JP3407629B2 - シリコン単結晶ウエーハの熱処理方法ならびにシリコン単結晶ウエーハ - Google Patents
シリコン単結晶ウエーハの熱処理方法ならびにシリコン単結晶ウエーハInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチョクラルスキー法
（以下、ＣＺ法と略記することがある）により成長させ
たシリコン単結晶棒をスライスして得たシリコン単結晶
ウエーハの熱処理方法とこの方法により結晶欠陥密度を
著しく低減させたシリコン単結晶ウエーハに関する。
（以下、ＣＺ法と略記することがある）により成長させ
たシリコン単結晶棒をスライスして得たシリコン単結晶
ウエーハの熱処理方法とこの方法により結晶欠陥密度を
著しく低減させたシリコン単結晶ウエーハに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン単結晶ウエーハの結晶欠
陥を消滅させる方法としては、専らウエーハを高温で水
素アニールする方法が採られてきた。この方法では、酸
素析出物をより積極的に水素により還元溶解し、表面酸
化膜がなくなると酸素の外方拡散が増速されることから
欠陥を消滅させるものである。しかし、その典型的な条
件である１２００℃で６０分の水素アニールを行って
も、ウエーハ表面近傍には結晶欠陥が残存し、また酸素
析出物が残留しているため、連続して内部より外方拡散
してくる酸素によって酸素析出物の再形成が起こってい
ることが知られている。さらにこの方法は、水素アニー
ル処理する前の結晶の履歴に強く依存することから、水
素アニール処理するウエーハにはもともと結晶欠陥の少
ないものが選ばれていた。
陥を消滅させる方法としては、専らウエーハを高温で水
素アニールする方法が採られてきた。この方法では、酸
素析出物をより積極的に水素により還元溶解し、表面酸
化膜がなくなると酸素の外方拡散が増速されることから
欠陥を消滅させるものである。しかし、その典型的な条
件である１２００℃で６０分の水素アニールを行って
も、ウエーハ表面近傍には結晶欠陥が残存し、また酸素
析出物が残留しているため、連続して内部より外方拡散
してくる酸素によって酸素析出物の再形成が起こってい
ることが知られている。さらにこの方法は、水素アニー
ル処理する前の結晶の履歴に強く依存することから、水
素アニール処理するウエーハにはもともと結晶欠陥の少
ないものが選ばれていた。
【０００３】これとは別の方法として、単結晶成長速度
を遅くして結晶欠陥を減少させる方法が行われてきた
が、この方法では、結晶欠陥の数を減少させることはで
きるが、サイズが大きくなって結果的にはデバイスの酸
化膜耐圧等の電気特性を劣化させる原因となっている。
このように、シリコン単結晶ウエーハに水素アニールを
行っても結晶欠陥を十分に消滅させることが困難であ
り、単結晶引上げ速度を遅くしても欠陥サイズが大きく
なるため、水素アニールしても消滅しにくいという状況
に陥っているのが現状である。
を遅くして結晶欠陥を減少させる方法が行われてきた
が、この方法では、結晶欠陥の数を減少させることはで
きるが、サイズが大きくなって結果的にはデバイスの酸
化膜耐圧等の電気特性を劣化させる原因となっている。
このように、シリコン単結晶ウエーハに水素アニールを
行っても結晶欠陥を十分に消滅させることが困難であ
り、単結晶引上げ速度を遅くしても欠陥サイズが大きく
なるため、水素アニールしても消滅しにくいという状況
に陥っているのが現状である。
【０００４】一方、近年デバイス工程において歩留まり
を低下させる原因としてもＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏ
ｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）の存在が挙げ
られている。ＣＯＰとは、結晶成長時に導入される結晶
欠陥のひとつであり、正八面体構造の空洞型の欠陥であ
ることがわかっている。このＣＯＰは、鏡面研磨後のシ
リコンウエーハをアンモニアと過酸化水素の混合液で洗
浄すると、ウエーハ表面にピットが形成され、このウエ
ーハをパーティクルカウンターで測定すると、ピットも
本来のパーティクルとともにパーティクルとして検出さ
れる。このようなピットを本来のパーティクルと区別す
るためにＣＯＰと呼称されている。
を低下させる原因としてもＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏ
ｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）の存在が挙げ
られている。ＣＯＰとは、結晶成長時に導入される結晶
欠陥のひとつであり、正八面体構造の空洞型の欠陥であ
ることがわかっている。このＣＯＰは、鏡面研磨後のシ
リコンウエーハをアンモニアと過酸化水素の混合液で洗
浄すると、ウエーハ表面にピットが形成され、このウエ
ーハをパーティクルカウンターで測定すると、ピットも
本来のパーティクルとともにパーティクルとして検出さ
れる。このようなピットを本来のパーティクルと区別す
るためにＣＯＰと呼称されている。
【０００５】そして、ウエーハの表面に存在するＣＯＰ
は、電気的特性を劣化させる原因となる。例えば、デバ
イスの重要な電気的特性である信頼性試験、なかでも酸
化膜の経時絶縁破壊特性（Ｔｉｍｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ ＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃＢｒｅａｋｄｏｗｎ：ＴＤＤ
Ｂ）は、ＣＯＰと関係があり、これを向上させるために
はＣＯＰを減少させることが必要となっている。
は、電気的特性を劣化させる原因となる。例えば、デバ
イスの重要な電気的特性である信頼性試験、なかでも酸
化膜の経時絶縁破壊特性（Ｔｉｍｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎ
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Ｂ）は、ＣＯＰと関係があり、これを向上させるために
はＣＯＰを減少させることが必要となっている。
【０００６】また、通常の酸化膜耐圧（Ｔｉｍｅ Ｚｅ
ｒｏ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ：Ｔ
ＺＤＢ）にも影響を及ぼしているといわれている。さら
に、ＣＯＰはデバイス工程においても悪影響を及ぼして
いるといわれている。例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）ウエーハ表面にＣＯＰが
あると、エッチング工程や熱処理工程でＣＯＰを貫通し
たエッチャントや雰囲気ガスにより、埋め込み酸化膜が
エッチングされたり、配線工程で段差が生じ、断線の原
因となり、歩留まりの低下を導くというものである。
ｒｏ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ：Ｔ
ＺＤＢ）にも影響を及ぼしているといわれている。さら
に、ＣＯＰはデバイス工程においても悪影響を及ぼして
いるといわれている。例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ
Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）ウエーハ表面にＣＯＰが
あると、エッチング工程や熱処理工程でＣＯＰを貫通し
たエッチャントや雰囲気ガスにより、埋め込み酸化膜が
エッチングされたり、配線工程で段差が生じ、断線の原
因となり、歩留まりの低下を導くというものである。
【０００７】このＣＯＰを減少させる方法として、水素
アニールがあるが、現状の典型的な処理条件でアニール
を行ってもウエーハ表面のＣＯＰは完全には消滅せず、
若干残留しており、さらに比較的表面近傍にもＣＯＰが
残存している。ウエーハ表面のＣＯＰが消滅しない理由
は、例えば、１２００℃、６０分の高温で水素アニール
しても、ウエーハ内部にＣＯＰは残っており、水素アニ
ール中に表面がエッチングされ、内部のＣＯＰが表面に
現れてくるが、その後、降温条件になり温度が低下する
と降温直前に表面に現れたＣＯＰは降温中には消滅しに
くくなり、降温中に表面に現れたＣＯＰはさらに消滅し
にくくなる。降温中にＣＯＰが現れないようにするに
は、降温速度を速くする必要がある。
アニールがあるが、現状の典型的な処理条件でアニール
を行ってもウエーハ表面のＣＯＰは完全には消滅せず、
若干残留しており、さらに比較的表面近傍にもＣＯＰが
残存している。ウエーハ表面のＣＯＰが消滅しない理由
は、例えば、１２００℃、６０分の高温で水素アニール
しても、ウエーハ内部にＣＯＰは残っており、水素アニ
ール中に表面がエッチングされ、内部のＣＯＰが表面に
現れてくるが、その後、降温条件になり温度が低下する
と降温直前に表面に現れたＣＯＰは降温中には消滅しに
くくなり、降温中に表面に現れたＣＯＰはさらに消滅し
にくくなる。降温中にＣＯＰが現れないようにするに
は、降温速度を速くする必要がある。
【０００８】これは、シリコンは１２００℃、６０分の
水素アニールで通常０．５μｍ程度エッチングされる
が、シリコンのエッチング速度は温度が低い方が小さ
く、また、シリコン表面のマイグレーションも小さくな
る。従って降温中に表面に現れたＣＯＰは、エッチング
されず消滅しにくくなるからである。
水素アニールで通常０．５μｍ程度エッチングされる
が、シリコンのエッチング速度は温度が低い方が小さ
く、また、シリコン表面のマイグレーションも小さくな
る。従って降温中に表面に現れたＣＯＰは、エッチング
されず消滅しにくくなるからである。
【０００９】以上述べた水素アニールとは別のＣＯＰを
減少させる方法として考えられるのは、水素アニールで
消滅し易いＣＯＰをもったウエーハを作る必要があり、
そのためにはウエーハの元になるシリコン単結晶棒を引
