JP2000182277A

JP2000182277A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2000182277A
Application number: JP10352588A
Authority: JP
Inventors: Hideo Nakakuki; 英夫中久喜; Toshinaka Nonaka; 敏央野中
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1998-12-11
Filing date: 1998-12-11
Publication date: 2000-06-30

Abstract

(57)【要約】【課題】オーバーライト時の消去特性ならびにジッター
特性の改善に関して、特に高密度記録、高線速記録を行
った場合にも良好な特性を示す書換可能相変化型光記録
媒体を提供すること。【解決手段】基板上に少なくとも誘電体層、記録層、吸
収量補正層、および反射層がこの順で積層されている光
記録媒体であって、前記吸収量補正層がシリコン、ゲル
マニウムのうちの少なくとも１種と、チタン、ジルコニ
ウム、タングステン、クロム、モリブデンのうちの少な
くとも１種との化合物を含むことを特徴とする光記録媒
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。

【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体である。

【０００３】

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。

【０００４】これらの光記録媒体は、テルルなどを主成
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。

【０００５】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。

【０００６】これらの書換可能相変化型光記録媒体の記
録層の材料としては、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂Ｔｅ₅ などの合金
（N.Yamada et al.Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1
987 p61-66）が知られている。

【０００７】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
それぞれ１層ずつ設け、記録時に記録層に変形、開口が
発生することを防いでいる。さらに、光ビーム入射方向
と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなどの金属反射
層を積層して設け、光学的な干渉効果により再生時の信
号コントラストを改善する技術が知られている。

【０００８】前述の従来の書換可能相変化型光記録媒体
における課題は、以下のようなものである。

【０００９】すなわち、従来のディスク構造では、新た
にオーバーライト記録した記録マークの形状や形成位置
がオーバーライト前の信号で変調を受け、消去率やジッ
ター特性が悪化するという課題がある。特に、より高密
度に記録した場合や、より高線速で記録した場合には消
去特性が低下しやすく、前記の課題はより重大なものと
なってくる。

【００１０】この課題の原因の一つとして、非晶状態の
記録マーク部分と結晶状態の領域の反射率差が大きいた
め、記録層の非晶状態の光吸収量が結晶状態の光吸収量
より大きくなり、記録時には記録マーク部分がより速く
加熱されることが考えられる。すなわち、オーバーライ
ト記録前の部分が結晶状態か非晶状態かによって記録時
の昇温状態に差が生じ、その結果、新たにオーバーライ
ト記録した記録マークの形状や形成位置がオーバーライ
ト前の信号で変調を受け、消去率やジッター特性が悪化
すると考えられる。

【００１１】特に、従来の通常の層構成では前述のよう
にＡｌ合金などの高熱伝導率、高反射率の層を設けてお
り、これにより高い再生信号のコントラストを得ると共
に優れた耐久性や良好な記録特性を得ていたが、記録層
の非晶状態の光吸収量が結晶状態の光吸収量よりもかな
り大きくなってしまうため、前述の課題の解決が困難と
なる。

【００１２】また、高密度、高線速記録を行った場合に
は、記録層が結晶化温度以上に保持される時間が短くな
るため、このことが消去特性を低下させ、前記の課題を
より重大なものとしている。

【００１３】このような、非晶状態の光吸収量が結晶状
態の光吸収量より高くなる問題を解決する手段として
は、特開平５−１５９３６０号公報のように、厚さ２２
０ｎｍの第２誘電体層の後に、吸収量補正層として厚さ
５０ｎｍ程度のＴｉ層を形成し、さらに光吸収に伴う昇
温による熱的負担を軽減するために、厚さ５０ｎｍ程度
の比較的厚いＡｌ合金を放熱層として形成する技術や、
特開平５−２９８７４７号公報のように、反射層として
厚さ１５ｎｍ以下の薄いＡｕまたはＡｕ合金薄膜を用い
る技術などが知られている。また、特開平９−６３１１
９号公報のように、反射層として低反射率の光吸収性を
有する合金材料を用いる技術も知られている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の特
開平５−１５９３６０号および特開平５−２９８７４７
号公報に示される構成は、いずれも第２誘電体層の厚さ
が非常に厚く、いわゆる「徐冷構成」であるため、記録
層の冷却度が低くなる。そのために、書換の繰り返しに
よる記録特性の劣化が大きく、またマーク間の熱干渉に
よりジッターなどの特性が劣化するため高密度記録に適
さない。反射層を薄くした場合も、繰り返し耐久性の低
下などが問題となる。また、特開平９−６３１１９号公
報に示される構成は、反射層が光を吸収するため熱を保
持しやすく、冷却度が低くなるためやはり高密度記録に
は適さない。

