JP2001302566A - テトラフルオロメタンの精製方法及びその用途 - Google Patents
テトラフルオロメタンの精製方法及びその用途Info
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- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物を含有するテトラフルオロメタンを吸
着剤と接触させて不純物を吸着除去し、高純度テトラフ
ルオロメタンを経済的かつ工業的に有利に得ることがで
きる精製方法。 【解決手段】 エチレン化合物類、炭化水素化合物類、
一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含有するテトラフ
ルオロメタンを、平均細孔径が３．４Å〜１１Åである
ゼオライト及び／または平均細孔径が３．４Å〜１１Å
である炭素質吸着剤と接触させる。
着剤と接触させて不純物を吸着除去し、高純度テトラフ
ルオロメタンを経済的かつ工業的に有利に得ることがで
きる精製方法。 【解決手段】 エチレン化合物類、炭化水素化合物類、
一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含有するテトラフ
ルオロメタンを、平均細孔径が３．４Å〜１１Åである
ゼオライト及び／または平均細孔径が３．４Å〜１１Å
である炭素質吸着剤と接触させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテトラフルオロメタ
ン（以下「ＦＣ−１４」または「ＣＦ4」という。）の
精製方法及びその用途に関する。
ン（以下「ＦＣ−１４」または「ＣＦ4」という。）の
精製方法及びその用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＣ−１４は、例えば半導体デバイス製
造プロセスのエッチングガスまたはクリーニングガスと
して使用されるため、高純度品が要求されている。この
ＦＣ−１４の製造方法に関しては、従来から様々な方法
が提案されている。具体的には、例えば、（１）ジクロ
ロジフルオロメタンを触媒の存在下でフッ化水素と反応
させる方法、（２）モノクロロトリフルオロメタンを触
媒の存在下でフッ化水素と反応させる方法、（３）トリ
フルオロメタンをフッ素ガスと反応させる方法、（４）
炭素をフッ素ガスと反応させる方法、（５）テトラフル
オロエチレンを熱分解する方法、等が知られている。
造プロセスのエッチングガスまたはクリーニングガスと
して使用されるため、高純度品が要求されている。この
ＦＣ−１４の製造方法に関しては、従来から様々な方法
が提案されている。具体的には、例えば、（１）ジクロ
ロジフルオロメタンを触媒の存在下でフッ化水素と反応
させる方法、（２）モノクロロトリフルオロメタンを触
媒の存在下でフッ化水素と反応させる方法、（３）トリ
フルオロメタンをフッ素ガスと反応させる方法、（４）
炭素をフッ素ガスと反応させる方法、（５）テトラフル
オロエチレンを熱分解する方法、等が知られている。
【０００３】しかしながら、これらの方法によってＦＣ
−１４を製造する場合には、反応によって生成するＦＣ
−１４の中間体や副生成物、あるいは原料由来の不純物
等が目的物であるＦＣ−１４と共沸混合物や共沸様混合
物を形成するため、その分離が極めて困難であるという
問題がある。このため、例えば、不純物としてトリフル
オロメタン（ＣＨＦ3）を含有するＦＣ−１４をゼオラ
イトや炭素質吸着剤で処理する精製方法（特許第２９２
４６６０号公報）が提案されている。
−１４を製造する場合には、反応によって生成するＦＣ
−１４の中間体や副生成物、あるいは原料由来の不純物
等が目的物であるＦＣ−１４と共沸混合物や共沸様混合
物を形成するため、その分離が極めて困難であるという
問題がある。このため、例えば、不純物としてトリフル
オロメタン（ＣＨＦ3）を含有するＦＣ−１４をゼオラ
イトや炭素質吸着剤で処理する精製方法（特許第２９２
４６６０号公報）が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来、ＦＣ−
１４中の不純物としてエチレン化合物類、炭化水素化合
物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含有するＦ
Ｃ−１４を精製してこれらの不純物をほとんど含有しな
い高純度ＦＣ−１４を得る簡便かつ経済的で工業的に有
利な方法はなかった。本発明は、このような背景の下に
なされたものであって、ＦＣ−１４を吸着剤と接触させ
てこれらの不純物を吸着除去して、高純度ＦＣ−１４を
経済的かつ工業的に有利に得ることができる精製方法を
提供することを課題とする。
１４中の不純物としてエチレン化合物類、炭化水素化合
物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含有するＦ
Ｃ−１４を精製してこれらの不純物をほとんど含有しな
い高純度ＦＣ−１４を得る簡便かつ経済的で工業的に有
利な方法はなかった。本発明は、このような背景の下に
なされたものであって、ＦＣ−１４を吸着剤と接触させ
てこれらの不純物を吸着除去して、高純度ＦＣ−１４を
経済的かつ工業的に有利に得ることができる精製方法を
提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、高純度のＦＣ−１４
を製造する方法において、不純物としてエチレン化合物
類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化
炭素を含有するＦＣ−１４を、特定の平均細孔径及びＳ
ｉ／Ａｌ比を有するゼオライト及び／または特定の平均
細孔径を有する炭素質吸着剤（モレキュラーシービング
カーボン）からなる吸着剤と接触させることにより、前
記の不純物類を選択的に吸着除去でき、不純物をほとん
ど含有しない高純度のＦＣ−１４を得ることができるこ
とを見出し本発明を完成するに至った。本発明は以下の
（１）〜（１５）に示されるテトラフルオロメタンの精
製方法及びその用途である。
題を解決すべく鋭意検討した結果、高純度のＦＣ−１４
を製造する方法において、不純物としてエチレン化合物
類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化
炭素を含有するＦＣ−１４を、特定の平均細孔径及びＳ
