JP2001284316A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板をエッチング液に浸漬する処理におい
て、処理終了後の基板に付着するパーティクルの数を少
なくした清浄度の高い基板処理方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 処理槽１０の液体供給口１２へ脱気され
たオゾン水を供給し、基板Ｗの表面に清浄な自然酸化膜
が形成され、液中に基板を浸漬したままで、ＨＦ水溶液
を供給し、汚染物がエッチング除去し、引き続き、純水
を流入させて純水リンスするが、その途中で、基板Ｗの
全体が純水の液面上方へ出るまで昇降機４０を上昇させ
てから、再び基板Ｗの全体が純水に浸漬するまで下降さ
せ、基板Ｗの表面からパーティクルが効率良く離れる。
最後に、基板Ｗを乾燥する乾燥工程を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の電子部品製造用に基板をエッチング液に
浸漬することにより、基板をエッチングしたり、もしく
はスライスエッチングすることによって基板に付着して
いるパーティクル（例えば塵埃等の汚染物）を基板表面
から除去したりする基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体製造装置デバイスの製造
プロセスにおいて、基板、例えばシリコンウエハの表面
に被着されたシリコン酸化膜を全面的もしくは部分的に
除去する場合は、フッ化水素酸（フッ酸）やバッファー
ドフッ酸（フッ化水素とフッ化アンモニウムと水との混
合液）などのフッ化水素を含む水溶液（以下、「ＨＦ水
溶液」ともいう）を使用し、ウエハをＨＦ水溶液に浸漬
し、ウエハ表面をエッチングしている。そして、エッチ
ング後に、ウエハを純水で水洗してウエハの表面からＨ
Ｆ水溶液を除去し、ウエハを乾燥させる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような基板をエッ
チング液に浸漬して、基板をエッチングしたり、もしく
はスライスエッチングすることにより基板に付着してい
るパーティクルを除去したりする基板処理法方は、基板
の表面をエッチング時に、基板表面に付着していたパー
ティクルは、エッチングされる基板表面もろとも、基板
から除去される筈である。しかしながら、処理終了後の
基板を詳細観察すると、まだパーティクルの残存が認め
られる。

【０００４】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板をエッチング液に浸漬する処理に
おいて、処理終了後の基板に付着するパーティクルの数
を少なくした清浄度の高い基板処理方法を提供すること
を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板を酸化さ
せる成分を含む液に浸漬して基板表面に酸化膜を形成す
る酸化工程と、前記酸化膜が形成された基板をエッチン
グ液に浸漬するして基板をエッチングするエッチング工
程と、前記エッチング工程後の基板を水洗水に浸漬する
ことによって、エッチング液を洗い流すエッチング後リ
ンス工程とを備える基板処理方法であって、前記酸化工
程とエッチング工程の間は基板が終始液中に浸漬した状
態にあって、かつ、前記エッチング工程の後、前記エッ
チング後リンス工程が終了するまでの間に、少なくとも
一度以上は、基板が気液界面を通過するようにしたこと
を特徴とする基板処理方法である。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。

【０００７】図１は、この発明に係る基板処理方法を実
施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を
示す模式図である。この基板処理装置は、下部に液体供
給口１２を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流不
４を有し内部に基板Ｗが搬入される処理槽１０を備えて
いる。処理槽１０の底部には、排液口１６が形成されて
おり、その排液口１６に、排液バルブ２０が介挿された
排液管１８が連通接続されている。

【０００８】処理槽の下部の液体供給口１２には、液体
供給管２２が連通して接続されており、液体供給管２２
には、ＨＦ水溶液の供給源に接続された薬液供給管２
４、純水の供給源に接続された純水供給管２６、オゾン
（Ｏ_３）水供給源に接続されたオゾン水供給管２８およ
び、過酸化水素水（H_２Ｏ_２）供給源に接続された過酸
化水素水供給管２９がそれぞれ連通しており、各供給管
２４、２６、２８、２９には開閉制御弁３０、３２、３
４、３５がそれぞれ介挿して設けられている。オゾン水
供給源からオゾン水供給管２８を通して供給さえるオゾ
ン水には、オゾンが溶解しているとともに、脱気されて
気泡が含まれていない。