【００１５】本発明の目的は、オーバーライト時の消去
特性ならびにジッター特性の改善に関するものであり、
特に高密度でかつ高線速な記録を行った場合にも良好な
記録特性を示す書換可能相変化型光記録媒体を提供する
ことにある。なお、高密度とはマーク長記録において最
短マーク長が０．５μｍ以下であること、高線速とは７
ｍ／ｓ以上の線速度であることとする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板上に少
なくとも誘電体層、記録層、吸収量補正層、および反射
層がこの順で積層されている光記録媒体であって、前記
吸収量補正層がシリコン、ゲルマニウムのうちの少なく
とも１種と、チタン、ジルコニウム、タングステン、ク
ロム，モリブデンのうちの少なくとも１種との化合物を
含むことを特徴とする光記録媒体に関するものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体は、基板上に
少なくとも誘電体層、記録層、吸収量補正層、および反
射層をこの順に積層した構成をとるものである。

【００１８】基板の材料としては、透明な各種の合成樹
脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基板の傷な
どの影響をさける目的で、透明基板を用い、集束した光
ビームで基板側から記録を行なうことが好ましく、この
様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカーボネー
ト、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。
特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が
容易であることからポリカーボネート樹脂、アモルファ
ス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。また耐熱性が要求
される場合には、エポキシ樹脂が好ましい。

【００１９】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ以上とすることで、基板側から集束した光ビ−ムで記
録する場合でも、ごみの影響を受け難くなり、５ｍｍ以
下とすることで、対物レンズの開口数を大きくすること
が容易となり、照射光ビームスポットサイズが小さくな
るため、記録密度をあげることが容易となる。

【００２０】本発明の誘電体層には、記録時に基板、記
録層などが熱によって変形し、記録特性が劣化すること
を防止する効果と、光学的な干渉効果により再生時の信
号コントラストを改善する効果とがある。また、記録感
度の向上を目的として、記録層と反射層の間に第２の誘
電体層を設けても良い。誘電体層の材質としては、記
録、再生に用いる光の波長において実質的に透明であ
り、かつその屈折率が、透明基板の屈折率より大きく、
記録層の屈折率より小さいものが好ましい。すなわち、
屈折率が１．７以上２．８以下、消衰係数が０以上０．
３以下が好ましく、より高い再生信号強度を得るために
は、屈折率が２．０以上２．５以下、消衰係数が０以上
０．０５以下であることがさらに好ましい。具体的な材
料としては、ＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｔａ、Ｎｂ、などの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ｇｅな
どの窒化物の薄膜、Ｚｒ、Ｈｆなどの窒化物の薄膜、お
よびこれらの化合物の混合物の膜が耐熱性が高いことか
ら好ましく、後述する境界層と同じ材料であっても良
い。特に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる膜は、繰
り返しオーバーライトによる劣化が起きにくいことから
好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ２と炭素の混合物
は、膜の残留応力が小さいこと、記録、消去の繰り返し
によっても、記録感度、キャリア対ノイズ比（Ｃ／
Ｎ）、消去率などの劣化が起きにくいことからも好まし
い。膜の厚さは光学的な条件や生産性の点から、３０〜
３００ｎｍが好ましい。

【００２１】本発明の記録層としては、ＳｂおよびＴｅ
を含んでいることが好ましい。すなわち、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−
Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金などが好ましい。

【００２２】特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰
り返しが可能であり、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、
消去率などの記録特性に優れることから好ましい。

【００２３】本発明の記録層の厚さとしては、１０ｎｍ
以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。記録層の厚さ
を１０ｎｍ以上とすることで、繰返しオーバーライトに
よる記録特性の劣化を抑えることができる。また、記録
層の厚さを４０ｎｍ以下とすることで、繰返しオーバー
ライトによる記録層の移動が起り難くジッタの悪化を抑
えることができる。光吸収量の観点からは、記録層の厚
さが薄い方が非晶状態の記録層の光吸収量を低減できる
ため好ましいが、薄すぎるとキャリア対ノイズ比（Ｃ／
Ｎ）が低下する傾向にある。このことを考慮すると、記
録層の厚さは１２ｎｍ〜１８ｎｍがより好ましい。

