JP2011159693A - 半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シート - Google Patents
半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シート Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011159693A JP2011159693A JP2010018418A JP2010018418A JP2011159693A JP 2011159693 A JP2011159693 A JP 2011159693A JP 2010018418 A JP2010018418 A JP 2010018418A JP 2010018418 A JP2010018418 A JP 2010018418A JP 2011159693 A JP2011159693 A JP 2011159693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive sheet
- semiconductor
- epoxy resin
- molecular weight
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】 半導体搭載用基板に半導体素子を実装する場合に必要な応力緩和性、基板凹凸埋込性を有し、耐熱性、耐湿性に優れた半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】 高分子量成分と、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を含む半導体用接着シート。高分子量成分のTgが、−10〜60℃、重量平均分子量が2万〜100万で、高分子量成分を樹脂成分中80〜95質量%、脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂を樹脂成分中2〜20重量%含有すると好ましい。
【選択図】 なし
【解決手段】 高分子量成分と、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を含む半導体用接着シート。高分子量成分のTgが、−10〜60℃、重量平均分子量が2万〜100万で、高分子量成分を樹脂成分中80〜95質量%、脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂を樹脂成分中2〜20重量%含有すると好ましい。
【選択図】 なし
Description
本発明は、半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シートに関する。
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合には銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着シートの膜厚の制御困難性、および接着シートのボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前記要求に対処するべく、近年、シート状の接着剤が使用されるようになってきた。
この接着シートは、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式において使用されているが、前者の個片貼付け方式の接着シートを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着シートをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後その個片を支持部材に接着し前記接着シート付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られることとなる。しかし、前記個片貼付け方式の接着シートを用いるためには、接着シートを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
一方、後者のウェハ裏面貼付け方式の接着シートを用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウェハの裏面に接着シートを貼付けさらに接着シートの他面にダイシングテープを貼り合わせ、その後、前記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着シート付き半導体素子をピックアップしそれを支持部材に接合し、加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られる。このウェハ裏面貼付け方式の接着シートは、接着シート付き半導体素子を支持部材に接合するため接着シートを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着シートを用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
ウェハ裏面貼り付け方式の接着シートを用いる方法にあっては、ウェハのダイシング工程時に接着シートも切断することが必要であるが、これには従来のダイヤモンドブレードを用いて切断する接触型の切断方法に加え、ウェハにレーザを照射することによりウェハ内部に選択的に改質部を形成し、その後エキスパンドすることにより改質部に沿ってウェハを切断する時に同時に接着シートを切断する方法、または切断されたウェハに接着シートを貼り付け、その後エキスパンドすることによりウェハ切断ラインに沿って接着シートを切断する方法(例えば、特許文献1参照)があるが、いずれも無機物で固いウェハと有機物で柔らかい接着シートの固さのことなる2種類の材料を同じ工程で切断するため、有機物である接着シートに無機フィラーを添加することが有効である。
また、半導体素子をはじめとする各種電子部品を搭載した実装基板として最も重要な特性の一つとして信頼性がある。その中でも、熱疲労に対する接続信頼性は実装基板を用いた機器の信頼性に直接関係するため非常に重要な項目である。この接続信頼性を低下させる原因の一つとして、熱膨張係数の異なる各種材料を用いていることから生じる熱応力が挙げられる。これは、半導体素子の熱膨張係数が約4ppm/℃と小さいのに対し、電子部品を実装する配線基板の熱膨張係数が15ppm/℃以上と大きいことから熱衝撃に対して熱ひずみが発生し、その熱ひずみによって熱応力が発生するため、この応力緩和が課題である。また、このような配線基板は配線による凹凸を一般に有しており、この配線基板凹凸を埋込ことが必要である。また、ハンダリフロー時の200℃以上の温度において吸湿した水分が原因となり、剥離・浮き等を引き起こす問題があり、高耐熱性及び、耐吸湿性が必要である。
上記の応力緩和性、基板凹凸埋込性の点から、半導体用接着シートが、硬化後の弾性率がある程度低いことが望ましく、また耐熱性および耐吸湿性の点から、吸湿後、高温時の接着力が高いことが望ましい。また接着シートの切断性向上のため無機フィラーを添加すると、一般的に接着シートが高弾性化することが分かっており、半導体パッケージの信頼性と接着シートの切断性の両立が課題となる。
