JP2002033289A - 半導体プロセスチャンバの洗浄方法 - Google Patents

半導体プロセスチャンバの洗浄方法

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JP2002033289A
JP2002033289A JP2001090297A JP2001090297A JP2002033289A JP 2002033289 A JP2002033289 A JP 2002033289A JP 2001090297 A JP2001090297 A JP 2001090297A JP 2001090297 A JP2001090297 A JP 2001090297A JP 2002033289 A JP2002033289 A JP 2002033289A
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ハリー ゴトウ ハルヒロ
R Hirschberger William
アール． ハーシュバーガー ウィリアム
Quanyuan Shang
シャン チュアンユアン
Kam S Law
エス． ロウ カム
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 主たる前駆物質試薬としてのフッ素分子（Ｆ
2）ガスを用いて、半導体プロセスチャンバを洗浄する
方法を提供する。 【解決手段】 主たる前駆物質試薬としてのフッ素分子
（Ｆ2）ガスを用いて、半導体プロセスチャンバの内面
から残留物を除去する方法である。一の実施形態では、
フッ素分子の一部がプラズマで分解されてフッ素原子が
生成され、生じたフッ素原子とフッ素分子との混合ガス
が、内面を洗浄すべきチャンバに供給される。他の実施
形態では、フッ素分子ガスは、プラズマ励起なしで半導
体プロセスチャンバ内を洗浄する。フッ素分子ガスは、
従来チャンバ洗浄に用いられたＮＦ 3、Ｃ2Ｆ6、ＳＦ6と
いったフッ素含有ガス化合物と違って、地球温暖化ガス
ではないという利点を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイスを製
造するために用いられる真空チャンバの内面を洗浄し、
あるいは内面から残留物を除去する方法に関する。特
に、本発明は、この方法においてフッ素ガスを用いるも
のに関する。
【０００２】
【発明の背景】半導体を含む電子デバイスを製造するプ
ロセスは、一般的に、半導体プロセスチャンバと呼ばれ
る真空チャンバ内で、レイヤや材料の特徴を堆積した
り、パターンする（エッチングなど）ステップを含む。
このような堆積やエッチングのプロセスにおける化学的
な副産物や使用されない反応物は、大部分は排出ポンプ
によってチャンバから排出されるが、一部の残留物は、
チャンバの壁やチャンバ内の他の表面に不可避的に堆積
される。一貫したプロセスの条件を保持し、残留物がは
がれて製造される電子デバイスを汚さないようにするた
め、このような残留物は定期的に洗浄され除去されなけ
ればならない。
【０００３】チャンバ内面から残留物を洗浄する従来の
方法は、プラズマ分解によって生成されたラジカルを含
有する混合ガスをチャンバ内部に供給することである。
プラズマは、チャンバ内部又は離隔したプラズマソース
によって生成される。特に、シリコン、酸化シリコン、
窒化シリコンを含有する残留物を除去するために、フッ
素含有ガスの化合物が用いられていた。これらの残留物
は、基板にシリコン又は酸化シリコン又は窒化シリコン
を堆積するプロセスによって、あるいは、基板上の材料
をスパッタエッチング、又は反応イオンエッチングする
プロセスによって、一般的に生成される。
【０００４】そのようなフッ素含有ガスの化合物を用い
た洗浄方法の一つの欠点は、そのようなガスは、使用後
に大気に解放すると地球温暖化に寄与すると信じられて
いることである。政府規制は、地球温暖化ガスの使用に
ますます増大する制限を課そうとしているので、代替ガ
スの成分を開発する必要性がある。
【０００５】
【発明の概要】本発明は、主要な先駆物質の試薬として
フッ素分子（Ｆ2）ガスを用いて、半導体プロセスチャ
ンバの内部の残留物を洗浄し、内部から残留物を除去す
る方法である。フッ素分子ガスは、ＮＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｓ
Ｆ6のように従来のチャンバ洗浄に用いられた他のフッ
素含有ガスの化合物と違って、地球温暖化ガスではない
という利点がある。
【０００６】フッ素分子ガスをプラズマ分解して生成さ
れるフッ素原子及びラジカルは、シリコン、酸化シリコ
ン、及び窒化シリコンの残留物を効果的に除去すること
を私は発見した。さらに、フッ素分子ガスは、プラズマ
なしでもシリコン残留物を効果的に除去することを私は
発見した。
【０００７】
【好適実施形態の詳細な説明】本発明のチャンバ洗浄方
法を従来から商業的に利用される真空チャンバであっ
て、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）フラットパネルディス
プレイを製造するために用いられるガラス基板のような
大型の基板又はワークピースに膜を堆積するＣＶＤプロ
セスを実行するためのもので試験した。
【０００８】そのようなディスプレイの商業的な製品に
おいては、チャンバ内に基板を保持している間に、異な
る膜を連続して堆積することが望ましいことがしばしば
ある。従って、チャンバ内部の洗浄方法は、好ましく
は、チャンバ内で実行された異なるすべての堆積プロセ
スによって作られた全ての残留物を除去できるはずであ
る。
【０００９】フッ素分子（Ｆ2）ガスのプラズマ分解に
よって生成されるフッ素原子（Ｆ）ガスとフッ素分子
（Ｆ2）ガスとの混合ガスは、ＴＦＴディスプレイやそ
の他のシリコンベースの半導体デバイスを製造するため
のプラズマＣＶＤチャンバ内で一般的に堆積される３つ
の膜−窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、アモルファス
シリコン膜−のいずれをも、これら３つの膜の化学気相
成長（ＣＶＤ）プロセスによって生成される残留物と同
様に、うまく洗浄できることを私は発見した。従来のマ
イクロ波リモートプラズマソースチャンバ（ＲＰＳＣ）
を用いてこれを試験し、原子と分子のフッ素の混合物
を、洗浄される従来のＣＶＤチャンバに供給した。
【００１０】窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、シリコ
ン膜をスパッタエッチングや反応性イオンエッチングす
るプロセスは、一般的にエッチングプロセスチャンバの
内面にエッチングされる膜の一部の材料を堆積させる。
従って、本発明に係る洗浄方法は、ＣＶＤプロセスチャ
ンバと同様にエッチングプロセスチャンバの洗浄に対し
ても効果的であるはずである。
【００１１】
【実験結果】洗浄されるべきＣＶＤチャンバと区別され
たプラズマチャンバに、本質的に純粋なフッ素分子ガス
を供給した。このようなチャンバは一般的に「リモー
ト」プラズマチャンバとして識別される。マイクロ波エ
レクトリカルパワーサプライからリモートチャンバまで
結合されたマイクロ波エネルギによって、リモートチャ
ンバ内のフッ素分子をプラズマ状態に励起した。洗浄さ
れるＣＶＤチャンバのガス吸入ポートにリモートマイク
ロ波プラズマチャンバの排出ポートを接続し、これによ
り、リモートプラズマチャンバ内で生成されたフッ素原
子とフッ素分子の混合ガスをＣＶＤチャンバに供給し
た。洗浄中、ＣＶＤチャンバに接続された排出ポンプ
は、ＣＶＤチャンバ内で２５０ｍＴから６００ｍＴの範
囲の圧力を達成した。
【００１２】まず、フッ素分子をフッ素原子に分解する
ために要求されるマイクロ波パワーを決定した。従来の
マイクロ波リモートプラズマチャンバに、１０００ｓｃ
ｃｍから２０００ｓｃｃｍの流量でフッ素ガスを供給し
た。２０００ワットから４０００ワットの範囲のパワー
レベルのリモートチャンバに、２．４ＧＨｚの周波数の
マイクロ波エネルギを結合した。チャンバの排出ポート
において、フッ素分子に対するフッ素原子の割合を測定
した。測定された割合は、２５００Wから４０００Wのい
ずれのパワーでも、およそ３対２（すなわち、フッ素原
子６０％、フッ素分子４０％）であった。このデータ
は、２５００Wで十分であることを示している。それに
もかかわらず、以下に記述される洗浄方法試験では、４
０００Wのマイクロ波パワーを用いた。
【００１３】洗浄方法の試験をするために、ＣＶＤチャ
ンバ内で３つの異なるプラズマＣＶＤプロセスを別々に
実行した。３つのプラズマＣＶＤプロセスは：（１）１
