JP2002012401A - 膜反応装置及びガス合成システム - Google Patents
膜反応装置及びガス合成システムInfo
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Abstract
成方法、脱硝方法及び酸素製造方法を提供する。 【解決手段】 発電機10等を駆動する燃焼装置(ボイ
ラ)11からの燃焼排ガス12を圧縮する圧縮手段13
と、該圧縮ガス14を加熱する加熱手段である熱交換器
15と、酸素イオン・電子混合導電体セラミックス膜1
6を隔壁として、一方を酸素分圧の高い高圧室17Hと
すると共に他方を酸素分圧の低い低圧室17Lとしてな
る膜反応装置17と、該膜反応装置17を加熱する加熱
手段18とを具備してなる。
Description
該装置を用いた有用ガス生成方法、脱硝方法、高酸素濃
縮空気製造方法及び酸素製造方法に関する。
混合物である合成ガスは、メタノール及びアンモニア等
の各種合成原料として、その他、石油精製用の水素源と
して製造されている。水素(H2 )と一酸化炭素(C
O)との合成ガスは、従来においては、主に下記のよう
な化学反応プロセスによって製造されている。
H4 )等の炭化水素と水蒸気とを高温で反応させる。下
記(1) 式に示すように、メタン改質反応は、吸熱反応で
あり、炭化水素はスチームと共に触媒が充填された反応
管にガス状態で供給され、反応に必要な熱は外部から加
熱して供給している。反応管出口のガス組成は、入口の
S/C比(スチームモル数/原料炭化水素のカーボンモ
ル数)及び温度、圧力に依存する。ここで、一般的には
反応温度は400〜1000(〜1200℃)程度の高
温度域で行われる。 CH4 +H2 O → CO+3H2 (吸熱) …(1) CO +H2 O → CO2 +H2 (発熱) …(2)
ロセスにおいては、上記触媒性能を維持させるために
は、触媒上の炭素析出防止及び原料ガス中に含まれる硫
黄成分による触媒被毒を防止する必要がある。また、炭
素の析出を防止するために、水蒸気の量は(1) 式の反応
で消費される3倍程度が必要となる。また、排ガス中の
硫黄被毒を防止するために、改質触媒供給前に脱硫装置
を設置する必要がある。すなわち、当該方法を実施する
場合においては、多量の熱供給及び水蒸気の供給が必要
となり、さらに脱硫等の前処理工程が必要なため、きわ
めてエネルギー消費の多いプロセスである。
ン等の炭化水素と酸素とを反応させている。 CH4 + 1/2O2 → CO+2H2 (発熱) …(3)
上の高温に達するので、耐熱性の高い触媒が必要であ
る。この部分酸化は、上記スチームリフォーミングプロ
セスの場合と比較して、触媒表面に炭素が析出し易い傾
向がある。この炭素の析出には、触媒活性の低下をもた
らすばかりではなく、時には触媒反応管の閉塞といった
深刻な問題を引き起こす可能性がある。また、酸素供給
用のプラントが別途必要となるという問題がある。
に該装置を用いたガス合成システム、並びに脱硝方法及
び酸素製造システムを提供することを目的とする。
[請求項1]の発明は、酸素イオン透過性導電体セラミ
ックス膜の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、
他方の面の酸素ガス分圧を低くし、一方の酸素ガス分圧
の高い面に燃焼排ガスを供給すると共に、他方の酸素ガ
ス分圧の低い面に炭化水素を含有するガスを供給すると
共に、温度を200〜1200℃に維持し、上記燃焼排
ガス中の酸素若しくは窒素酸化物から酸素を引き抜き、
上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イ
オン及び電子を移動させてなり、該移動した酸素イオン
により、上記供給したガス中のCH4 等の炭化水素を部
分酸化してCO及びH2 を得ることを特徴とする。
導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧を高く
すると共に、他方の面を真空排気により酸素ガス分圧を
低くし、一方の酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供
給し、温度を200〜1200℃に維持し、上記燃焼排
ガス中の酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体
セラミックス膜内で酸素イオン及び電子を移動させてな
り、該移動した酸素イオンから酸素を得ることを特徴と
する。
導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧を高く
すると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、一方の
酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供給すると共に、
他方の酸素ガス分圧の低い面に不活性ガスを供給し、温
度を200〜1200℃に維持し、上記燃焼排ガス中の
酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セラミッ
クス膜内で酸素イオン及び電子を移動させてなり、該移
動した酸素イオンから酸素を得ることを特徴とする。
導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧を高く
すると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、一方の
酸素ガス分圧の高い面に空気を供給すると共に、他方の
酸素ガス分圧の低い面に炭化水素を含有するガスを供給
すると共に、温度を200〜1200℃に維持し、上記
空気から酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体
セラミックス膜内で酸素イオン及び電子を移動させてな
り、該移動した酸素イオンにより、上記供給したガス中
のCH4 等の炭化水素を部分酸化してCO及びH2 を得
ることを特徴とする。
導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧を高く
すると共に、他方の面を真空排気し、酸素ガス分圧を低
くし、一方の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給し、温
度を200〜1200℃に維持し、上記空気から酸素を
引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
内で酸素イオン及び電子を移動させてなり、該移動した
酸素イオンから酸素を得ることを特徴とする。
導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧を高く
すると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、一方の
酸素ガス分圧の高い面に空気を供給すると共に、他方の
酸素ガス分圧の低い面に不活性ガスを供給し、温度を2
00〜1200℃に維持し、上記燃焼排ガス中の酸素を
引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
内で酸素イオン及び電子を移動させてなり、該移動した
酸素イオンから酸素を得ることを特徴とする。
するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱す
る加熱手段と、請求項1の膜反応装置と、上記膜反応容
器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオ
ン透過性導電体セラミックス膜に炭化水素を供給し、上