本発明は、半導体搭載用基板に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有する半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シートを提供することを目的とする。
本発明は、以下のことを特徴とする。
<1>高分子量成分と脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を含むことを特徴とする半導体用接着シート。
<2>上記高分子量成分のTgが、−10〜60℃、重量平均分子量が2万〜100万である上記<1>に記載の半導体用接着シート。
<3>上記高分子量成分を樹脂成分中80〜95質量%、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を樹脂成分中2〜20重量%含有する上記<1>または<2>に記載の半導体用接着シート。
<4>上記脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量が、100〜250g/eqである上記<1>ないし<3>のいずれかに記載の半導体用接着シート。
<5>さらに、フィラーを1〜60質量%含むことを特徴とする上記<1>ないし<4>のいずれかに記載の半導体用接着シート。
<6>フィラーの平均一次粒径が0.005〜0.6μmである上記<5>に記載の半導体用接着シート。
<7>フィラーの平均一次粒径0.005〜0.1μmであるフィラーを1〜15質量%含有する上記<5>又は<6>に記載の半導体用接着シート。
<8>上記<1>ないし<7>のいずれかに記載の半導体用接着シートと、ダイシングテープを積層してなるダイシング一体型半導体用接着シート。
<1>高分子量成分と脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を含むことを特徴とする半導体用接着シート。
<2>上記高分子量成分のTgが、−10〜60℃、重量平均分子量が2万〜100万である上記<1>に記載の半導体用接着シート。
<3>上記高分子量成分を樹脂成分中80〜95質量%、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を樹脂成分中2〜20重量%含有する上記<1>または<2>に記載の半導体用接着シート。
<4>上記脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量が、100〜250g/eqである上記<1>ないし<3>のいずれかに記載の半導体用接着シート。
<5>さらに、フィラーを1〜60質量%含むことを特徴とする上記<1>ないし<4>のいずれかに記載の半導体用接着シート。
<6>フィラーの平均一次粒径が0.005〜0.6μmである上記<5>に記載の半導体用接着シート。
<7>フィラーの平均一次粒径0.005〜0.1μmであるフィラーを1〜15質量%含有する上記<5>又は<6>に記載の半導体用接着シート。
<8>上記<1>ないし<7>のいずれかに記載の半導体用接着シートと、ダイシングテープを積層してなるダイシング一体型半導体用接着シート。
半導体搭載用基板に熱膨張係数の差が大きくなる半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性に優れる半導体用接着シートを得ることができ、これを用いることで熱疲労に対する接続信頼性に優れた半導体素子が搭載された実装基板を得ることができる。
本発明は、脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂を単独、もしくは二種とも含むことを特徴とした半導体用接着シートであって、この半導体用接着シートにポリイミドテープを両面貼り合わせた試料を、170℃で3h硬化させた後、吸湿処理(温度85℃、湿度85RH%雰囲気下、48時間)を行い、240℃に設定したホットプレート上に乗せ、一分間放置した後も発泡などの変化がなく、かつ、半導体素子搭載用支持部材に対する接着シートの接着力が170℃で3h硬化させた後、吸湿処理(85℃、85%RH)した場合の接着シートの接着力は、吸湿処理する前の接着力の比率(吸湿処理後の接着力/吸湿処理前の接着力)が0.7以上と、耐湿性があり、また高温度での接着力に優れている半導体用接着シートに関する。
本発明の半導体用接着シートの両面にポリイミドテープを貼り合わせた試料を、170℃で3h硬化させた後、吸湿処理(温度85℃、湿度85%雰囲気下、48時間)を行い、240℃に設定したホットプレート上に乗せ、一分間放置した後に発泡や剥離が発生した場合には、耐半田リフロー時に剥離が発生する可能性が非常に高い。
本発明で用いる高分子量成分は、熱可塑性樹脂を少なくとも含有し、半導体用接着シート中の高分子量成分の含有量は、樹脂成分中80〜95質量%であることが好ましい。80質量%未満だと、硬化後の弾性率が高く基板凹凸への埋込性が低下する可能性がある。また、95質量%を超えると、硬化後の弾性率が低く信頼性が低下する可能性がある。この場合、樹脂成分とはフィラーを含まない成分の質量を合計したものである。高分子量成分の重量平均分子量は、2万〜100万であることが好ましく、10万〜90万であることがより好ましく、20万〜80万であることが最も好ましい。重量平均分子量が2万未満だと、シート状、フィルム状での強度や可とう性の低下やタック性が増大する可能性があり、100万を超えると、溶剤への溶解性が低下し作業性が悪くなる。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を意味する。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を意味する。
高分子量成分としては、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル共重合体が挙げられるが、エポキシ樹脂と非相溶であるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート0.5〜6質量%を含む重量平均分子量が50万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体であることが好ましい。
グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート0.5〜6質量%を含む重量平均分子量が50万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体としては、特に制限が無く、ナガセケムテック株式会社製のHTR―860P−3DR等を用いることができる。官能基モノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸や、水酸基タイプのヒドロキシメチル(メタ)アクリレートを用いると、橋架け反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、硬化前状態での硬化度の上昇による接着力の低下等の問題があるため好ましくない。また、官能基モノマーとして用いるグリシジル(メタ)アクリレートの量は、0.5〜6質量%の共重合体比とする。0.5質量%未満だと接着力が低下する可能性があり、6質量%を超えるとゲル化する可能性がある。残部はエチル(メタ)アクリレートやブチル(メタ)アクリレートまたは両者の混合物を用いることができるが、混合比率は、共重合体のガラス転移温度(以下Tgと略す)を考慮して決定し、Tgは−10℃以上であることが好ましい。Tgが−10℃未満であると硬化前状態での接着剤層のタック性が大きくなり取り扱い性が悪化する可能性がある。
