KR100760891B1 - 불소 이용 강화를 위한 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판으로부터 원치않는 물질의 제거에 사용되는 공정 기체의 불소 이용을 강화하기 위한 방법에 관한 것이다. 한가지 구체예로, 약 0.01 ~ 약 0.99 범위의 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비를 제공하기에 충분한 양에서 공정 기체에 수소 공급원을 첨가하는 것을 포함하는 불소 공급원을 포함하는 공정 기체의 불소 이용을 강화하는 방법을 제공한다.

Description

불소 이용 강화를 위한 방법 {METHOD FOR ENHANCING FLUORINE UTILIZATION}
도 1은 실시예에서 사용된 실험계의 개략도이다.
도 2는 SiO2 물질의 원격 플라즈마 에칭에서 H2/NF3의 비 대 SiO2 에칭 속도 [나노미터/분 (nm/min)]의 그래프이다.
도 3a는 공정 기체에 수소 공급원을 사용하지 않은 비교 공정에서 나온 배출 가스 스트림의 FTIR 스펙트럼을 제공한다.
도 3b는 공정 기체에 수소 공급원이 포함된 본 명세서에서 개시한 공정에서 나온 배출 가스 스트림의 FTIR 스펙트럼을 제공한다.
화학적 증기 증착 (CVD) 및 원자층 증착 (ALD) 기술은 여러가지 기판, 예를 들면 반도체 소자에 사용되는 실리콘 웨이퍼에 비휘발성 고체 필름을 형성하는데 사용된다. 증착 기술의 추가 예로는 대기압 화학적 증기 증착 (APCVD), 플라즈마 강화 화학적 증기 증착 (PECVD), 저압 화학적 증기 증착 (LPCVD), 물리적 증기 증착 (PVD), 금속-유기 화학적 증기 증착 (MOCVD), 원자층 화학적 증기 증착 (ALCVD), 물리적 증기 증착 (PVD), 스퍼터 코팅 및 에피택셜 증착을 포함한다. 이들 증착 기술은 통상 공정 챔버 속에서 화학적 반응제 또는 전구체의 증기상 혼합물의 도입을 포함하며, 박막 또는 코팅을 형성하기 위해 물질의 표면에서 고정 조건 (예를 들면 온도, 압력, 대기 등) 하에서 반응한다.
증착 기술의 사용과 관련하여 한가지 결점은 공정 챔버 및 여기에 포함된 고정물의 표면에 원치않는 물질의 원치않는 증착 또는 축적이다. PECVD 방법에서, 예를 들면 기판이 소정의 물질로 코팅될 뿐 아니라 플라즈마가 물질과 반응하여 물질이 공정 챔버 안에서 다른 표면에 부착되는 원인이 된다. 유사하게, 업계에서 사용되는 플라즈마 에칭 기술은 에칭 물질 및 챔버 속에 포함된 고정물과 표면의 기체 배출물에서 유래하는 부산물의 증착을 야기한다. 입자 형성을 피하고 안정한 챔버 작동을 유지하기 위해 이들 물질을 주기적으로 제거하는 것이 필요하다. 이들 물질의 조성물 또는 증착 및/또는 에칭 잔여물은 공정 챔버 내에 증착 및/또는 에칭된 필름에 많이 의존하며 통상적으로, 예를 들면 Si, SiO2, 질화 규소 (Si3N4), SiOxNyHz 또는 다른 유전체, 유기규소 물질, 유기규산염 복합 재료, 전이 금속 예컨대, W 및 Ta, 전이 금속 이성분 화합물 예컨대, WNx 및 TaNx, 중합 물질 및 전이 금속 삼성분 화합물 예컨대, WNxCy를 포함할 수 있다. 이들 물질은 다수가 화학적으로 안정한 경향이 있어서 증착 및/또는 에칭 주기의 반복 후에는 제거가 어려워진다.
이들 물질은 에칭 및 증착 공정 동안 챔버의 벽에 원하지 않게 축적될 수 있기 때문에, 공정 챔버는 정기적 세척이 필요하다. 공정 챔버는 통상 스크러빙 또는 블라스팅과 같은 기계적 방법으로 세척하였었다. 기계적 방법에 더하여 또는 기계적 방법 대신에 습식 세척을 챔버 세척에 사용할 수 있다. 상기 방법은, 한정하는 것은 아니지만, 공정 챔버의 휴지 시간을 증가시키고, 높은 부식성 또는 독성 화학물질의 취급을 요구하며 반복적인 축적 및 분해로 공정 챔버의 마모가 증가되는 여러가지 이유로 바람직하지 못하다.
건식 챔버 세척 방법은 공정 챔버를 진공으로 유지하며, 공정 챔버의 휴지 시간을 최소화하고 및/또는 생산성을 증가시키는 장점을 제공하기 때문에 기계적 및/또는 습식 세척 기술의 대안으로 매력적이다. 건식 챔버 세척 공정동안, 반응성 종들은 현장내 플라즈마, 원격 플라즈마, 열적 가열 및 자외선 (UV) 처리와 같은 1 이상의 활성화 방법을 사용하여 전구체로부터 생성된다. 반응성 종은 공정 챔버 내에서 증착 및/또는 에칭 잔여물과 반응하고 휘발성 종들을 형성한다. 진공 조건 하에, 휘발성 종들은 챔버에서 제거되고 결과적으로 챔버는 깨끗해진다. 대부분의 증착 물질 또는 에칭 잔여물은 불소 분자 또는 원자와의 반응에 의해 휘발될 수 있다. 불소 원자 또는 분자의 가장 직접적인 공급원은 불소 (F2) 기체 그 자체이다. 그러나, F2 그 자체는 위험하고 취급이 어렵다. 실제로는 불소 함유 화합물 예컨대, NF3, SF6 또는 예컨대, 퍼플루오로카본 (예컨대, CxFy 및 O2)의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이 불소 함유 화합물로부터 필요한 불소 원자 또는 분자의 생성을 위해, 예컨대, 플라즈마, 가열 또는 UV 처리와 같은 활성화 단계가 필요하다.