【００２４】本発明の吸収量補正層には以下のような効
果がある。すなわち前述のように、従来の構成では非晶
状態の記録層の光吸収量が結晶状態の記録層の光吸収量
より大きくなるが、新たに設けた吸収量補正層として適
切な材料を選ぶことにより、非晶状態の記録層の光吸収
量を低減し、結晶状態との光吸収量差を小さく、さらに
は結晶状態より小さくするようにもできる。この吸収量
補正の効果により、結晶部分と非晶部分の記録時におけ
る昇温状態の差が小さくなり、記録マークの形状の乱
れ、形成位置のずれなどが低減できるため、オーバーラ
イト時の消去特性やジッター特性が改善できる。

【００２５】吸収量補正層の材料としては、シリコン、
ゲルマニウムのうちの少なくとも１種と、チタン、ジル
コニウム、タングステン、クロム、モリブデンのうちの
少なくとも１種との化合物を含んでいることが必要であ
る。これらのシリサイド、ゲルマナイドにおいては、シ
リコンまたはゲルマニウム原子との結合により、記録の
書換の繰り返しなどによる熱負荷によっても構造を安定
して維持できる。これらのシリサイド、ゲルマナイドに
おける各構成元素の割合は化学量論組成でなくても良
く、以下に述べる好ましい光学定数が得られるよう適宜
調整しても良い。

【００２６】吸収量補正効果は各構成層の厚みと光学定
数（屈折率および消衰係数）により決定されるが、特に
吸収量補正層の光学定数に大きく依存する。この吸収量
補正層の屈折率および消衰係数が適度に大きいことが好
ましく、屈折率が２．０以上５．５以下、消衰係数が
１．０以上４．０以下であることが好ましい。より大き
な吸収量補正効果を得てかつ十分な再生信号強度を得る
ためには屈折率が２．５以上５．０以下、消衰係数が
１．５以上３．５以下であることがより好ましい。

【００２７】吸収量補正層の膜厚は、光吸収量の補正効
果の点から１ｎｍ以上が好ましく、生産性の点から２０
０ｎｍ以下が好ましい。吸収量補正層の光学定数によっ
て、最適な光吸収量補正効果および高い再生信号強度を
得ることができる膜厚は変化するが、２０ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下が好ましい。

【００２８】本発明の反射層は、再生時の信号コントラ
ストを向上させるほか、記録層、吸収量補正層で発生し
た熱を冷却する効果がある。反射層の材質としては、光
反射性を有する金属、合金、および金属と金属化合物の
混合物などがあげられる。具体的には、Ａｌ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕなどの高反射率の金属や、それを主成分とした
合金、Ａｌ、Ｓｉなどの窒化物、酸化物、カルコゲン化
物などの金属化合物が好ましい。Ａｌ、Ａｕなどの金
属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率を高くできることから特に好ましい。
反射層の厚さとしては、通常、おおむね１０ｎｍ以上３
００ｎｍ以下である。適度な冷却効果と記録感度が得ら
れること、および再生信号強度が大きくできることから
３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。

【００２９】本発明の光記録媒体では記録層に接して、
その片側もしくは両側に境界層を設けることが好まし
い。境界層を設けることで結晶化速度が向上し、高密度
記録、高線速記録を行っても消去特性が低下しないとい
う効果がある。さらには、ジッター特性の悪化、セクタ
ー始終端の劣化、信号振幅の低下といった繰り返しオー
バーライトによる劣化の改善や、保存耐久性の向上など
の効果がある。以上の効果を十分得るためにも境界層は
記録層の両側に設けることがより好ましい。

【００３０】境界層の材質としては、硫化物を含まない
材料であることが重要である。硫化物を含む材料を境界
層として設けると、繰り返しオーバーライトにより境界
層中の硫黄が記録層中に拡散し、記録特性が劣化するこ
とがあるので好ましくない。また、消去特性が優れない
という点からも好ましくない。窒化物、酸化物、炭化物
のうちの少なくとも１種を含む材料が好ましく、具体的
には窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化クロ
ム、炭化シリコン、炭素のうちの少なくとも１種を含む
材料が好ましい。また、これらの材料に酸素、窒素、水
素などを含有させても良い。前述の窒化物、酸化物、炭
化物は化学量論組成でなくても良く、窒素、酸素、炭素
が過剰あるいは不足していても良い。このことで境界層
が剥離し難くなり保存耐久性等が向上するなど、膜の特
性が向上する場合がある。