１０ｓｃｃｍＳｉＨ4、５５０ｓｃｃｍＮＨ3及び３５０
０ｓｃｃｍＮ2によって供給される混合ガスを用いた１
ミクロンのＳｉＮXの堆積；（２）３３０ｓｃｃｍＳｉ
Ｈ4、及び８０００ｓｃｃｍＮ2Ｏを用いた１ミクロンの
ＳｉＯX（主にＳｉＯ2）の堆積；（３）５０ｓｃｃｍＳ
ｉＨ4、及び１４００ｓｃｃｍＨ2を用いた０．２５ミク
ロンのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の堆積であっ
た。すべての場合において、特定された膜厚を、４０×
５０ｃｍのガラス基板上に堆積した。３つのＣＶＤプロ
セスのそれぞれは、チャンバの壁に異なる残留物を生成
した。
【００１４】それぞれのＣＶＤプロセスを実行した後、
結果として生じた残留物をチャンバの壁から洗浄するの
に要する時間を、ＮＦ3をプラズマ分解する従来のプロ
セスを用いた場合と、フッ素分子ガス（Ｆ2）をプラズ
マ分解する本発明のプロセスを用いた場合とで比較し
た。
【００１５】ＳｉＮXＣＶＤプロセスによって生成され
た残留物は、３０００ｓｃｃｍＦ2と、２０００ｓｃｃ
ｍＮＦ3のいずれによってもほぼ同じ時間で洗浄され
た。従って、本発明は、従来のＮＦ3方法と全く同じ程
度に効果的であった。
【００１６】洗浄の速度は、リモートプラズマチャンバ
に供給されるＦ2流量速度の線形関数であった。Ｆ2流量
速度を２０００ｓｃｃｍ、１０００ｓｃｃｍへと減少さ
せると、洗浄の速度は、それぞれ３６％、７２％減少し
た（すなわち、洗浄に要する時間は増大した）。
【００１７】窒素あるいは水素ガスをリモートプラズマ
チャンバに供給されるフッ素分子ガスに加えても、洗浄
の速度に影響しなかった。具体的には、１０００ｓｃｃ
ｍＦ 2に、２００ｓｃｃｍＨ2と５００〜１０００ｓｃｃ
ｍＮ2のいずれを加えても、洗浄の速度に影響しなかっ
た。
【００１８】リモートプラズマチャンバに、等しい分子
モル濃度を有するＦ2とＮＦ3との混合ガスを供給する
と、総流量が等しいＦ2のみを供給した場合の洗浄時間
と、ＮＦ3のみを供給した場合に要する洗浄時間との中
間の洗浄時間となった。この結果は２つの試薬は線形な
添加剤であることを示しており、また、Ｆ2を用いた洗
浄プロセスは、少なくとも５０％の分子モル濃度のＦ2
を含む洗浄混合ガスで機能することを示している。そう
は言うものの、本発明の利益を最大限にするには、試薬
の混合ガス中のＦ2の分子モル濃度は、好ましくは少な
くとも７０％、さらに好ましくは少なくとも８０％、最
も好ましくは９０％である。フッ素分子とヘリウムのよ
うな反応しない搬送ガスとを混合することは、フッ素分
子の流量の減少に伴ってエッチング速度が減少すること
以外には、この方法に影響しないはずである。
【００１９】ＳｉＯXＣＶＤプロセスによって生成され
た残留物は、３０００ｓｃｃｍＦ2と２０００ｓｃｃｍ
ＮＦ3のいずれによっても、ＳｉＮXＣＶＤプロセスによ
って生成された残留物とほぼ同じ速度で洗浄された。従
って、本発明は、従来のＮＦ3プロセスと同じ程度に効
果的であった。Ｆ2流量を２０００ｓｃｃｍに減少させ
ると、洗浄の速度は２８％減少した（すなわち、洗浄時
間が増大した）。
【００２０】本発明のＦ2方法は、従来のＮＦ3プロセス
より高いガス流量が要求される一方で、Ｆ2ガスは地球
温暖化ガスとは考えられていない。従って、本発明はＮ
Ｆ3プロセスを越える改善である。
【００２１】アモルファスシリコンのＣＶＤプロセスに
よって生成された残留物は３７０ｍＴのチャンバ圧力
（ＣＶＤチャンバ内）で、１０００ｓｃｃｍＦ2によっ
て、５９秒で洗浄され、５７０ｍＴのチャンバ圧力で、
２０００ｓｃｃｍＦ2によって、３２秒で洗浄された。
ＮＦ3を用いた比較の洗浄速度を試験しなかった。
【００２２】私はまた、その壁を洗浄すべきＣＶＤチャ
ンバ内でプラズマを生成することによって洗浄速度が増
大しうるかどうか試験した。ＲＦパワーサプライ（又
は、「アノード」パワーサプライ）を金属のガス配給プ
レート（又は、「アノード」電極）に接続し、この金属
のガス配給プレート（又は、「アノード」電極）を通じ
て、リモートマイクロ波プラズマチャンバからのガスを
ＣＶＤチャンバに分配する。チャンバの壁、及びチャン
バの他のすべての金属の構成部品を電気的に接地した。
ＲＦパワーによって、ＣＶＤチャンバ内のガスをプラズ
マ状態に励起した。
【００２３】上記したＳｉＯXＣＶＤプロセスを用いて