また、高分子量成分のTgが60℃を超えると、柔軟性が低くなりすぎ、被着材との充分な密着性が得られにくくなる傾向にある。このためTgは、−10〜60℃の範囲であることが好ましい。
重合方法は特に制限が無く、パール重合、溶液重合等を使用することができる。
本発明で用いる高分子量成分は、例えば、グリシジル(メタ)アクリレートおよびメタクリル酸メチルおよび/またはメタクリル酸エチル以外の単量体の含有率は、ガラス転移温度が−10℃以上となるように調整されるもので、特に制限はないが、例えば、他の単量体として、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチルを選択し、グリシジルメタクリレートを2.5質量%、メタクリル酸メチルを43.5質量%とした場合には、アクリル酸エチルが18.5質量%、アクリル酸ブチル35.5質量%で、ガラス転移温度が12℃で、重量平均分子量が10万以上のアクリル系ランダム共重合体(エポキシ基含有アクリル系ランダム共重合体)を合成できる。
また、高分子量成分のTgが60℃を超えると、柔軟性が低くなりすぎ、被着材との充分な密着性が得られにくくなる傾向にある。このためTgは、−10〜60℃の範囲であることが好ましい。
重合方法は特に制限が無く、パール重合、溶液重合等を使用することができる。
本発明で用いる高分子量成分は、例えば、グリシジル(メタ)アクリレートおよびメタクリル酸メチルおよび/またはメタクリル酸エチル以外の単量体の含有率は、ガラス転移温度が−10℃以上となるように調整されるもので、特に制限はないが、例えば、他の単量体として、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチルを選択し、グリシジルメタクリレートを2.5質量%、メタクリル酸メチルを43.5質量%とした場合には、アクリル酸エチルが18.5質量%、アクリル酸ブチル35.5質量%で、ガラス転移温度が12℃で、重量平均分子量が10万以上のアクリル系ランダム共重合体(エポキシ基含有アクリル系ランダム共重合体)を合成できる。
本発明で使用する脂肪族エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂は、良好な接着力を持たせるために、エポキシ当量が100〜250g/eqであることが望ましい。250g/eqを超えると、硬化が十分ではなくなり、接着力の低下を招く。また、一分子当たりの官能基数は、二つ以上であることが望ましい。三つ以上であると、なお良い。また、当該エポキシ樹脂は単独又は二種類以上を組み合わせて用いることができる。
脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂としては、例えば、ZX−1542(東都化成株式会社製、商品名、脂肪族ポリグリシジルエ−テル)、ZX−1658GS(東都化成株式会社製、商品名、環状脂肪族ジグリジルエ−テル)、デナコールEX−411(ナガセケムテックス株式会社製、商品名、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル)、SR−TMP(坂本薬品工業株式会社製、商品名、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル)、SR−SEP(坂本薬品工業株式会社製、商品名、ソルビトール系ポリグリシジルエーテル)、SR−16H(坂本薬品工業株式会社製、商品名、1,6ヘキサンジオールジグリシジルエーテル)等の脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂が挙げられるが、これらに制限されるものではない。
本発明の半導体用接着シートには、脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等の熱硬化成分を硬化させる硬化剤を含んでも良い。このような硬化剤としては、例えばフェノール樹脂が挙げられる。フェノール樹脂は、特に制限は無く、85℃、85%RHの恒温恒湿槽に48時間投入後の吸水率が2質量%以下で、熱重量分析計(TGA)で測定した350℃での加熱質量減少率(昇温速度:5℃/min,雰囲気:窒素)が5質量%未満のものを使用することができる。このようなフェノール樹脂は、フェノール化合物と2価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒または酸触媒の存在下に反応させて得られる。この様にして製造されているフェノール樹脂として代表的なものに、三井化学株式会社製ミレックスXLC−シリーズ、XLシリーズなどがある。
また、本発明の半導体用接着シートには、硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤には、特に制限が無く、各種イミダゾール類を用いることができる。イミダゾール類としては、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは1種又は2種以上を併用することもできる。
硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂との総量100質量部に対して0.003〜5質量部が好ましく、0.005〜3質量部がより好ましい。添加量が0.003質量部未満だと硬化性が劣る傾向があり、5質量部以上だと保存安定性が低下する傾向がある。
また、本発明の半導体用接着シートには、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などのため、フィラーを添加することもできる。
フィラーとしては特に制限が無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカなどを使用することができ、これらは、1種又は2種以上を併用することもできる。
熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。
溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
フィラーの使用量は、半導体用接着シート100質量に対して1〜60質量%が好ましい。
1質量%未満だと添加効果が充分では無く、60質量%を超えると、接着シートの貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす可能性がある。
フィラーとしては特に制限が無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカなどを使用することができ、これらは、1種又は2種以上を併用することもできる。
熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。
溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
フィラーの使用量は、半導体用接着シート100質量に対して1〜60質量%が好ましい。
1質量%未満だと添加効果が充分では無く、60質量%を超えると、接着シートの貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす可能性がある。