【００３１】基板側に設ける境界層の厚さは、剥離しが
たいことや光学的な条件を考慮して１ｎｍ以上１５ｎｍ
以下が好ましい。生産性や成膜の容易さの点から、より
好ましくは２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。反射層側に
設ける境界層の厚さは、用いる材料の熱伝導度率に応じ
て調整する必要があるが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好
ましい。適度な記録感度と良好な消去特性を得るため
に、より好ましくは２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

【００３２】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。誘電体層、境界層、記録層、吸収量補正
層、反射層などを基板上に形成する方法としては、真空
中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、スパッタリング法などがあげられる。特に組
成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパッ
タリング法が好ましい。形成する記録層などの厚さの制
御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリン
グすることで、容易に行える。

【００３３】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止など
のため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂ 、ＺｎＳとＳｉＯ₂ の混合物
などの誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層な
どを必要に応じて設けてもよい。

【００３４】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

【００３５】（分析，測定方法）記録層の組成は、ＩＣ
Ｐ発光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認し
た。

【００３６】各層の形成中の膜厚は、水晶振動子膜厚計
によりモニターした。また各層の成膜後の厚さは、透過
型電子顕微鏡で断面を観察することにより測定した。

【００３７】各層の光学定数の測定は、標準的な分光エ
リプソ法によって記録、消去、再生を行う光の波長と同
じ波長において測定した。

【００３８】吸収量補正層における原子の結合状態は、
Ｘ線光電子分光法によって確認した。

【００３９】スパッタリングにより成膜した光記録媒体
は、記録を行う前にあらかじめ波長８３０ｎｍの半導体
レーザーのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初
期化した。

【００４０】次に、記録トラックに、対物レンズの開口
数０．６、半導体レーザーの波長６５０ｎｍの光学ヘッ
ドを有する光ディスク評価装置を使用して、８／１６変
調のランダムパターンをマーク長記録によって１０回オ
ーバーライトし、タイムインターバルアナライザーによ
りジッターを測定した。この時、記録レーザー波形は、
マルチパルスを用いた。続いて別の記録トラックに、最
長記録マーク（１１Ｔマーク）を１０回オーバーライト
し、その上に最短記録マーク（３Ｔマーク）を１回オー
バーライトした。最短記録マークをオーバーライトする
前後の最長記録マークの信号のキャリアの比を消去率、
最短記録マークのキャリアとオーバーライトされたあと
の最長記録マークのキャリアの比を有効消去率として、
バンド幅３０ｋＨｚの条件でスペクトラムアナライザー
により測定した。記録パワー、消去パワーは各ディスク
で最適なパワーにした。これらの測定は、以下に示す標
準条件（条件ａ）および、高線速、高密度条件（条件
ｂ）で行った。なお、条件ｂの場合の記録の線密度は条
件ａの場合の約１．５倍になっている。（条件ａ）線速度６．０ｍ／ｓウインドウ幅３４ｎｓ１１Ｔマークの記録周波数１．３ＭＨｚ３Ｔマークの記録周波数４．９ＭＨｚ３Ｔマークの長さ０．６１μｍ（条件ｂ）線速度８．２ｍ／ｓウインドウ幅１７ｎｓ１１Ｔマークの記録周波数２．７ＭＨｚ３Ｔマークの記録周波数９．７ＭＨｚ３Ｔマークの長さ０．４２μｍ（実施例１）毎分３０回転で回転させている、厚さ０．
６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．２μｍピッチの案内溝付き
のポリカーボネート製基板（ランド幅０．６μｍ、グル
ーブ幅０．６μｍ）上に、以下のスパッタリング成膜を
行った。

【００４１】まず、真空容器内を１×１０^-3Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス零囲気中でＳｉＯ
₂ を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタリングし、
基板上に膜厚７５ｎｍの誘電体層（屈折率２．２，消衰
係数０．００５）を形成した。次にゲルマニウムターゲ
ットをＡｒ、Ｎ２混合ガス雰囲気中でスパッタリング
し、厚さ５ｎｍの窒化ゲルマニウム層を境界層として形
成した。続いて、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲ
ットをスパッタリングして、厚さ１５ｎｍの記録層（結
晶状態の屈折率４．０，消衰係数４．３，非晶状態の屈
折率４．３，消衰係数１．９）を得た。さらに境界層と
してゲルマニウムターゲットをＡｒ、Ｎ２混合ガス雰囲
気中でスパッタリングし、厚さ５ｎｍの窒化ゲルマニウ
ム層を境界層として形成した。この上にシリコンを６７
ｍｏｌ％含有するチタンシリサイドターゲットをスパッ
タリングして吸収量補正層（屈折率３．５、消衰係数
３．２）を３０ｎｍ形成した。吸収量補正層においては
チタンとシリコンの結合が存在することをＸ線光電子分
光法により確認した。さらにＡｌ−Ｃｒ合金をスパッタ
リングして膜厚９０ｎｍの反射層を形成し、本発明の光
記録媒体を得た。