ｉ／Ａｌ比を有するゼオライト及び／または特定の平均
細孔径を有する炭素質吸着剤（モレキュラーシービング
カーボン）からなる吸着剤と接触させることにより、前
記の不純物類を選択的に吸着除去でき、不純物をほとん
ど含有しない高純度のＦＣ−１４を得ることができるこ
とを見出し本発明を完成するに至った。本発明は以下の
（１）〜（１５）に示されるテトラフルオロメタンの精
製方法及びその用途である。
【０００６】（１）不純物としてエチレン化合物類、炭
化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を
含有するテトラフルオロメタンを、平均細孔径が３．４
Å〜１１Åであるゼオライト及び／または平均細孔径が
３．４Å〜１１Åである炭素質吸着剤と接触させること
により、前記不純物を低減させることを特徴とするテト
ラフルオロメタンの精製方法。 （２）前記不純物を含有するテトラフルオロメタンとゼ
オライト及び／または炭素質吸着剤とを液相で接触させ
る上記（１）に記載のテトラフルオロメタンの精製方
法。 （３）前記ゼオライトのＳｉ／Ａｌ比が１．５以下であ
る上記（１）または（２）に記載のテトラフルオロメタ
ンの精製方法。 （４）前記ゼオライトがＭＳ−４Ａ、ＭＳ−５Ａ、ＭＳ
−１０Ｘ及びＭＳ−１３Ｘからなる群から選ばれる少な
くとも一種である上記（１）〜（３）のいずれかに記載
のテトラフルオロメタンの精製方法。 （５）前記炭素質吸着剤がモレキュラーシービングカー
ボン４Ａ及び／またはモレキュラーシービングカーボン
５Ａである上記（１）または（２）に記載のテトラフル
オロメタンの精製方法。
化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を
含有するテトラフルオロメタンを、平均細孔径が３．４
Å〜１１Åであるゼオライト及び／または平均細孔径が
３．４Å〜１１Åである炭素質吸着剤と接触させること
により、前記不純物を低減させることを特徴とするテト
ラフルオロメタンの精製方法。 （２）前記不純物を含有するテトラフルオロメタンとゼ
オライト及び／または炭素質吸着剤とを液相で接触させ
る上記（１）に記載のテトラフルオロメタンの精製方
法。 （３）前記ゼオライトのＳｉ／Ａｌ比が１．５以下であ
る上記（１）または（２）に記載のテトラフルオロメタ
ンの精製方法。 （４）前記ゼオライトがＭＳ−４Ａ、ＭＳ−５Ａ、ＭＳ
−１０Ｘ及びＭＳ−１３Ｘからなる群から選ばれる少な
くとも一種である上記（１）〜（３）のいずれかに記載
のテトラフルオロメタンの精製方法。 （５）前記炭素質吸着剤がモレキュラーシービングカー
ボン４Ａ及び／またはモレキュラーシービングカーボン
５Ａである上記（１）または（２）に記載のテトラフル
オロメタンの精製方法。
【０００７】（６）前記エチレン化合物類がエチレン、
フルオロエチレン、ジフルオロエチレン及びテトラフル
オロエチレンからなる群から選ばれる少なくとも一つの
化合物である上記（１）〜（５）のいずれかに記載のテ
トラフルオロメタンの精製方法。 （７）前記エチレン化合物類がエチレン及び／またはテ
トラフルオロエチレンである上記（６）に記載のテトラ
フルオロメタンの精製方法。 （８）前記炭化水素化合物類がメタン、エタン及びプロ
パンからなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物で
ある上記（１）〜（５）のいずれかに記載のテトラフル
オロメタンの精製方法。 （９）前記炭化水素化合物類がメタン及び／またはエタ
ンである上記（８）に記載のテトラフルオロメタンの精
製方法。 （１０）テトラフルオロメタン中に含まれる、エチレン
化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び二酸化炭
素の総含有量を３ｐｐｍ以下に低減させる上記（１）〜
（９）のいずれかに記載のテトラフルオロメタンの精製
方法。
フルオロエチレン、ジフルオロエチレン及びテトラフル
オロエチレンからなる群から選ばれる少なくとも一つの
化合物である上記（１）〜（５）のいずれかに記載のテ
トラフルオロメタンの精製方法。 （７）前記エチレン化合物類がエチレン及び／またはテ
トラフルオロエチレンである上記（６）に記載のテトラ
フルオロメタンの精製方法。 （８）前記炭化水素化合物類がメタン、エタン及びプロ
パンからなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物で
ある上記（１）〜（５）のいずれかに記載のテトラフル
オロメタンの精製方法。 （９）前記炭化水素化合物類がメタン及び／またはエタ
ンである上記（８）に記載のテトラフルオロメタンの精
製方法。 （１０）テトラフルオロメタン中に含まれる、エチレン
化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び二酸化炭
素の総含有量を３ｐｐｍ以下に低減させる上記（１）〜
（９）のいずれかに記載のテトラフルオロメタンの精製
方法。
【０００８】（１１）不純物としてエチレン化合物類、
炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素
を含有するテトラフルオロメタンが、トリフルオロメタ
ンとフッ素ガスを反応させる直接フッ素化法により製造
されたテトラフルオロメタンである上記（１）〜（１
０）のいずれかに記載のテトラフルオロメタンの精製方
法。 （１２）不純物としてエチレン化合物類、炭化水素化合
物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含有するテ
トラフルオロメタンが、炭素とフッ素ガスを反応させる
直接フッ素化法により製造されたテトラフルオロメタン
である上記（１）〜（１０）のいずれかに記載のテトラ
フルオロメタンの精製方法。 （１３）上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の方法
により精製することにより得られ、純度が９９．９９９
７質量％以上であることを特徴とするテトラフルオロメ
タン製品。 （１４）上記（１３）に記載のテトラフルオロメタン製
品を含有するエッチングガス。 （１５）上記（１３）に記載のテトラフルオロメタン製
品を含有するクリーニングガス。
炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素
