JP2002135656A - 固体撮像装置及び撮像システム - Google Patents
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Abstract
体撮層装置とする。 【解決手段】 複数の光電変換部1と垂直CCD2と光
電変換部の信号電荷を該垂直CCDに転送するトランス
ファゲートとを備えたインタライン型CCD構成部を有
する固体撮像装置であって、垂直CCD2から出力され
る信号電荷を電圧変換する複数の電荷検出手段3と、複
数の電荷検出手段から出力される信号を順次読み出すた
めの走査手段4とを有する。
Description
像システムに係わり、特にフレームトランファ型CCD
の、複数の光電変換素部と該光電変換部の信号電荷を蓄
積転送する蓄積部とを備えた固体撮像装置、あるいはイ
ンタライン型CCDの、複数の光電変換部と垂直CCD
と該光電変換部の信号電荷を該垂直CCDに転送するト
ランスファゲートとを備えた固体撮像装置及び撮像シス
テムに関する。
D型とCMOS型がある。CCD型にはインタライン型
CCD(IL−CCD)、フレームトランスファ型CC
D(FT−CCD)などがある。
部と、垂直CCDと、光電変換部の信号電荷を垂直CC
Dに転送するトランスファゲートと、垂直CCDからの
電荷を水平転送する水平CCDと、フローティングディ
フュージョンアンプ(FD−Amp)とからなる。また
フレームトランスファ型CCDは、光電変換部と、この
光電変換部の電荷が転送(フレームシフト)される蓄積
部と、この蓄積部からの電荷を水平転送する水平転送部
と、フローティングディフュージョンアンプ(FD−A
mp)とからなる。以下、CCD型固体撮像素子の代表
例として図11にIL−CCDを示す。
変換部(PD)70と光電変換部70からの電荷を一時
的に蓄える垂直CCD(V−CCD)71、垂直CCD
71からの電荷を受けて水平方向に電荷転送する水平C
CD(H−CCD)72、水平CCD72からの電荷を
電圧に変換する、出力アンプとなるフローティングディ
フュージョンアンプ(FD−Amp)73から構成され
ている。
荷を完全転送させるので、低ノイズであり、かつ画素構
造が簡単であることから画素サイズを小さく構成できる
特徴がある。しかし、デジタルカメラ用センサの画素数
は高画質化のために数百万画素になり、又HD用カメラ
では高速駆動が必須となった現在、水平CCDのドライ
ブ回路は高消費電力(〜CfV2 )であり、またFD−
Ampのリセットノイズを低減するためのCDS回路は
nsec単位のサンプリング精度が必要となり、量産性
上及び使用条件(温度、電圧変動)の範囲が広いことに
よりサンプリング精度が保証できないことから低ノイズ
とは言えなくなりつつある。
ごとく、画素部80は光電変換部PDと画素アンプ等と
なるMOSトランジスタからなり、この画素群はランダ
ムアクセスが可能な垂直走査回路81及び水平走査回路
85から選択、駆動されるため機能上有利である。ま
た、画素部80の電荷は画素アンプで電荷電圧変換後、
垂直信号線82を介してクランプ回路83に出力され、
クランプ回路83により画素部アンプのノイズを除去
し、水平信号線84へ出力される。そして、その信号は
水平走査回路85により順次水平信号線84からアンプ
(Amp)86を介して出力される。このように、CM
OSセンサは、CCDの様な電荷転送ではなく、水平走
査回路85により画素信号毎に順次選択して出力するた
め低消費電力という特徴がある。しかし画素部を構成す
る素子数が多いため画素サイズをシュリンク化するのは
困難である。
Dは高画素数化に有利ではあるが、高速駆動、消費電力
が不利であり、CMOSセンサは逆に高画素数化に不利
ではあるが、高速駆動、消費電力に有利である。
化に適し、かつ高機能、低消費電力、高速駆動が可能な
固体撮像装置とそれを用いた撮像システムを提供するこ
とにある。
は、2次元状に配列した複数の光電変換素部と、該光電
変換部の信号電荷を蓄積転送する蓄積部とを備えたフレ
ームトランファ型CCD構成部、あるいは複数の光電変
換部と垂直CCDと該光電変換部の信号電荷を該垂直C
CDに転送するトランスファゲートとを備えたインタラ
イン型CCD構成部と、前記フレームトランファ型CC