【０００９】気泡を含まないオゾン水を生成するには、
例えば、酸素中での無声放電やイオン交換膜等を使用し
た水の電気分解等によって発生させたオゾンガスを、ポ
ンプ等で超純水を攪拌しながらその超純水中に溶解させ
た後、余計な気泡を除去するようにする。オゾン水中か
らオゾンや酸素等の気泡を除去する方法としては、気泡
が含まれたオゾン水を密閉された気液分離槽に一旦溜
め、気液分離槽内の液面上の空間を排気して、或る程度
の時間が経過した後に、気液分離槽から液面下のオゾン
水をポンプで取り出すようにすればよい。また、気体透
過膜材によって形成された液流路を、周囲を気密に密閉
した真空チャンバ内部に収容した脱気モジュールを使用
し、気泡を含んだオゾン水を液流路に流すとともに、真
空チャンバ内の密閉空間を真空吸引するようにして、液
流路を流れるオゾン水から気泡を除去するようにしても
よい。

【００１０】処理槽１０は蓋３８を開閉させることによ
り基板Ｗの搬入および搬出を行なうことができるととも
に密閉することが可能である処理チャンバ３６内に収容
されている。処理チャンバ３６の内部には、処理チャン
バ３８内へ搬入された基板Ｗを受け取って処理槽１０の
内部へ挿入したり、基板Ｗを処理槽１０内から取り出す
ための昇降機４０が配設されている。また、処理チャン
バ３６に底部には、気液排出口４２が形成されており、
気液排出口４２に気液排出管４４が連通して接続されて
いる。気液排出管４４には、開閉制御弁４８が介挿され
た排液管４６、および、開閉制御弁５２が介挿され真空
ポンプ５４に接続された排気管５０がそれぞれ連通して
いる。

【００１１】また、処理チャンバ３６の内部には、ガス
吹出しノズル５６が設けられており、ガス吹出しノズル
５６には、不活性ガス、例えば窒素ガスの供給源に接続
されたガス供給管５８が連通して接続されている。ガス
供給管５８には、第１ヒータ６０、開閉制御弁６２、第
２ヒータ６４およびフィルタ６６がそれぞれ介在して設
けられている。

【００１２】ガス供給管５８には、第１ヒータ６０と開
閉制御弁６２との間の位置で分岐し開閉制御弁６２と第
２ヒータ６４との間の位置で合流するバイパス管６９
ａ、６８ｂが設けられており、バイパス管６８ａ、６８
ｂの途中に、ＩＰＡ蒸気生成槽７２が設けられている。

【００１３】このＩＰＡ蒸気生成槽７２は、有機溶剤、
例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）７０を貯留し
て密閉し、その貯留しているＩＰＡの液面上の密閉空間
に、前記バイパス管６８ａの窒素ガス導入口およびバイ
パス管６８ｂのＩＰＡ蒸気流出口がそれぞれ連通してい
る。

【００１４】また、バイパス管６８ａ、６８ｂには開閉
制御弁７６、７８が介挿されている。ＩＰＡ蒸気生成槽
７２には、内部に貯留されたＩＰＡ７０を加熱するため
のヒータ７４が付設されている。そして、ＩＰＡ蒸気生
成槽７２ではヒータ７４によりＩＰＡ７０を加熱してＩ
ＰＡ蒸気を発生させ、その発生したＩＰＡ蒸気を、窒素
ガスをキャリアガスとして、バイパス管６８ｂからガス
供給管５８を通して処理チャンバ３６内のガス吹出しノ
ズル５６へ供給することができるように構成されてい
る。

【００１５】上記した構成を有する基板処理装置を使用
して行なわれる基板処理操作に１例について説明する。

【００１６】最初に、純水供給管２６および液体供給管
２２を通して処理槽１０の液体供給口１２へ純粋を供給
し、処理槽１０内へ純粋を流入させてその内部に純粋を
満たし処理槽１０の上部の溢流部１４から純粋が溢れ出
る状態にする。この際、処理チャンバ３６の底部の気液
排出口４２から気液排出管４４および排液管４６を通っ
て排水されている。この排水操作は、以後も継続して行
なわれる。

