JP2001294843A - 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置 - Google Patents
半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】加工性、接着力、ワイヤーボンディング性、熱
サイクル信頼性および耐リフロー性に優れる新規な半導
体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用
接着剤シートならびに半導体装置を工業的に提供するも
のであり、半導体装置の信頼性および易加工性に基づく
経済性を向上させる。 【解決手段】（Ａ）絶縁体層および導体パターンからな
る配線基板層、（Ｂ）接着剤層、（Ｃ）半導体集積回路
の順で積層され、（Ｃ）半導体集積回路と（Ａ）配線基
板層がワイヤーボンディングにより接続された構造を有
する半導体装置の（Ｂ）接着剤層を形成する半導体装置
用接着剤組成物であって、該接着剤組成物が必須成分と
して熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ少なくとも
１種類含み、加熱硬化後の接着剤組成物が、−６５℃〜
５０℃の温度範囲に少なくとも１つの軟化点を有し、か
つ１００℃〜１５０℃における弾性率Ｅ’が１ＭＰａ≦
Ｅ’≦５００ＭＰａであることを特徴とする半導体装置
用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤
シートならびに半導体装置。
サイクル信頼性および耐リフロー性に優れる新規な半導
体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用
接着剤シートならびに半導体装置を工業的に提供するも
のであり、半導体装置の信頼性および易加工性に基づく
経済性を向上させる。 【解決手段】（Ａ）絶縁体層および導体パターンからな
る配線基板層、（Ｂ）接着剤層、（Ｃ）半導体集積回路
の順で積層され、（Ｃ）半導体集積回路と（Ａ）配線基
板層がワイヤーボンディングにより接続された構造を有
する半導体装置の（Ｂ）接着剤層を形成する半導体装置
用接着剤組成物であって、該接着剤組成物が必須成分と
して熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ少なくとも
１種類含み、加熱硬化後の接着剤組成物が、−６５℃〜
５０℃の温度範囲に少なくとも１つの軟化点を有し、か
つ１００℃〜１５０℃における弾性率Ｅ’が１ＭＰａ≦
Ｅ’≦５００ＭＰａであることを特徴とする半導体装置
用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤
シートならびに半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路を
ワイヤーボンデイング方式で半導体集積回路接続用基板
（インターポーザー）に接続し、パッケージ化する際
に、半導体集積回路接続用基板を構成する絶縁体層およ
び導体パターンからなる配線基板層と半導体集積回路を
接着し、かつ温度差によりそれぞれの層間に発生する熱
応力を緩和する機能を有する接着剤組成物およびそれを
用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置に
関する。
ワイヤーボンデイング方式で半導体集積回路接続用基板
（インターポーザー）に接続し、パッケージ化する際
に、半導体集積回路接続用基板を構成する絶縁体層およ
び導体パターンからなる配線基板層と半導体集積回路を
接着し、かつ温度差によりそれぞれの層間に発生する熱
応力を緩和する機能を有する接着剤組成物およびそれを
用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路（ＩＣ）パッケー
ジとして、デュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）、
スモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）、クアッド
フラットパッケージ（ＱＦＰ）等のパッケージ形態が用
いられてきた。しかし、ＩＣの多ピン化とパッケージの
小型化に伴って、最もピン数を多くできるＱＦＰにおい
ても限界に近づいている。これは特にプリント基板に実
装する際に、リードの平面性が保ちにくいことやプリン
ト基板上の半田の印刷精度が得にくいことなどによる。
そこで、近年多ピン化、小型化の手段としてＢＧＡ方
式、ＬＧＡ方式、ＰＧＡ方式、等が実用化されてきた。
中でもＢＧＡ方式はプラスチック材料の利用による低コ
スト化、軽量化、薄型化の可能性が高く注目されてい
る。
ジとして、デュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）、
スモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）、クアッド
フラットパッケージ（ＱＦＰ）等のパッケージ形態が用
いられてきた。しかし、ＩＣの多ピン化とパッケージの
小型化に伴って、最もピン数を多くできるＱＦＰにおい
ても限界に近づいている。これは特にプリント基板に実
装する際に、リードの平面性が保ちにくいことやプリン
ト基板上の半田の印刷精度が得にくいことなどによる。
そこで、近年多ピン化、小型化の手段としてＢＧＡ方
式、ＬＧＡ方式、ＰＧＡ方式、等が実用化されてきた。
中でもＢＧＡ方式はプラスチック材料の利用による低コ
スト化、軽量化、薄型化の可能性が高く注目されてい
る。
【０００３】図１にＢＧＡ方式の例を示す。ＢＧＡ方式
は、ＩＣを接続した半導体集積回路接続用基板の外部接
続部としてＩＣのピン数にほぼ対応する半田ボールを格
子上（グリッドアレイ）に有することを特徴としてい
る。プリント基板への接続は、半田ボール面をすでに半
田が印刷してあるプリント基板の導体パターン上に一致
するように乗せて、リフローにより半田を融解して行な
われる。最大の特徴は、インターポーザーの面を使用で
きるため、ＱＦＰ等の周囲の辺しか使用できないパッケ
ージと比較して多くの端子を少ないスペースに配置でき
ることにある。この小型化機能をさらに進めたものに、
チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）があり、マイクロ
ＢＧＡ（μ−ＢＧＡ）、ファインピッチＢＧＡ（ＦＰ−
ＢＧＡ）、メモリーＢＧＡ（ｍ−ＢＧＡ）、ボードオン
チップ（ＢＯＣ）等の構造が提案されている。μ−ＢＧ
Ａはインターポーザーからビームリードを出してＩＣと
接続することが特徴であり、ｍ−ＢＧＡ、ＢＯＣ（図
１）、ＦＰ−ＢＧＡではＩＣとインターポーザー間はワ
イヤーボンディング接続される。ワイヤーボンディング
接続は微細ピッチの対応が難しい反面、煩雑なビームリ
ード加工が不要であり、かつ従来のリードフレーム用の
ワイヤーボンダーが使用できるため、コスト的に有利で
ある。
は、ＩＣを接続した半導体集積回路接続用基板の外部接
続部としてＩＣのピン数にほぼ対応する半田ボールを格
子上（グリッドアレイ）に有することを特徴としてい
る。プリント基板への接続は、半田ボール面をすでに半
田が印刷してあるプリント基板の導体パターン上に一致
するように乗せて、リフローにより半田を融解して行な
われる。最大の特徴は、インターポーザーの面を使用で
きるため、ＱＦＰ等の周囲の辺しか使用できないパッケ
ージと比較して多くの端子を少ないスペースに配置でき
ることにある。この小型化機能をさらに進めたものに、
チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）があり、マイクロ
ＢＧＡ（μ−ＢＧＡ）、ファインピッチＢＧＡ（ＦＰ−
ＢＧＡ）、メモリーＢＧＡ（ｍ−ＢＧＡ）、ボードオン
チップ（ＢＯＣ）等の構造が提案されている。μ−ＢＧ
Ａはインターポーザーからビームリードを出してＩＣと
接続することが特徴であり、ｍ−ＢＧＡ、ＢＯＣ（図
１）、ＦＰ−ＢＧＡではＩＣとインターポーザー間はワ
イヤーボンディング接続される。ワイヤーボンディング
接続は微細ピッチの対応が難しい反面、煩雑なビームリ
ード加工が不要であり、かつ従来のリードフレーム用の
ワイヤーボンダーが使用できるため、コスト的に有利で
ある。
【０００４】一方、ワイヤーボンディング方式のＢＧＡ
（ＣＳＰ）パッケージは以下のような課題がある。
（ａ）ＩＣとインターポーザーを接着する接着剤が必
要。（ｂ）（ａ）の接着剤はワイヤーボンディングの適
した硬さが必要。（ｃ）一方、同時に（ａ）は温度サイ
クルやリフローの際に半田ボールにかかる熱応力を緩和
するために柔軟性が必要。（ｄ）リフロー回数が多いの
でより高い耐リフロー性が必要。これらは相反する特性
であり、特に（ｂ）および（ｃ）は両立が困難である。
一般には柔軟性を重視して、柔らかい接着剤を使用し、
導体となる銅箔厚みや、導体上のニッケルメッキ厚みを
適正化し、ワイヤーボンデイング性を改善している。特
に、インターポーザーにＴＡＢテープやフレキシブルプ
リント基板を用いたＣＳＰでは、ＩＣサイズインターポ
ーザーサイズがほぼ等しいため、温度サイクル時の応力
の影響が大きく、上記の課題は重要である。
（ＣＳＰ）パッケージは以下のような課題がある。
（ａ）ＩＣとインターポーザーを接着する接着剤が必
要。（ｂ）（ａ）の接着剤はワイヤーボンディングの適
した硬さが必要。（ｃ）一方、同時に（ａ）は温度サイ
クルやリフローの際に半田ボールにかかる熱応力を緩和
するために柔軟性が必要。（ｄ）リフロー回数が多いの
でより高い耐リフロー性が必要。これらは相反する特性
であり、特に（ｂ）および（ｃ）は両立が困難である。
一般には柔軟性を重視して、柔らかい接着剤を使用し、
導体となる銅箔厚みや、導体上のニッケルメッキ厚みを
適正化し、ワイヤーボンデイング性を改善している。特
に、インターポーザーにＴＡＢテープやフレキシブルプ
リント基板を用いたＣＳＰでは、ＩＣサイズインターポ
ーザーサイズがほぼ等しいため、温度サイクル時の応力
の影響が大きく、上記の課題は重要である。
【０００５】このような観点から、従来は接着剤層とし
て弾性率が低い熱可塑樹脂あるいはシリコーンエラスト
マ（特公平６−５０４４８号公報）などが提案されてい
る。
て弾性率が低い熱可塑樹脂あるいはシリコーンエラスト
マ（特公平６−５０４４８号公報）などが提案されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の接着剤
組成物ではワイヤーボンディング性、温度サイクル性、
耐リフロー性において必ずしも十分な特性が得られなか
った。たとえば、熱可塑性樹脂からなる接着剤組成物で