【００４２】この光記録媒体の結晶状態、非晶状態の光
吸収量は、各層の屈折率、厚さから計算した結果、光の
波長６５０ｎｍにおいて、それぞれ５７％、５０％であ
り、結晶状態の光吸収量が非晶状態の光吸収量よりも大
きかった。

【００４３】次に、記録特性の測定を行った。まず、前
述の条件ａで評価した。ランダムパターンを記録し、ジ
ッターを測定したところ、ウインドウ幅の８％と非常に
良好な値であった。消去率は４２ｄＢ、有効消去率は３
２ｄＢであり、消去特性も非常に良好であった。続いて
前述の条件ｂで記録特性を評価したところ、ジッターは
ウインドウ幅の１０％、消去率は４０ｄＢ、有効消去率
は２７ｄＢといずれも良好で、高線速、高密度の記録条
件でも優れた記録特性が維持できた。

【００４４】（実施例２）記録層としてＮｂ−Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ合金を用いた他は実施例１と同様の光記録媒体
を作製した。

【００４５】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００４６】（実施例３）ジルコニウムシリサイドター
ゲットをスパッタリングして厚さ３０ｎｍの吸収量補正
層（屈折率３．６、消衰係数３．４）を成膜した他は実
施例１と同様の光記録媒体を作製した。吸収量補正層に
おいてはジルコニウムとシリコンの結合が存在すること
をＸ線光電子分光法により確認した。

【００４７】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００４８】（実施例４）タングステンシリサイドター
ゲットをスパッタリングして厚さ３０ｎｍの吸収量補正
層（屈折率４．０，消衰係数２．９）を成膜した他は実
施例１と同様の光記録媒体を作製した。吸収量補正層に
おいてはタングステンとシリコンの結合が存在すること
をＸ線光電子分光法により確認した。

【００４９】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００５０】（実施例５）クロムシリサイドターゲット
をスパッタリングして厚さ３０ｎｍの吸収量補正層（屈
折率４．０、消衰係数３．７）を成膜した他は実施例１
と同様の光記録媒体を作製した。吸収量補正層において
はクロムとシリコンの結合が存在することをＸ線光電子
分光法により確認した。

【００５１】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００５２】（実施例６）モリブデンシリサイドターゲ
ットをスパッタリングして厚さ３０ｎｍの吸収量補正層
（屈折率３．９、消衰係数３．２）を成膜した他は実施
例１と同様の光記録媒体を作製した。吸収量補正層にお
いてはモリブデンとシリコンの結合が存在することをＸ
線光電子分光法により確認した。

【００５３】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００５４】（実施例７）チタンゲルマナイドターゲッ
トをスパッタリングして厚さ３０ｎｍの吸収量補正層
（屈折率３．８、消衰係数３．３）を成膜した他は実施
例１と同様の光記録媒体を作製した。吸収量補正層にお
いてはチタンとゲルマニウムの結合が存在することをＸ
線光電子分光法により確認した。

【００５５】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００５６】（実施例８）記録層の両側に設ける境界層
を窒化アルミニウム（膜厚は両側とも５ｎｍ）にした他
は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。

【００５７】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００５８】（実施例９）記録層の両側に設ける境界層
を窒化シリコン（膜厚は両側とも５ｎｍ）にした他は実
施例１と同様の光記録媒体を作製した。

【００５９】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００６０】（実施例１０）記録層の両側に設ける境界
層を酸化アルミニウム（膜厚は両側とも５ｎｍ）にした
他は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。

【００６１】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００６２】（実施例１１）記録層の両側に設ける境界
層を酸化ジルコニウム（膜厚は両側とも５ｎｍ）にした
他は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。

【００６３】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００６４】（実施例１２）記録層の両側に設ける境界
層を酸化クロム（膜厚は両側とも５ｎｍ）にした他は実
施例１と同様の光記録媒体を作製した。

