KR100445190B1 - 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 - Google Patents
단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (7)
- 소정의 인상장치 내에서 중심축으로부터 일정한 길이의 반지름을 가지며 중심축 방향으로 일정한 길이로 형성되는 실리콘 단결정 잉곳을 쵸크랄스키 방식으로 제조하는 방법에 있어서,(a) 상기 인상 장치내의 실리콘 융액에 질소를 도핑시키고 이 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키는 데, 상기 잉곳의 인상 속도를 최소한 0.55(mm/min) 으로 하여 잉곳을 성장시키는 공정과;(b) 상기 인상 장치가 잉곳이 성장되는 동안 잉곳의 중심부와 가장자리 부분의 수직온도구배 편차를 줄여 전체적인 수직온도구배를 균일하게 유지하도록 잉곳 성장 속도를 제어하는 공정; 및(c) 상기 인상 장치가 잉곳이 성장되는 동안 잉곳의 반경 방향으로 가장자리 부분에 산화적층결함영역이 동축링 형태로 형성되도록 제어하고, 산화적층결함영역의 안쪽에 미소결함영역이 형성되도록 제어하는 공정을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 (b) 공정에서 수직온도구배 편차를 줄이는 것은,상기 인상장치가 인상장치 내에 구비된 소정의 열실드의 멜트갭이 조절되도록 제어하는 것에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 잉곳에 첨가되는 질소는 1E12 내지 1E14(atoms per cubic cm)인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 잉곳에 형성된 미소결함영역은 최소한 잉곳 반경의 10%인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 잉곳에 형성된 미소결함영역의 존재 범위가 최소한 잉곳 길이의 10%인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 잉곳에 포함된 초기 산소농도는 최소한 11.5ppma인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 잉곳에 포함된 초기 산소농도가 최소한 11.5ppma이고, 소정의 열처리 후에 산소 석출량이 최소한 2.0ppma인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법.
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1192272A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-06 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶製造装置および単結晶の製造方法 |
JPH1192283A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | Toshiba Corp | シリコンウエハ及びその製造方法 |
WO2000012787A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal wafer, epitaxial silicon wafer, and method for producing them |
WO2001016408A1 (fr) * | 1999-08-27 | 2001-03-08 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Plaquette de silicium epitaxiale |
KR20010078701A (ko) * | 1999-11-13 | 2001-08-21 | 윤종용 | 제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼, 그의 제조공정및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러 |
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- 2001-11-13 KR KR10-2001-0070452A patent/KR100445190B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1192283A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | Toshiba Corp | シリコンウエハ及びその製造方法 |
JPH1192272A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-06 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶製造装置および単結晶の製造方法 |
WO2000012787A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal wafer, epitaxial silicon wafer, and method for producing them |
WO2001016408A1 (fr) * | 1999-08-27 | 2001-03-08 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Plaquette de silicium epitaxiale |
KR20010078701A (ko) * | 1999-11-13 | 2001-08-21 | 윤종용 | 제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼, 그의 제조공정및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러 |
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