は初期の接着力が確保できるならば加熱キュアが不要で
あるという利点がある反面、ワイヤーボンディングおよ
び半田リフローに耐えるように高い軟化点に設計する
と、貼り合わせ工程で樹脂の軟化点を越える高い加熱、
加圧を必要とするという問題がある。一方、熱硬化樹脂
からなる接着剤シートでは、ワイヤーボンディングおよ
び半田リフローに耐える強度を有するが、柔軟性がなく
温度リフロー性に劣る。また、硬化反応の進行によるわ
ずかな粘度の増加によって位置ずれによる不良が発生す
る場合がある。
組成物ではワイヤーボンディング性、温度サイクル性、
耐リフロー性において必ずしも十分な特性が得られなか
った。たとえば、熱可塑性樹脂からなる接着剤組成物で
は初期の接着力が確保できるならば加熱キュアが不要で
あるという利点がある反面、ワイヤーボンディングおよ
び半田リフローに耐えるように高い軟化点に設計する
と、貼り合わせ工程で樹脂の軟化点を越える高い加熱、
加圧を必要とするという問題がある。一方、熱硬化樹脂
からなる接着剤シートでは、ワイヤーボンディングおよ
び半田リフローに耐える強度を有するが、柔軟性がなく
温度リフロー性に劣る。また、硬化反応の進行によるわ
ずかな粘度の増加によって位置ずれによる不良が発生す
る場合がある。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決し、ワイ
ヤーボンディング性、温度サイクル性、耐リフロー性に
優れた新規な半導体装置用接着剤組成物およびそれを用
いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置を提
供することを目的とする。
ヤーボンディング性、温度サイクル性、耐リフロー性に
優れた新規な半導体装置用接着剤組成物およびそれを用
いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板
層、（Ｂ）接着剤層、（Ｃ）半導体集積回路の順で積層
され、（Ｃ）半導体集積回路と（Ａ）配線基板層がワイ
ヤーボンディングにより接続された構造を有する半導体
装置の（Ｂ）接着剤層を形成する半導体装置用接着剤組
成物であって、該接着剤組成物が必須成分として熱可塑
性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ少なくとも１種類以上
含み、加熱硬化後の接着剤組成物が、−６５℃〜５０℃
の温度範囲に少なくとも１つ以上の軟化点を有し、かつ
１００℃〜１５０℃における弾性率Ｅ’が１ＭＰａ≦
Ｅ’≦５００ＭＰａであることを特徴とする半導体装置
用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤
シートならびに半導体装置である。
（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板
層、（Ｂ）接着剤層、（Ｃ）半導体集積回路の順で積層
され、（Ｃ）半導体集積回路と（Ａ）配線基板層がワイ
ヤーボンディングにより接続された構造を有する半導体
装置の（Ｂ）接着剤層を形成する半導体装置用接着剤組
成物であって、該接着剤組成物が必須成分として熱可塑
性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ少なくとも１種類以上
含み、加熱硬化後の接着剤組成物が、−６５℃〜５０℃
の温度範囲に少なくとも１つ以上の軟化点を有し、かつ
１００℃〜１５０℃における弾性率Ｅ’が１ＭＰａ≦
Ｅ’≦５００ＭＰａであることを特徴とする半導体装置
用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤
シートならびに半導体装置である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明者らは、上記の目的を達成
するために半導体装置用接着剤組成物の接着剤成分の硬
化後の軟化挙動および弾性率特性を鋭意検討した結果、
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の混合状態を制御し、かつ
熱硬化樹脂の硬化剤を巧みに組み合わせることにより、
優れたワイヤーボンディング性、温度サイクル性、耐リ
フロー性に優れた、半導体集積回路接続用基板に適した
半導体装置用接着剤組成物が得られることを見い出し、
本発明に至ったものである。
するために半導体装置用接着剤組成物の接着剤成分の硬
化後の軟化挙動および弾性率特性を鋭意検討した結果、
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の混合状態を制御し、かつ
熱硬化樹脂の硬化剤を巧みに組み合わせることにより、
優れたワイヤーボンディング性、温度サイクル性、耐リ
フロー性に優れた、半導体集積回路接続用基板に適した
半導体装置用接着剤組成物が得られることを見い出し、
本発明に至ったものである。
【００１０】本発明の半導体装置とは、（Ｃ）シリコン
などの半導体基板上に素子が形成された後、切り分けら
れた半導体集積回路（ベアチップ）が（Ａ）絶縁体層お
よび導体パターンからなる配線基板層に、（Ｂ）本発明
の接着剤層で接着され、かつ（Ｃ）半導体集積回路と
（Ａ）配線基板層がワイヤーボンディングにより接続さ
れた構造を有するものであれば、形状、材料および製造
方法は特に限定されない。
などの半導体基板上に素子が形成された後、切り分けら
れた半導体集積回路（ベアチップ）が（Ａ）絶縁体層お
よび導体パターンからなる配線基板層に、（Ｂ）本発明
の接着剤層で接着され、かつ（Ｃ）半導体集積回路と
（Ａ）配線基板層がワイヤーボンディングにより接続さ
れた構造を有するものであれば、形状、材料および製造
方法は特に限定されない。
【００１１】（Ａ）はベアチップの電極パッドとパッケ
ージの外部（プリント基板、ＴＡＢテープ、等）を接続
するための導体パターンを有する層であり、絶縁体層の
片面または両面に導体パターンが形成されているもので
ある。ここでいう絶縁体層は、ポリイミド、ポリエステ
ル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、アラミド、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、等のプラスチックあるいは
エポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなる、
厚さ１０〜１２５μｍの可撓性を有する絶縁性フィル
ム、アルミナ、ジルコニア、ソーダガラス、石英ガラス
等のセラミック基板が好適であり、これらから選ばれる
複数の層を積層して用いても良い。また必要に応じて、
絶縁体層に、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物
理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理を施
すことができる。
ージの外部（プリント基板、ＴＡＢテープ、等）を接続
するための導体パターンを有する層であり、絶縁体層の
片面または両面に導体パターンが形成されているもので
ある。ここでいう絶縁体層は、ポリイミド、ポリエステ
ル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、アラミド、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、等のプラスチックあるいは
エポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなる、
厚さ１０〜１２５μｍの可撓性を有する絶縁性フィル
ム、アルミナ、ジルコニア、ソーダガラス、石英ガラス
等のセラミック基板が好適であり、これらから選ばれる
複数の層を積層して用いても良い。また必要に応じて、
絶縁体層に、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物
理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理を施
すことができる。
【００１２】導体パターンの形成は、一般にサブトラク
ティブ法あるいはアディティブ法のいずれかで行なわれ
るが、本発明ではいずれを用いてもよい。サブトラクテ
ィブ法では、該絶縁体層に銅箔等の金属板を絶縁性接着
剤（本発明の接着剤組成物も用いることができる。）に
より接着するか、あるいは金属板に該絶縁体層の前駆体
を積層し、加熱処理などにより絶縁体層を形成する方法
で作成した材料を、薬液処理でエッチングすることによ
りパターン形成する。ここでいう材料として具体的に
は、リジッドあるいはフレキシブルプリント基板用銅張
り材料やＴＡＢテープを例示することができる。一方、
アディティブ法では、該絶縁体層に無電解メッキ、電解
メッキ、スパッタリング等により直接導体パターンを形
成する。いずれの場合も、形成された導体に腐食防止の
ため耐食性の高い金属がメッキされていてもよい。この
ようにして作成された（Ａ）の配線基板層には必要によ
りビアホールが形成され、メッキにより両面に形成され
た導体パターン間がメッキにより接続されていてもよ
い。
ティブ法あるいはアディティブ法のいずれかで行なわれ
るが、本発明ではいずれを用いてもよい。サブトラクテ
ィブ法では、該絶縁体層に銅箔等の金属板を絶縁性接着
剤（本発明の接着剤組成物も用いることができる。）に
より接着するか、あるいは金属板に該絶縁体層の前駆体
を積層し、加熱処理などにより絶縁体層を形成する方法
で作成した材料を、薬液処理でエッチングすることによ
りパターン形成する。ここでいう材料として具体的に
は、リジッドあるいはフレキシブルプリント基板用銅張
り材料やＴＡＢテープを例示することができる。一方、
アディティブ法では、該絶縁体層に無電解メッキ、電解
メッキ、スパッタリング等により直接導体パターンを形
成する。いずれの場合も、形成された導体に腐食防止の
ため耐食性の高い金属がメッキされていてもよい。この
ようにして作成された（Ａ）の配線基板層には必要によ
りビアホールが形成され、メッキにより両面に形成され
た導体パターン間がメッキにより接続されていてもよ
い。
【００１３】（Ｂ）は、（Ａ）と（Ｃ）の接着に主とし
て用いられる接着剤層である。しかし、（Ａ）と他の部
材（たとえばＩＣと放熱板等）との接着に用いることは
何等制限されない。この接着剤層は半導体集積回路接続
用基板に半硬化状態で積層される場合が通常であり、積
層前あるいは積層後に３０〜２００℃の温度で適当な時
間予備硬化反応を行なわせて硬化度を調節することがで
きる。この接着剤層は本発明の半導体装置用接着剤組成
物（以下接着剤組成物と称する）から形成され、該接着
