JP2002003244A - 電磁波シールドフィルター用基板 - Google Patents
電磁波シールドフィルター用基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 可視光透過率が高く、耐湿性にも優れた電磁
波シールドフィルター用基板を安価に得ること。 【解決手段】 透明基板上に、透明金属酸化物よりなる
第１誘電体層／下部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第１金属
バリヤー層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／
上部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第２金属バリヤー層/透明
金属酸化物層よりなる第３誘電体層からなる透明導電膜
が積層された基板であって、第１誘電体層の膜厚が３３
〜４３ｎｍ，下部Ａｇ層、上部Ａｇ層の膜厚がそれぞれ
１５ｎｍ〜３０ｎｍ、第１金属バリヤー層、第２金属バ
リヤー層の膜厚がそれぞれ１．０〜３．０ｎｍ、第２誘
電体層の膜厚が７５〜８５ｎｍ、第３誘電体層の膜厚が
２５〜５５ｎｍからなるもの。
波シールドフィルター用基板を安価に得ること。 【解決手段】 透明基板上に、透明金属酸化物よりなる
第１誘電体層／下部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第１金属
バリヤー層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／
上部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第２金属バリヤー層/透明
金属酸化物層よりなる第３誘電体層からなる透明導電膜
が積層された基板であって、第１誘電体層の膜厚が３３
〜４３ｎｍ，下部Ａｇ層、上部Ａｇ層の膜厚がそれぞれ
１５ｎｍ〜３０ｎｍ、第１金属バリヤー層、第２金属バ
リヤー層の膜厚がそれぞれ１．０〜３．０ｎｍ、第２誘
電体層の膜厚が７５〜８５ｎｍ、第３誘電体層の膜厚が
２５〜５５ｎｍからなるもの。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ（ｐｌａｓ
ｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ：プラズマディスプ
レーパネル）、ＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ−ｒａｙ ｔｕ
ｂｅ：カソードレイチューブ）、ＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ
ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ：リキッドクリスタ
ルディスプレー＝液晶ディスプレー）、ＥＬ（ｅｌｅｃ
ｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：エレクトロルミネッ
センス）などのディスプレー前面から発生する電磁波の
シールド、およびリモコンの誤動作を防止するための近
赤外線カットの機能を有する電磁波シールドフィルタ用
基板に関する。
ｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ：プラズマディスプ
レーパネル）、ＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ−ｒａｙ ｔｕ
ｂｅ：カソードレイチューブ）、ＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ
ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ：リキッドクリスタ
ルディスプレー＝液晶ディスプレー）、ＥＬ（ｅｌｅｃ
ｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：エレクトロルミネッ
センス）などのディスプレー前面から発生する電磁波の
シールド、およびリモコンの誤動作を防止するための近
赤外線カットの機能を有する電磁波シールドフィルタ用
基板に関する。
【０００２】
【従来技術】ＰＤＰでは人体に有害な電磁波(周波数：
３０〜１０００ＭＨｚ）、及び他の家電機器のリモコン
の誤動作を招く恐れがある近赤外線(波長：８５０〜１
０００ｎｍ）が放出され、これを効率的に遮蔽する必要
がある。このため、従来、ＰＤＰ用フィルタとしては、
ガラス基板上に電磁波と近赤外線を遮蔽する目的で透明
導電膜が被覆されたものが知られている。例えば、ＷＯ
９８／１３８５０号公報には基体側から１種以上の金属
を含有するＺｎＯを主成分とする酸化物層とＡｇを主成
分とする金属層とが交互に計（２ｎ＋１）層積層された
多層の導電膜が被覆されたＰＤＰ用保護板が記載され、
また特開平１１−３０７９８７号公報には基板側から屈
折率が１．６〜２．８の誘電体層と銀主成分層とを交互
に積層した７層の積層体とし、銀主成分層を銀に対して
０．１〜０．５原子％のパラジウムを含有させた電磁遮
蔽膜を有するプラズマデイスプレイ用の電磁波フィルタ
ーが記載されている。
３０〜１０００ＭＨｚ）、及び他の家電機器のリモコン
の誤動作を招く恐れがある近赤外線(波長：８５０〜１
０００ｎｍ）が放出され、これを効率的に遮蔽する必要
がある。このため、従来、ＰＤＰ用フィルタとしては、
ガラス基板上に電磁波と近赤外線を遮蔽する目的で透明
導電膜が被覆されたものが知られている。例えば、ＷＯ
９８／１３８５０号公報には基体側から１種以上の金属
を含有するＺｎＯを主成分とする酸化物層とＡｇを主成
分とする金属層とが交互に計（２ｎ＋１）層積層された
多層の導電膜が被覆されたＰＤＰ用保護板が記載され、
また特開平１１−３０７９８７号公報には基板側から屈
折率が１．６〜２．８の誘電体層と銀主成分層とを交互
に積層した７層の積層体とし、銀主成分層を銀に対して
０．１〜０．５原子％のパラジウムを含有させた電磁遮
蔽膜を有するプラズマデイスプレイ用の電磁波フィルタ
ーが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＷＯ９
８／１３８５０号公報の発明は、透明導電膜について、
シート抵抗が２．５Ω／□以下では可視光透過率が７０
％未満と暗く、またＡｇ層にＰｄ等を添加しておりコス
ト的に不利であり、さらに同じ金属層膜厚ではシート抵
抗が高くなる等の問題があり、また、特開平１１−３０
７９８７号公報記載の電磁遮蔽膜は、耐湿性を確保する
目的で金属膜に高価なＰｄを添加したＡｇを使用してい
るためコスト的に不利である。さらにＰｄを多く使用す
ると、電磁波シールド性に寄与する透明導電膜のシート
抵抗値が増加する等の問題がある。
８／１３８５０号公報の発明は、透明導電膜について、
シート抵抗が２．５Ω／□以下では可視光透過率が７０
％未満と暗く、またＡｇ層にＰｄ等を添加しておりコス
ト的に不利であり、さらに同じ金属層膜厚ではシート抵
抗が高くなる等の問題があり、また、特開平１１−３０
７９８７号公報記載の電磁遮蔽膜は、耐湿性を確保する
目的で金属膜に高価なＰｄを添加したＡｇを使用してい
るためコスト的に不利である。さらにＰｄを多く使用す
ると、電磁波シールド性に寄与する透明導電膜のシート
抵抗値が増加する等の問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来のかかる
課題に鑑みてなしたものであって、光学干渉を利用した
膜構成を採用することにより、透明導電膜のシート抵抗
が２．５Ω／□以下で、可視光透過率が７０％以上と明
るく、しかもＡｇ層にＰｄを使用していないため、コス
ト的に有利であり、かつ２層のＡｇ層を同じ膜厚とする
ことによりシート抵抗を低くすることが出来、さらにバ
リア層を厚くすることで耐湿性にも優れた高電磁波遮蔽
性能と高耐久性を有する電磁波シールドフィルター用基
板を安価に提供するものである。
課題に鑑みてなしたものであって、光学干渉を利用した
膜構成を採用することにより、透明導電膜のシート抵抗
が２．５Ω／□以下で、可視光透過率が７０％以上と明
るく、しかもＡｇ層にＰｄを使用していないため、コス
ト的に有利であり、かつ２層のＡｇ層を同じ膜厚とする
ことによりシート抵抗を低くすることが出来、さらにバ
リア層を厚くすることで耐湿性にも優れた高電磁波遮蔽
性能と高耐久性を有する電磁波シールドフィルター用基
板を安価に提供するものである。
【０００５】すなわち、本発明の電磁波シールドフィル
ター用基板は、透明基板上に、透明金属酸化物よりなる
第１誘電体層／下部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第１金属
バリヤー層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／
上部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる上部金属バリヤー層/透明
金属酸化物層よりなる第３誘電体層からなる透明導電膜
が積層された基板であって、第１誘電体層の膜厚が３３
〜４３ｎｍ，下部Ａｇ層、上部Ａｇ層の膜厚がそれぞれ
１５ｎｍ〜３０ｎｍ、第１金属バリヤー層、第２金属バ
リヤー層の膜厚がそれぞれ１．０〜３．０ｎｍ、第２誘
電体層の膜厚が７５〜８５ｎｍ、第３誘電体層の膜厚が
２５〜５５ｎｍからなることを特徴とする。
ター用基板は、透明基板上に、透明金属酸化物よりなる
第１誘電体層／下部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第１金属
バリヤー層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／
上部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる上部金属バリヤー層/透明
金属酸化物層よりなる第３誘電体層からなる透明導電膜
が積層された基板であって、第１誘電体層の膜厚が３３
〜４３ｎｍ，下部Ａｇ層、上部Ａｇ層の膜厚がそれぞれ
１５ｎｍ〜３０ｎｍ、第１金属バリヤー層、第２金属バ
リヤー層の膜厚がそれぞれ１．０〜３．０ｎｍ、第２誘
電体層の膜厚が７５〜８５ｎｍ、第３誘電体層の膜厚が
２５〜５５ｎｍからなることを特徴とする。
【０００６】また、本発明の電磁波シールドフィルター
用基板は、第１、第２および第３の各誘電体層は、少な
くとも酸化亜鉛層および酸化錫層より形成され、各誘電
体層におけるこれらの各膜厚は、第１誘電体層における
酸化錫層は８〜１２ｎｍ、酸化亜鉛層は２１〜３１ｎ
ｍ、第２誘電体層における酸化錫層は１６〜２０ｎｍ、
酸化亜鉛層は５５〜６８ｎｍ、第３誘電体層における酸
化錫層は６〜３４ｎｍ、酸化亜鉛層は１０〜３６ｎｍで
あることを特徴とする。
用基板は、第１、第２および第３の各誘電体層は、少な
くとも酸化亜鉛層および酸化錫層より形成され、各誘電
体層におけるこれらの各膜厚は、第１誘電体層における
酸化錫層は８〜１２ｎｍ、酸化亜鉛層は２１〜３１ｎ
ｍ、第２誘電体層における酸化錫層は１６〜２０ｎｍ、
酸化亜鉛層は５５〜６８ｎｍ、第３誘電体層における酸
化錫層は６〜３４ｎｍ、酸化亜鉛層は１０〜３６ｎｍで
あることを特徴とする。
【０００７】さらに、本発明の電磁波シールドフィルタ
ー用基板は、ＺｎＡｌの金属バリアー層は、Ａｌを１〜
１０重量％含むＺｎＡｌ合金であることを特徴とする。
ー用基板は、ＺｎＡｌの金属バリアー層は、Ａｌを１〜
１０重量％含むＺｎＡｌ合金であることを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明の電磁波シールドフィルタ
ー用基板は、プラズマデイスプレイの前面に装着されて
なることを特徴とする。
ー用基板は、プラズマデイスプレイの前面に装着されて
なることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の電磁波シールドフィルタ
ー用基板は、透明基板上に、透明金属酸化物よりなる第
１誘電体層／下部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第１金属バ
リヤー層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／上
部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第２金属バリヤー層/透明金
属酸化物層よりなる第３誘電体層からなる透明導電膜が
積層された基板であって、第１誘電体層の膜厚が３３〜
４３ｎｍ，下部Ａｇ層、上部Ａｇ層の膜厚がそれぞれ１
５ｎｍ〜３０ｎｍ、第１金属バリヤー層、第２金属バリ
ヤー層の膜厚がそれぞれ１．５〜３．０ｎｍ、第２誘電
体層の膜厚が７５〜８５ｎｍ、第３誘電体層の膜厚が２
５〜５５ｎｍからなる。
ー用基板は、透明基板上に、透明金属酸化物よりなる第
１誘電体層／下部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第１金属バ
リヤー層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／上
部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第２金属バリヤー層/透明金
属酸化物層よりなる第３誘電体層からなる透明導電膜が
積層された基板であって、第１誘電体層の膜厚が３３〜
４３ｎｍ，下部Ａｇ層、上部Ａｇ層の膜厚がそれぞれ１
５ｎｍ〜３０ｎｍ、第１金属バリヤー層、第２金属バリ
ヤー層の膜厚がそれぞれ１．５〜３．０ｎｍ、第２誘電
体層の膜厚が７５〜８５ｎｍ、第３誘電体層の膜厚が２
５〜５５ｎｍからなる。
【００１０】第１、第２および第３の各誘電体層は、少
なくとも酸化亜鉛層および酸化錫層より形成され、各誘
電体層におけるこれらの各膜厚は、第１誘電体層におけ
る酸化錫層は８〜１２ｎｍ、酸化亜鉛層は２１〜３１ｎ
ｍ、第２誘電体層における酸化錫層は１６〜２０ｎｍ、
酸化亜鉛層は５５〜６８ｎｍ、第３誘電体層における酸
化錫層は６〜３４ｎｍ、酸化亜鉛層は１０〜３６ｎｍと
することが好ましい。また、第２誘電体層および第３誘
電体層は酸化亜鉛、酸化錫の他にＺｎＡｌＯを含有する
ことが好ましく、その膜厚は２〜６ｎｍ程度とすること
が好ましい。なお、各誘電体層中の酸化錫層、酸化亜鉛
層は、２層以上に分かれていても差し支えない。
なくとも酸化亜鉛層および酸化錫層より形成され、各誘
電体層におけるこれらの各膜厚は、第１誘電体層におけ
る酸化錫層は８〜１２ｎｍ、酸化亜鉛層は２１〜３１ｎ
ｍ、第２誘電体層における酸化錫層は１６〜２０ｎｍ、
酸化亜鉛層は５５〜６８ｎｍ、第３誘電体層における酸
化錫層は６〜３４ｎｍ、酸化亜鉛層は１０〜３６ｎｍと
することが好ましい。また、第２誘電体層および第３誘
電体層は酸化亜鉛、酸化錫の他にＺｎＡｌＯを含有する
ことが好ましく、その膜厚は２〜６ｎｍ程度とすること
が好ましい。なお、各誘電体層中の酸化錫層、酸化亜鉛
層は、２層以上に分かれていても差し支えない。
【００１１】そのうち、酸化物層としての酸化錫層より
なる非晶質の被膜は、化学的にも機械的にも強く、且つ
非晶質のルーズな構造のためガラスとの密着力も強く、
内部応力も発生しにくい。従ってガラスの直上に被覆す
ることが望ましい。ガラスとの密着力を高め、アルカリ
イオンの影響を断つための第１誘電体層中の酸化錫層の
厚みは少なくとも８ｎｍが必要である。しかし、該酸化
錫層は特にＡｇとの密着力が劣り、酸化錫層／Ａｇ層界
面での剥離が起こりやすい。又、酸化錫はそのイオン化
傾向から分かるように酸素との結合が弱く、被膜内の酸
素の化学的ポテンシャルが高いため、Ａｇ層に酸素が拡
散しやすく電気抵抗が上り、高電磁波遮蔽を達成し難
い。これらの理由より、酸化錫層はＡｇ層と接触させな
いことが好ましい。なお、酸化錫層には化学的、機械的
特性を向上し、またガラスとの密着力も強くする非晶質
の被膜成分としての元素が含まれても良い。
なる非晶質の被膜は、化学的にも機械的にも強く、且つ
非晶質のルーズな構造のためガラスとの密着力も強く、
内部応力も発生しにくい。従ってガラスの直上に被覆す
ることが望ましい。ガラスとの密着力を高め、アルカリ
イオンの影響を断つための第１誘電体層中の酸化錫層の
厚みは少なくとも８ｎｍが必要である。しかし、該酸化
錫層は特にＡｇとの密着力が劣り、酸化錫層／Ａｇ層界
面での剥離が起こりやすい。又、酸化錫はそのイオン化
傾向から分かるように酸素との結合が弱く、被膜内の酸
素の化学的ポテンシャルが高いため、Ａｇ層に酸素が拡
散しやすく電気抵抗が上り、高電磁波遮蔽を達成し難
い。これらの理由より、酸化錫層はＡｇ層と接触させな
いことが好ましい。なお、酸化錫層には化学的、機械的
特性を向上し、またガラスとの密着力も強くする非晶質
の被膜成分としての元素が含まれても良い。
【００１２】酸化亜鉛層は、Ａｇ層との密着力が高く、
又酸素との高い結合力によって層内の酸素のポテンシャ
ルが低いため、Ａｇ層内に酸素が拡散しにくい。従って
Ａｇ層直下の層は酸化亜鉛層が望ましい。なお、酸化亜
鉛層にはＡｇ層との密着力を低下せず、Ａｇ層内に酸素
が拡散しにくくするような被膜の成分としての公知の元
素が含まれても良い。なお、Ａｇ層に接触する酸化物層
中の酸素の化学ポテンシャルはできる限り低く保つこと
が肝要で、酸化亜鉛成膜時の雰囲気は酸素と共にできる
だけ多くのアルゴンを添加するのが望ましい。望ましい
アルゴンの添加率は設備によって異なるが、概ね１０〜
３０％である。この値は酸素雰囲気から徐々にアルゴン
を添加していき、ターゲットに掛かる電圧が急に上がる
か、電流が急に下がる現象を観測し、そこからアルゴン
を若干減らすことで決められる。また、酸化亜鉛層は緻
密で大気中の腐食性ガスの拡散を防ぐ効果があり、また
太陽光線に含まれる紫外線を吸収する働きがあるが化学
的耐久性が低いため、第３誘電体層の上層に酸化亜鉛層
を用いる場合には、さらにその上層に非晶質酸化物であ
る酸化錫層を設けることが望ましい。
又酸素との高い結合力によって層内の酸素のポテンシャ
ルが低いため、Ａｇ層内に酸素が拡散しにくい。従って
Ａｇ層直下の層は酸化亜鉛層が望ましい。なお、酸化亜
鉛層にはＡｇ層との密着力を低下せず、Ａｇ層内に酸素
が拡散しにくくするような被膜の成分としての公知の元
素が含まれても良い。なお、Ａｇ層に接触する酸化物層
中の酸素の化学ポテンシャルはできる限り低く保つこと
が肝要で、酸化亜鉛成膜時の雰囲気は酸素と共にできる
だけ多くのアルゴンを添加するのが望ましい。望ましい
アルゴンの添加率は設備によって異なるが、概ね１０〜
３０％である。この値は酸素雰囲気から徐々にアルゴン
を添加していき、ターゲットに掛かる電圧が急に上がる
か、電流が急に下がる現象を観測し、そこからアルゴン
を若干減らすことで決められる。また、酸化亜鉛層は緻
密で大気中の腐食性ガスの拡散を防ぐ効果があり、また
太陽光線に含まれる紫外線を吸収する働きがあるが化学
的耐久性が低いため、第３誘電体層の上層に酸化亜鉛層
を用いる場合には、さらにその上層に非晶質酸化物であ
る酸化錫層を設けることが望ましい。
【００１３】また、金属酸化物層としては、前記の酸化
錫、酸化亜鉛のほかの成分としてＺｎＡｌＯ層を用いる
ことが好ましい。このＺｎＡｌＯ層は、特に曲げ及び／
又は強化（半強化も含む）のために導電膜を形成後にガ
ラスの軟化点以上の高温で熱処理する場合、Ａｇ層の酸
化を防止するのに特に有効であり、後述する金属バリヤ
ー層の直上に設けることが好ましい。
錫、酸化亜鉛のほかの成分としてＺｎＡｌＯ層を用いる
ことが好ましい。このＺｎＡｌＯ層は、特に曲げ及び／
又は強化（半強化も含む）のために導電膜を形成後にガ
ラスの軟化点以上の高温で熱処理する場合、Ａｇ層の酸
化を防止するのに特に有効であり、後述する金属バリヤ
ー層の直上に設けることが好ましい。
【００１４】上部Ａｇ層、下部Ａｇ層に用いられるＡｇ
層の厚みは、電磁波遮蔽性、可視光線透過率および反射
色調に影響し、３０ｄＢ以上の高電磁波遮蔽性を得るた
めには１５ｎｍ以上の膜厚が必要であり、高可視光線透
過率、とりわけ７０％以上を確保し、且つ赤い反射光を
避けるためには３０ｎｍ以下とすることが好ましい。特
に、上部Ａｇ層、下部Ａｇ層を同じ膜厚とすることによ
りシート抵抗を低くすることが出来るので好ましい。さ
らに、Ａｇ層の膜厚を２０ｎｍ以上とすることにより、
該膜の表面シート抵抗は、２Ω／□以下の低抵抗とな
り、電磁遮蔽性能も４０ｄＢ以上が得られるので、さら
に高電磁遮蔽性能が必要な窓には、Ａｇ層の膜厚を２０
ｎｍ以上の膜構成とすることが特に好ましい。また、Ａ
ｇ層はＡｇを主成分としＡｇにＡｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｉｒ
等の元素が含まれても良い。
層の厚みは、電磁波遮蔽性、可視光線透過率および反射
色調に影響し、３０ｄＢ以上の高電磁波遮蔽性を得るた
めには１５ｎｍ以上の膜厚が必要であり、高可視光線透
過率、とりわけ７０％以上を確保し、且つ赤い反射光を
避けるためには３０ｎｍ以下とすることが好ましい。特
に、上部Ａｇ層、下部Ａｇ層を同じ膜厚とすることによ
りシート抵抗を低くすることが出来るので好ましい。さ
らに、Ａｇ層の膜厚を２０ｎｍ以上とすることにより、
該膜の表面シート抵抗は、２Ω／□以下の低抵抗とな
り、電磁遮蔽性能も４０ｄＢ以上が得られるので、さら
に高電磁遮蔽性能が必要な窓には、Ａｇ層の膜厚を２０
ｎｍ以上の膜構成とすることが特に好ましい。また、Ａ
ｇ層はＡｇを主成分としＡｇにＡｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｉｒ
等の元素が含まれても良い。
【００１５】Ａｇ層の直上部に用いる金属バリヤー層
は、Ａｇ層と酸化物層の両方に高い密着性をもつＡlを
１〜１０重量％含むＺｎＡｌ合金層が望ましい。なお、
ここでいう金属バリヤー層とは、Ａｇ層の直上に金属バ
リヤー層を成膜した直後は全厚が合金層であるが、次い
で、例えば、該合金層の上層に誘電体層の金属酸化物を
成膜する時、酸化性雰囲気（例えば酸素８０％、アルゴ
ン２０％）で成膜するため、該合金層の上層部の一部が
酸化物に変換される。この上層部が酸化された酸化物層
と残った合金層を含めて金属バリヤー層と呼ぶ。すなわ
ち、金属バリヤー層の膜厚とは、最初にＺｎＡｌ合金層
を成膜した時の膜厚を示す。
は、Ａｇ層と酸化物層の両方に高い密着性をもつＡlを
１〜１０重量％含むＺｎＡｌ合金層が望ましい。なお、
ここでいう金属バリヤー層とは、Ａｇ層の直上に金属バ
リヤー層を成膜した直後は全厚が合金層であるが、次い
で、例えば、該合金層の上層に誘電体層の金属酸化物を
成膜する時、酸化性雰囲気（例えば酸素８０％、アルゴ
ン２０％）で成膜するため、該合金層の上層部の一部が
酸化物に変換される。この上層部が酸化された酸化物層