D構成部の前記蓄積部から出力される信号電荷又は前記
インタライン型CCD構成部の前記垂直CCDから出力
される信号電荷を電圧変換する複数の電荷検出手段と、
該複数の電荷検出手段から出力される信号を順次読み出
すための走査手段と、を同一半導体チップ上に形成した
固体撮像装置である。
配列された複数の光電変換素部と、該光電変換部の信号
電荷を蓄積転送する蓄積部とを備えたフレームトランフ
ァ型CCD構成部、あるいは複数の光電変換部と垂直C
CDと該光電変換部の信号電荷を該垂直CCDに転送す
るトランスファゲートとを備えたインタライン型CCD
構成部と、前記フレームトランファ型CCD構成部の前
記蓄積部から出力される信号電荷又は前記インタライン
型CCD構成部の前記垂直CCDから出力される信号電
荷を電圧変換する複数の電荷検出手段と、該複数の電荷
検出手段からの出力信号を信号処理する信号処理手段
と、該信号処理手段から出力される信号を順次読み出す
ための走査手段と、を同一半導体チップ上に形成した固
体撮像装置である。
配列された光電変換部と、前記2次元状に配列された光
電変換部からの信号電荷を転送する電荷転送部と、前記
電荷転送部からの信号電荷を電圧変換する複数の電荷検
出手段と、前記複数の電荷検出手段からの信号が読み出
される共通信号線と、前記複数の電荷検出手段からの信
号を前記共通出力線に転送するための複数の転送用トラ
ンジスタと、前記複数の転送用トランジスタを制御する
ことによって、前記複数の電荷検出手段からの信号を順
次前記共通信号線に読み出すための走査手段と、を同一
半導体チップ上に形成したことを特徴とする固体撮像装
置である。
配列された光電変換部と、前記2次元状に配列された光
電変換部からの信号電荷を転送する電荷転送部と、前記
電荷転送部からの信号電荷を電圧変換する複数の電荷検
出手段と、前記複数の電荷検出手段からの信号を処理す
る複数の信号処理手段と、前記複数の信号処理手段から
の信号が読み出される共通信号線と、前記複数の信号処
理手段からの信号を前記共通出力線に転送するための複
数の転送用トランジスタと、前記複数の転送用トランジ
スタを制御することによって、前記複数の信号処理手段
からの信号を順次前記共通信号線に読み出すための走査
手段と、を同一半導体チップ上に形成したことを特徴と
する固体撮像装置である。
撮像装置を用いたものである。
詳細に説明する。ここでは、インタライン型CCD(I
L−CCD)の構成を用いた場合について説明する。な
お、フレームトランスファ型CCDの構成にも本発明を
適用できることは勿論である。その場合には、蓄積部か
らの電荷が電荷検出回路に出力される。
構成図を図1に示す。被写体光は光電変換部となるフォ
トダイオード(PD)1で光電変換される。なお、フォ
トダイオード1は行列状に、画素P11,P12,P13,
…、P21,P22,P23,…、P31,P32,P33,…、…
として配置される。フォトダイオード1で光電変換され
た電荷はトランスファゲートを経て垂直CCD2へ転送
される。垂直CCD2へ転送された電荷は1水平期間毎
に一括して電荷検出手段となる電荷検出回路3へ転送さ
れ電圧へ変換される。なお、インタライン型CCD構成
部は、フォトダイオード1、垂直CCD2から構成さ
れ、図11に示した従来のインタライン型CCDと異な
り、垂直CCDからの信号電荷は(水平CCDではな
く)電荷検出回路3へ転送される。
からのパルスにより水平信号線5へ出力され、出力アン
プ6を経て、不図示の後段の画像信号処理回路へ導かれ
る。
接読み出してもよいが、電荷検出回路3の出力側に、ノ
イズ除去、AD変換等の信号処理を行う信号処理手段を
さらに設けて水平走査回路4により出力することもでき
る。
チップ上に形成されている。
段の概略的構成図である。電荷検出回路は垂直CCDか
らの信号電荷がゲートに転送される電荷検出アンプ(F
D−Amp;フローティングディフュージョンアン
プ)、電荷検出アンプのゲートをリセットするリセット
トランジスタTRから構成される。信号処理手段はノイ
ズを除去するためのクランプコンデンサCp、トランジ
スタTP、ノイズを除去した信号を蓄積する蓄積容量C
S1,CS2、クランプコンデンサCpと蓄積容量CS1,C