剤組成物は加熱硬化後に、−６５℃〜５０℃の温度範
囲、好ましくは０℃〜５０℃の温度範囲に少なくとも１
つの軟化点を有し、かつ１００℃〜１５０℃における弾
性率Ｅ’が１ＭＰａ≦Ｅ’≦５００ＭＰａ、好ましくは
５ＭＰａ≦Ｅ’≦１００ＭＰａ、さらに好ましくは、８
ＭＰａ≦Ｅ’≦８０ＭＰａである。本発明で言う軟化点
とは動的粘弾性測定におけるｔａｎδ（＝Ｅ’’／
Ｅ’）のピーク温度で定義する。弾性率Ｅ’，Ｅ’’は
測定条件によりやや変動するが、周波数１１〜３５Ｈ
ｚ、昇温速度２〜５℃／ｍｉｎを用いる。
て用いられる接着剤層である。しかし、（Ａ）と他の部
材（たとえばＩＣと放熱板等）との接着に用いることは
何等制限されない。この接着剤層は半導体集積回路接続
用基板に半硬化状態で積層される場合が通常であり、積
層前あるいは積層後に３０〜２００℃の温度で適当な時
間予備硬化反応を行なわせて硬化度を調節することがで
きる。この接着剤層は本発明の半導体装置用接着剤組成
物（以下接着剤組成物と称する）から形成され、該接着
剤組成物は加熱硬化後に、−６５℃〜５０℃の温度範
囲、好ましくは０℃〜５０℃の温度範囲に少なくとも１
つの軟化点を有し、かつ１００℃〜１５０℃における弾
性率Ｅ’が１ＭＰａ≦Ｅ’≦５００ＭＰａ、好ましくは
５ＭＰａ≦Ｅ’≦１００ＭＰａ、さらに好ましくは、８
ＭＰａ≦Ｅ’≦８０ＭＰａである。本発明で言う軟化点
とは動的粘弾性測定におけるｔａｎδ（＝Ｅ’’／
Ｅ’）のピーク温度で定義する。弾性率Ｅ’，Ｅ’’は
測定条件によりやや変動するが、周波数１１〜３５Ｈ
ｚ、昇温速度２〜５℃／ｍｉｎを用いる。
【００１４】軟化点が−６５℃より小さい物質は個体で
の形状を保つのが困難であり、現実的ではない。５０℃
より大きいと熱サイクル性に劣るので好ましくない。ま
た１００℃〜１５０℃における弾性率Ｅ’が１ＭＰａよ
り小さいと、ワイヤーボンディング性および耐リフロー
性が低下するので好ましくない。Ｅ’が１００ＭＰａよ
り大きいと熱サイクル性が低下するので好ましくない。
これは、ＴＡＢテープ等の有機材料配線基板へのワイヤ
ーボンデイング条件が、１００〜１５０℃が標準的であ
るため、この領域の弾性率Ｅ’が高いことが望ましいた
めである。一方、Ｅ’が高すぎると熱サイクル時の応力
緩和が難しく、本発明のように適正化することは有効な
手段である。
の形状を保つのが困難であり、現実的ではない。５０℃
より大きいと熱サイクル性に劣るので好ましくない。ま
た１００℃〜１５０℃における弾性率Ｅ’が１ＭＰａよ
り小さいと、ワイヤーボンディング性および耐リフロー
性が低下するので好ましくない。Ｅ’が１００ＭＰａよ
り大きいと熱サイクル性が低下するので好ましくない。
これは、ＴＡＢテープ等の有機材料配線基板へのワイヤ
ーボンデイング条件が、１００〜１５０℃が標準的であ
るため、この領域の弾性率Ｅ’が高いことが望ましいた
めである。一方、Ｅ’が高すぎると熱サイクル時の応力
緩和が難しく、本発明のように適正化することは有効な
手段である。
【００１５】本発明の接着剤組成物は加熱硬化後に、−
６５℃〜５０℃および１００℃〜２００℃の温度領域、
さらに好ましくは０℃〜５０℃および１２０℃〜１７０
℃にそれぞれ少なくとも１つの軟化点を有するようにす
るとさらに熱サイクル性の向上が図れる。これは、弾性
率の変化を段階的に行わせ、熱サイクル時の応力変化を
段階的に吸収できるためと考えられる。このような軟化
点特性を得るための方法は特に限定されない。接着剤組
成物自体にこのような軟化点特性を付与するには、軟化
点の異なる熱可塑樹脂あるいは熱硬化樹脂を複数用いる
とともに、相互に適切な相溶性を有するものを選択する
必要がある。相溶性はたとえば、接着剤組成物を厚さ２
５μｍ程度のフィルム状に成形し、ＪＩＳ−Ｋ７１０５
で規定される方法でヘイズを測定することで評価でき
る。この場合、上記の軟化点特性を得るにはヘイズは５
０〜９８であると好ましく、７０〜９０であるとより好
ましい。
６５℃〜５０℃および１００℃〜２００℃の温度領域、
さらに好ましくは０℃〜５０℃および１２０℃〜１７０
℃にそれぞれ少なくとも１つの軟化点を有するようにす
るとさらに熱サイクル性の向上が図れる。これは、弾性
率の変化を段階的に行わせ、熱サイクル時の応力変化を
段階的に吸収できるためと考えられる。このような軟化
点特性を得るための方法は特に限定されない。接着剤組
成物自体にこのような軟化点特性を付与するには、軟化
点の異なる熱可塑樹脂あるいは熱硬化樹脂を複数用いる
とともに、相互に適切な相溶性を有するものを選択する
必要がある。相溶性はたとえば、接着剤組成物を厚さ２
５μｍ程度のフィルム状に成形し、ＪＩＳ−Ｋ７１０５
で規定される方法でヘイズを測定することで評価でき
る。この場合、上記の軟化点特性を得るにはヘイズは５
０〜９８であると好ましく、７０〜９０であるとより好
ましい。
【００１６】該接着剤組成物は加熱硬化後の接着力が好
ましくは５Ｎｃｍ-1以上、さらに好ましくは１０Ｎｃｍ
-1以上であると好適である。加熱硬化後の接着力が５Ｎ
ｃｍ -1より低い場合、パッケージの取り扱い時に剥離を
生じたり、リフロー耐性が低下するので好ましくない。
ましくは５Ｎｃｍ-1以上、さらに好ましくは１０Ｎｃｍ
-1以上であると好適である。加熱硬化後の接着力が５Ｎ
ｃｍ -1より低い場合、パッケージの取り扱い時に剥離を
生じたり、リフロー耐性が低下するので好ましくない。
【００１７】接着剤層の厚みは、弾性率および線膨張係
数との関係で適宜選択できるが、２〜５００μｍが好ま
しく、より好ましくは２０〜２００μｍである。
数との関係で適宜選択できるが、２〜５００μｍが好ま
しく、より好ましくは２０〜２００μｍである。
【００１８】本発明の接着剤組成物は、熱可塑性樹脂と
熱硬化性樹脂を必須成分としてそれぞれ少なくとも１種
類以上含むことが必須であるが、その種類は特に限定さ
れない。熱可塑性樹脂は接着性、可撓性、熱応力の緩
和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有し、熱硬
化性樹脂は耐熱性、高温での絶縁性、耐薬品性、接着剤
層の強度等の物性のバランスを実現するために必要であ
る。
熱硬化性樹脂を必須成分としてそれぞれ少なくとも１種
類以上含むことが必須であるが、その種類は特に限定さ
れない。熱可塑性樹脂は接着性、可撓性、熱応力の緩
和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有し、熱硬
化性樹脂は耐熱性、高温での絶縁性、耐薬品性、接着剤
層の強度等の物性のバランスを実現するために必要であ
る。
【００１９】熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−
ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリブタジ
エン、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢ
Ｓ）、炭素数１〜８の側鎖を有するアクリル酸および／
またはメタクリル酸エステル樹脂（アクリルゴム）、ポ
リビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、等公知のも
のが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述の
熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよ
い。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ
基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニル
基、シラノール基等である。これらの官能基により熱硬
化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので
好ましい。熱可塑性樹脂として（Ｂ）の素材との接着
性、可撓性、熱応力の緩和効果の点から炭素数１〜８の
側鎖を有するアクリル酸および／またはメタクリル酸エ
ステルを必須共重合成分とする共重合体は特に好まし
く、種々のものが使用できる。さらに、この場合官能基
としてカルボキシル基を有する共重合体（Ｄ）に上述の
他の官能基を有する共重合体（Ｅ）を混合して用いると
さらに好ましい。
−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−
ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリブタジ
エン、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢ
Ｓ）、炭素数１〜８の側鎖を有するアクリル酸および／
またはメタクリル酸エステル樹脂（アクリルゴム）、ポ
リビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、等公知のも
のが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述の
熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよ
い。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ
基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニル
基、シラノール基等である。これらの官能基により熱硬
化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので
好ましい。熱可塑性樹脂として（Ｂ）の素材との接着
性、可撓性、熱応力の緩和効果の点から炭素数１〜８の
側鎖を有するアクリル酸および／またはメタクリル酸エ
ステルを必須共重合成分とする共重合体は特に好まし
く、種々のものが使用できる。さらに、この場合官能基
としてカルボキシル基を有する共重合体（Ｄ）に上述の
他の官能基を有する共重合体（Ｅ）を混合して用いると
さらに好ましい。
【００２０】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、フラン樹
脂、シアン酸エステル樹脂、等公知のものが例示され
る。特に、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂は絶縁性
に優れるので好適である。軟化点特性の制御には相溶性
の制御が必要であるが、これらの熱硬化樹脂の構造と分
子量を適切に選択することが有力な方法である。
ェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、フラン樹