【００６５】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００６６】（実施例１３）記録層の両側に設ける境界
層を炭化シリコン（膜厚は両側とも５ｎｍ）にした他は
実施例１と同様の光記録媒体を作製した。

【００６７】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００６８】（実施例１４）記録層の両側に設ける境界
層を炭素（膜厚は基板側が２ｎｍ、反射層側が５ｎｍ）
にした他は実施例１と同様の光記録媒体を作製した。

【００６９】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａ、条件ｂのいずれにおいても実施例１とほぼ同等の特
性が得られた。

【００７０】（実施例１５）記録層の直後に設けた窒化
ゲルマニウムからなる境界層をＺｎＳ−ＳｉＯ２（Ｓｉ
Ｏ２２０ｍｏｌ％）からなる厚さ５ｎｍの誘電体層で
置き換えた他は実施例１と同様の光記録媒体を作製し
た。

【００７１】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａではジッターがウインドウ幅の８％、消去率が４０ｄ
Ｂ、有効消去率が３０ｄＢと良好であった。条件ｂでは
ジッターがウインドウ幅の１１％、消去率が３６ｄＢ、
有効消去率が２３ｄＢと、実施例１に比べてやや劣るも
のの、実用上問題のない特性が得られた。

【００７２】（実施例１６）実施例１の光記録媒体にお
いて境界層を省き、記録層の直後にＺｎＳ−ＳｉＯ２
（ＳｉＯ２２０ｍｏｌ％）からなる厚さ５ｎｍの誘電
体層を設けた層構成、すなわち誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、吸収量補正層、反射層をこの順に積層した
光記録媒体を作製した。

【００７３】実施例１と同様の測定をしたところ、条件
ａではジッターがウインドウ幅の１０％、消去率が４０
ｄＢ、有効消去率が３０ｄＢと良好であったが、条件ｂ
ではジッターがウインドウ幅の１２％、消去率が３４ｄ
Ｂ、有効消去率が２０ｄＢと、実施例１に比べてやや劣
るものの、実用上問題のない特性が得られた。

【００７４】（比較例）チタンシリサイド層からなる吸
収量補正層を省き、反射率を合わせるために誘電体層の
膜厚を５０ｎｍにした他は実施例１と同様の光記録媒体
を作製した。この光記録媒体の結晶状態、非晶状態の光
吸収量は、各層の屈折率、厚さから計算した結果、光の
波長６５０ｎｍにおいて、それぞれ６８％、７５％であ
り、結晶状態の光吸収量が非晶状態の光吸収量よりも小
さかった。実施例１と同様の測定をしたところ、条件ａ
ではジッターがウインドウ幅の９％、消去率が３８ｄ
Ｂ、有効消去率が２８ｄＢと良好であったが、条件ｂで
はジッターがウインドウ幅の１６％、消去率が３０ｄ
Ｂ、有効消去率が１５ｄＢとなり、高線速かつ高密度の
記録条件では消去特性が大きく低下した。

【００７５】

【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、高線速か
つ高密度の記録条件でも、良好な消去特性およびオーバ
ーライトジッター特性を得ることができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録層に光を照射することによって、情報
の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去
が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板上
に少なくとも誘電体層、記録層、吸収量補正層、および
反射層がこの順で積層されている光記録媒体であって、
前記吸収量補正層がシリコン、ゲルマニウムのうちの少
なくとも１種と、チタン、ジルコニウム、タングステ
ン、クロム、モリブデンのうちの少なくとも１種との化
合物を含むことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】情報の記録、消去、再生に用いる光の波長
λにおいて、吸収量補正層の屈折率が２．０以上５．５
以下、消衰係数が１．０以上４．０以下であり、かつ記
録層が少なくともＳｂおよびＴｅを含むことを特徴とす
る請求項１の光記録媒体。
【請求項３】記録層の片側もしくは両側に硫化物を含ま
ない材料からなる境界層を記録層に接して設けたことを
特徴とする請求項１の光記録媒体。
【請求項４】境界層が窒化物、酸化物、炭化物のうち少
なくとも１種を含有することを特徴とする請求項３の光
記録媒体。
【請求項５】境界層が窒化ゲルマニウム、窒化シリコ
ン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコ
ニウム、酸化クロム、炭化シリコン、炭素のうちの少な
くとも１種を含有することを特徴とする請求項３または
４に記載の光記録媒体。