上げる条件を十分調査検討しなければならない。従来は
ＣＯＰのような欠陥を減らすには、単結晶の成長速度を
遅くして対応してきたが、これではＣＯＰの数は減少す
るが、その大きさは増大してしまうため、この単結晶棒
から得たウエーハを水素アニール処理してもＣＯＰが消
滅しない確率の方が高く、現行の技術ではＣＯＰ欠陥を
駆逐することが困難な状況である。
減少させる方法として考えられるのは、水素アニールで
消滅し易いＣＯＰをもったウエーハを作る必要があり、
そのためにはウエーハの元になるシリコン単結晶棒を引
上げる条件を十分調査検討しなければならない。従来は
ＣＯＰのような欠陥を減らすには、単結晶の成長速度を
遅くして対応してきたが、これではＣＯＰの数は減少す
るが、その大きさは増大してしまうため、この単結晶棒
から得たウエーハを水素アニール処理してもＣＯＰが消
滅しない確率の方が高く、現行の技術ではＣＯＰ欠陥を
駆逐することが困難な状況である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はこの
ような問題点に鑑みなされたもので、本発明の目的とす
る所は、ＣＯＰ等のウエーハ表面、表層部に存在する結
晶欠陥を最小限に抑えたシリコン単結晶ウエーハを作製
し、酸化膜耐圧のみならず、信頼性試験その他の電気特
性に優れたデバイス用シリコン単結晶ウエーハを提供し
ようとするものである。そして、適切なシリコン単結晶
引上げ条件と水素アニール処理条件とを組合せることに
よって、実際に無欠陥シリコン単結晶ウエーハの生産を
可能とすると共にその生産性の向上、水素ガスの少量
化、コストダウン等をも達成しようとするものである。
ような問題点に鑑みなされたもので、本発明の目的とす
る所は、ＣＯＰ等のウエーハ表面、表層部に存在する結
晶欠陥を最小限に抑えたシリコン単結晶ウエーハを作製
し、酸化膜耐圧のみならず、信頼性試験その他の電気特
性に優れたデバイス用シリコン単結晶ウエーハを提供し
ようとするものである。そして、適切なシリコン単結晶
引上げ条件と水素アニール処理条件とを組合せることに
よって、実際に無欠陥シリコン単結晶ウエーハの生産を
可能とすると共にその生産性の向上、水素ガスの少量
化、コストダウン等をも達成しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に記載した発明は、チョクラルスキー法によ
りシリコン単結晶棒を成長させ、該単結晶棒をスライス
して得たシリコン単結晶ウエーハを還元性雰囲気中で熱
処理する方法において、シリコン単結晶の成長速度を
０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上として引上げて得られた、含有
酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下のＣＯＰが高密度に存在す
るシリコン単結晶棒からスライスして得られたウエーハ
に対して、急速加熱・急速冷却装置を用いて１２００℃
以上の温度で、１秒間以上のアニール熱処理を行うこと
を特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処理方法であ
る。
め、本発明に記載した発明は、チョクラルスキー法によ
りシリコン単結晶棒を成長させ、該単結晶棒をスライス
して得たシリコン単結晶ウエーハを還元性雰囲気中で熱
処理する方法において、シリコン単結晶の成長速度を
０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上として引上げて得られた、含有
酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下のＣＯＰが高密度に存在す
るシリコン単結晶棒からスライスして得られたウエーハ
に対して、急速加熱・急速冷却装置を用いて１２００℃
以上の温度で、１秒間以上のアニール熱処理を行うこと
を特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処理方法であ
る。
【００１２】ここで、急速加熱・急速冷却とは、前記温
度範囲に設定された熱処理炉中にウエーハを直ちに投入
し、前記熱処理時間の経過後、直ちに取り出す方法や、
ウエーハを熱処理炉内の設定位置に配置した後、ランプ
加熱器等で直ちに加熱処理する方法である。この直ちに
投入し、取り出すというのは、従来より行われている一
定時間での昇温、降温操作や熱処理炉内にウエーハを、
ゆっくり投入し、取り出すいわゆるローディング、アン
ローディング操作を行わないということである。ただ
し、炉内の所定位置まで運ぶには、ある程度の時間を有
するのは当然であり、ウエーハを投入するための移動装
置の能力に従い、数秒から数分間で行われる。このよう
な機能をもった装置を急速加熱・急速冷却装置（Ｒａｐ
ｉｄ Ｔｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｅｒ、以下、ＲＴＡ
装置と略称することがある）という。
度範囲に設定された熱処理炉中にウエーハを直ちに投入
し、前記熱処理時間の経過後、直ちに取り出す方法や、
ウエーハを熱処理炉内の設定位置に配置した後、ランプ
加熱器等で直ちに加熱処理する方法である。この直ちに
投入し、取り出すというのは、従来より行われている一
定時間での昇温、降温操作や熱処理炉内にウエーハを、
ゆっくり投入し、取り出すいわゆるローディング、アン
ローディング操作を行わないということである。ただ
し、炉内の所定位置まで運ぶには、ある程度の時間を有
するのは当然であり、ウエーハを投入するための移動装
置の能力に従い、数秒から数分間で行われる。このよう
な機能をもった装置を急速加熱・急速冷却装置（Ｒａｐ
ｉｄ Ｔｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｅｒ、以下、ＲＴＡ
装置と略称することがある）という。
【００１３】このように、先ず、ＣＺ法によりシリコン
単結晶の成長速度を０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上、より好ま
しくは、０．８ｍｍ／ｍｉｎ以上の高速で引上げて、含
有酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下のＣＯＰが高密度に存在
するシリコン単結晶棒を作製する。そしてこの単結晶棒
からスライスして得られたウエーハに対して、急速加熱
・急速冷却装置を用いて、還元性雰囲気下、１２００℃
以上の温度で、１秒間以上のアニール熱処理を行えば、
ウエーハ表面および表層部のＣＯＰを大幅に減少させた
シリコン単結晶ウエーハを作製することができ、デバイ
スにおいては酸化膜耐圧のみならず、信頼性試験等の電
気特性も著しく改善することができると共に、特にＣＯ
Ｐを減少させることが困難な大直径のウエーハに対して
も短時間で処理できるため量産効果もあり、さらに使用
水素ガス量を低減できるため安全性も向上する。
単結晶の成長速度を０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上、より好ま
しくは、０．８ｍｍ／ｍｉｎ以上の高速で引上げて、含
有酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下のＣＯＰが高密度に存在
するシリコン単結晶棒を作製する。そしてこの単結晶棒
からスライスして得られたウエーハに対して、急速加熱
・急速冷却装置を用いて、還元性雰囲気下、１２００℃
以上の温度で、１秒間以上のアニール熱処理を行えば、
ウエーハ表面および表層部のＣＯＰを大幅に減少させた
シリコン単結晶ウエーハを作製することができ、デバイ
スにおいては酸化膜耐圧のみならず、信頼性試験等の電
気特性も著しく改善することができると共に、特にＣＯ
Ｐを減少させることが困難な大直径のウエーハに対して
も短時間で処理できるため量産効果もあり、さらに使用
水素ガス量を低減できるため安全性も向上する。
【００１４】そして、本発明に記載した発明は、チョク
ラルスキー法によりシリコン単結晶棒を成長させ、該単
結晶棒をスライスして得たシリコン単結晶ウエーハを還
元性雰囲気中で熱処理する方法において、シリコン単結
晶の成長速度を０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上、より好ましく
は０．８ｍｍ／ｍｉｎ以上として引上げて得られた、含
有酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下のＣＯＰが高密度に存在
するシリコン単結晶棒からスライスして得られたウエー
ハに対して、バッチ式熱処理炉を用いて１２００℃以上
の温度で、３０分間以上のアニール熱処理を行うことを
特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処理方法であ
る。
ラルスキー法によりシリコン単結晶棒を成長させ、該単
結晶棒をスライスして得たシリコン単結晶ウエーハを還
元性雰囲気中で熱処理する方法において、シリコン単結
晶の成長速度を０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上、より好ましく
は０．８ｍｍ／ｍｉｎ以上として引上げて得られた、含
有酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下のＣＯＰが高密度に存在
するシリコン単結晶棒からスライスして得られたウエー
ハに対して、バッチ式熱処理炉を用いて１２００℃以上
の温度で、３０分間以上のアニール熱処理を行うことを
特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処理方法であ
る。
【００１５】ここで、バッチ式熱処理炉とは、通常、縦
型熱処理炉に設けた複数の棚段に複数のウエーハを載置
し、水素ガスを導入して比較的緩やかに昇温した後、所
定温度で所定時間熱処理を施し、比較的ゆっくりと降温
する、いわゆるバッチ式で熱処理する炉の事であり、一
