JP4556472B2 - 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
日刊工業新聞社発行表面実装技術1997−3号記事「実用化に入ったCSP(ファインピッチBGA)のゆくえ」中の5ページ表1 信学技報CPM96−121,ICD96−160(1996−12)「テープBGAタイプCSPの開発」 シャープ技報第66号(1996−12)「チップサイズパッケージ(Chip Size Package)開発」
1. (1)エポキシ樹脂及びその硬化剤100重量部、(2)グリシジル(メタ)アクリレート0.5〜6重量%を含むTg(ガラス転移温度)が−10℃以上でかつ重量平均分子量が10万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体75〜300重量部、(3)潜在性硬化促進剤0.1〜20重量部を含有する接着剤。
2. (1)エポキシ樹脂及びその硬化剤100重量部、(2)エポキシ樹脂と相溶性がありかつ重量平均分子量が3万以上の高分子量樹脂5〜40重量部、(3)グリシジル(メタ)アクリレート0.5〜6重量%を含むTg(ガラス転移温度)が−10℃以上でかつ重量平均分子量が10万以上であるエポキシ基含有アクリル共重合体75〜300重量部、(4)潜在性硬化促進剤0.1〜20重量部を含有する接着剤。
3. 潜在性硬化促進剤がアダクト型である項1又は項2のいずれかに記載の接着剤。
4. 潜在性硬化促進剤がアミンアダクトである項3に記載の接着剤。
5. 潜在性硬化促進剤がアミン−エポキシアダクトである項4に記載の接着剤。
6. 無機フィラーを、接着剤樹脂分100体積部に対して1〜20体積部含む項1乃至項5のいずれかに記載の接着剤。
7. 無機フィラーがアルミナ、シリカ、水酸化アルミ、アンチモン酸化物のいずれかである項6に記載の接着剤。
8. 接着剤を、DSCを用いて測定した場合の全硬化発熱量の10〜40%の発熱を終えた状態にした項1乃至項7のいずれかに記載の接着剤。
9. 残存溶媒量が5重量%以下である項1乃至項8のいずれかに記載の接着剤。
10. 動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の接着剤硬化物の貯蔵弾性率が25℃で20〜2000MPaであり、260℃で3〜50MPaである項1乃至項9のいずれかに記載の接着剤。
11. Bステージ状態で相分離する2種類の樹脂及び硬化剤、硬化促進剤を必須成分とする接着剤組成物であり、Bステージ状態において硬化促進剤が分散相に相溶性を有し、連続相とは相分離することを特徴とする接着剤。
12. Bステージ状態で、分散相がエポキシ樹脂及び硬化剤を主成分とする相となり、連続相が重量平均分子量10万以上の高分子量成分を主成分とする相となることを特徴とする項11記載の接着剤。
13. 重量平均分子量10万以上の高分子量成分がグリシジルメタクリレート又はグリシジルアクリレート2〜6重量%を含むアクリル系共重合体であることを特徴とする項2記載の接着剤。
14. 硬化促進剤がエポキシアミンアダクト化合物である項11乃至項13いずれかに記載の接着剤。
15. 項1乃至項14のいずれかに記載の接着剤をキャリアフィルム上に形成して得られるフィルム状の接着部材。
16. 項1乃至項14のいずれかに記載の接着剤をコア材の両面に形成して得られる接着部材。
17. コア材が耐熱性熱可塑フィルムである項16に記載の接着部材。
18. 耐熱性熱可塑フィルム材料の軟化点が260℃以上である項17に記載の接着部材。
19. コア材または耐熱性熱可塑フィルムが多孔質フィルムである項17又は項18のいずれかに記載の接着部材。
20. 耐熱性熱可塑フィルムが液晶ポリマである項17乃至項19のいずれかに記載の接着部材。
21. 耐熱性熱可塑フィルムがポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミドまたはポリエーテルスルホンのいずれかである項17乃至項20のいずれかに記載の接着部材。
22. 耐熱性熱可塑フィルムがポリテトラフルオロエチレン、エチレンテトラフルオロエチレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマーのいずれかである項17乃至項20のいずれかに記載の接着部材。
23. 配線基板の半導体チップ搭載面に項15乃至項22のいずれかに記載の接着部材を備えた半導体搭載用配線基板。
24. 半導体チップと配線基板を項15乃至項22のいずれかに記載の接着部材を用いて接着させた半導体装置。
25. 半導体チップの面積が、配線基板の面積の70%以上である半導体チップと配線基板を項15乃至項22のいずれかに記載の接着部材を用いて接着させた半導体装置。
(接着剤ワニス1の調製)
エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、東都化成株式会社製商品名YD−8125を使用)45重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量210、東都化成株式会社製商品名YDCN−703を使用)15重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンLF2882を使用)40重量部、エポキシ基含有アクリル系重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム(分子量100万、グリシジルメタクリレート1重量%、Tg−7℃、帝国化学産業株式会社製商品名HTR−860P−3を使用)220重量部、潜在性硬化促進剤としてアミン−ウレイドアダクト系硬化促進剤(富士化成株式会社製商品名フジキュアFXR−1030を使用)5重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して膜厚が80μmの塗膜とし、接着剤フィルムを作製した。この接着剤フィルムを170℃で1時間加熱硬化させてその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置(レオロジ社製、DVE−V4)を用いて測定(サンプルサイズ:長さ20mm、幅4mm、膜厚80μm、昇温速度5℃/分、引張りモード、10Hz、自動静荷重)した結果、25℃で600MPa、260℃で5MPaであった。この接着剤ワニスの固形分は32重量%であった。この接着剤ワニスの固形分は、ワニス粘度が約100ポイズ(25℃)になるようにした値であり、これより固形分を高めて粘度を上げると厚みのばらつきが大きくなる(以下同じ)。