脂、シアン酸エステル樹脂、等公知のものが例示され
る。特に、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂は絶縁性
に優れるので好適である。軟化点特性の制御には相溶性
の制御が必要であるが、これらの熱硬化樹脂の構造と分
子量を適切に選択することが有力な方法である。
【００２１】エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポ
キシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビス
フェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、
レゾルシノール、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペ
ンタジエンジフェノール、ジシクロペンタジエンジキシ
レノール等のジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノ
ールノボラック、エポキシ化クレゾールノボラック、エ
ポキシ化トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラ
フェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミ
ン、シクロヘキサンエポキサイド等の脂環式エポキシ、
等が挙げられる。さらに、難燃性付与のために、ハロゲ
ン化エポキシ樹脂、特に臭素化エポキシ樹脂を用いるこ
とが有効である。この際、臭素化エポキシ樹脂のみでは
難燃性の付与はできるものの接着剤の耐熱性の低下が大
きくなるため非臭素化エポキシ樹脂との混合系とするこ
とが有効である。臭素化エポキシ樹脂の例としては、テ
トラブロモビスフェノールＡとビスフェノールＡの共重
合型エポキシ樹脂、あるいは”ＢＲＥＮ”−Ｓ（日本化
薬（株）製）等の臭素化フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂が挙げられる。これらの臭素化エポキシ樹脂は臭
素含有量およびエポキシ当量を考慮して２種類以上混合
して用いても良い。
キシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビス
フェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、
レゾルシノール、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペ
ンタジエンジフェノール、ジシクロペンタジエンジキシ
レノール等のジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノ
ールノボラック、エポキシ化クレゾールノボラック、エ
ポキシ化トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラ
フェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミ
ン、シクロヘキサンエポキサイド等の脂環式エポキシ、
等が挙げられる。さらに、難燃性付与のために、ハロゲ
ン化エポキシ樹脂、特に臭素化エポキシ樹脂を用いるこ
とが有効である。この際、臭素化エポキシ樹脂のみでは
難燃性の付与はできるものの接着剤の耐熱性の低下が大
きくなるため非臭素化エポキシ樹脂との混合系とするこ
とが有効である。臭素化エポキシ樹脂の例としては、テ
トラブロモビスフェノールＡとビスフェノールＡの共重
合型エポキシ樹脂、あるいは”ＢＲＥＮ”−Ｓ（日本化
薬（株）製）等の臭素化フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂が挙げられる。これらの臭素化エポキシ樹脂は臭
素含有量およびエポキシ当量を考慮して２種類以上混合
して用いても良い。
【００２２】エポキシ樹脂の分子量も相溶性に関係する
ので軟化点特性に影響する。エポキシ樹脂の分子量は４
００〜２０００、より好ましくは６００〜１５００であ
る。４００より低いとでは相溶性が良好であるが、接着
剤組成物の弾性率が高くなりすぎるため熱ストレス性が
低く好ましくない。２０００を越えると架橋密度が低下
し、耐熱性が得られないので好ましくない。相溶性には
エポキシ構造も重要であり、ジヒドロキシナフタレン、
ビスフェノールＳ等の熱可塑性樹脂と相溶性の悪い樹脂
とジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロペンタ
ジエンジキシレノール、水添ビスフェノールＡ等の飽和
炭化水素基を有するために熱可塑性樹脂と相溶性の良い
樹脂を適宜混合することも有効である。
ので軟化点特性に影響する。エポキシ樹脂の分子量は４
００〜２０００、より好ましくは６００〜１５００であ
る。４００より低いとでは相溶性が良好であるが、接着
剤組成物の弾性率が高くなりすぎるため熱ストレス性が
低く好ましくない。２０００を越えると架橋密度が低下
し、耐熱性が得られないので好ましくない。相溶性には
エポキシ構造も重要であり、ジヒドロキシナフタレン、
ビスフェノールＳ等の熱可塑性樹脂と相溶性の悪い樹脂
とジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロペンタ
ジエンジキシレノール、水添ビスフェノールＡ等の飽和
炭化水素基を有するために熱可塑性樹脂と相溶性の良い
樹脂を適宜混合することも有効である。
【００２３】フェノール樹脂としては、ノボラック型フ
ェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフ
ェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノ
ール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニル
フェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換
フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状
アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シア
ノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するも
の、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、
ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノ
ールからなる樹脂が挙げられる。
ェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフ
ェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノ
ール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニル
フェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換
フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状
アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シア
ノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するも
の、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、
ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノ
ールからなる樹脂が挙げられる。
【００２４】熱硬化性樹脂の添加量は熱可塑性樹脂１０
０重量部に対して５〜４００重量部、好ましくは５０〜
２００重量部である。熱硬化性樹脂の添加量が５重量部
未満であると、高温での弾性率低下が著しく、半導体装
置を実装した機器の使用中に半導体集積回路接続用基板
の変形が生じるとともに加工工程において取り扱いの作
業性に欠けるので好ましくない。熱硬化性樹脂の添加量
が４００重量部を越えると弾性率が高く、線膨張係数が
小さくなり熱応力の緩和効果が小さいので好ましくな
い。
０重量部に対して５〜４００重量部、好ましくは５０〜
２００重量部である。熱硬化性樹脂の添加量が５重量部
未満であると、高温での弾性率低下が著しく、半導体装
置を実装した機器の使用中に半導体集積回路接続用基板
の変形が生じるとともに加工工程において取り扱いの作
業性に欠けるので好ましくない。熱硬化性樹脂の添加量
が４００重量部を越えると弾性率が高く、線膨張係数が
小さくなり熱応力の緩和効果が小さいので好ましくな
い。
【００２５】本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフ
ェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加すること
は何等制限されない。たとえば、３，３’，５，５’−
テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジアミ
ノジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−５，５’−
ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，
３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、２，２’，３，３’−テトラクロロ−４，４’−ジ
アミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、
３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、
３，４，４’−トリアミノジフェニルスルホン等の芳香
族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等
の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メ
チルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダ
ゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水ト
リメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェ
ニルフォスフィン等公知のものが使用できる。これらを
単独または２種以上混合して用いても良い。添加量は接
着剤組成物１００重量部に対して０．１〜５０重量部で
あると好ましい。
ェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加すること
は何等制限されない。たとえば、３，３’，５，５’−
テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジアミ
ノジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−５，５’−
ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，
３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、２，２’，３，３’−テトラクロロ−４，４’−ジ
アミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、
３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、
３，４，４’−トリアミノジフェニルスルホン等の芳香
族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等
の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メ
チルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダ
ゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水ト
リメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェ
ニルフォスフィン等公知のものが使用できる。これらを
単独または２種以上混合して用いても良い。添加量は接
着剤組成物１００重量部に対して０．１〜５０重量部で
あると好ましい。
【００２６】接着剤組成物および接着剤シートを取り扱
う常温の環境下での硬化剤の硬化性、すなわち可使時間
は５０時間以上であると好ましく、１００時間以上であ
るとさらに好ましい。本発明でいう可使時間とはビスフ
ェノールＡジグリシジルエーテル１００重量部に硬化剤
を５重量部混合した系を、３０℃で保存したとき、３０
℃で測定した粘度ηが、調製直後の２倍となる時間で定
義する。このような例として、三フッ化ホウ素トリエチ
ルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−ウ
ンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダ
ゾール、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５，４，
０）ウンデセン−７）の有機酸塩、等が例示される。ま
た硬化剤をマイクロカプセル化することにより、実質的
に潜在硬化性を持たせることも可能であり、このような
例としては、マイクロカプセル化イミダゾールであるＨ
Ｘ−３７４１、ＨＸ−３０８８（旭化成（株）製）、マ
イクロカプセル化ジシアンジアミドであるＨＸ−３６１
３（旭化成（株）製）が例示される。
う常温の環境下での硬化剤の硬化性、すなわち可使時間
は５０時間以上であると好ましく、１００時間以上であ
るとさらに好ましい。本発明でいう可使時間とはビスフ
ェノールＡジグリシジルエーテル１００重量部に硬化剤
を５重量部混合した系を、３０℃で保存したとき、３０
℃で測定した粘度ηが、調製直後の２倍となる時間で定
義する。このような例として、三フッ化ホウ素トリエチ
ルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−ウ
ンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダ
ゾール、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５，４，
０）ウンデセン−７）の有機酸塩、等が例示される。ま
た硬化剤をマイクロカプセル化することにより、実質的
に潜在硬化性を持たせることも可能であり、このような
例としては、マイクロカプセル化イミダゾールであるＨ
Ｘ−３７４１、ＨＸ−３０８８（旭化成（株）製）、マ
イクロカプセル化ジシアンジアミドであるＨＸ−３６１
３（旭化成（株）製）が例示される。
【００２７】一方、硬化剤を２種以上混合して用いる際
に、好ましくは可使時間５０時間以上、さらに好ましく
は１００時間以上のカチオン重合性硬化剤およびアニオ
ン重合性硬化剤をそれぞれ少なくとも１種含むと、接着
剤組成物および接着剤シートの加熱硬化速度に対する保
存寿命の比が、それぞれを単独で用いた場合より大きく
なり好適である。この場合の、カチオン重合性硬化剤に
対するアニオン重合性硬化剤の添加量比は０．１以上１
０以下が好ましく、０．５以上５以下であるとさらに好
ましい。カチオン重合性硬化剤およびアニオン重合性硬
化剤の組み合わせの例として、三フッ化ホウ素モノエチ
ルアミン錯体とジシアンジアミド、三フッ化ホウ素モノ
エチルアミン錯体と２−ヘプタデシルイミダゾール、５
フッ化アンチモントリエチルアミン錯体とジシアンジア
ミド、アンモニウムテトラフェニルボレートとＤＢＵの
スルフォン酸塩（サンアプロ（株）製、ＵＣＡＴ−６０
３）、６フッ化アンチモンのスルホニウム塩（三新化学
（株）製、”サンエイド”ＳＩ−１００Ｌ）とジシアン
ジアミド、等が例示される。
に、好ましくは可使時間５０時間以上、さらに好ましく
は１００時間以上のカチオン重合性硬化剤およびアニオ
ン重合性硬化剤をそれぞれ少なくとも１種含むと、接着
剤組成物および接着剤シートの加熱硬化速度に対する保
存寿命の比が、それぞれを単独で用いた場合より大きく
なり好適である。この場合の、カチオン重合性硬化剤に
対するアニオン重合性硬化剤の添加量比は０．１以上１
０以下が好ましく、０．５以上５以下であるとさらに好
ましい。カチオン重合性硬化剤およびアニオン重合性硬
化剤の組み合わせの例として、三フッ化ホウ素モノエチ
ルアミン錯体とジシアンジアミド、三フッ化ホウ素モノ
エチルアミン錯体と２−ヘプタデシルイミダゾール、５
フッ化アンチモントリエチルアミン錯体とジシアンジア
ミド、アンモニウムテトラフェニルボレートとＤＢＵの
スルフォン酸塩（サンアプロ（株）製、ＵＣＡＴ−６０
３）、６フッ化アンチモンのスルホニウム塩（三新化学
（株）製、”サンエイド”ＳＩ−１００Ｌ）とジシアン
ジアミド、等が例示される。
【００２８】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。微
粒子状の無機成分としては水酸化アルミニウム、水酸化
マグネシウム、カルシウム・アルミネート水和物等の金
属水酸化物、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸
化亜鉛、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化マ
グネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化
クロム、タルク等の金属酸化物、炭酸カルシウム等の無
機塩、アルミニウム、金、銀、ニッケル、鉄、等の金属
微粒子、あるいはカーボンブラック、ガラスが挙げら
れ、有機成分としてはスチレン、ＮＢＲゴム、アクリル
ゴム、ポリアミド、ポリイミド、シリコーン等の架橋ポ
リマが例示される。これらを単独または２種以上混合し
て用いても良い。微粒子状の成分の平均粒子径は分散安
定性を考慮すると、０．２〜５μが好ましい。また、配
合量は接着剤組成物全体の２〜５０重量部が適当であ
る。
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。微
粒子状の無機成分としては水酸化アルミニウム、水酸化
マグネシウム、カルシウム・アルミネート水和物等の金
属水酸化物、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸
化亜鉛、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化マ
グネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化
クロム、タルク等の金属酸化物、炭酸カルシウム等の無
機塩、アルミニウム、金、銀、ニッケル、鉄、等の金属
微粒子、あるいはカーボンブラック、ガラスが挙げら
れ、有機成分としてはスチレン、ＮＢＲゴム、アクリル
ゴム、ポリアミド、ポリイミド、シリコーン等の架橋ポ
リマが例示される。これらを単独または２種以上混合し
て用いても良い。微粒子状の成分の平均粒子径は分散安
定性を考慮すると、０．２〜５μが好ましい。また、配
合量は接着剤組成物全体の２〜５０重量部が適当であ
る。
【００２９】本発明の半導体装置用接着剤シートとは、
本発明の半導体装置用接着剤組成物を接着剤層とし、か
つ少なくとも１層以上の剥離可能な保護フィルム層を有
する構成のものをいう。たとえば、保護フィルム層／接
着剤層の２層構成、あるいは保護フィルム層／接着剤層
／保護フィルム層の３層構成がこれに該当する（図
３）。接着剤層とは接着剤組成物の単膜以外にポリイミ
ド等の絶縁性フィルムが積層された複合構造も含まれ
る。接着剤シートは加熱処理により硬化度を調節しても
よい。 硬化度の調節は、接着剤シートを配線基板ある
いはＩＣに接着する際の接着剤のフロー過多を防止する
とともに加熱硬化時の水分による発泡を防止する効果が
ある。硬化度は、たとえば、ＪＩＳ−Ｋ７２１０に規定
される貼り合わせ加工温度における最低粘度（フローテ
スタ法）で定義できる。フローテスタ法は条件の規定が
必要であるが、一例として温度を１２０℃、ダイ寸法２
×１０ｍｍ、試験圧力９．８ＭＰａとすると３０００〜
５００００Ｐａ・ｓ、好ましくは６０００〜３００００
Ｐａ・ｓが好適である。
本発明の半導体装置用接着剤組成物を接着剤層とし、か
つ少なくとも１層以上の剥離可能な保護フィルム層を有
する構成のものをいう。たとえば、保護フィルム層／接
着剤層の２層構成、あるいは保護フィルム層／接着剤層
／保護フィルム層の３層構成がこれに該当する（図
３）。接着剤層とは接着剤組成物の単膜以外にポリイミ
ド等の絶縁性フィルムが積層された複合構造も含まれ