記燃焼排ガス中の酸素若しくは窒素酸化物から酸素を引
き抜き、上記セラミックス膜中で酸素イオン及び電子を
移動させ、該移動した酸素イオンにより、上記供給した
ガス中のCH4 等の炭化水素を部分酸化してCO及びH
2 を得ることを特徴とする。
するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱す
る加熱手段と、請求項2の膜反応装置と、上記膜反応容
器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオ
ン透過性導電体セラミックス膜の一方の面を真空排気に
より低酸素分圧化し、上記燃焼排ガス中の酸素若しくは
窒素酸化物から酸素を引き抜き、上記セラミックス膜中
で酸素イオン及び電子を移動させ、該移動した酸素イオ
ンにより、酸素を得ることを特徴とする。
するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱す
る加熱手段と、請求項3の膜反応装置と、上記反応容器
を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオン
透過性導電体セラミックス膜に不活性ガスを供給し、上
記セラミックスを酸素イオン及び電子が移動し、移動し
た酸素イオンにより酸素を得ることを特徴とする。
性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧を高
くすると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、一方
の酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供給すると共
に、他方の酸素ガス分圧の低い面に常圧空気を供給する
と共に、温度を200〜1200℃に維持し、上記燃焼
排ガスから酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電
体セラミックス膜内で酸素イオン及び電子を移動させて
なり、該移動した酸素イオンにより、酸素が濃縮された
空気を得る膜反応装置と、一方の酸素ガス分圧の高い面
の燃焼排ガスを圧縮するガス圧縮手段と、該圧縮された
ガスを高温に加熱する加熱手段と、上記反応容器を加熱
する加熱手段とを具備してなり、酸素が濃縮された空気
を得ることを特徴とする。
ガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱する加
熱手段と、請求項4の膜反応装置と、上記反応容器を加
熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオン透過
性導電体セラミックス膜に炭化水素を供給し、上記セラ
ミックスを酸素イオン及び電子が移動し、該移動した酸
素イオンにより、上記供給したガス中のCH4 等の炭
化水素を部分酸化してCO及びH2 を得ることを特徴と
する。
ガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱する加
熱手段と、請求項5の膜反応装置と、上記反応容器を加
熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオン透過
性導電体セラミックス膜の一方を真空排気により低酸素
分圧化し、上記セラミックスを酸素イオン及び電子が移
動し、該移動した酸素イオンにより、酸素を得ることを
特徴とする。
ガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱する加
熱手段と、請求項6の膜反応装置と、上記反応容器を加
熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオン透過
性導電体セラミックス膜の一方に不活性ガスを供給し、
上記セラミックスを酸素イオン及び電子が移動し、該移
動した酸素イオンにより、酸素を得ることを特徴とす
る。
性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧を高
くすると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、一方
の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給すると共に、他方
の酸素ガス分圧の低い面に常圧空気を供給すると共に、
温度を200〜1200℃に維持し、上記空気から酸素
を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セラミックス
膜内で酸素イオン及び電子を移動させてなり、該移動し
た酸素イオンにより、酸素が濃縮された空気を得る膜反
応装置と、一方の酸素ガス分圧の高い面の空気を圧縮す
るガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱する
加熱手段と、上記の膜反応装置と、上記反応容器を加熱
する加熱手段とを具備してなり、酸素が濃縮された空気
を得ることを特徴とする。
項4の膜反応装置において、酸素イオン透過性導電体セ
ラミックス膜の炭化水素を部分酸化してCO及びH2 を
得る低酸素分圧側に、炭化水素の部分酸化に活性な触媒
を設置することを特徴とする。
項2,請求項3の膜反応装置において、酸素イオン透過
性導電体セラミックス膜の燃焼排ガスを供給する高酸素
分圧側に、NOX の分解に活性な触媒を設置することを
特徴とする。
の膜反応装置から得られた合成ガスをメタノール合成手
段を用いてメタノールを合成することを特徴とする。
求項3の膜反応装置と請求項1の膜反応装置を組み合わ
せてなり、まず、燃焼排ガスを請求項2又は請求項3の
膜反応装置に供給し、燃焼排ガス中の酸素を引き抜き、
引き続き、請求項1の膜反応装置で水素、一酸化炭素の
合成ガスを製造し、上記構成により燃焼排ガス中の窒素
酸化物を無害化するとともに、得られた合成ガスをメタ
ノール合成手段を用いてメタノールを合成すること特徴
する。
求項9又は請求項10のシステムと請求項7のシステム
とを組み合わせてなり、まず、燃焼排ガスを請求項8又
は請求項9又は請求項10のシステムに供給し、燃焼排
ガス中の酸素を引き抜き、引き続き、請求項7のシステ
ムで水素、一酸化炭素の合成ガスを製造し、上記構成に
より燃焼排ガス中の窒素酸化物を無害化するとともに、
得られた合成ガスをメタノール合成手段を用いてメタノ
ールを合成すること特徴する。
求項3の膜反応装置と、請求項1の膜反応装置とを組み
合わせてなり、得られた合成ガスと酸素を燃料電池の燃
料ガスとして用いることを特徴とする。
求項3の膜反応装置を用いてなり、得られた酸素を石炭
ガス炉の燃焼ガスとして用いることを特徴とする。
応装置の加熱を高温ガス炉の廃熱を用いてなることを特
徴とする。
するが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるもの
ではない。
の形態を図1を用いて説明する。図1は本実施の形態に
かかる合成ガス製造システムの概略図である。図1に示
すように、本実施の形態にかかるシステムは、例えば発
電機10等を駆動する燃焼装置(ボイラ)11からの燃
焼排ガス12を圧縮する圧縮手段13と、該圧縮ガス1
4を加熱する加熱手段である熱交換器15と、該圧縮し
た燃焼排ガスを浄化する浄化手段25と、酸素イオン透
過性導電体セラミックス膜(以下「セラミックス膜」と
もいう)16を隔壁として、一方を酸素分圧の高い高圧
室17Hとすると共に他方を酸素分圧の低い低圧室17
Lとしてなる膜反応装置17と、該膜反応装置17を加
熱する加熱手段18とを具備してなるものである。
ガス19を供給すると共に、低圧室17L側に炭化水素