接着剤ワニス1の調製において、潜在性硬化促進剤として、アミン−ウレイドアダクト系硬化促進剤の代わりにアミン−エポキシアダクト系硬化促進剤(味の素株式会社製商品名アミキュアMY−24を使用)5重量部を使用したこと以外は、接着剤ワニス1の調製に従って、接着剤ワニス2の調製を行った。また、この接着剤ワニスを利用して、接着剤ワニス1の調製における方法と同様に接着剤フィルムを作製した。この接着剤フィルムを使用して前記と同様にしてその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で360MPa、260℃で4MPaであった。この接着剤ワニス2の固形分は30重量%であった。
接着剤ワニス2の調製において、潜在性硬化促進剤として、アミン−エポキシアダクト系硬化促進剤の使用量を3重量部としたこと以外は、接着剤ワニス2の調製に従って、接着剤ワニス3の調製を行った。また、この接着剤ワニスを利用して、製膜時の乾燥温度を140℃から160℃としたこと以外は、接着剤ワニス1の調製における方法と同様に接着剤フィルムを作製した。この接着剤フィルムを使用して前記と同様にしてその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で360MPa、260℃で4MPaであった。この接着剤ワニスの固形分は28重量%であった。
接着剤ワニス2の調製において、潜在性硬化促進剤として、アミン−エポキシアダクト系硬化促進剤の使用量を10重量部としたこと以外は、接着剤ワニス2の調製に従って、接着剤ワニス4の調製を行った。また、この接着剤ワニスを利用して、製膜時の乾燥温度を140℃から120℃としたこと以外は、接着剤ワニス1の調製における方法と同様に接着剤フィルムを作製した。この接着剤フィルムを使用して前記と同様にしてその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で360MPa、260℃で4MPaであった。この接着剤ワニスの固形分は28重量%であった。
接着剤ワニス1の調製において、潜在性硬化促進剤として、アミン−ウレイドアダクト系硬化促進剤の代わりに2−フェニルイミダゾール0.5重量部を使用したこと以外は、接着剤ワニス1の調製に従って、接着剤ワニス5の調製を行った。また、この接着剤ワニスを利用して、接着剤ワニス1の調製における方法と同様に接着剤フィルムを作製した。この接着剤フィルムを使用して前記と同様にしてその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、25℃で360MPa、260℃で4MPaであった。この接着剤ワニスの固形分は28重量%であった。
接着剤ワニス1を、厚さ75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が75μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。この接着フィルムを温度110℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼り合わせ、厚さ150μmの単層フィルム状の接着部材を作製した。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。また、接着剤のみの残存溶媒量は、120℃で60分間加熱前後の重量変化より1.5重量%であった。
接着剤ワニス1を接着剤ワニス2とした以外は実施例1と同様にして、単層フィルム状の接着部材を作製した。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。残存溶媒量は、1.4重量%であった。
接着剤ワニス2を、厚さ25μmのポリイミドフィルム(宇部興産株式会社製商品名ユーピレックスSGA−25を使用)上に塗布し、120℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が50μmのBステージ状態の塗膜を形成し、さらに接着剤層を形成した反対面に同じワニスを塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が70μmのBステージ状態の塗膜を形成し、コア材として用いたポリイミドフィルムの両面に接着剤層を備えた接着部材を作製した。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、50μm層で全硬化発熱量の25%、75μm層で全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。残存溶媒量は、何れも1.3〜1.6重量%であった。
接着剤ワニス2を、厚さ75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が75μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。この接着フィルムを、厚さ25μmのポリイミドフィルム(宇部興産株式会社製商品名ユーピレックスSGA−25を使用)の両面に温度110℃、圧力0.3MPa、速度0.2m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼り付け、コア材として用いたポリイミドフィルムの両面に接着剤層を備えた接着部材を作製した。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、両面の接着剤層ともに全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。残存溶媒量は、1.4重量%であった。
コア材のポリイミドフィルムを厚さ25μmの液晶ポリマフィルム(株式会社クラレ製商品名ベクトラLCP−Aを使用)にしたこと以外は実施例4と同様にしてコア材として用いた液晶ポリマフィルム両面に接着剤層を備えた接着部材を作製した。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、両面の接着剤層ともに全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。残存溶媒量は、1.4重量%であった。
コア材のポリイミドフィルムを厚さ25μmのテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマーフィルム(三井・デュポンフロロケミカル株式会社製商品名テフロン(R)FEPを使用)にしたこと以外は実施例4と同様にしてテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマーフィルム両面に接着剤層を備えた接着部材を作製した。テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマーフィルムについては、濡れ性を向上して接着性を上げるのためにその両面を化学処理(株式会社潤工社製商品名テトラエッチを使用)したものを用いた。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、両面の接着剤層ともに全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。残存溶媒量は、1.5重量%であった。
