JP2001267545A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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Abstract
且つ高品位の固体撮像装置およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 上記透明基板1上の全面に絶縁層を形成
した後、上記絶縁層上に所定のパターンを有する配線層
4を形成し、上記配線層4の形成後、先に形成された上
記絶縁層のうち、固体撮像素子2の受光領域に対応する
部分を除去して開口部のある絶縁層3とすることで、透
明基板1の受光領域表面を露出させる。その後、上記配
線層4に上記固体撮像素子2を接合し、透明基板1と固
体撮像素子2との隙間を封止樹脂6で封止する。
Description
装にフェースダウンボンディング工法を用いた固体撮像
装置およびその製造方法に関するものである。
開平6−204442号公報にて公開された固体撮像装
置がある。上記固体撮像装置の概略構成を図11に、そ
の製造方法を図12ないし図15に示す。
に、外部に電気信号を出力する電極端子群103と、該
電極端子群103上の周囲に絶縁性樹脂による突起枠1
04とが形成されたガラス基板101に対し、突起電極
105が形成された固体撮像素子102を導電性接着剤
106にて接着し、上記ガラス基板101と固体撮像素
子102との隙間のうち、固体撮像素子102の受光エ
リア102aを除く範囲を封止樹脂107で封止した構
成である。
ず第一工程において、図12に示すように、上記固体撮
像素子102に設けた突起電極105に対して導電性接
着剤106を転写法にて塗布する。
(b)に示すように、上記ガラス基板101上に、蒸着
法にて銅(Cu)等の金属膜を形成した後、該金属膜に配線
加工を施して電極端子103を形成し、さらに、エポキ
シ系材料を主成分としたペーストを用い印刷法によって
突起枠104を形成する。
うに、導電性接着剤106を転写した固体撮像素子10
2と、上記第二工程でエポキシ系材料を印刷して突起枠
104を形成したガラス基板101とを接合した後、加
熱装置にて加熱し導電性接着剤106および突起枠10
4を硬化させる。
ように、固体撮像素子102とガラス基板101との隙
間のうち、突起枠104の外周範囲へ封止樹脂107を
浸透させた後、加熱装置で加熱して封止樹脂107を硬
化させる。
から入射される光を固体撮像素子102によって電気信
号に変換し、該電気信号を突起電極105および電極端
子103を介して画像信号として外部に出力する装置で
ある。
は、光が入射する領域、すなわち上記受光エリア102
aに異物が付着すると、該異物によって入射光が遮ら
れ、出力画像において黒点として異物が写し出されてし
まう。このため、上記固体撮像装置の製造には、受光エ
リア102aに異物が付着しないように厳しい異物対策
が要求される。
に示すような三つの方法が考えられる。一つは異物が厳
しく管理された清浄度の高い環境下で固体撮像装置を製
造する方法、もう一つは付着した異物を除去する工程を
追加する方法、さらにもう一つは製造工程において受光
面上のハンドリングおよびオペレーションを避けるとい
う方法である。
撮像素子102に設けられた突起電極105に対して導
電性接着剤106を転写する工程、およびガラス基板1
01に対して突起枠104を印刷する工程で、受光面上
でオペレーションを行う必要が生じており、この作業中
に異物が付着する虞があった。
を形成する樹脂の硬化は、固体撮像素子102とガラス
基板101とを実装した後、加熱装置で加熱することに
よって行われる。このため、上記固体撮像素子102に
導電性接着剤106を転写した直後や、上記ガラス基板
に101に突起枠104を印刷した直後の状態では、固
体撮像素子102やガラス基板101の受光面上に異物
付着が認められても、導電性接着剤106や突起枠10
4が固まっていない状態であるため、異物除去の工程を
入れることができず、一度受光面に付着した異物は取り
除くことができないという問題がある。
像装置を製造する方法は、上記従来の固体撮像装置にお
いても適用可能ではあるが、異物が厳しく管理されたク