を含有するテトラフルオロメタンが、トリフルオロメタ
ンとフッ素ガスを反応させる直接フッ素化法により製造
されたテトラフルオロメタンである上記（１）〜（１
０）のいずれかに記載のテトラフルオロメタンの精製方
法。 （１２）不純物としてエチレン化合物類、炭化水素化合
物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含有するテ
トラフルオロメタンが、炭素とフッ素ガスを反応させる
直接フッ素化法により製造されたテトラフルオロメタン
である上記（１）〜（１０）のいずれかに記載のテトラ
フルオロメタンの精製方法。 （１３）上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の方法
により精製することにより得られ、純度が９９．９９９
７質量％以上であることを特徴とするテトラフルオロメ
タン製品。 （１４）上記（１３）に記載のテトラフルオロメタン製
品を含有するエッチングガス。 （１５）上記（１３）に記載のテトラフルオロメタン製
品を含有するクリーニングガス。
【０００９】すなわち、本発明は、「不純物としてエチ
レン化合物類、炭化水素類、一酸化炭素及び／または二
酸化炭素を含有するＦＣ−１４を、平均細孔径が３．４
Å〜１１Åであるゼオライト及び／または炭素質吸着剤
と接触させることにより、前記不純物を低減させること
を特徴とするテトラフルオロメタンの精製方法」、「前
記の方法により精製することにより得られ、純度が９
９．９９９７質量％以上であることを特徴とするテトラ
フルオロメタン製品」及び「前記テトラフルオロメタン
製品を含有するエッチングガス及びクリーニングガス」
である。
レン化合物類、炭化水素類、一酸化炭素及び／または二
酸化炭素を含有するＦＣ−１４を、平均細孔径が３．４
Å〜１１Åであるゼオライト及び／または炭素質吸着剤
と接触させることにより、前記不純物を低減させること
を特徴とするテトラフルオロメタンの精製方法」、「前
記の方法により精製することにより得られ、純度が９
９．９９９７質量％以上であることを特徴とするテトラ
フルオロメタン製品」及び「前記テトラフルオロメタン
製品を含有するエッチングガス及びクリーニングガス」
である。
【００１０】
【発明の実施の形態】ＦＣ−１４の製造方法としては、
例えば、トリフルオロメタンをフッ素ガスと反応させる
方法、炭素をフッ素ガスと反応させる方法、あるいはテ
トラフルオロエチレンを熱分解する方法、等が知られて
いる。これらの方法を用いる場合、得られるＦＣ−１４
中には、原料中の不純物により、例えば有機微量不純
物、微量酸素や微量水分等によって、不純物としてエチ
レン化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／ま
たは二酸化炭素が含まれる。
例えば、トリフルオロメタンをフッ素ガスと反応させる
方法、炭素をフッ素ガスと反応させる方法、あるいはテ
トラフルオロエチレンを熱分解する方法、等が知られて
いる。これらの方法を用いる場合、得られるＦＣ−１４
中には、原料中の不純物により、例えば有機微量不純
物、微量酸素や微量水分等によって、不純物としてエチ
レン化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／ま
たは二酸化炭素が含まれる。
【００１１】エチレン化合物類としては、エチレン（Ｃ
Ｈ2＝ＣＨ2）、モノフルオロエチレン（ＣＨ2＝ＣＨ
Ｆ）、ジフルオルエチレン（ＣＨ2＝ＣＦ2）、テロラフ
ルオロエチレン（ＣＦ2＝ＣＦ2）から選ばれる少なくと
も１種の化合物を含有する。炭化水素化合物類として
は、メタン（ＣＨ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）、プロパン
（Ｃ3Ｈ8）から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有
する。
Ｈ2＝ＣＨ2）、モノフルオロエチレン（ＣＨ2＝ＣＨ
Ｆ）、ジフルオルエチレン（ＣＨ2＝ＣＦ2）、テロラフ
ルオロエチレン（ＣＦ2＝ＣＦ2）から選ばれる少なくと
も１種の化合物を含有する。炭化水素化合物類として
は、メタン（ＣＨ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）、プロパン
（Ｃ3Ｈ8）から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有
する。
【００１２】目的物であるＦＣ−１４とこれらの不純物
の大気圧下における沸点を表１に示す。
の大気圧下における沸点を表１に示す。
【表１】
【００１３】目的物であるＦＣ−１４とこれらの不純物
は共沸様混合物を形成したり、あるいは表１から明らか
なように沸点が近い、等の理由により蒸留操作では極め
て分離困難な物質である。このため、通常の蒸留操作で
はこれらの不純物を極力少なくするために、蒸留塔の段
数を増やしたり、蒸留塔の本数を多くするなどの対策が
とられるが、不経済となる上、これらの不純物をほとん
ど含有しない高純度ＦＣ−１４を製造することは極めて
困難であった。
は共沸様混合物を形成したり、あるいは表１から明らか
なように沸点が近い、等の理由により蒸留操作では極め
て分離困難な物質である。このため、通常の蒸留操作で
はこれらの不純物を極力少なくするために、蒸留塔の段
数を増やしたり、蒸留塔の本数を多くするなどの対策が
とられるが、不経済となる上、これらの不純物をほとん
ど含有しない高純度ＦＣ−１４を製造することは極めて
困難であった。
【００１４】本発明においては、ＦＣ−１４中のこれら
の不純物類を選択的に吸着除去するため、平均細孔径が
３．４Å〜１１Åであるゼオライト及び／または平均細
孔径が３．４Å〜１１Åである炭素質吸着剤（モレキュ
ラーシービングカーボン）を吸着剤として使用する。平
均細孔径の測定方法としては、Ａｒガスを用いるガス吸
着法が挙げられる。より好ましい吸着剤としては、
（１）平均細孔径が３．４Å〜１１Åであり、Ｓｉ／Ａ
ｌ比が１．５以下であるゼオライト、（２）平均細孔径
が３．４Å〜１１Åである炭素質吸着剤（モレキュラー
シービングカーボン）、（３）平均細孔径が３．４Å〜
１１ÅでＳｉ／Ａｌ比が１．５以下であるゼオライトに
平均細孔径が３．４Å〜１１Åの炭素質吸着剤を添加し
てなる吸着剤である。ここで、Ｓｉ／Ａｌ比は原子比を
表している。
の不純物類を選択的に吸着除去するため、平均細孔径が