る。接着剤シートは加熱処理により硬化度を調節しても
よい。 硬化度の調節は、接着剤シートを配線基板ある
いはＩＣに接着する際の接着剤のフロー過多を防止する
とともに加熱硬化時の水分による発泡を防止する効果が
ある。硬化度は、たとえば、ＪＩＳ−Ｋ７２１０に規定
される貼り合わせ加工温度における最低粘度（フローテ
スタ法）で定義できる。フローテスタ法は条件の規定が
必要であるが、一例として温度を１２０℃、ダイ寸法２
×１０ｍｍ、試験圧力９．８ＭＰａとすると３０００〜
５００００Ｐａ・ｓ、好ましくは６０００〜３００００
Ｐａ・ｓが好適である。
【００３０】ここでいう保護フィルム層とは、（Ａ）絶
縁体層および導体パターンからなる配線基板層（ＴＡＢ
テープ等）あるいは（Ｂ）導体パターンが形成されてい
ない層（スティフナー等）に接着剤層を貼り合わせる前
に、接着剤層の形態および機能を損なうことなく剥離で
きれば特に限定されないが、たとえばポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビ
ニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリ
デン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ
酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレー
ト、等のプラスチックフィルム、これらにシリコーンあ
るいはフッ素化合物等の離型剤のコーティング処理を施
したフィルムおよびこれらのフィルムをラミネートした
紙、離型性のある樹脂を含浸あるいはコーティングした
紙等が挙げられる。
縁体層および導体パターンからなる配線基板層（ＴＡＢ
テープ等）あるいは（Ｂ）導体パターンが形成されてい
ない層（スティフナー等）に接着剤層を貼り合わせる前
に、接着剤層の形態および機能を損なうことなく剥離で
きれば特に限定されないが、たとえばポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビ
ニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリ
デン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ
酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレー
ト、等のプラスチックフィルム、これらにシリコーンあ
るいはフッ素化合物等の離型剤のコーティング処理を施
したフィルムおよびこれらのフィルムをラミネートした
紙、離型性のある樹脂を含浸あるいはコーティングした
紙等が挙げられる。
【００３１】接着剤層の両面に保護フィルム層を有する
場合、それぞれの保護フィルム層の接着剤層に対する剥
離力をＦ1、Ｆ2（Ｆ1＞Ｆ2）としたとき、Ｆ1−Ｆ2は好
ましくは５Ｎｍ-1以上、さらに好ましくは１５Ｎｍ-1以
上が必要である。Ｆ1−Ｆ2が５Ｎｍ-1より小さい場合、
剥離面がいずれの保護フィルム層側になるかが安定せ
ず、使用上重大な問題となるので好ましくない。また、
剥離力Ｆ1、Ｆ2はいずれも好ましくは１〜２００Ｎｍ-1
、さらに好ましくは３〜１００Ｎｍ-1 である。１Ｎｍ
-1より低い場合は保護フィルム層の脱落が生じ、２００
Ｎｍ-1を越えると剥離が不安定であり、接着剤層が損傷
する場合があり、いずれも好ましくない。
場合、それぞれの保護フィルム層の接着剤層に対する剥
離力をＦ1、Ｆ2（Ｆ1＞Ｆ2）としたとき、Ｆ1−Ｆ2は好
ましくは５Ｎｍ-1以上、さらに好ましくは１５Ｎｍ-1以
上が必要である。Ｆ1−Ｆ2が５Ｎｍ-1より小さい場合、
剥離面がいずれの保護フィルム層側になるかが安定せ
ず、使用上重大な問題となるので好ましくない。また、
剥離力Ｆ1、Ｆ2はいずれも好ましくは１〜２００Ｎｍ-1
、さらに好ましくは３〜１００Ｎｍ-1 である。１Ｎｍ
-1より低い場合は保護フィルム層の脱落が生じ、２００
Ｎｍ-1を越えると剥離が不安定であり、接着剤層が損傷
する場合があり、いずれも好ましくない。
【００３２】次に本発明の接着剤組成物を用いた半導体
装置用接着剤シートおよび半導体装置の製造方法の例に
ついて説明する。
装置用接着剤シートおよび半導体装置の製造方法の例に
ついて説明する。
【００３３】（１）接着剤シート （ａ）本発明の接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を、
離型性を有するポリエステルフィルム上に塗布、乾燥す
る。接着剤層の膜厚は１０〜１００μｍとなるように塗
布することが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００
℃、１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トル
エン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチ
ルピロリドン等の非プロトン系極性溶剤単独あるいは混
合物が好適である。
離型性を有するポリエステルフィルム上に塗布、乾燥す
る。接着剤層の膜厚は１０〜１００μｍとなるように塗
布することが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００
℃、１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トル
エン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチ
ルピロリドン等の非プロトン系極性溶剤単独あるいは混
合物が好適である。
【００３４】（ｂ）（ａ）のフィルムに上記よりさらに
剥離強度の弱い離型性を有するポリエステルあるいはポ
リオレフィン系の保護フィルム層をラミネートして本発
明の接着剤シートを得る。さらに接着剤厚みを増す場合
は、該接着剤シートを複数回積層すればよい。ラミネー
ト後に、たとえば４０〜７０℃で２０〜２００時間程度
熱処理して硬化度を調節してもよい。
剥離強度の弱い離型性を有するポリエステルあるいはポ
リオレフィン系の保護フィルム層をラミネートして本発
明の接着剤シートを得る。さらに接着剤厚みを増す場合
は、該接着剤シートを複数回積層すればよい。ラミネー
ト後に、たとえば４０〜７０℃で２０〜２００時間程度
熱処理して硬化度を調節してもよい。
【００３５】（２）半導体装置 （ａ）ＴＡＢ用接着剤付きテープに３５〜１２μｍの電
解銅箔を、１３０〜１７０℃、０．１〜０．５ＭＰａの
条件でラミネートし、続いてエアオーブン中で８０〜１
７０℃、の順次加熱キュア処理を行ない、銅箔付きＴＡ
Ｂ用テープを作成する。得られた銅箔付きＴＡＢ用テー
プの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチ
ング、レジスト剥離、電解ニッケルメッキ、電解金メッ
キ、ソルダーレジスト膜作成をそれぞれ行ない、配線基
板を作成する。
解銅箔を、１３０〜１７０℃、０．１〜０．５ＭＰａの
条件でラミネートし、続いてエアオーブン中で８０〜１
７０℃、の順次加熱キュア処理を行ない、銅箔付きＴＡ
Ｂ用テープを作成する。得られた銅箔付きＴＡＢ用テー
プの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチ
ング、レジスト剥離、電解ニッケルメッキ、電解金メッ
キ、ソルダーレジスト膜作成をそれぞれ行ない、配線基
板を作成する。
【００３６】（ｂ）（ａ）の配線基板に、（１）で得ら
れた接着剤シートを加熱圧着し、さらに接着剤シートの
反対面にＩＣを加熱圧着する。この状態で１２０〜１８
０℃の加熱硬化を行う。
れた接着剤シートを加熱圧着し、さらに接着剤シートの
反対面にＩＣを加熱圧着する。この状態で１２０〜１８
０℃の加熱硬化を行う。
【００３７】（ｃ）ＩＣと配線基板を１１０〜２００
℃、１００〜１５０ｋＨｚ程度の条件でワイヤーボンデ
ィング接続した後、樹脂封止する。
℃、１００〜１５０ｋＨｚ程度の条件でワイヤーボンデ
ィング接続した後、樹脂封止する。
【００３８】（ｄ）最後にハンダボールをリフローにて
搭載し、本発明の半導体装置を得た。
搭載し、本発明の半導体装置を得た。
【００３９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
【００４０】評価方法 （１）評価用パターンテープ作成：ＴＡＢ用接着剤付き
テープ（＃７１００、（タイプ３１Ｎ０−００ＦＳ）、
東レ(株)製）に１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、０．
１ＭＰａの条件でラミネートした。続いてエアオーブン
中で８０℃、３時間、１００℃、５時間、１５０℃、５
時間の順次加熱キュア処理を行ない、銅箔付きＴＡＢ用
テープを作成した。得られた銅箔付きＴＡＢ用テープの
銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチン
グ、レジスト剥離、電解ニッケルメッキ、電解金メッキ
をそれぞれ行ない、評価用パターンテープサンプルを作
成した。ニッケルメッキ厚は３μｍ、金メッキ厚は１μ
ｍとした。
テープ（＃７１００、（タイプ３１Ｎ０−００ＦＳ）、
東レ(株)製）に１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、０．
１ＭＰａの条件でラミネートした。続いてエアオーブン
中で８０℃、３時間、１００℃、５時間、１５０℃、５
時間の順次加熱キュア処理を行ない、銅箔付きＴＡＢ用
テープを作成した。得られた銅箔付きＴＡＢ用テープの
銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチン
グ、レジスト剥離、電解ニッケルメッキ、電解金メッキ
をそれぞれ行ない、評価用パターンテープサンプルを作
成した。ニッケルメッキ厚は３μｍ、金メッキ厚は１μ
ｍとした。
【００４１】（２）接着力：（１）の評価用パターンテ
ープの裏面に、１３０℃、０．１ＭＰａの条件で本発明
の接着剤シートをラミネートした後、シリコンウエハー
を１７０℃、０．３ＭＰａの条件で接着剤シートに加熱
圧着した。引き続きエアオーブン中で１７０℃、２時間
加熱硬化処理を行なった。得られたサンプルのパターン
テープを幅２ｍｍになるように切断し、９０°方向に５
０ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、その際の接着力を測定
した。
ープの裏面に、１３０℃、０．１ＭＰａの条件で本発明
の接着剤シートをラミネートした後、シリコンウエハー
を１７０℃、０．３ＭＰａの条件で接着剤シートに加熱