度に大量の熱処理は可能であるが、ウエーハの搬入、搬
出時間を加えると１サイクルに長時間を要し、前記ＲＴ
Ａ装置と比較すると生産性は必ずしも良くないが、温度
の制御性に優れており、安定した操業が可能である。
型熱処理炉に設けた複数の棚段に複数のウエーハを載置
し、水素ガスを導入して比較的緩やかに昇温した後、所
定温度で所定時間熱処理を施し、比較的ゆっくりと降温
する、いわゆるバッチ式で熱処理する炉の事であり、一
度に大量の熱処理は可能であるが、ウエーハの搬入、搬
出時間を加えると１サイクルに長時間を要し、前記ＲＴ
Ａ装置と比較すると生産性は必ずしも良くないが、温度
の制御性に優れており、安定した操業が可能である。
【００１６】このように、前記した発明と同様の品質の
シリコン単結晶棒からスライスして得たシリコンウエー
ハを、バッチ式熱処理炉で、還元性雰囲気下、１２００
℃以上の温度で、３０分間以上のアニール熱処理を行え
ば、ウエーハ表面および表層部のＣＯＰを大幅に減少さ
せることができ、デバイスとして酸化膜耐圧、信頼性試
験等の電気特性も著しく改善することができると共に、
大直径ウエーハに対して特に有効で、生産性の向上、コ
ストダウンを図ることができる。
シリコン単結晶棒からスライスして得たシリコンウエー
ハを、バッチ式熱処理炉で、還元性雰囲気下、１２００
℃以上の温度で、３０分間以上のアニール熱処理を行え
ば、ウエーハ表面および表層部のＣＯＰを大幅に減少さ
せることができ、デバイスとして酸化膜耐圧、信頼性試
験等の電気特性も著しく改善することができると共に、
大直径ウエーハに対して特に有効で、生産性の向上、コ
ストダウンを図ることができる。
【００１７】この場合、前記熱処理がされるシリコン単
結晶中に高密度に存在するＣＯＰのサイズが６０〜１３
０ｎｍであること、ならびに前記ＣＯＰが１個の空洞か
らなる結晶欠陥であることが好ましい。このような微小
サイズのＣＯＰが高密度に存在するシリコン単結晶は、
前記したように０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上、特には０．８
ｍｍ／ｍｉｎ以上の高速で引上げれば容易に作製でき、
しかも、含有酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下の単結晶とす
れば、ＣＯＰ内壁の酸化膜も殆どなくなるので、ウエー
ハの水素アニール熱処理によってＣＯＰを極めて容易に
消滅させることができる。また、単結晶の含有酸素濃度
は、ＣＺ法において、原料融液を収容するルツボの回転
数、成長単結晶の回転数、不活性ガス流量、融液温度等
を制御して上記数値以下に抑制することができる。
結晶中に高密度に存在するＣＯＰのサイズが６０〜１３
０ｎｍであること、ならびに前記ＣＯＰが１個の空洞か
らなる結晶欠陥であることが好ましい。このような微小
サイズのＣＯＰが高密度に存在するシリコン単結晶は、
前記したように０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上、特には０．８
ｍｍ／ｍｉｎ以上の高速で引上げれば容易に作製でき、
しかも、含有酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下の単結晶とす
れば、ＣＯＰ内壁の酸化膜も殆どなくなるので、ウエー
ハの水素アニール熱処理によってＣＯＰを極めて容易に
消滅させることができる。また、単結晶の含有酸素濃度
は、ＣＺ法において、原料融液を収容するルツボの回転
数、成長単結晶の回転数、不活性ガス流量、融液温度等
を制御して上記数値以下に抑制することができる。
【００１８】本発明は、ＣＯＰのサイズが６０〜１３０
ｎｍであるシリコンウエーハに還元性雰囲気下で１２０
０℃以上の熱処理を施すことを特徴とするシリコン単結
晶ウエーハの熱処理方法であり、そして本発明は、ＣＯ
Ｐが１個の空洞からなる結晶欠陥であるシリコンウエー
ハに還元性雰囲気下で１２００℃以上の熱処理を施すこ
とを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処理方法で
ある。このような微小なサイズのＣＯＰあるいは１個の
空洞よりなるＣＯＰのシリコンウエーハであれば、その
作製方法を問わず、還元性雰囲気下で高温熱処理をすれ
ばＣＯＰが消滅し易いものとなる。
ｎｍであるシリコンウエーハに還元性雰囲気下で１２０
０℃以上の熱処理を施すことを特徴とするシリコン単結
晶ウエーハの熱処理方法であり、そして本発明は、ＣＯ
Ｐが１個の空洞からなる結晶欠陥であるシリコンウエー
ハに還元性雰囲気下で１２００℃以上の熱処理を施すこ
とを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処理方法で
ある。このような微小なサイズのＣＯＰあるいは１個の
空洞よりなるＣＯＰのシリコンウエーハであれば、その
作製方法を問わず、還元性雰囲気下で高温熱処理をすれ
ばＣＯＰが消滅し易いものとなる。
【００１９】そして、前記還元性雰囲気を、１００％水
素雰囲気、あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とすれ
ば、水素アニール熱処理効果を十分に挙げ、内壁が酸化
膜であるＣＯＰを著しく減少させ、空洞をシリコンで埋
めてほぼ無欠陥ウエーハとすることができる。
素雰囲気、あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とすれ
ば、水素アニール熱処理効果を十分に挙げ、内壁が酸化
膜であるＣＯＰを著しく減少させ、空洞をシリコンで埋
めてほぼ無欠陥ウエーハとすることができる。
【００２０】さらに、本発明は、前記した熱処理方法に
よりウエーハ中のＣＯＰが消滅されたシリコン単結晶ウ
エーハである。このように、前記した熱処理方法により
熱処理して作製されたシリコン単結晶ウエーハは、ＣＯ
Ｐのサイズが小さく、水素アニールによって、確実にウ
エーハの表面から内部に拡散した水素によりＣＯＰの内
壁の酸化膜が還元溶解され、ウエーハ表面からのシリコ
ンの供給により空洞は埋められてＣＯＰは消滅させら
れ、実際に無欠陥シリコン単結晶ウエーハが得られる。
従って、デバイス特性が向上し、歩留も向上する等極め
て有用なシリコン単結晶ウエーハとすることができる。
よりウエーハ中のＣＯＰが消滅されたシリコン単結晶ウ
エーハである。このように、前記した熱処理方法により
熱処理して作製されたシリコン単結晶ウエーハは、ＣＯ
Ｐのサイズが小さく、水素アニールによって、確実にウ
エーハの表面から内部に拡散した水素によりＣＯＰの内
壁の酸化膜が還元溶解され、ウエーハ表面からのシリコ
ンの供給により空洞は埋められてＣＯＰは消滅させら
れ、実際に無欠陥シリコン単結晶ウエーハが得られる。
従って、デバイス特性が向上し、歩留も向上する等極め
て有用なシリコン単結晶ウエーハとすることができる。
【００２１】以下、本発明につきさらに詳細に説明す
る。本発明者らは、シリコン単結晶ウエーハの表面ある
いは内部に存在するＣＯＰの密度を確実に減少させるこ
とができる熱処理条件につき、種々実験、調査を重ねた
結果、これには先ず、高速で単結晶を引上げて、低酸素
濃度で、微小サイズのＣＯＰが高密度に存在する単結晶
棒を作製し、これから得たウエーハを水素アニールで熱
処理をすれば、ＣＯＰ密度は著しく減少し、無欠陥シリ
コン単結晶ウエーハを得ることができることを知見し、
諸条件を精査して本発明を完成させたものである。
る。本発明者らは、シリコン単結晶ウエーハの表面ある
いは内部に存在するＣＯＰの密度を確実に減少させるこ
とができる熱処理条件につき、種々実験、調査を重ねた
結果、これには先ず、高速で単結晶を引上げて、低酸素
濃度で、微小サイズのＣＯＰが高密度に存在する単結晶
棒を作製し、これから得たウエーハを水素アニールで熱
処理をすれば、ＣＯＰ密度は著しく減少し、無欠陥シリ
コン単結晶ウエーハを得ることができることを知見し、
諸条件を精査して本発明を完成させたものである。
【００２２】本発明の基本的な考え方は下記の知見に基
づいている。すなわち、以前ＣＺ法の通常の条件で引上
げたシリコン単結晶中のグローンイン赤外散乱体（ＬＳ
ＴＤ）の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察を行い、厚さ
が２〜４ｎｍの薄い酸化膜で囲まれた正八面体の空洞が
２〜３個連結した構造で全体のサイズが１００〜３００
ｎｍのオーダであることを報告した（M.Kato et al.:Jp
n.Appl.Pys.35(1996)5597 ）。
づいている。すなわち、以前ＣＺ法の通常の条件で引上
げたシリコン単結晶中のグローンイン赤外散乱体（ＬＳ
ＴＤ）の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察を行い、厚さ
が２〜４ｎｍの薄い酸化膜で囲まれた正八面体の空洞が
２〜３個連結した構造で全体のサイズが１００〜３００
ｎｍのオーダであることを報告した（M.Kato et al.:Jp
n.Appl.Pys.35(1996)5597 ）。
【００２３】ところが、その後、さらなる研究の結果、
急冷したＣＺ結晶中のＬＳＴＤ観察を行うと、１個の独
立したシングル型の欠陥があることを初めて発見した。
このシングル型も正八面体の空洞で、サイズは６０〜１
３０ｎｍで、酸化膜は上記通常冷却の場合よりもさらに
薄いか、存在しない場合もあることが判明した。そし
て、シングル型とツイン〜トリプレット型の違いは、欠
陥成長の初期段階においてはシングル型で、ツイン〜ト
リプレット型はその後の成長過程において形成されるこ
とも判ってきた。
急冷したＣＺ結晶中のＬＳＴＤ観察を行うと、１個の独
立したシングル型の欠陥があることを初めて発見した。
このシングル型も正八面体の空洞で、サイズは６０〜１
３０ｎｍで、酸化膜は上記通常冷却の場合よりもさらに
薄いか、存在しない場合もあることが判明した。そし
て、シングル型とツイン〜トリプレット型の違いは、欠
陥成長の初期段階においてはシングル型で、ツイン〜ト