３．４Å〜１１Åであるゼオライト及び／または平均細
孔径が３．４Å〜１１Åである炭素質吸着剤（モレキュ
ラーシービングカーボン）を吸着剤として使用する。平
均細孔径の測定方法としては、Ａｒガスを用いるガス吸
着法が挙げられる。より好ましい吸着剤としては、
（１）平均細孔径が３．４Å〜１１Åであり、Ｓｉ／Ａ
ｌ比が１．５以下であるゼオライト、（２）平均細孔径
が３．４Å〜１１Åである炭素質吸着剤（モレキュラー
シービングカーボン）、（３）平均細孔径が３．４Å〜
１１ÅでＳｉ／Ａｌ比が１．５以下であるゼオライトに
平均細孔径が３．４Å〜１１Åの炭素質吸着剤を添加し
てなる吸着剤である。ここで、Ｓｉ／Ａｌ比は原子比を
表している。
【００１５】これらの吸着剤を用いて除去可能なＦＣ−
１４中の不純物類として、具体的には、例えば不飽和化
合物類として、エチレン、モノフルオロエチレン、ジフ
ルオロエチレン、テトラフルオロエチレンが挙げられ、
炭化水素化合物類として、メタン、エタン、プロパンが
挙げられる。また含酸素化合物として一酸化炭素、二酸
化炭素が挙げられる。これらの不純物類は、好ましくは
エチレン、テトラフルオロエチレン、メタン、エタン、
一酸化炭素または二酸化炭素であり、さらに好ましくは
エチレンまたはエタンである。
１４中の不純物類として、具体的には、例えば不飽和化
合物類として、エチレン、モノフルオロエチレン、ジフ
ルオロエチレン、テトラフルオロエチレンが挙げられ、
炭化水素化合物類として、メタン、エタン、プロパンが
挙げられる。また含酸素化合物として一酸化炭素、二酸
化炭素が挙げられる。これらの不純物類は、好ましくは
エチレン、テトラフルオロエチレン、メタン、エタン、
一酸化炭素または二酸化炭素であり、さらに好ましくは
エチレンまたはエタンである。
【００１６】目的物であるＦＣ−１４とこれらの不純物
との分子径の差は小さく、分子径の差のみによってＦＣ
−１４中の不純物類を選択的に吸着除去することは難し
い。そこで、本発明は吸着剤の極性や細孔径などを考慮
し、前記不純物類を選択的に吸着除去できる吸着剤とし
て次の３種類の吸着剤を用いる。
との分子径の差は小さく、分子径の差のみによってＦＣ
−１４中の不純物類を選択的に吸着除去することは難し
い。そこで、本発明は吸着剤の極性や細孔径などを考慮
し、前記不純物類を選択的に吸着除去できる吸着剤とし
て次の３種類の吸着剤を用いる。
【００１７】第１の吸着剤は、平均細孔径が３．４Å〜
１１Åのゼオライトで、好ましくはＳｉ／Ａｌ比が１．
５以下のゼオライトである。具体的には、例えばＭＳ−
４Ａが挙げられ、ＭＳ−４Ａは３．５Å程度の平均細孔
径を有し、Ｓｉ／Ａｌ比が１．０である。このゼオライ
トを用いて吸着操作を行うことで、不純物のエチレン、
テトラフルオロエチレン、メタン、エタン、一酸化炭素
及び二酸化炭素等の含有量を低減できる。ゼオライトの
種類によっては、不純物の含有量を５ｐｐｍ以下に低減
することができ、高純度ＦＣ−１４を得ることができ
る。
１１Åのゼオライトで、好ましくはＳｉ／Ａｌ比が１．
５以下のゼオライトである。具体的には、例えばＭＳ−
４Ａが挙げられ、ＭＳ−４Ａは３．５Å程度の平均細孔
径を有し、Ｓｉ／Ａｌ比が１．０である。このゼオライ
トを用いて吸着操作を行うことで、不純物のエチレン、
テトラフルオロエチレン、メタン、エタン、一酸化炭素
及び二酸化炭素等の含有量を低減できる。ゼオライトの
種類によっては、不純物の含有量を５ｐｐｍ以下に低減
することができ、高純度ＦＣ−１４を得ることができ
る。
【００１８】Ｓｉ／Ａｌ比が１．５以下であっても平均
細孔径が３．４Å未満、例えば３．２Å程度の細孔径を
有するゼオライトは、不純物含有量の低減は認められな
かった。Ｓｉ／Ａｌ比が１．５以下であっても平均細孔
径が１１Åを超えるゼオライトも不純物含有量の低減は
認められなかった。また、平均細孔径が３．４Å〜１１
Åであっても、Ｓｉ／Ａｌ比が１．５を超えるゼオライ
トも不純物含有量の低減は認められなかった。
細孔径が３．４Å未満、例えば３．２Å程度の細孔径を
有するゼオライトは、不純物含有量の低減は認められな
かった。Ｓｉ／Ａｌ比が１．５以下であっても平均細孔
径が１１Åを超えるゼオライトも不純物含有量の低減は
認められなかった。また、平均細孔径が３．４Å〜１１
Åであっても、Ｓｉ／Ａｌ比が１．５を超えるゼオライ
トも不純物含有量の低減は認められなかった。
【００１９】第２の吸着剤は、平均細孔径が３．４Å〜
１１Åの炭素質吸着剤（モレキュラーシービングカーボ
ン）である。例えば４Å程度の平均細孔径を有する炭素
質吸着剤は、前記ゼオライトと同様、前記不純物の含有
量を５ｐｐｍ以下に低減することができ、高純度ＦＣ−
１４を得ることができる。しかし、平均細孔径が１１Å
を超える炭素質吸着剤では不純物の低減は認められず、
例えば、一般に使用されている強い吸着能を有する３５
Å程度の平均細孔径を有する活性炭は不純物の低減がほ
とんど認められなかった。
１１Åの炭素質吸着剤（モレキュラーシービングカーボ
ン）である。例えば４Å程度の平均細孔径を有する炭素
質吸着剤は、前記ゼオライトと同様、前記不純物の含有
量を５ｐｐｍ以下に低減することができ、高純度ＦＣ−
１４を得ることができる。しかし、平均細孔径が１１Å
を超える炭素質吸着剤では不純物の低減は認められず、
例えば、一般に使用されている強い吸着能を有する３５
Å程度の平均細孔径を有する活性炭は不純物の低減がほ
とんど認められなかった。
【００２０】第３の吸着剤は、平均細孔径が３．４Å〜
１１ÅでＳｉ／Ａｌ比が１．５以下のゼオライト（第１
の吸着剤）に平均細孔径が３．４Å〜１１Åの炭素質吸
着剤（第２の吸着剤）を添加（混合）してなる吸着剤で
ある。この吸着剤の種類によっては、不純物の含有量を
３ｐｐｍ以下に低減することができ、さらに高純度のＦ
Ｃ−１４を得ることができる。これはゼオライトが特に
一酸化炭素、二酸化炭素等の吸着能力に優れ、一方、炭
素質吸着剤は特に不飽和化合物等の吸着能力に優れ、両
吸着剤を混合使用する効果が出るためと考えられる。
１１ÅでＳｉ／Ａｌ比が１．５以下のゼオライト（第１
の吸着剤）に平均細孔径が３．４Å〜１１Åの炭素質吸
着剤（第２の吸着剤）を添加（混合）してなる吸着剤で
ある。この吸着剤の種類によっては、不純物の含有量を
３ｐｐｍ以下に低減することができ、さらに高純度のＦ
Ｃ−１４を得ることができる。これはゼオライトが特に
一酸化炭素、二酸化炭素等の吸着能力に優れ、一方、炭
