JP2002145698A - 単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法 - Google Patents
単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＯＳＦ領域をインゴットの周縁部から中心部
へ広く分布させ、その領域内側にはＦＰＤは存在せずＤ
ＳＯＤのみが存在する低密度の微小ベーカンシー欠陥領
域を生じさせ、更にＦＰＤとＤＳＯＤが共存する粗大ベ
ーカンシー欠陥領域を縮小ないし究極的に除去すること
により、その品質の向上を図り、更にデバイスの収率の
向上を図る単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びそ
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 単結晶シリコンウェーハは、中心軸を含
んでおり、中心軸に対して対称な形でＦＰＤとＤＳＯＤ
が共存する第１領域と、第１領域の外側からウェーハの
周縁部に向って形成され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤの
みが存在する第２領域と、第２領域の外側からウェーハ
の周縁部に向って形成され、ＯＳＦ領域が存在する第３
領域と、第３領域とウェーハ周縁部との間に形成され、
凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又は凝
集ベーカンシー無欠陥領域とインタースティシャル無欠
陥領域とが共存する第４領域と、を含む。
へ広く分布させ、その領域内側にはＦＰＤは存在せずＤ
ＳＯＤのみが存在する低密度の微小ベーカンシー欠陥領
域を生じさせ、更にＦＰＤとＤＳＯＤが共存する粗大ベ
ーカンシー欠陥領域を縮小ないし究極的に除去すること
により、その品質の向上を図り、更にデバイスの収率の
向上を図る単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びそ
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 単結晶シリコンウェーハは、中心軸を含
んでおり、中心軸に対して対称な形でＦＰＤとＤＳＯＤ
が共存する第１領域と、第１領域の外側からウェーハの
周縁部に向って形成され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤの
みが存在する第２領域と、第２領域の外側からウェーハ
の周縁部に向って形成され、ＯＳＦ領域が存在する第３
領域と、第３領域とウェーハ周縁部との間に形成され、
凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又は凝
集ベーカンシー無欠陥領域とインタースティシャル無欠
陥領域とが共存する第４領域と、を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＺ法を用いた単結
晶シリコンインゴットの製造方法に係り、特にＯＳＦリ
ングが広く分布され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみが
存在する低密度のベーカンシー型欠陥領域を有する単結
晶シリコンインゴットの製造方法、これにより製造され
た単結晶シリコンインゴット及びウェーハに関する。
晶シリコンインゴットの製造方法に係り、特にＯＳＦリ
ングが広く分布され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみが
存在する低密度のベーカンシー型欠陥領域を有する単結
晶シリコンインゴットの製造方法、これにより製造され
た単結晶シリコンインゴット及びウェーハに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体などの電子部品素材として用いら
れるウェーハ（wafer）用単結晶シリコンインゴット（i
ngot）を製造する代表的な方法としてはＣＺ法がある。
このＣＺ法は、単結晶のシード結晶（seed crystal）を
シリコン融液（溶融シリコン）内に浸漬した後にゆっく
り引き上げながら結晶成長を行うものである。これにつ
いての説明はS. Wolf and R.N. Tauber氏の論文「"Sili
con Processing forthe VLSI Era", Volume 1, Latti
ce Press (1986),Sunset Beach, CA,」に詳細に記述さ
れている。
れるウェーハ（wafer）用単結晶シリコンインゴット（i
ngot）を製造する代表的な方法としてはＣＺ法がある。
このＣＺ法は、単結晶のシード結晶（seed crystal）を
シリコン融液（溶融シリコン）内に浸漬した後にゆっく
り引き上げながら結晶成長を行うものである。これにつ
いての説明はS. Wolf and R.N. Tauber氏の論文「"Sili
con Processing forthe VLSI Era", Volume 1, Latti
ce Press (1986),Sunset Beach, CA,」に詳細に記述さ
れている。
【０００３】以下、ＣＺ法による一般的な単結晶シリコ
ンインゴットの製造段階を概略的に説明する。
ンインゴットの製造段階を概略的に説明する。
【０００４】まず、シード結晶から薄く長い結晶に成長
させるネッキング（necking）段階と、結晶を直径方向
に成長させて目標直径とするショルダーリング（should
ering）段階と、一定の直径を持つ結晶に成長させるボ
ディグローイング（body growing）段階とを経る。この
際、ボディグローイング段階によって成長した部分がウ
ェーハになる。更に、一定の直径までボディグローイン
グを行った後、結晶の直径を徐々に減少させ、最後にシ
リコン融液からボディを分離するテーリング（tailin
g）段階を経て結晶成長段階を終了する。かかる結晶成
長工程はホットゾーンという空間で行われるが、ホット
ゾーンとは結晶成長装置としてのグロワー（Grower）内
でシリコン融液が単結晶インゴットに成長する空間のこ
とを意味する。グロワーは石英坩堝、坩堝支持台、ヒー
ター（heater）、熱シールド、などの様々な部品からな
る。
させるネッキング（necking）段階と、結晶を直径方向
に成長させて目標直径とするショルダーリング（should
ering）段階と、一定の直径を持つ結晶に成長させるボ
ディグローイング（body growing）段階とを経る。この
際、ボディグローイング段階によって成長した部分がウ
ェーハになる。更に、一定の直径までボディグローイン
グを行った後、結晶の直径を徐々に減少させ、最後にシ
リコン融液からボディを分離するテーリング（tailin
g）段階を経て結晶成長段階を終了する。かかる結晶成
長工程はホットゾーンという空間で行われるが、ホット
ゾーンとは結晶成長装置としてのグロワー（Grower）内
でシリコン融液が単結晶インゴットに成長する空間のこ
とを意味する。グロワーは石英坩堝、坩堝支持台、ヒー
ター（heater）、熱シールド、などの様々な部品からな
る。
【０００５】一方、インゴット内部の欠陥特性は結晶の
成長及び冷却条件に極めて敏感に依存するので、結晶成
長界面付近の熱環境を調節して結晶成長欠陥の種類及び
分布を制御しようとする努力が続けられている。
成長及び冷却条件に極めて敏感に依存するので、結晶成
長界面付近の熱環境を調節して結晶成長欠陥の種類及び
分布を制御しようとする努力が続けられている。
【０００６】結晶成長欠陥はベーカンシー型（vacancy-
type）とインタースティシャル型（interstitial typ
e）とに大別される。ベーカンシー点欠陥やインタース