불소 함유 기체는 증착 또는 에칭 잔여물의 제거에 효과적이다. 그러나 이 불소 함유 기체의 불소 이용은 특히 원격 플라즈마 다운스트림 화학적 세척에서 때때로 낮다. 여기서 정의된 용어 "불소 이용"은 세척된 물질과의 반응에 의하여 휘발성 종을 형성하기 위해 사용된 불소의 비율을 기술한다.
세척 기체의 불소 이용을 향상시켜 물질 예컨대, 증착 및/또는 에칭 잔여물의 제거 속도를 증가시키는 방법을 본 명세서에 기술하였다. 한가지 구체예로, 약 0.01 ~ 약 0.99 범위의 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비를 제공하기에 충분한 양으로 공정 기체에 수소 공급원을 첨가하는 것을 포함하는, 불소 공급원이 포함된 공정 기체의 불소 이용을 증대시키기 위한 방법을 제공한다.
다른 측면에서, 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비가 약 0.01 ~ 약 0.99 범위인 수소 공급원 및 불소 공급원을 포함하는 군에서 선택된 1 이상의 반응물을 포함하는 공정 기체를 제공하는 단계; 상기 공정 기체를 1 이상의 에너지 공급원을 사용하여 활성화시켜 반응성 종을 형성하는 단계; 반응성 종을 물질과 접촉시켜 1 이상의 휘발성 생성물을 형성하는 단계; 및 공정 챔버로부터 1 이상의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를 포함하는, 물질로 적어도 부분적으로 코팅된 공정 챔버의 표면으로부터 물질을 제거하기 위한 방법을 제공한다.
추가적 측면에서, 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비가 약 0.01 ~ 약 0.99 범위인 수소 공급원 및 불소 공급원을 포함하는 군에서 선택된 1 이상의 반응물을 포함하는 공정 기체를 제공하는 단계; 활성화 단계의 적어도 일부분은 공정 챔버의 외부에서 수행되는, 상기 공정 기체를 1 이상의 에너지 공급원을 사용하여 활성화시켜 반응 종을 형성하는 단계; 반응 종을 물질과 접촉시켜 1 이상의 휘발성 생성물을 형성하는 단계; 및 공정 챔버로부터 1 이상의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를f포함하는, 물질로 적어도 부분적으로 코팅된 공정 챔버의 표면으로부터 물질을 제거하는 방법을 제공한다.
다른 측면에서, 약 0.1 ~ 약 0.3인 범위의 삼불화질소에 대한 수소의 몰비를 제공하기 위한 충분한 양으로 공정 기체에 수소를 첨가하는 것을 포함하는, 삼불화질소가 포함된 공정 기체의 불소 이용 증대를 위한 방법을 제공한다.
세척 기체의 불소 이용을 향상시켜 물질 예컨대, 증착 및/또는 에칭 잔여물의 제거 속도를 증가시키는 방법을 본 명세서에 기술하였다. 불소 공급원 예컨대, 삼불화질소 (NF3)가 일반적으로 전자 및 유리 산업에서 챔버 세척을 위해 사용된다. 현재, 이의 불소 이용은 비교적 낮다. 불소 이용의 증가는 상당히 요구되고 있다. 세척 화학에서 NF3 또는 다른 불소 공급원을 사용하는 구체예에서, 높은 불소 이용율은 소유자의 장치 비용 (CoO)을 감소시킬 것이다.
본 명세서에 개시된 공정은 공정 기체에 일정량의 수소 공급원을 첨가하는 것에 의해 불소 공급원 예컨대, NF3의 불소 이용을 향상시킨다. 놀랍게도 약 0.01 ~ 약 0.99 또는 약 0.01 ~ 약 0.6 또는 약 0.1 ~ 약 0.3 범위의 몰비로 수소 공급원 및 불소 공급원을 조합하여 Si, SiO2, WNxCy, 중합 화합물, 유기규산염 복합물 및/또는 할로겐화 화합물을 포함하는 여러가지 물질의 에칭/제거 속도를 증가시킬 수 있다. 이러한 제안은 불소계 에칭/세척 화학에서 종래의 지식과는 반대이다. 종래 지식은 불소 함유 플라즈마에 수소 공급원을 첨가하면 HF의 형성이 유도되어 반응성 불소h원자가 감소됨으로써 에칭/세척 공정의 유용성이 감소될 수 있음을 시사한다.
본 명세서에 개시된 방법은 공정 챔버 내에 표면의 적어도 일부로부터 여러가지 물질을 세척하는데 유용하다. 제거되는 물질의 비제한적 예는 Si, SiO2, 질화규소 (Si3N4), SiOxNyHz 또는 다른 유전체, 유기규소 물질, 유기규산염 복합 재료, 전이 금속 예컨대, W 및 Ta, 중합 물질, 전이 금속 이성분 화합물 예컨대, WNx 및 TaNx 및 전이 금속 삼성분 화합물 예컨대, WNxCy를 포함한다. 물질은 물질과 반응하여 휘발성 생성물을 형성하기에 충분한 조건 하에서 반응성 종과 접촉시킴으로써 공정 챔버 및 그 안에 포함된 고정물 내의 1 이상의 표면에서 제거될 수 있다. 본 명세서에서 사용된 용어 "휘발성 생성물"은 수소 공급원 및 불소 공급원을 포함하는 반응 기체의 활성화에 의해 형성된 반응 종과 공정 챔버 내의 물질 사이의 반응 생성물 및 반응의 부산물을 의미한다.
