高周波信号の伝送特性の劣化を抑
える機能を有する同一面接地導体層１０４ａ−Ｂが等間
隔で形成される。さらに、入出力端子１０４の外周にも
同一面接地導体層１０４ａ−Ｂと同様の機能を有するメ
タライズ層１０４ｃが形成されており、低反射損失の半
導体パッケージとすることができる。即ち、同一面接地
導体層１０４ａ−Ｂ，メタライズ層１０４ｃが、線路導
体１０４ａ−Ａに対して略同軸状に平板部１０４ａおよ
び立壁部１０４ｂに形成されていることにより、半導体
素子１０９と外部電気回路との間の高周波信号の伝送特
性の劣化を抑えている。

【０００５】なお、メタライズ層１０４ｃは、半導体パ
ッケージの取付部１０２ａ内周面と入出力端子１０４の
外周面とを銀ロウ等のロウ材で接合するための媒体とし
ての機能も有しており、タングステン（Ｗ）やモリブデ
ン（Ｍｏ）等の高融点金属に有機バインダ等を添加混合
して成る金属ペーストをスクリーン印刷法により塗布す
ることによって形成されている。

【０００６】また、半導体パッケージの１種である光半
導体パッケージは、図４に示すように、上面にＬＤ，Ｐ
Ｄ等の光半導体素子である半導体素子１０９が載置され
る載置部１０１ａを有するとともに、外部の実装基板
（図示せず）にトルクをかけてネジ止めされるネジ止め
孔（フランジ）１０１ｂが形成された、鉄（Ｆｅ）−ニ
ッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−
タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成る基体１０
１を有する。また、載置部１０１ａを囲繞するようにし
て基体１０１の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合さ
れるとともに、長辺側の両側部に半導体素子１０９と外
部電気回路（図示せず）とを電気的に接続する入出力端
子１０４を嵌着するための取付部１０２ａが形成され
る。また、短辺側の一側部に半導体素子１０９と光結合
するための光伝送路である貫通孔１０２ｂが形成され
た、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る枠体１
０２を有する。

【０００７】また、この枠体１０２の光伝送路である貫
通孔１０２ｂの外側周辺部には、枠体１０２の熱膨張係
数に近似するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等
の金属材料から成る、光ファイバ１０８固定用の筒状の
固定部材１０３が銀ロウ等のロウ材で接合される。

【０００８】また、シールリング１０６は、枠体１０２
上面および入出力端子１０４上面に銀ロウ等のロウ材を
介して接合され、入出力端子１０４を挟持するととも
に、上面に蓋体（図示せず）をシーム溶接等により接合
するための媒体として機能する。

【０００９】このような光半導体パッケージに、半導体
素子１０９を載置部１０１ａに錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）
半田等の低融点ロウ材で載置固定するとともに、線路導
体１０４ａ−Ａと半導体素子１０９とをボンディングワ
イヤ（図示せず）で電気的に接続し、さらに光ファイバ
１０８と半導体素子１０９との光軸を調整した後、固定
部材１０３外側端面に、光ファイバ１０８を樹脂等の接
着剤で取着した金属ホルダ１０７をＡｕ−Ｓｎ等の低融
点ロウ材で接合する。さらに、シールリング１０６上面
に蓋体をシーム溶接等により接合することにより、製品
としての光半導体装置となる。

【００１０】このような光半導体装置は、実装基板にネ
ジ止めされた後、外部電気回路から供給される駆動信号
によって半導体素子１０９を光励起させ、励起したレー
ザ光等の光を光ファイバ１０８に授受させるとともに、
光ファイバ１０８内を伝送させることにより、大容量の
情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能すると
ともに、光通信分野等に多く用いられる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の入出力端子１０４のメタライズ層１０４ｃは、金属
ペーストを塗布して形成されているため、厚さが約５０
μｍ程度と非常に薄くなっており電気抵抗が大きくな
る。その結果、線路導体１０４ａ−Ａに対して擬似同軸
構造の一部を成すメタライズ層１０４ｃによる接地電位
が不安定になり、線路導体１０４ａ−Ａに半導体素子１
０９を駆動させるための高周波信号を伝送させた際、高
周波信号に伝播遅延が生じて半導体素子１０９の作動性
が損なわれるという問題点を有していた。