(例えばCH4 等)20を含有した例えば天然ガスを炭
化水素供給手段21から供給し、上記酸素イオン透過性
導電体セラミックス膜16を加熱手段18により加熱
し、上記圧縮・高温ガス19の窒素酸化物から酸素を引
き抜き、上記セラミックス膜16中で酸素イオン及び電
子を移動させ、該移動した酸素イオンにより、上記供給
したガス中のCH4 等の炭化水素20を部分酸化してC
O及びH2 等の合成ガス22を得るようにしたものであ
る。
焼排ガス12の廃熱を熱交換する熱交換器23により水
を加熱して高温水蒸気24としており、廃熱を回収する
ことで熱利用率を向上させている。
6中で酸素イオン及び電子を移動させ、該移動した酸素
イオンにより、上記供給した天然ガス中のCH4 等の炭
化水素20を部分酸化してCO及びH2 を得ることがで
きる。
2に示す。図2に示すように、本実施の形態にかかる膜
反応装置17は、酸素イオン透過性導電体セラミックス
膜16の一方の面の酸素ガス分圧を高くして高圧室17
Hを形成すると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし
て低圧室17Lを形成してなるものであり、一方の酸素
ガス分圧の高い面に燃焼排ガスである圧縮・高温ガス1
9を供給すると共に、他方の酸素ガス分圧を低い面に炭
化水素を含有するガス20を炭化水素供給手段21から
供給すると共に、加熱手段18により膜反応装置17内
の温度を200〜1200℃に維持し、上記燃焼排ガス
である圧縮・高温ガス19中の窒素酸化物(NOx)か
ら酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セラミ
ックス膜16内で酸素イオン(O2-)及び電子(e- )
を移動させてなり、該移動した酸素イオン(O2-)によ
り、上記供給したCH4 等の炭化水素を部分酸化してC
O及びH2 を得るようにしている。
ラミックス膜16を隔壁として、一方を高酸素分圧(高
圧室17H)とすると共に、他方を低酸素分圧(低圧室
17L)とし、高酸素分圧側の面で酸素は、下記(4) 式
に示すように、膜表面で電子(e- )を受け取って酸素
イオン(O2-)となる。 1/2 O2 +2e- =O2- …(4)
電体セラミックス膜16中を低酸素分圧側へ向かって拡
散し、下記(4) 式に示すように、低酸素分圧側の表面で
電子を放出して酸素ガス(O2 )となる。そして、供給
された炭化水素(例えばCH4 等)20と反応し、下記
(5) 式に示すように、部分酸化してCO,H2 を合成す
る。 O2-=1/2 O2 +2e- …(5) CH4 +1/2 O2 → CO+2H2 …(6)
る酸素イオン透過性導電体セラミックス膜16の両面の
高酸素分圧と低酸素分圧との差が大きいほど進行する。
ここで、酸素イオン透過性導電体セラミックス膜16の
酸素透過量と(J)と、酸素分圧(PO2 )の関係は、
式(I)で示される。 J・x=D・k・(PL O2 -0.5PH O2 -0.5) …(I) ここで、式(I)中、 Jは、酸素透過速度(cm3 ・min-1・cm-2) xは、透過方向の厚さ(cm) Dは酸素イオンの拡散定数 kは定数 PH O2 は高酸素分圧(気圧) PL O2 は低酸素分圧(気圧)である。
(A)であるとすると、酸素透過速度は高酸素分圧にの
み依存し、図3に示すような挙動となり、高酸素分圧側
の酸素分圧の−0.5乗に比例する。
ックス膜16での反応速度は下記のパラメータに依存す
る。 (1) 酸素イオン導電率 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜16の酸素
イオン導電率は大きいほど好ましく、例えば、0.001
(S/cm)以上、より好ましくは0.01〜100(S
/cm)とするのが好ましい。
導電率は、大きいほど好ましく、例えば、0.1(S/c
m)以上、より好ましくは1〜1000(S/cm)と
するのが好ましい。なお、上記酸素イオン導電率
(σ0 )と電子導電率(σe)とは、一般にσe>σ0
の関係であり、酸素透過量は酸素イオン導電率(σ0 )
によって支配されている。
は、薄いほど好ましく、例えば0.1〜5000μmの範
囲が好適であるが、より好ましくは1〜1000μmと
するのが好ましい。
反応面積は、大きいほど好ましいが、上記酸素イオン透
過性導電体セラミックス膜16の単位面積当たりの酸素
透過量と処理ガス量から、必要な面積が決定される。ま
た、上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜16を
平板若しくは円筒型に構成した際に、その単位体積あた
りの有効反応面積を増加させる手段として、円筒型若し
くは背反型に成型した上記酸素イオン透過性導電体セラ
ミックス膜16の表面を微細な凹凸や起伏を有する表面
構造にすることが有効である。
温度は、200〜1500℃、好ましくは200〜12
00℃とするのがよい。より、好ましくは500℃以上
とするのがよい。この作動温度に維持するには、加熱手
段を用いることにより行うが、廃熱を利用することで、
システム効率を向上させることもできる。
しくは0.01〜10気圧とするのがよい。一方、低圧室
17L側の酸素分圧、10-2〜10-30 気圧 、好ましく
は10-2〜10-25 気圧とするのがよい。
膜16としては、La1-x Srx Co1-y Fey O3(0<
x<1,0<y<1)のABO3 ペロブスカイト型酸化物の緻密な
セラミックスを例示することができる。また、上記AB
O3 ペロブスカイト型酸化物以外のものとしては、例え
ばSrFeCo0.5 Ox を例示することができる。
膜16は、脱硝のみならず、図4に示すように、燃焼排
ガス中のSOxからも酸素を引き抜き、脱硫反応も行う
ことができる。なお、表面にS成分が残存するために、
活性点が消失するが、定期的に付着したS分を表面から
除去するようにすればよい。
メタノール等の合成手段によりメタノール等を効率よく
合成することができる。
形態にかかる膜反応装置の概略図である。図1において
は、膜反応装置17として平面状の酸素イオン透過性導
電体セラミックス膜16を用いたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、図5に示すように、ガス透過性
で円筒状の支持体31の表面側に酸素イオン透過性導電
体セラミックス膜32を形成して反応容器33を構成す
るようにしてもよい。
ジルコニアやアルミナ等のセラミックス製のものを原料
とし、例えば原料セラミックス粒子と有機系バインダと
を混合したものを押出し成形により円筒状に成型し、1
000℃以上で焼成することにより、得ることができ
る。焼成後の多孔質支持体の気孔率は30〜35%であ
り、ガス透過性が良好である。この円筒管の大きさは、
一例として直径が20〜30mm、肉厚が1〜3mmと
すればよい。なお、肉厚はガス透過性の点から薄いほど
好ましい。
ガス12を圧縮して高温状態として円筒状の支持体31
の内部に供給し、外部を低圧側として該面に炭化水素
(CH 4 )34を供給しているので、上記セラミックス
膜32により分離した酸素と反応して部分酸化により、
合成ガス(CO,H2 )を合成している。なお、上記燃
焼排ガス12の代わりに空気を用いることにより、空気
中の酸素を引き抜いて酸素イオン透過性導電体セラミッ
クス膜32をイオン状態で移動させ、炭化水素34等を
部分酸化することで、有用な合成ガスを合成することも
できる。
形態にかかる膜反応装置の概略図である。本実施の形態
の構成は、第2の実施の形態と同様であるが、外部の低
圧側の面に供給する炭化水素34の代わりに、不活性ガ
ス(水蒸気含有)35を供給することで、内部に供給し
ている窒素酸化物を脱硝し、上記セラミックス膜32に
より分離した酸素イオンから酸素を製造するようにして
いる。これにより、本実施の形態では、燃焼装置(ボイ
ラ)等の排ガス中の窒素酸化物を無害化することができ
る。上記不活性ガスの代わりに真空排気,常圧空気を用
いることにより、内部に供給している燃焼排ガス中の窒
素酸化物を脱硝することもできる。
形態にかかる膜反応装置の概略図である。図7に示す実
施の形態の場合には、燃焼排ガス12を圧縮して高温状
態として円筒状の支持体31の内部に供給し、外部に不
活性ガス35を供給しているので、燃焼排ガス12中の
酸素を上記セラミックス膜32により分離させており、
酸素製造作用がなされていることになる。上記不活性ガ
スの代わりに真空排気することにより、燃焼排ガス12
中の酸素を上記セラミックス膜32により分離させて純
酸素を製造することができる。さらに上記不活性ガスの
代わりに常圧空気を流通させることにより、酸素を濃縮
した空気を製造することができる。上記セラミックス膜
32により酸素を分離した後の低酸素濃度のガスから
は、窒素が得られるが、上記の外部に不活性ガスを供給
する場合、この窒素をセラミックス膜32の外部の低圧
面の不活性ガス35に供給することで排ガスの有効利用
が可能となる。
び第4の実施形態の場合、円筒状支持体31の内外面に
供給するガス種類を逆転させて供給しても、同様の作用
を行うことが可能である。
態とは、供給する燃焼排ガスを個々の条件とすること
で、別々の作用を行わせることもできるし、脱硝と酸素
製造とを同時に行うこともできる。
7Hに燃焼排ガス12を供給する代わりに、空気を供給
することにより、空気中の酸素を濃縮することができ
る。
る膜反応装置は上述した図1に示す膜反応装置17の代
わりに用いることにより、合成ガスの製造や酸素製造す
るシステムとすることができる。
の形態の合成ガス製造システムを図8を用いて説明す
る。図8は本実施の形態にかかる合成ガス製造システム
の概略図である。本実施の形態は、高温ガス炉の廃熱を
利用した膜反応装置での合成ガスの製造システムであ
る。図8に示すように、本実施の形態は、高温ガス炉4
1と該高温ガス炉41の廃熱をヘリウム(He)を用い
て回収する中間熱交換器42と、該中間熱交換器42の
熱をヘリウム(He)を用いて回収した加熱手段43を
有する膜反応装置44とを備えてなるものである。本実
施の形態では、膜反応装置44は円筒型の反応装置であ
り、円筒内部を低圧室44Lとすると共に、円筒外部を
高圧室44Hとし、高圧側の円筒表面側に圧縮して高温
とした空気45を供給すると共に、低圧側の内部に天然
ガス(CH 4 )46を供給し、膜反応装置44で分離し
た酸素と反応させることで、有用な合成ガス(CO,H
2 )を得るようにしている。
の形態を図9を用いて説明する。図9は本実施の形態に
かかる合成ガス製造システムの概略図である。本実施の
形態は、ガスタービン複合発電に膜反応装置を適用し、
合成ガスの製造と共に、ガスタービンから排出される排
ガス中の窒素酸化物を脱硝するシステムである。
である天然ガス51により発電するガスタービン52
と、該ガスタービン52からの排ガス53を熱源とする
排熱回収ボイラ54と、該排熱回収ボイラ54により発
生した蒸気で発電する蒸気タービン55とからなる複合
発電システムにおいて、ガスタービン52から排熱回収
ボイラ54へ供給される排ガス53を膜反応装置56に
供給し、脱硝すると共に合成ガス(CO,H2 )57の
製造をするようにしたものである。
に、円筒状の容器本体61内に円筒状の支持体62の表
面に酸素イオン透過性導電体セラミックス膜63を形成
してなる反応管63を配設してなり、内部を高圧室61
Hにして圧縮・加熱した排ガス53を供給し、外部の低
圧室61Lにガスタービン52に供給する天然ガス51
の一部を供給することで、合成ガス57を製造するよう
にしている。
の形態を図11を用いて説明する。図11は本実施の形
態にかかる合成ガス製造システムの概略図である。本実
施の形態は、ガスタービン複合発電に膜反応装置を適用
し、合成ガスの製造と共に、ガスタービンから排出され
る排ガス53から、先ず酸素(O2 )のみを分離し、そ
の後排ガス53中の窒素酸化物を脱硝する複合膜反応シ
ステムである。
料である天然ガス51により発電するガスタービン52
と、該ガスタービン52からの排ガス53を熱源とする
排熱回収ボイラ54と、該排熱回収ボイラ54により発
生した蒸気で発電する蒸気タービン55とからなる複合
発電システムにおいて、ガスタービン52から排熱回収
ボイラ54へ供給される排ガス53を第1段膜反応装置
56Aと第2段膜反応装置56Bとに順次供給し、第1
段膜反応装置56Aにおいては燃焼排ガス中の酸素を分
離して酸素の製造をすると共に、第2段膜反応装置56
Bにおいては排ガス中の窒素酸化物を脱硝し、且つ分離
された酸素により天然ガス51を部分酸化して合成ガス
57を合成するようにしたものである。
反応装置56Bの構成は図10のものと同様である。図
12はその作用の概要を示す図面であり、同図に示すよ
うに、第1段膜反応装置56Aでは、排ガス53中の酸
素(純O2 )のみを取り出し、排ガス53中の酸素濃度
を低くし、次いで第2段膜反応装置56Bで排ガス中の
窒素酸化物を脱硝すると共に、第2段膜反応装置56B
で排ガス中の窒素酸化物から分離した酸素により、別途
低圧側に供給された天然ガス51を部分酸化して合成ガ
ス57を合成するようにしたものである。第1段膜反応
装置56Aの酸素が透過してくる低圧面に、不活性ガス
を用いる場合には、第2段膜反応装置56Bの高圧面か
ら得られる窒素の一部を供給することで、排ガスの有効
利用ができる。
素やメタノール合成用の合成ガスの原料として使用する
ことができるが、図11中破線で示すように、上記第1
段膜反応装置56Aで分離された酸素(O2 )と、合成
ガス57で合成された水素(H2 )とを固体電解質型燃
料電池(SOFC)71で用いる燃料の一部として使用
することもできる。
得られた合成ガス57はメタノール合成システム58に
よりメタノール59を合成するようにしている。
の形態を図13を用いて説明する。図13は本実施の形
態にかかる合成ガス製造システムの概略図である。本実
施の形態は、石炭ガス化炉からの生成ガスを利用して発
電した排ガス中から酸素を分離すると共に排ガス中の窒
素酸化物を脱硝する複合膜反応システムである。
部に燃焼を行うコンバスタ81と該コンバスタ81の上
方に形成されガス化反応を行うリダクタ82とを備えた
火炉83と、上記コンバスタ81内に石炭を微粉状とし
た微粉炭84を供給する微粉炭供給手段85と、燃焼用
の空気(酸素)86を供給する空気供給手段87と、リ
ダクタ82内に微粉炭84を供給する微粉炭供給手段8
8とを備えてなる2段噴流床ガス化炉89と、該ガス火
炉89で生成した生成ガス90を浄化する浄化手段91
と、精製された生成ガスを燃料として発電するガスター
ビン92と、該ガスタービン92の排ガス93を浄化す
ると共に、排ガス中の酸素を濃縮する膜反応装置94と
を備えたものである。本実施の形態では、膜反応装置9
4は円筒型の反応装置であり、円筒内部を高圧側とする
と共に、円筒外部を低圧側とし、高圧側の円筒内部に圧
縮して高温とした排ガス93を供給すると共に、低圧側
の外部に不活性ガス95を供給し、膜反応装置94で分
離させることで、酸素(O2 )を得るようにしている。
この得られた酸素は空気供給手段87に送られて、燃焼
空気の一部として利用することができる。また、膜反応
装置94で排ガス中の酸素や窒素酸化物の酸素を分離し
た後に得られる窒素は、ガス化炉及びその周辺機器(B
OP)等に供給するガスの一部として利用することがで
き、例えば微粉炭供給手段の搬送用キャリアガスの一部
として又は浄化手段(フィルター)の逆洗時のキャリア
ガスの一部として、並びに膜反応装置94の不活性ガス
源として利用することができる。
形態にかかる膜反応装置の概略図である。図14に示す
実施形態は、支持体31内側に炭化水素を供給し、支持
体31の外側に燃焼排ガスを供給する場合を示した。炭
化水素を供給する側のセラミックス膜32と支持体31
の間に炭化水素の部分酸化触媒96を設置し、高酸素分
圧側から透過してきた酸素と低酸素分圧側の炭化水素の
反応性をさらに向上させながら、有用な合成ガス(C
O,H2 )を得るようにしている。部分酸化触媒には従
来から使用されているNiやRhなどが適用できる。
実施形態にかかる膜反応装置の概略図である。図15に
示す実施形態は、支持体31内側に炭化水素を供給し、
支持体31の外側に燃焼排ガスを供給する場合を示し
た。炭化水素を供給する側のセラミックス膜32に接す
る支持体31の内部に炭化水素の部分酸化触媒96を設
置し、高酸素分圧側から透過してきた酸素と低酸素分圧
側の炭化水素の反応性をさらに向上させながら、有用な
合成ガス(CO,H2 )を得るようにしている。部分酸
化触媒には従来から使用されているNiやRhなどが適
用できる。
実施形態にかかる膜反応装置の概略図である。図16に
示す実施形態は、支持体31外側に炭化水素を供給し、
支持体31の内側に燃焼排ガスを供給する場合を示し
た。炭化水素を供給する側のセラミックス膜32の外表
面の一部若しくは全面に炭化水素の部分酸化触媒96を
設置し、支持体31の内側の高酸素分圧側から透過して
きた酸素と低酸素分圧側の炭化水素の反応性をさらに向
上させながら、有用な合成ガス(CO,H2 )を得るよ
うにしている。部分酸化触媒には従来から使用されてい
るNiやRhなどが適用できる。
実施形態にかかる膜反応装置の概略図である。図17に
示す実施形態は、支持体31内側に炭化水素を供給し、
支持体31の外側に燃焼排ガスを供給する場合を示し
た。燃焼排ガスを供給する側のセラミックス膜32の外
表面の一部若しくは全面に窒素酸化物の分解触媒97を
設置することにより、燃焼排ガス中の窒素酸化物の分解
特性をさらに向上させている。窒素酸化物の分解触媒に
はPtなどの貴金属やLa08Sr0.2 CoO3 などのペ
ロブスカイト型酸化物などが適用できる。
実施形態にかかる膜反応装置の概略図である。図18に
示す実施形態は、支持体31外側に炭化水素を供給し、
支持体31の内側に燃焼排ガスを供給する場合を示し
た。燃焼排ガスを供給する側のセラミックス膜32と支
持体31の間にNOX 分解触媒97を設置し、窒素酸化
物の分解触媒を設置することにより、燃焼排ガス中の窒
素酸化物の分解特性をさらに向上させている。窒素酸化
物の分解触媒にはPtなどの貴金属やLa08Sr0.2 C
oO3 などのペロブスカイト型酸化物などが適用でき
る。
実施形態にかかる膜反応装置の概略図である。図19に
示す実施形態は、支持体31外側に炭化水素を供給し、
支持体31の内側に燃焼排ガスを供給する場合を示し
た。燃焼排ガスを供給する側のセラミックス膜32に接
する支持体31の内部に窒素酸化物の分解触媒97を設
置することにより、燃焼排ガス中の窒素酸化物の分解特
性をさらに向上させている。窒素酸化物の分解触媒には
Ptなどの貴金属やLa08Sr0.2 CoO3 などのペロ
ブスカイト型酸化物などが適用できる。
する場合には、実施形態9,実施形態10,及び実施形
態12を組み合わせて使用することができ、支持体31
の外側に炭化水素を供給する場合には、実施形態11,
実施形態13、及び実施形態14を組み合わせて使用す
ることができる。
によれば、酸素イオン透過性導電体セラミックス膜の一
方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の面の酸
素ガス分圧を低くし、一方の酸素ガス分圧の高い面に燃
焼排ガスを供給すると共に、他方の酸素ガス分圧の低い
面に炭化水素を含有するガスを供給すると共に、温度を
200〜1200℃に維持し、上記燃焼排ガス中の酸素
若しくは窒素酸化物から酸素を引き抜き、上記酸素イオ
ン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イオン及び電子
を移動させてなるので、該移動した酸素イオンにより、
上記供給したガス中のCH4 等の炭化水素を部分酸化し
てCO及びH2 を得ることができる。よって、本発明に
よれば、燃焼排ガスと天然ガス(CH4 等)から合成ガ
スを合成することが可能となり、合成ガスの製造コスト
を大幅に低減することができる。
透過性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧
を高くすると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、
一方の酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供給すると
共に、他方の酸素ガス分圧の低い面を真空廃棄すると共
に、温度を200〜1200℃に維持し、上記燃焼排ガ
ス中の窒素酸化物から酸素を引き抜き、上記酸素イオン
透過性導電体セラミックス膜内で酸素イオン及び電子を
移動させてなるので、該移動した酸素イオンから酸素を
得ることができる。この結果、燃料排ガスに含まれる窒
素酸化物を窒素と酸素とに分離して無害化し、酸素分圧
の低い面に純酸素を製造することができる。
透過性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧
を高くすると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、
一方の酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供給すると
共に、他方の酸素ガス分圧の低い面に不活性ガスを供給
し、温度を200〜1200℃に維持し、上記燃焼排ガ
ス中の酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セ
ラミックス膜内で酸素イオン及び電子を移動させてなる
ので、該移動した酸素イオンから酸素を得ることができ
る。よって、燃料排ガスに含まれる酸素を不活性ガス中
に選択的に取り出し、酸素濃度を調整した窒素−酸素混
合ガスを製造することができる。
透過性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧
を高くすると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、
一方の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給すると共に、
他方の酸素ガス分圧の低い面に炭化水素を含有するガス
を供給すると共に、温度を200〜1200℃に維持
し、上記空気から酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過
性導電体セラミックス膜内で酸素イオン及び電子を移動
させてなるので、該移動した酸素イオンにより、上記供
給したガス中のCH4 等の炭化水素を部分酸化してCO
及びH2 を得ることができる。よって、燃焼排ガス以外
に空気を供給することで、合成ガスの製造及び酸素の製
造が可能となる。
透過性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧
を高くすると共に、他方の面を真空排気し、酸素ガス分
圧を低くし、一方の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給
し、温度を200〜1200℃に維持し、上記空気から
酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セラミッ
クス膜内で酸素イオン及び電子を移動させてなり、該移
動した酸素イオンから酸素を得ることができる。よっ
て、空気中の酸素を選択的に取り出して純酸素を製造す
ることができる。
透過性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分圧
を高くすると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低くし、
一方の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給すると共に、
他方の酸素ガス分圧の低い面に不活性ガスを供給し、温
度を200〜1200℃に維持し、上記燃焼排ガス中の
酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セラミッ
クス膜内で酸素イオン及び電子を移動させてなり、該移
動した酸素イオンから酸素を得ることができる。よっ
て、空気中の酸素を選択的に取り出して酸素濃度を調整
した窒素−酸素混合ガスを製造することができる。
を圧縮するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に
加熱する加熱手段と、請求項1の膜反応装置と、上記膜
反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸
素イオン透過性導電体セラミックス膜に炭化水素を供給
し、上記燃焼排ガス中の酸素若しくは窒素酸化物から酸
素を引き抜き、上記セラミックス膜中で酸素イオン及び
電子を移動させてなるので、該移動した酸素イオンによ
り、上記供給したガス中のCH4 等の炭化水素を部分酸
化してCO及びH2 を得ることができる。
を圧縮するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に
加熱する加熱手段と、請求項2の膜反応装置と、上記反
応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素
イオン透過性導電体セラミックス膜の一方の面を真空排
気により低酸素分圧化し、上記燃焼排ガス中の窒素酸化
物から酸素を引き抜き、上記セラミックス膜中で酸素イ
オン及び電子を移動させてなるので、該移動した酸素イ
オンにより、上記真空排気した側に純酸素を得ることが
できる。
を圧縮するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に
加熱する加熱手段と、請求項3の膜反応装置と、上記反
応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素
イオン透過性導電体セラミックス膜に不活性ガスを供給
し、上記セラミックスを酸素イオン及び電子を移動させ
てなるので、移動した酸素イオンにより酸素を得ること
ができる。
ン透過性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分
圧を高くすると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低く
し、一方の酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供給す
ると共に、他方の酸素ガス分圧の低い面に常圧空気を供
給すると共に、温度を200〜1200℃に維持し、上
記燃焼排ガスから酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過
性導電体セラミックス膜内で酸素イオン及び電子を移動
させてなり、該移動した酸素イオンにより、酸素が濃縮
された空気を得ることを特徴とする膜反応装置におい
て、一方の酸素ガス分圧の高い面の燃焼排ガスを圧縮す
るガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱する
加熱手段と、上記の膜反応装置と、上記反応容器を加熱
する加熱手段とを具備してなることから、酸素が濃縮さ
れた空気を得ることができる。
縮するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱
する加熱手段と、請求項4の膜反応装置と、上記反応容
器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオ
ン透過性導電体セラミックス膜に炭化水素を供給し、上
記セラミックスを酸素イオン及び電子が移動し、該移動
した酸素イオンにより、上記供給したガス中のCH4 等
の炭化水素を部分酸化してCO及びH2 を得ることがで
きる。
縮するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱
する加熱手段と、請求項5の膜反応装置と、上記反応容
器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオ
ン透過性導電体セラミックス膜の一方を真空排気により
低酸素分圧化し、上記セラミックスを酸素イオン及び電
子が移動し、該移動した酸素イオンにより、酸素を得る
ことができる。
縮するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に加熱
する加熱手段と、請求項6の膜反応装置と、上記反応容
器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上記酸素イオ
ン透過性導電体セラミックス膜の一方に不活性ガスを供
給し、上記セラミックスを酸素イオン及び電子が移動
し、該移動した酸素イオンにより、酸素を得ることがで
きる。
ン透過性導電体セラミックス膜の一方の面の酸素ガス分
圧を高くすると共に、他方の面の酸素ガス分圧を低く
し、一方の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給すると共
に、他方の酸素ガス分圧の低い面に常圧空気を供給する
と共に、温度を200〜1200℃に維持し、上記空気
から酸素を引き抜き、上記酸素イオン透過性導電体セラ
ミックス膜内で酸素イオン及び電子を移動させてなり、
該移動した酸素イオンにより、酸素が濃縮された空気を
得る膜反応装置と、一方の酸素ガス分圧の高い面の空気
を圧縮するガス圧縮手段と、該圧縮されたガスを高温に
加熱する加熱手段と、上記の膜反応装置と、上記反応容
器を加熱する加熱手段とを具備してなることから、酸素
が濃縮された空気を得ることができる。
1,請求項4の膜反応装置において、酸素イオン透過性
導電体セラミックス膜の炭化水素を部分酸化してCO及
び2 を得る低酸素分圧側の面の一部に、炭化水素の部分
酸化に活性な触媒を設置することにより、炭化水素の部
分酸化性能を向上させて、有用な合成ガスを得ることが
できる。
1,請求項2,請求項3の膜反応装置において、酸素イ
オン透過性導電体セラミックス膜の燃焼排ガスを供給す
る高酸素分圧側の面の一部に、NOxの分解に活性な触媒
を設置することにより、さらに燃焼排ガス中のNOx分解
特性を向上することができる。
又は請求項4の膜反応装置から得られた合成ガスをメタ
ノール合成手段を用いることにより、メタノールを合成
することができ、システム効率が向上する。
又は請求項3の膜反応装置と請求項1の膜反応装置を組
み合わせてなり、まず、燃焼排ガスを請求項2又は請求
項3の膜反応装置に供給し、燃焼排ガス中の酸素を引き
抜き、引き続き、請求項1の膜反応装置で水素、一酸化
炭素の合成ガスを製造し、上記構成により燃焼排ガス中
の窒素酸化物を無害化するとともに、得られた合成ガス
をメタノール合成手段を用いてメタノールを合成するこ
とができ、システム効率が向上する。
又は請求項9又は請求項10のシステムと、請求項7の
システムとを組み合わせてなり、まず、燃焼排ガスを請
求項8又は請求項9又は請求項10のシステムに供給
し、燃焼排ガス中の酸素を引き抜き、引き続き、請求項
7のシステムで水素、一酸化炭素の合成ガスを製造し、
上記構成により燃焼排ガス中の窒素酸化物を無害化する
とともに、得られた合成ガスをメタノール合成手段を用
いてメタノールを合成することができ、更にシステム効
率が向上する。
又は請求項3の膜反応装置と、請求項1の膜反応装置と
を組み合わせてなり、得られた合成ガスと酸素を燃料電
池の燃料ガスとして用いることができ、システム効率が
向上する。
又は請求項3の膜反応装置を用いてなるので、得られた
酸素を石炭ガス炉の燃焼ガスとして用いることができ、
システム効率が向上する。
の膜反応装置の加熱を高温ガス炉の廃熱を用いてなるの
で、システム効率が向上する。
概略図である。
である。
である。
である。
である。
る。
る。
る。
ある。
る。
ある。
る。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
ラミックス膜) 17H 高圧室 17L 低圧室 17 膜反応装置 18 加熱手段 19 圧縮・高温ガス 20 炭化水素(例えばCH4 等) 21 炭化水素供給手段 22 合成ガス 23 熱交換器 24 高温水蒸気 31 円筒状の支持体 32 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜 33 反応容器 34 炭化水素 35 不活性ガス 41 高温ガス炉 42 中間熱交換器 43 加熱手段 44 膜反応装置 45 空気 46 天然ガス 51 天然ガス 52 ガスタービン 53 排ガス 54 排熱回収ボイラ 55 蒸気タービン 56 膜反応装置 57 合成ガス(CO,H2 ) 58 メタノール合成システム 59 メタノール 61 円筒状の容器本体 62 支持体 63 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜 71 固体電解質型燃料電池(SOFC) 81 コンバスタ 82 リダクタ 83 火炉 86 空気 89 2段噴流床ガス化炉 92 ガスタービン 93 排ガス 94 膜反応装置 95 不活性ガス 96 メタン部分酸化触媒 97 NOX 分解触媒
Claims (22)
- 【請求項1】 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の面
の酸素ガス分圧を低くし、 一方の酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供給すると
共に、他方の酸素ガス分圧の低い面に炭化水素を含有す
るガスを供給すると共に、 温度を200〜1200℃に維持し、 上記燃焼排ガス中の酸素若しくは窒素酸化物から酸素を
引き抜き、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イ
オン及び電子を移動させてなり、 該移動した酸素イオンにより、上記供給したガス中のC
H4 等の炭化水素を部分酸化してCO及びH2 を得るこ
とを特徴とする膜反応装置。 - 【請求項2】 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の面
を真空排気により酸素ガス分圧を低くし、 一方の酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供給し、 温度を200〜1200℃に維持し、 上記燃焼排ガス中の酸素を引き抜き、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イ
オン及び電子を移動させてなり、 該移動した酸素イオンから酸素を得ることを特徴とする
膜反応装置。 - 【請求項3】 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の面
の酸素ガス分圧を低くし、 一方の酸素ガス分圧の高い面に燃焼排ガスを供給すると
共に、他方の酸素ガス分圧の低い面に不活性ガスを供給
し、 温度を200〜1200℃に維持し、 上記燃焼排ガス中の酸素を引き抜き、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イ
オン及び電子を移動させてなり、 該移動した酸素イオンから酸素を得ることを特徴とする
膜反応装置。 - 【請求項4】 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の面
の酸素ガス分圧を低くし、 一方の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給すると共に、
他方の酸素ガス分圧の低い面に炭化水素を含有するガス
を供給すると共に、 温度を200〜1200℃に維持し、 上記空気から酸素を引き抜き、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イ
オン及び電子を移動させてなり、 該移動した酸素イオンにより、上記供給したガス中のC
H4 等の炭化水素を部分酸化してCO及びH2 を得るこ
とを特徴とする膜反応装置。 - 【請求項5】 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の面
を真空排気し、酸素ガス分圧を低くし、 一方の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給し、 温度を200〜1200℃に維持し、 上記空気から酸素を引き抜き、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イ
オン及び電子を移動させてなり、 該移動した酸素イオンから酸素を得ることを特徴とする
膜反応装置。 - 【請求項6】 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の面
の酸素ガス分圧を低くし、 一方の酸素ガス分圧の高い面に空気を供給すると共に、
他方の酸素ガス分圧の低い面に不活性ガスを供給し、 温度を200〜1200℃に維持し、 上記燃焼排ガス中の酸素を引き抜き、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イ
オン及び電子を移動させてなり、 該移動した酸素イオンから酸素を得ることを特徴とする
膜反応装置。 - 【請求項7】 燃焼排ガスを圧縮するガス圧縮手段と、 該圧縮されたガスを高温に加熱する加熱手段と、 請求項1の膜反応装置と、 上記膜反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜に炭化水素
を供給し、 上記燃焼排ガス中の酸素若しくは窒素酸化物から酸素を
引き抜き、 上記セラミックス膜中で酸素イオン及び電子を移動さ
せ、 該移動した酸素イオンにより、上記供給したガス中のC
H4 等の炭化水素を部分酸化してCO及びH2 を得るこ
とを特徴とするガス合成システム。 - 【請求項8】 燃焼排ガスを圧縮するガス圧縮手段と、 該圧縮されたガスを高温に加熱する加熱手段と、 請求項2の膜反応装置と、 上記膜反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜の一方の面
を真空排気により低酸素分圧化し、上記燃焼排ガス中の
酸素若しくは窒素酸化物から酸素を引き抜き、 上記セラミックス膜中で酸素イオン及び電子を移動さ
せ、 該移動した酸素イオンにより、酸素を得ることを特徴と
するガス合成システム。 - 【請求項9】 燃焼排ガスを圧縮するガス圧縮手段と、 該圧縮されたガスを高温に加熱する加熱手段と、 請求項3の膜反応装置と、 上記反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜に不活性ガ
スを供給し、 上記セラミックスを酸素イオン及び電子が移動し、移動
した酸素イオンにより酸素を得ることを特徴とする酸素
製造システム。 - 【請求項10】酸素イオン透過性導電体セラミックス膜
の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の面
の酸素ガス分圧を低くし、一方の酸素ガス分圧の高い面
に燃焼排ガスを供給すると共に、他方の酸素ガス分圧の
低い面に常圧空気を供給すると共に、温度を200〜1
200℃に維持し、上記燃焼排ガスから酸素を引き抜
き、上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸
素イオン及び電子を移動させてなり、該移動した酸素イ
オンにより、酸素が濃縮された空気を得る膜反応装置
と、 一方の酸素ガス分圧の高い面の燃焼排ガスを圧縮するガ
ス圧縮手段と、 該圧縮されたガスを高温に加熱する加熱手段と、 上記反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、 酸素が濃縮された空気を得ることを特徴とする高酸素濃
度空気製造システム。 - 【請求項11】 空気を圧縮するガス圧縮手段と、 該圧縮されたガスを高温に加熱する加熱手段と、 請求項4の膜反応装置と、 上記反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、 上記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜に炭化水素
を供給し、 上記セラミックスを酸素イオン及び電子が移動し、該移
動した酸素イオンにより、上記供給したガス中のCH4
等の炭化水素を部分酸化してCO及びH2 を得ること
を特徴とするガス合成システム。 - 【請求項12】 空気を圧縮するガス圧縮手段と、 該圧縮されたガスを高温に加熱する加熱手段と、 請求項5の膜反応装置と、 上記反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上
記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜の一方を真空
排気により低酸素分圧化し、上記セラミックスを酸素イ
オン及び電子が移動し、該移動した酸素イオンにより、
酸素を得ることを特徴とするガス合成システム。 - 【請求項13】 空気を圧縮するガス圧縮手段と、 該圧縮されたガスを高温に加熱する加熱手段と、 請求項6の膜反応装置と、 上記反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、上
記酸素イオン透過性導電体セラミックス膜の一方に不活
性ガスを供給し、上記セラミックスを酸素イオン及び電
子が移動し、該移動した酸素イオンにより、酸素を得る
ことを特徴とするガス合成システム。 - 【請求項14】 酸素イオン透過性導電体セラミックス
膜の一方の面の酸素ガス分圧を高くすると共に、他方の
面の酸素ガス分圧を低くし、一方の酸素ガス分圧の高い
面に空気を供給すると共に、他方の酸素ガス分圧の低い
面に常圧空気を供給すると共に、温度を200〜120
0℃に維持し、上記空気から酸素を引き抜き、上記酸素
イオン透過性導電体セラミックス膜内で酸素イオン及び
電子を移動させてなり、該移動した酸素イオンにより、
酸素が濃縮された空気を得る膜反応装置と、 一方の酸素ガス分圧の高い面の空気を圧縮するガス圧縮
手段と、 該圧縮されたガスを高温に加熱する加熱手段と、 上記の膜反応装置と、 上記反応容器を加熱する加熱手段とを具備してなり、 酸素が濃縮された空気を得ることを特徴とする高酸素濃
度空気製造システム。 - 【請求項15】 請求項1,請求項4の膜反応装置にお
いて、 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜の炭化水素を部
分酸化してCO及びH 2 を得る低酸素分圧側に,炭化水
素の部分酸化に活性な触媒を設置することを特徴とする
ガス合成装置。 - 【請求項16】 請求項1,請求項2,請求項3の膜反
応装置において、 酸素イオン透過性導電体セラミックス膜の燃焼排ガスを
供給する高酸素分圧側に、NOxの分解に活性な触媒を設
置することを特徴とするガス合成装置。 - 【請求項17】 請求項1又は4の膜反応装置から得ら
れた合成ガスをメタノール合成手段を用いてメタノール
を合成することを特徴とするガス合成システム。 - 【請求項18】 請求項2又は請求項3の膜反応装置
と、請求項1の膜反応装置とを組み合わせてなり、 まず、燃焼排ガスを請求項2又は請求項3の膜反応装置
に供給し、燃焼排ガス中の酸素を引き抜き、引き続き、
請求項1の膜反応装置で水素、一酸化炭素の合成ガスを
製造し、上記構成により燃焼排ガス中の窒素酸化物を無
害化するとともに、得られた合成ガスをメタノール合成
手段を用いてメタノールを合成すること特徴するガス合
成システム。 - 【請求項19】 請求項8又は請求項9又は請求項10
のシステムと、請求項7のシステムとを組み合わせてな
り、 まず、燃焼排ガスを請求項8又は請求項9又は請求項1
0のシステムに供給し、燃焼排ガス中の酸素を引き抜
き、引き続き、請求項7のシステムで水素、一酸化炭素
の合成ガスを製造し、上記構成により燃焼排ガス中の窒
素酸化物を無害化するとともに、得られた合成ガスをメ
タノール合成手段を用いてメタノールを合成すること特
徴するガス合成システム。 - 【請求項20】 請求項2又は請求項3の膜反応装置
と、請求項1の膜反応装置とを組み合わせてなり、得ら
れた合成ガスと酸素を燃料電池の燃料ガスとして用いる
ことを特徴とするガス合成システム。 - 【請求項21】 請求項2又は請求項3の膜反応装置を
用いてなり、得られた酸素を石炭ガス炉の燃焼ガスとし
て用いることを特徴とするガス合成システム。 - 【請求項22】 請求項4の膜反応装置の加熱を高温ガ
ス炉の廃熱を用いてなることを特徴とするガス合成シス
テム。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000189205A JP2002012401A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 膜反応装置及びガス合成システム |
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JP2000189205A JP2002012401A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 膜反応装置及びガス合成システム |
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JP2002012401A true JP2002012401A (ja) | 2002-01-15 |
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ID=18688865
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-06-23 JP JP2000189205A patent/JP2002012401A/ja active Pending
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