본 명세서에 개시된 방법은 공정 챔버 안의 여러가지 물질을 세척하는데 유용하며 여러가지 고정물의 표면은, 한정하는 것은 아니지만, 손상을 최소화하기 위해 유체 입구 및 출구, 샤워 꼭지, 시편 가대 등을 포함한다. 대표적인 공정 챔버는 화학적 증기 증착 (CVD) 반응기, 금속-유기 화학적 증기 증착 (MOCVD) 반응기, 원자층 증착 (ALD) 반응기, 원자층 화학적 증기 증착 (ALCVD) 반응기, 물리적 증기 증착 (PVD) 반응기 및 스퍼터 코팅 반응기를 포함한다. 챔버 및 여기에 포함된 고 정물의 표면은 금속 예컨대, 티타늄, 알루미늄, 강철, 니켈 또는 이를 포함하는 합금 및/또는 절연 물질, 예컨대, 세라믹, 예를 들면 석영 또는 Al2O3를 포함하는 여러가지 다른 물질을 포함할 수 있다.
공정 기체는 수소 공급원, 불소 공급원 및 임의로 1 이상의 불활성 희석제 기체를 포함한다. 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비는 약 0.01 ~ 약 0.99 또는 약 0.1 ~ 약 0.6 또는 약 0.1 ~ 약 0.3의 범위이다. 몰비는 공정 기체 내 수소 및 불소 공급원에 따라 매우 달라질 수 있다. 예컨대, 공정 기체가 수소 및 불소 공급원으로서 각각 H2 및 NF3을 포함하는 경우와 같은 한가지 구체예에서, 바람직한 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비는 약 0.1 ~ 약 0.3 이다. 그러나, 예컨대, 공정 기체가 H2 및 F2를 포함하는 경우와 같은 다른 구체예에서, 몰비는 약 0.01 ~ 약 0.99로 더 넓을 수 있다. 사용할 수 있는 수소 공급원의 예로는 수소 (H2), 암모니아 (NH3), 메탄 (CH4), 삼플루오로메탄 (CHF3), 플루오로메탄 (CH3F), CH2F2 및 그것의 혼합물을 포함한다. 공정 기체에 존재하는 수소 공급원의 양은 총 부피 또는 공정 기체를 기준으로 0.1 부피% ~ 99.9 부피% 또는 0.1 부피% ~ 50 부피% 또는 0.1 부피% ~ 40 부피% 범위일 수 있다.
공정 기체는 불소 공급원을 포함한다. 여기서 기술된 공정에 적절한 불소 공급원의 예는 HF (불산), NF3 (삼불화질소) SF6 (육불화황), FNO (불화니트로실), C3F3N3 (불화시안), C2F2O2 (불화옥살일), 퍼플루오로카본 예컨대, CF4, C2F6, C3F8, C4F8 등, 히드로플루오로카본 예컨대, CHF3 및 C3F7H 등, 히드로플루오로에테르 (예를 들면, CF3-O-CH3 (메틸 트리플루오르옥메틸 에테르)),옥시플루오로카본 예컨대, C4F8O (퍼플루오로테트라히드로푸란) 등, 산소화 히드로플루오로카본 예컨대, CH3OCF3 (HFE-143a), 하이포플루오라이트 예컨대, CF3-OF (플루오르옥시트리플루오로메탄 (FTM)) 및 FO-CF2-OF (비스-디플루오르옥시-디플루오로메탄 (BDM)) 등, 플루오로퍼옥사이드 예컨대, CF3-O-O-CF3 (비스-트리플루오로-메틸-퍼옥사이드 (BTMP)), F-O-O-F 등, 플루오로트리옥사이드 예컨대, CF3-O-O-O-CF3 등, 플루오로아민 예컨대, CF5N (퍼플루오로메틸아민), 플루오로니트릴 예컨대, C2F3N (퍼플루오로아세토니트릴), C3F6N (퍼플루오로프로프리오니트릴) 및 CF3NO (트리플루오로니트로실메탄) 및 COF2 (카르보닐 플루오라이드)를 포함한다. 불소 공급원은, 한정하는 것은 아니지만, 예컨대, 종래의 주사기, 안전한 전달 시스템, 진공 전달 시스템 및/또는 사용의 관점에서 불소 공급원을 생성하는 고체 또는 액체계 발생기와 같은 여러가지 수단에 의해 전달될 수 있다. 공정 기체 내에 존재하는 불소 공급원의 양은 공정 기체 총부피를 기준으로 0.1 부피% ~ 99.9 부피% 또는 25 부피% ~ 99 부피%일 수 있다.
어떤 구체예에서, 1 이상의 불활성 희석 기체를 공정 기체에 첨가할 수 있다. 불활성 희석 기체의 예로 질소, CO2, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논을 포함한다. 공정 기체 내에 존재할 수 있는 불활성 희석 기체의 양은 공정 기체 총 부피를 기준으로 0 부피% ~ 99.9 부피% 범위일 수 있다.