ＣＶＤチャンバ内の基板上に１ミクロンのＳｉＯXが堆
積することによって、ＣＶＤチャンバの壁に最初に生成
された残留物で、アノードパワーを加えることの影響を
試験した。その後、残留物を２つのいずれか、すなわ
ち、（１）ＣＶＤチャンバ内で、アノードパワーなし
で、純粋なフッ素分子をリモートマイクロ波プラズマチ
ャンバに供給する前述の方法、又は（２）ＣＶＤチャン
バのガス配給プレートに１３．５６ＭＨｚの４００ワッ
トのＲＦパワーを適用し、その他は同一の洗浄方法、に
よって洗浄した。アノードパワーによって、洗浄速度は
２１％増大した（洗浄時間が減少した）。
【００２４】
【洗浄方法を実行する従来のハードウェア】本発明の洗
浄方法は、チャンバ内で実行される堆積又はパターニン
グのプロセスの結果として内面に残留物が蓄積される、
いかなる種類の真空チャンバの洗浄にも有用である。従
来のＣＶＤ及びエッチングチャンバの設計及び操作は、
以下の共通に譲渡された米国特許に記述されており、こ
こで、それぞれの米国特許の全部の内容を参照としてこ
の特許明細書に援用する：89/8/8にChang等に対して発
行された4854263号、；91/3/19にWang等に対して発行さ
れた5000113号、；94/11/22にRobertson等に対して付与
された5366585号、；98/12/1にWhite等に対して発行さ
れた5844205号。
【００２５】本発明の洗浄方法は、少なくともフッ素分
子（Ｆ2）試薬の一部を分解してフッ素原子を生成する
ためのいくつかの装置を必要とする。上記したすべての
試験では、従来のリモートマイクロ波プラズマソースに
よって分解が達成されたが、ここで、従来のリモートマ
イクロ波プラズマソースとは、すなわちマイクロ波エレ
クトリカルパワーサプライからのエネルギを受けるため
に接続されたリモートプラズマチャンバである。リモー
トマイクロ波プラズマソースは、以下の米国特許にさら
に詳しく記述されており、ここで、それぞれの米国特許
の全部の内容を参照としてこの特許明細書に援用する：
98/7/14にBrown等に発行された5780539号、；98/8/4にS
hang等に発行された5788778号、；98/9/22にFong等に発
行された5812403号。5780539号特許は、磁気的に強化さ
れた反応イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）チャンバのサ
セプタに適用されたＲＦパワーに組み合わせられて用い
られるリモートマイクロ波プラズマを示す。
【００２６】他の方法として、少なくともフッ素分子試
薬の一部を分解してフッ素原子を生成するために、その
他の従来の手段を用いることができる。
【００２７】例えば、マイクロ波パワーサプライ以外
の、（エネルギを受け取るために接続された）電磁気エ
ネルギソースによって、リモートプラズマソースを励起
してもよい。より具体的には、誘導的又は静電的にリモ
ートプラズマチャンバにＲＦエレクトリカルパワーサプ
ライを接続することもできる。フッ素分子をフッ素原子
に分解するための、１４ＭＨｚＲＦパワーがリモートプ
ラズマソースに静電的に接続された実験的な試験装置が
「フッ素原子のＳｉＯ2との反応」J.Appl.Phys.,vol.5
0,no.10,page6211-6213(1979.10),D.L.Flamm等に記述さ
れており、ここで、その全部の内容を参照としてこの特
許明細書に援用する。しかしながら、ＲＦ周波数（１Ｇ
Ｈｚより低い）を越えるマイクロ波周波数（１ＧＨｚよ
り高い）による励起の期待される利点は、より高い周波
数は一般的により高いチャンバ圧力でプラズマを保持で
き、そして、より高い周波数はより少ないパワーでフッ
素分子の与えられたパーセンテージを分解できることで
ある。
【００２８】他の例のように、リモートプラズマソース
を用いないで、フッ素分子ガスを洗浄すべきプロセスチ
ャンバに直接に供給することができ、従来のプラズマ励
起手段によってプロセスチャンバ内でプラズマ（「イン
・シトゥ」プラズマ）を生成することにより、少なくと
もガスの一部を分解することができ、ここで従来のプラ
ズマ励起手段とは、マイクロ波パワーや誘導的又は静電
的に接続されたＲＦパワーである。97/4/15にWatatani
等に対して発行されて共通に譲渡された米国特許562052