S2とを接続するための転送用トランジスタTS1,TS2、
蓄積容量CS1,CS2からの信号を水平信号線51,52に
出力するトランジスタTC1,TC2から構成される。10
0は電荷検出・信号処理回路ブロックを示す。
1水平期間毎にトランスファーゲートTGを介して電荷
検出アンプ(FD−Amp;フローティングディフュー
ジョンアンプ)へ電荷転送する。電荷検出アンプ(FD
−Amp)ではゲート部の残留電圧(電荷)を除去する
ためのリセットトランジスタTRと寄生容量によりリセ
ットノイズが発生する。また電荷検出アンプ(FD−A
mp)毎のオフセット電圧のバラツキもある。これらの
ノイズを除去するため、垂直CCD2の電荷を電荷検出
アンプ(FD−Amp)へ転送する前にクランプコンデ
ンサCpでノイズをクランプする。
をONすることにより垂直CCD2の電荷(画素P11,
P12,P13,…からの信号電荷)は電荷検出アンプ(F
D−Amp)のゲート部へ転送され、その寄生容量によ
り電圧変換される。電荷検出アンプの出力信号電圧に
は、先に述べたリセットノイズとオフセット電圧が重畳
されるが、クランプコンデンサCpにはノイズ成分がク
ランプされているため、クランプコンデンサCpの出力
端では該ノイズが結果的に除去され、信号電圧のみが蓄
積容量CS1にメモリされる。
(画素P21,P22,P23,…からの信号電荷)は電圧変
換され、ノイズ除去後蓄積容量CS2にメモリされる。蓄
積容量CS1,CS2にメモリされた2行分の画素信号
S01,S02は水平走査回路4からの走査パルスにより順
次水平信号線51,52に転送される。
段の動作タイミング図である。
ルスφVnがHレベルとなって、トランスファゲートT
Gの入力段の垂直CCD2に電荷が転送される。T2 期
間になると電荷検出アンプ(FD−Amp)の電源電圧
VCCが印加され、信号φC がHレベルとなって電荷検出
アンプ(FD−Amp)のゲートがリセットされ、また
信号φpがHレベルとなってトランジスタTpがON
し、クランプコンデンサCpの出力端が基準電圧にクラ
ンプされるとともに、信号φS1,φS2がHレベルとなっ
て、蓄積容量CS1,CS2の残留電荷がリセットされる。
ここで、リセットノイズとオフセット電圧成分がクラン
プコンデンサCpにクランプされる。
って、トランスファゲートTGがONされ、電荷検出ア
ンプのゲート部に信号電荷が転送される。電荷検出アン
プの出力信号電圧には、先に述べたリセットノイズとオ
フセット電圧が重畳されるが、クランプコンデンサCp
の出力端ではノイズが結果的に除去され、信号φS1がH
レベルとなり、ノイズが除去されたV1 行の画素信号が
蓄積容量CS1にメモリされる。
同様な動作により、垂直CCD2の電荷が次のセルへ転
送され、電荷検出アンプ(FD−Amp)の電源電圧V
CCが印加された状態で、信号φC がHレベルとなって電
荷検出アンプ(FD−Amp)のゲートがリセットさ
れ、信号φpがHレベルとなってクランプコンデンサC
pの出力端が基準電圧にクランプされる。そして、信号
φTがHレベル、信号φS 2がHレベルとなり、ノイズが
除去されたV2 行の画素信号が蓄積容量CS2にメモリさ
れる。
圧VCCはOFFとなり、消費電力の消耗を防ぐ。
間という低速動作であるため、周波数帯域幅は狭いので
アンプのノイズ発生は、一般のCCDの出力アンプより
も非常に小さい。また低周波駆動であるのでノイズ除去
動作(CDS)、即ちクランプ動作に問題は発生しな
い。FD−Ampのリセット動作と垂直CCDからの電
荷転送はFD−Ampの1/fノイズの低減効果を大き
くするには短かい方が望ましい。
は、次のT6 期間に水平走査回路4からの走査パルスφ
Hmn(φH01,φH02,φH03,…)により順次出力
される。即ち画素信号毎に選択されて出力されるため、
水平走査回路の消費電力は小さい。また2行分の画素信
号を同時出力出来るので結果的に高速駆動が可能とな
る。さらに高速駆動が必要であれば、メモリ(蓄積容
量)を増やしさらに多線出力にすれば良い。
に示す。図4において、図2と同じ電荷検出・信号処理
回路ブロック100内の回路は省略した。
通の電荷検出アンプを順次利用して出力する場合であ
る。信号φT1,φT2を順次Hレベルとして、トランスフ