어떤 구체예에서, 공정 기체는 실질적으로 산소 또는 산소 공급원을 포함하지 않는다. 산소 공급원의 예로는 산소 (O2), 오존 (O3), 일산화탄소 (CO), 이산화탄소 (CO2), 이산화질소 (NO2), 아산화질소 (N2O), 산화질소 (NO), 물 (H2O) 및 그것의 혼합물을 포함한다.
공정 기체는, 한정하는 것은 아니지만, 반응 종을 형성하기 위한 1 이상의 에너지 공급원 예컨대, 현장내 플라즈마, 원격 플라즈마, 원격 열/촉매 활성화, 제자리 열적 가열, 전자 부착 및 광활성화에 의해 활성화시킬 수 있다. 공급원은 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다.
열 또는 플라즈마 활성화 및/또는 증대는 일정한 물질의 에칭 및 세척의 효율에 상당한 영향을 줄 수 있다. 열적 가열 활성에서, 공정 챔버 및 거기에 포함된 고정물은 저항성 가열기 또는 강한 램프에 의해 가열된다. 공정 기체는 반응성 라디칼과 원자로 열 분해되며, 이것은 이후 제거시킬 물질을 휘발시킨다. 온도 상승은 반응 활성 에너지 장벽을 극복하고 반응 속도를 증대시키기 위한 에너지 공급원을 제공할 수 있다. 열적 활성화 동안, 기판은 100℃ 이상 또는 300℃ 이상 또는 500℃ 이상으로 가열할 수 있다. 압력 범위는 일반적으로 10 mTorr ~ 760 Torr 또는 1 Torr ~ 760 Torr이다.
현장내 활성화원 예컨대, 현장내 플라즈마를 공정 기체의 활성화에 사용하는 구체예에서, 공정 기체 내에 함유된 수소 및 불소 기체 분자는 방전에 의해 분해되어 반응성 종 예컨대, 반응성 이온 및 라디칼을 형성한다. 불소 함유 이온 및 라디칼은 원치않는 물질과 반응하여 진공 펌프에 의해 공정 챔버에서 제거될 수 있는 휘발성 종을 형성할 수 있다. 현장내 플라즈마 활성화 동안, 13.56 MHz RF 동력 공급, 0.2 W/㎝2 이상 또는 0.5 W/㎝2 이상 또는 1 W/㎝2 이상의 RF 동력 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 접지된 챔버 벽 및/또는 그안에 포함된 고정물의 세척을 강화하기 위해 13.56 MHz 미만의 RF 진동수에서 현장내 플라즈마를 작동할 수 있다. 작동 압력은 일반적으로 2.5 mTorr ~ 100 Torr 또는 5 mTorr ~ 50 Torr 또는 10 mTorr ~ 20 Torr이다. 임의로, 열적 및 플라즈마 강화를 조합할 수 있다.
한가지 구체예로, 원격 활성화원 예컨대, 한정하는 것은 아니지만, 원격 플라즈마 공급원, 원격 열적 활성화 공급원, 원격 촉매 활성된 공급원 또는 열 및 촉매 활성이 결합된 공급원을 현장내 플라즈마에 더하여 사용하여 휘발성 생성물을 발생시킨다. 원격 플라즈마 세척에서, 공정 기체는 원치않는 물질을 증발시키기 위해 공정 챔버 속으로 도입된 증착 챔버의 외부 반응성 종을 형성하기 위해 활성화된다. RF 또는 마이크로파 공급원은 원격 플라즈마 공급원을 발생시킬 수 있다. 더하여, 원격 플라즈마 생성 반응성 종과 제거될 물질 사이의 반응은 반응기의 가열에 의해 활성화/강화될 수 있다. 원격 플라즈마 생성 반응성 종과 제거될 물질 사이의 반응은 공정 기체 내에 함유된 수소 및 불소 함유 공급원을 분리하기에 충분한 온도로 반응기를 가열하여 활성화 및/또는 강화될 수 있다. 제거되는 물질을 사 용하는 세척 반응을 활성화시키는데 요구되는 구체적인 온도는 공정 기체 방법에 따라 달라진다.
대안적으로, 세척 분자는 반응성 라디칼 및 원자를 형성하기 위한 강한 자외선 (UV) 복사에너지에 의해 분해될 수 있다. UV 복사에너지는 원하지 않는 물질에서 강한 화학적 결합을 끊는데 도움이 될 수 있으므로 제거될 물질의 제거 속도는 증가한다.
원격 열적 활성화에서, 공정 기체는 우선 가열 구역을 통과하여 공정 챔버의 외부로 흐른다. 여기서 기체는 세척된 챔버의 외부 용기 내에서 고온과 접촉하여 분해된다. 대안적 접근은 공정 기체의 분해를 위한 촉매 변환기의 사용 또는 공정 기체 내의 수소 및 불소 공급원의 활성화 촉진을 위한 열적 가열 및 촉매 크래킹의 결합을 포함한다.
대안적인 구체예로, 공정 기체 내의 수소 및 불소 공급원의 분자는 광양자에 강하게 노출되어 분해되어 반응성 종을 형성할 수 있다. 자외선의 예로, 원자외선 및 진공 자외선 복사에너지는 원치않는 물질의 제거 속도를 증가시키기 위해 공정 기체 내의 수소 및 불소 공급원의 분리와 동시에 제거된 물질에서 강한 화학적 결합을 끊는데 도움을 줄 수 있다.
세척 공정을 위한 다른 활성화 및 강화 방법이 사용될 수 있다. 예를 들면, 반응성 종을 발생시키고 에칭/세척 반응을 강화하는 원격 또는 현장내 광양자 유도된 화학적 반응을 사용할 수 있다. 공정 챔버를 세척하는 동안 반응성 종을 형성하기 위하여 세척 기체의 촉매 전환을 사용할 수 있다.
본 명세서에 기술된 방법은 하기 실시예에 언급하여 좀더 상세히 도시하였으나, 본 방법을 제한하는 것으로 간주되는 것은 아니다.
실시예
하기는 특정한 몰비로 불소 공급원에 수소 공급원을 첨가하는 것이, Si, SiO2 및 WNxCy를 포함하는 여러가지 물질의 에칭 속도를 증대시키는 방법을 보여주는 실험적 예이다.
도 1은 실험 장비를 도식화한 것이다. MKS (Model Astron AX7561)의 원격 플라즈마 발전기는 반응 챔버의 상부에 직접 고정시켰다. Astron 출구와 실험 샘플 사이의 거리는 약 6 인치이다. 도 1은 실험 장치를 도식화하여 보여준다. 원격 플라즈마 발전기 (10) (MKS ASTRON, 미국 매사츄세츠 주 윌밍톤의 MKS Instrunemt에서 구입)은 반응기 (12)의 상부에 고정시켰다. 플라즈마 발전기 (10)의 출구 (14)와 실험 샘플 (16) 사이의 거리는 약 6 인치 (15.25 ㎝)이다. 샘플 (16)은 축받이 가열기 (18)의 표면에 놓아두었다. 가열기는 상이한 기판 온도를 얻기 위해 사용하였다. 공정 기체는 파이프 (20)를 거쳐 플라즈마 발생기 (10)에 공급되었다. 모든 작동에서, 펌프 포트 (22)의 보조로 챔버 압력이 4 torr로 유지되었다.
각각의 실험이 진행되는 동안, 실험 샘플은 공정 챔버 안의 지지판 위에 놓여있다. 그후 챔버를 진공시켰다. 공정 기체는 챔버 속으로 공급되고 챔버 압력이 안정화되었다. 반응 기체는 그후 원격 플라즈마에 의해 활성화되었다. 세부적인 실험 방법은 하기에 정리하였다:
1. 챔버를 배출시키고 앞문을 연다;
2. 실험 샘플을 올려 놓고 앞문을 닫는다;
3. 진공 압력이 기준에 도달할 때까지 챔버를 진공시킨다;
4. 아르곤 (Ar)을 주입하고 압력을 안정화 한다;
5. 원격 플라즈마 전원을 켠다;
6. 공정 기체를 주입한다;
7. 예약 작동 시간 후에 원격 플라즈마 전원은 끈다;
8. 공정의 진행을 멈추고 챔버를 진공시킨다;
9. 챔버를 배출시키고 분석을 위해 실험 샘플을 회수한다.
WNxCy와 SiO2의 경우, 에칭 속도는 원격 플라즈마 처리 전후의 샘플 두께 차이에 의해 결정하였다. WNxCy의 두께는 프로필러미터에 의해 측정하는 반면 SiO2의 두께는 반사율 측정기로 측정하였다. Si의 에칭 속도는 원격 플라즈마 처리 전후의 샘플의 중량 변화로 결정하였다. WNxCy의 1 인치의 사각 시편, 4 인치 블랭크 Si 웨이퍼 및 1 마이크로미터 SiO2 필름이 코팅된 4 인치 실리콘 웨이퍼를 실험 샘플로 사용하였다.
실시예 1 : 규소 ( Si ) 물질의 원격 플라즈마 세척
수소 공급원을 추가하거나 추가하지 않은 활성화된 공정 기체의 원격 플라즈마의 효과를 예시한 실험에서 실리카 (Si) 실험 샘플 (예를 들면, 4 인치 블랭크 Si 웨이퍼)을 사용하여 여기에 도시하였다. 실험 장치는 상기 기술한 것과 동일하다. 표1은 물질로 Si를 사용했을 때의 실험적 결과를 나열하였다. 저울은 원격 플라즈마 처리 전후의 Si 실험 샘플의 중량 변화 측정에 사용하였다. Si 제거 속도는 원격 플라즈마 처리의 단위 시간 당 Si 중량 손실로 정의하였다. 표 1은 H2의 첨가로 Si 제거가 125% 이상 상당히 증가하였음을 보여준다.
Si 물질의 원격 플라즈마 에칭
실험 NF3 유량 (sccm) Ar 유량 (sccm) H2 유량 (sccm) H2/NF3 몰비 Si 제거 속도 (mg/min)
비교예 1 50 50 0 0 8
실시예 1 50 50 10 0.2 18
실시예 2 : 이산화규소 ( SiO 2 ) 물질의 원격 플라즈마 세척
실험 장치는 상기 기술한 것과 동일하다. 도 2는 SiO2 에칭 속도에서 H2/NF3 몰비의 영향을 그래프로 도시하여 제공하였다. 50 sccm Ar, 50 sccm NF3 및 4 torr 챔버 압력의 조건에서 SiO2의 에칭 속도는 H2/NF3 몰비의 증가와 함께 증가하였다. 도 2는 에칭 속도 증가가 높은 H2/NF3 비에서 상당히 작다는 것을 보여준다. H2/NF3 몰비가 0.4에 도달할 때, 원격 플라즈마는 차이를 나타내었다. 결과에 따르면, 0.4의 H2/NF3 비에서는 에칭이 없었다.