【００１２】また、このような入出力端子１０４を用い
た光半導体パッケージは、入出力端子１０４と枠体１０
２、および入出力端子１０４とシールリング１０６との
熱膨張係数差により、基体１０１の底面が歪む（反る）
場合があり、この光半導体パッケージを光半導体装置と
し、実装基板にネジ止めした際、基体１０１の反り変形
が矯正され、光半導体パッケージ全体が歪むこととな
る。その結果、光ファイバ１０８と半導体素子１０９と
の光軸がずれて、光結合効率が損なわれ、半導体素子１
０９の光信号による作動性が劣化するという問題点を有
していた。

【００１３】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたもので、その目的は、高周波信号の伝送時の伝播遅
延を有効に防止するとともに、基体の歪みを有効に防止
することにより、光半導体素子の高周波信号や光信号に
よる作動性を良好なものとすることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の入出力端子は、
上側主面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線
路導体と該線路導体の両側に形成された同一面接地導体
層とを有する誘電体から成る平板部と、該平板部の上側
主面に前記線路導体および前記同一面接地導体層を間に
挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備した入
出力端子において、前記立壁部の上面と前記平板部の前
記線路導体に略平行な側面と該側面に略面一な前記立壁
部の端面および前記平板部の下側主面に、弾性率が１３
０ＧＰａ以下で厚さが０．１〜２ｍｍの金属板がそれぞ
れ接合されていることを特徴とする。

【００１５】本発明は、上記の構成により、線路導体に
半導体素子を駆動させるための高周波信号を伝送させて
も、この高周波信号に伝播遅延が生じて半導体素子の作
動性が損なわれることはない。また、本発明の入出力端
子が取付部に嵌着され、シールリングで挟持されても、
それらの熱膨張係数差による基体の底面の歪み（反り）
を大幅に抑制することができる。

【００１６】本発明において、好ましくは、前記平板部
の前記線路導体に略平行な側面と該側面に略面一な前記
立壁部の端面に接合された前記金属板の厚さが０．５〜
２ｍｍであることを特徴とする。

【００１７】本発明は、上記の構成により、入出力端子
に加わる応力が大きい部位である、平板部の線路導体に
略平行な側面とその側面に略面一な立壁部の端面に接合
された金属板の厚さをより厚くすることで、入出力端子
に加わった応力を金属板が適度に変形し歪んで吸収する
こととなる。

【００１８】本発明の半導体パッケージは、上面に半導
体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の上
面に前記載置部を囲繞するように取着された枠体と、該
枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子
の取付部と、該取付部に嵌着された請求項１または請求
項２記載の入出力端子とを具備したことを特徴とする。

【００１９】本発明は、上記の構成により、例えば本発
明の半導体パッケージを光半導体装置と成し、実装基板
にネジ止めしても、半導体パッケージが歪むことがな
い。そのため、光ファイバと光半導体素子との光結合効
率が損なわれて光信号の伝送性が低下することがなくな
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の入出力端子および半導体
パッケージについて、それぞれ図１，図２に示す。図１
は本発明の入出力端子の斜視図、図２は図１の入出力端
子を用いた半導体パッケージの斜視図である。これらの
図において、１は基体、２は枠体、３は光ファイバ８が
取着された金属ホルダ７を固定する筒状の固定部材、４
は入出力端子、６はシールリングである。これら基体１
と枠体２と固定部材３と入出力端子４とシールリング６
とで、内部にＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子等の半導体素
子９を収納し、シールリング６上面に蓋体（図示せず）
を取着することにより容器が構成される。