圧着した。引き続きエアオーブン中で１７０℃、２時間
加熱硬化処理を行なった。得られたサンプルのパターン
テープを幅２ｍｍになるように切断し、９０°方向に５
０ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、その際の接着力を測定
した。
【００４２】（３）ワイヤーボンディング性：（３）の
方法においてシリコンウエハーに替えてアルミ電極パッ
ドを有するＩＣを用い、図２の構造の評価用半導体装置
を作成した。これに、２５μｍの金ワイヤーを１５０
℃、１１０ｋＨｚでボンディングした。評価はワイヤー
の引っ張り強度測定にて行った。
方法においてシリコンウエハーに替えてアルミ電極パッ
ドを有するＩＣを用い、図２の構造の評価用半導体装置
を作成した。これに、２５μｍの金ワイヤーを１５０
℃、１１０ｋＨｚでボンディングした。評価はワイヤー
の引っ張り強度測定にて行った。
【００４３】（４）耐リフロー性：上記（３）の方法で
作成した３０ｍｍ角のサンプルを、８５℃、８５％ＲＨ
の雰囲気下で１６８時間調湿した後、すみやかに最高温
度２３０℃、１０秒の赤外線リフロー炉を通過させ、膨
れおよび剥がれを確認した。
作成した３０ｍｍ角のサンプルを、８５℃、８５％ＲＨ
の雰囲気下で１６８時間調湿した後、すみやかに最高温
度２３０℃、１０秒の赤外線リフロー炉を通過させ、膨
れおよび剥がれを確認した。
【００４４】（５）熱サイクル試験：上記（４）の方法
で作成した２０ｍｍ角の評価用半導体装置サンプルを、
熱サイクル試験器（タバイエスペック(株)製、ＰＬ−３
型）中で、−２０℃〜１００℃、最低および最高温度で
各１時間保持の条件で６００サイクル処理し、剥がれの
発生を評価した。
で作成した２０ｍｍ角の評価用半導体装置サンプルを、
熱サイクル試験器（タバイエスペック(株)製、ＰＬ−３
型）中で、−２０℃〜１００℃、最低および最高温度で
各１時間保持の条件で６００サイクル処理し、剥がれの
発生を評価した。
【００４５】（６）ヘイズ測定：２５μｍ厚の接着剤シ
ートを作成し、ヘイズメーター（スガ試験機（株）製、
ＨＧＭ−２ＤＰ型）を用いてＪＩＳ−Ｋ７１０５に準拠
してヘイズを測定した。
ートを作成し、ヘイズメーター（スガ試験機（株）製、
ＨＧＭ−２ＤＰ型）を用いてＪＩＳ−Ｋ７１０５に準拠
してヘイズを測定した。
【００４６】（７）硬化度（流動性）：フローテスター
（島津製作所（株）製、ＣＦＴ−５００Ｄ−ＰＣ型）を
用いてＪＩＳ−Ｋ７２１０に準拠して１２０℃の粘度を
測定した。ダイ寸法２×１０ｍｍ、試験圧力９．８ＭＰ
ａとした。試料は塗工直後の未硬化状態の接着剤シート
を用いた。
（島津製作所（株）製、ＣＦＴ−５００Ｄ−ＰＣ型）を
用いてＪＩＳ−Ｋ７２１０に準拠して１２０℃の粘度を
測定した。ダイ寸法２×１０ｍｍ、試験圧力９．８ＭＰ
ａとした。試料は塗工直後の未硬化状態の接着剤シート
を用いた。
【００４７】（８）弾性率および軟化点：動的粘弾性測
定装置（オリエンテック（株）製、REOVIBLON DDV-II
型）を用いて、周波数３５Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍｉｎ
の条件で貯蔵弾性率Ｅ’、損失弾性率Ｅ’’、ｔａｎδ
（＝Ｅ’’／Ｅ’）をそれぞれ測定した。軟化点はｔａ
ｎδのピーク温度を採用した。サンプルは、１００℃１
時間の後１７０℃２時間加熱硬化させた０．５ｍｍ厚み
のものを使用した。
定装置（オリエンテック（株）製、REOVIBLON DDV-II
型）を用いて、周波数３５Ｈｚ、昇温速度２℃／ｍｉｎ
の条件で貯蔵弾性率Ｅ’、損失弾性率Ｅ’’、ｔａｎδ
（＝Ｅ’’／Ｅ’）をそれぞれ測定した。軟化点はｔａ
ｎδのピーク温度を採用した。サンプルは、１００℃１
時間の後１７０℃２時間加熱硬化させた０．５ｍｍ厚み
のものを使用した。
【００４８】実施例１ （接着剤シートの作成）球状シリカ（アドマテックス
（株）製、ＳＯ−Ｃ５）をトルエンと混合した後、サン
ドミル処理してシリカ分散液を作成した。この分散液
に、ブチルアクリレートを主成分とするカルボキシル基
含有アクリルゴム（帝国化学産業（株）製、ＳＧ７０Ｌ
ＤＲ）、同じくブチルアクリレートを主成分とすエポ
キシ基含有アクリルゴム（帝国化学産業（株）製、ＳＧ
Ｐ−３ ＤＲ）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ（株）製、”エピコ−ト”１００
１、エポキシ当量４７０）およびジシクロペンタジエン
ジキシレノール型エポキシ樹脂（東都化成（株）製、”
エポトート”ＹＤＤＰ−１００、エポキシ当量２６
０）、三フッ化ホウ素モノエチルアミン錯体、ジシアン
ジアミドおよび分散液と等重量のメチルエチルケトンを
それぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹
拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を
バーコータで、シリコーン離型剤付きの厚さ３８μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルム（藤森工業(株)製
“フィルムバイナ”ＧＴ）に約５０μｍの乾燥厚さとな
るように塗布し、１２０℃で５分間乾燥し、本発明の半
導体装置用接着シートを作成した。組成を表１に、特性
を表２に示す。
（株）製、ＳＯ−Ｃ５）をトルエンと混合した後、サン
ドミル処理してシリカ分散液を作成した。この分散液
に、ブチルアクリレートを主成分とするカルボキシル基
含有アクリルゴム（帝国化学産業（株）製、ＳＧ７０Ｌ
ＤＲ）、同じくブチルアクリレートを主成分とすエポ
キシ基含有アクリルゴム（帝国化学産業（株）製、ＳＧ
Ｐ−３ ＤＲ）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ（株）製、”エピコ−ト”１００
１、エポキシ当量４７０）およびジシクロペンタジエン
ジキシレノール型エポキシ樹脂（東都化成（株）製、”
エポトート”ＹＤＤＰ−１００、エポキシ当量２６
０）、三フッ化ホウ素モノエチルアミン錯体、ジシアン
ジアミドおよび分散液と等重量のメチルエチルケトンを
それぞれ表１の組成比となるように加え、３０℃で撹
拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を
バーコータで、シリコーン離型剤付きの厚さ３８μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルム（藤森工業(株)製
“フィルムバイナ”ＧＴ）に約５０μｍの乾燥厚さとな
るように塗布し、１２０℃で５分間乾燥し、本発明の半
導体装置用接着シートを作成した。組成を表１に、特性
を表２に示す。
【００４９】（半導体装置の作成）ＴＡＢ用接着剤付き
テープ（タイプ＃７１００、（３１Ｎ０−００ＦＳ）、
東レ(株)製）に１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、０．
１ＭＰａの条件でラミネートした。続いてエアオーブン
中で８０℃、３時間、１００℃、５時間、１５０℃、５
時間の順次加熱キュア処理を行ない、銅箔付きＴＡＢ用
テープを作成した。得られた銅箔付きＴＡＢ用テープの
銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチン
グ、レジスト剥離、電解ニッケルメッキ、電解金メッ
キ、フォトソルダーレジスト加工をそれぞれ行ない、パ
ターンテープを作成した。ニッケルメッキ厚は３μｍ、
金メッキ厚は１μｍとした。続いてパターンテープの裏
面に、１３０℃、０．１ＭＰａの条件で本発明の接着剤
シートをラミネートした後、アルミ電極パッドを有する
ＩＣを１７０℃、０．３ＭＰａの条件で接着剤シートに
加熱圧着した。次にエアオーブン中で１７０℃、２時間
加熱硬化処理を行なった。続いてこれに、２５μｍの金
ワイヤーを１５０℃、１１０ｋＨｚでボンディングし
た。さらに液状封止樹脂（チップコート８１１８、ナミ
ックス（株）製）で封止した。最後にハンダボールを搭
載し、図１の構造の半導体装置を作成した。
テープ（タイプ＃７１００、（３１Ｎ０−００ＦＳ）、
東レ(株)製）に１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、０．
１ＭＰａの条件でラミネートした。続いてエアオーブン
中で８０℃、３時間、１００℃、５時間、１５０℃、５
時間の順次加熱キュア処理を行ない、銅箔付きＴＡＢ用
テープを作成した。得られた銅箔付きＴＡＢ用テープの
銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチン
グ、レジスト剥離、電解ニッケルメッキ、電解金メッ
キ、フォトソルダーレジスト加工をそれぞれ行ない、パ
ターンテープを作成した。ニッケルメッキ厚は３μｍ、
金メッキ厚は１μｍとした。続いてパターンテープの裏
面に、１３０℃、０．１ＭＰａの条件で本発明の接着剤
シートをラミネートした後、アルミ電極パッドを有する
ＩＣを１７０℃、０．３ＭＰａの条件で接着剤シートに
加熱圧着した。次にエアオーブン中で１７０℃、２時間
加熱硬化処理を行なった。続いてこれに、２５μｍの金
ワイヤーを１５０℃、１１０ｋＨｚでボンディングし
た。さらに液状封止樹脂（チップコート８１１８、ナミ
ックス（株）製）で封止した。最後にハンダボールを搭
載し、図１の構造の半導体装置を作成した。
【００５０】実施例２ ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂（油化シェ
ルエポキシ（株）製、”エピコ−ト”１５７Ｓ、エポキ
シ当量２００）、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ（株）製、”エピコ−ト”ＹＬ６
６６３、エポキシ当量２０５）、４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、イミダゾール系マイクロカプセル化
硬化剤（旭化成（株）製、”ノバキュア”ＨＸ−３０８
８）を用いた以外は実施例１と同様にして接着剤シート
を得た。組成を表１に、特性を表２に示す。
ルエポキシ（株）製、”エピコ−ト”１５７Ｓ、エポキ
シ当量２００）、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ（株）製、”エピコ−ト”ＹＬ６
６６３、エポキシ当量２０５）、４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、イミダゾール系マイクロカプセル化
硬化剤（旭化成（株）製、”ノバキュア”ＨＸ−３０８
８）を用いた以外は実施例１と同様にして接着剤シート