リプレット型はその後の成長過程において形成されるこ
とも判ってきた。
【００２４】図５は、ツイン型空洞の形成過程を示した
摸式図である。成長単結晶の冷却過程において、先ず
（ａ）では空孔２０の凝集が始まり微小空洞が形成され
る。（ｂ）そして拡散してくる空孔を吸収して成長する
と同時に、空洞の周りに格子間酸素２１が集まってきて
薄い酸化膜２２が形成される。（ｃ）（ｄ）では空洞が
薄い酸化膜によって取り囲まれ、この酸化膜が空洞内に
空孔が吸収されるのを妨害するようになる。その後、こ
の欠陥がより大きく成長するように、空孔が酸化膜の最
も弱いサイトを攻撃し始める。この弱いサイトが形成さ
れると第二の空洞２３が膨らんでツイン型の空洞が完成
する（ｅ）。
摸式図である。成長単結晶の冷却過程において、先ず
（ａ）では空孔２０の凝集が始まり微小空洞が形成され
る。（ｂ）そして拡散してくる空孔を吸収して成長する
と同時に、空洞の周りに格子間酸素２１が集まってきて
薄い酸化膜２２が形成される。（ｃ）（ｄ）では空洞が
薄い酸化膜によって取り囲まれ、この酸化膜が空洞内に
空孔が吸収されるのを妨害するようになる。その後、こ
の欠陥がより大きく成長するように、空孔が酸化膜の最
も弱いサイトを攻撃し始める。この弱いサイトが形成さ
れると第二の空洞２３が膨らんでツイン型の空洞が完成
する（ｅ）。
【００２５】この場合、シングル型とツイン〜トリプレ
ット型の生成条件の違いは、高速で引上げ、急冷すると
シングル型でサイズは小さいが多数発生し、低酸素濃度
ではＣＯＰ内壁の酸化膜が極めて薄いか付いていない。
逆に低速で引上げ、ゆっくり冷却するとツイン〜トリプ
レット型に成長して数は減少するが、ＣＯＰ内壁の酸化
膜は厚くなってくる傾向がある。
ット型の生成条件の違いは、高速で引上げ、急冷すると
シングル型でサイズは小さいが多数発生し、低酸素濃度
ではＣＯＰ内壁の酸化膜が極めて薄いか付いていない。
逆に低速で引上げ、ゆっくり冷却するとツイン〜トリプ
レット型に成長して数は減少するが、ＣＯＰ内壁の酸化
膜は厚くなってくる傾向がある。
【００２６】そこで、上記現象をさらに詳細に解析した
結果、従来はＣＯＰ等の欠陥を減らすために低速で単結
晶成長を行い、残留している大きなツイン〜トリプレッ
ト型ＣＯＰ欠陥をウエーハの水素アニールで消滅させよ
うとしていたことになる。これでは１個のＣＯＰが大き
過ぎる上に、その表面に厚い酸化膜があるので、水素ア
ニールによって消滅させることが困難である。これに対
して、本発明では、逆に高速で、含有酸素濃度の低い単
結晶を成長させ、微小で表面に酸化膜のないあるいはあ
っても薄いシングル型ＣＯＰを多数発生させた単結晶棒
を作り、後工程のウエーハの水素アニールによる熱処理
を施せば、ＣＯＰは容易にかつ完全に消滅できると考え
たものである。
結果、従来はＣＯＰ等の欠陥を減らすために低速で単結
晶成長を行い、残留している大きなツイン〜トリプレッ
ト型ＣＯＰ欠陥をウエーハの水素アニールで消滅させよ
うとしていたことになる。これでは１個のＣＯＰが大き
過ぎる上に、その表面に厚い酸化膜があるので、水素ア
ニールによって消滅させることが困難である。これに対
して、本発明では、逆に高速で、含有酸素濃度の低い単
結晶を成長させ、微小で表面に酸化膜のないあるいはあ
っても薄いシングル型ＣＯＰを多数発生させた単結晶棒
を作り、後工程のウエーハの水素アニールによる熱処理
を施せば、ＣＯＰは容易にかつ完全に消滅できると考え
たものである。
【００２７】本発明では、シリコン単結晶成長条件の
内、引上げ速度は、０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上、より好ま
しくは０．８ｍｍ／ｍｉｎ以上の高速として、ＣＯＰの
個数は多いが、サイズが例えば６０〜１３０ｎｍと小さ
いシングル型のものが多いものとし、極力ツイン〜トリ
プレット型に成長しないようにした。従って、本発明で
はより好ましくは、例えば１．０ｍｍ／ｍｉｎ以上とい
った、引上げ結晶の直径に応じて可能な限り高速で結晶
を成長させるのが望ましい。０．６ｍｍ／ｍｉｎ未満で
は、緩速冷却となってツイン〜トリプレット型ＣＯＰに
成長し個数は減少するが、ＣＯＰ内壁の酸化膜も厚くな
るので好ましくない。このシングル型ＣＯＰ１個のサイ
ズは、６０〜１３０ｎｍ程度で、内壁の酸化膜は低酸素
濃度では成長していない場合が多い。
内、引上げ速度は、０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上、より好ま
しくは０．８ｍｍ／ｍｉｎ以上の高速として、ＣＯＰの
個数は多いが、サイズが例えば６０〜１３０ｎｍと小さ
いシングル型のものが多いものとし、極力ツイン〜トリ
プレット型に成長しないようにした。従って、本発明で
はより好ましくは、例えば１．０ｍｍ／ｍｉｎ以上とい
った、引上げ結晶の直径に応じて可能な限り高速で結晶
を成長させるのが望ましい。０．６ｍｍ／ｍｉｎ未満で
は、緩速冷却となってツイン〜トリプレット型ＣＯＰに
成長し個数は減少するが、ＣＯＰ内壁の酸化膜も厚くな
るので好ましくない。このシングル型ＣＯＰ１個のサイ
ズは、６０〜１３０ｎｍ程度で、内壁の酸化膜は低酸素
濃度では成長していない場合が多い。
【００２８】シリコン単結晶棒の品質として、含有酸素
濃度を１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下、好ましくは１
０ｐｐｍａ以下とするのが望ましい。１６ｐｐｍａを超
えると生成したＣＯＰ内壁の酸化膜が厚くなり、後工程
の水素アニールでのＣＯＰの消滅が不完全になったり、
熱処理時間が長くなる等、品質や生産性に影響するよう
になる。
濃度を１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下、好ましくは１
０ｐｐｍａ以下とするのが望ましい。１６ｐｐｍａを超
えると生成したＣＯＰ内壁の酸化膜が厚くなり、後工程
の水素アニールでのＣＯＰの消滅が不完全になったり、
熱処理時間が長くなる等、品質や生産性に影響するよう
になる。
【００２９】シリコン単結晶棒の含有酸素濃度を制御す
るには、単結晶引上げ炉における、不活性ガス流量、ル
ツボの回転数、成長単結晶の回転速度、シリコン融液の
温度等を適切に制御する等、従来公知の方法で簡単に達
成することができる。
るには、単結晶引上げ炉における、不活性ガス流量、ル
ツボの回転数、成長単結晶の回転速度、シリコン融液の
温度等を適切に制御する等、従来公知の方法で簡単に達
成することができる。
【００３０】続いて、上記シリコン単結晶をスライスし
て得たシリコンウエーハを急速加熱・急速冷却装置（Ｒ
ＴＡ装置）またはバッチ式熱処理炉を用いて、熱処理を
水素濃度１００％あるいは水素とアルゴンとの混合の還
元性雰囲気下で、１２００℃以上の温度で、ＲＴＡ装置
では１秒間以上、バッチ式熱処理炉では３０分間以上、
滞在させることでＣＯＰを著しく減少させることができ
る。特に、この熱処理条件によればＣＯＰ密度を実質的
に零にすることも可能である。そして、この水素アニー
ル処理したウエーハを使用すれば、半導体デバイスにお
いて、酸化膜耐圧のみならず経時絶縁破壊特性といった
電気特性の値も向上する。
て得たシリコンウエーハを急速加熱・急速冷却装置（Ｒ
ＴＡ装置）またはバッチ式熱処理炉を用いて、熱処理を
水素濃度１００％あるいは水素とアルゴンとの混合の還
元性雰囲気下で、１２００℃以上の温度で、ＲＴＡ装置
では１秒間以上、バッチ式熱処理炉では３０分間以上、
滞在させることでＣＯＰを著しく減少させることができ
る。特に、この熱処理条件によればＣＯＰ密度を実質的
に零にすることも可能である。そして、この水素アニー
ル処理したウエーハを使用すれば、半導体デバイスにお
いて、酸化膜耐圧のみならず経時絶縁破壊特性といった
電気特性の値も向上する。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の水素アニール工程で用いられる、シリコン単結
晶ウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置の加熱方式
しては、熱放射によるランプ加熱方式、レーザ光線によ
るレーザ加熱方式、Ｘ線によるＸ線加熱方式および抵抗
加熱方式によるヒーターのような装置を挙げることがで
きる。市販されているものとして、例えばＡＳＴ社製、
ＳＨＳ−２８００のような装置を挙げることができ、こ
れらは特別複雑で高価なものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の水素アニール工程で用いられる、シリコン単結
晶ウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置の加熱方式
しては、熱放射によるランプ加熱方式、レーザ光線によ
るレーザ加熱方式、Ｘ線によるＸ線加熱方式および抵抗
加熱方式によるヒーターのような装置を挙げることがで
きる。市販されているものとして、例えばＡＳＴ社製、
ＳＨＳ−２８００のような装置を挙げることができ、こ
れらは特別複雑で高価なものではない。
【００３２】ここで、本発明で用いたシリコン単結晶ウ
エーハの急速加熱・急速冷却装置（ＲＴＡ装置）の一例
を示す。図６は、抵抗加熱型急速加熱・急速冷却装置の
概略断面図である。図６の熱処理装置１０は、例えば炭
化珪素あるいは石英からなるベルジャ１を有し、このベ
ルジャ１内でウエーハを熱処理するようになっている。
加熱は、ベルジャ１を囲繞するように配置される加熱ヒ
ータ２，２’によって行う。この加熱ヒータは上下方向
で分割されており、それぞれ独立に供給される電力を制
御できるようになっている。もちろん加熱方式は、これ
に限定されるものではなく、いわゆる輻射加熱、高周波
加熱方式としてもよい。加熱ヒータ２，２’の外側に
は、熱を遮蔽するためのハウジング３が配置されてい
る。
エーハの急速加熱・急速冷却装置（ＲＴＡ装置）の一例
を示す。図６は、抵抗加熱型急速加熱・急速冷却装置の
概略断面図である。図６の熱処理装置１０は、例えば炭
