JP2001334385A - 電子機器用Sn−Ag−Cu−Bi−In系はんだ - Google Patents

電子機器用Sn−Ag−Cu−Bi−In系はんだ

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JP2001334385A
JP2001334385A JP2000154360A JP2000154360A JP2001334385A JP 2001334385 A JP2001334385 A JP 2001334385A JP 2000154360 A JP2000154360 A JP 2000154360A JP 2000154360 A JP2000154360 A JP 2000154360A JP 2001334385 A JP2001334385 A JP 2001334385A
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solder
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electronic apparatus
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JP2000154360A
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English (en)
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Koji Serizawa
弘二 芹沢
Tasao Soga
太佐男 曽我
Hideyoshi Shimokawa
英恵 下川
Tetsuya Nakatsuka
哲也 中塚
Hiroaki Okudaira
弘明 奥平
Kazuma Miura
一真 三浦
Toshiharu Ishida
寿治 石田
Kosuke Yamada
浩介 山田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、酸化を抑制し、強度の改善を図っ
た、電子機器用はんだを提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、A
gが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.0質量%、Bi
を0.5〜3質量%、Inが0.5〜3質量%を含むは
んだにGeを0.01〜0.03質量%あるいはSeを
0.01〜1質量%、Sbを0.5〜1.5質量%、残
部がSnからなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子・電機機器用
に用いるはんだ材料の組成に関するものであり、実装技
術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】近年、種々のPbフリー材料が提案され
てきている。
【0003】この中で、Sn―Agを基本にした組成
は、融点は従来のPb−Sn共晶(183℃)と比較す
ると高い(約220℃)が、比較的信頼性に優れた材料
として、種々の組成が提案されている。例えば、Snに
数質量%のAgを添加した組成を基本にして、少量のC
uを添加した系が提案されている。Cuは、融点の低下
の効果と、組織的な改善効果があると言われており、有
望な代替材料と言われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この系は基本
的に融点が高く、低耐熱性部品や基板の使用には、限界
がある。
【0005】この問題を解決するために、Biの添加が
試みられたが、Biの添加で融点は下がるが、強度低下
がおこり、Biの添加量には限界が生じた。このため、
Biの添加量を少なくして、代わりに強度が低下しない
Inを添加する系が提案されているが、Bi添加による
強度低下を補うものでは無い。さらに、このはんだ組成
では、Snの量が90質量%以上になるのが一般的であ
り、はんだ付け時の溶融はんだのSnの酸化が激しいこ
とが問題になっている。
【0006】本発明は、これらの問題点を解決するもの
であり、酸化を抑制した信頼性の高い電子機器用はんだ
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために特許請求の範囲の通りに構成したものであ
る。この耐酸化性の向上によって、はんだのSnの消耗
量を減らし、Bi添加によって強度の減少を防止する。
【0008】
【発明の実施の形態】材料として、Snに約1〜3質量
%のAgを含み、約0.5〜1.0質量%のCu、約
0.5〜3質量%のBi、約0.5〜3質量%のIn
に、GeあるいはSeを添加した。両元素とも0.02
質量%程度の微量の含有でも十分な効果があった。これ
は、GeやSeが優先的にわずかに酸化して表面を覆う
ことで、Snなどの酸化を抑止する為と考えられる。
【0009】一方、図1に一実施例を示したが、Snに
約1〜3質量%のAgを含み、約0.5〜1.0質量%
のCu、約0.5〜3質量%のBi、約0.5〜3質量
%のInに、Sbを添加することではんだの強度を改善
した。0.5質量%の含有で、強度は10%程度増加し
て、顕著な改善の効果が見られた。これは、SnとSb
の微細な金属間化合物が組織中に分散することで、強度
が増加したものと考えられる。また、1.5質量%を超
えるSbを含むと、析出する金属間化合物の析出が多く
なり、はんだ材料としての伸びが低下する傾向が現れ
る。これが、Sbの上限を定めた理由である。
【0010】さらに、Snに約1〜3質量%のAgを含
み、約0.5〜1.0質量%のCu、約0.5〜3質量
%のBi、約0.5〜3質量%のInに、Geあるいは
SeとSbの両者を含有すると、両元素を含むはんだ組
成は、強度低下および表面酸化の2つの欠点を解決でき
た。
【0011】なお、多元形にした場合、Cuによる効果
が薄れるので、Cuを除いた組成であっても前述の効果
は得られる。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、Pbフリーはんだ材料
で解決困難であった、強度の改善と酸化の抑制が同時に
行えることがわかった。これによって、使い勝手が向上
し、Pbフリー化で予想される設備の更新・改良やプロ
セス欠陥増加によるコストアップを抑制して、Pbフリ
ー化が促進される。
【図面の簡単な説明】
【図1】Sbの添加によるはんだの強度を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下川 英恵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中塚 哲也 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 奥平 弘明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 三浦 一真 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 石田 寿治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山田 浩介 茨城県日立市東多賀町一丁目1番1号 株 式会社日立製作所電化機器事業部内 Fターム(参考) 5E319 BB01 BB08 BB10

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Agが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.
    0質量%、Biが0.5〜3.0質量%、Inが0.5
    〜3質量%、Geが0.01〜0.03あるいはSeが
    0.01〜0.1質量%、残部がSnからなることを特
    徴とする電子機器用はんだ。
  2. 【請求項2】Agが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.
    0質量%、Biが0.5〜3.0質量%、Inが0.5
    〜3質量%、Sbが0.5〜1.5質量%、残部がSn
    からなることを特徴とする電子機器用はんだ。
  3. 【請求項3】Agが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.
    0質量%、Biが0.5〜3.0質量%、Inが0.5
    〜3質量%、Geが0.01〜0.03あるいはSeが
    0.01〜0.1質量%、Sbが0.5〜1.5質量
    %、残部がSnからなることを特徴とする電子機器用は
    んだ。
  4. 【請求項4】請求項1〜3に記載した電子機器用はんだ
    を用いることを特徴とした電子機器。
JP2000154360A 2000-05-22 2000-05-22 電子機器用Sn−Ag−Cu−Bi−In系はんだ Pending JP2001334385A (ja)

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