を得た。組成を表１に、特性を表２に示す。
【００５１】実施例３ カルボキシル基含有アクリルゴム（帝国化学産業（株）
製、ＳＧ７０Ｌ ＤＲ）、ブチルアクリレートを主成分
とする水酸基含有アクリルゴム（トウペ（株）製、ＸＦ
−１８３４）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化
シェルエポキシ（株）製、”エピコ−ト”１００１、エ
ポキシ当量４７０）、フェノールレゾール樹脂（昭和高
分子（株）製、ＣＫＭ１２８２）、４，４’−ジアミノ
ジフェニルスルホン、三フッ化ホウ素モノエチルアミン
錯体を用いた以外は実施例１と同様にして接着剤シート
を得た。組成を表１に、特性を表２に示す。
製、ＳＧ７０Ｌ ＤＲ）、ブチルアクリレートを主成分
とする水酸基含有アクリルゴム（トウペ（株）製、ＸＦ
−１８３４）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化
シェルエポキシ（株）製、”エピコ−ト”１００１、エ
ポキシ当量４７０）、フェノールレゾール樹脂（昭和高
分子（株）製、ＣＫＭ１２８２）、４，４’−ジアミノ
ジフェニルスルホン、三フッ化ホウ素モノエチルアミン
錯体を用いた以外は実施例１と同様にして接着剤シート
を得た。組成を表１に、特性を表２に示す。
【００５２】比較例１ 活性塩素基含有アクリルゴム（日本ゼオン（株）製、Ａ
Ｒ−７１）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル（株）製、”エピコ−ト”８２８、エポキシ当量１
８６）、メタフェニレンジアミンを用いた以外は実施例
１と同様にして接着剤シートを得た。組成を表１に、特
性を表２に示す。
Ｒ−７１）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル（株）製、”エピコ−ト”８２８、エポキシ当量１
８６）、メタフェニレンジアミンを用いた以外は実施例
１と同様にして接着剤シートを得た。組成を表１に、特
性を表２に示す。
【００５３】比較例２ 溶液重合法により、ブチルアクリレート／エチルアクリ
レート＝９０／１０（モル比）で重量平均分子量３０万
のアクリルゴム（比較品１）を合成した。このアクリル
ゴムを用いて、エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”
エピコ−ト”８２８、エポキシ当量１８６）、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール加え、実施例１と同様にし
て接着剤シートを得た。組成を表１に、特性を表２に示
す。
レート＝９０／１０（モル比）で重量平均分子量３０万
のアクリルゴム（比較品１）を合成した。このアクリル
ゴムを用いて、エポキシ樹脂（油化シェル（株）製、”
エピコ−ト”８２８、エポキシ当量１８６）、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール加え、実施例１と同様にし
て接着剤シートを得た。組成を表１に、特性を表２に示
す。
【００５４】
【表１】
【００５５】ＢＦ3ＭＥＡは三フッ化ホウ素モノエチル
アミン錯体、ＤＩＣＹはジシアンジアミド、ＭＰＤはメ
タフェニレンジアミン、ＤＤＳは４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、２Ｅ４ＭＺは２−エチル−４−メチ
ルイミダゾールを示す。樹脂組成はいずれも重量部を示
す。
アミン錯体、ＤＩＣＹはジシアンジアミド、ＭＰＤはメ
タフェニレンジアミン、ＤＤＳは４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、２Ｅ４ＭＺは２−エチル−４−メチ
ルイミダゾールを示す。樹脂組成はいずれも重量部を示
す。
【００５６】
【表２】
【００５７】表１および表２の実施例および比較例から
本発明により得られる半導体装置用接着剤組成物は、加
工性、接着力、ワイヤーボンディング性、熱サイクル信
頼性および耐リフロー性に優れることがわかる。
本発明により得られる半導体装置用接着剤組成物は、加
工性、接着力、ワイヤーボンディング性、熱サイクル信
頼性および耐リフロー性に優れることがわかる。
【００５８】
【発明の効果】本発明は加工性、接着力、ワイヤーボン
ディング性、熱サイクル信頼性および耐リフロー性接着
力に優れる新規な半導体装置用接着剤組成物およびそれ
を用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置
を工業的に提供するものであり、本発明の半導体装置用
接着剤組成物によって半導体装置の信頼性を向上させる
ことができる。
ディング性、熱サイクル信頼性および耐リフロー性接着
力に優れる新規な半導体装置用接着剤組成物およびそれ
を用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置
を工業的に提供するものであり、本発明の半導体装置用
接着剤組成物によって半導体装置の信頼性を向上させる
ことができる。
【図１】本発明の半導体装置用接着剤組成物および半導
体装置用接着剤シートを用いたＢＧＡ型半導体装置の一
態様の断面図。
体装置用接着剤シートを用いたＢＧＡ型半導体装置の一
態様の断面図。
【図２】本発明の半導体装置用接着剤シートの一態様の
断面図。
断面図。
１ 半導体集積回路 ２、９ 本発明の接着剤組成物より構成される接着剤層 ３ 配線基板層 ４ 半田ボール接続用の導体部 ５ ボンディングワイヤー ６ 半田ボール ７ 封止樹脂 ８ 本発明の接着剤シートを構成する保護フィルム層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１Ａ 23/12 23/12 Ｌ Ｆターム(参考） 4J004 AA02 AA05 AA08 AA10 AA12 AA13 AA15 AA16 AB05 CA06 CB03 DA02 DA03 DB03 FA05 FA08 4J040 CA051 CA052 CA071 CA072 CA081 CA082 DD071 DD072 DF031 DF032 DN031 DN032 EB031 EB032 EB131 EB132 EC001 EC002 ED001 ED002 EF001 EF002 EG001 EG002 EH031 EH032 GA01 GA05 GA07 GA11 GA13 GA29 JB02 KA16 LA06 LA08 LA11 MA02 MA10 MB09 NA20 5F044 AA02
Claims (7)
- 【請求項１】（Ａ）絶縁体層および導体パターンからな
る配線基板層、（Ｂ）接着剤層、（Ｃ）半導体集積回路
の順で積層され、（Ｃ）半導体集積回路と（Ａ）配線基
板層がワイヤーボンディングにより接続された構造を有
する半導体装置の（Ｂ）接着剤層を形成する半導体装置
用接着剤組成物であって、該接着剤組成物が必須成分と
して熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ少なくとも
１種類含み、加熱硬化後の接着剤組成物が、−６５℃〜
５０℃の温度範囲に少なくとも１つ以上の軟化点を有
し、かつ１００℃〜１５０℃における弾性率Ｅ’が１Ｍ
Ｐａ≦Ｅ’≦５００ＭＰａであることを特徴とする半導
体装置用接着剤組成物。 - 【請求項２】加熱硬化後の接着剤組成物が、−６５℃〜
５０℃および１００℃〜２００℃の温度領域にそれぞれ
少なくとも１つの軟化点を有することを特徴とする請求
項１記載の半導体装置用接着剤組成物。 - 【請求項３】接着剤組成物に含まれる熱可塑性樹脂が、
炭素数１〜８の側鎖を有するアクリル酸および／または
メタクリル酸エステルとカルボキシル基を必須成分とす
る樹脂（Ｄ）、および炭素数１〜８の側鎖を有するアク
リル酸および／またはメタクリル酸エステルとエポキシ
基、水酸基、アミノ基、メチロール基、ビニル基、シラ
ノール基から選ばれる少なくとも１種の官能基を必須成
分とする樹脂（Ｅ）をそれぞれ１種以上含むことを特徴
とする請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。 - 【請求項４】接着剤組成物が熱硬化性樹脂として、エポ
キシ樹脂および／またはフェノール樹脂を含むことを特
徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。 - 【請求項５】接着剤組成物が、可使時間５０時間以上の
カチオン重合性硬化剤および／またはアニオン重合性硬
化剤を少なくとも１種含むことを特徴とする請求項１記
載の半導体装置用接着剤組成物。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれか記載の半導体装置
用接着剤組成物を接着剤層とし、かつ少なくとも１層以
上の剥離可能な保護フィルム層を有する半導体装置用接
着剤シート。 - 【請求項７】請求項６記載の半導体装置用接着剤シート
を用いた半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000111640A JP4742402B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置 |
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| JP2000111640A JP4742402B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001294843A true JP2001294843A (ja) | 2001-10-23 |
| JP4742402B2 JP4742402B2 (ja) | 2011-08-10 |
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| JP2000111640A Expired - Lifetime JP4742402B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置 |
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-
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- 2000-04-13 JP JP2000111640A patent/JP4742402B2/ja not_active Expired - Lifetime
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