ァゲートTG1、TG2をONし、2列の垂直CCDから電
荷検出アンプのゲート部への電荷転送制御を順次に行う
ことにより、2列分の画素信号を蓄積容量CS1,CS2に
メモリし出力する。本実施例では2画素分の幅に電荷検
出回路、信号処理手段を設けることが出来るのでその分
チップ面積を小さく出来る。
ンプ、アナログ−デジタル変換回路、カラーセンサの場
合はホワイトバランス回路等設けることが可能である。
図5に示す。図5(A)は撮像画面のイメージ図であ
る。撮像領域Aの画像を読み出すタイミング例が図5
(B)である。
成する。従来例では垂直走査、水平走査の全期間ほぼ同
じ周波数で駆動される。本来は読出したい撮像領域Aだ
けを読出せば高速駆動が可能となる。従来のCCDで
は、読出したい撮像領域Aを高速で読み出すのは困難で
あった。本発明の実施例では、垂直方向の不要撮像期間
VA (VC )は垂直CCDを高速駆動して不要電荷を電
荷検出アンプのリセットトランジスタTRで除去する。
次に水平方向の不要撮像期間HA (HC )は水平走査回
路のランダムアクセスによりHB期間だけ信号を出力す
るように走査する。その結果、撮像領域Aの画像信号の
みを読み出すことが出来るので、高速化を達成でき、ま
た不要撮像領域を駆動しないので低消費電力となる。
は、画素行の選択が可能なCCDにより実現できる。そ
の公知例としてテレビジョン学会技術TEBS 101
−6 ED841に開示された素子がある。この公知例
はCharge Sweep Deviceと呼ばれ、画素行の選択は垂直
TG−SCANNERで駆動される。この様なCharge S
weep Deviceと本発明による電荷検出アンプ、信号処理
回路とを組み合わせれば、本発明の効果を期待できる。
換回路部を有する場合の等価回路ブロック図である。D
A変換器にはランプ状基準電圧の範囲を切換えるDA出
力レンジ切換情報が入力される。
直CCD2の信号電荷をFD−Amp(フローティング
ディフュージョンアンプ)43のゲートに転送する転送
制御スイッチとなるトランスファーゲート、44は選択
トランジスタ、45はリセットトランジスタ、46はF
D−Amp43の出力電流をスイッチ47と保存用コン
デンサー48によって電圧として保存し、その電圧を電
流に変換しながら出力する電流源用トランジスタ、51
は電流源トランジスタ46の出力電流と、選択トランジ
スタ44を介して出力されるFD−Amp43の出力電
流との差分を検出するコンパレータ、50はコンパレー
ター51の出力をカウントするカウンター、49はカウ
ンター50から出力されるデジタル信号により電圧をF
D−Amp43のソース(主電極)端子へ出力するDA
変換器である。DA変換器49にはDA出力レンジ切換
情報が入力され、DA変換器から出力されるランプ状基
準電圧の範囲を切換えて、画素信号がAD入力電圧範囲
の最適値になるよう制御される。
セットされた後、垂直CCDからの信号電荷による信号
電圧を得る方法を図7のタイミングチャートを交えて説
明する。ここで図6の各トランジスタ42,43,4
4,45はPMOSトランジスタとして、トランジスタ
46はNMOSトランジスタとして以降説明する。DA
変換器49はある高電位(VHD)を出力するように設定
する。カウンター50はリセットされ、カウント動作は
していないものとする。信号φCを“L”レベルとして
(パルス201)リセットトランジスタ45をONさ
せ、FD−Amp43のゲート端子を所定の電位にリセ
ットする。その時、同時に信号φXを“L”レベル(パ
ルス202)にして選択トランジスタ44をONさせ、
またスイッチ47もONさせる。FD−Amp43のリ
セット時の出力電流は、トランジスタ46がゲート−ド
レインが短絡することで発生するゲート電圧の形で保存
用コンデンサ48に保存される(比較基準電圧が保存さ
れる。)。その後、トランジスタ45,44、スイッチ
47はOFFし、垂直CCDからの信号電荷を、信号φ
T を“L”レベルにする(パルス203)ことでトラン
スファゲート42がONしFD−Amp43のゲート端
子に転送する。この時のゲート電位はリセット時よりも
低い電圧であったとするとFD−Amp43の出力電流
はそれに応じてリセット時よりも大きい値となる。一
方、トランジスタ46は保存用コンデンサ48の電圧を
