JP2001302998A - 接着フィルムおよびその用途 - Google Patents

接着フィルムおよびその用途

Info

Publication number
JP2001302998A
JP2001302998A JP2001035772A JP2001035772A JP2001302998A JP 2001302998 A JP2001302998 A JP 2001302998A JP 2001035772 A JP2001035772 A JP 2001035772A JP 2001035772 A JP2001035772 A JP 2001035772A JP 2001302998 A JP2001302998 A JP 2001302998A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive film
filler
epoxy resin
adhesive
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001035772A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Sumiya
圭二 住谷
Teiichi Inada
禎一 稲田
Yasushi Shimada
靖 島田
Hiroko Tanaka
裕子 田中
Tetsuo Iwakura
哲郎 岩倉
Hiroyuki Kuritani
弘之 栗谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2001035772A priority Critical patent/JP2001302998A/ja
Publication of JP2001302998A publication Critical patent/JP2001302998A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 吸湿後の耐熱性、耐リフロー性、吸湿後の接
着性などに優れる接着フィルム、これを用いた、高温高
湿条件下における高い信頼性を確保する半導体装置を提
供する。 【解決手段】 平均径0.01〜2.0μmの空孔を有
し、空孔の体積含有率が0.1〜20体積%としたフィ
ラーを含有する接着フィルムである。また、フィラーを
含有する組成物を、塗布、乾燥させてなる接着フィルム
であって、フィラーの水との接触角をa、前記組成物か
らフィラーを除く配合物を塗布、乾燥させたものの水と
の接触角をbとするとき、0.75>a/bの関係を満
たす接着フィルムである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着フィルムおよ
びその用途に関する。さらに詳しくは、半導体装置にお
ける半導体チップと支持基板とを接着するのに有用な接
着フィルム、これを用いた半導体搭載用配線基板並びに
半導体装置およびその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から配線板や半導体パッケージ用の
接着剤には、アクリロニトリルブタジエンゴムを主成分
とする系が多く用いられている。プリント配線板関連材
料として耐湿性を向上させたものとしては、特開昭60
−243180号公報に示されるアクリル樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリイソシアネートおよび無機フィラーを含む
接着剤があり、また、特開昭61−138680号公報
に示されるアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、分子中にウ
レタン結合を有する両末端が第1級アミン化合物および
無機フィラーを含む接着剤がある。
【0003】しかしながら、これらの公知の接着剤は、
PCT(プレッシャークッカーテスト)処理などの厳し
い条件下での耐湿性試験を行った場合には、劣化が大き
かった。また、高温で長時間処理した後の接着力の低下
が大きいことや、耐電食性に劣ることなどの欠点があっ
た。特に、半導体関連部品の信頼性評価で用いられるP
CT処理などの厳しい条件下で耐湿性試験を行った場合
の劣化が大きかった。このように、ゴムを主成分とする
接着剤においては、フィラーなどの補強がなされていた
ものの、吸湿後の耐熱性に課題があった。
【0004】また最近では、コスト削減の観点から、半
導体製造工程の短縮の手法として、半導体ウエハの裏面
にあらかじめ接着フィルムをラミネートし、その半導体
ウエハを接着フィルムごとダイシングした後、接着剤付
き半導体素子としてピックアップしてそのまま支持部材
に接着するという製造法が広まりつつあり、この製造工
程に対応することも必要になっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、吸湿後の耐
熱性、耐リフロー性、吸湿後の接着性などに優れる接着
フィルム、および、これを用いた、高温高湿条件下にお
いて高い信頼性を有する半導体装置を提供するものであ
る。また本発明は、フィルムの仮張りの工程およびその
際に使用する機器のいずれも必要としないことを特長と
する半導体装置の製造法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、次の各発明に
関する。 1)平均径0.01〜2.0μmの空孔を体積含有率で
0.1〜20体積%含有する接着フィルム。 2)フィラーを含有する、前記1)記載の接着フィル
ム。
【0007】3)(1)下記(2)エポキシ樹脂と非相
溶である重量平均分子量が10万以上の高分子化合物、
(2)エポキシ樹脂、(3)エポキシ樹脂の硬化剤、
(4)フィラーおよび(5)硬化促進剤を含有する組成
物を、塗布、乾燥させ、平均径0.01〜2.0μmの
空孔を体積含有率で0.1〜20体積%含有する接着フ
ィルム。
【0008】4)フィラーを含有する組成物を、塗布、
乾燥させてなる接着フィルムであって、フィラーと水と
の接触角をa、前記組成物からフィラーを除く配合物を
塗布、乾燥させたものと水との接触角をbとするとき、
0.75>a/bの関係を満たす接着フィルム。
【0009】5)(1)下記(2)エポキシ樹脂と非相
溶である重量平均分子量が10万以上の高分子化合物、
(2)エポキシ樹脂、(3)エポキシ樹脂の硬化剤、
(4)フィラーおよび(5)硬化促進剤を含有する組成
物を、塗布、乾燥させてなる接着フィルムであって、前
記(1)〜(5)の成分が、0.75>a/bの関係を
満たす(ただし、(4)フィラーと水との接触角をa、
(1)、(2)、(3)および(5)の配合物を塗布、
乾燥させたものと水との接触角をbとする)接着フィル
ム。
【0010】6) (1)〜(5)の成分の配合割合
が、(1)高分子化合物 50.0〜70.0重量%、
(2)エポキシ樹脂と(3)エポキシ樹脂の硬化剤との
合計17.0〜49.5重量%、(4)フィラー 0.
45〜10.0重量%および(5)硬化促進剤 0.0
5〜3.0重量%である、前記3)または5)記載の接
着フィルム。
【0011】7)(1)重量平均分子量が10万以上の
高分子化合物がエポキシ基含有アクリル系共重合体であ
る、前記3)、5)または6)記載の接着フィルム。 8)(2)エポキシ樹脂が変異原性を有しないエポキシ
樹脂である、前記3)、5)〜7)のいずれか1項記載
の接着フィルム。 9)(4)フィラーがシリカである、前記2)〜8)の
いずれか1項記載の接着フィルム。
【0012】10)(4)フィラーの平均粒径が0.0
05〜0.1μmである、前記2)〜9)のいずれか1
項記載の接着フィルム。 11)単層構造からなる、前記1)〜10)のいずれか