【００２１】基体１は、その上面に半導体素子９を載置
する載置部１ａを有しており、半導体素子９を支持する
支持部材として機能するとともに、半導体素子９の作動
時に発する熱を外部に効率良く放散する機能を有する。
また、基体１はフランジ１ｂを有しており、このフラン
ジ１ｂを介して外部の実装基板にトルクをかけてネジ止
めされる。

【００２２】この基体１は、その形状は略直方体または
略長方形であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金
等の金属材料から成る。また、その製作は合金のインゴ
ットに圧延加工やプレス加工等の金属加工を施すことに
より所定の形状に加工される。

【００２３】なお、この基体１は、その表面に耐蝕性に
優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚
さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡ
ｕ層とを順次メッキ法により被着させておくと、基体１
が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに、基体１
上面に半導体素子９を強固に接着固定できる。従って、
基体１表面には０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜
５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させて
おくことが好ましい。

【００２４】また、この基体１の上面には、載置部１ａ
を囲繞するようにして基体１の上面に銀ロウ等のロウ材
を介して接合されるとともに、長辺側の両側部に半導体
素子９と外部電気回路とを電気的に接続する入出力端子
４を嵌着するための貫通孔または切欠部から成る取付部
２ａが形成され、さらに短辺側の一側部に半導体素子９
と光結合するための光伝送路である貫通孔２ｂが形成さ
れた、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る枠体
２を有する。

【００２５】枠体２の製作は、基体１と同様、合金のイ
ンゴットに圧延加工やプレス加工等の金属加工を施すこ
とにより所定の形状に成される。

【００２６】なお、枠体２の基体１への接合は基体１上
面と枠体２下面とを、基体１上面に敷設したプリフォー
ム状の銀ロウ等のロウ材を介して接合される。さらに、
枠体２表面には、基体１と同様に０．５〜９μｍのＮｉ
層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法
により被着させておくと良い。

【００２７】また、枠体２の取付部２ａには半導体素子
９と外部電気回路との高周波信号の入出力を行う機能を
有するとともに、半導体パッケージの内外を遮断する機
能を有する入出力端子４が銀ロウ等のロウ材で接合され
る。

【００２８】本発明の入出力端子４は、略長方形で板状
の平板部４ａの上側主面に、略直方体で横倒しにされた
四角柱状の立壁部４ｂが積層されて成るとともに、その
外周部、即ち立壁部４ｂの上面と平板部４ａの線路導体
４ａ−Ａに略平行な両側面４ｄとその両側面４ｄに略面
一な立壁部４ｂの両端面４ｅおよび平板部４ａの下側主
面に、弾性率が１３０ＧＰａ以下で厚さが０．１〜２ｍ
ｍの金属板４ｃが接合されている。

【００２９】本発明における入出力端子４は、アルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）セラミックス，窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）セラミックス，ムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２Ｓｉ
Ｏ₂）セラミックス等の誘電体から成る平板部４ａ，立
壁部４ｂの外周部に設けられたメタライズ層１０４ｃ表
面に、銀ロウ等のロウ材を介して、例えば銀（弾性率約
８６ＧＰａ程度）や銅（弾性率約１１７ＧＰａ程度）等
の弾性率が１３０ＧＰａ以下で厚さが０．１〜２ｍｍの
金属板４ｃが接合されている。

【００３０】この金属板４ｃは、取付部２ａの内周面と
入出力端子４とのロウ付け時、およびシールリング６と
入出力端子４とのロウ付け時に発生する応力を有効に緩
和する機能を有するとともに、高周波信号の伝送時の伝
播遅延を有効に防止する機能を有している。

【００３１】また、この金属板４ｃの厚さは０．１〜２
ｍｍであり、０．１ｍｍ未満の場合、その厚さが薄いた
め電気抵抗が非常に高くなり、線路導体４ａ−Ａを伝送
する高周波信号に伝播遅延が発生するとともに、ロウ付
け時に発生する応力を緩和するのが困難となる。一方、
２ｍｍを超える場合は、平板部４ａ，立壁部４ｂと枠体
２との間の熱膨張係数差により発生する応力を、金属板
４ｃが適度に変形し歪んで緩和するのが困難となり、そ
れらの接合が損なわれる。従って、金属板４ｃの厚さは
０．１〜２ｍｍの範囲に特定される。