受け、FD−Amp43がリセットされた時の電流を出
力している。信号φX を“L”レベルにし(パルス20
4)再びトランジスタ44をONさせるとコンパレータ
ー51の入力電位はある高電位(VH )に上昇する。こ
の後カウンター50を動作し、そのデジタル出力を増幅
させ、それを受けるDA変換器49の出力電圧は徐々に
減少(DA変換器49はデジタル入力信号に対し負極性
のアナログ出力電圧を発生すると仮定する。)する。あ
る時点で、FD−Amp43の出力電流とトランジスタ
46の出力電流が等しくなり、コンパレーター51の入
力電圧は急速に減少するので、その変化を検出し、カウ
ンター50のカウント動作を停止させる。
止までに変化したデジタル値はFD−Amp43のゲー
ト電位の、リセットされた時の電位と信号電荷が転送さ
れた時の電位の差分に等しい値となる。このようにして
差分に対応するAD変換が行われたことになる。
換回路との接続を示す概略的回路構成図である。図8に
おいて図6に示した構成部材と同一構成部材については
図6と同一符号を付する。
Amp43のゲートに入力され、カウンタ50によりデ
ジタルデータに変換され、データセレクタ52で順次選
択され、AD変換データとして出力される。
す。図9(A)はインタライン型CCD構成部となる、
光電変換部、垂直CCD、チャネルストップの構成を示
すための断面図である。図9(B)は信号処理手段の一
部であるインバータ部の構成を示すための断面図であ
る。
変換部であるPD領域、電荷を転送するトランスファゲ
ート領域、垂直CCD領域、チャネルストップ領域から
構成されている。これらはn型基板60上に構成された
pウェル65内に形成され、PD領域では表面のp+ 層
67により暗電流を低減する構造となっている。垂直C
CD領域ではn層69の下にp層68を設け転送電荷量
のアップとスミアを減少させる。トランスファゲート領
域ではPDから垂直CCDへの光電荷を転送するための
制御を行う。61はPD領域に光を集めるマイクロレン
ズ、62は遮光層、63はポリシリコンからなるゲート
電極、64はSiO2層である。
一部であるインバータ部はn型基板60上にpウエルと
nウエルを形成してn−MOSトランジスタとp−MO
Sトランジスタを設けている。
電荷検出部から行うことが望ましい。信号処理回路部か
らは信号の高速転送やロジック回路からのパルスノイズ
が発生するためである。このノイズの発生源からCCD
部にノイズが伝搬しないようにウエルで分離する。用途
によっては電荷検出部はCCDウエル内であっても良
い。基本的に電荷検出部は1水平期間毎に信号電荷を電
圧変換する機能なので、低速動作であり、この場合ノイ
ズ発生は少ないことによる。図13はインバータ部をde
ep wellで分離した構造である。完全にセンサー部と分
離する事により、インバータ部のノイズを遮断する効果
が高くなる。
をスチルカメラに適用した場合の一実施例について詳述
する。図10は、本発明の固体撮像装置を「スチルビデ
オカメラ」に適用した場合を示すブロック図である。
クトとメインスイッチを兼ねるバリア、112は被写体
の光学像を固体撮像素子4に結像させるレンズ、113
はレンズ112を通った光量を可変するための絞り、1
14はレンズ112で結像された被写体を画像信号とし
て取り込むための固体撮像素子、115は撮像信号処理
回路、116は撮像信号処理回路115より出力される
画像信号のアナログーデジタル変換を行うA/D変換
器、117はA/D変換器116より出力された画像デ
ータに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理
部、118は固体撮像素子114、撮像信号処理回路1
15、A/D変換器116、信号処理部117に、各種
タイミング信号を出力するタイミング発生部、119は
各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御
・演算部、120は画像データを一時的に記憶する為の
メモリ部、121は記録媒体に記録または読み出しを行
うためのインターフェース部、122は画像データの記
録または読み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能