素質吸着剤は特に不飽和化合物等の吸着能力に優れ、両
吸着剤を混合使用する効果が出るためと考えられる。
【００２１】前記のゼオライト及び炭素質吸着剤は、１
種類のみを単独で使用することができるが、２種類以上
を任意の割合で組み合わせて使用することもできる。ま
た第３の吸着剤の場合、ゼオライトと炭素質吸着剤の混
合比は、不純物類の濃度に応じて変化させることができ
る。
種類のみを単独で使用することができるが、２種類以上
を任意の割合で組み合わせて使用することもできる。ま
た第３の吸着剤の場合、ゼオライトと炭素質吸着剤の混
合比は、不純物類の濃度に応じて変化させることができ
る。
【００２２】ＦＣ−１４中に含有する不純物として、エ
チレン化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／
または二酸化炭素の濃度は特に限定されないが、好まし
くは０．１質量％以下であり、さらに好ましくは０．０
５質量％以下である。また、目的とするＦＣ−１４中に
前記以外の不純物、例えばパーフルオロ化合物であるＦ
Ｃ−１１６（ＣＦ3ＣＦ3）やＦＣ−２１８（Ｃ3Ｆ8）等
が混入する場合は、前記吸着剤を用いた処理工程の前後
のどちらかで蒸留操作を行えばパ−フルオロ化合物は分
離除去できる。
チレン化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／
または二酸化炭素の濃度は特に限定されないが、好まし
くは０．１質量％以下であり、さらに好ましくは０．０
５質量％以下である。また、目的とするＦＣ−１４中に
前記以外の不純物、例えばパーフルオロ化合物であるＦ
Ｃ−１１６（ＣＦ3ＣＦ3）やＦＣ−２１８（Ｃ3Ｆ8）等
が混入する場合は、前記吸着剤を用いた処理工程の前後
のどちらかで蒸留操作を行えばパ−フルオロ化合物は分
離除去できる。
【００２３】本発明のＦＣ−１４の精製方法において、
不純物を含有するＦＣ−１４を吸着剤に接触させる方法
は特に限定されず、例えば気相で接触させる方法、気液
で接触させる方法、あるいは液相で接触させる方法のい
ずれの方法も可能であるが、液相で接触させる方法が効
率がよく好ましい。液相で接触させる方法には、回分式
や連続式など公知の方法を用いることができるが、工業
的には、例えば固定床式吸着塔を２基設け、一方が飽和
吸着に達すればこれを切り換え再生する方法が一般的で
ある。
不純物を含有するＦＣ−１４を吸着剤に接触させる方法
は特に限定されず、例えば気相で接触させる方法、気液
で接触させる方法、あるいは液相で接触させる方法のい
ずれの方法も可能であるが、液相で接触させる方法が効
率がよく好ましい。液相で接触させる方法には、回分式
や連続式など公知の方法を用いることができるが、工業
的には、例えば固定床式吸着塔を２基設け、一方が飽和
吸着に達すればこれを切り換え再生する方法が一般的で
ある。
【００２４】また、不純物を含有するＦＣ−１４を吸着
剤に接触させる際の処理温度、処理量及び処理圧力は特
に限定されないが、処理温度は低温が好ましく、−５０
℃〜５０℃の範囲の温度がよい。また処理圧力は、液相
の場合は液相に保持できればよく、気相の場合は特に限
定されない。
剤に接触させる際の処理温度、処理量及び処理圧力は特
に限定されないが、処理温度は低温が好ましく、−５０
℃〜５０℃の範囲の温度がよい。また処理圧力は、液相
の場合は液相に保持できればよく、気相の場合は特に限
定されない。
【００２５】以上説明したように、本発明の精製方法を
用いれば、ＦＣ−１４中に含まれるエチレン化合物類、
炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素
を効果的に吸着除去することができ、高純度のＦＣ−１
４を得ることができる。また得られるＦＣ−１４の純度
は９９．９９９７質量％以上であり、純度が９９．９９
９７質量％以上であるＦＣ−１４製品の分析方法として
は、（１）ガスクロマトグラフィ−（ＧＣ）のＴＣＤ
法、ＦＩＤ法（いずれもプレカット法を含む）、ＥＣＤ
法、（２）ガスクロマトグラフィ−質量分析計（ＧＣ−
ＭＳ）等の分析機器を用いることができる。
用いれば、ＦＣ−１４中に含まれるエチレン化合物類、
炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素
を効果的に吸着除去することができ、高純度のＦＣ−１
４を得ることができる。また得られるＦＣ−１４の純度
は９９．９９９７質量％以上であり、純度が９９．９９
９７質量％以上であるＦＣ−１４製品の分析方法として
は、（１）ガスクロマトグラフィ−（ＧＣ）のＴＣＤ
法、ＦＩＤ法（いずれもプレカット法を含む）、ＥＣＤ
法、（２）ガスクロマトグラフィ−質量分析計（ＧＣ−
ＭＳ）等の分析機器を用いることができる。
【００２６】また、高純度のＦＣ−１４は、半導体デバ
イス製造工程の中のエッチング工程におけるエッチング
ガスとして用いることができる。また、半導体デバイス
製造工程の中のクリーニング工程におけるクリーニング
ガスとしても用いることができる。LSIやTFTなどの半導
体デバイスの製造プロセスでは、CVD法、スパッタリン
グ法あるいは蒸着法などを用いて薄膜や厚膜を形成し、
回路パターンを形成するためにエッチングを行う。ま
た、薄膜や厚膜を形成する装置においては、装置内壁、
冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリー
ニングが行われる。これは不要な堆積物が生成するとパ
ーティクル発生の原因となるためであり、良質な膜を製
造するために随時除去する必要がある。
イス製造工程の中のエッチング工程におけるエッチング
ガスとして用いることができる。また、半導体デバイス
製造工程の中のクリーニング工程におけるクリーニング
ガスとしても用いることができる。LSIやTFTなどの半導
体デバイスの製造プロセスでは、CVD法、スパッタリン
グ法あるいは蒸着法などを用いて薄膜や厚膜を形成し、
回路パターンを形成するためにエッチングを行う。ま
た、薄膜や厚膜を形成する装置においては、装置内壁、
冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリー
ニングが行われる。これは不要な堆積物が生成するとパ
ーティクル発生の原因となるためであり、良質な膜を製
造するために随時除去する必要がある。
【００２７】ここで、ＦＣ−１４を用いるエッチング方