【００１７】また、ガス供給管５８を通してガス吹出し
口５６へ窒素ガスが供給され、ガス吹出し口５６から処
理チャンバ３６内へ窒素ガスが供給されて、処理チャン
バ３６の内部空間が窒素ガス雰囲気とされる。この状態
は、処理の間中、継続して維持され、基板Ｗの一連の処
理が窒素ガス雰囲気中で行なわれることにより、ＨＦ水
溶液中やオゾン水中などに空気中の酸素が溶解してＨＦ
水溶液中やオゾン水中などの溶存酸素量が増加する、と
いったことが抑えられる。

【００１８】そして、処理チャンバ３６の蓋３８が解放
され、処理チャンバ３６の上方へ上昇して待機する昇降
機４０に、基板Ｗが渡され、昇降機４０は下降して、処
理しようとする基板Ｗが処理チャンバ３６内へ搬入され
て、蓋３８が閉じられ、基板Ｗを載せた昇降機４０は更
に下降し、基板Ｗは処理槽１０内へ挿入されて、基板Ｗ
は処理槽１０内の純水中に浸漬させられ、基板Ｗは純水
で水洗される。

【００１９】次ぎに、基板Ｗを酸化剤に浸漬する酸化工
程を行なう。すなわち、純水の供給を停止させるととも
に、オゾン水供給管２８および液体供給管２２を通して
処理槽１０の液体供給口１２へ脱気されたオゾン水を供
給し、処理槽１０内へオゾン水を流入させて、オゾン水
により処理槽１０の上部の溢流部１４から純水を押し出
し、処理槽１０の内部をオゾン水で置換し、処理槽１０
の内部にオゾン水を満たし処理槽１０の上部の溢流部１
４からオゾン水が溢れ出る状態にする。このようにして
基板Ｗがオゾン水中に浸漬させられた状態とすることに
より、オゾン水中に溶解したオゾンによって基板Ｗ、例
えばシリコンウエハの表面が酸化されウエハ表面に清浄
なシリコン自然酸化膜が形成される。

【００２０】この際、オゾン水は脱気されていて気泡を
含んでいないので、基板Ｗの表面に気泡が付着すること
は無い。このため、基板Ｗの表面において酸化膜が形成
されない部分の斑が生じることが無い。

【００２１】上記した酸化工程の後、エッチング前リン
ス工程を行なう。すなわち、オゾン水の供給を停止させ
るとともに、純水供給管２６および液体供給管２２を通
して処理槽１０の液体供給口１２へ純水を供給し、処理
槽１０内へ純水を流入させて、純水により処理槽１０の
上部の溢流部１４からオゾン水を押し出し、処理槽１０
の内部を純水で置換し、処理槽１０の内部に純水を満た
し処理槽１０の上部の溢流部１４から純水が溢れ出る状
態にし、基板Ｗを純水リンスする。

【００２２】このように前記酸化工程の後より液中に基
板を浸漬した状態のままでエッチング前リンス工程を行
なうとともに、更に、液中に基板を浸漬した状態のまま
で、引き続き、エッチング工程を行なう。すなわち、純
水の供給を停止させるとともに、薬液供給管２４および
液体供給管２２を通して処理槽１０の液体供給口１２へ
ＨＦ水溶液を供給し、処理槽１０内へＨＦ水溶液を流入
させて、ＨＦ水溶液により処理槽１０の上部の溢流部１
４から純水を押し出し、処理槽１０の内部をＨＦ水溶液
で置換し、処理槽１０の内部にＨＦ水溶液を満たし処理
槽１０の上部の溢流部１４からＨＦ水溶液が溢れ出る状
態にする。

【００２３】この状態において、基板ＷがＨＦ水溶液に
浸漬し、基板Ｗの表面は、前記酸化工程にて形成された
酸化膜とともに、基板Ｗの表面に付着しているパーティ
クル等の除去したい汚染物が、エッチングされて基板Ｗ
の表面から除去される。

【００２４】上記エッチング工程に引き続き、エッチン
グ後リンス工程を行なう。すなわち、ＨＦ水溶液の供給
を停止させるとともに、純水供給管２６および液体供給
管２２を通して処理槽１０の液体供給口１２へ純水を供
給し、処理槽１０内へ純水を流入させて、純水により処
理槽１０の上部の溢流部１４からＨＦ水溶液を押し出
し、処理槽１０の内部を純水で置換し、処理槽１０の内
部に純水を満たし処理槽１０の上部の溢流部１４から純
水が溢れ出る状態にし、基板Ｗを純水リンスする。