도 3a 및 3b는 각각 H2 첨가를 사용하거나 또는 사용하지 않는 SiO2 에칭 공정동안 배출 가스 스트림의 FTIR 스펙트럼을 제공한다. 도 3a 및 3b의 비교는 H2 첨가로 HF가 발생되고 SiF4 수율 강도가 증가됨을 보여준다. HF 발생을 위한 한가지 가능한 반응 경로는 H· + F2 → HF + F·이다. 여기에서, 더 많은 F·라디칼은 H·라디칼 및 재조합된 F2 분자 간의 반응을 통하여 발생되므로 NF3 이용이 증가한다고 믿어진다. 도 3a와 비교한 도 3b의 SiF4 수율 강도의 증가는 H2 첨가로 SiO2 에칭 속도 및 NF3 이용이 증가됨을 추가로 확인해 주었다.
표 2는 50 sccm, 100 sccm 및 150 sccm의 3 가지 다른 NF3 유속 및 H2의 첨가 또는 비첨가시 SiO2 에칭의 여러가지 실험 결과를 제공한다. 표 2의 결과는 SiO2 에칭에 미치는 H2의 첨가 효과는 낮은 유량 범위에서 더 효과적임을 나타낸다.
SiO2 물질의 원격 플라즈마 에칭
실험 NF3 유량 (sccm) Ar 유량 (sccm) H2 유량 (sccm) SiO2 에칭 속도 (nm/min)
비교예 2a 50 50 0 14
실시예 2a 50 50 8.5 25
비교예 2b 100 100 0 23
실시예 2b 100 100 15 39
비교예 2c 150 150 0 50
실시예 2c 150 150 22.5 62
NF3과 H2 사이의 독특한 상호 작용을 확인하기 위해, NF3에 첨가 기체로서 Ar, He 및 O2의 3 가지 다른 기체가 SiO2 에칭에 미치는 영향을 각각 실험하였다. 표 3은 다른 첨가 기체를 사용한 SiO2 에칭 속도 변화를 나열하였다. 동일한 NF3 유속 (100 sccm), 챔버압력 (4 torr) 및 NF3에 첨가된 기체의 몰비 하에서 H2는 SiO2 에칭 속도를 상당히 증가시키는 단 1 개의 첨가 기체임이 발견되었다. 반대로, 0.15의 O2/NF3 비에서 O2 첨가는 SiO2 에칭 속도를 절반으로 감소시킨다. 표 3의 결과는 H2 첨가로 인한 에칭 속도의 증가를 나타낸다.
상이한 첨가 기체 하의 SiO2 에칭 속도 비교
첨가 기체 NF3 유량 (sccm) Ar 유량 (sccm) 첨가 기체 유량 (sccm) NF3에 대한 첨가 기체의 몰비 기준예에 대한 SiO2 에칭 속도
비교예 2d (없음) 100 100 0 0 1
실시예 2d (H2) 100 100 15 0.15 1.3
비교예 2e (Ar) 100 100 15 0.15 1
비교예 2f (He) 100 100 15 0.15 1
비교예 2g (O2) 100 100 20 0.2 0.6
실시예 3 : 터너리 텅스텐 나이트라이드 카바이드 ( WN x C y )의 원격 플라즈마 세척
동일한 Ar 및 NF3 유속 (Ar 및 NF3 모두 50 sccm), 동일한 반응기 챔버 압력 (4 torr) 및 동일한 에칭 시간 (2 분)에서 H2 유속를 0 ~ 15 sccm 변화하면서 증가시켰다. 표 4는 상이한 H2 유량 비율에서 WNxCy 에칭 속도를 나열하였다. 10 sccm H2 또는 15 sccm H2의 첨가시 전체 WNxCy 층이 에칭되었다. 더하여, 상당한 양의 Si가 또한 두 조건에서 에칭되었다. 모든 실험 조건 중에서, 0.2의 H2/NF3 비에서 필름 두께가 가장 감소하였으며, 그것이 WNxCy 물질의 에칭을 위한 최적의 H2/NF3 몰비임을 의미한다.
WNxCy 물질의 원격 플라즈마 에칭
실험 NF3 유량 (sccm) Ar 유량 (sccm) H2 유량 비율 H2/NF3 (몰비) 에칭으로 인한 필름 두께 변화 (nm) WNxCy 에칭 속도 (nm/min)
비교예 3 50 50 0 0 60 30
실시예 3a 50 50 5 0.1 53 27
실시예 3b 50 50 10 0.2 622 >45
실시예 3c 50 50 15 0.3 378 >45
본 명세서에 개시된 공정은 공정 기체에 일정량의 수소 공급원을 첨가하는 것에 의해 불소 공급원 예컨대, NF3의 불소 이용을 향상시킨다. 놀랍게도 약 0.01 ~ 약 0.99 또는 약 0.01 ~ 약 0.6 또는 약 0.1 ~ 약 0.3 범위의 몰비로 수소 공급원 및 불소 공급원을 조합하여 Si, SiO2, WNxCy, 중합 화합물, 유기규산염 복합물 및/또는 할로겐화 화합물을 포함하는 여러가지 물질의 에칭/제거 속도를 증가시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. 약 0.01 ~ 약 0.99 범위의 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비를 제공하기에 충분한 양으로 공정 기체에 수소 공급원을 첨가하여 수소-함유 공정 기체를 정의하는 단계로서, 상기 불소 공급원은 HF, NF3; SF6; COF2; NOF; C3F3N3; C2F2O2; 퍼플루오로카본; 히드로플루오로 카본; 옥시플루오로 카본; 산소화 히드로플루오로 카본; 하이포플루오라이트; 히드로플루오로에테르; 플루오로퍼옥시드; 플루오로트리옥시드; 플루오로아민; 플루오로니트릴 및 그것의 혼합물에서 선택된 1 이상을 포함하는 것인 단계;
    상기 수소-함유 공정 기체를 1 이상의 에너지 공급원을 사용하여 활성화시켜 반응 종을 형성하는 단계;
    반응 종을 공정 챔버의 표면과 접촉시켜 1 이상의 휘발성 생성물을 형성하는 단계로서, 상기 표면은 Si, SiO2, 터너리(ternary) 텅스텐 나이트라이드 카바이드, 중합 화합물, 유기규산염 복합물 및 할로겐화 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 잔여물을 포함하는 것인 단계; 및
    공정 챔버로부터 1 이상의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를 포함하는,
    불소 공급원을 포함하는 공정 기체의 불소 이용강화를 위한 방법.