と残った合金層を含めて金属バリヤー層と呼ぶ。すなわ
ち、金属バリヤー層の膜厚とは、最初にＺｎＡｌ合金層
を成膜した時の膜厚を示す。
【００１６】該金属バリヤー層の作用は、前記第２誘電
体層或いは第３誘電体層の酸化物層を成膜する際に、そ
の酸化性雰囲気の影響が下部のＡｇ層に及ばないように
成膜中のＡｇ層を保護するものである。さらに、成膜後
に大気中の水分が膜中に入りこみＡｇを酸化させるのを
防ぎ、Ａｇ層の耐湿性を向上する作用も併せて有してい
る。この金属バリヤー層としては、前記のようにＺｎＡ
ｌ合金が好ましく、特にＡｌを１．０〜１０．０重量％
含むＺｎＡｌ合金は、酸素との結合力が高く、最も効果
的にＡｇ層中に拡散してきた酸素その他の腐食性イオン
をトラップするので特に好ましい。この金属バリヤー層
の膜厚は、厚いほど強い効果が長続きすることは当然で
あるが、厚すぎると可視光線透過率を下げてしまう。し
かし次に酸化物を成膜する際、該金属バリヤー層の一部
は酸化されるので、その酸化前の最初の金属層の厚みは
１．０〜３．０ｎｍとすることが必要であるが、好まし
くは１．６〜３．０ｎｍ程度が良い。
体層或いは第３誘電体層の酸化物層を成膜する際に、そ
の酸化性雰囲気の影響が下部のＡｇ層に及ばないように
成膜中のＡｇ層を保護するものである。さらに、成膜後
に大気中の水分が膜中に入りこみＡｇを酸化させるのを
防ぎ、Ａｇ層の耐湿性を向上する作用も併せて有してい
る。この金属バリヤー層としては、前記のようにＺｎＡ
ｌ合金が好ましく、特にＡｌを１．０〜１０．０重量％
含むＺｎＡｌ合金は、酸素との結合力が高く、最も効果
的にＡｇ層中に拡散してきた酸素その他の腐食性イオン
をトラップするので特に好ましい。この金属バリヤー層
の膜厚は、厚いほど強い効果が長続きすることは当然で
あるが、厚すぎると可視光線透過率を下げてしまう。し
かし次に酸化物を成膜する際、該金属バリヤー層の一部
は酸化されるので、その酸化前の最初の金属層の厚みは
１．０〜３．０ｎｍとすることが必要であるが、好まし
くは１．６〜３．０ｎｍ程度が良い。
【００１７】本発明の透明基板としては、透明のガラ
ス、プラスチック等を用いることが出来、例えばガラス
基板としては、汎用の普通板ガラス、所謂フロート板ガ
ラスなどであり、クリアをはじめグリ−ン、ブロンズ等
各種着色ガラスや各種機能性ガラス、強化ガラスやそれ
に類するガラス、合せガラスのほか複層ガラス等、さら
に平板あるいは曲げ板等各種板ガラス製品として使用で
きることは言うまでもない。また、ガラスは透明プラス
チック板等との積層体であってもよい。なお、ガラスの
組成は、ソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス
等であるが、これらに限定されないことは、言うまでも
ない。なお、強度が強化された強化ガラス（例えば、表
面圧縮応力が１００ＭＮ／ｍ2程度）、或いは半強化ガ
ラス（例えば、表面圧縮応力が４０〜８０ＭＮ／ｍ2程
度）を用いるとガラスが割れにくいのでより好ましい。
ス、プラスチック等を用いることが出来、例えばガラス
基板としては、汎用の普通板ガラス、所謂フロート板ガ
ラスなどであり、クリアをはじめグリ−ン、ブロンズ等
各種着色ガラスや各種機能性ガラス、強化ガラスやそれ
に類するガラス、合せガラスのほか複層ガラス等、さら
に平板あるいは曲げ板等各種板ガラス製品として使用で
きることは言うまでもない。また、ガラスは透明プラス
チック板等との積層体であってもよい。なお、ガラスの
組成は、ソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス
等であるが、これらに限定されないことは、言うまでも
ない。なお、強度が強化された強化ガラス（例えば、表
面圧縮応力が１００ＭＮ／ｍ2程度）、或いは半強化ガ
ラス（例えば、表面圧縮応力が４０〜８０ＭＮ／ｍ2程
度）を用いるとガラスが割れにくいのでより好ましい。
【００１８】得られた電磁波シールドフィルタ用基板
は、透明導電膜の表面シート抵抗が２．５Ω/□以下、
可視光線透過率が７０％以上、電磁遮蔽性能（１ＧＨ
Ｚ）については３０ｄＢ以上が可能であるとともに、高
温多湿の環境下であってもＡｇの酸化による斑点等の欠
陥が発生せず、高性能、高耐久性を有する。なお、本発
明の電磁シールドフィルター用基板は、ＰＤＰ、ＣＲＴ
などのディスプレー前面から発生する電磁波のシール
ド、およびリモコンの誤動作を防止するための近赤外線
カットの機能を有する電磁波シールドフィルタ用基板に
用いることが可能であり、例えばＰＤＰ用に用いる場合
には、本発明の電磁シールドフィルター用基板の表面及
び裏面に粘着剤等により反射防止、Ａｇ系透明導電膜の
防湿、ガラス割れ時の飛散防止、粘着層の色素添加によ
るフィルタ全体の色度調整などの機能を有する透明フィ
ルムを貼り付け、ＰＤＰの前面（電磁遮蔽膜はＰＤＰ
側）に装着して用いることが出来る。
は、透明導電膜の表面シート抵抗が２．５Ω/□以下、
可視光線透過率が７０％以上、電磁遮蔽性能（１ＧＨ
Ｚ）については３０ｄＢ以上が可能であるとともに、高
温多湿の環境下であってもＡｇの酸化による斑点等の欠
陥が発生せず、高性能、高耐久性を有する。なお、本発
明の電磁シールドフィルター用基板は、ＰＤＰ、ＣＲＴ
などのディスプレー前面から発生する電磁波のシール
ド、およびリモコンの誤動作を防止するための近赤外線
カットの機能を有する電磁波シールドフィルタ用基板に
用いることが可能であり、例えばＰＤＰ用に用いる場合
には、本発明の電磁シールドフィルター用基板の表面及
び裏面に粘着剤等により反射防止、Ａｇ系透明導電膜の
防湿、ガラス割れ時の飛散防止、粘着層の色素添加によ
るフィルタ全体の色度調整などの機能を有する透明フィ
ルムを貼り付け、ＰＤＰの前面（電磁遮蔽膜はＰＤＰ
側）に装着して用いることが出来る。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より行った。ただし本発明は係る実施例に限定されるも
のではない。
る。なお、成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より行った。ただし本発明は係る実施例に限定されるも
のではない。
【００２０】大きさが１０００ｍｍ×５８０ｍｍ×約３
ｍｍ（厚さ）のフロートガラス基板（ガラスの周縁部の
黒枠プリントおよびブスバー付き、半強化加工品）の表
面上に、スパッタ装置を用いて下記順序で被膜を形成し
た。先ず、スパッタ装置に、カソードに予めＳｎ、Ｚｎ
（３台）、Ａｇ、ＺｎＡｌ（Ａｌ含有率４ｗｔ％）の各
金属ターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が５×
１０-5Ｔorrとなるまで真空チャンバー内の排気を充分
に行った。なお、本方法は、真空チャンバー内のターゲ
ットの下方に搬送ロールが設置され、そのロール上をガ
ラス基板が往復動する時に電力が印加されたターゲット
より所定の金属層あるいは金属酸化物層がガラス板上に
成膜されるようになっている。
ｍｍ（厚さ）のフロートガラス基板（ガラスの周縁部の
黒枠プリントおよびブスバー付き、半強化加工品）の表
面上に、スパッタ装置を用いて下記順序で被膜を形成し
た。先ず、スパッタ装置に、カソードに予めＳｎ、Ｚｎ
（３台）、Ａｇ、ＺｎＡｌ（Ａｌ含有率４ｗｔ％）の各
金属ターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が５×
１０-5Ｔorrとなるまで真空チャンバー内の排気を充分
に行った。なお、本方法は、真空チャンバー内のターゲ
ットの下方に搬送ロールが設置され、そのロール上をガ
ラス基板が往復動する時に電力が印加されたターゲット
より所定の金属層あるいは金属酸化物層がガラス板上に
成膜されるようになっている。
【００２１】次に、１パス目として、成膜室の雰囲気を
酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に保持し、Ｓｎタ
ーゲットにより第１誘電体層の１層目としてのＳｎＯ2
層を１０ｎｍ成膜した後、１層目と同条件でＺｎターゲ
ットにより２層目のＺｎＯ層を２６．２ｎｍ成膜した。
次に、２パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活性雰
囲気に保持し、Ａｇターゲットにより下部Ａｇ層として
のＡｇ層を１６ｎｍ、４Ａｌ−Ｚｎターゲットにより第
１金属バリヤー層としての４Ａｌ−Ｚｎ合金層を２．１
ｎｍ成膜した。３パス目として成膜室の雰囲気を再び酸
化性雰囲気（Ｏ 2：Ａｒ＝８：２）に保持し、第２誘電
体層の金属酸化物層を形成した。第２誘電体層の１層目
としての４Ａｌ−ＺｎＯ層を３ｎｍ、２層目としてのＳ
ｎＯ2層を５．７ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ層を２
９．４ｎｍを順次成膜した。、さらに、４パス目として
３パス目と同じ雰囲気で４層目としてのＳｎＯ2層を１
１．４ｎｍ成膜した後、さらに５パス目として５層目と
してのＺｎＯ層を２９．５ｎｍ成膜した。
酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に保持し、Ｓｎタ
ーゲットにより第１誘電体層の１層目としてのＳｎＯ2
層を１０ｎｍ成膜した後、１層目と同条件でＺｎターゲ
ットにより２層目のＺｎＯ層を２６．２ｎｍ成膜した。
次に、２パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活性雰
囲気に保持し、Ａｇターゲットにより下部Ａｇ層として
のＡｇ層を１６ｎｍ、４Ａｌ−Ｚｎターゲットにより第
１金属バリヤー層としての４Ａｌ−Ｚｎ合金層を２．１
ｎｍ成膜した。３パス目として成膜室の雰囲気を再び酸
化性雰囲気（Ｏ 2：Ａｒ＝８：２）に保持し、第２誘電
体層の金属酸化物層を形成した。第２誘電体層の１層目
としての４Ａｌ−ＺｎＯ層を３ｎｍ、２層目としてのＳ
ｎＯ2層を５．７ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ層を２
９．４ｎｍを順次成膜した。、さらに、４パス目として
３パス目と同じ雰囲気で４層目としてのＳｎＯ2層を１
１．４ｎｍ成膜した後、さらに５パス目として５層目と
してのＺｎＯ層を２９．５ｎｍ成膜した。
【００２２】さらに、６パス目として雰囲気をＡｒ１０
０％の不活性雰囲気に保持し、Ａｇターゲットにより上
部Ａｇ層としてのＡｇ層を１８ｎｍ、４Ａｌ−Ｚｎター
ゲットにより第２の金属バリヤー層としての４Ａｌ−Ｚ
ｎ合金層を２．１ｎｍ、次に７パス目として成膜室の雰
囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に保持
し、第３誘電体層の１層目としての４Ａｌ−ＺｎＯ層を
３ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ2層を４．１ｎｍ、３層
目としてのＺｎＯ層を１５ｎｍ、８パス目として４層目
としてのＳｎＯ2層を１４．１ｎｍ順次成膜し、透明導
電膜が被覆された電磁波シールドフィルター用ガラス基
板を成膜室より排出した。なお、第１金属バリヤー層お
よび第２金属バリヤー層の４Ａｌ−Ｚｎ合金層の上層に
酸化性雰囲気で４Ａｌ−ＺｎＯ層を成膜するとき、前記
４Ａｌ−Ｚｎ合金層は酸化されていた。以上のように電
磁波シールドフィルター用基板を作製した。得られた電
磁波シールドフィルター用基板の特性を評価した結果、
シート抵抗：２．２Ω/□、電磁波シールド性(３０〜１
０００ＭＨｚ）：３０ｄＢ以上、可視光透過率：７５％
と優れた特性を有するものであった。
０％の不活性雰囲気に保持し、Ａｇターゲットにより上
部Ａｇ層としてのＡｇ層を１８ｎｍ、４Ａｌ−Ｚｎター
ゲットにより第２の金属バリヤー層としての４Ａｌ−Ｚ
ｎ合金層を２．１ｎｍ、次に７パス目として成膜室の雰
囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に保持
し、第３誘電体層の１層目としての４Ａｌ−ＺｎＯ層を
３ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ2層を４．１ｎｍ、３層
目としてのＺｎＯ層を１５ｎｍ、８パス目として４層目
としてのＳｎＯ2層を１４．１ｎｍ順次成膜し、透明導
電膜が被覆された電磁波シールドフィルター用ガラス基
板を成膜室より排出した。なお、第１金属バリヤー層お
よび第２金属バリヤー層の４Ａｌ−Ｚｎ合金層の上層に
酸化性雰囲気で４Ａｌ−ＺｎＯ層を成膜するとき、前記
４Ａｌ−Ｚｎ合金層は酸化されていた。以上のように電
磁波シールドフィルター用基板を作製した。得られた電
磁波シールドフィルター用基板の特性を評価した結果、
シート抵抗：２．２Ω/□、電磁波シールド性(３０〜１
０００ＭＨｚ）：３０ｄＢ以上、可視光透過率：７５％
と優れた特性を有するものであった。
【００２３】次に、上記で得られた透明導電膜が被覆さ
れた電磁波シールドフィルター用基板の表面と裏面に、
粘着剤を有したＡＲ(反射防止)処理付きのＡＲフィルム
（日本油脂製Ｒｅａｌｏｏｋ、基材はＴＡＣ樹脂製、粘
着剤はアクリル系樹脂)を貼り付け電磁波シールドフィ
ルターを作製した。このＡＲフィルムは、反射防止を行
うとともに透明導電膜の保護とガラス基板の割れ飛散防
止等の機能を有するものである。なお、該透明導電膜
は、ガラス基板表面の周縁部にプリント印刷された黒枠
の上面に設けられたブスバーに接続された。この作製し
た電磁波シールドフィルターの特性を評価した結果、電
磁波シールド性(３０〜１０００ＭＨｚ）：３０ｄＢ以
上、可視光透過率：７０％、近赤外線透過率(９５０ｎ
ｍ)：３％を示すとともに、耐湿性（６０゜Ｃ，９０％
ＲＨ、１０００ｈ）も評価した結果、０．２ｍｍ以上の
大きさをもつ顕著な膜欠陥や色度変化は無く、非常に良
好な耐湿性を示し、このＰＤＰ用の電磁波シールドフィ
ルタとして優れた性能を有していた。
れた電磁波シールドフィルター用基板の表面と裏面に、
粘着剤を有したＡＲ(反射防止)処理付きのＡＲフィルム
（日本油脂製Ｒｅａｌｏｏｋ、基材はＴＡＣ樹脂製、粘
着剤はアクリル系樹脂)を貼り付け電磁波シールドフィ
ルターを作製した。このＡＲフィルムは、反射防止を行
うとともに透明導電膜の保護とガラス基板の割れ飛散防
止等の機能を有するものである。なお、該透明導電膜
は、ガラス基板表面の周縁部にプリント印刷された黒枠
の上面に設けられたブスバーに接続された。この作製し
た電磁波シールドフィルターの特性を評価した結果、電
磁波シールド性(３０〜１０００ＭＨｚ）：３０ｄＢ以
上、可視光透過率：７０％、近赤外線透過率(９５０ｎ
ｍ)：３％を示すとともに、耐湿性（６０゜Ｃ，９０％
ＲＨ、１０００ｈ）も評価した結果、０．２ｍｍ以上の
大きさをもつ顕著な膜欠陥や色度変化は無く、非常に良
好な耐湿性を示し、このＰＤＰ用の電磁波シールドフィ
ルタとして優れた性能を有していた。
【００２４】以上に示すとおり、本発明の電磁波シール
ドフィルター用基板は、ＰＤＰ用電磁波シールドフィル
ター用として用いるのに優れた特性を有するものであっ
た。
ドフィルター用基板は、ＰＤＰ用電磁波シールドフィル
ター用として用いるのに優れた特性を有するものであっ
た。
【００２５】
【発明の効果】本発明の電磁波シールド用フィルタ基板
は、透明導電膜のシート抵抗が２．５Ω／□以下で、可
視光透過率が７０％以上と明るく、しかもＡｇ層にＰｄ
を使用していないため、コスト的に有利であり、特にＡ
ｇ層の２層を同じ膜厚とすることによりシート抵抗を低
くすることが出来、さらにバリア層を厚くすることで耐
湿性にも優れた高電磁波遮蔽性能と高耐久性を有する電
磁波シールドフィルター用基板を安価に提供するもので
ある。
は、透明導電膜のシート抵抗が２．５Ω／□以下で、可
視光透過率が７０％以上と明るく、しかもＡｇ層にＰｄ
を使用していないため、コスト的に有利であり、特にＡ
ｇ層の２層を同じ膜厚とすることによりシート抵抗を低
くすることが出来、さらにバリア層を厚くすることで耐
湿性にも優れた高電磁波遮蔽性能と高耐久性を有する電
磁波シールドフィルター用基板を安価に提供するもので
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３０９ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３０９Ａ Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｖ (72)発明者 片野 正昭 三重県松阪市大口町1510 セントラル硝子 株式会社硝子研究所内 (72)発明者 大西 正司 三重県松阪市大口町1510 セントラル硝子 株式会社生産技術研究所内 (72)発明者 井上 元春 三重県松阪市大口町1510 セントラル硝子 株式会社生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 4F100 AA25B AA25C AA25D AA25E AA28B AA28C AA28D AA28E AB10E AB18E AB24E AB31E AG00A AK01A AK25G AT00A BA05 BA08 BA27 CB05 EJ58 GB41 JD04 JD08 JG05B JG05C JG05D JN01 JN01A 4G059 AA08 AB05 AB09 AB11 AB13 AC12 AC25 DA01 DA05 DB02 EA01 EA02 EA07 EB04 GA02 GA04 GA14 5E321 AA04 BB23 BB25 BB53 CC16 GG05 GG11 GH01 5G435 AA13 AA16 BB06 GG33 KK05