6号は、マイクロ波導波管を経由してマイクロ波パワー
をプラズマチャンバに接続するための従来の電子サイク
ロトロン共鳴装置を記述する。95/10/3にRedeker等に対
して発行されて普通に譲渡された米国特許5454903号
は、ＣＶＤ又はエッチング真空チャンバが誘導的に接続
され、チャンバを洗浄するためのイン・シトゥプラズマ
を生成するためのＲＦパワーサプライが開示されてい
る。半導体プロセスチャンバが静電的に接続され、チャ
ンバを洗浄するためのイン・シトゥプラズマを生成する
ＲＦパワーサプライが、97/5/27にDoi等に対して発行さ
れた米国特許5632821号や、90/10/2にLaw等に対して発
行されて普通に譲渡された米国特許4960488号や、98/5/
26にYe等に対して発行された5756400号に開示されてい
る。このパラグラフに記載されたそれぞれの特許の全部
の内容を参照としてこの特許明細書に援用する。
【００２９】リモートプラズマソースではなくて、イン
・シトゥプラズマを用いることの欠点は、イオン衝撃に
よってチャンバ構成部品の腐食が増大することである。
しかしながら、イン・シトゥプラズマは、リモートプラ
ズマチャンバの費用を回避することができる利点を有す
る。
【００３０】
【プラズマなしの洗浄方法】私はまた、洗浄方法中にプ
ラズマ生成なしで、フッ素分子（Ｆ2）ガスが、上記で
議論した３つの膜−窒化シリコン（ＳｉＮX）、酸化シ
リコン（ＳｉＯX）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）−のいずれかを表面から除去できるか試験した。プ
ラズマを用いてＦ2を分解する代わりに、洗浄される表
面の温度を十分に高め、表面から除去されるべき膜にＦ
2を反応させた。
【００３１】これらの試験のため、チャンバの壁から実
際の残留物を除去するのではなく、フッ素分子ガスがチ
ャンバ内に載置された熱せられた基板から３つの膜のい
ずれかを除去することができるかどうか試験した。具体
的には、これら３つのフィルムでそれぞれ被覆した８０
ｍｍ×８０ｍｍの３個のガラス基板をサセプタに載置し
た。基板から除去されるフィルムにＦ2を反応させるた
め、サセプタを４５０℃に熱した。フッ素は、窒化シリ
コン又は酸化シリコンをエッチングしなかったが、アモ
ルファスシリコンを除去した。１０００ｓｃｃｍの流量
のフッ素ガスを用いると、アモルファスシリコンは５０
００Å／分の速度でエッチングされた。
【００３２】これは、フッ素分子ガスは、プラズマ励起
なしで（すなわち、プラズマの助力によるＦ2の分解な
しで）、アモルファスシリコンを洗浄できることを示し
ている。アモルファスシリコンは、チャンバの壁に生成
される主な残留物であり、この残留物は、基板上にシリ
コンを堆積する熱又はプラズマの強化プロセス、あるい
はスパッタエッチングや反応イオンエッチングで基板か
らシリコンを除去するプロセスによって生成される。従
って、この熱的（プラズマなしの）洗浄方法は、シリコ
ン堆積やシリコンエッチングのプロセスのいずれに用い
られるチャンバの内面からでも残留物を洗浄するのに有
効であるはずである。
【００３３】サセプタの温度が４５０℃でしか熱的洗浄
方法を試験していないが、シリコンが洗浄される表面の
温度はそれほど高い必要がないことが予測される。表面
のシリコン材料にＦ2を反応させて除去するために、洗
浄される表面が高められなければならない温度を決定す
ることは機械的な実験である。
フロントページの続き (72)発明者 ハルヒロ ハリー ゴトウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サラトガ， オーク クリーク レーン 20568 (72)発明者 ウィリアム アール． ハーシュバーガー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， コート デ メディア 1641 (72)発明者 チュアンユアン シャン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サラトガ， キャニョン ヴュー ドライ ヴ 21090 (72)発明者 カム エス． ロウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ユニオン シティ， リヴィエラ ドライ ヴ 461 Ｆターム(参考） 3B116 AA47 BB82 BB89 BC00 5F004 AA15 AA16 BA03 DA00 DA02 DA17 DA18 DA24 DA25 DB01 DB03 DB07 5F045 AA08 AB04 AB32 AB33 AC01 AC12 AC15 BB15 EB06 EH18