  2. 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비가 약 0.01 ~ 약 0.99 범위인 수소 공급원 및 불소 공급원을 포함하는 군에서 선택된 1 이상의 반응물을 포함하는 공정 기체를 제공하는 단계로서, 상기 불소 공급원은 HF, NF3; SF6; COF2; NOF; C3F3N3; C2F2O2; 퍼플루오로카본; 히드로플루오로 카본; 옥시플루오로 카본; 산소화 히드로플루오로 카본; 하이포플루오라이트; 히드로플루오로에테르; 플루오로퍼옥시드; 플루오로트리옥시드; 플루오로아민; 플루오로니트릴 및 그것의 혼합물에서 선택된 1 이상을 포함하는 것인 단계;
    상기 공정 기체를 1 이상의 에너지 공급원을 사용하여 활성화시켜 반응 종을 형성하는 단계;
    반응 종을 상기 물질과 접촉시켜 1 이상의 휘발성 생성물을 형성하는 단계; 및
    공정 챔버로부터 1 이상의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를 포함하는,
    공정 챔버의 표면에 잔류하는 물질을 제거하는 방법.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서, 수소 공급원은 H2; NH3; CH4; CHF3; CH2F2; CH3F 및 그것의 혼합물에서 선택된 1 이상을 포함하는 것인, 공정 챔버의 표면에 잔류하는 물질을 제거하는 방법.
  5. 제2항에 있어서, 공정 기체는 N2, He, Ne, Kr, Xe, Ar 및 그것의 혼합물에서 선택된 1 이상의 불활성 희석제 기체를 더 포함하는 것인, 공정 챔버의 표면에 잔류하는 물질을 제거하는 방법.
  6. 제2항에 있어서, 1 이상의 에너지 공급원은 원격 플라즈마 공급원인 것인, 공정 챔버의 표면에 잔류하는 물질을 제거하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 플라즈마는 0.5 ~ 50 Torr의 플라즈마 압력에서 발생되는 것인, 공정 챔버의 표면에 잔류하는 물질을 제거하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 플라즈마 발생기는 100 ~ 10,000 Watt의 RF 전력 범위를 가지는 것인, 공정 챔버의 표면에 잔류하는 물질을 제거하는 방법.
  9. 불소 공급원에 대한 수소 공급원의 몰비가 약 0.01 ~ 약 0.99 범위인 수소 공급원 및 불소 공급원을 포함하는 군에서 선택된 1 이상의 반응물을 포함하는 공정 기체를 제공하는 단계로서, 상기 불소 공급원은 HF, NF3; SF6; COF2; NOF; C3F3N3; C2F2O2; 퍼플루오로카본; 히드로플루오로 카본; 옥시플루오로 카본; 산소화 히드로플루오로 카본; 하이포플루오라이트; 히드로플루오로에테르; 플루오로퍼옥시드; 플루오로트리옥시드; 플루오로아민; 플루오로니트릴 및 그것의 혼합물에서 선택된 1 이상을 포함하는 것인 단계;
    활성화 단계의 적어도 일부분은 공정 챔버의 외부에서 수행되는, 상기 공정 기체를 1 이상의 에너지 공급원을 사용하여 활성화시켜 반응 종을 형성하는 단계;
    반응 종을 상기 물질과 접촉시켜 1 이상의 휘발성 생성물을 형성하는 단계; 및
    공정 챔버로부터 1 이상의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를 포함하는,
    공정 챔버의 표면에 잔류하는 물질을 제거하는 방법.