1項記載の接着フィルム。 12)接着フィルムの片面または両面に保護層を有して
なる、前記11)記載の接着フィルム。
【0013】13)基材層の片面または両面に、直接ま
たは他の層を介して、前記1)〜10)のいずれか1項
記載の接着フィルムが積層されてなる基材付き接着フィ
ルム。 14) 基材付き接着フィルムの片面または両面に保護
層を有してなる、前記13)記載の基材付き接着フィル
ム。
【0014】15)上記基材が耐熱性のフィルムであ
る、前記13)または14)記載の基材付き接着フィル
ム。 16)前記1)〜12)のいずれか1項記載の接着フィ
ルムまたは前記13)〜15)のいずれか1項記載の基
材付き接着フィルムを用いて、半導体素子同士または半
導体素子と半導体支持部材とを接着してなる半導体装
置。
【0015】17)前記1)〜12)のいずれか1項記
載の接着フィルムまたは前記13)〜15)のいずれか
1項記載の基材付き接着フィルムとダイシングテープと
を半導体ウエハにラミネートした後、ウエハおよび接着
フィルムをチップに切断し、その後、ダイシングテープ
からピックアップした接着フィルム付き半導体素子を用
いて、半導体素子同士または半導体素子と半導体支持部
材とを接着する半導体装置の製造法。
【0016】18)前記1)〜12)のいずれか1項記
載の接着フィルムまたは前記13)〜15)のいずれか
1項記載の基材付き接着フィルム上にダイシングテープ
が積層されてなるダイシングフィルム一体型接着フィル
ム。 19)前記18)記載のダイシングフィルム一体型接着
フィルムを半導体ウエハにラミネートし、ウエハと接着
フィルムを同時にダイシングした後に接着層付き半導体
素子としてピックアップし、半導体素子同士または半導
体素子と半導体支持部材とを接着する半導体装置の製造
法。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明における第1の接着フィル
ムは、平均径0.01〜2.0μmの空孔を体積含有率
で0.1〜20体積%含有する接着フィルムである。こ
こで接着フィルムが有する空孔とは、空隙、空間、隙間
などを意味し、空孔の平均径とはその空孔の体積を、お
およそ球に換算した場合の直径を意味する。
【0018】本発明の接着フィルムは、耐PCT性(接
着強度の低下の防止)の点から、平均径0.01〜2.
0μmの空孔を有することが必要であり、0.03〜
0.1μmであることが好ましい。また、空孔の体積含
有率は、耐PCT性および耐リフロー性の点から、接着
フィルムの0.1〜20体積%であることが必要であ
る。空孔は均一に分散してることが好ましい。
【0019】空孔の体積含有率は、以下の方法で算出す
る。 (a)走査型電子顕微鏡(SEM)で用いて、フィラー
の平均粒径の100倍の長さを1辺とする正方形面積を
有し、かつ空孔数が50個存在する場所を設定し、SE
M写真を撮影する。 (b)その正方形面積と50個の空孔の面積を次の方法
で求める。密度および膜厚が均一な透明なフィルムをS
EM写真上に載せて、50個すべての空孔の形に沿って
ペンでトレースした後、そのトレースした空孔部分を切
り離す。 (c)同様にして一定の正方形面積部分(50個の空孔
部分を含む)を(b)と同様にペンでトレース後、その
空孔を除く部分を切り離す。 (d)切り離した(b)と(c)の重量を測定し、
(b)/(c)を求める。 (e)V=[(b)/(c)]3/2を求める。 (f)(a)〜(e)を5回繰り返し、得られたVの平
均値を体積含有率とする。
【0020】本発明における第1の接着フィルムは、上
記のような空孔を有するものであれば良く、その材質と
しては、たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリ
イミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂、シア
ネート樹脂などの樹脂を含むものが挙げられ、中でも、
エポキシ樹脂、アクリル樹脂を含むものが、耐熱性、接
着性などに優れる点で好ましい。
【0021】また、上記のような空孔を有するために、
接着フィルムにフィラーを含有させることがもっとも好
ましい。すなわち、空孔の大きさ、空孔の体積含有率
は、フィラーの含有量、粒径、凝集形態に依存してお
り、フィラー含有量が多いほど、フィラーが微細な粒径
ほど、そしてフィラーが分散した形態であるほど、空孔
の大きさと体積含有率は増加する。このようなフィラー
の含有量、形状、形態の因子は、単独でも、また2以上
の因子を適宜組み合せて、空孔の大きさ、体積含有率の
制御に用いることができる。
【0022】また、本発明の第2の接着フィルムは、フ
ィラーを含有する組成物を塗布、乾燥させてなる接着フ
ィルムであって、フィラーと水との接触角をa、前記組
成物からフィラーを除く配合物を塗布、乾燥させたもの
と水との接触角をbとするとき、0.75>a/bの関
係を満たす接着フィルムである。
【0023】すなわち、第2の接着フィルムは、フィラ
ーを含有すると共に、吸湿後の耐熱性の点から、0.7
5>a/bすなわち、a/bが0.75未満であること
が必要であり、0.66未満であることが好ましく、
0.50未満であることがより好ましい。a/bの下限
は0.25程度である。
【0024】なお、フィラーと水との接触角aは以下の
方法で測定する。フィラーを圧縮成形して平板を作製
し、その上に、水滴を滴下し、その水滴が平板と接触す
る角度を接触角計で測定する。接触角の値は10回測定
した平均値を使用する。フィラーを除く配合物を塗布、
乾燥させたものと水との接触角bも、aの測定と同様に
して行う。
【0025】本発明における第2の接着フィルムも、そ
の材質としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイ
ミド樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂を含むものが挙げ
られ、中でも、エポキシ樹脂、アクリル樹脂を含むもの
が、耐熱性、接着性などに優れる点で好ましい。また、
フィラーと水との接触角aは、フィラーの組成、その表
面の処理、その作製方法を介してのフィラーの粒径に依
存して変化するので、たとえば、シリカ、三酸化二アン
チモンを用いること、またフィラーの表面を親和(親
水)処理すること、さらにより微細なフィラーを使用す
ること、により、接触角aを小さくすることができる。
このような、接触角に影響を及ぼす因子は、単独でも、
また2以上の因子を適宜組み合せて、フィラーと水との
接触角の制御を行うことができる。
【0026】なお、前記第1の接着フィルムの特性と、
第2の接着フィルムの特性を合わせ持つフィルムは、耐
PCT性および吸湿はんだ耐熱性が優れている点で、よ
り好ましいものとしてあげられる。
【0027】以下に、本発明の前記第1の接着フィルム
および前記第2の接着フィルムに共通する事項について
説明する。
【0028】本発明の接着フィルムの成分としては、
(1)下記(2)エポキシ樹脂と非相溶である重量平均
分子量が10万以上の高分子化合物、(2)エポキシ樹
脂、(3)エポキシ樹脂の硬化剤、(4)フィラーおよ
び(5)硬化促進剤、を含有するものが、耐熱性、接着
性が優れており、また、170度1時間程度で硬化が完
了でき、穏和な条件で製造できるので好ましい。
【0029】前記(1)重量平均分子量が10万以上の
高分子化合物は、(2)エポキシ樹脂と非相溶性である
ことが必要である。ここで、重量平均分子量は、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)で標準
ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値
である。また、(1)高分子化合物が(2)エポキシ樹
脂と非相溶性であるとは、予備硬化後に、(1)高分子
化合物が(2)エポキシ樹脂と分離して二つ以上の相に
分かれる性質を意味する。この場合、硬化後も(2)エ
ポキシ樹脂と分離して二つ以上の相に分かれたままであ
る。
【0030】上記の(1)高分子化合物としては、アク
リルゴムなどのゴム、シリコーン樹脂、シリコーン変性
ポリアミドイミドなどのシリコーン変性樹脂などが挙げ
られる。接着性、耐熱性が高い点から、エポキシ基含有
アクリル系共重合体が好ましい。
【0031】エポキシ基含有アクリル系共重合体として
は、たとえば、グリシジル(メタ)アクリレート2〜6
重量%を共重合し、残部はエチル(メタ)アクリレート
やブチル(メタ)アクリレートまたは両者を共重合し
た、Tgが−10℃以上のアクリル系共重合体が好まし
いものとして挙げられる。グリシジル(メタ)アクリレ
ートの共重合量がこの範囲にあると、接着力が確保で
き、また共重合体がゲル化を起こさないからである。ま
た、Tgが−10℃以上であると、Bステージ状態での
接着フィルムのタック性が適切であり、取り扱い性が良
好である。かかる共重合体として、帝国化学産業(株)
から市販されている商品名:HTR−860P−3を使
用することができる。
【0032】(1)高分子化合物で重量平均分子量が1
0万以上のものを製造する場合、重合方法としてパール
重合、溶液重合などが有効である。(1)高分子化合物
の配合量は、50.0〜70.0重量%とすることが好
ましい。この範囲にあると、弾性率低減、成形時のフロ
ー性抑制などが充分に確保でき、また高温での取り扱い
性も良好である。
【0033】本発明における(2)エポキシ樹脂として
は、特に限定されず、公知のものを使用しうるが、2官
能以上で、重量平均分子量が5,000未満、望ましく
は3,000未満のものが好ましい。このような(2)
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などが挙げられ
る。
【0034】ビスフェノールA型エポキシ樹脂またはビ
スフェノールF型エポキシ樹脂で液状のものは、油化シ
ェルエポキシ(株)から、エピコート807、エピコー
ト827、エピコート828という商品名で市販されて
いる。また、ダウケミカル日本(株)からは、D.E.
R.330、D.E.R.331、D.E.R.36
1、という商品名で市販されている。また、東都化成
(株)から、YD8125、YDF8170という商品
名で市販されている。
【0035】(2)エポキシ樹脂としては、得られる硬
化物の高Tg化を目的に、多官能エポキシ樹脂を使用す
ることもできる。多官能エポキシ樹脂としては、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック
エポキシ樹脂などが挙げられる。フェノールノボラック
型エポキシ樹脂は、日本化薬(株)から、EPPN−2
01という商品名で市販されている。また、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂は、住友化学工業(株)か
ら、ESCN−190、ESCN−195という商品名
で市販されている。また、日本化薬(株)からも、EO
CN1012、EOCN1025、EOCN1027と
いう商品名で市販されている。東都化成(株)からもY
DCN701、YDCN702、YDCN703、YD
CN704という商品名で市販されている。
【0036】本発明における(3)エポキシ樹脂の硬化
剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として公知のものを使用で
き、たとえば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリス
ルフィッド、三弗化硼素、フェノール性水酸基を1分子
中に2個以上有する化合物であるビスフェノールA、ビ
スフェノールF、ビスフェノールSなどが挙げられる。
特に吸湿時の耐電食性に優れる点から、フェノールノボ
ラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。こ
れには、大日本インキ化学工業(株)から市販されてい
る、商品名:フェノライトLF2882、フェノライト
LF2822、フェノライトTD−2090、フェノラ
イトTD−2149、フェノライトVH4150、フェ
ノライトVH4170を使用することができる。
【0037】なお、エポキシ樹脂および硬化剤におい
て、変異原性を有しない化合物、たとえばビスフェノー
ルAを使用しないものが、環境や人体への影響も小さい
ので好ましい。
【0038】(2)エポキシ樹脂および(3)エポキシ
樹脂の硬化剤の合計の配合量は、17.0〜49.5重
量%であることが好ましい。両者の合計がこの範囲にあ
ると、接着性、成形性(フロー性)などが確保できると
ともに、弾性率も適切な範囲に抑えることができる。
【0039】ここで、(2)エポキシ樹脂と(3)エポ
キシ樹脂の硬化剤との比率〔(2):(3)〕は、3
3:67〜75:25であることが好ましい。この比率
の範囲にあると、耐熱性、成形性(フロー性)が良好で
ある。
【0040】本発明における(4)フィラーとしては、
シリカ、アルミナ、アンチモン酸化物などの酸化物のほ
か、窒化物、炭化物、水酸化物を使用することができ
る。耐熱性、成形性(フロー性)などの点から、シリ
カ、三酸化二アンチモンが好ましい。また、(4)フィ
ラーの平均粒径は、耐熱性、成形性(フロー性)などの
点から、0.005〜0.1μmであることが好まし
い。なお、フィラーの平均粒径は、レーザー光を使用す
る回折散乱法により測定することができる。
【0041】なお、上記のシリカとして、シーアイ化成
(株)から、平均粒径0.012μmのナノテックSiO2
という商品名で、また、三酸化二アンチモンとして、日
本精鉱(株)から、平均粒径は0.02μmのPATOX
−Uという商品名で市販されており、これらのフィラー
を使用することができる。
【0042】(4)フィラーの使用量は、0.45〜1
0.0重量%とすることが好ましく、1.0〜5.0重
量%であることがより好ましい。フィラーの使用量がこ
の範囲にあると、耐湿性、接着フィルムの貯蔵弾性率、
接着強度が十分に確保できる。
【0043】本発明における(5)硬化促進剤として
は、各種イミダゾール類が使用できる。イミダゾールと
しては、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メ
チルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイ
ミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾ
リウムトリメリテートなどが挙げられる。イミダゾール
類は、四国化成工業(株)から、2E4MZ、2PZ−
CN、2PZ−CNSという商品名で市販されている。
【0044】また、フィルムの使用期間が長くなる点で
潜在性を有することが好ましく、その代表例としてはジ
シアンジミド、アジピン酸ジヒドラジドなどのジヒドラ
ジド化合物、グアナミン酸、メラミン酸、エポキシ化合
物とイミダゾール化合物との付加化合物、エポキシ化合
物とジアルキルアミン類との付加化合物、アミンとチオ
尿素との付加化合物、アミンとイソシアネートとの付加
化合物などが挙げられる。また、室温での活性を低減で
きる点でアダクト型の構造をとっているものが好まし
い。
【0045】(5)硬化促進剤の配合量は、0.05〜
3.0重量%とすることが好ましい。この範囲にある
と、硬化性、耐熱性、接着性およびポットライフが良好
である。
【0046】本発明における組成物には、Bステージ
(予備硬化状態)における接着剤のタック性の低減、硬
化時の可撓性を向上させるなどの観点から、(2)エポ
キシ樹脂と相溶性があり、かつ重量平均分子量が3万以
上の樹脂を5〜10重量%程度配合することができる。
【0047】そのような樹脂としては、フェノキシ樹
脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂、
極性の大きい官能基含有ゴム、極性の大きい官能基含有
反応性ゴムなどが挙げられる。フェノキシ樹脂は、東都
化成(株)から、フェノトートYP−40、フェノト−ト
YP−50という商品名で市販されている。また、フェ
ノキシアソシエート社から、PKHC、PKHH、PK
HJという商品名で市販されている。
【0048】高分子量エポキシ樹脂は、分子量が3万〜
8万の高分子量エポキシ樹脂、さらには、分子量が8万
を越える超高分子量エポキシ樹脂(特公平7−5961
7号公報、特公平7−59618号公報、特公平7−5
9619号公報、特公平7−59620号公報、特公平
7−64911号公報、特公平7−68327号公報な
ど参照)がある。極性の大きい官能基含有反応性ゴムと
して、カルボキシル基含有アクリルゴムは、帝国化学産
業(株)から、HTR−860Pという商品名で市販され
ている。
【0049】また、本発明における組成物には、異種材
料間の界面結合を良くするために、カップリング剤を配
合することもできる。そのようなカップリング剤として
は、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリ
ング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレ
イドプロピルトリエトキシシラン、N−β−アミノエチ
ル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランなどが挙げ
られる。
【0050】上記のシランカップリング剤は、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランがNUC A−1
87、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランがN
UCA−189、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンがNUC A−1100、γ−ウレイドプロピルトリ
エトキシシランがNUC A−1160、N−β−アミ
ノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランがN
UC A−1120という商品名で、いずれも日本ユニ
カー(株)から市販されている。
【0051】カップリング剤の配合量は、添加による効
果や耐熱性およびコストの面から、(1)、(2)およ
び(3)の合計量100重量部に対し、0.1〜10重
量部とするのが好ましい。
【0052】さらに、イオン性不純物を吸着して、吸湿
時の絶縁信頼性を良くするために、イオン捕捉剤を配合
することができる。
【0053】本発明における接着フィルムは、各成分を
溶剤に分散してワニスとし、キャリアフィルム上に塗
布、加熱、乾燥し、溶剤を除去することにより、キャリ
アフィルム上に形成された接着剤層として得られる。こ
の際の加熱条件は、80〜250℃で、10分間〜20
時間程度である。キャリアフィルムとしては、ポリテト
ラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、離型処理したポリエチレンテレフタレー
トフィルムなどのプラスチックフィルムが使用できる。
【0054】使用時にキャリアフィルムを剥離して接着
剤層(すなわち接着フィルム)のみを使用することもで
きるし、キャリアフィルムとともに使用し、後で除去す
ることもできる。接着剤層(すなわち接着フィルム)の
厚さは、3〜300μmであることが好ましく、10〜
200μmであることがより好ましく、20〜100μm
であることが特に好ましい。
【0055】上記溶剤は、メチルエチルケトン、アセト
ン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタノー
ル、トルエン、ブチルセロソルブ、メタノール、エタノ
ール、2−メトキシエタノールなどの低沸点溶媒を用い
るのが好ましい。また、塗膜性を向上するなどの目的
で、高沸点溶媒を加えてもよい。高沸点溶媒としては、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メチル
ピロリドン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。
【0056】ワニスの製造は、らいかい機、3本ロール
もしくはビーズミルなどにより、またはこれらを組み合
わせて行うことができる。また、フィラーをエポキシ樹
脂および硬化剤と混合した後、高分子化合物と混合する
ことが好ましい。フィラーと低分子量物をあらかじめ混
合した後、高分子量物を配合することにより、混合に要
する時間を短縮することも可能となる。
【0057】本発明の接着フィルムは、単層のフィルム
として使用することができる。また、基材の片面または
両面に、直接または他の層を介して、上記接着フィルム
が積層されてなる基材付き接着フィルムとして使用する
ことができる。さらに、その片面または両面に保護層を
形成することもできる。
【0058】接着フィルムの製造時に使用する基材は、
上記の接着フィルム製造時の加熱、乾燥条件に耐えるも
のであれば特に限定するものではない。たとえば、ポリ
エステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチ
レンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポ
リエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレート
フィルム、メチルペンテンフィルムなどがある。これら
のフィルムは2種以上組み合わせて多層フィルムとして
もよい。また、これらのフィルムは、シリコーン系やシ
リカ系の離型剤で処理されたものであってもよい。
【0059】上記基材付き接着フィルムをそのまま半導
体装置の接着剤として用いる場合、上記基材は耐熱性の
フィルムであることが好ましい。上記耐熱性のフィルム
としては、たとえば、ポリイミドフィルム、ポリエーテ
ルイミドフィルム、メチルペンテンフィルムおよびポリ
エーテルナフタレートフィルムなどが挙げられる。
【0060】次に本発明の接着フィルムの製造法につい
て説明する。単層の接着フィルムの製造は、各成分を有
機溶媒中で溶解、混合または混練する工程、基材上に前
記混合物の層を形成させる工程、加熱して乾燥する工
程、基材を除去する工程を経て行うことができる。フィ
ラーを用いた場合の混合、混練は、通常の攪拌機、らい
かい機、三本ロール、ボールミルなどの分散機を適宜、
組み合わせて行うことができる。
【0061】基材付き接着フィルムの製造では、基材と
しての耐熱性フィルムを選択した後、基材を除去する工
程を除く前記の各工程を行えばよい。また、両面に接着
フィルム層が積層されてなる基材付き接着フィルムの製
造は、上記各工程を片面に行った後、未塗装の他方の面
上に前記混合物の層を形成させ、加熱、乾燥して行うこ
とができる。
【0062】さらにその片面または両面に保護層を形成
する場合、その保護層としては、ポリプロピレンフィル
ム、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステルフ
ィルムなどを使用することができる。
【0063】得られた接着フィルムは、通常は、室温下
で、基材フィルムから剥がして、自己支持性の接着フィ
ルムとし、半導体装置の製造に使用することができる。
より具体的には、たとえば、半導体ウエハに本発明の接
着フィルムとダイシングテープとをラミネートした後、
ウエハおよび接着フィルムをチップに切断し、その後、
ダイシングテープからピックアップした接着フィルム付
き半導体素子を用いて、半導体素子同士または半導体素
子と半導体支持部材とを接着することにより半導体装置
を製造することができる。
【0064】また、上記接着フィルムを基材から剥がさ
ず、そのまま半導体ウエハにラミネートし、ウエハと接
着フィルムを同時にダイシングした後に接着層付き半導
体素子としてピックアップし、半導体素子同士または半
導体素子と半導体支持部材とを接着することにより半導
体装置を製造することができる。
【0065】さらに、あらかじめ接着フィルムの接着面
にダイシングテープをラミネートすることにより、接着
フィルムとダイシングフィルムを一体化した半導体用の
接着フィルムとすることもできる。この半導体用接着フ
ィルムは、たとえば、ウエハ裏面にラミネートし、ウエ
ハおよび接着フィルムを同時にダイシングした後に、接
着フィルム付き半導体素子としてピックアップし、半導
体素子同士または半導体素子と半導体支持部材とを接着
することにより半導体装置を得ることができる。
【0066】得られた接着フィルムは、IC、LSIな
どの半導体素子と、42アロイリードフレーム、銅リー
ドフレームなどのリードフレーム、ポリイミド、エポキ
シ樹脂、ポリイミド系樹脂などのプラスチックフィル
ム、ガラス不織布など基材にポリイミド、エポキシ樹
脂、ポリイミド系樹脂などのプラスチックを含浸、硬化
させたもの、アルミナなどのセラミックスなどの、支持
部材の接合に用いることができる。また、パッケージの
種類に応じて、半導体素子同士を接合部に用いることも
できる。
【0067】接合は、上記したような半導体素子と支持
部材との間または半導体素子同士の間に本発明の接着フ
ィルムを挾み、加熱圧着して、両者を接着させる。加熱
温度は、100〜300℃が好ましく、加熱時間は0.
1〜300秒間が好ましい。
【0068】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。な
お、ここで使用したフィラーは、表面処理を行っていな
いものである。 実施例1 エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂
(エポキシ当量190、油化エポキシシェル(株)製のエ
ピコート828を使用)17.2g、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂(エポキシ当量195、住友化学工
業(株)製のESCN195を使用)5.8g、エポキシ
樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(大日本
インキ化学工業(株)製のプライオーフェンLF2882
を使用)15.3g、シランカップリング剤としてγ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカ
ー(株)製のNUC A−187を使用)0.2g、シ
リカフィラー(シーアイ化成(株)製のナノテックSiO
2(平均粒径0.012μm)を使用)3.8gからなる
組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、さ
らにビーズミルを用いて90分間混練した。
【0069】これに、エポキシ含有アクリルゴム(重量
平均分子量約70万、帝国化学産業(株)製のHTR−
860P−3を使用)57.5g、硬化促進剤として1
−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(四国化成
工業(株)製のキュアゾール2PZ−CNを使用)0.
2gを添加し、攪拌モーターで30分混合し、得られた
ワニスを厚さ75μmの離型処理したポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱
乾燥して、膜厚が75μmのBステージ状態の塗膜を形
成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルムを形成し
た。
【0070】なお、重量平均分子量は以下の装置、カラ
ムでGPC法により標準ポリスチレンによる検量線を用
いて測定した。 <GPC測定> 装置:(株)日立製作所製HPLC635型 カラム:日立化成工業(株)製ゲルパックR−440、
R−450およびR−400M
【0071】実施例2 エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂(エポキシ当量210、東都化成(株)製のYDCN
703を使用)19.3g、エポキシ樹脂の硬化剤とし
てクレゾールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業
(株)製のプライオーフェンLF2882を使用)1
2.9g、エポキシ基含有のアクリル共重合体としてエ
ポキシ含有アクリルゴム(重量平均分子量約70万、帝
国化学産業(株)製のHTR−860P−3を使用)6
4.3g、硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フ
ェニルイミダゾール(四国化成工業(株)製のキュアゾ
ール2PZ−CNを使用)0.2gを添加し、シランカ
ップリング剤としてγ−ウレイドプロピルトリエトキシ
シラン(日本ユニカー(株)製のNUC A−1160
を使用)0.3g、シリカフィラー(シーアイ化成
(株)製のナノテックSiO 2(平均粒径0.012μ
m)を使用)3.0gからなる組成物にメチルエチルケ
トンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて9
0分間混練した。
【0072】得られたワニスを厚さ75μmの離型処理
したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、
140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が75μmのBス
テージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた
接着フィルムを形成した。なお、重量平均分子量は実施
例1と同様の方法で行った。
【0073】実施例3 フィラーに、シリカ(日本アエロジル(株)のアエロジ
ル50(平均粒径は0.03μm))3.8gを使用し
た他は、実施例1と同様にしてキャリアフィルムを備え
た接着フィルムを作製した。
【0074】実施例4 フィラーに、三酸化二アンチモン(日本精鉱(株)製P
ATOX−U(平均粒径は0.02μm))3.8gを
使用した他は、実施例1と同様にしてキャリアフィルム
を備えた接着フィルムを作製した。
【0075】比較例1 フィラーを添加しなかった他は、実施例1と同様にして
キャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。
【0076】比較例2 フィラーに、三酸化二アンチモン(日本精鉱(株)製P
ATOX−HS(平均粒径は0.02μm))0.05
gを使用した他は、実施例1と同様にしてキャリアフィ
ルムを備えた接着フィルムを作製した。
【0077】それぞれの条件下で得られた接着フィルム
の空孔体積率の測定は、以下の方法で算出した。
【0078】(a)日立製作所製S−4500型のSE
Mを用いて、フィラーの平均粒径の100倍の長さを1
辺とする正方形面積を有し、かつ空孔数が50個存在す
る場所のSEM写真を撮影する。 (b)その空孔を50個含む正方形面積の写真の上に、
密度および膜厚が均一な透明なフィルムを載せて、50
個すべての空孔の形に沿ってペンでトレースした後、ト
レースした空孔部分を切り離す。 (c)同様にして一定の正方形面積部分(50個の空孔
部分を含む)を(b)と同様にペンでトレース後、その
空孔を除く部分を切り離す。 (d)切り離した(b)と(c)の重量を測定し、
(b)/(c)を求める。 (e)V=[(b)/(c)]3/2を求める。 (f)(a)〜(e)を5回繰り返し、得られたVの平
均値を体積含有率とする。 得られた結果を表1に示す。
【0079】さらに、それぞれの接着フィルムの両面
に、厚さ50μmのポリイミドフィルムを、温度80
℃、圧力0.3MPa、搬送速度0.3m/minの条件でホッ
トロールラミネーターを用いて張り合わせ、その後17
0℃で1時間硬化した。このサンプルについて、耐熱
性、耐PCT(プレッシャークッカーテスト)性を調べ
た。
【0080】耐熱性の評価方法には、吸湿はんだ耐熱試
験は、85℃/相対湿度85%の環境下に48時間放置
したサンプルを240℃のはんだ槽中に浮かべ、40秒
未満でふくれが発生したものを×、40秒以上120秒
未満でふくれが発生したものを○とした。さらに120
秒以上でふくれが発生しなかったものを◎とした。
【0081】耐PCT試験は、121℃、2気圧、湿度
100%の環境下で所定時間処理したものの外観を観察
し、ふくれなどの異常がないもの○、異常が発生したも
のを×とした。
【0082】なお、フィラーと水との接触角aは、フィ
ラーを圧縮成形して平板を作製し、その上に、水滴を滴
下し、その水滴が平板と接触する角度を接触角計で測定
した。接触角の値は10回測定し平均値を採用した。フ
ィラーを含まない配合物を塗布、乾燥させたものの水と
の接触角bも、同様にして測定した。
【0083】
【表1】
【0084】実施例1〜4は、0.01〜2.0μmの
空孔が本発明の範囲内で存在する接着フィルムであり、
これらの接着フィルムを用いた半導体用接合体は、吸湿
はんだ耐熱性に優れ、耐PCT性が400時間以上であ
った。さらに、実施例2は、フィラーとしてシリカを使
用し、変異原性を有するビスフェノールA型エポキシ樹
脂を使用していないため、取り扱いが容易であるほか、
環境や人体への悪影響も小さい特徴を有しながら、実施
例1と同様に、吸湿はんだ耐熱性に優れ、耐PCT性が
良い。
【0085】比較例1は、空孔が存在しないものであ
り、比較例2は、空孔は存在するが、その量は極めて少
ない本発明の範囲外のものである。いずれも吸湿時のは
んだ耐熱性が不十分であり、耐PCT性も100時間に
すぎず、実施例1〜4の耐PCT性に比べて著しく短時
間である。
【0086】また、実施例1〜4は、接触角比(a/
b)が<3/4すなわち0.75未満の接着フィルムで
あり、これらの接着フィルムを用いた半導体装置は、吸
湿はんだ耐熱性がよく、耐PCT性が400時間以上と
良好であった。
【0087】比較例1は、フィラーを含有しない例、比
較例2は、接触角比が3/4以上と本発明の範囲外のも
のである。いずれも吸湿はんだ耐熱性が不十分であり、
耐PCT性も100時間にすぎず、十分な長さではなか
った。
【0088】《多層構造のフィルムの製造例》接着剤フ
ィルムをポリイミドコア材(宇部興産株式会社製ユーピ
レックス25SGA、厚さ25μmを用いた)の片面に
ホットロールラミネーターで100℃、速度0.3m/mi
n、荷重0.3MPaの条件で貼合わせ、さらにポリイミド
コア材の裏面に、同条件で接着フィルムを貼り合わせる
ことにより、コア材の両面に接着剤を形成した接着フィ
ルムを作製した。この三層構造のフィルムは、接着層と
コア材層との間で剥離することなく、取り扱いやすいも
のであった。また、上記接着フィルムとして、キャリア
フィルム付き接着フィルムを用い、この接着材層側をポ
リイミドコア材にラミネートすることによって、接着剤
層がカバーフィルムを有する多層構造の接着フィルムを
作製した。得られたフィルムは保存、運搬、使用の際、
接着剤層にシワが入ったり、異物が付着したりせず、作
業性に優れたものであった。
【0089】《半導体装置の製造例》半導体搭載用配線
基板として、ポリイミドフィルムを基材として用いたポ
リイミドフィルム基板(ポリイミドフィルム50μm
厚、配線幅30μm、配線間隔40μm、配線線厚み20
μm)を用いた。接着フィルムを所定の形状に切断し、
切断された本発明の単層接着フィルムを配線基板の所望
の位置に置き、140℃、1.5MPa、3秒間熱圧着
し、貼り付けた。さらにこの接着フィルム付き配線基板
と半導体チップを160℃、1.5MPa、3s間熱圧着
し接着した。この後、170℃1時間保持し、接着剤を
硬化させた後、半導体チップと配線基板の配線を金ワイ
ヤで接続し、周囲をエポキシ樹脂系封止材で封止し、半
導体装置を製造した。得られた半導体装置は耐PCT性
に優れるものであった。
【0090】《ウェハ裏面貼り付け方法における使用
例》半導体ウエハに接着フィルム、およびダイシングテ
ープをホットロールラミネーターで100℃、速度0.
3m/min、荷重0.3MPaの条件で貼合わせた後、ウエハ
および接着フィルムをチップに切断し、その後、配線基
板と接着フィルム付き半導体チップを160℃、1.5
MPa、3秒間熱圧着し接着した。この後、170℃1時
間保持し、接着剤を硬化させた後、半導体チップと配線
基板の配線を金ワイヤで接続し、周囲をエポキシ樹脂系
封止材で封止し、半導体装置を製造した。得られた半導
体装置は耐PCT性に優れるものであった。
【0091】
【発明の効果】本発明の接着フィルムは、吸湿後の耐熱
性、耐リフロー性、吸湿後の接着性などに優れるもので
ある。従って、このフィルムを用いた半導体装置は、信
頼性に優れるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/52 H01L 21/52 E // C09J 133/06 C09J 133/06 (72)発明者 島田 靖 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 田中 裕子 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 岩倉 哲郎 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 栗谷 弘之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Fターム(参考) 4J004 AA02 AA10 AA11 AA12 AA13 AA14 AA17 AA18 AB05 AC00 CA05 CA06 CC02 CC03 CD05 CD06 DB02 FA05 GA01 4J040 DF031 EB042 EC061 EC071 EC231 EF001 EG002 EH031 EK031 EK111 GA11 GA22 HA076 HA126 HA206 HA306 HA326 HB38 HB47 HC01 HC15 HC16 HC24 HC25 HD05 HD08 JA09 JB02 KA16 KA17 KA42 LA01 LA03 LA06 LA08 NA20 5F047 BA23 BA34 BB03 BB19

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平均径0.01〜2.0μmの空孔を体
    積含有率で0.1〜20体積%含有する接着フィルム。
  2. 【請求項2】 フィラーを含有する、請求項1記載の接
    着フィルム。
  3. 【請求項3】 (1)下記(2)エポキシ樹脂と非相溶
    である重量平均分子量が10万以上の高分子化合物、
    (2)エポキシ樹脂、(3)エポキシ樹脂の硬化剤、
    (4)フィラーおよび(5)硬化促進剤を含有する組成
    物を、塗布、乾燥させ、平均径0.01〜2.0μmの
    空孔を体積含有率で0.1〜20体積%含有する接着フ
    ィルム。
  4. 【請求項4】 フィラーを含有する組成物を、塗布、乾
    燥させてなる接着フィルムであって、フィラーと水との
    接触角をa、前記組成物からフィラーを除く配合物を塗
    布、乾燥させたものと水との接触角をbとするとき、
    0.75>a/bの関係を満たす接着フィルム。
  5. 【請求項5】 (1)下記(2)エポキシ樹脂と非相溶
    である重量平均分子量が10万以上の高分子化合物、
    (2)エポキシ樹脂、(3)エポキシ樹脂の硬化剤、
    (4)フィラーおよび(5)硬化促進剤を含有する組成
    物を、塗布、乾燥させてなる接着フィルムであって、前
    記(1)〜(5)の成分が、0.75>a/bの関係を
    満たす(ただし、(4)フィラーと水との接触角をa、
    (1)、(2)、(3)および(5)の配合物を塗布、
    乾燥させたものと水との接触角をbとする)接着フィル
    ム。
  6. 【請求項6】 (1)〜(5)の成分の配合割合が、
    (1)高分子化合物 50.0〜70.0重量%、
    (2)エポキシ樹脂と(3)エポキシ樹脂の硬化剤との
    合計 17.0〜49.5重量%、(4)フィラー
    0.45〜10.0重量%および(5)硬化促進剤
    0.05〜3.0重量%である、請求項3または5記載
    の接着フィルム。
  7. 【請求項7】 (1)重量平均分子量が10万以上の高
    分子化合物がエポキシ基含有アクリル系共重合体であ
    る、請求項3、5または6記載の接着フィルム。
  8. 【請求項8】 (2)エポキシ樹脂が変異原性を有しな
    いエポキシ樹脂である、請求項3、5〜7のいずれか1
    項記載の接着フィルム。
  9. 【請求項9】 (4)フィラーがシリカである、請求項
    2〜8のいずれか1項記載の接着フィルム。
  10. 【請求項10】 (4)フィラーの平均粒径が0.00
    5〜0.1μmである、請求項2〜9のいずれか1項記
    載の接着フィルム。
  11. 【請求項11】 単層構造からなる、請求項1〜10の
    いずれか1項記載の接着フィルム。
  12. 【請求項12】 接着フィルムの片面または両面に保護
    層を有してなる、請求項11記載の接着フィルム。
  13. 【請求項13】 基材層の片面または両面に、直接また
    は他の層を介して、請求項1〜10のいずれか1項記載
    の接着フィルムが積層されてなる基材付き接着フィル
    ム。
  14. 【請求項14】 基材付き接着フィルムの片面または両
    面に保護層を有してなる、請求項13記載の基材付き接
    着フィルム。
  15. 【請求項15】 上記基材が耐熱性のフィルムである、
    請求項13または14記載の基材付き接着フィルム。
  16. 【請求項16】 請求項1〜12のいずれか1項記載の
    接着フィルムまたは請求項13〜15のいずれか1項記
    載の基材付き接着フィルムを用いて、半導体素子同士ま
    たは半導体素子と半導体支持部材とを接着してなる半導
    体装置。
  17. 【請求項17】 請求項1〜12のいずれか1項記載の
    接着フィルムまたは請求項13〜15のいずれか1項記
    載の基材付き接着フィルムとダイシングテープとを半導
    体ウエハにラミネートした後、ウエハおよび接着フィル
    ムをチップに切断し、その後、ダイシングテープからピ
    ックアップした接着フィルム付き半導体素子を用いて、
    半導体素子同士または半導体素子と半導体支持部材とを
    接着する半導体装置の製造法。
  18. 【請求項18】 請求項1〜12のいずれか1項記載の
    接着フィルムまたは請求項13〜15のいずれか1項記
    載の基材付き接着フィルム上にダイシングテープが積層
    されてなるダイシングフィルム一体型接着フィルム。
  19. 【請求項19】 請求項18記載のダイシングフィルム
    一体型接着フィルムを半導体ウエハにラミネートし、ウ
    エハと接着フィルムを同時にダイシングした後に接着層
    付き半導体素子としてピックアップし、半導体素子同士
    または半導体素子と半導体支持部材とを接着する半導体
    装置の製造法。
JP2001035772A 2000-02-15 2001-02-13 接着フィルムおよびその用途 Pending JP2001302998A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001035772A JP2001302998A (ja) 2000-02-15 2001-02-13 接着フィルムおよびその用途

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000041346 2000-02-15
JP2000-41346 2000-02-15
JP2001035772A JP2001302998A (ja) 2000-02-15 2001-02-13 接着フィルムおよびその用途

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001302998A true JP2001302998A (ja) 2001-10-31

Family

ID=26585666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001035772A Pending JP2001302998A (ja) 2000-02-15 2001-02-13 接着フィルムおよびその用途

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001302998A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002220576A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置等
JP2005154687A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置
JP2005187508A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
JP2007091959A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方導電性接着剤
JP2007266560A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用フィルム状接着剤
JP2007284670A (ja) * 2006-03-22 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR100831482B1 (ko) 2006-08-02 2008-05-21 주식회사 에이스 디지텍 방현성 보상필름을 구비한 광학소자의 제조방법
JP2008195943A (ja) * 2000-02-15 2008-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着フィルム、半導体搭載用基板及び半導体装置
WO2008152711A1 (ja) * 2007-06-13 2008-12-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. 回路接続用フィルム状接着剤
JP2012201873A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Lintec Corp 保護膜形成用フィルム、およびチップ用保護膜形成用シート
JP5287725B2 (ja) * 2007-11-08 2013-09-11 日立化成株式会社 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート
JP2016138168A (ja) * 2015-01-26 2016-08-04 日立化成株式会社 半導体用接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN108528081A (zh) * 2018-04-16 2018-09-14 江苏学泰印务有限公司 一种立体环保的后压镭射热转印膜及其生产工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060391A (ja) * 1996-08-19 1998-03-03 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法
JPH10330724A (ja) * 1997-05-30 1998-12-15 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱接着剤、耐熱接着剤層付き半導体チップ、耐熱接着剤層付きリードフレーム、耐熱接着剤層付きフィルム及び半導体装置
JPH11209724A (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 Hitachi Chem Co Ltd 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060391A (ja) * 1996-08-19 1998-03-03 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法
JPH10330724A (ja) * 1997-05-30 1998-12-15 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱接着剤、耐熱接着剤層付き半導体チップ、耐熱接着剤層付きリードフレーム、耐熱接着剤層付きフィルム及び半導体装置
JPH11209724A (ja) * 1998-01-30 1999-08-03 Hitachi Chem Co Ltd 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008195943A (ja) * 2000-02-15 2008-08-28 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着フィルム、半導体搭載用基板及び半導体装置
JP2002220576A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置等
JP2005154687A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置
JP2005187508A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルムおよび半導体装置
JP2007091959A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方導電性接着剤
JP4687576B2 (ja) * 2006-02-28 2011-05-25 日立化成工業株式会社 回路接続用フィルム状接着剤
JP2007266560A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用フィルム状接着剤
JP2007284670A (ja) * 2006-03-22 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR100831482B1 (ko) 2006-08-02 2008-05-21 주식회사 에이스 디지텍 방현성 보상필름을 구비한 광학소자의 제조방법
WO2008152711A1 (ja) * 2007-06-13 2008-12-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. 回路接続用フィルム状接着剤
JP5029691B2 (ja) * 2007-06-13 2012-09-19 日立化成工業株式会社 回路接続用フィルム状接着剤
JP5287725B2 (ja) * 2007-11-08 2013-09-11 日立化成株式会社 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート
US9969909B2 (en) 2007-11-08 2018-05-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated adhesive sheet for semiconductor
JP2012201873A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Lintec Corp 保護膜形成用フィルム、およびチップ用保護膜形成用シート
JP2016138168A (ja) * 2015-01-26 2016-08-04 日立化成株式会社 半導体用接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN108528081A (zh) * 2018-04-16 2018-09-14 江苏学泰印务有限公司 一种立体环保的后压镭射热转印膜及其生产工艺
CN108528081B (zh) * 2018-04-16 2023-09-12 江苏学泰印务有限公司 一种立体环保的后压镭射热转印膜及其生产工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1586615B1 (en) Adhesive, adhesive member, interconnecting substrate for semiconductor mounting having adhesive member, and semiconductor device containing the same
KR20060024464A (ko) 접착제 및 양면 접착 필름
JP3617417B2 (ja) 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP2002265888A (ja) 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法
JP2001302998A (ja) 接着フィルムおよびその用途
JP4401625B2 (ja) 接着シート
JP3528639B2 (ja) 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP5428758B2 (ja) 半導体用接着シート、ダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置
JP2002060716A (ja) 低弾性接着剤、低弾性接着部材、低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板及びこれを用いた半導体装置
JP4123963B2 (ja) 接着シート及びそれを用いた半導体装置
JP3617639B2 (ja) 半導体加工用シート、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4534100B2 (ja) 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置
JP2002134531A (ja) 半導体装置、半導体チップ搭載用基板、それらの製造法、接着剤、および、両面接着フィルム
JP2001279197A (ja) 接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法
JP2003060127A (ja) 半導体装置、半導体チップ搭載用基板、それらの製造法、接着剤、および、両面接着フィルム
JP2010103154A (ja) 半導体用接着シート及びこの半導体用接着シートを用いたダイシング一体型半導体用接着シート
JP4556472B2 (ja) 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP2003096426A (ja) 接着部材
JP4934895B2 (ja) 接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置
JP2000154360A (ja) 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP3825247B2 (ja) 接着剤組成物の製造方法、接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置
JP4368093B2 (ja) フィルム接着剤、半導体装置及びその製造方法
JP3601443B2 (ja) 接着フィルムとその製造方法、半導体搭載用配線基板及び半導体装置
JP2011159693A (ja) 半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シート
JP5549106B2 (ja) 半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シート

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110517

A521 Written amendment

Effective date: 20110719

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20111206

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

RD13 Notification of appointment of power of sub attorney

Effective date: 20120130

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20120130

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120327