化珪素あるいは石英からなるベルジャ１を有し、このベ
ルジャ１内でウエーハを熱処理するようになっている。
加熱は、ベルジャ１を囲繞するように配置される加熱ヒ
ータ２，２’によって行う。この加熱ヒータは上下方向
で分割されており、それぞれ独立に供給される電力を制
御できるようになっている。もちろん加熱方式は、これ
に限定されるものではなく、いわゆる輻射加熱、高周波
加熱方式としてもよい。加熱ヒータ２，２’の外側に
は、熱を遮蔽するためのハウジング３が配置されてい
る。
【００３３】炉の下方には、水冷チャンバ４とベースプ
レート５が配置され、ベルジャ１内と、外気とを封鎖し
ている。そしてウエーハ８はステージ７上に保持される
ようになっており、ステージ７はモータ９によって上下
動自在な支持軸６の上端に取りつけられている。水冷チ
ャンバ４には横方向からウエーハを炉内に出し入れでき
るように、ゲートバルブによって開閉可能に構成される
不図示のウエーハ挿入口が設けられている。また、ベー
スプレート５には、ガス流入口と排気口が設けられてお
り、炉内ガス雰囲気を調整できるようになっている。
レート５が配置され、ベルジャ１内と、外気とを封鎖し
ている。そしてウエーハ８はステージ７上に保持される
ようになっており、ステージ７はモータ９によって上下
動自在な支持軸６の上端に取りつけられている。水冷チ
ャンバ４には横方向からウエーハを炉内に出し入れでき
るように、ゲートバルブによって開閉可能に構成される
不図示のウエーハ挿入口が設けられている。また、ベー
スプレート５には、ガス流入口と排気口が設けられてお
り、炉内ガス雰囲気を調整できるようになっている。
【００３４】以上のような熱処理装置１０によって、ウ
エーハの急速加熱・急速冷却する熱処理は次のように行
われる。まず、加熱ヒータ２，２’によってベルジャ１
内を、例えば１２００℃以上の所望温度に加熱し、その
温度に保持する。分割された加熱ヒータそれぞれを独立
して供給電力を制御すれば、ベルジャ１内を高さ方向に
沿って温度分布をつけることができる。したがって、ウ
エーハの処理温度は、ステージ７の位置、すなわち支持
軸６の炉内への挿入量によって決定することができる。
エーハの急速加熱・急速冷却する熱処理は次のように行
われる。まず、加熱ヒータ２，２’によってベルジャ１
内を、例えば１２００℃以上の所望温度に加熱し、その
温度に保持する。分割された加熱ヒータそれぞれを独立
して供給電力を制御すれば、ベルジャ１内を高さ方向に
沿って温度分布をつけることができる。したがって、ウ
エーハの処理温度は、ステージ７の位置、すなわち支持
軸６の炉内への挿入量によって決定することができる。
【００３５】ベルジャ１内が所望温度で維持されたな
ら、熱処理装置１０に隣接して配置される、不図示のウ
エーハハンドリング装置によってウエーハを水冷チャン
バ４の挿入口から入れ、最下端位置で待機させたステー
ジ７上に例えばＳｉＣボートを介してウエーハを乗せ
る。この時、水冷チャンバ４およびベースプレート５は
水冷されているので、ウエーハはこの位置では高温化し
ない。
ら、熱処理装置１０に隣接して配置される、不図示のウ
エーハハンドリング装置によってウエーハを水冷チャン
バ４の挿入口から入れ、最下端位置で待機させたステー
ジ７上に例えばＳｉＣボートを介してウエーハを乗せ
る。この時、水冷チャンバ４およびベースプレート５は
水冷されているので、ウエーハはこの位置では高温化し
ない。
【００３６】そして、ウエーハのステージ７上への載置
が完了したなら、すぐにモータ９によって支持軸６を炉
内に挿入することによって、ステージ７を１２００℃以
上の所望温度位置まで上昇させ、ステージ上のウエーハ
に高温熱処理を加える。この場合、水冷チャンバ４内の
ステージ下端位置から、所望温度位置までの移動には、
例えば２０秒程度しかかからないので、ウエーハは急速
に加熱されることになる。
が完了したなら、すぐにモータ９によって支持軸６を炉
内に挿入することによって、ステージ７を１２００℃以
上の所望温度位置まで上昇させ、ステージ上のウエーハ
に高温熱処理を加える。この場合、水冷チャンバ４内の
ステージ下端位置から、所望温度位置までの移動には、
例えば２０秒程度しかかからないので、ウエーハは急速
に加熱されることになる。
【００３７】そして、ステージ７を所望温度位置で、所
定時間停止（１秒間以上）させることによって、ウエー
ハに停止時間分の高温熱処理を加えることができる。所
定時間が経過し高温熱処理が終了したなら、すぐにモー
タ９によって支持軸６を炉内から引き抜くことによっ
て、ステージ７を下降させ水冷チャンバ４内の下端位置
とする。この下降動作も、例えば２０秒程度で行うこと
ができる。ステージ７上のウエーハは、水冷チャンバ４
およびベースプレート５が水冷されているので、急速に
冷却される。最後に、ウエーハハンドリング装置によっ
て、ウエーハを取り出すことによって、熱処理を完了す
る。さらに熱処理するウエーハがある場合には、熱処理
装置１０の温度を降温させてないので、次々にウエーハ
を投入し連続的に熱処理をすることができる。
定時間停止（１秒間以上）させることによって、ウエー
ハに停止時間分の高温熱処理を加えることができる。所
定時間が経過し高温熱処理が終了したなら、すぐにモー
タ９によって支持軸６を炉内から引き抜くことによっ
て、ステージ７を下降させ水冷チャンバ４内の下端位置
とする。この下降動作も、例えば２０秒程度で行うこと
ができる。ステージ７上のウエーハは、水冷チャンバ４
およびベースプレート５が水冷されているので、急速に
冷却される。最後に、ウエーハハンドリング装置によっ
て、ウエーハを取り出すことによって、熱処理を完了す
る。さらに熱処理するウエーハがある場合には、熱処理
装置１０の温度を降温させてないので、次々にウエーハ
を投入し連続的に熱処理をすることができる。
【００３８】以上のような、急速加熱・急速冷却の可能
な熱処理装置を用い、水素１００％雰囲気中で、シリコ
ン単結晶ウエーハを枚葉式で熱処理を行った。使用した
シリコン単結晶ウエーハは、上記チョクラルスキー法
（ＣＺ法）により、０．８ｍｍ／ｍｉｎ〜１．２ｍｍ／
ｍｉｎの引上げ速度で製造された、含有酸素濃度が１６
ｐｐｍａ以下で、かつ１個のサイズが６０〜１３０ｎｍ
で空洞からなるＣＯＰが高密度に存在するシリコン単結
晶棒を、スライスして鏡面加工された、直径が８インチ
で、結晶方位が＜１００＞のウエーハである。
な熱処理装置を用い、水素１００％雰囲気中で、シリコ
ン単結晶ウエーハを枚葉式で熱処理を行った。使用した
シリコン単結晶ウエーハは、上記チョクラルスキー法
（ＣＺ法）により、０．８ｍｍ／ｍｉｎ〜１．２ｍｍ／
ｍｉｎの引上げ速度で製造された、含有酸素濃度が１６
ｐｐｍａ以下で、かつ１個のサイズが６０〜１３０ｎｍ
で空洞からなるＣＯＰが高密度に存在するシリコン単結
晶棒を、スライスして鏡面加工された、直径が８インチ
で、結晶方位が＜１００＞のウエーハである。
【００３９】熱処理の還元性雰囲気は、水素ガス１００
％とすることができるが、水素の還元力を調整する、あ
るいはスリップ転位の発生を抑制する、その他安全上等
の理由からアルゴンとの混合気としてもよい。熱処理の
温度条件は１２００℃以上とし、処理時間は１秒間以上
とした。１２００℃未満ではＣＯＰをほぼ完全に消滅さ
せることが難しいし、１秒未満の短時間では熱処理効果
が得られない。
％とすることができるが、水素の還元力を調整する、あ
るいはスリップ転位の発生を抑制する、その他安全上等
の理由からアルゴンとの混合気としてもよい。熱処理の
温度条件は１２００℃以上とし、処理時間は１秒間以上
とした。１２００℃未満ではＣＯＰをほぼ完全に消滅さ
せることが難しいし、１秒未満の短時間では熱処理効果
が得られない。
【００４０】このように、本発明のサイズの小さいＣＯ
Ｐを有するウエーハにＲＴＡ装置を用いて水素アニール
して得られたウエーハは、特に表面のＣＯＰが殆ど消滅
しており、無欠陥シリコン単結晶ウエーハを製造するこ
とができる。従って、この水素アニール処理したウエー
ハを使用すれば、半導体デバイスとしても、酸化膜耐
圧、経時絶縁破壊特性等の電気特性に優れたデバイスを
作製することができる。ＲＴＡ装置の場合は、昇温レー
トが極めて速く、ＣＯＰが消滅する温度になるのに要す
る時間が極めて短いため、多数のシングル型ＣＯＰが存
在しても容易に高温になり、ＣＯＰが消滅するものと考
えられる。
Ｐを有するウエーハにＲＴＡ装置を用いて水素アニール
して得られたウエーハは、特に表面のＣＯＰが殆ど消滅
しており、無欠陥シリコン単結晶ウエーハを製造するこ
とができる。従って、この水素アニール処理したウエー
ハを使用すれば、半導体デバイスとしても、酸化膜耐
圧、経時絶縁破壊特性等の電気特性に優れたデバイスを
作製することができる。ＲＴＡ装置の場合は、昇温レー
トが極めて速く、ＣＯＰが消滅する温度になるのに要す
る時間が極めて短いため、多数のシングル型ＣＯＰが存
在しても容易に高温になり、ＣＯＰが消滅するものと考
えられる。
【００４１】別の水素アニールとしてバッチ式熱処理炉
を使用することもできる。ここで、バッチ式熱処理炉と
は、通常、縦型または横型の熱処理炉に複数のウエーハ
を載置し、水素ガスを導入して比較的緩やかに昇温した
後、所定温度で所定時間熱処理を施し、比較的ゆっくり
と降温する、いわゆるバッチ式の熱処理炉であり、一度
に大量の熱処理は可能であるが、ウエーハの搬入、搬出
時間を加えると１サイクルに長時間を要し、前記ＲＴＡ
装置と比較すると生産性は必ずしも良くないが、温度の
制御性に優れており、安定した操業が可能である。
を使用することもできる。ここで、バッチ式熱処理炉と
は、通常、縦型または横型の熱処理炉に複数のウエーハ
を載置し、水素ガスを導入して比較的緩やかに昇温した
後、所定温度で所定時間熱処理を施し、比較的ゆっくり
と降温する、いわゆるバッチ式の熱処理炉であり、一度
に大量の熱処理は可能であるが、ウエーハの搬入、搬出
時間を加えると１サイクルに長時間を要し、前記ＲＴＡ
装置と比較すると生産性は必ずしも良くないが、温度の
制御性に優れており、安定した操業が可能である。
【００４２】バッチ式熱処理炉による水素アニールの熱
処理条件は、基本的には上記ＲＴＡ装置の場合と変わら
ず、水素ガス１００％雰囲気下、あるいはアルゴンとの
混合雰囲気下１２００℃以上で処理するが、熱処理時間
は３０分間以上が望ましい。３０分未満では熱処理効果
が十分挙がらず、ＣＯＰはあまり消滅しない。
処理条件は、基本的には上記ＲＴＡ装置の場合と変わら
ず、水素ガス１００％雰囲気下、あるいはアルゴンとの
混合雰囲気下１２００℃以上で処理するが、熱処理時間
は３０分間以上が望ましい。３０分未満では熱処理効果
が十分挙がらず、ＣＯＰはあまり消滅しない。
【００４３】このように、バッチ式縦型熱処理炉によっ
ても、本発明のサイズの小さいＣＯＰを有するウエーハ
に水素アニールして得られたウエーハのＣＯＰは殆ど消
滅しており、無欠陥シリコン単結晶ウエーハを製造する
ことができる。従って、この水素アニール処理したウエ
ーハを使用すれば、半導体デバイスとして、酸化膜耐
圧、経時絶縁破壊特性等の電気特性を向上させることが
できる。また、別の測定方法によると、ウエーハ表面か
ら約０．５μｍ深さまでのウエーハ表層部のＣＯＰの総
数に関しては、バッチ式熱処理炉で処理した方が約半分
と有利な結果が得られており、目的効果によって、ＲＴ
Ａ装置と使い分けることができる。
ても、本発明のサイズの小さいＣＯＰを有するウエーハ
に水素アニールして得られたウエーハのＣＯＰは殆ど消
滅しており、無欠陥シリコン単結晶ウエーハを製造する
ことができる。従って、この水素アニール処理したウエ
ーハを使用すれば、半導体デバイスとして、酸化膜耐
圧、経時絶縁破壊特性等の電気特性を向上させることが
できる。また、別の測定方法によると、ウエーハ表面か
ら約０．５μｍ深さまでのウエーハ表層部のＣＯＰの総
数に関しては、バッチ式熱処理炉で処理した方が約半分
と有利な結果が得られており、目的効果によって、ＲＴ
Ａ装置と使い分けることができる。
【００４４】
【実施例】以下、本発明の実施例と比較例を挙げて具体
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 （実施例１）シリコン単結晶引上げ速度（ＳＥ）を、
０．６、０．９５、１．４ｍｍ／ｍｉｎの三段階とし、
含有酸素濃度（Ｏｉ）が同じ１６ｐｐｍａで直径８イン
チの単結晶棒を作製し、それからウエーハを準備した。
このウエーハを１０００〜１２２０℃の範囲で水素アニ
ールを行った。熱処理後、表面のＣＯＰを光散乱装置の
ＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）モー
ドで測定した。
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 （実施例１）シリコン単結晶引上げ速度（ＳＥ）を、
０．６、０．９５、１．４ｍｍ／ｍｉｎの三段階とし、
含有酸素濃度（Ｏｉ）が同じ１６ｐｐｍａで直径８イン
チの単結晶棒を作製し、それからウエーハを準備した。
このウエーハを１０００〜１２２０℃の範囲で水素アニ
ールを行った。熱処理後、表面のＣＯＰを光散乱装置の
ＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）モー
ドで測定した。
【００４５】その結果、図１に示したように、ＲＴＡ装
置（ＡＳＴ社製ＳＨＳ−２８００）を用いた、１００％
水素，１２００℃、１０秒の水素アニール後のＣＯＰ
は、サイズが０．２０〜０．１２μｍの範囲において、
それぞれ５０、６、２個／ウエーハであり、引上げ速度
の速い方がＣＯＰが著しく減少した。ちなみに、ＳＥ
（引上げ速度）が１．４ｍｍ／ｍｉｎで、Ｏi が１６ｐ
ｐｍａのウエーハに対して、水素１００％、１２００
℃、１時間のバッチ式熱処理炉による水素アニールで
は、９０個／ウエーハである。
置（ＡＳＴ社製ＳＨＳ−２８００）を用いた、１００％
水素，１２００℃、１０秒の水素アニール後のＣＯＰ
は、サイズが０．２０〜０．１２μｍの範囲において、
それぞれ５０、６、２個／ウエーハであり、引上げ速度
の速い方がＣＯＰが著しく減少した。ちなみに、ＳＥ
（引上げ速度）が１．４ｍｍ／ｍｉｎで、Ｏi が１６ｐ
ｐｍａのウエーハに対して、水素１００％、１２００
℃、１時間のバッチ式熱処理炉による水素アニールで
は、９０個／ウエーハである。
【００４６】このことから、熱処理温度としては、１２
００℃以上が好ましいこと、また高速引上げウエーハを
水素アニールすると、ＬＰＤ（ＣＯＰ）欠陥が消滅し易
いことが判ると共に、結果としてＣＯＰの少ないウエー
ハを得ることができることが判る。引上げ速度として
は、引上げ結晶の直径にもよるが、０．６ｍｍ／ｍｉｎ
より遅いと、ＣＯＰが成長し過ぎて、水素アニールによ
る改善効果が余り望めないことも判る。
００℃以上が好ましいこと、また高速引上げウエーハを
水素アニールすると、ＬＰＤ（ＣＯＰ）欠陥が消滅し易
いことが判ると共に、結果としてＣＯＰの少ないウエー
ハを得ることができることが判る。引上げ速度として
は、引上げ結晶の直径にもよるが、０．６ｍｍ／ｍｉｎ
より遅いと、ＣＯＰが成長し過ぎて、水素アニールによ
る改善効果が余り望めないことも判る。
【００４７】（実施例２）デバイスに影響を与える実際
にデバイス後の表面となる、表面から約０．５μｍ深さ
までの表層部のＣＯＰの総数が問題となるが、これを一
度に直接パーティクルカウンターでは計測することが出
来ない。そこで、熱酸化処理により酸化膜の厚さを何段
階かに変えて、その酸化膜の上からパーティクルカウン
ターでシリコン中ＣＯＰを測定することで、深さ方向に
積分した形で測定することにした。例えば厚さ１．０μ
ｍまでの酸化膜の成長を何段階かで行い、シリコン表面
から深さ０．５μｍまでのＣＯＰの総数（積分値）を測
定した。以後、この測定法を酸化膜法という。
にデバイス後の表面となる、表面から約０．５μｍ深さ
までの表層部のＣＯＰの総数が問題となるが、これを一
度に直接パーティクルカウンターでは計測することが出
来ない。そこで、熱酸化処理により酸化膜の厚さを何段
階かに変えて、その酸化膜の上からパーティクルカウン
ターでシリコン中ＣＯＰを測定することで、深さ方向に
積分した形で測定することにした。例えば厚さ１．０μ
ｍまでの酸化膜の成長を何段階かで行い、シリコン表面
から深さ０．５μｍまでのＣＯＰの総数（積分値）を測
定した。以後、この測定法を酸化膜法という。
【００４８】図２は、この酸化膜法によるＣＯＰ測定を
適用した水素アニールの効果を示したものである。シリ
コン単結晶引上げ速度を、１．４、１．４、０．９５ｍ
ｍ／ｍｉｎとし、含有酸素濃度（Ｏｉ）がそれぞれ１
６、１２、１６ｐｐｍａのウエーハを準備し、表面に厚
さ０．９５μｍまでの酸化膜（ＳｉＯ2 ）を熱酸化によ
り生成させた試料を作製し、ウエーハ表層部のＣＯＰを
酸化膜法により測定した。別に上記３種類のウエーハを
ＲＴＡ装置を用いて、１００％水素，１２００℃、１０
秒間の水素アニールを行ったのち、上記と同様に表面に
厚さ０．９５μｍまでの酸化膜（ＳｉＯ2 ）を熱酸化に
より生成させた試料を作製し、ウエーハ表層部のＣＯＰ
を酸化膜法により測定した。
適用した水素アニールの効果を示したものである。シリ
コン単結晶引上げ速度を、１．４、１．４、０．９５ｍ
ｍ／ｍｉｎとし、含有酸素濃度（Ｏｉ）がそれぞれ１
６、１２、１６ｐｐｍａのウエーハを準備し、表面に厚
さ０．９５μｍまでの酸化膜（ＳｉＯ2 ）を熱酸化によ
り生成させた試料を作製し、ウエーハ表層部のＣＯＰを
酸化膜法により測定した。別に上記３種類のウエーハを
ＲＴＡ装置を用いて、１００％水素，１２００℃、１０
秒間の水素アニールを行ったのち、上記と同様に表面に
厚さ０．９５μｍまでの酸化膜（ＳｉＯ2 ）を熱酸化に
より生成させた試料を作製し、ウエーハ表層部のＣＯＰ
を酸化膜法により測定した。
【００４９】その結果を、水素アニール熱処理効果とし
て、シリコン単結晶引上げ条件別に、水素アニール熱処
理前と水素アニール熱処理後のウエーハ表層部のＬＰＤ
［ＣＯＰ］（個数／ウエーハ）を図２に棒グラフとして
示した。図２から明らかなように、引上げ速度が１．４
ｍｍ／ｍｉｎと速く、酸素濃度が１２ｐｐｍａの試料の
ＬＰＤの数の減少率（約７２％）が最も大きかった。水
素アニールしないウエーハでは、０．９５ｍｍ／ｍｉｎ
で引上げたウエーハのＬＰＤが最も少なかった（約６２
００個／ウエーハ）が、水素アニールを行った場合、Ｌ
ＰＤの減少率が最も小さかった（約１８％）。このこと
は、低速成長でＣＯＰの数が少なくても、サイズが大き
ければ、消滅しにくいことを、また、高速成長でＣＯＰ
の数は多いが、サイズが小さければ消滅し易いことを示
している。また、含有酸素濃度が低ければ消滅し易いこ
とも示している。従って、高速引上げで低酸素濃度のウ
エーハを使用することが、水素アニールによるＣＯＰの
低減には最も有効であるということである。
て、シリコン単結晶引上げ条件別に、水素アニール熱処
理前と水素アニール熱処理後のウエーハ表層部のＬＰＤ
［ＣＯＰ］（個数／ウエーハ）を図２に棒グラフとして
示した。図２から明らかなように、引上げ速度が１．４
ｍｍ／ｍｉｎと速く、酸素濃度が１２ｐｐｍａの試料の
ＬＰＤの数の減少率（約７２％）が最も大きかった。水
素アニールしないウエーハでは、０．９５ｍｍ／ｍｉｎ
で引上げたウエーハのＬＰＤが最も少なかった（約６２
００個／ウエーハ）が、水素アニールを行った場合、Ｌ
ＰＤの減少率が最も小さかった（約１８％）。このこと
は、低速成長でＣＯＰの数が少なくても、サイズが大き
ければ、消滅しにくいことを、また、高速成長でＣＯＰ
の数は多いが、サイズが小さければ消滅し易いことを示
している。また、含有酸素濃度が低ければ消滅し易いこ
とも示している。従って、高速引上げで低酸素濃度のウ
エーハを使用することが、水素アニールによるＣＯＰの
低減には最も有効であるということである。
【００５０】（実施例３）次に、ＲＴＡ装置による水素
アニール処理とバッチ式熱処理炉での水素アニール処理
効果を比較してみた。シリコン単結晶引上げ速度（Ｓ
Ｅ）を、１．４ｍｍ／ｍｉｎとし、含有酸素濃度（Ｏ
ｉ）が１６ｐｐｍａのウエーハを準備し、ＲＴＡ装置を
用いて水素１００％、１２００℃、１０秒間の水素アニ
ールを行った。別にバッチ式熱処理炉では水素アニール
処理時間を６０分間とした以外は、ＲＴＡ装置と同条件
で熱処理した。その結果を、図３の棒グラフに示す。図
３から明らかなように、ＲＴＡ装置によれば、ウエーハ
表面のＣＯＰは約８個／ウエーハと著しく減少してお
り、バッチ式熱処理炉（約９３個／ウエーハ）より遙か
に有利である。
アニール処理とバッチ式熱処理炉での水素アニール処理
効果を比較してみた。シリコン単結晶引上げ速度（Ｓ
Ｅ）を、１．４ｍｍ／ｍｉｎとし、含有酸素濃度（Ｏ
ｉ）が１６ｐｐｍａのウエーハを準備し、ＲＴＡ装置を
用いて水素１００％、１２００℃、１０秒間の水素アニ
ールを行った。別にバッチ式熱処理炉では水素アニール
処理時間を６０分間とした以外は、ＲＴＡ装置と同条件
で熱処理した。その結果を、図３の棒グラフに示す。図
３から明らかなように、ＲＴＡ装置によれば、ウエーハ
表面のＣＯＰは約８個／ウエーハと著しく減少してお
り、バッチ式熱処理炉（約９３個／ウエーハ）より遙か
に有利である。
【００５１】次に、ウエーハ表層部のＣＯＰの水素アニ
ール熱処理効果を比較するため、熱酸化法ＣＯＰ測定を
用いた。ウエーハの履歴と水素アニール処理条件は上記
と同一である。また、熱酸化法のウエーハの熱処理も、
実施例２と同様にして熱処理を施して０．９５μｍまで
の酸化膜を成長させた後、ＣＯＰを測定した。その結果
を、図４に棒グラフで示す。図４から明らかなように、
ＲＴＡ装置によれば、ウエーハ表層部（約０．５μｍ深
さまで）のＬＰＤ（ＣＯＰ）の個数（深さ方向の積分
値）は、約２０００個／ウエーハであるのに対して、バ
ッチ式処理の試料は約９５０個／ウエーハであり、ウエ
ーハ表面から約０．５μｍ深さまでのＣＯＰの総数に関
してはバッチ式熱処理炉で処理した方が有利である。
ール熱処理効果を比較するため、熱酸化法ＣＯＰ測定を
用いた。ウエーハの履歴と水素アニール処理条件は上記
と同一である。また、熱酸化法のウエーハの熱処理も、
実施例２と同様にして熱処理を施して０．９５μｍまで
の酸化膜を成長させた後、ＣＯＰを測定した。その結果
を、図４に棒グラフで示す。図４から明らかなように、
ＲＴＡ装置によれば、ウエーハ表層部（約０．５μｍ深
さまで）のＬＰＤ（ＣＯＰ）の個数（深さ方向の積分
値）は、約２０００個／ウエーハであるのに対して、バ
ッチ式処理の試料は約９５０個／ウエーハであり、ウエ
ーハ表面から約０．５μｍ深さまでのＣＯＰの総数に関
してはバッチ式熱処理炉で処理した方が有利である。
【００５２】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５３】例えば、上記実施形態では図６に示したよ
うな抵抗加熱式熱処理装置を用いたが、本発明はこのよ
うな装置により行わなければならないものではなく、シ
リコン単結晶ウエーハを急速加熱・急速冷却することが
できる熱処理装置で、１２００℃以上に加熱することが
できるものであれば、原則としてどのような装置であっ
ても用いることができる。例えば、レーザ加熱器、Ｘ線
加熱器、ランプ加熱器を用いてもよいし、バッチ式熱処
理炉により熱処理してもよい。
うな抵抗加熱式熱処理装置を用いたが、本発明はこのよ
うな装置により行わなければならないものではなく、シ
リコン単結晶ウエーハを急速加熱・急速冷却することが
できる熱処理装置で、１２００℃以上に加熱することが
できるものであれば、原則としてどのような装置であっ
ても用いることができる。例えば、レーザ加熱器、Ｘ線
加熱器、ランプ加熱器を用いてもよいし、バッチ式熱処
理炉により熱処理してもよい。
【００５４】
【発明の効果】以上詳述したように、ＣＺ法によりシリ
コン単結晶の成長速度を０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上として
引上げて得られた、含有酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下
で、シングル型ＣＯＰが高密度に存在するシリコン単結
晶棒からスライスして得られたウエーハに対して、急速
加熱・急速冷却装置あるいはバッチ式熱処理炉を用い
て、還元性雰囲気下で高温の熱処理をすることにより、
ウエーハ表面および表層部のＣＯＰを著しく低減させる
ことができ、無欠陥ウエーハを作製することができる。
従って、電気特性に優れたデバイス用ウエーハとしての
利用価値は極めて高いものである。また、適切な単結晶
成長条件と水素アニール条件を組合せることにより、特
に大直径のウエーハについてはＣＺ法により高速引上げ
ができるので著しい生産性の向上とコストダウンを図る
ことができ、水素使用量も大幅に低減することができ
る。
コン単結晶の成長速度を０．６ｍｍ／ｍｉｎ以上として
引上げて得られた、含有酸素濃度が１６ｐｐｍａ以下
で、シングル型ＣＯＰが高密度に存在するシリコン単結
晶棒からスライスして得られたウエーハに対して、急速
加熱・急速冷却装置あるいはバッチ式熱処理炉を用い
て、還元性雰囲気下で高温の熱処理をすることにより、
ウエーハ表面および表層部のＣＯＰを著しく低減させる
ことができ、無欠陥ウエーハを作製することができる。
従って、電気特性に優れたデバイス用ウエーハとしての
利用価値は極めて高いものである。また、適切な単結晶
成長条件と水素アニール条件を組合せることにより、特
に大直径のウエーハについてはＣＺ法により高速引上げ
ができるので著しい生産性の向上とコストダウンを図る
ことができ、水素使用量も大幅に低減することができ
る。
【図１】急速加熱・急速冷却装置で水素アニール熱処理
を行った後のウエーハ表面のＬＰＤ（ＣＯＰ）個数と熱
処理温度の関係を示した図である。
を行った後のウエーハ表面のＬＰＤ（ＣＯＰ）個数と熱
処理温度の関係を示した図である。
【図２】水素アニール熱処理効果として、シリコン単結
晶引上げ条件別に、水素アニール熱処理前と水素アニー
ル熱処理後のウエーハ表層部のＬＰＤ［ＣＯＰ］（個数
／ウエーハ）を比較した図である。
晶引上げ条件別に、水素アニール熱処理前と水素アニー
ル熱処理後のウエーハ表層部のＬＰＤ［ＣＯＰ］（個数
／ウエーハ）を比較した図である。
【図３】ＲＴＡ装置およびバッチ式熱処理炉による水素
アニール処理条件と得られたＬＰＤ（ＣＯＰ）個数を比
較した図である。
アニール処理条件と得られたＬＰＤ（ＣＯＰ）個数を比
較した図である。
【図４】ＲＴＡ装置およびバッチ式熱処理炉による水素
アニール処理して得られたウエーハ表層部のＬＰＤ（Ｃ
ＯＰ）個数を比較した図である。
アニール処理して得られたウエーハ表層部のＬＰＤ（Ｃ
ＯＰ）個数を比較した図である。
【図５】ツイン型空洞の形成過程を示した摸式図であ
る。（ａ）空孔の凝集、（ｂ）薄い酸化膜の形成、
（ｃ）酸化膜による空孔吸収の妨害、（ｄ）第二の空洞
の成長、（ｅ）ツイン型空洞の完成。
る。（ａ）空孔の凝集、（ｂ）薄い酸化膜の形成、
（ｃ）酸化膜による空孔吸収の妨害、（ｄ）第二の空洞
の成長、（ｅ）ツイン型空洞の完成。
【図６】ウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置の一
例を示した概略断面図である。
例を示した概略断面図である。
１…ベルジャ、
２，２’…加熱ヒータ、
３…ハウジング、
４…水冷チャンバ、
５…ベースプレート、
６…支持軸、
７…ステージ、
８…シリコンウエーハ、
９…モータ、
１０…熱処理装置、
２０…空孔、
２１…格子間酸素、
２２…酸化膜、
２３…第二の空洞、
２４…穴。
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開 平４−287374（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−275299（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−326044（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−123098（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−75329（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−74771（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−161707（ＪＰ，Ａ)
Ｍｏｒｉｍａｓａ Ｍｉｙａｚａｋ
ｉ，Ｓｕｍｉｏ Ｍｉｙａｚａｋｉ，Ｙ
ａｓｈｉｏ Ｙａｎａｓｅ，Ｔａｋａｓ
ｈｉ Ｏｃｈｉａｉ，Ｍｉｃｒｏｓｔｏ
ｒｕｃｔｕｒｅ ｏｂｓｅｒｖａｔｉｏ
ｎ ｏｆ ”Ｃｒｙｓｔａｌ−Ｏｒｉｇ
ｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ”
ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｗａｆｅｒｓ,
Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．,
1995年12月，Ｐａｒｔ １，Ｖｏｌ.
34，Ｎｏ．12，ｐｐ．6303−6307
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/324
H01L 21/322
C30B 33/02
Claims (4)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法によりシリコン単結
晶棒を成長させ、該単結晶棒をスライスして得たシリコ
ン単結晶ウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法に
おいて、シリコン単結晶の成長速度を０．８ｍｍ／ｍｉ
ｎ以上として引上げ、急冷して得られた、含有酸素濃度
が１６ｐｐｍａ以下で、ＣＯＰが１個の空洞からなるシ
ングル型のＣＯＰが、ツイン〜トリプレット型より高密
度に存在するシリコン単結晶棒からスライスして得られ
たウエーハに対して、急速加熱・急速冷却装置を用いて
１２００℃以上の温度で、１秒間以上のアニール熱処理
を行うことを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処
理方法。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法によりシリコン単結
晶棒を成長させ、該単結晶棒をスライスして得たシリコ
ン単結晶ウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法に
おいて、シリコン単結晶の成長速度を０．８ｍｍ／ｍｉ
ｎ以上として引上げ、急冷して得られた、含有酸素濃度
が１６ｐｐｍａ以下で、ＣＯＰが１個の空洞からなるシ
ングル型のＣＯＰが、ツイン〜トリプレット型より高密
度に存在するシリコン単結晶棒からスライスして得られ
たウエーハに対して、バッチ式熱処理炉を用いて１２０
０℃以上の温度で、３０分間以上のアニール熱処理を行
うことを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処理方
法。 - 【請求項３】 前記還元性雰囲気を、１００％水素雰囲
気、あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とすることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載したシリコン
単結晶ウエーハの熱処理方法。 - 【請求項４】 前記請求項１ないし請求項３のいずれか
１項に記載した熱処理方法によりウエーハ中のＣＯＰが
消滅されたシリコン単結晶ウエーハ。
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| JP2002270614A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Canon Inc | Ｓｏｉ基体、その熱処理方法、それを有する半導体装置およびその製造方法 |
| DE10124144B4 (de) * | 2001-05-17 | 2007-12-13 | Qimonda Ag | Verfahren zur Eliminierung morphologischer und kristallografischer Defekte in Halbleiteroberflächen |
| KR20030030712A (ko) * | 2001-10-12 | 2003-04-18 | 주식회사 실트론 | 게터링 수단을 가진 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그제조방법 |
| DE10205084B4 (de) * | 2002-02-07 | 2008-10-16 | Siltronic Ag | Verfahren zur thermischen Behandlung einer Siliciumscheibe sowie dadurch hergestellte Siliciumscheibe |
| KR100432496B1 (ko) * | 2002-08-06 | 2004-05-20 | 주식회사 실트론 | 어닐 웨이퍼의 제조 방법 |
| JP4162211B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2008-10-08 | コバレントマテリアル株式会社 | シリコンウエハの洗浄方法および洗浄されたシリコンウエハ |
| US6916324B2 (en) * | 2003-02-04 | 2005-07-12 | Zimmer Technology, Inc. | Provisional orthopedic prosthesis for partially resected bone |
| US20060009011A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Gary Barrett | Method for recycling/reclaiming a monitor wafer |
| FR2881573B1 (fr) * | 2005-01-31 | 2008-07-11 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert d'une couche mince formee dans un substrat presentant des amas de lacunes |
| US7900579B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-03-08 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method wherein the substrate holder is composed of two holder constituting bodies that move relative to each other |
| JP5845143B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-01-20 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ |
| KR101439380B1 (ko) | 2012-10-31 | 2014-09-11 | 주식회사 사파이어테크놀로지 | 사파이어 단결정 열처리 방법 및 장치 |
| CN104532355A (zh) * | 2015-02-05 | 2015-04-22 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种大直径ntd单晶热处理工艺 |
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Family Cites Families (12)
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|---|---|---|---|---|
| JP2613498B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1997-05-28 | 信越半導体株式会社 | Ｓｉ単結晶ウエーハの熱処理方法 |
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| JP3443822B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2003-09-08 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
| DE19637182A1 (de) * | 1996-09-12 | 1998-03-19 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte |
| JP4041182B2 (ja) | 1997-01-27 | 2008-01-30 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 熱処理用シリコンウェーハ及びその製造方法 |
| US6403502B1 (en) * | 1997-03-27 | 2002-06-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Heat treatment method for a silicon wafer and a silicon wafer heat-treated by the method |
| JP3518324B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2004-04-12 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ |
| CN100595351C (zh) * | 1997-04-09 | 2010-03-24 | Memc电子材料有限公司 | 低缺陷密度、自间隙原子为主的硅 |
| JPH1179889A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ |
-
1997
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-
1998
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- 1998-12-17 KR KR1019980055844A patent/KR100578162B1/ko not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｍｏｒｉｍａｓａ Ｍｉｙａｚａｋｉ，Ｓｕｍｉｏ Ｍｉｙａｚａｋｉ，Ｙａｓｈｉｏ Ｙａｎａｓｅ，Ｔａｋａｓｈｉ Ｏｃｈｉａｉ，Ｍｉｃｒｏｓｔｏｒｕｃｔｕｒｅ ｏｂｓｅｒｖａｔｉｏｎ ｏｆ "Ｃｒｙｓｔａｌ−Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ" ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｗａｆｅｒｓ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，１９９５年１２月，Ｐａｒｔ １，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．１２，ｐｐ．６３０３−６３０７ |
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