  10. 약 0.1 ~ 약 0.3 범위의 삼불화질소에 대한 수소의 몰비를 제공하기에 충분한 양으로 공정 기체에 수소를 첨가하는 것을 포함하는 삼불화질소를 포함하는 공정 기체의 불소 이용을 강화하는 방법.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4272486B2 (ja) * 2003-08-29 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成装置の洗浄方法
US20060090773A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Applied Materials, Inc. Sulfur hexafluoride remote plasma source clean
US20090047447A1 (en) * 2005-08-02 2009-02-19 Sawin Herbert H Method for removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapor deposition reactor
WO2007070116A2 (en) * 2005-08-02 2007-06-21 Massachusetts Institute Of Technology Remote chamber method using sulfur fluoride for removing surface deposits from the interior of a cvd /pecvd- plasma chamber
US7820127B2 (en) * 2005-08-26 2010-10-26 Showa Denko K.K. Method and apparatus for producing nitrogen trifluoride
US7368394B2 (en) * 2006-02-27 2008-05-06 Applied Materials, Inc. Etch methods to form anisotropic features for high aspect ratio applications
US7759249B2 (en) * 2006-03-28 2010-07-20 Tokyo Electron Limited Method of removing residue from a substrate
US8507879B2 (en) * 2006-06-08 2013-08-13 Xei Scientific, Inc. Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in an oxygen radical source
US20070284541A1 (en) * 2006-06-08 2007-12-13 Vane Ronald A Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in a oxygen radical source
WO2008012665A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Method of cleaning film forming apparatus and film forming apparatus
US20080142039A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of nitride deposits
JP2008235562A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Taiyo Nippon Sanso Corp プラズマｃｖｄ成膜装置のクリーニング方法
US20100151677A1 (en) * 2007-04-12 2010-06-17 Freescale Semiconductor, Inc. Etch method in the manufacture of a semiconductor device
JP2009152539A (ja) * 2007-11-30 2009-07-09 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体デバイスの連続製造方法及びチャンバー
KR20120092112A (ko) * 2009-09-18 2012-08-20 솔베이 플루오르 게엠베하 상압에서 태양전지용 웨이퍼를 제조하는 방법
US20110088718A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Matheson Tri-Gas, Inc. Chamber cleaning methods using fluorine containing cleaning compounds
US8501629B2 (en) * 2009-12-23 2013-08-06 Applied Materials, Inc. Smooth SiConi etch for silicon-containing films
US20150097485A1 (en) * 2013-10-08 2015-04-09 XEI Scientific Inc. Method and apparatus for plasma ignition in high vacuum chambers
JP6230930B2 (ja) * 2014-02-17 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
US9257638B2 (en) * 2014-03-27 2016-02-09 Lam Research Corporation Method to etch non-volatile metal materials
CN103962353B (zh) * 2014-03-31 2016-03-02 上海华力微电子有限公司 等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法
US9595467B2 (en) * 2014-11-14 2017-03-14 Applied Materials, Inc. Air gap formation in interconnection structure by implantation process
KR102504833B1 (ko) 2017-11-16 2023-03-02 삼성전자 주식회사 식각 가스 혼합물과 이를 이용한 패턴 형성 방법과 집적회로 소자의 제조 방법
US20200286742A1 (en) * 2019-03-06 2020-09-10 Kateeva, Inc. Remote plasma etch using inkjet printed etch mask
US11262664B2 (en) * 2019-11-19 2022-03-01 Kla Corporation System and method for protecting optics from vacuum ultraviolet light
JPWO2022085520A1 (ko) * 2020-10-22 2022-04-28

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5923875A (ja) 1982-07-30 1984-02-07 Sony Corp ドライエツチング方法
KR20010089880A (ko) * 2000-03-27 2001-10-12 조셉 제이. 스위니 반도체 처리용 챔버를 세정하기 위한 불소 처리 방법
EP1210468A1 (de) 2000-06-21 2002-06-05 Messer Griesheim Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen eines pvd- oder cvd-reaktors sowie von abgasleitungen desselben
US6569257B1 (en) 2000-11-09 2003-05-27 Applied Materials Inc. Method for cleaning a process chamber
JP3421329B2 (ja) 2001-06-08 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法
KR20040037162A (ko) * 2002-07-01 2004-05-04 자이단호우진 치큐칸쿄 산교기쥬츠 켄큐키코 불소 가스에 의한 세정 기구를 구비하는 ｃｖｄ 장치 및ｃｖｄ 장치의 불소 가스에 의한 세정 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0752718B2 (ja) * 1984-11-26 1995-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
US4923828A (en) * 1989-07-07 1990-05-08 Eastman Kodak Company Gaseous cleaning method for silicon devices
JP2804700B2 (ja) * 1993-03-31 1998-09-30 富士通株式会社 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JPH0786242A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
FR2740725B1 (fr) * 1995-11-06 1998-01-23 Sempag Sa Dispositif de mise en ligne d'une bande utilisee dans une machine rotative d'impression
US5788778A (en) * 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
US6692903B2 (en) * 2000-12-13 2004-02-17 Applied Materials, Inc Substrate cleaning apparatus and method
US6581612B1 (en) * 2001-04-17 2003-06-24 Applied Materials Inc. Chamber cleaning with fluorides of iodine
JP4409134B2 (ja) * 2001-10-09 2010-02-03 パナソニック株式会社 実装システム
US6843858B2 (en) * 2002-04-02 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a semiconductor processing chamber
US7357138B2 (en) * 2002-07-18 2008-04-15 Air Products And Chemicals, Inc. Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5923875A (ja) 1982-07-30 1984-02-07 Sony Corp ドライエツチング方法
KR20010089880A (ko) * 2000-03-27 2001-10-12 조셉 제이. 스위니 반도체 처리용 챔버를 세정하기 위한 불소 처리 방법
EP1210468A1 (de) 2000-06-21 2002-06-05 Messer Griesheim Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen eines pvd- oder cvd-reaktors sowie von abgasleitungen desselben
US6569257B1 (en) 2000-11-09 2003-05-27 Applied Materials Inc. Method for cleaning a process chamber
JP3421329B2 (ja) 2001-06-08 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法
KR20040037162A (ko) * 2002-07-01 2004-05-04 자이단호우진 치큐칸쿄 산교기쥬츠 켄큐키코 불소 가스에 의한 세정 기구를 구비하는 ｃｖｄ 장치 및ｃｖｄ 장치의 불소 가스에 의한 세정 방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020010089880
1020040037162

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