リーンルーム内での製造工程を必要とするため、設備コ
ストが大きくなるといった問題がある。
101界面に直接金属膜を形成しているため、該金属膜
から電極端子群103を形成する配線加工において、非
常に高い技術(ドライエッチング工法を用いてガラス基
板101と金属膜との界面の直前まで金属膜のエッチン
グを行った後、ウエットエッチング工法にてガラス基板
101の受光領域の界面を荒らさないように残った金属
膜を除去しなければならない)が要求されるという問題
がある。
なされたもので、その目的は、受光面における異物の付
着を防止し、安価で且つ高品位の固体撮像装置およびそ
の製造方法を提供することにある。
製造方法は、上記の課題を解決するために、透明基板に
固体撮像素子が実装されてなる固体撮像装置の製造方法
において、上記透明基板上に絶縁層を形成する絶縁層形
成工程と、上記絶縁層上に所定のパターンを有する配線
層を形成する配線層形成工程と、上記配線層の形成後、
上記絶縁層形成工程によって形成された上記絶縁層のう
ち、上記固体撮像素子の受光領域に対応する部分を除去
して、該透明基板の受光領域表面を露出させる絶縁層除
去工程と、上記配線層に上記固体撮像素子を接合する接
合工程とを含むことを特徴としている。
程にて上記透明基板の受光面表面が絶縁層によって覆わ
れ、該絶縁層はその後の配線層形成工程におけるハンド
リングおよびオペレーションが行われている間、上記透
明基板の受光面表面を保護することとなる。そして、上
記透明基板の固体撮像素子を接合する接合工程の直前に
おける絶縁層除去工程にて、上記絶縁層のうち、上記固
体撮像素子の受光領域に対応する部分を除去して、該透
明基板の受光領域表面を露出させる。
て、上記絶縁層の上記固体撮像素子の受光領域に対応す
る部分に異物が付着しても、その後の絶縁層除去工程に
おいて、その異物は上記絶縁層と共に除去される。この
ため、上記製造方法では、製造工程中の異物付着の虞が
ある作業をできるだけ排除しつつ、高生産性の製造プロ
セスが実現可能となり、今後ますます小型・薄型化する
方向にある固体撮像装置を組み込んだ製品に対して、高
品位でより安価な固体撮像装置を提供することが可能と
なる。
れる配線層は、透明基板上に直接形成されず、上記絶縁
層形成工程によって形成される絶縁層を介して透明基板
上に形成される。このため、上記配線層の配線のパター
ニングにおいて、上記透明基板の受光面表面を荒らすこ
となく容易にパターニングが行える。さらに、上記透明
基板と配線層との良好な密着性が得られる。
ては、上記配線層形成工程にて、配線層のパターン形成
時に、配線パターンと同時に識別マークを形成し、上記
接合工程にて、上記識別マークと固体撮像素子に形成さ
れているアライメントマークとを基準としてアライメン
トを行い、固体撮像素子の電極と上記配線パターンの固
体撮像素子用接続端子とを接続することが好ましい。
が配線パターンの形成と同時に行えるため効率的であ
る。
ては、上記配線層形成工程で形成される配線パターンは
Al系合金材料で形成されていると共に、た上記固体撮
像素子には上記配線と接続される電極が突起電極として
設けられており、上記接合工程にて、固体撮像素子の突
起電極と上記配線パターンの固体撮像素子用接続端子と
を超音波接続工法によって接続することが好ましい。
て、固体撮像素子の突起電極と上記配線パターンの固体
撮像素子用接続端子とを超音波接続工法によって接合す
ることにより、透明基板側の配線を拡散係数の高いアル
ミニウム系の合金材料で形成していることから、最大で
も100 ℃程度の低温で容易に接合でき、低温接続が可能
となる。また、超音波を印加するだけで合金が形成され
接合が完了されることから、高スループットを得ること
が可能となる。
基板の接続に、導電性超接着剤でなく超音波接続工法を
用いることにより、実装直前の固体撮像素子においてそ
の表面に未硬化状態の接着剤が存在しない。このため、
上記固体撮像素子の実装直前に洗浄等による異物除去工
程を設けることが可能となる。このため、上記固体撮像
素子の受光面に付着する異物をも極力少なくすることが
でき、受光領域への異物付着による不良の発生を減少さ
せることができる。
ては、上記固体撮像装置は、1枚の透明基板母材上に複
数枚の固体撮像装置がマトリクス状に形成された後、ダ
イシング工程によって個々の固体撮像装置に分割されて
形成されるものであり、さらに、上記接合工程の後で上
記ダイシング工程の前に、上記透明基板母材の固体撮像
素子が実装された側から、上記固体撮像素子よりも大き
な開口部が設けられたマスクを被せ、印刷法によって上
記固体撮像素子と上記マスクの開口部との隙間に樹脂を
押し込むことによって上記固体撮像素子の周囲に封止樹
脂を形成する封止工程を含むことが好ましい。
囲における封止樹脂の拡がりを抑えることができ、固体
撮像装置の小型化を図ることができる。すなわち、封止
樹脂を形成する方法として、従来からよく用いられるポ
ッティング法では、ポッティングされた封止樹脂が固体
撮像素子の周囲に拡がるため、固体撮像装置の小型化を
図る上で不利である。印刷法ではなく、上から樹脂をポ
ッティングする方法も考えられる。
脂は、上記固体撮像素子と固体撮像素子より僅かに大き
い上記マスクの開口部との隙間に押し込まれることによ
り、該封止樹脂は上記マスクによってその拡がりが抑え
られる。
1ないし図10に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
成を図1および図2に示す。図1は上記固体撮像装置の
断面図、図2は分解斜視図である。
ィルム等からなる透明基板1上に、固体撮像素子2を接
合してなる。上記透明基板1には、上記固体撮像素子2
の受光領域に対応する開口が設けられた絶縁膜3と、該
絶縁膜3上においてパターニングされた配線(配線層)
4とが形成されている。また、上記固体撮像素子2に
は、該固体撮像素子2を上記配線4と接続するための突
起電極5が形成されている。上記透明基板1と上記固体
撮像素子2とは、上記配線4のインナー側端子と突起電
極5とが接触するように接合されており、透明基板1と
固体撮像素子2との周囲の隙間は封止樹脂6によって封
止されている。また、上記配線4のアウター側端子に
は、外部回路との接続を容易にするための突起電極7が
形成されている。
は、上記固体撮像素子2において、図示しない遮光用金
属膜が形成されているものとする。しかしながら、上記
固体撮像素子2が遮光用金属膜を備えていない場合は、
図3および図4に示すように、透明基板1上に遮光用金
属膜を備えてもよい。すなわち、透明基板1の絶縁膜3
上に配線4を形成するのではなく、上記絶縁膜3上に遮
光用金属膜8を形成し、その上にさらに絶縁膜9を形成
する。そして、上記配線4は絶縁膜9の上に形成され
る。尚、上記遮光用金属膜8および絶縁膜9は、絶縁膜
3と同様、固体撮像素子2の受光領域に対応する開口が
設けられている。
た場合は、以下に示すような利点がある。
けることで、固体撮像素子2の製造プロセスにおいて、
該固体撮像素子2に遮光用金属膜を形成するプロセスを
省くことが可能となる。このことから、固体撮像素子2
の製造コストダウン、および固体撮像素子2に遮光用金
属膜を形成するプロセス上で該固体撮像素子2の受光面
にダストが付着する虞が軽減される。
の下層に配置することで、上記配線4と同時に形成され
たアライメントマークのコントラストがとれ(上記アラ
イメントマークが配線4と同じAlで形成され、2つの
金属膜の反射率が異なるため)、透明基板1と固体撮像
素子2と接合する接合工程において、上記アライメント
マークを画像認識した場合にエッジの誤認がなく、高精
度のボンディングが可能となる。
ことで、基準ピン位置のマークとすることが可能とな
る。これにより、製造プロセス上で基準ピンマークを行
う工程を省くことができる。
ないし(i)を参照して以下に説明する。尚、以下の説
明では、透明基板1において遮光用金属膜8が形成され
ている固体撮像装置を製造する場合の工程を例示する。
に、厚さ0.5mm〜0.7mmのガラス等の透明板ま
たは光学フィルタからなる透明基板1上に、CVD(Ch
emical Vapor Deposition )法やPVD(Physical Vap
or Deposition )法によってSiO2 等の酸化膜又はS
iN等の窒化膜を絶縁膜3’として500nm〜100
0nmの厚みで形成する。上記絶縁膜3’は、後にエッ
チングによって受光領域が開口された絶縁膜3となる
が、この時点ではエッチングは行わずに、透明基板1の
受光領域を配線加工が完了するまで保護する。透明基板
1上に上記絶縁膜3’を形成することにより、該透明基
板1と、その上に形成される配線等の金属膜との良好な
密着性を得ることができる。
ように、遮光用金属膜8となるTiWやWSiの金属薄
膜8’をCVD法又はPVD法により100nm〜20
0nmの厚さに積層し。遮光領域にフォトレジスト10
のパターンを形成する。その後、図5(c)に示すよう
に、上記金属薄膜の不要部分をドライ又はウエットエッ
チングによって取り除き、遮光用金属膜8を形成する。
程として、図5(d)に示すように、上記遮光用金属膜
8上に、絶縁膜9となるSiO2 等の酸化膜又はSiN
等の窒化膜をCVD法やPVD法により500nm〜1
000nmの厚みで絶縁膜9’として積層し、該絶縁膜
9’上に後工程で積層する配線領域にフォトレジスト1
1のパターンを形成する。その後、図5(e)に示すよ
うに、上記絶縁膜9’の不要部分をドライエッチングに
より取り除き、絶縁膜9を形成する。上記絶縁膜9’の
エッチングの際には、固体撮像素子2の受光領域にあた
る部分を配線加工終了まで保護しておく目的で、第一工
程で成膜した絶縁膜3’のエッチングまでは行わないこ
ととする。
属膜8を形成する場合に必要な工程であり、図1および
図2に示すような遮光用金属膜8を設けない固体撮像装
置の製造工程においては省略される。
うに、半導体素子等の配線材料として一般的に用いられ
るアルミニウムを主材料としたAl−SiやAl−Si
−Cu等の合金金属材料をPVD法の一つであるスパッ
タリング法により配線用金属膜4’として1000nm
〜10000nmの厚さに積層した後、該配線用金属膜
4’上に希望する配線形状にフォトレジスト12のパタ
ーンを形成する。その後、図5(g)に示すように、上
記配線用金属膜4’の不要な部分をドライエッチングに
より取り除き、配線4を形成する。尚、上記配線用金属
膜4’の成膜にスパッタリング法を用いるのは、スパッ
タリング法は蒸着法等とは異なり、ターゲット材を溶融
温度まで加熱する必要がなく低温で成膜できるため、残
留ストレスが少ない金属膜を得るうえで好適なためであ
る。
すように、上記絶縁膜3’をパターニングするため、固
体撮像素子2の受光領域にあたる部分以外にフォトレジ
スト13のパターンを形成する。その後、受光領域の透
明基板1界面を傷つけることなく絶縁膜3’の不要部分
を除去するため、ウエットエッチングによって受光領域
を開口し、絶縁膜3を形成する。
膜3’上に異物が付着しても、該透明基板1に固体撮像
素子2を実装する直前に該固体撮像素子2の受光領域と
なる絶縁膜3’の不要部分を除去するため、絶縁膜3’
上に付着した異物もこの時に同時に除去される。上記絶
縁膜3’のエッチング工程の後は、透明基板1の受光面
上でのハンドリングおよびオペレーションを必要とする
工程が存在しないため、該透明基板1の受光領域に異物
が付着する虞を最小限にすることができ、受光面への異
物付着による不良が少ない製造プロセスとすることがで
きる。
5(a)に示す第一工程が特許請求の範囲に記載の絶縁
層形成工程、図5(f)、(g)に示す第四工程が配線
層形成工程、図5(h)、(i)に示す第五工程が絶縁
層除去工程に相当する。
(i)の工程は、複数枚の透明基板1に対応する四角形
(図6参照)や円形(図7参照)等の透明基板母材に対
して行われる。図6、7より明らかなように、個々の透
明基板1は上記透明基板母材に対してマトリクス状に形
成されている。
2の実装工程を図8(a)ないし(c)、図9(a)お
よび(b)を参照して説明する。
(a)に示すように、受光面側にある電極端子にボール
ボンディング法にて突起電極5が形成される。また、上
記突起電極5は、固体撮像素子2を製造するウエハプロ
セス上でメッキ法にて形成することも可能である。
上において、透明基板1のそれぞれに固体撮像素子2の
実装を行う。各固体撮像素子2は、各透明基板1に形成
された配線4に対して突起電極5が接続されるように、
それぞれ実装される。ここで、上記配線4のパターン例
を図10に示す。上記配線4では、固体撮像素子接続用
の内部電極端子4a群と外部電極端子4b群とを備えて
おり、さらに、外部電極端子4b群の列の中に認識マー
ク4cが形成されている。また、各内部電極端子4aと
外部電極端子4bとは、それぞれ1対1に対応して接続
されており、上記固体撮像素子2に入出力される電気信
号は、内部電極端子4aおよび外部電極端子4bを介し
て行われる。
る時は、図8(b)に示すように、固体撮像素子2を透
明基板1に対して向かい合わせになるように置き(フェ
ースダウン)超音波接続工法によって固体撮像素子2と
透明基板1とを合金接合する。ここで、図8(b)に示
す上記工程は、特許請求の範囲に記載の接合工程に相当
する。
板1との位置合わせは、上記認識マーク4cを基準にし
て行われる。すなわち、上記認識マーク4cは、配線4
に対して固体撮像素子2をアライメントする際のアライ
メントマークであり、さらに、上記固体撮像素子2にお
いてもアライメントマークが形成されている。上記固体
撮像素子2と配線4との間にカメラを挿入して配線4の
認識マーク4cと固体撮像素子2のアライメントマーク
とのアライメントを行った後、カメラを抜き取って固体
撮像素子2と配線4とを接合する。これにより、上記固
体撮像素子2の突起電極5を、上記配線4の内部電極端
子4aと確実に接続することができる。
態に係る固体撮像装置を周辺装置を組み込む際にも利用
できる。すなわち、上記認識マーク4cは、後工程であ
る封止樹脂を塗布後でも該封止樹脂で隠れることがない
位置に配置されているため、本固体撮像装置を他の周辺
装置に組み込む際にも、認識マークとして使用できる。
1との接続には、導電性接着剤や加熱・加圧による方法
等を用いることも可能であるが、超音波接続工法を用い
る場合には、低温接続及び高スループットを得ることで
きる。低温接続としては、透明基板1側の配線4を拡散
係数の高いアルミニウム系の合金材料で形成しているこ
とから、最大でも100 ℃程度の低温で容易に接合が可能
である。また、スループットとしては、超音波を印加す
るだけで合金が形成され接合が完了されることから、高
スループットを得ることが可能である。
明基板1の接続に、導電性超接着剤でなく超音波接続工
法を用いることにより、実装直前の固体撮像素子2にお
いてその表面に未硬化状態の接着剤が存在しない。この
ため、上記固体撮像素子2の実装直前に洗浄等による異
物除去工程を設けることが可能となる。このため、上記
固体撮像素子2の受光面に付着する異物をも極力少なく
することができ、受光領域への異物付着による不良の発
生を減少させることができる。
板1上に固体撮像素子2が実装された後の透明基板母材
に対し、各固体撮像素子2よりも僅かに大きい領域が抜
かれたマスク14を該透明基板母材にあて、その上から
熱硬化性の封止樹脂6を印刷法にて固体撮像素子2の外
周に塗布する。上記封止樹脂6を固体撮像素子2の外周
全てに塗布する目的は、透明基板1と固体撮像素子2と
の間に形成される空間(受光エリア)の高気密性を確保
し、固体撮像素子2の受光感度を上げるために該固体撮
像素子2の表面に設けられた透明樹脂性のマイクロレン
ズの機能および耐湿信頼性を確保するためである。ここ
で、図8(c)に示す上記工程は、特許請求の範囲に記
載の封止工程に相当する。
の樹脂としては、150Pa・s以上250Pa・s以
下の高粘度でチキソ性の性質を持ったものを適用するこ
とで、固体撮像素子2と透明基板1との隙間へ回り込む
樹脂量を印刷時に用いるローラ15の押圧荷重により制
御することが可能である。
て、印刷法ではなく、上から樹脂をポッティングする方
法も考えられる。しかしながら、樹脂をポッティングす
る方法では、ポッティングされた樹脂が固体撮像素子2
の周囲に拡がるため、固体撮像装置の小型化を図る上で
不利である。これに対し、上記印刷法では、マスク14
によって樹脂の拡がりを抑えることができ、固体撮像装
置の小型化が可能となる。但し、上記封止樹脂6の粘度
が150Pa・s未満の場合、封止樹脂6の粘度が低す
ぎて、透明基板1と固体撮像素子2との接合部の隙間か
ら固体撮像素子2の受光面表面にまで拡がり、封止樹脂
6の粘度が250Pa・sを超える場合、封止樹脂6の
粘度が高すぎて印刷法を用いることが困難となる。
1に設けられた外部電極端子4bに対してボールボンデ
ィング法にて突起電極7を形成する。この突起電極7
は、固体撮像装置を他の周辺装置に組み込む際に、周辺
機器との配線を容易に接続できるようにするためのもの
である。最後に、図9(b)に示すように、透明基板母
材においてマトリクス状に配置された固体撮像装置をダ
イシングによって個片に切り分け、個々の固体撮像装置
を得る。ここで、図9(b)に示す上記工程は、特許請
求の範囲に記載のダイシング工程に相当する。
基本的な製造方法であるが、図9(a)に示す工程で透
明基板1に対して突起電極7を形成した後、図9(b)
に示す工程で固体撮像装置のダイシングを行う前に、固
体撮像装置がマトリクス状に形成された透明基板基板に
対して電気試験や撮像試験を行えば、更に高い生産性を
得ることができる。
は、透明基板1と固体撮像素子2とを接合する工程(図
8(b)の工程)以前の工程で、透明基板1または固体
撮像素子2の受光面上でのハンドリング及びオペレーシ
ョンは固体撮像素子2への突起電極5の形成工程以外に
はない。固体撮像素子2と透明基板1との接合が終わっ
た後の工程では、互いの受光面が向き合って配置されて
いるため、該受光面への異物付着は生じない。このた
め、上記製造方法により、受光面に異物の付着する虞の
あるプロセスを極力少なくし、受光面への異物付着を最
小限に抑えることができる。
上のように、上記透明基板上に絶縁層を形成する絶縁層
形成工程と、上記絶縁層上に所定のパターンを有する配
線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層の形成
後、上記絶縁層形成工程によって形成された上記絶縁層
のうち、上記固体撮像素子の受光領域に対応する部分を
除去して、該透明基板の受光領域表面を露出させる絶縁
層除去工程と、上記配線層に上記固体撮像素子を接合す
る接合工程とを含む構成である。
上記絶縁層の上記固体撮像素子の受光領域に対応する部
分に異物が付着しても、その後の絶縁層除去工程におい
て、その異物は上記絶縁層と共に除去される。このた
め、上記製造方法では、製造工程中の異物付着の虞があ
る作業をできるだけ排除しつつ、高生産性の製造プロセ
スが実現可能となり、今後ますます小型・薄型化する方
向にある固体撮像装置を組み込んだ製品に対して、高品
位でより安価な固体撮像装置を提供することが可能とな
るという効果を奏する。
れる配線層は、上記絶縁層形成工程によって形成される
絶縁層を介して透明基板上に形成されため、上記配線層
の配線のパターニングにおいて、上記透明基板の受光面
表面を荒らすことなく容易にパターニングが行え、さら
に、上記透明基板と配線層との良好な密着性が得られる
という効果を併せて奏する。
ては、上記配線層形成工程にて、配線層のパターン形成
時に、配線パターンと同時に識別マークを形成し、上記
接合工程にて、上記識別マークと固体撮像素子に形成さ
れているアライメントマークとを基準としてアライメン
トを行い、固体撮像素子の電極と上記配線パターンの固
体撮像素子用接続端子とを接続する構成とすることがで
きる。
パターンの形成と同時に効率的に行えるという効果を奏
する。
ては、上記配線層形成工程で形成される配線パターンは
Al系合金材料で形成されていると共に、た上記固体撮
像素子には上記配線と接続される電極が突起電極として
設けられており、上記接合工程にて、固体撮像素子の突
起電極と上記配線パターンの固体撮像素子用接続端子と
を超音波接続工法によって接続する構成とすることがで
きる。
基板側の配線を拡散係数の高いアルミニウム系の合金材
料で形成していることから、最大でも100 ℃程度の低温
で容易に接合でき、低温接続が可能となると共に、超音
波を印加するだけで合金が形成され接合が完了されるこ
とから、高スループットを得ることが可能となるという
効果を奏する。
その表面に未硬化状態の接着剤が存在せず、上記固体撮
像素子の実装直前に洗浄等による異物除去工程を設ける
ことが可能となる。このため、上記固体撮像素子の受光
面に付着する異物をも極力少なくすることができ、受光
領域への異物付着による不良の発生をより減少させるこ
とができるといった効果を併せて奏する。
ては、上記固体撮像装置は、1枚の透明基板母材上に複
数枚の固体撮像装置がマトリクス状に形成された後、ダ
イシング工程によって個々の固体撮像装置に分割されて
形成されるものであり、さらに、上記接合工程の後で上
記ダイシング工程の前に、上記透明基板母材の固体撮像
素子が実装された側から、上記固体撮像素子よりも大き
な開口部が設けられたマスクを被せ、印刷法によって上
記固体撮像素子と上記マスクの開口部との隙間に樹脂を
押し込むことによって上記固体撮像素子の周囲に封止樹
脂を形成する封止工程を含む構成とすることができる。
て、従来からよく用いられるポッティング法に比べ、封
止樹脂が上記固体撮像素子と固体撮像素子より僅かに大
きい上記マスクの開口部との隙間に押し込まれることに
より、封止樹脂は上記マスクによってその拡がりが抑え
られ、固体撮像装置の小型化を図ることができるという
効果を奏する。
像装置の構成を示す断面図である。
る。
示すものであり、固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。
る。
像装置の透明基板上において行われる工程を示す説明図
である。
四角形状の透明基板母材を示す斜視図である。
円形状の透明基板母材を示す斜視図である。
板に実装する工程以降の工程の一部を示す説明図であ
る。
板に実装する工程以降の工程の一部を示す説明図であ
る。
一例を示す平面図である。
る。
て、固体撮像素子に導電性接着剤を塗布した工程を示す
説明図である。
像装置の製造工程において、透明基板上に突起枠を形成
した工程を示す説明図である。
て、透明基板と固体撮像素子とを接合した工程を示す説
明図である。
て、固体撮像素子の周囲に封止樹脂を形成した工程を示
す説明図である。
Claims (5)
- 【請求項1】透明基板に固体撮像素子が実装されてなる
固体撮像装置の製造方法において、 上記透明基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 上記絶縁層上に所定のパターンを有する配線層を形成す
る配線層形成工程と、 上記配線層の形成後、上記絶縁層形成工程によって形成
された上記絶縁層のうち、上記固体撮像素子の受光領域
に対応する部分を除去して、該透明基板の受光領域表面
を露出させる絶縁層除去工程と、 上記配線層に上記固体撮像素子を接合する接合工程とを
含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項2】上記配線層形成工程では、配線層のパター
ン形成時に、配線パターンと同時に識別マークを形成
し、 上記接合工程では、上記識別マークと固体撮像素子に形
成されているアライメントマークとを基準としてアライ
メントを行い、固体撮像素子の電極と上記配線パターン
の固体撮像素子用接続端子とを接続することを特徴とす
る請求項1記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項3】上記配線層形成工程で形成される配線パタ
ーンはAl系合金材料で形成されていると共に、上記固
体撮像素子には上記配線と接続される電極が突起電極と
して設けられており、 上記接合工程では、固体撮像素子の突起電極と上記配線
パターンの固体撮像素子用接続端子とを超音波接続工法
によって接続することを特徴とする請求項1または2記
載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項4】上記固体撮像装置は、1枚の透明基板母材
上に複数枚の固体撮像装置がマトリクス状に形成された
後、ダイシング工程によって個々の固体撮像装置に分割
されて形成されるものであり、 さらに、上記接合工程の後で上記ダイシング工程の前
に、上記透明基板母材の固体撮像素子が実装された側か
ら、上記固体撮像素子よりも大きな開口部が設けられた
マスクを被せ、印刷法によって上記固体撮像素子と上記
マスクの開口部との隙間に樹脂を押し込むことによって
上記固体撮像素子の周囲に封止樹脂を形成する封止工程
を含むことを特徴とする請求項1ないし3の何れかに記
載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項5】上記請求項1ないし4の何れかに記載の製
造方法によって製造された固体撮像装置。
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