【００３２】平板部４ａの線路導体４ａ−Ａに略平行な
両側面４ｄとその両側面４ｄに略面一な立壁部４ｂの両
端面４ｅに接合された金属板４ｃの厚さが０．５〜２ｍ
ｍであることが好ましい。これは、入出力端子４の線路
導体４ａ−Ａに略平行な両側面に大きな応力が加わり易
いため、その部位の金属板４ｃの厚さをより厚くして応
力を吸収し緩和するためである。金属板４ｃの厚さが
０．５ｍｍでは、応力が平板部４ａおよび立壁部４ｂに
直接加わり易くなり、２ｍｍ未満では金属板４ｃが適度
に変形し歪んで緩和するのが困難となる。

【００３３】なお、立壁部４ｂの上面と平板部４ａの下
側主面の金属板４ｃは、線路導体４ａ−Ａを擬似同軸構
造と成すとともに接地電位の安定化の効果の方が応力緩
和効果よりも大きいため、０．１〜２ｍｍと薄い厚さで
もよいものである。また、平板部４ａの厚さと立壁部４
ｂの厚さは略同じがよく、この場合線路導体４ａ−Ａを
より同軸構造に近似したものと成すことができる。

【００３４】また、平板部４ａの側面４ｄの金属板４ｃ
は、平板部４ａの上側主面と面一であるように接合され
ているのが好ましく、この場合、半導体素子９と入出力
端子４とのワイヤボンディング作業に支障をきたすこと
はない。

【００３５】また、このような金属板４ｃは弾性率が１
３０ＧＰａ（ギガパスカル）以下であり、弾性率が１３
０ＧＰａを超える場合は、金属板４ｃが変形し歪んで応
力を吸収緩和するのが難しくなる。即ち、たとえ金属板
４ｃの厚さが０．１〜２ｍｍであっても、入出力端子４
と枠体２、および入出力端子４とシールリング６との間
の熱膨張係数差による基体１底面の歪み（反り）を解消
することが困難となる。従って、金属板４ｃの弾性率は
１３０ＧＰａ以下に特定される。

【００３６】なお、金属板４ｃの製作は、例えばＣｕや
Ａｇ等の金属のインゴットに圧延加工やプレス加工等の
金属加工を施すことにより所定の形状に成され、また基
体１と同様に０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５
μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させてお
くと金属板４ｃ表面の酸化を有効に防止できる。

【００３７】このように、入出力端子４は、その外周に
金属板４ｃが設けられていることにより、入出力端子４
を半導体パッケージに用い、線路導体４ａ−Ａに半導体
素子９を駆動させるための高周波信号を伝送させても、
この高周波信号に伝播遅延が生じ、半導体素子９の作動
性が損なわれることはない。また、この入出力端子４が
取付部２ａに嵌着され、シールリング６で挟持されて
も、それらの熱膨張係数差による基体１底面の歪み（反
り）を発生させることはなく、この半導体パッケージを
光半導体装置とし、実装基板にトルクをかけてネジ止め
しても、半導体パッケージが歪むことがない。そのた
め、光ファイバ８と半導体素子９との光結合効率が損な
われ、半導体素子９の光信号による作動性が損なわれる
ことはない。

【００３８】このような入出力端子４の平板部４ａの上
側主面には、１辺から対向する他辺にかけて、Ｗ，Ｍｏ
−Ｍｎ等のメタライズ層から成る線路導体４ａ−Ａと、
この線路導体４ａ−Ａの両側に等間隔で形成された同一
面接地導体層４ａ−Ｂとが形成されており、例えばＷ等
の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペース
トを、平板部４ａ用のセラミックグリーンシートに、予
め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印
刷塗布しておき、焼成することにより形成される。