【００２５】上記エッチング後のリンス工程の途中で、
前述したように処理槽１０の上部の溢流部１４から純水
が溢れ出る状態を保持したままで、基板Ｗの全体が純水
の液面上方へ出るまで昇降機４０を上昇させてから、再
び基板Ｗの全体が純水に浸漬するまで下降させるよう
に、昇降機４０を昇降する。

【００２６】この昇降動作にともない、基板Ｗの表面は
気液界面を通過することになるが、その通過の際に、基
板Ｗの表面に付着してるパーティクルが、基板Ｗの表面
から離れる。つまり、処理槽１０の下部の液体供給口１
２から流れ出て処理槽１０内を鉛直上向きに流れる純水
の上昇流は、液面まで達すると、液面に沿って流れるよ
うに向きを変え、処理槽１０の上部の溢流部１４から溢
れ出るが、かかる純水の流れは、基板Ｗにおける純水に
浸漬している部位においては、基板Ｗの表面に沿って上
向きに流れるが、液面すなわち気液界面を通過しつつあ
る基板Ｗの表面の部位においては、基板Ｗの表面に対し
て垂直に遠ざかるようにして液面に沿う流れである。こ
のような流れに乗って、基板Ｗの表面からパーティクル
が効率良く離れる。

【００２７】なお、かかる基板Ｗが気液界面を通過する
際に上述したように処理槽１０の溢流部１４より純水が
溢れ出る方が望ましいが、必ずしも溢れ出るようにする
ことを要するものではない。

【００２８】なお、基板Ｗが気液界面を通過する際に基
板Ｗの表面からパーティクルが除去される作用は、上記
したような純水の流れの影響だけではなく、純水の表面
張力の影響や、パーティクル等の汚染物の有する電荷に
よる影響等も作用していると推察される。

【００２９】また、上記したエッチング後リンス工程に
おいて基板Ｗを気液界面を通過させる作業は、エッチン
グ工程の終了後、２分以内に行なうことが望ましい。

【００３０】また、上記したエッチング後リンス工程に
おいて基板Ｗを気液界面を通過させる作業は、基板Ｗを
純水から引き上げただけでは本発明の効果が得られず、
引き上げた後に必ず一度は純水中へ基板を戻して純水に
基板Ｗを浸漬することを要する。

【００３１】以上のようにして、途中で基板Ｗを気液界
面を通過させる作業を経ることを行なってのエッチング
後リンス工程の後、最後に、基板Ｗを乾燥する乾燥工程
を行なう。すなわち、昇降機４０により処理槽１０内の
純水中から基板Ｗを引き上げて処理チャンバ３６の内部
空間に保持した後に、処理槽１０の排液口１６から排液
管１８を通して排水する。この際、窒素ガス供給賀宴か
ら供給される窒素ガスがバイパス６８ａ、６８ｂを通る
ようにして、ＩＰＡ上記を、ガス供給管５８を通して処
理チャンバ３６内のガス吹出しノズル５６へ供給し、ガ
ス吹出しノズル５６から処理チャンバ３６内の基板Ｗの
表面に向けてＩＰＡ蒸気を噴射させるようにする。

【００３２】これにより、基板Ｗの表面に付着した水滴
にＩＰＡが溶解して、基板の表面から水滴が蒸発し易く
なる。そして、処理チャンバ３６内のガス吹出しノズル
５６への窒素ガスおよびＩＰＡ蒸気の供給を停止させた
後、真空ポンプ５４うぃ駆動させ、気液排出管４４およ
び排気管５０を通して処理チャンバ３６の内部を真空排
気することにより、処理チャンバ３６内に保持された基
板Ｗを速やかに減圧乾燥させる。

【００３３】このように、処理チャンバ３６の内部に基
板Ｗを保持したままで基板Ｗの乾燥処理を行なうことに
より、最終工程である乾燥が終了するまで基板Ｗは空気
に触れないことになる。このため、基板Ｗを処理チャン
バ３６内から搬出して乾燥処理部へ搬送する過程で基板
Ｗの表面にパーティクルが付着する、といったことを心
配する必要が無くなる。

【００３４】基板Ｗの乾燥処理が終了すると、処理チャ
ンバ３６に蓋３８を解放させて、基板Ｗを処理チャンバ
３６内から搬出し、一連の処理が完了する。

【００３５】上記一連の処理によって、処理前に基板Ｗ
に付着のパーティクルの数を、乾燥工程の後で測定する
ことによって規定される除去率を実測したら、９５％以
上であった。