接着剤ワニス2を、厚さ75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が60μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた単層フィルム状の接着部材を作製した。 この単層フィルムを、厚さ100μmの多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルム(住友電気工業株式会社製商品名ポアフロンWP−100−100を使用)の両面に温度110℃、圧力0.3MPa、速度0.2m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼り付け、コア材として用いた多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの両面に接着剤層を備えた接着部材を作製した。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、両面の接着剤層ともに全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。残存溶媒量は、1.4重量%であった。
接着剤ワニス1を接着剤ワニス3とした以外は実施例1と同様にして、単層フィルム状の接着部材を作製した。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。
接着剤ワニス1を接着剤ワニス4とした以外は実施例1と同様にして、単層フィルム状の接着部材を作製した。なおこの状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。
接着剤ワニス1を接着剤ワニス5とした以外は実施例1と同様にして、単層フィルム状の接着部材を作製した。なお、この状態での接着剤の硬化度は、DSC(デュポン社製912型DSC)を用いて測定(昇温速度、10℃/分)した結果、全硬化発熱量の20%の発熱を終えた状態であった。
エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量190、油化シェルエポキシ株式会社製のエピコート828を使用)45重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量195、住友化学工業株式会社製のESCN195を使用)15重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製のプライオーフェンLF2882を使用)40重量部、シランカップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー株式会社製のNUCA−187を使用)0.7重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、これにグリシジルメタクリレート又はグリシジルアクリレート2〜6重量%を含むアクリルゴム(重量平均分子量100万、帝国化学産業株式会社製のHTR−860P−3を使用)150重量部、硬化促進剤としてエポキシアミンアダクト化合物である味の素株式会社製のアミキュアMY−24を4重量部添加し、攪拌モータで30分混合し、ワニスを得た。このワニスをキャリアフィルム(厚さ75μmの表面処理したポリエチレンテレフタレートフィルム)上に塗布して、140℃で5分間加熱乾燥し、厚さ75μmのBステージ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作成した。アミキュアMY−24はエポキシ樹脂及び硬化剤の混合物には均一に溶解したが、アクリルゴムには溶解せず、粒子状に析出した。また、上記接着剤は硬化後にエポキシ樹脂が分散相、アクリルゴムが連続相に相分離した。
硬化促進剤としてアミン−ウレイド系のアダクト系化合物である富士化成株式会社のフジキュアFXR−1030を使用した他は実施例10と同様にして作製した。フジキュアFXR−1030はエポキシ樹脂及び硬化剤の混合物には均一に溶解したが、アクリルゴムには溶解せず、粒子状に析出した。
硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製キュアゾール2PZ−CNを使用)0.5重量部を使用した他は実施例1と同様にしてフィルムを作製した。キュアゾール2PZ−CNは、エポキシ樹脂、アクリルゴム両方に溶解した。
2 . コア材(耐熱性熱可塑フィルム)
3 . 配線
4 . 配線基板
5 . 半導体チップ
6 . ボンディングワイヤ
6’. インナリード
7 . 封止材
8 . 外部接続端子
Claims (10)
- Bステージ状態で連続相と分散相に相分離する2種類の樹脂及び硬化促進剤を含有してなる接着剤組成物をキャリアフィルム上に形成又はコア材の両面に形成してBステージ状態としたフィルム状の接着部材であって、
上記Bステージ状態で連続相となる成分は、重量平均分子量が10万以上で、かつエポキシ基含有アクリル共重合体であり、
Bステージ状態で分散相となる成分はエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂であり、
上記硬化促進剤は、Bステージ状態において分散相に相溶性を有し、連続相とは相分離するアダクト化合物であることを特徴とするフィルム状の接着部材。 - エポキシ基含有アクリル共重合体が、グリシジルメタクリレート又はグリシジルアクリレートを含むエポキシ基含有アクリル共重合体である請求項1記載の接着部材。
- 重量平均分子量10万以上の高分子量成分がグリシジルメタクリレート又はグリシジルアクリレート2〜6重量%を含むエポキシ基含有アクリル共重合体であることを特徴とする請求項1記載の接着部材。
- 潜在性硬化促進剤がアミンアダクトである請求項1に記載の接着部材。
- 潜在性硬化促進剤がアミン−エポキシアダクトである請求項1に記載の接着部材。
- エポキシ樹脂が分子量が300以上5000未満である請求項1記載の接着部材。
- エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量が80万以上である請求項1記載の接着部材。
- 熱硬化性樹脂が硬化剤を含有する請求項1〜7のいずれかに記載の接着部材。
- (1)エポキシ樹脂及び硬化剤100重量部、(2)エポキシ基含有アクリル共重合体75〜300重量部、(3)潜在性硬化促進剤0.1〜20重量部を含有する請求項1〜8のいずれかに記載の接着部材。