ティシャル点欠陥が平衡濃度以上に存在すると、凝集が
起こり、欠陥に展開すると言われる。ボロンコフ理論
（by V.V. Voronkov, "The Mechanism of Swirl Defect
sFormation in Silicon, Journal of Crystal Growth",
Vol. 59, 1982, pp. 625 -643）によれば、このような
欠陥の形成はＶ／Ｇ比と密接な関係を有していることが
わかる。ここで、Ｖ（ｍｍ／分）はインゴットの引上げ
速度、Ｇ（℃／ｍｍ）はインゴット−シリコン融液の接
触面の温度勾配（結晶成長界面付近の温度勾配）であ
る。即ち、Ｖ／Ｇ比がある臨界値を超えるとベーカンシ
ー型（vacancy-type）欠陥が形成され、その臨界値以下
ではインタースティシャル型（interstitial-type）欠
陥が形成される。従って、与えられた成長環境で結晶を
成長させる時は、引上げ速度により、結晶内に存在する
欠陥の種類、サイズ、密度などが影響を受ける。
type）とインタースティシャル型（interstitial typ
e）とに大別される。ベーカンシー点欠陥やインタース
ティシャル点欠陥が平衡濃度以上に存在すると、凝集が
起こり、欠陥に展開すると言われる。ボロンコフ理論
（by V.V. Voronkov, "The Mechanism of Swirl Defect
sFormation in Silicon, Journal of Crystal Growth",
Vol. 59, 1982, pp. 625 -643）によれば、このような
欠陥の形成はＶ／Ｇ比と密接な関係を有していることが
わかる。ここで、Ｖ（ｍｍ／分）はインゴットの引上げ
速度、Ｇ（℃／ｍｍ）はインゴット−シリコン融液の接
触面の温度勾配（結晶成長界面付近の温度勾配）であ
る。即ち、Ｖ／Ｇ比がある臨界値を超えるとベーカンシ
ー型（vacancy-type）欠陥が形成され、その臨界値以下
ではインタースティシャル型（interstitial-type）欠
陥が形成される。従って、与えられた成長環境で結晶を
成長させる時は、引上げ速度により、結晶内に存在する
欠陥の種類、サイズ、密度などが影響を受ける。
【０００７】図１は従来の方法で成長させた単結晶シリ
コンインゴットの横断面をＸＲＴ（X-Ray Topography）
で示す映像である。同図に示すように、凝集ベーカンシ
ー型欠陥領域１０と凝集ベーカンシー無欠陥領域１２と
が存在し、その間にＯＳＦ領域１１がリング状に存在す
ることがわかる。
コンインゴットの横断面をＸＲＴ（X-Ray Topography）
で示す映像である。同図に示すように、凝集ベーカンシ
ー型欠陥領域１０と凝集ベーカンシー無欠陥領域１２と
が存在し、その間にＯＳＦ領域１１がリング状に存在す
ることがわかる。
【０００８】図２は引上げ速度を変化させながら成長さ
せたインゴットの縦断面に沿って生成される各欠陥領域
を示す図である。引上げ速度が低ければ低いほど、イン
タースティシャル欠陥領域１４が生成され、引上げ速度
が高ければ高いほど、ベーカンシー欠陥領域１０が生成
される。なお、その間の任意の引上げ速度でＯＳＦ領域
１１が生成される。
せたインゴットの縦断面に沿って生成される各欠陥領域
を示す図である。引上げ速度が低ければ低いほど、イン
タースティシャル欠陥領域１４が生成され、引上げ速度
が高ければ高いほど、ベーカンシー欠陥領域１０が生成
される。なお、その間の任意の引上げ速度でＯＳＦ領域
１１が生成される。
【０００９】図３は図２の切断線Ｉに沿ったインゴット
の横断面を示す描写図である。図３に示すように、図２
のＩに該当する引上げ速度でインゴットを成長させる
と、インゴットの中心部にはベーカンシー欠陥領域３０
が広く分布することになり、その周りでＯＳＦリング３
１がこのベーカンシー欠陥領域３０を取り囲むことにな
る。この時、ベーカンシー欠陥領域３０にはＣＯＰ（Cr
ystal Originated Particle）やＦＰＤ（Flow Pattern
Defect）のみならずそれ以上のサイズのベーカンシー欠
陥が高密度で存在するので、この領域を粗大ベーカンシ
ー欠陥領域と称する。
の横断面を示す描写図である。図３に示すように、図２
のＩに該当する引上げ速度でインゴットを成長させる
と、インゴットの中心部にはベーカンシー欠陥領域３０
が広く分布することになり、その周りでＯＳＦリング３
１がこのベーカンシー欠陥領域３０を取り囲むことにな
る。この時、ベーカンシー欠陥領域３０にはＣＯＰ（Cr
ystal Originated Particle）やＦＰＤ（Flow Pattern
Defect）のみならずそれ以上のサイズのベーカンシー欠
陥が高密度で存在するので、この領域を粗大ベーカンシ
ー欠陥領域と称する。
【００１０】しかし、インゴットに粗大ベーカンシー領
域が広く分布すればするほど、そのインゴットは微細な
電子回路を形成するためのウェーハとしては使用できな
いものとなる。なお、粗大ベーカンシー欠陥領域を減ら
すために引上げ速度を減少させると、生産性が低下する
という問題が発生し、更にウェーハ断面にベーカンシー
型粗大欠陥より大きいＬＤＰ（Large Dislocation Pi
t）などのインタースティシャル型の欠陥領域が形成さ
れる恐れもある。
域が広く分布すればするほど、そのインゴットは微細な
電子回路を形成するためのウェーハとしては使用できな
いものとなる。なお、粗大ベーカンシー欠陥領域を減ら
すために引上げ速度を減少させると、生産性が低下する
という問題が発生し、更にウェーハ断面にベーカンシー
型粗大欠陥より大きいＬＤＰ（Large Dislocation Pi
t）などのインタースティシャル型の欠陥領域が形成さ
れる恐れもある。
【００１１】また、図２と図３に示すように、引上げ速
度を増加させると、ＯＳＦ領域がインゴット断面の周縁
部に押され、結局断面全体にベーカンシー型欠陥が分布
することになる。逆に、引上げ速度を減少させると、Ｏ
ＳＦ領域が断面の中心部に収縮し、結局は消滅し、凝集
ベーカンシー無欠陥領域が現れることになる。引上げ速
度を更に減少させると、凝集インタースティシャル無欠
陥領域が現れ、次いで断面全体にインタースティシャル
型欠陥が存在することになる。
度を増加させると、ＯＳＦ領域がインゴット断面の周縁
部に押され、結局断面全体にベーカンシー型欠陥が分布
することになる。逆に、引上げ速度を減少させると、Ｏ
ＳＦ領域が断面の中心部に収縮し、結局は消滅し、凝集
ベーカンシー無欠陥領域が現れることになる。引上げ速
度を更に減少させると、凝集インタースティシャル無欠
陥領域が現れ、次いで断面全体にインタースティシャル
型欠陥が存在することになる。
【００１２】インゴットの半径方向へ他の領域が存在す
るのは、成長界面付近でインゴット中心部の冷却速度が
インゴット周縁部の冷却速度より遅いからである。即
ち、一般にＧ値は結晶中心から周縁部への半径方向に行
くほど大きくなる。従って、同じ引上げ速度でも、中心
部ではＶ／Ｇ値が大きくなってベーカンシー型欠陥が発
生し、周縁部では Ｖ／Ｇ値が小さくなってインタース
ティシャル型欠陥が発生する傾向がある。そして、この
二つの領域の境界部分から若干ベーカンシー領域へ寄っ
た位置にＯＳＦ領域がリング状に存在することになる。
るのは、成長界面付近でインゴット中心部の冷却速度が
インゴット周縁部の冷却速度より遅いからである。即
ち、一般にＧ値は結晶中心から周縁部への半径方向に行
くほど大きくなる。従って、同じ引上げ速度でも、中心
部ではＶ／Ｇ値が大きくなってベーカンシー型欠陥が発
生し、周縁部では Ｖ／Ｇ値が小さくなってインタース
ティシャル型欠陥が発生する傾向がある。そして、この
二つの領域の境界部分から若干ベーカンシー領域へ寄っ
た位置にＯＳＦ領域がリング状に存在することになる。
【００１３】従来のインゴット製造方法は、結晶の成長
時、ホットゾーンの脆弱性のため、インゴットの半径方
向への垂直温度勾配（Ｇ）などの冷却条件が非常に不均
一であるという問題点を有している。詳しく説明する
と、インゴットの中心部における熱量は伝導によりイン
ゴットの周縁部に伝達され、更に輻射される。一方、イ
ンゴットの周縁部における熱量は直ぐに輻射されて放出
されるか、相対的に短い伝導距離を経て放出されるた
め、インゴットの半径方向への垂直温度勾配の偏差が発
生する。この偏差を減らすためには、インゴットの周縁
部の垂直温度勾配を減らすか、インゴットの中心部の垂
直温度勾配を増やさなければならない。
時、ホットゾーンの脆弱性のため、インゴットの半径方
向への垂直温度勾配（Ｇ）などの冷却条件が非常に不均
一であるという問題点を有している。詳しく説明する
と、インゴットの中心部における熱量は伝導によりイン
ゴットの周縁部に伝達され、更に輻射される。一方、イ
ンゴットの周縁部における熱量は直ぐに輻射されて放出
されるか、相対的に短い伝導距離を経て放出されるた
め、インゴットの半径方向への垂直温度勾配の偏差が発
生する。この偏差を減らすためには、インゴットの周縁
部の垂直温度勾配を減らすか、インゴットの中心部の垂
直温度勾配を増やさなければならない。
【００１４】インゴット半径方向への冷却条件の均一度
は停止実験（Holding Test）で確認することができる。
ボロンコフ、ファステルの論文（by V.V. Voronkov and
R.Falster, "Grown-in Microdefects, Residual Vacan
cies and Oxygen Precipitation Bands in Czochralski
Silicon", Journal of Crystal Growth 204, (1999)46
2）によれば、停止実験を行ったインゴット結晶には特
徴的な酸素析出パターンが現れることがわかる。
は停止実験（Holding Test）で確認することができる。
ボロンコフ、ファステルの論文（by V.V. Voronkov and
R.Falster, "Grown-in Microdefects, Residual Vacan
cies and Oxygen Precipitation Bands in Czochralski
Silicon", Journal of Crystal Growth 204, (1999)46
2）によれば、停止実験を行ったインゴット結晶には特
徴的な酸素析出パターンが現れることがわかる。
【００１５】図４は従来のホットゾーンで停止実験を行
ったインゴット結晶の垂直断面をXRTで示す映像であ
る。同図で、明るい領域は酸素が多く析出された酸素析
出領域４１であり、この領域の上部にはボイド（Void）
核生成領域４０が存在する。この形態は停止実験の際、
約１０７０℃に至ったインゴット部分で現れる。
ったインゴット結晶の垂直断面をXRTで示す映像であ
る。同図で、明るい領域は酸素が多く析出された酸素析
出領域４１であり、この領域の上部にはボイド（Void）
核生成領域４０が存在する。この形態は停止実験の際、
約１０７０℃に至ったインゴット部分で現れる。
【００１６】図４に示すように、従来のホットゾーンで
は酸素析出領域４１とボイド核生成領域４０との境界部
分が半径方向へ平行でなく、曲線状になっている。これ
は、結晶内の点欠陥濃度及び冷却濃度が半径方向へ均一
でないことを間接的に示す。
は酸素析出領域４１とボイド核生成領域４０との境界部
分が半径方向へ平行でなく、曲線状になっている。これ
は、結晶内の点欠陥濃度及び冷却濃度が半径方向へ均一
でないことを間接的に示す。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来の
問題点を解決するためのもので、その目的は、ＯＳＦ領
域をインゴットの周縁部から中心部へ広く分布させ、そ
の領域内側にはＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみ存在する
低密度の微小ベーカンシー欠陥領域を生じさせ、更にＦ
ＰＤとＤＳＯＤとが共存する粗大ベーカンシー欠陥領域
を縮小ないし究極的に除去することにより、その品質の
向上を図り、更にデバイス収率の向上を図る単結晶シリ
コンウェーハ、インゴット及びその製造方法を提供する
ことにある。
問題点を解決するためのもので、その目的は、ＯＳＦ領
域をインゴットの周縁部から中心部へ広く分布させ、そ
の領域内側にはＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみ存在する
低密度の微小ベーカンシー欠陥領域を生じさせ、更にＦ
ＰＤとＤＳＯＤとが共存する粗大ベーカンシー欠陥領域
を縮小ないし究極的に除去することにより、その品質の
向上を図り、更にデバイス収率の向上を図る単結晶シリ
コンウェーハ、インゴット及びその製造方法を提供する
ことにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る単結晶シリコンウェーハは、中心軸を
含んでおり、中心軸に対して対称な形でＦＰＤとＤＳＯ
Ｄとが共存する第１領域と、第１領域の外側からウェー
ハの周縁部に向って形成され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯ
Ｄのみが存在する第２領域と、第２領域の外側からウェ
ーハの周縁部に向って形成され、ＯＳＦ領域が存在する
第３領域と、第３領域とウェーハ周縁部との間に形成さ
れ、凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又
は、凝集ベーカンシー無欠陥領域と凝集インタースティ
シャル無欠陥領域とが共存する第４領域と、を含むこと
を特徴とする。
に、本発明に係る単結晶シリコンウェーハは、中心軸を
含んでおり、中心軸に対して対称な形でＦＰＤとＤＳＯ
Ｄとが共存する第１領域と、第１領域の外側からウェー
ハの周縁部に向って形成され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯ
Ｄのみが存在する第２領域と、第２領域の外側からウェ
ーハの周縁部に向って形成され、ＯＳＦ領域が存在する
第３領域と、第３領域とウェーハ周縁部との間に形成さ
れ、凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又
は、凝集ベーカンシー無欠陥領域と凝集インタースティ
シャル無欠陥領域とが共存する第４領域と、を含むこと
を特徴とする。
【００１９】また、本発明に係る単結晶シリコンインゴ
ットは、中心軸を含んでおり、中心軸に対して対称な形
でＦＰＤとＤＳＯＤとが共存する第１領域と、第１領域
の外側からインゴットの周縁部に向って形成され、ＦＰ
Ｄは存在せずＤＳＯＤのみが存在する第２領域と、第２
領域の外側からインゴットの周縁部に向って形成され、
ＯＳＦ領域が存在する第３領域と、第３領域とインゴッ
ト周縁部との間に形成され、凝集ベーカンシー無欠陥領
域のみが存在するか、又は凝集ベーカンシー無欠陥領域
と凝集インタースティシャル無欠陥領域が共存する第４
領域と、を含み、一定直径のボディを有することを特徴
とする。
ットは、中心軸を含んでおり、中心軸に対して対称な形
でＦＰＤとＤＳＯＤとが共存する第１領域と、第１領域
の外側からインゴットの周縁部に向って形成され、ＦＰ
Ｄは存在せずＤＳＯＤのみが存在する第２領域と、第２
領域の外側からインゴットの周縁部に向って形成され、
ＯＳＦ領域が存在する第３領域と、第３領域とインゴッ
ト周縁部との間に形成され、凝集ベーカンシー無欠陥領
域のみが存在するか、又は凝集ベーカンシー無欠陥領域
と凝集インタースティシャル無欠陥領域が共存する第４
領域と、を含み、一定直径のボディを有することを特徴
とする。
【００２０】なお、本発明に係る単結晶シリコンインゴ
ットの製造方法は、ＯＳＦリングが急激に収縮できるよ
うに、熱シールドを備えたホットゾーン内のインゴット
の成長及び冷却条件をインゴット半径方向へ均一に調整
する第１段階と、第１段階で調整されたインゴットの成
長及び冷却条件の均一度を維持しながら、ＯＳＦリング
が急激に収縮する引上げ速度の臨界値を決定する第２段
階と、第１段階で調整されたホットゾーン内のインゴッ
トの成長及び冷却条件の均一度と、第２段階で決定され
た引上げ速度の臨界値とを維持しながら、インゴットを
成長させる第３段階と、を含み、ＣＺ法で製造すること
を特徴とする。
ットの製造方法は、ＯＳＦリングが急激に収縮できるよ
うに、熱シールドを備えたホットゾーン内のインゴット
の成長及び冷却条件をインゴット半径方向へ均一に調整
する第１段階と、第１段階で調整されたインゴットの成
長及び冷却条件の均一度を維持しながら、ＯＳＦリング
が急激に収縮する引上げ速度の臨界値を決定する第２段
階と、第１段階で調整されたホットゾーン内のインゴッ
トの成長及び冷却条件の均一度と、第２段階で決定され
た引上げ速度の臨界値とを維持しながら、インゴットを
成長させる第３段階と、を含み、ＣＺ法で製造すること
を特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照しつつ、本発
明の好適な実施例をさらに詳しく説明する。
明の好適な実施例をさらに詳しく説明する。
【００２２】本発明は、単結晶シリコンインゴット内に
潜在的なＯＳＦ欠陥の核を有した酸素析出欠陥領域が存
在しても、実際半導体製造工程ではこれがＯＳＦ領域に
発展して半導体チップの収率を維持するということを基
礎とする。また、本発明はインゴット半径方向への熱履
歴の差を最小化することにより、最終ウェーハのＯＳＦ
領域を拡張させる。こうすると、ＯＳＦ領域の内側に存
在するベーカンシー型欠陥領域が減少し、ウェーハ半径
方向への欠陥分布が均一化されるので、結果的にＣＯＰ
（Crystal Originated Particle）やＦＰＤ（Flow Patt
ern Defect）などのベーカンシー型欠陥の密度やサイズ
も共に減少することになる。
潜在的なＯＳＦ欠陥の核を有した酸素析出欠陥領域が存
在しても、実際半導体製造工程ではこれがＯＳＦ領域に
発展して半導体チップの収率を維持するということを基
礎とする。また、本発明はインゴット半径方向への熱履
歴の差を最小化することにより、最終ウェーハのＯＳＦ
領域を拡張させる。こうすると、ＯＳＦ領域の内側に存
在するベーカンシー型欠陥領域が減少し、ウェーハ半径
方向への欠陥分布が均一化されるので、結果的にＣＯＰ
（Crystal Originated Particle）やＦＰＤ（Flow Patt
ern Defect）などのベーカンシー型欠陥の密度やサイズ
も共に減少することになる。
【００２３】図２は従来のホットゾーンで成長させたイ
ンゴットの縦断面で、引上げ速度変化によって生成され
る欠陥領域の形態を示す図であり、図６は本発明の好適
な実施例によりインゴットの成長及び冷却条件の均一度
を向上させた場合、引上げ速度変化によって生成される
欠陥領域の形態を示す図である。図２と図６とに示すよ
うに、引上げ速度を低下させるとＯＳＦ領域６１の収縮
が起こるが、インゴット半径方向への成長及び冷却条件
の条件を増加させると、その収縮が更に激しくなるとい
うことがわかる。
ンゴットの縦断面で、引上げ速度変化によって生成され
る欠陥領域の形態を示す図であり、図６は本発明の好適
な実施例によりインゴットの成長及び冷却条件の均一度
を向上させた場合、引上げ速度変化によって生成される
欠陥領域の形態を示す図である。図２と図６とに示すよ
うに、引上げ速度を低下させるとＯＳＦ領域６１の収縮
が起こるが、インゴット半径方向への成長及び冷却条件
の条件を増加させると、その収縮が更に激しくなるとい
うことがわかる。
【００２４】本発明は半径方向への結晶の成長及び冷却
条件を均一化するために次のような方法を用いた。第
１、メルトギャップを調整してヒーターからインゴット
周縁部へ輻射される熱量を調節することにより、インゴ
ット周縁部の垂直温度勾配を減少させる。第２、インゴ
ット上端部と熱シールド上部とを冷却することにより、
インゴット中心部の垂直温度勾配を増加させる。
条件を均一化するために次のような方法を用いた。第
１、メルトギャップを調整してヒーターからインゴット
周縁部へ輻射される熱量を調節することにより、インゴ
ット周縁部の垂直温度勾配を減少させる。第２、インゴ
ット上端部と熱シールド上部とを冷却することにより、
インゴット中心部の垂直温度勾配を増加させる。
【００２５】以下、図５に基づいて詳しく説明する。図
５は単結晶成長界面付近のホットゾーンを示す概略図で
ある。熱シールド５２を用い、更にヒータ５５またはシ
リコン融液５０からの輻射熱を利用してインゴット周縁
部の冷却速度を減らすことにより、インゴットの半径方
向位置別冷却速度差を減らす。この際、熱シールド５２
としては、熱がシリコン融液５０から上部インゴットへ
伝達されないように保温性に優れた材質を使用する。そ
して、熱シールド５２下面とシリコン融液５０表面との
間の空間５６（メルトギャップ、Melt Gap）からの熱の
流出を防止することにより、結晶成長界面付近のインゴ
ット周縁部の冷却速度低下を図る。さらに、メルトギャ
ップ５６の高さを調整してヒーター５５からの輻射熱の
量と加熱されるインゴットの面積とを調節することによ
り、冷却条件をコントロールする。
５は単結晶成長界面付近のホットゾーンを示す概略図で
ある。熱シールド５２を用い、更にヒータ５５またはシ
リコン融液５０からの輻射熱を利用してインゴット周縁
部の冷却速度を減らすことにより、インゴットの半径方
向位置別冷却速度差を減らす。この際、熱シールド５２
としては、熱がシリコン融液５０から上部インゴットへ
伝達されないように保温性に優れた材質を使用する。そ
して、熱シールド５２下面とシリコン融液５０表面との
間の空間５６（メルトギャップ、Melt Gap）からの熱の
流出を防止することにより、結晶成長界面付近のインゴ
ット周縁部の冷却速度低下を図る。さらに、メルトギャ
ップ５６の高さを調整してヒーター５５からの輻射熱の
量と加熱されるインゴットの面積とを調節することによ
り、冷却条件をコントロールする。
【００２６】図７は図６の切断線IIに沿った部分の横断
面を示す描写図である。図７の本発明を図３の従来技術
と比較すると、ＯＳＦリング７２がインゴットの断面上
に広く分布している反面、インゴットの中心部に位置す
るベーカンシー欠陥領域は縮小されている。更に、ベー
カンシー欠陥領域は微小ベーカンシー欠陥領域７１と粗
大ベーカンシー領域７０とに大別される。ここで、微小
ベーカンシー欠陥領域７１とはＦＰＤは存在せず、ＤＳ
ＯＤ（Direct Surface Oxide Defect、参考文献： J.
G. Park, J.M. Park, K.C. Cho, G.S. Lee and H.K. Ch
ung Electrochemical Society Proceedings 97-22 (199
7) 173）のみが存在する領域のことであり、粗大ベーカ
ンシー欠陥領域７０とはＦＰＤとＤＳＯＤとが共存する
領域のことである。
面を示す描写図である。図７の本発明を図３の従来技術
と比較すると、ＯＳＦリング７２がインゴットの断面上
に広く分布している反面、インゴットの中心部に位置す
るベーカンシー欠陥領域は縮小されている。更に、ベー
カンシー欠陥領域は微小ベーカンシー欠陥領域７１と粗
大ベーカンシー領域７０とに大別される。ここで、微小
ベーカンシー欠陥領域７１とはＦＰＤは存在せず、ＤＳ
ＯＤ（Direct Surface Oxide Defect、参考文献： J.
G. Park, J.M. Park, K.C. Cho, G.S. Lee and H.K. Ch
ung Electrochemical Society Proceedings 97-22 (199
7) 173）のみが存在する領域のことであり、粗大ベーカ
ンシー欠陥領域７０とはＦＰＤとＤＳＯＤとが共存する
領域のことである。
【００２７】ＤＳＯＤとはウェーハ表面付近での欠陥サ
イズがＦＰＤより極めて小さい欠陥のことである。最
近、集積度が大きくなるにつれて、デバイス回路線幅が
急激に減少しつつあり、６４ＭＢまたは１２８ＭＢ以上
の高集積デバイス工程に用いられるウェーハにはＦＰＤ
は許容されないが、ＤＳＯＤは問題なく許容されると言
われている。従って、ＤＳＯＤのみが存在する微小ベー
カンシー欠陥領域は６４ＭＢ以上のＩＣ生産用ウェーハ
に許容される欠陥領域であることがわかる。
イズがＦＰＤより極めて小さい欠陥のことである。最
近、集積度が大きくなるにつれて、デバイス回路線幅が
急激に減少しつつあり、６４ＭＢまたは１２８ＭＢ以上
の高集積デバイス工程に用いられるウェーハにはＦＰＤ
は許容されないが、ＤＳＯＤは問題なく許容されると言
われている。従って、ＤＳＯＤのみが存在する微小ベー
カンシー欠陥領域は６４ＭＢ以上のＩＣ生産用ウェーハ
に許容される欠陥領域であることがわかる。
【００２８】インゴット半径方向への冷却条件の均一度
は停止実験（Holding Test）で確認することができる。
は停止実験（Holding Test）で確認することができる。
【００２９】図８は本発明の好適な実施例により、イン
ゴット半径方向への熱履歴を均一化したホットゾーンで
停止実験を行った単結晶シリコンインゴットの垂直断面
をＸＲＴ（X-Ray Topography）で示す映像である。図８
を、従来のホットゾーンで停止実験を行った単結晶シリ
コンインゴットの垂直断面をＸＲＴで示した図４と比較
すると、酸素析出領域８１とボイド核生成領域８０との
境界部分がインゴット半径方向へ水平に形成されている
ことがわかる。
ゴット半径方向への熱履歴を均一化したホットゾーンで
停止実験を行った単結晶シリコンインゴットの垂直断面
をＸＲＴ（X-Ray Topography）で示す映像である。図８
を、従来のホットゾーンで停止実験を行った単結晶シリ
コンインゴットの垂直断面をＸＲＴで示した図４と比較
すると、酸素析出領域８１とボイド核生成領域８０との
境界部分がインゴット半径方向へ水平に形成されている
ことがわかる。
【００３０】成長界面付近におけるインゴット内の半径
方向の冷却環境を均一化するためにデザインされた熱シ
ールド５２は、シリコン融液５０からの熱を遮断して結
晶の容易な冷却を図ると同時に、熱シールド５２とシリ
コン融液５０表面との間では結晶表面の冷却速度を遅く
して、結晶内部の冷却速度と結晶表面の冷却速度との差
を減らす役割をする。半径方向の冷却速度の均一度はメ
ルトギャップ５６の調節によって改善され、均一度を確
認するために行われた停止実験の結果は図８に基づいて
前述した。
方向の冷却環境を均一化するためにデザインされた熱シ
ールド５２は、シリコン融液５０からの熱を遮断して結
晶の容易な冷却を図ると同時に、熱シールド５２とシリ
コン融液５０表面との間では結晶表面の冷却速度を遅く
して、結晶内部の冷却速度と結晶表面の冷却速度との差
を減らす役割をする。半径方向の冷却速度の均一度はメ
ルトギャップ５６の調節によって改善され、均一度を確
認するために行われた停止実験の結果は図８に基づいて
前述した。
【００３１】インゴット半径方向への熱履歴の差を最小
化し、引上げ速度を減少させながら単結晶シリコンイン
ゴットを成長させる。この際、酸素濃度は周囲ガスの流
れと石英坩堝５３の回転速度などを調節して８乃至１２
ｐｐｍａとする。
化し、引上げ速度を減少させながら単結晶シリコンイン
ゴットを成長させる。この際、酸素濃度は周囲ガスの流
れと石英坩堝５３の回転速度などを調節して８乃至１２
ｐｐｍａとする。
【００３２】図９はこのように成長させたインゴットを
垂直方向に切ってその断面のライフタイム（life tim
e）を示す図である。同図に示すように、引上げ速度を
増加させるほどベーカンシー欠陥領域９０が現れ、引上
げ速度を減少させるほどインタースティシャル欠陥領域
９４が現れる。ここで、ベーカンシー欠陥領域９０とイ
ンタースティシャル欠陥領域９４との間にＯＳＦ領域９
１が現れる引上げ速度を決定する。本発明の実施例によ
り実際にＯＳＦ領域９１が生成される引上げ速度値は
０．５０ｍｍ／ｍｉｎ以上であり、これについては後で
再び説明する。
垂直方向に切ってその断面のライフタイム（life tim
e）を示す図である。同図に示すように、引上げ速度を
増加させるほどベーカンシー欠陥領域９０が現れ、引上
げ速度を減少させるほどインタースティシャル欠陥領域
９４が現れる。ここで、ベーカンシー欠陥領域９０とイ
ンタースティシャル欠陥領域９４との間にＯＳＦ領域９
１が現れる引上げ速度を決定する。本発明の実施例によ
り実際にＯＳＦ領域９１が生成される引上げ速度値は
０．５０ｍｍ／ｍｉｎ以上であり、これについては後で
再び説明する。
【００３３】図１０（Ａ）は図９でＯＳＦ９１が現れる
切断線IIIに沿った横断面のライフタイムを示す図であ
る。図１０（Ａ）に示すように、ＯＳＦ領域１０２がイ
ンゴット周縁部から広く分布しており、この内側に微小
ベーカンシー欠陥領域１０１と粗大ベーカンシー欠陥領
域１００とが存在する。ＯＳＦ領域１０２の外側には点
欠陥凝集のない無欠陥領域１０３が存在する。
切断線IIIに沿った横断面のライフタイムを示す図であ
る。図１０（Ａ）に示すように、ＯＳＦ領域１０２がイ
ンゴット周縁部から広く分布しており、この内側に微小
ベーカンシー欠陥領域１０１と粗大ベーカンシー欠陥領
域１００とが存在する。ＯＳＦ領域１０２の外側には点
欠陥凝集のない無欠陥領域１０３が存在する。
【００３４】図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）に対してのウ
ェーハ半径方向へのＦＰＤ分布を示すグラフである。図
１０（Ｂ）に示すように、ウェーハ中心部にＦＰＤ密度
が高い粗大ベーカンシー欠陥領域１００が存在し、これ
と隣接してＦＰＤは現れずＤＳＯＤのみが現れる微小ベ
ーカンシー欠陥領域１０１が存在し、次いでＯＳＦ領域
１０２が存在する。ここで、ＦＰＤ密度は２５０個／ｃ
ｍ２以下とした方が好ましい。実際デバイス工程で問題
となる欠陥が粗大ベーカンシー欠陥領域にのみ存在する
ならば、粗大ベーカンシー欠陥領域を縮小させることに
より、デバイスの収率を向上させることができる。
ェーハ半径方向へのＦＰＤ分布を示すグラフである。図
１０（Ｂ）に示すように、ウェーハ中心部にＦＰＤ密度
が高い粗大ベーカンシー欠陥領域１００が存在し、これ
と隣接してＦＰＤは現れずＤＳＯＤのみが現れる微小ベ
ーカンシー欠陥領域１０１が存在し、次いでＯＳＦ領域
１０２が存在する。ここで、ＦＰＤ密度は２５０個／ｃ
ｍ２以下とした方が好ましい。実際デバイス工程で問題
となる欠陥が粗大ベーカンシー欠陥領域にのみ存在する
ならば、粗大ベーカンシー欠陥領域を縮小させることに
より、デバイスの収率を向上させることができる。
【００３５】図１１は本発明の一実施例であり、２５６
ＭＢ用半導体ウェーハの熱処理サイクルを示す概略図で
ある。実際に、図１０（Ａ）に示すインゴットをウェー
ハ形態に加工して図１１のサイクルで熱処理した後、Ｏ
ＳＦ領域を観察した結果、何の欠陥も見つからなかっ
た。従って、本発明の実施例により、ＯＳＦ領域が拡張
されるようにインゴットを成長させると、粗大ベーカン
シー領域を縮小ないし究極的に除去することができる。
ＭＢ用半導体ウェーハの熱処理サイクルを示す概略図で
ある。実際に、図１０（Ａ）に示すインゴットをウェー
ハ形態に加工して図１１のサイクルで熱処理した後、Ｏ
ＳＦ領域を観察した結果、何の欠陥も見つからなかっ
た。従って、本発明の実施例により、ＯＳＦ領域が拡張
されるようにインゴットを成長させると、粗大ベーカン
シー領域を縮小ないし究極的に除去することができる。
【００３６】図１２は本発明の実施例により、インゴッ
ト半径方向への熱履歴の差を最小化したホットゾーンで
インゴットを成長させた場合、インゴット中心部から周
縁部への半径方向垂直温度勾配を従来と比較して示すグ
ラフである。同図で、Ｇｒはインゴット半径上の任意の
ポイントにおける垂直温度勾配を、Ｇｃはインゴット中
心部における垂直温度勾配をそれぞれ意味する。同図に
示すように、従来の半径方向垂直温度勾配曲線１２０よ
り本発明の半径方向垂直温度勾配曲線１２１の方が緩や
かであるが、これは本発明のインゴット半径方向への垂
直温度勾配の偏差が従来より小さいということを意味す
る。
ト半径方向への熱履歴の差を最小化したホットゾーンで
インゴットを成長させた場合、インゴット中心部から周
縁部への半径方向垂直温度勾配を従来と比較して示すグ
ラフである。同図で、Ｇｒはインゴット半径上の任意の
ポイントにおける垂直温度勾配を、Ｇｃはインゴット中
心部における垂直温度勾配をそれぞれ意味する。同図に
示すように、従来の半径方向垂直温度勾配曲線１２０よ
り本発明の半径方向垂直温度勾配曲線１２１の方が緩や
かであるが、これは本発明のインゴット半径方向への垂
直温度勾配の偏差が従来より小さいということを意味す
る。
【００３７】
【表１】
【００３８】表１は垂直温度勾配及び偏差を従来と本発
明とに分けて数値で示している。ここで、各記号の意味
は次のようである。ΔＧは結晶成長界面付近におけるイ
ンゴット周縁部とインゴット中心部との垂直温度勾配の
差であり、Ｇ１,cはＣＯＰが発生する１１２０〜１０７