【００３６】これに対し、除去でききた対比例として、
エッチング後リンス工程において、一度も基板Ｗを気液
界面を通過させなかった場合、すなわち、前記実施形態
では、エッチング後リンス工程の途中で昇降機４０を昇
降して基板Ｗを液面上へ出させたことを一度も行なわな
かって、その他は前記実施形態と同じに処理した場合、
除去率は１０％であった。

【００３７】この発明に係る基板処理方法は、上記した
形態以外にも種々の形態で実施し得る。例えば、前記実
施形態における酸化工程では、オゾン水供給管２８およ
び液体供給管２２を通して処理槽１０の液体供給口１２
へ脱気されたオゾン水を供給したが、オゾン水は脱気し
たオゾン水が望ましいが、必ずしも脱気したオゾン水に
限定するものではなく、脱気していないオゾン水を使用
してもよい。

【００３８】また、例えば、前記実施形態における酸化
工程では、オゾン水に変えて酸化水素水を供給するよう
にしてもよい。このためには、過酸化水素水供給２９お
よび液体供給管２２を通して処理槽１０の液体供給口１
２へ過酸化水素水を供給し、処理槽１０内へ過酸化水素
水を流入させて、過酸化水素水により処理槽１０の上部
の溢流部１４から純水を押し出し、処理槽１０の内部を
過酸化水素水で置換し、処理槽１０の内部に過酸化水素
水を満たし処理槽１０の上部の溢流部１４から過酸化水
素水が溢れ出る状態にする。このようにして基板Ｗが過
酸化水素水中に浸漬させられた状態とすることにより、
過酸化水素水によって基板Ｗ、例えばシリコンウエハの
表面が酸化されウエハ表面に清浄なシリコン自然酸化膜
が形成される。

【００３９】また、前記実施形態では、酸化工程とエッ
チング工程の間に、エッチング前リンス工程を設けた
が、必ずしも、エッチング前リンス工程は要するもので
はない。

【００４０】また、前記実施形態においては、エッチン
グ工程はＨＦ水溶液を使用したが、ＨＦ水溶液に替え、
ＨＦ水溶液と塩酸水溶液との混合液、ＨＦ水溶液と過酸
化水素水との混合液、ＨＦ水溶液とオゾン水との混合
液、バッファードフッ酸液などでもよく、エッチング液
は限定されない。

【００４１】また、エッチング後リンス工程にて使用す
る水洗水としては、前記実施形態では純水単独であった
が、純水に塩酸を添加した液でもよい。

【００４２】また、エッチング後リンス工程の途中で基
板Ｗを気液界面を通過させる回数は、複数回でもよい。

【００４３】また、前記実施形態では、基板Ｗの全体が
純水の液面上方へ出るまで昇降機４０を上昇させてか
ら、再び基板Ｗの全体が純水に浸漬するまで下降させる
ように、昇降機４０を昇降することによって、基板Ｗが
気液界面を通過させる作業を行なったが、基板Ｗを昇降
せず、気液界面すなわち液面を昇降するようにしてもよ
い。例えば、昇降機４０は処理槽１０内に基板Ｗを挿入
した位置に静止した状態つまり、昇降機４０を昇降動作
しない状態で、処理槽１０の排液口１６から排液管１８
を通して排水し、再度処理槽１０内に純水を供給して基
板Ｗが純水に浸漬するようにしてもよい。

【００４４】また、前記実施形態では、一連の処理を全
て共通の処理槽１０で行なったが、処理槽１０とは別に
エッチング後リンス工程用の処理槽（以下、エッチング
後リンス工程用処理槽という）を設け、処理槽１０とエ
ッチング後リンス工程用処理槽との間で基板Ｗを横行搬
送する槽間搬送手段を付設し、次ぎにようにしてもよ
い。