Claims (4)
- 【請求項１】透明基板上に、透明金属酸化物よりなる第
１誘電体層／下部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第１金属バ
リヤー層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／上
部Ａｇ層／ＺｎＡlよりなる第２金属バリヤー層/透明金
属酸化物層よりなる第３誘電体層からなる透明導電膜が
積層された基板であって、第１誘電体層の膜厚が３３〜
４３ｎｍ，下部Ａｇ層、上部Ａｇ層の膜厚がそれぞれ１
５ｎｍ〜３０ｎｍ、第１金属バリヤー層、第２金属バリ
ヤー層の膜厚がそれぞれ１．０〜３．０ｎｍ、第２誘電
体層の膜厚が７５〜８５ｎｍ、第３誘電体層の膜厚が２
５〜５５ｎｍからなることを特徴とする電磁波シールド
フィルター用基板。 - 【請求項２】第１、第２および第３の各誘電体層は、少
なくとも酸化亜鉛層および酸化錫層より形成され、各誘
電体層におけるこれらの各膜厚は、第１誘電体層におけ
る酸化錫層は８〜１２ｎｍ、酸化亜鉛層は２１〜３１ｎ
ｍ、第２誘電体層における酸化錫層は１６〜２０ｎｍ、
酸化亜鉛層は５５〜６８ｎｍ、第３誘電体層における酸
化錫層は６〜３４ｎｍ、酸化亜鉛層は１０〜３６ｎｍで
あることを特徴とする請求項１記載の電磁波シールドフ
ィルター用基板。 - 【請求項３】ＺｎＡｌの金属バリヤー層は、Ａｌを１〜
１０重量％含むＺｎＡｌ合金であることを特徴とする請
求項１又は２記載の電磁波シールドフィルター用基板。 - 【請求項４】プラズマデイスプレイの前面に装着されて
なることを特徴とする請求項１乃至３記載の電磁波シー
ルドフィルター用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000179526A JP2002003244A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 電磁波シールドフィルター用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000179526A JP2002003244A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 電磁波シールドフィルター用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002003244A true JP2002003244A (ja) | 2002-01-09 |
Family
ID=18680787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000179526A Pending JP2002003244A (ja) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | 電磁波シールドフィルター用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002003244A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006090798A1 (ja) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Asahi Glass Company, Limited | 電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置 |
| JP2007191384A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Central Glass Co Ltd | 低放射ガラス |
| WO2011148979A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | パナソニック電工株式会社 | 電磁波シールドフィルター |
-
2000
- 2000-06-15 JP JP2000179526A patent/JP2002003244A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006090798A1 (ja) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Asahi Glass Company, Limited | 電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置 |
| JP2007191384A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Central Glass Co Ltd | 低放射ガラス |
| WO2011148979A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | パナソニック電工株式会社 | 電磁波シールドフィルター |
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