また、本発明の半導体用接着シートには、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。
シラン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン類、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、メチルトリ(メタクリロイルオキエトキシ)シラン等のメタクリロイルシラン類、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、メチルトリ(グリシジルオキシ)シラン等のエポキシ基含有シラン類、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピル−トリス(2−メトキシ−エトキシ−エトキシ)シラン、N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、3−4,5−ジヒドロイミダゾール−1−イル−プロピルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン等のアミノシラン類、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン等のメルカプトシラン類、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン等の尿素結合含有シラン類、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネート等のイソシアネート基含有シラン類、3−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、3−クロロプロピル−ジメトキシシラン、3−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、N−β(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔3−(トリメトキシシリル)プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシランなどを使用することができ、これらの1種又は2種以上を併用することもできる。
カップリング剤の添加量は、その効果や耐熱性およびコストから、樹脂の合計100質量部に対し、0.1〜10質量部とするのが好ましい。
さらに本発明の半導体用接着シートには、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を添加することもできる。イオン捕捉剤としては、特に制限が無く、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤などを使用することができ、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤を使用することもできる。
イオン捕捉剤の添加量は、添加による効果や耐熱性、コストなどから、1〜10質量部とするのが好ましい。
イオン捕捉剤の添加量は、添加による効果や耐熱性、コストなどから、1〜10質量部とするのが好ましい。
本発明の半導体用接着シートは、本発明の半導体用接着シートを溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、支持体フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって得ることができる。
前記支持体フィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を離型処理して使用することもできる。支持体フィルムは、使用時に剥離して接着剤層のみを使用することもできるし、支持体フィルムとともに使用し、後で除去することもできる。
前記ワニス化の溶剤としては、特に制限は無いが、フィルム作製時の揮発性等を考慮し、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノールなど比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなど比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。
支持体フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
半導体用接着シートの接着剤層の厚みは、1〜40μmが好ましい。1μmより薄いと成膜性が困難であり、40μmより厚いと経済的でなくなる。また、本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層は、所望の厚さを得るために、2枚以上を貼り合わせることもできる。この場合には、接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件が必要である。
また、上記の半導体用接着シートは、ダイシングテープと予め貼り合わせたダイシング一体型半導体用接着シートとしても使用される。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。
本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。これらは他材料との多層構造にして用いることも出来る。また、必要に応じてプライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが必要であり、ダイシングテープの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、粘着剤層の樹脂組成物において、特に液状成分の比率、高分子量成分のTgを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
また、半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない接着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから剥離することが必要である。例えば、半導体用接着シートやダイシングテープの粘着性が高すぎて両者を張り合わせたときのピール強度が150N/m以上の場合、分離が困難になることがある。そのため、適宜、接着シートのタック強度を調節することが好ましく、その方法としては、接着シートの室温(25℃)における流動性を上昇させることにより、接着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、流動性を低下させれば接着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、流動性を上昇させる場合には、可塑剤の含有量の増加、粘着付与材含有量の増加等の方法がある。逆に流動性を低下させる場合には、前記化合物の含有量を減らせばよい。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。