【００４５】すなわち、エッチング工程の後、ＨＦ水溶
液の供給を停止させるとともに、純水供給管２６および
液体供給管２２を通して処理槽１０の液体供給口１２へ
純水を供給し、処理槽１０内へ純水を流入させて、純水
により処理槽１０の上部の溢流部１４からＨＦ水溶液を
押し出し、処理槽１０の内部を純水で置換し、処理槽１
０の内部に純水を満たし処理槽１０の上部の溢流部１４
から純水が溢れ出る状態にしてから、昇降機４０を上昇
させて、基板Ｗを処理槽１０の上方へ位置させ、槽間搬
送手段に基板Ｗを移載する。しかる後、槽間搬送手段を
エッチング後リンス工程用処理槽の上方へ横行移動さ
せ、エッチング後リンス工程用処理槽に付設の昇降機に
基板Ｗを移載して、エッチング後リンス工程用処理槽に
付設の昇降機を下降させ、基板Ｗをエッチング後リンス
工程用処理槽内の純水中に浸漬させ、エッチング後リン
スが終了したら、基板Ｗをエッチング後リンス工程用処
理槽上方に上昇し、前記実施形態のようにして乾燥させ
る。

【００４６】この場合、処理槽１０からエッチング後リ
ンス工程用処理槽へ基板Ｗを移動することで、基板Ｗが
気液界面を通過する動作を行なうことになる。

【００４７】なお、上記の場合、次のようにしてもよ
い。つまり、エッチング工程の後、ＨＦ水溶液の供給を
停止させると、純水供給管２６および液体供給管２２を
通して処理槽１０の液体供給口１２へ純水を供給するこ
となく、エッチング液に浸漬している状態の基板Ｗを、
エッチング後リンス工程用処理槽へ浸漬させてもよい。

【００４８】

【発明の効果】本発明の基板処理方法によると、基板を
酸化させる成分を含む液に浸漬して基板表面に酸化膜を
形成する酸化工程および、エッチング工程の間は、基板
が終始液中に浸漬した状態にあるから、酸化工程中に液
中で酸化膜が生成する穏やかな酸化膜生成を越えて、大
気中の酸素の作用で急激に不安定に酸化膜が形成される
ことを回避するとともに、他方、酸前記エッチング工程
の後、前記エッチング後リンス工程が終了するまでの間
には、少なくとも一度以上は、基板が気液界面を通過す
るようにしたものであるが、前記エッチング工程の後、
前記エッチング後リンス工程が終了するまでの間におけ
る基板が気液界面を通過するのは、前記酸化工程で生成
された酸化膜は既にエッチングされた後で、しかも、基
板を酸化させる成分を含む液に基板は接触していない状
態であるから、基板に支障はなく、気液界面を通過する
際に、エッチング時に基板表面に残存しているパーティ
クル等の汚染物は、基板表面から離れ、処理終了後の基
板に付着するパーティクルの数を少なくでき、清浄度高
く基板を洗浄できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するのに使
用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図で
ある。

【符号の説明】

Ｗ 基板 １０ 処理装置 １２ 液体供給口 １４ 溢流部 １６ 排液口 １８ 排液管 ２０ 排液バルブ ２２ 液体供給管 ２４ 薬液供給管 ２６ 純粋供給管 ２８ オゾン水供給管 ２９ 過酸化水素水供給管 ３０、３２、３４、３５、４８、５２、６２、７６、７
８ 開閉制御弁 ３６ 処理チャンバ ３８ 蓋 ４０ 昇降機 ４２ 気液排出口 ４４ 気液排出管 ４６ 排液管 ５０ 排気管 ５４ 真空ポンプ ５６ ガス吹出しノズル ５８ ガス供給管 ６０、６４、７４ ヒータ ６６ フィルタ ６８ａ、６８ｂ バイパス管 ７０ イソプロピルアルコール（ＩＰＡ） ７２ ＩＰＡ蒸気生成槽

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を酸化させる成分を含む液に浸漬し
   て基板表面に酸化膜を形成する酸化工程と、 前記酸化膜が形成された基板をエッチング液に浸漬する
   して基板をエッチングするエッチング工程と、 前記エッチング工程後の基板を水洗水に浸漬することに
   よって、エッチング液を洗い流すエッチング後リンス工
   程とを備える基板処理方法であって、 前記酸化工程とエッチング工程の間は基板が終始液中に
   浸漬した状態にあって、かつ、 前記エッチング工程の後、前記エッチング後リンス工程
   が終了するまでの間に、少なくとも一度以上は、基板が
   気液界面を通過するようにしたことを特徴とする基板処
   理方法。