な記録媒体、123は外部コンピュータ等と通信する為
のインターフェース部である。
ビデオカメラの動作について説明する。バリア111が
オープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロ
ール系の電源がオンし、更にA/D変換器116などの
撮像系回路の電源がオンされる。それから、露光量を制
御する為に、全体制御・演算部119は絞り113を開
放にし、固体撮像素子114から出力された信号はA/
D変換器116で変換された後、信号処理部117に入
力される。そのデータを基に露出の演算を全体制御・演
算部119で行う。この測光を行った結果により明るさ
を判断し、その結果に応じて全体制御・演算部119は
絞りを制御する。
信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離
の演算を全体制御・演算部119で行う。その後、レン
ズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判
断した時は、再びレンズを駆動し測距を行う。そして、
合焦が確認された後に本露光が始まる。
ら出力された画像信号はA/D変換器116でA/D変
換され、信号処理部117を通り全体制御・演算部11
9によりメモリ部に書き込まれる。
タは、全体制御・演算部119の制御により記録媒体制
御I/F部121を通り半導体メモリ等の着脱可能な記
録媒体122に記録される。また、外部I/F部123
を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行っ
てもよい。
れば、高感度、高速駆動、低消費電力、多機能な固体撮
層装置とその撮像システムを提供出来る。
構成図である。
構成図である。
イミング図である。
図である。
る。
有する場合の等価回路ブロック図である。
トである。
接続を示す概略的回路構成図である。
る。
ラ」に適用した場合を示すブロック図である。
である。
Claims (17)
- 【請求項1】 2次元状に配列した複数の光電変換素部
と、該光電変換部の信号電荷を蓄積転送する蓄積部とを
備えたフレームトランファ型CCD構成部、あるいは複
数の光電変換部と垂直CCDと該光電変換部の信号電荷
を該垂直CCDに転送するトランスファゲートとを備え
たインタライン型CCD構成部と、 前記フレームトランファ型CCD構成部の前記蓄積部か
ら出力される信号電荷又は前記インタライン型CCD構
成部の前記垂直CCDから出力される信号電荷を電圧変
換する複数の電荷検出手段と、 該複数の電荷検出手段から出力される信号を順次読み出
すための走査手段と、を同一半導体チップ上に形成した
固体撮像装置。 - 【請求項2】 2次元状に配列された複数の光電変換素
部と、該光電変換部の信号電荷を蓄積転送する蓄積部と
を備えたフレームトランファ型CCD構成部、あるいは
複数の光電変換部と垂直CCDと該光電変換部の信号電
荷を該垂直CCDに転送するトランスファゲートとを備
えたインタライン型CCD構成部と、前記フレームトラ
ンファ型CCD構成部の前記蓄積部から出力される信号
電荷又は前記インタライン型CCD構成部の前記垂直C
CDから出力される信号電荷を電圧変換する複数の電荷
検出手段と、 該複数の電荷検出手段からの出力信号を信号処理する信
号処理手段と、 該信号処理手段から出力される信号を順次読み出すため
の走査手段と、 を同一半導体チップ上に形成した固体撮像装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の固体撮像装置におい
て、前記信号処理手段は電荷検出手段のノイズを除去す
るノイズ除去手段を含むことを特徴とする固体撮像装
置。 - 【請求項4】 請求項2に記載の固体撮像装置におい
て、前記信号処理手段は信号増幅可変手段、信号レベル
調整手段及びアナログ−デジタル変換手段の少なくとも
一つを有することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項5】 請求項1又は請求項2に記載の固体撮像
装置において、前記走査手段は、前記電荷検出手段又は
前記信号処理手段の出力を共通の信号線へ転送する手段
と、該信号線に接続される出力アンプとを有することを
特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項6】 請求項2に記載の固体撮像装置におい
て、前記光電変換部は二次元状に配列され、複数行の前
記光電変換部からの信号電荷を列毎の共通の前記電荷検
出手段を経て前記信号処理手段へ転送することを特徴と
する固体撮像装置。 - 【請求項7】 請求項2に記載の固体撮像装置におい
て、前記光電変換部は二次元状に配列され、複数列の前
記光電変換部からの信号電荷を共通の前記電荷検出手段
を経て前記信号処理手段へ転送することを特徴とする固
体撮像装置。 - 【請求項8】 請求項1又は請求項2に記載の固体撮像
装置において、前記蓄積部又は前記垂直CCDから出力
される信号電荷を前記電荷検出手段のリセット手段で一
括リセットすることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項9】 請求項1に記載の固体撮像装置におい
て、任意の前記電荷検出手段の出力信号をランダムアク
セスすることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項10】 請求項2に記載の固体撮像装置におい
て、任意の前記電荷検出手段あるいは信号処理手段の出
力信号をランダムアクセスすることを特徴とする固体撮
像装置。 - 【請求項11】 請求項1又は請求項2に記載の固体撮
像装置において、電荷検出手段は入力部のリセットと信
号電荷の電圧変換時に電源電圧が供給されることを特徴
とする固体撮像装置。 - 【請求項12】 2次元状に配列された光電変換部と、 前記2次元状に配列された光電変換部からの信号電荷を
転送する電荷転送部と、 前記電荷転送部からの信号電荷を電圧変換する複数の電
荷検出手段と、 前記複数の電荷検出手段からの信号が読み出される共通
信号線と、 前記複数の電荷検出手段からの信号を前記共通出力線に
転送するための複数の転送用トランジスタと、 前記複数の転送用トランジスタを制御することによっ
て、前記複数の電荷検出手段からの信号を順次前記共通
信号線に読み出すための走査手段と、 を同一半導体チップ上に形成したことを特徴とする固体
撮像装置。 - 【請求項13】 2次元状に配列された光電変換部と、 前記2次元状に配列された光電変換部からの信号電荷を
転送する電荷転送部と、 前記電荷転送部からの信号電荷を電圧変換する複数の電
荷検出手段と、 前記複数の電荷検出手段からの信号を処理する複数の信
号処理手段と、 前記複数の信号処理手段からの信号が読み出される共通
信号線と、 前記複数の信号処理手段からの信号を前記共通出力線に
転送するための複数の転送用トランジスタと、 前記複数の転送用トランジスタを制御することによっ
て、前記複数の信号処理手段からの信号を順次前記共通
信号線に読み出すための走査手段と、 を同一半導体チップ上に形成したことを特徴とする固体
撮像装置。 - 【請求項14】 請求項12又は請求項13に記載の固
体撮像装置において、前記電荷転送部は、CCD構造を
含むことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項15】 請求項12〜14のいずれか1項に記
載の固体撮像装置において、前記複数の電荷検出手段
は、一ラインの光電変換部からの信号のうち、所定の領
域からの信号を読み出し、前期所定の領域以外からの信
号をリセットによって読み出さないようにすることを特
徴とする固体撮像装置。 - 【請求項16】 請求項12〜15に記載の固体撮像装
置において、前記電荷転送部と前記電荷検出部は、ウエ
ルで分離されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項17】 請求項1〜16のいずれかの請求項に
記載の固体撮像装置と、該固体撮像装置へ光を結像する
光学系と、該固体撮像装置からの出力信号を処理する信
号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
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