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体プロセスチャンバの内部にさらさ
    れるチャンバ構成部品の一又はそれ以上の表面から残留
    物を除去するための方法であって、 一又はそれ以上のガスを含む混合ガス、ここで、ガスの
    一つは分子モル濃度で混合ガスの少なくとも５０％を構
    成するフッ素分子である、をプラズマチャンバに供給す
    るステップと、 フッ素分子をフッ素原子に分解するためにプラズマチャ
    ンバ内でプラズマを形成するステップと、 少なくとも前記フッ素原子の一部を半導体プロセスチャ
    ンバの内面にさらすステップと、 を備える方法。
  2. 【請求項２】 上記さらすステップは、プラズマチャン
    バから半導体プロセスチャンバにフッ素原子の一部を運
    ぶ工程を備える請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 プラズマチャンバと半導体プロセスチャ
    ンバは同じチャンバである請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 上記さらすステップの前に、チャンバ構
    成部品の前記表面に残留物を生成するために、半導体プ
    ロセスチャンバ内の基板上に膜を堆積するステップをさ
    らに備え、 上記堆積するステップは、シリコン、酸化シリコン、窒
    化シリコンのうちの一又はそれ以上を堆積する請求項１
    に記載の方法。
  5. 【請求項５】 上記さらすステップの前に、チャンバ構
    成部品の前記表面に残留物を生成するために、半導体プ
    ロセスチャンバ内の基板上の膜をエッチングするステッ
    プをさらに備え、 上記エッチングするステップは、シリコン、酸化シリコ
    ン、窒化シリコンのうちの一又はそれ以上をエッチング
    する請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 上記フッ素分子は、分子モル濃度で上記
    混合ガスの少なくとも７０％を構成する請求項１に記載
    の方法。
  7. 【請求項７】 上記混合ガスは、フッ素分子以外のいか
    なる反応ガスも実質的に含まない請求項１に記載の方
    法。
  8. 【請求項８】 半導体プロセスチャンバの内部にさらさ
    れるチャンバ構成部品の一又はそれ以上の表面から残留
    物を除去するための方法であって、 一又はそれ以上のガスを含む混合ガス、ここで、ガスの
    一つは分子モル濃度で混合ガスの少なくとも５０％を構
    成するフッ素分子である、を半導体プロセスチャンバに
    供給するステップを備える方法。
  9. 【請求項９】 上記フッ素分子を前記表面のいずれかの
    シリコンと反応させるために十分に前記表面を熱するス
    テップをさらに有する請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 混合ガスを供給するステップの前に、
    チャンバ構成部品の前記表面にシリコンを含む残留物を
    生成するために半導体プロセスチャンバ内の基板上にシ
    リコン膜を堆積するステップをさらに備え、 混合ガスを供給するステップ中、フッ素分子を前記残留
    物中のシリコンと反応させるために十分に前記表面の温
    度を高める請求項８に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 フッ素分子は、分子モル濃度で混合ガ
    スの少なくとも７０％を構成する請求項８に記載の方
    法。
  12. 【請求項１２】 混合ガスは、フッ素分子以外のいかな
    る反応ガスも実質的に含まない請求項８に記載の方法。
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