０℃間のインゴット中心部の垂直温度勾配の平均値であ
り、Ｇ１,eはＣＯＰ（Crystal Originated Particles）
が発生する１１２０〜１０７０℃間のインゴット周縁部
の垂直温度勾配の平均値であり、Ｇ２,cはＯＳＦ核が発
生する１０７０〜８００℃間のインゴット中心部の垂直
温度勾配の平均値であり、Ｇ２,cはＯＳＦ核が発生する
１０７０〜８００℃間のインゴット周縁部の垂直温度勾
配の平均値である。なお、界面付近におけるインゴット
周縁部とインゴット中心部との垂直温度勾配の差の式は
「ΔＧ＝Ｇｅ−Ｇｃ（Ｋ／ｃｍ）」である。更にＧeは
インゴット周縁部の垂直温度勾配であり、Ｇcはインゴ
ット中心部の垂直温度勾配である。
明とに分けて数値で示している。ここで、各記号の意味
は次のようである。ΔＧは結晶成長界面付近におけるイ
ンゴット周縁部とインゴット中心部との垂直温度勾配の
差であり、Ｇ１,cはＣＯＰが発生する１１２０〜１０７
０℃間のインゴット中心部の垂直温度勾配の平均値であ
り、Ｇ１,eはＣＯＰ（Crystal Originated Particles）
が発生する１１２０〜１０７０℃間のインゴット周縁部
の垂直温度勾配の平均値であり、Ｇ２,cはＯＳＦ核が発
生する１０７０〜８００℃間のインゴット中心部の垂直
温度勾配の平均値であり、Ｇ２,cはＯＳＦ核が発生する
１０７０〜８００℃間のインゴット周縁部の垂直温度勾
配の平均値である。なお、界面付近におけるインゴット
周縁部とインゴット中心部との垂直温度勾配の差の式は
「ΔＧ＝Ｇｅ−Ｇｃ（Ｋ／ｃｍ）」である。更にＧeは
インゴット周縁部の垂直温度勾配であり、Ｇcはインゴ
ット中心部の垂直温度勾配である。
【００３９】表１に示すように、従来のΔＧは１６．４
９であるが、本発明のΔＧは２.８７で、偏差が極めて
小さくなった。好ましくは本発明に係るΔＧは３Ｋ／ｃ
ｍ以下を維持するのが良い。また、ＣＯＰが多く発生す
る１１２０〜１０７０℃間の垂直温度勾配の平均値はイ
ンゴット中心部とインゴット周縁部とでそれぞれ３２．
３１Ｋ／ｃｍ及び４３．５５Ｋ／ｃｍで、従来技術より
極めて大きい。そして、ＯＳＦ核が形成される１０７０
〜８００℃間の垂直温度勾配の平均値はインゴット中心
部とインゴット周縁部とでそれぞれ２３．８１Ｋ／ｃｍ
及び２６．１４Ｋ／ｃｍで、これも従来技術より極めて
大きい。従って、その欠陥が発生する温度区間を迅速に
通過することができ、これによりこれら欠陥の発生を減
らすことができるということがわかる。
９であるが、本発明のΔＧは２.８７で、偏差が極めて
小さくなった。好ましくは本発明に係るΔＧは３Ｋ／ｃ
ｍ以下を維持するのが良い。また、ＣＯＰが多く発生す
る１１２０〜１０７０℃間の垂直温度勾配の平均値はイ
ンゴット中心部とインゴット周縁部とでそれぞれ３２．
３１Ｋ／ｃｍ及び４３．５５Ｋ／ｃｍで、従来技術より
極めて大きい。そして、ＯＳＦ核が形成される１０７０
〜８００℃間の垂直温度勾配の平均値はインゴット中心
部とインゴット周縁部とでそれぞれ２３．８１Ｋ／ｃｍ
及び２６．１４Ｋ／ｃｍで、これも従来技術より極めて
大きい。従って、その欠陥が発生する温度区間を迅速に
通過することができ、これによりこれら欠陥の発生を減
らすことができるということがわかる。
【００４０】図１３は本発明の好適な実施例により、引
上げ速度を０．６５ｍｍ／ｍｉｎ乃至０．４８ｍｍ／ｍ
ｉｎに減少しながら成長させて得たインゴットの垂直断
面を、図１４の熱処理サイクルで熱処理した後、ＭＣＬ
Ｔ（Minority Carrier LifeTime）スキャニングしたイ
メージを引上げ速度に合わせて示す図である。同図に示
すように、引上げ速度は０．５５ｍｍ／ｍｉｎ以上とし
た方が好ましい。
上げ速度を０．６５ｍｍ／ｍｉｎ乃至０．４８ｍｍ／ｍ
ｉｎに減少しながら成長させて得たインゴットの垂直断
面を、図１４の熱処理サイクルで熱処理した後、ＭＣＬ
Ｔ（Minority Carrier LifeTime）スキャニングしたイ
メージを引上げ速度に合わせて示す図である。同図に示
すように、引上げ速度は０．５５ｍｍ／ｍｉｎ以上とし
た方が好ましい。
【００４１】図１４はＯＳＦ検査用熱処理サイクルを示
すグラフである。
すグラフである。
【００４２】
【発明の効果】本発明に係る単結晶シリコンインゴット
及びウェーハでは、ＯＳＦ領域がインゴットの周縁部か
ら中心部へかけて広く分布しており、その領域内側には
ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみが存在する低密度の微小
ベーカンシー欠陥領域が位置するので、ＦＰＤとＤＳＯ
Ｄとが共存する粗大ベーカンシー欠陥領域を縮小ないし
究極的に除去することができ、これによりウェーハの品
質を向上させ、更にデバイスの収率を大きく向上させる
ことができる。
及びウェーハでは、ＯＳＦ領域がインゴットの周縁部か
ら中心部へかけて広く分布しており、その領域内側には
ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみが存在する低密度の微小
ベーカンシー欠陥領域が位置するので、ＦＰＤとＤＳＯ
Ｄとが共存する粗大ベーカンシー欠陥領域を縮小ないし
究極的に除去することができ、これによりウェーハの品
質を向上させ、更にデバイスの収率を大きく向上させる
ことができる。
【図１】従来の単結晶シリコンインゴットの横断面をＸ
ＲＴ（X-Ray Topography）で示す映像である。
ＲＴ（X-Ray Topography）で示す映像である。
【図２】従来のホットゾーンでインゴットを成長した場
合、引上げ速度変化によって収縮されるＯＳＦ領域の形
態を示す図である。
合、引上げ速度変化によって収縮されるＯＳＦ領域の形
態を示す図である。
【図３】図２の切断線Ｉに沿った横断面を示す描写図で
ある。
ある。
【図４】従来のホットゾーンで停止実験を行った単結晶
シリコンインゴットの垂直断面をＸＲＴで示す映像であ
る。
シリコンインゴットの垂直断面をＸＲＴで示す映像であ
る。
【図５】単結晶成長界面付近のホットゾーン示す概略図
である。
である。
【図６】本発明の好適な実施例により、ホットゾーン内
の熱履歴均一度を向上させた場合、引上げ速度変化によ
って収縮されるＯＳＦ領域の形態を示す図である。
の熱履歴均一度を向上させた場合、引上げ速度変化によ
って収縮されるＯＳＦ領域の形態を示す図である。
【図７】図６の切断線IIに沿った部分の横断面を示す描
写図である。
写図である。
【図８】本発明の好適な実施例により、インゴット半径
方向への熱履歴を均一化したホットゾーンで停止実験を
行った単結晶シリコンインゴットの垂直断面をＸＲＴで
示す映像である。
方向への熱履歴を均一化したホットゾーンで停止実験を
行った単結晶シリコンインゴットの垂直断面をＸＲＴで
示す映像である。
【図９】図６の単結晶シリコンインゴットの垂直断面の
ライフタイムを示す図である。
ライフタイムを示す図である。
【図１０】（Ａ）は図９の切断線IIIに沿った横断面の
ライフタイムを示す図であり、（Ｂ）は図１０（Ａ）に
対してのウェーハ半径方向へのＦＰＤ分布を示すグラフ
である。
ライフタイムを示す図であり、（Ｂ）は図１０（Ａ）に
対してのウェーハ半径方向へのＦＰＤ分布を示すグラフ
である。
【図１１】２５６ＭＢ用熱処理サイクルを示す概略図で
ある。
ある。
【図１２】インゴット中心部から周縁部への半径方向垂
直温度勾配を従来と比較して示すグラフである。
直温度勾配を従来と比較して示すグラフである。
【図１３】本発明の好適な実施例に係る単結晶シリコン
インゴットの垂直断面を、引上げ速度に合わせて示す図
である。
インゴットの垂直断面を、引上げ速度に合わせて示す図
である。
【図１４】ＯＳＦ検査用熱処理サイクルを示すグラフで
ある。
ある。
７０ 粗大ベーカンシー領域 ７１ 微小ベーカンシー欠陥領域 ７２ ＯＳＦリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 崔 ▲ジョン▼ 榮 大韓民国 キョンサンブクドー チルゴク グン セオジェオクミョン ナミュルリ ウーバンシンチェオンジタウン 101−507 (72)発明者 趙 鉉 鼎 大韓民国 キョンギドー ブチェオンシ ウォンミグ サンドン ハナレウム アパ ート 1510−9757 (72)発明者 兪 学 道 大韓民国 ソール セオンブクグ ジェオ ンレウン ２−ドング サン 87−85 サ ンジャンビラ ５−207 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EA02 EG18 HA06 HA12 PF55 5F053 AA13 AA22 AA44 BB33 DD01 GG01 RR03
Claims (30)
- 【請求項１】 中心軸と、周縁部と、前記中心軸から前
記周縁部への半径を有するウェーハにおいて、 前記中心軸を含んでおり、前記中心軸に対して対称な形
でＦＰＤとＤＳＯＤとが共存する第１領域と、 前記第１領域の外側から前記ウェーハの周縁部へ向って
形成され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみが存在する第
２領域と、 前記第２領域の外側から前記ウェーハの周縁部へ向って
形成され、酸化誘起積層欠陥領域（ＯＳＦ）が存在する
第３領域と、 前記第３領域と前記ウェーハの周縁部との間に形成さ
れ、凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又
は凝集ベーカンシー無欠陥領域と凝集インタースティシ
ャル無欠陥領域とが共存する第４領域と、を含むことを
特徴とするウェーハ。 - 【請求項２】 前記第２領域は前記１領域より小さいサ