【００３９】また、平板部４ａの上側主面には立壁部４
ｂが積層される。即ち、この立壁部４ｂは、平板部４ａ
の上面に線路導体４ａ−Ａ，同一面接地導体層４ａ−Ｂ
を間に挟んで接合された誘電体から成る。

【００４０】この入出力端子４の線路導体４ａ−Ａ，同
一面接地導体層４ａ−Ｂの枠体２外側に導出される部位
には、外部電気回路と入出力端子４との高周波信号の入
出力を行い、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成
るリード端子５が銀ロウ等のロウ材で接合される。

【００４１】また、枠体２の短辺の一側部には、貫通孔
２ｂが形成されており、一端面が貫通孔２ｂの開口を囲
むように銀ロウ等のロウ材で接合され、他方の端面には
光ファイバ８を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ７
がＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合される固定部材３
が設けられる。この固定部材３は、基体１や枠体２と同
様の材料を同様の加工法で所望の形状に加工作製すると
ともに、その表面に０．５〜９μｍのＮｉ層や０．５〜
５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させて
おくと良い。

【００４２】このように入出力端子４および固定部材３
が取着される枠体２上面にはシールリング６が銀ロウ等
のロウ材で接合される。シールリング６は、枠体２上面
に銀ロウ等のロウ材で接合されて入出力端子４を挟持す
るとともに、その上面に、半導体素子９を封止するため
の蓋体をシーム溶接等により接合するための媒体として
機能する。

【００４３】本発明の入出力端子４は、上側主面に一辺
から対向する他辺にかけて形成された線路導体４ａ−Ａ
とこの線路導体４ａ−Ａの両側に等間隔で形成された同
一面接地導体層４ａ−Ｂとを有する誘電体から成る平板
部４ａと、この平板部４ａの上側主面に線路導体４ａ−
Ａおよび同一面接地導体層４ａ−Ｂを間に挟んで接合さ
れた誘電体から成る立壁部４ｂとを具備しており、その
外周に弾性率が１３０ＧＰａ以下で厚さが０．１〜２ｍ
ｍの金属板４ｃが接合されている。

【００４４】また、本発明の半導体パッケージは、金属
材料から成る基体１と、その上面に半導体素子９の載置
部１ａを囲繞するように接合され、取付部２ａ，貫通孔
２ｂを有する枠体２と、取付部２ａに嵌着される入出力
端子４とを具備している。

【００４５】上記の構成により、線路導体４ａ−Ａに高
周波信号を伝送させた際、伝播遅延の発生を有効に防止
できるとともに、基体１の歪みを有効に防止できる。そ
のため、半導体素子９の高周波信号や光信号による作動
性が損なわれることはない。

【００４６】このような半導体パッケージに、半導体素
子９を載置部１ａにＳｎ−Ｐｂ半田等の低融点ロウ材で
載置固定するとともに、線路導体４ａ−Ａと半導体素子
９とをボンディングワイヤで電気的に接続し、さらに固
定部材３に、光ファイバ８を樹脂等の接着剤で取着した
金属ホルダ７を、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合し
た後、シールリング６上面に蓋体をシーム溶接等により
接合することにより、製品としての光半導体装置とな
る。

【００４７】この光半導体装置は、実装基板にネジ止め
された後、外部電気回路から供給される駆動信号によっ
て半導体素子９を光励起させ、励起したレーザ光等の光
を光ファイバ８に授受させるとともに、光ファイバ８内
を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送で
きる光電変換装置として機能するものであり、光通信分
野等に多く用いられる。

【００４８】かくして、本発明は高周波信号や光信号に
よって作動する光半導体素子等の半導体素子を長期にわ
たり正常かつ安定なものとできる。

【００４９】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変
更を行うことは何等支障ない。例えば、半導体パッケー
ジは光半導体パッケージに限られず、高周波信号により
作動するＬＳＩ等の高周波半導体素子を収納する高周波
用半導体パッケージであっても良い。

【００５０】

【発明の効果】本発明の入出力端子は、上側主面に一辺
から対向する他辺にかけて形成された線路導体と線路導
体の両側に形成された同一面接地導体層とを有する誘電
体から成る平板部と、平板部の上側主面に線路導体およ
び同一面接地導体層を間に挟んで接合された誘電体から
成る立壁部とを具備し、立壁部の上面と平板部の線路導
体に略平行な側面と側面に略面一な立壁部の端面および
平板部の下側主面に、弾性率が１３０ＧＰａ以下で厚さ
が０．１〜２ｍｍの金属板がそれぞれ接合されているこ
とにより、入出力端子を半導体パッケージに用いて、線
路導体に半導体素子を駆動させるための高周波信号を伝
送させた際、この高周波信号に伝播遅延が生じて半導体
素子の作動性が損なわれることはなく、また入出力端子
と枠体，シールリング間との熱膨張係数差による応力を
十分に緩和でき、実装基板にネジ止めした際にも半導体
パッケージに反り変形が発生しないため、光ファイバと
光半導体素子との間の光軸がずれて、それらの光結合効
率が損なわれることがない。従って、半導体素子を高周
波信号や光信号により良好に作動させ得る。

【００５１】本発明は、好ましくは平板部の線路導体に
略平行な側面とその側面に略面一な立壁部の端面に接合
された金属板の厚さが０．５〜２ｍｍであることによ
り、入出力端子に加わる応力が大きい部位である、平板
部の線路導体に略平行な側面とその側面に略面一な立壁
部の端面に接合された金属板の厚さをより厚くすること
で、入出力端子に加わった応力を金属板が適度に変形し
歪んで吸収することとなる。

【００５２】本発明の半導体パッケージは、上面に半導
体素子が載置される載置部を有する基体と、基体の上面
に載置部を囲繞するように取着された枠体と、枠体を貫
通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部
と、取付部に嵌着された本発明の入出力端子とを具備し
たことにより、例えば本発明の半導体パッケージを光半
導体装置と成し、実装基板にネジ止めしても、半導体パ
ッケージが歪むことがない。そのため、光ファイバと光
半導体素子との光結合効率が損なわれて光信号の伝送性
が低下することがなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の入出力端子の一実施形態の斜視図であ
る。

【図２】図１の入出力端子を用いた半導体パッケージの
斜視図である。

【図３】従来の入出力端子の斜視図である。

【図４】図３の入出力端子を用いた半導体パッケージの
斜視図である。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：載置部 ２：枠体 ２ａ：取付部 ４：入出力端子 ４ａ：平板部 ４ａ−Ａ：線路導体 ４ａ−Ｂ：同一面接地導体層 ４ｂ：立壁部 ４ｃ：金属板 ４ｄ：平板部の側面 ４ｅ：立壁部の端面 ９：半導体素子

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上側主面に一辺から対向する他辺にかけ
   て形成された線路導体と該線路導体の両側に形成された
   同一面接地導体層とを有する誘電体から成る平板部と、
   該平板部の上側主面に前記線路導体および前記同一面接
   地導体層を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部
   とを具備した入出力端子において、前記立壁部の上面と
   前記平板部の前記線路導体に略平行な側面と該側面に略
   面一な前記立壁部の端面および前記平板部の下側主面
   に、弾性率が１３０ＧＰａ以下で厚さが０．１〜２ｍｍ
   の金属板がそれぞれ接合されていることを特徴とする入
   出力端子。
2. 【請求項２】 前記平板部の前記線路導体に略平行な側
   面と該側面に略面一な前記立壁部の端面に接合された前
   記金属板の厚さが０．５〜２ｍｍであることを特徴とす
   る請求項１記載の入出力端子。
3. 【請求項３】 上面に半導体素子が載置される載置部を
   有する基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するよ
   うに取着された枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠
   いて形成された入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着
   された請求項１または請求項２記載の入出力端子とを具
   備したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。