法は、プラズマエッチング、マイクロ波エッチング等の
各種ドライエッチング条件で行うことができ、ＦＣ−１
４とＨｅ、Ｎ2、Ａｒなどの不活性ガスあるいはＨＣ
ｌ、Ｏ2、Ｈ2などのガスと適切な割合で混合して使用し
てもよい。
法は、プラズマエッチング、マイクロ波エッチング等の
各種ドライエッチング条件で行うことができ、ＦＣ−１
４とＨｅ、Ｎ2、Ａｒなどの不活性ガスあるいはＨＣ
ｌ、Ｏ2、Ｈ2などのガスと適切な割合で混合して使用し
てもよい。
【００２８】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明をより
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。 ［ＦＣ−１４の原料例１］炭素とフッ素ガスを希釈ガス
の存在下で反応させ、未反応フッ素ガスを除去し、ＦＣ
−１４に富む生成ガスを公知の方法で分別蒸留により精
製し、ガスクロマトグラフィ−で分析したところ、表２
に示す組成を有するＦＣ−１４を得た。
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。 ［ＦＣ−１４の原料例１］炭素とフッ素ガスを希釈ガス
の存在下で反応させ、未反応フッ素ガスを除去し、ＦＣ
−１４に富む生成ガスを公知の方法で分別蒸留により精
製し、ガスクロマトグラフィ−で分析したところ、表２
に示す組成を有するＦＣ−１４を得た。
【００２９】
【表２】
【００３０】［ＦＣ−１４の原料例２］ジフルオロメタ
ン（ＣＨ2Ｆ2）とフッ素ガスを希釈ガスの存在下で反応
させ、反応ガスをアルカリ洗浄塔に導入し、生成したフ
ッ化水素および少量の未反応フッ素ガスを除去した。Ｆ
Ｃ−１４に富む生成ガスを公知の方法で分別蒸留により
精製し、ガスクロマトグラフィ−で分析したところ、表
３に示す組成を有するＦＣ−１４を得た。
ン（ＣＨ2Ｆ2）とフッ素ガスを希釈ガスの存在下で反応
させ、反応ガスをアルカリ洗浄塔に導入し、生成したフ
ッ化水素および少量の未反応フッ素ガスを除去した。Ｆ
Ｃ−１４に富む生成ガスを公知の方法で分別蒸留により
精製し、ガスクロマトグラフィ−で分析したところ、表
３に示す組成を有するＦＣ−１４を得た。
【００３１】
【表３】
【００３２】（実施例１）容積２００ｍｌのステンレス
製シリンダーにゼオライト［モレキュラーシーブス４Ａ
（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径３．５Å、Ｓｉ
／Ａｌ比＝１）］を２０ｇ充填し、真空乾燥後、シリン
ダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１４を約７０ｇ充
填し、温度を−２０℃に保ちながら時々攪拌し、約８時
間後、液相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。分
析結果は表４に示した。
製シリンダーにゼオライト［モレキュラーシーブス４Ａ
（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径３．５Å、Ｓｉ
／Ａｌ比＝１）］を２０ｇ充填し、真空乾燥後、シリン
ダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１４を約７０ｇ充
填し、温度を−２０℃に保ちながら時々攪拌し、約８時
間後、液相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。分
析結果は表４に示した。
【００３３】
【表４】
【００３４】表４の結果から明らかなように、平均細孔
径が３．５ÅでＳｉ／Ａｌ比が１のゼオライトを吸着剤
として用いることにより、ＦＣ−１４中の不純物類を低
減でき、その含有量を１０ｐｐｍ以下にすることができ
る。
径が３．５ÅでＳｉ／Ａｌ比が１のゼオライトを吸着剤
として用いることにより、ＦＣ−１４中の不純物類を低
減でき、その含有量を１０ｐｐｍ以下にすることができ
る。
【００３５】（実施例２）容積２００ｍｌのステンレス
製シリンダーにゼオライト［モレキュラーシーブス１３
Ｘ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径１０Å、Ｓｉ
／Ａｌ比＝１．２３）］を２０ｇ充填し、真空乾燥後、
シリンダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１４を約７
０ｇ充填し、室温（約１８℃）で時々攪拌しながら約８
時間後、液相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。
分析結果は表５に示した。
製シリンダーにゼオライト［モレキュラーシーブス１３
Ｘ（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径１０Å、Ｓｉ
／Ａｌ比＝１．２３）］を２０ｇ充填し、真空乾燥後、
シリンダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１４を約７
０ｇ充填し、室温（約１８℃）で時々攪拌しながら約８
時間後、液相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。
分析結果は表５に示した。
【００３６】
【表５】
【００３７】表５の結果から明らかなように、平均細孔
径が１０ÅでＳｉ／Ａｌ比が１．２３のゼオライトを吸
着剤として用いることにより、ＦＣ−１４中の不純物類
を低減でき、その含有量を１０ｐｐｍ以下にすることが
できる。
径が１０ÅでＳｉ／Ａｌ比が１．２３のゼオライトを吸
着剤として用いることにより、ＦＣ−１４中の不純物類
を低減でき、その含有量を１０ｐｐｍ以下にすることが
できる。
【００３８】（実施例３）容積２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに炭素質吸着剤［モレキュラーシービング
カーボン、武田薬品工業株式会社製：平均細孔径４Å］
を２０ｇ充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却しなが
ら原料例２のＦＣ−１４を約７０ｇ充填し、室温（約１
８℃）で時々攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマ
トグラフィ−で分析した。分析結果は表６に示した。
製シリンダーに炭素質吸着剤［モレキュラーシービング
カーボン、武田薬品工業株式会社製：平均細孔径４Å］
を２０ｇ充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却しなが
ら原料例２のＦＣ−１４を約７０ｇ充填し、室温（約１
８℃）で時々攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマ
トグラフィ−で分析した。分析結果は表６に示した。
【００３９】
【表６】 表６の結果から明らかなように、平均細孔径が４Åの炭
素質吸着剤［モレキュラーシービングカーボン］を吸着
剤として用いることにより、ＦＣ−１４中の不純物類を
低減でき、その含有量を１０ｐｐｍ以下にすることがで
きる。
素質吸着剤［モレキュラーシービングカーボン］を吸着
剤として用いることにより、ＦＣ−１４中の不純物類を
低減でき、その含有量を１０ｐｐｍ以下にすることがで
きる。
【００４０】（実施例４）容積２００ｍｌのステンレス
製シリンダーにゼオライト［モレキュラーシーブス４Ａ
（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径３．５Å、Ｓｉ
／Ａｌ比＝１）］を１５ｇと炭素質吸着剤［モレキュラ
ーシービングカーボン、武田薬品工業株式会社製：平均
細孔径４Å］を１５ｇ混合充填し、真空乾燥後、シリン
ダーを冷却しながら原料例１のＦＣー１４を約７０ｇ充
填し、室温（約１８℃）で時々攪拌し、約８時間後、液
相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。分析結果は
表７に示した。
製シリンダーにゼオライト［モレキュラーシーブス４Ａ
（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径３．５Å、Ｓｉ
／Ａｌ比＝１）］を１５ｇと炭素質吸着剤［モレキュラ
ーシービングカーボン、武田薬品工業株式会社製：平均
細孔径４Å］を１５ｇ混合充填し、真空乾燥後、シリン
ダーを冷却しながら原料例１のＦＣー１４を約７０ｇ充
填し、室温（約１８℃）で時々攪拌し、約８時間後、液
相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。分析結果は
表７に示した。
【００４１】
【表７】
【００４２】更に微量不純物の含有量を求めるため、微
量分析方法としてガスクロマトグラフィ−のＴＣＤ法、
ＦＩＤ法（プレカット法を含む）、ＥＣＤ法、ガスクロ
マトグラフィ−質量分析計（ＧＣ／ＭＳ）等の分析機器
を用いて、純度の算出を行った結果を表８に示す。
量分析方法としてガスクロマトグラフィ−のＴＣＤ法、
ＦＩＤ法（プレカット法を含む）、ＥＣＤ法、ガスクロ
マトグラフィ−質量分析計（ＧＣ／ＭＳ）等の分析機器
を用いて、純度の算出を行った結果を表８に示す。
【００４３】
【表８】 表８の結果から明らかなように、得られたＦＣ−１４の
純度は９９．９９９７質量％以上である。
純度は９９．９９９７質量％以上である。
【００４４】（比較例１）容積２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブスＸ
Ｈ−９（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径３．２
Å、Ｓｉ／Ａｌ比＝１）］を２０ｇ充填し、真空乾燥
後、シリンダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１４を
約７０ｇ充填し、室温（約１８℃）で時々攪拌し、約８
時間後、液相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。
分析結果は表９に示した。
製シリンダーに、ゼオライト［モレキュラーシーブスＸ
Ｈ−９（ユニオン昭和株式会社製：平均細孔径３．２
Å、Ｓｉ／Ａｌ比＝１）］を２０ｇ充填し、真空乾燥
後、シリンダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１４を
約７０ｇ充填し、室温（約１８℃）で時々攪拌し、約８
時間後、液相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。
分析結果は表９に示した。
【００４５】
【表９】 表９の結果から明らかなように、Ｓｉ／Ａｌ比が１であ
っても、平均細孔径が３．４Å未満のゼオライトでは不
純物類の低減はほとんど認められなかった。
っても、平均細孔径が３．４Å未満のゼオライトでは不
純物類の低減はほとんど認められなかった。
【００４６】（比較例２）容積２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、ゼオライト［Ｈ−ＺＳＭ−５（エヌ・
イ−ケムキャット株式会社製：平均細孔径６Å、Ｓｉ／
Ａｌ比＝７５）］を２０ｇ充填し、真空乾燥後、シリン
ダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１４を約７０ｇ充
填し、室温（約１８℃）で時々攪拌し、約８時間後、液
相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。分析結果は
表１０に示した。
製シリンダーに、ゼオライト［Ｈ−ＺＳＭ−５（エヌ・
イ−ケムキャット株式会社製：平均細孔径６Å、Ｓｉ／
Ａｌ比＝７５）］を２０ｇ充填し、真空乾燥後、シリン
ダーを冷却しながら原料例１のＦＣ−１４を約７０ｇ充
填し、室温（約１８℃）で時々攪拌し、約８時間後、液
相部をガスクロマトグラフィ−で分析した。分析結果は
表１０に示した。
【００４７】
【表１０】 表１０の結果から明らかなように、平均細孔径が６Åで
あっても、Ｓｉ／Ａｌ比が１．５を超えるゼオライトで
は不純物類の低減はほとんど認められなかった。
あっても、Ｓｉ／Ａｌ比が１．５を超えるゼオライトで
は不純物類の低減はほとんど認められなかった。
【００４８】（比較例３）容積２００ｍｌのステンレス
製シリンダーに、炭素質吸着剤［活性炭：粒状白サギＫ
Ｌ、武田薬品工業株式会社製、平均細孔径３５Å］を２
０ｇ充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却しながら原
料例２のＦＣ−１４を約７０ｇ充填し、室温（約１８