イズのベーカンシー欠陥を有することを特徴とする請求
項１記載のウェーハ。 - 【請求項３】 第２領域と第３領域とを合わせた領域の
幅がウェーハ半径の２０％以上であることを特徴とする
請求項１記載のウェーハ。 - 【請求項４】 ＦＰＤ領域内のＦＰＤ密度が２５０個／
ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項
３のいずれかに記載のウェーハ。 - 【請求項５】 初期酸素濃度が１２ｐｐｍａ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載のウェーハ。 - 【請求項６】 中心軸と、前記中心軸方向に対して一定
直径のボディと、周縁部と、前記中心軸から前記周縁部
への半径を有する単結晶シリコンインゴットにおいて、 前記一定直径のボディは、 前記中心軸を含んでおり、前記中心軸に対して対称な形
でＦＰＤとＤＳＯＤとが共存する第１領域と、 前記第１領域の外側から前記インゴットの周縁部へ向っ
て形成され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみが存在する
第２領域と、 前記第２領域の外側から前記インゴットの周縁部へ向っ
て形成され、ＯＳＦ領域が存在する第３領域と、 前記第３領域と前記インゴットの周縁部との間に形成さ
れ、凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又
は凝集ベーカンシー無欠陥領域と凝集インタースティシ
ャル無欠陥領域とが共存する第４領域と、を含むことを
特徴とする単結晶シリコンインゴット。 - 【請求項７】 前記第２領域は前記１領域より小さいサ
イズのベーカンシー欠陥を有することを特徴とする請求
項６記載の単結晶シリコンインゴット。 - 【請求項８】 第２領域と第３領域とを合わせた領域の
幅が前記インゴット半径の２０％以上であることを特徴
とする請求項６記載の単結晶シリコンインゴット。 - 【請求項９】 第２領域と第３領域とを含んでいる部分
のインゴット長さが前記一定直径のボディ長さの２０％
以上であることを特徴とする請求項６記載の単結晶シリ
コンインゴット。 - 【請求項１０】 ＦＰＤ領域内のＦＰＤ密度が２５０個
／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項６乃至請求
項９のいずれかに記載の単結晶シリコンインゴット。 - 【請求項１１】 酸素濃度が１２ｐｐｍａ以下であるこ
とを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれかに記載
の単結晶シリコンインゴット。 - 【請求項１２】 中心軸と、前記中心軸方向に対して一
定直径のボディと、周縁部と、前記中心軸から前記周縁
部への半径を有する単結晶シリコンインゴットをチョク
ラルスキー法（ＣＺ法）を用いて製造する方法におい
て、 ＯＳＦリングが急激に収縮できるように、熱シールドを
備えたホットゾーン内のインゴットの成長及び冷却条件
をインゴット半径方向へ均一に調整する第１段階と、 前記第１段階で調整されたインゴットの成長及び冷却条
件の均一度を維持しながら、ＯＳＦリングが急激に収縮
する引上げ速度の臨界値を決定する第２段階と、 前記第１段階で調整されたホットゾーン内のインゴット
の成長及び冷却条件の均一度と前記第２段階で決定され
た引上げ速度の臨界値とを維持しながら、インゴットを
成長させる第３段階と、を含むことを特徴とする単結晶
シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項１３】 前記第１段階は停止実験（Holding Te
st）で確認することを特徴とする請求項１２記載の単結
晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項１４】 前記第１段階はメルトギャップ（Melt
Gap）を調整して前記インゴットの周縁部の垂直温度勾
配を減少させる段階として備えられることを特徴とする
請求項１２記載の単結晶シリコンインゴットの製造方
法。 - 【請求項１５】 前記第１段階はインゴット上端部と熱
シールド上部とを冷却させてインゴット中心部の垂直温
度勾配を増加させる段階として備えられることを特徴と
する請求項１２記載の単結晶シリコンインゴットの製造
方法。 - 【請求項１６】 前記引上げ速度の臨界値は０．５ｍｍ
／ｍｉｎ以上であることを特徴とする請求項１２記載の
単結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項１７】 前記インゴットの周縁部と中心部との
垂直温度勾配の差が３Ｋ／ｃｍ以下であることを特徴と
する請求項１２記載の単結晶シリコンインゴットの製造
方法。 - 【請求項１８】 前記第３段階で成長したインゴット
は、 前記中心軸を含んでおり、前記中心軸に対して対称な形
でＦＰＤとＤＳＯＤとが共存している第１領域と、 前記第１領域の外側から前記インゴットの周縁部へ向っ
て形成され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみが存在する
第２領域と、 前記第２領域の外側から前記インゴットの周縁部へ向っ
て形成され、ＯＳＦ領域が存在する第３領域と、 前記第３領域と前記インゴット周縁部との間に形成さ
れ、凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又
は、凝集ベーカンシー無欠陥領域と凝集インタースティ
シャル無欠陥領域とが共存する第４領域と、を含むこと
を特徴とする請求項１２記載の単結晶シリコンインゴッ
トの製造方法。 - 【請求項１９】 前記第３領域は前記インゴット半径の
２０％以上であることを特徴とする請求項１８記載の単
結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項２０】 前記第２領域と第３領域とを含んでい
る部分のインゴット長さが前記一定直径のボディ長さの
２０％以上であることを特徴とする請求項１８記載の単
結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項２１】 ＦＰＤ領域内のＦＰＤ密度が２５０個
／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１８乃至請
求項２０のいずれかに記載の単結晶シリコンインゴット
の製造方法。 - 【請求項２２】 酸素濃度が１２ｐｐｍａ以下であるこ
とを特徴とする請求項１８乃至請求項２０のいずれかに
記載の単結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項２３】 中心軸と、前記中心軸方向に対して一
定直径のボディと、周縁部と、前記中心軸から前記周縁
部への半径を有する単結晶シリコンインゴットをＣＺ法
を用いて製造する方法において、 熱シールドを備えたホットゾーンのメルトギャップを調
整して前記インゴットの周縁部の垂直温度勾配を減少さ
せる段階と、インゴット上部と熱シールド上部とを冷却
させてインゴット中心部の垂直温度勾配を増加させる段
階とから構成され、 ＯＳＦリングが急激に収縮できるように、ホットゾーン
内のインゴットの成長及び冷却条件をインゴット半径方
向へ均一に調整する第１段階と、 停止実験で前記第１段階で調整されたホットゾーン内の
インゴットの成長及び冷却条件の均一度を確認する第２
段階と、 前記第１段階で調整されたインゴットの成長及び冷却条
件の均一度を維持しながら、ＯＳＦリングが急激に収縮
する引上げ速度の臨界値を決定する第３段階と、 前記第１段階で調整されたホットゾーン内のインゴット
の成長及び冷却条件の均一度と、前記第３段階で決定さ
れた引上げ速度の臨界値とを維持しながら、インゴット
を成長させる第４段階と、を含むことを特徴とする単結
晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項２４】 前記引上げ速度の臨界値は０．５ｍｍ
／ｍｉｎ以上であることを特徴とする請求項２３記載の
単結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項２５】 前記インゴットの周縁部と中心部との
垂直温度勾配の差が３Ｋ／ｃｍ以下であることを特徴と
する請求項２３記載の単結晶シリコンインゴットの製造
方法。 - 【請求項２６】 前記第４段階で成長したインゴット
は、 前記中心軸を含んでおり、前記中心軸に対して対称な形
でＦＰＤとＤＳＯＤとが共存する第１領域と、 前記第１領域の外側から前記インゴットの周縁部へ向っ
て形成され、ＦＰＤは存在せずＤＳＯＤのみが存在する
第２領域と、 前記第２領域の外側から前記インゴットの周縁部へ向っ
て形成され、ＯＳＦ領域が存在する第３領域と、 前記第３領域と前記インゴット周縁部との間に形成さ
れ、凝集ベーカンシー無欠陥領域のみが存在するか、又
は凝集ベーカンシー無欠陥領域とインタースティシャル
無欠陥領域とが共存する第４領域と、を含むことを特徴
とする請求項２３記載の単結晶シリコンインゴットの製
造方法。 - 【請求項２７】 前記第３領域は前記インゴット半径の
２０％以上であることを特徴とする請求項２６記載の単
結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項２８】 前記第２領域と第３領域とを含んでい
る部分のインゴット長さが前記一定直径のボディ長さの
２０％以上であることを特徴とする請求項２６の単結晶
シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項２９】 ＦＰＤ領域内のＦＰＤ密度が２５０個
／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項２６乃至請
求項２８のいずれかに記載の単結晶シリコンインゴット
の製造方法。 - 【請求項３０】 酸素濃度が１２ｐｐｍａ以下であるこ
とを特徴とする請求項２６乃至請求項２８のいずれかに
記載の単結晶シリコンインゴットの製造方法。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112007001361T5 (de) | 2006-06-09 | 2009-04-16 | Sumco Corporation | Verfahren zur Durchführung einer Cop-Evaluierung an einem Siliciumwafer |
| DE112007001378T5 (de) | 2006-06-07 | 2009-04-16 | Sumco Corporation | Verfahren zur Bestimmung von Faktoren der COP-Erzeugung für einen Siliciumeinkristallwafer |
| JP2016056050A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | シャープ株式会社 | 単結晶シリコンインゴットの検査方法、それを用いた単結晶シリコン材料の製造方法および電子デバイスの製造方法 |
| KR20200120511A (ko) * | 2019-04-12 | 2020-10-21 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정의 제조 시에 있어서의 갭 사이즈 결정 방법 및, 실리콘 단결정의 제조 방법 |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| KR100588425B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2006-06-12 | 실트로닉 아게 | 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법 |
| KR100788018B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2007-12-21 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 및 그로부터 제조된 실리콘 웨이퍼 |
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| KR20110108876A (ko) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 |
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| CN116337875A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-06-27 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 | 硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1179889A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ |
| JPH11157996A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ |
| JPH11209193A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶引き上げ装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980070037A (ko) * | 1997-02-13 | 1998-10-26 | 윤종용 | 반도체 잉곳 성장시 시드결정의 인상속도 최적화방법, 이를 적용한 반도체 잉곳 성장방법, 그에 따라 성장된 반도체 잉곳과반도체 웨이퍼 및 반도체장치 |
| US5942032A (en) * | 1997-08-01 | 1999-08-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon |
| JP3407629B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2003-05-19 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハの熱処理方法ならびにシリコン単結晶ウエーハ |
-
2000
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1179889A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ |
| JPH11157996A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ |
| JPH11209193A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶引き上げ装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112007001378T5 (de) | 2006-06-07 | 2009-04-16 | Sumco Corporation | Verfahren zur Bestimmung von Faktoren der COP-Erzeugung für einen Siliciumeinkristallwafer |
| US8061225B2 (en) | 2006-06-07 | 2011-11-22 | Sumco Corporation | Method for determining COP generation factors for single-crystal silicon wafer |
| US8316727B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-11-27 | Sumco Corporation | Method for determining COP generation factors for single-crystal silicon wafer |
| US8549937B2 (en) | 2006-06-07 | 2013-10-08 | Sumco Corporation | Method for determining COP generation factors for single-crystal silicon wafer |
| US8978494B2 (en) | 2006-06-07 | 2015-03-17 | Sumco Corporation | Method for determining COP generation factors for single-crystal silicon wafer |
| DE112007001361T5 (de) | 2006-06-09 | 2009-04-16 | Sumco Corporation | Verfahren zur Durchführung einer Cop-Evaluierung an einem Siliciumwafer |
| US8173449B2 (en) | 2006-06-09 | 2012-05-08 | Sumco Corporation | Method for making COP evaluation on single-crystal silicon wafer |
| DE112007001361B4 (de) | 2006-06-09 | 2019-06-06 | Sumco Corporation | Verfahren zur Durchführung einer COP-Evaluierung an einem EinkristallSiliciumwafer |
| JP2016056050A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | シャープ株式会社 | 単結晶シリコンインゴットの検査方法、それを用いた単結晶シリコン材料の製造方法および電子デバイスの製造方法 |
| KR20200120511A (ko) * | 2019-04-12 | 2020-10-21 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정의 제조 시에 있어서의 갭 사이즈 결정 방법 및, 실리콘 단결정의 제조 방법 |
| KR102353877B1 (ko) * | 2019-04-12 | 2022-01-19 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정의 제조 시에 있어서의 갭 사이즈 결정 방법 및, 실리콘 단결정의 제조 방법 |
Also Published As
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