半導体用接着シートとダイシングテープを積層したダイシング一体型半導体用接着シートの、ダイシングの際のピール強度は、150N/m以下が好ましく、より好ましくは50N/m以下である。ダイシングテープ上に半導体用接着シートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作製した半導体用接着シートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネートする方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネート方法が好ましい。尚、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で60〜200μm、好ましくは70〜170μmである。
半導体素子を搭載する半導体搭載用支持部材としては、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板や有機基板など基板材質に制限されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたFR−4基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたBT基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。
配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でも良く、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けても良い。
さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
さらに、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
半導体用接着シートを半導体搭載用支持部材へ貼り付ける方法としては、接着シートを所定の形状に切断し、その切断された接着シートを支持部材の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これに制限するものではない。
半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と支持部材とがテープオートメーテッドボンディング(TAB)のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに制限されるものではなく、何れの場合でも効果がある。
半導体素子としては、IC、LSI、VLSI等一般の半導体素子を使用することができる。
半導体素子としては、IC、LSI、VLSI等一般の半導体素子を使用することができる。
半導体素子と半導体搭載用支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、半導体装置は低弾性率の半導体用接着シートを用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、支持部材の面積の70%以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。
また、本発明の半導体用接着シートの特性として、前記接着シートを支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、接着剤層からの揮発分を抑制できる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
<実施例、及び比較例の半導体用接着シートの作製方法>
エポキシ樹脂としてYDCN−700−10(o-クレゾールノボラック型、エポキシ当量203g/eq、東都化成株式会社製、商品名)、YDF−8170C(ビスフェノールF型、エポキシ当量160g/eq、東都化成株式会社製、商品名)、ZX−1540(脂肪族ポリグリシジルエ−テル、エポキシ当量115g/eq、東都化成株式会社製、商品名)、フェノール樹脂としてミレックスXLC−LL(フェノールアラルキル樹脂、三井化学株式会社製商品名)、これら熱硬化成分50質量部に対して、シランカップリング剤として、A−189(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、日本ユニカー株式会社製)2質量部、およびA−1160(3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、日本ユニカー株式会社製)7質量部、またフィラーとして、SO−C2(株式会社アドマテック製商品名、シリカ、比表面積7m2/g、平均一次粒径0.5μm)250質量部、アエロジルR972(日本アエロジル株式会社製商品名、シリカ、平均一次粒径0.016μm)20質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて90分間混練した。これにグリシジル(メタ)クリレート2〜6質量%を含むアクリルゴムHTR−860P−3(ナガセケムテック株式会社製商品名、重量平均分子量80万)650質量部、硬化促進剤としてキュアゾール2PZ−CN(四国化成工業株式会社製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)0.1質量部を混合攪拌し、真空脱気した。ワニスを厚さ38μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、130℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が20μmのBステージ状態(硬化前)の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた半導体用接着シートを作製した。以下同様に表1の各接着シートを作製した。表1に実施例1、比較例1〜2の配合質量部を示す。
<実施例、及び比較例の半導体用接着シートの作製方法>
エポキシ樹脂としてYDCN−700−10(o-クレゾールノボラック型、エポキシ当量203g/eq、東都化成株式会社製、商品名)、YDF−8170C(ビスフェノールF型、エポキシ当量160g/eq、東都化成株式会社製、商品名)、ZX−1540(脂肪族ポリグリシジルエ−テル、エポキシ当量115g/eq、東都化成株式会社製、商品名)、フェノール樹脂としてミレックスXLC−LL(フェノールアラルキル樹脂、三井化学株式会社製商品名)、これら熱硬化成分50質量部に対して、シランカップリング剤として、A−189(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、日本ユニカー株式会社製)2質量部、およびA−1160(3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、日本ユニカー株式会社製)7質量部、またフィラーとして、SO−C2(株式会社アドマテック製商品名、シリカ、比表面積7m2/g、平均一次粒径0.5μm)250質量部、アエロジルR972(日本アエロジル株式会社製商品名、シリカ、平均一次粒径0.016μm)20質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて90分間混練した。これにグリシジル(メタ)クリレート2〜6質量%を含むアクリルゴムHTR−860P−3(ナガセケムテック株式会社製商品名、重量平均分子量80万)650質量部、硬化促進剤としてキュアゾール2PZ−CN(四国化成工業株式会社製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)0.1質量部を混合攪拌し、真空脱気した。ワニスを厚さ38μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、130℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が20μmのBステージ状態(硬化前)の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた半導体用接着シートを作製した。以下同様に表1の各接着シートを作製した。表1に実施例1、比較例1〜2の配合質量部を示す。
信頼性評価として、以下の二種類の方法で評価を行った。
(評価方法1)
評価方法1として、上記で得られた半導体用接着シートにポリイミドテープ(ユーピレックス50S、宇部興産株式会社製)を温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて両面貼りあわせ、170℃で3時間硬化させた後、吸湿処理(温度85℃、湿度85%RH雰囲気下、48時間)を行い、10mm口のポンチで打ち抜き、所定の温度に設定したホットプレート上に置き、接着シートが発泡した場合は、「×」、1分間設置後も変化がない場合は「○」として評価した。この高温度発泡性の評価を評価方法1とした。
評価方法1として、上記で得られた半導体用接着シートにポリイミドテープ(ユーピレックス50S、宇部興産株式会社製)を温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて両面貼りあわせ、170℃で3時間硬化させた後、吸湿処理(温度85℃、湿度85%RH雰囲気下、48時間)を行い、10mm口のポンチで打ち抜き、所定の温度に設定したホットプレート上に置き、接着シートが発泡した場合は、「×」、1分間設置後も変化がない場合は「○」として評価した。この高温度発泡性の評価を評価方法1とした。
(評価方法2)
評価方法2として、大きさ5×5mm口の半導体用接着シートを半導体チップ(5×5mm口)に温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼りあわせ、その後0.1MPa、5s、120℃の条件で有機基板[ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたFR−4にパッケージ基板用ソルダーレジストAUS308(太陽インキ製造株式会社製)を塗布した基板]に圧着し、170℃3h硬化させた後、吸湿処理(温度85℃、湿度85%RH雰囲気下、48時間)後の半導体用接着シートと基板の接着力を265℃の条件下でダイシェア強度測定(Dage社製、測定温度180℃)により測定を行った。吸湿処理後の接着力/吸湿処理前の接着力が0.7以上であったものを「○」、0.7未満であったものを「×」として評価した。この高温度接着維持性の評価を評価方法2とした。
評価方法2として、大きさ5×5mm口の半導体用接着シートを半導体チップ(5×5mm口)に温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼りあわせ、その後0.1MPa、5s、120℃の条件で有機基板[ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたFR−4にパッケージ基板用ソルダーレジストAUS308(太陽インキ製造株式会社製)を塗布した基板]に圧着し、170℃3h硬化させた後、吸湿処理(温度85℃、湿度85%RH雰囲気下、48時間)後の半導体用接着シートと基板の接着力を265℃の条件下でダイシェア強度測定(Dage社製、測定温度180℃)により測定を行った。吸湿処理後の接着力/吸湿処理前の接着力が0.7以上であったものを「○」、0.7未満であったものを「×」として評価した。この高温度接着維持性の評価を評価方法2とした。
表2から、脂肪族エポキシ樹脂を用いない比較例1、2は、いずれも、220℃以上の高温度で発泡するようになり、また、吸湿処理後の接着力は、比較例1で低下した。これに対し、本発明の脂肪族エポキシ樹脂と高分子量成分を用いた半導体用接着シートは、200〜240℃の高温度でも発泡することなく、また、吸湿処理後の接着力も高く良好でいずれの評価においても信頼性に優れることがわかった。
以上に説明したとおり、本発明によって、半導体搭載用基板に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な応力緩和性、基板凹凸埋込性を有し、さらに、耐熱性、耐湿性を有する半導体用接着シート並びにこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シートを提供することができる。
以上に説明したとおり、本発明によって、半導体搭載用基板に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な応力緩和性、基板凹凸埋込性を有し、さらに、耐熱性、耐湿性を有する半導体用接着シート並びにこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シートを提供することができる。
Claims (8)
- 高分子量成分と、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を含むことを特徴とする半導体用接着シート。
- 上記高分子量成分のTgが、−10〜60℃、重量平均分子量が2万〜100万である求項1に記載の半導体用接着シート。
- 上記高分子量成分を樹脂成分中80〜95質量%、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を樹脂成分中2〜20重量%含有する請求項1または請求項2に記載の半導体用接着シート。
- 上記脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量が、100〜250g/eqである請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体用接着シート。
- さらに、フィラーを1〜60質量%含むことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体用接着シート。
- フィラーの平均一次粒径が、0.005〜0.6μmである請求項5に記載の半導体用接着シート。
- フィラーの平均一次粒径が、0.005〜0.1μmであるフィラーを1〜15質量%含有する請求項5又は請求項6に記載の半導体用接着シート。
- 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の半導体用接着シートと、ダイシングテープを積層してなるダイシング一体型半導体用接着シート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010018418A JP2011159693A (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | 半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010018418A JP2011159693A (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | 半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シート |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011159693A true JP2011159693A (ja) | 2011-08-18 |
Family
ID=44591423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010018418A Pending JP2011159693A (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | 半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011159693A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016098317A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 日東電工株式会社 | 接着シート、ダイシングシート付き接着シート、積層シート及び半導体装置の製造方法 |
JP2016191046A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 株式会社フジクラ | 熱硬化性接着剤樹脂組成物、接着剤フィルム、カバーレイフィルム、金属張積層板及びフレキシブルプリント配線板 |
WO2023063386A1 (ja) | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 東洋紡株式会社 | 架橋ポリエステル樹脂、接着剤組成物および接着シート |
-
2010
- 2010-01-29 JP JP2010018418A patent/JP2011159693A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016098317A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 日東電工株式会社 | 接着シート、ダイシングシート付き接着シート、積層シート及び半導体装置の製造方法 |
JP2016191046A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-10 | 株式会社フジクラ | 熱硬化性接着剤樹脂組成物、接着剤フィルム、カバーレイフィルム、金属張積層板及びフレキシブルプリント配線板 |
WO2023063386A1 (ja) | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 東洋紡株式会社 | 架橋ポリエステル樹脂、接着剤組成物および接着シート |
KR20240072173A (ko) | 2021-10-14 | 2024-05-23 | 도요보 가부시키가이샤 | 가교 폴리에스테르 수지, 접착제 조성물 및 접착 시트 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5287725B2 (ja) | 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート | |
JP5725329B2 (ja) | バリ特性及び信頼性に優れたダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置 | |
JP5364991B2 (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シート及び半導体装置 | |
JP2014129544A (ja) | 接着剤組成物とその製造方法及び接着剤組成物を用いた接着部材とその製造方法、半導体搭載用支持部材とその製造方法並びに半導体装置とその製造方法 | |
KR100845092B1 (ko) | 접착수지 조성물, 접착필름, 다이싱 다이본딩 필름 및반도체 장치 | |
WO2021002248A1 (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002265888A (ja) | 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法 | |
JP5428758B2 (ja) | 半導体用接着シート、ダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置 | |
JP4228582B2 (ja) | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007308694A (ja) | 半導体用接着部材、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4957064B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5532575B2 (ja) | 接着シート | |
JP5340580B2 (ja) | 半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シート | |
JP5499772B2 (ja) | 半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法 | |
JP2010103154A (ja) | 半導体用接着シート及びこの半導体用接着シートを用いたダイシング一体型半導体用接着シート | |
JP5236134B2 (ja) | 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置等 | |
JP2008277796A (ja) | 半導体用途接着フィルム、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009120822A (ja) | 接着剤組成物、それを用いた接着部材、ダイシング/ダイボンド一体型のフィルム、半導体搭載用支持部材及び半導体装置 | |
JP4719992B2 (ja) | 接着剤組成物およびその用途 | |
JP2011159693A (ja) | 半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シート | |
JP2007288174A (ja) | 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート | |
JP2011017006A (ja) | 接着シートの製造方法 | |
JP2010258086A (ja) | 半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シート | |
JP5549106B2 (ja) | 半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シート | |
JP4599800B2 (ja) | 接着シートの製造方法、半導体装置およびその製造方法 |