℃）で時々攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマト
グラフィ−で分析した。分析結果は表１１に示した。
製シリンダーに、炭素質吸着剤［活性炭：粒状白サギＫ
Ｌ、武田薬品工業株式会社製、平均細孔径３５Å］を２
０ｇ充填し、真空乾燥後、シリンダーを冷却しながら原
料例２のＦＣ−１４を約７０ｇ充填し、室温（約１８
℃）で時々攪拌し、約８時間後、液相部をガスクロマト
グラフィ−で分析した。分析結果は表１１に示した。
【００４９】
【表１１】 表１１の結果から明らかなように、平均細孔径が１１Å
を超える炭素質吸着剤では不純物類の低減は認められな
かった。
を超える炭素質吸着剤では不純物類の低減は認められな
かった。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、従来非常に困難であっ
たテトラフルオロメタン中の不純物、特にエチレン化合
物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸
化炭素を含有するテトラフルオロメタンを、平均細孔径
が３．４Å〜１１Åであるゼオライト及び／または平均
細孔径が３．４Å〜１１Åである炭素質吸着剤と接触さ
せることにより、前記不純物を低減させることができ
る。また、精製された高純度のテトラフルオロメタンは
エッチングガスあるいはクリーニングガスとして用いる
ことができる。
たテトラフルオロメタン中の不純物、特にエチレン化合
物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸
化炭素を含有するテトラフルオロメタンを、平均細孔径
が３．４Å〜１１Åであるゼオライト及び／または平均
細孔径が３．４Å〜１１Åである炭素質吸着剤と接触さ
せることにより、前記不純物を低減させることができ
る。また、精製された高純度のテトラフルオロメタンは
エッチングガスあるいはクリーニングガスとして用いる
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 7/30 Ｃ１１Ｄ 7/30 7/50 7/50 Ｆターム(参考） 4D012 BA02 BA03 4H003 BA28 DA15 ED20 FA21 4H006 AA02 AC30 AD17 BA71 BC14 BE53 DA25 DA46
Claims (15)
- 【請求項１】 不純物としてエチレン化合物類、炭化水
素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含有
するテトラフルオロメタンを、平均細孔径が３．４Å〜
１１Åであるゼオライト及び／または平均細孔径が３．
４Å〜１１Åである炭素質吸着剤と接触させることによ
り、前記不純物を低減させることを特徴とするテトラフ
ルオロメタンの精製方法。 - 【請求項２】 前記不純物を含有するテトラフルオロメ
タンとゼオライト及び／または炭素質吸着剤とを液相で
接触させる請求項１に記載のテトラフルオロメタンの精
製方法。 - 【請求項３】 前記ゼオライトのＳｉ／Ａｌ比が１．５
以下である請求項１または２に記載のテトラフルオロメ
タンの精製方法。 - 【請求項４】 前記ゼオライトがＭＳ−４Ａ、ＭＳ−５
Ａ、ＭＳ−１０Ｘ及びＭＳ−１３Ｘからなる群から選ば
れる少なくとも一種である請求項１〜３のいずれかに記
載のテトラフルオロメタンの精製方法。 - 【請求項５】 前記炭素質吸着剤がモレキュラーシービ
ングカーボン４Ａ及び／またはモレキュラーシービング
カーボン５Ａである請求項１または２に記載のテトラフ
ルオロメタンの精製方法。 - 【請求項６】 前記エチレン化合物類がエチレン、フル
オロエチレン、ジフルオロエチレン及びテトラフルオロ
エチレンからなる群から選ばれる少なくとも一つの化合
物である請求項１〜５のいずれかに記載のテトラフルオ
ロメタンの精製方法。 - 【請求項７】 前記エチレン化合物類がエチレン及び／
またはテトラフルオロエチレンである請求項６に記載の
テトラフルオロメタンの精製方法。 - 【請求項８】 前記炭化水素化合物類がメタン、エタン
及びプロパンからなる群から選ばれる少なくとも一つの
化合物である請求項１〜５のいずれかに記載のテトラフ
ルオロメタンの精製方法。 - 【請求項９】 前記炭化水素化合物類がメタン及び／ま
たはエタンである請求項８に記載のテトラフルオロメタ
ンの精製方法。 - 【請求項１０】 テトラフルオロメタン中に含まれる、
エチレン化合物類、炭化水素化合物類、一酸化炭素及び
二酸化炭素の総含有量を３ｐｐｍ以下に低減させる請求
項１〜９のいずれかに記載のテトラフルオロメタンの精
製方法。 - 【請求項１１】 不純物としてエチレン化合物類、炭化
水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含
有するテトラフルオロメタンが、トリフルオロメタンと
フッ素ガスを反応させる直接フッ素化法により製造され
たテトラフルオロメタンである請求項１〜１０のいずれ
かに記載のテトラフルオロメタンの精製方法。 - 【請求項１２】 不純物としてエチレン化合物類、炭化
水素化合物類、一酸化炭素及び／または二酸化炭素を含
有するテトラフルオロメタンが、炭素とフッ素ガスを反
応させる直接フッ素化法により製造されたテトラフルオ
ロメタンである請求項１〜１０のいずれかに記載のテト
ラフルオロメタンの精製方法。 - 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかに記載の方
法により精製することにより得られ、純度が９９．９９
９７質量％以上であることを特徴とするテトラフルオロ
メタン製品。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載のテトラフルオロメ
タン製品を含有するエッチングガス。 - 【請求項１５】 請求項１３に記載のテトラフルオロメ
タン製品を含有するクリーニングガス。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000128681A JP4471448B2 (ja) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | テトラフルオロメタンの精製方法及びその用途 |
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