- 接着部材を、DSCを用いて測定した場合の全硬化発熱量の10〜40%の発熱を終えた状態にした請求項1〜9のいずれかに記載の接着部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004105514A JP4556472B2 (ja) | 1999-06-18 | 2004-03-31 | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17281599 | 1999-06-18 | ||
JP33787899 | 1999-11-29 | ||
JP2004105514A JP4556472B2 (ja) | 1999-06-18 | 2004-03-31 | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000180777A Division JP3617417B2 (ja) | 1999-06-18 | 2000-06-16 | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004238634A JP2004238634A (ja) | 2004-08-26 |
JP4556472B2 true JP4556472B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=32966184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004105514A Expired - Fee Related JP4556472B2 (ja) | 1999-06-18 | 2004-03-31 | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4556472B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007110062A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2007146121A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 粘弾性樹脂組成物、これを用いた金属箔張積層板、プリプレグ、樹脂付き金属箔及び樹脂フィルム。 |
JP5109572B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2012-12-26 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、接着剤組成物半硬化体、接着フィルム及び積層接着フィルム並びにそれらの製造方法 |
JP5019363B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2012-09-05 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂接着剤組成物 |
JP5728804B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2015-06-03 | デクセリアルズ株式会社 | 熱硬化性接着組成物、熱硬化性接着シート、その製造方法及び補強フレキシブルプリント配線板 |
JP5946688B2 (ja) * | 2011-04-26 | 2016-07-06 | 積水化学工業株式会社 | 後硬化テープ及び接合部材の接合方法 |
CN103923592A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-07-16 | 耿庆宏 | 高效空气过滤装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH10183086A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱伝導性接着剤組成物及び該組成物を用いた熱伝導性接着フィルム |
JPH10251610A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路部材接続用接着剤 |
JPH10298369A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-10 | Arai Pump Mfg Co Ltd | 耐熱性ゴムアロイ組成物 |
JPH11130841A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-18 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、接着剤、回路接続用組成物及びこれを用いたフィルム |
JP3617417B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2005-02-02 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004105514A patent/JP4556472B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH10183086A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱伝導性接着剤組成物及び該組成物を用いた熱伝導性接着フィルム |
JPH10251610A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路部材接続用接着剤 |
JPH10298369A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-10 | Arai Pump Mfg Co Ltd | 耐熱性ゴムアロイ組成物 |
JPH11130841A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-18 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、接着剤、回路接続用組成物及びこれを用いたフィルム |
JP3617417B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2005-02-02 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004238634A (ja) | 2004-08-26 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070209 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |