JP2001265286A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2001265286A
JP2001265286A JP2000072382A JP2000072382A JP2001265286A JP 2001265286 A JP2001265286 A JP 2001265286A JP 2000072382 A JP2000072382 A JP 2000072382A JP 2000072382 A JP2000072382 A JP 2000072382A JP 2001265286 A JP2001265286 A JP 2001265286A
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crystal display
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JP2000072382A
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Hajime Sato
肇 佐藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 駆動回路をガラス基板上に一体に形成した液
晶表示装置において、基板上のD/Aコンバータの占有
面積を少なくし、高精細でコンパクトな液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】 外部駆動回路150と信号線ドライバ1
30との間に、外部駆動回路150から出力された低精
細、高階調信号を高精細、低階調信号に変換して信号線
ドライバ130に供給する信号処理回路140を設け、
通常よりも階調数の少ないD/Aコンバータ132を使
用できるようにして、基板上におけるD/Aコンバータ
の占有面積が少なくなるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、高精細なディス
プレイ画面を備えた液晶表示装置に関し、詳しくは低精
細、高階調信号を高精細、低階調信号に変換する機能を
備えた液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は軽量、薄型、低消
費電力の特性を活かし、OA機器のディスプレイなどを
中心に各種分野に普及しつつある。とくに各画素毎にス
イッチ素子を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、隣接する画素間でのクロストークを最小限に抑え
ることができるため、パーソナルコンピュータのディス
プレイや大型カラー液晶パネルのように高精細な表示画
像が要求される分野で多く使用されている。
【0003】現在、液晶表示装置の解像度は、大型パネ
ルで主流となっているもののうち最も高精細の12.1
インチXGA規格(画素数1024×768)のパネル
でも106dpi(dot per inch)程度で
ある。これに対して、印刷物は300〜400dpiが
一般的であり、液晶表示装置を印刷物の代わりに使うに
は高精細パネルでも解像度が不足しているといえる。近
年では、低温p−si(ポリシリコン)技術により、ア
ナログサンプルホールド方式の駆動回路をガラス基板上
に一体で形成することで、〜200ppi(pixel
per inch)のパネルが実現できるようになっ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記駆動回
路でサンプリングされたデジタルのビデオ信号(階調信
号)をアナログのビデオ信号に変換するD/Aコンバー
タについてはガラス基板外のプリント配線基板上に別途
形成されており、実装スペースの拡大、コスト増の要因
となっていた。この問題は、D/Aコンバータを駆動回
路と同じくガラス基板上で一体に形成することで解決す
ることができる。しかし、256階調程度の多階調のD
/Aコンバータは回路の占有面積が大きいため、高精細
パネルを構成するガラス基板上に一体に形成するには、
広い額縁部が必要となり、コンパクトな液晶表示装置を
実現することが難しいという問題点があった。
【0005】この発明は、D/Aコンバータによる回路
の占有面積を少なくすることにより、高精細でコンパク
トな液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、互いに交差する複数の走査線及
び複数の信号線、これら走査線及び信号線の各交差部に
配置された複数のスイッチ素子、前記スイッチ素子を介
して前記信号線に接続された複数の画素電極、及び外部
から入力された階調信号を前記画素電極に書き込む駆動
回路が一体に形成された第1の電極基板と、前記画素電
極と相対する対向電極が形成された第2の電極基板と、
これら基板間に介在された液晶層とを備えた液晶表示装
置において、外部から入力された低精細、高階調信号を
高精細、低階調信号に変換して前記駆動回路に供給する
信号処理回路を設けたことを特徴とする。
【0007】請求項2の発明は、請求項1において、前
記信号処理回路を、前記第1の電極基板上に前記駆動回
路とともに一体で形成したことを特徴とする。
【0008】請求項3の発明は、請求項1において、前
記信号処理回路で階調信号を変換することにより、高階
調信号がiビット信号で、低階調信号がjビット信号の
ときに、jビットの階調画素でiビット階調の表示を行
うことを特徴とする。
【0009】また請求項4の発明は、請求項1及び2に
おいて、前記信号処理回路は、低精細の一画素に対応す
る高階調信号の階調レベルを、前記低精細の一画素に相
当する高精細の低階調画素数で除算し、その商を前記高
階調信号を低階調画素に分散するための近似値として算
出する手段と、前記除算により余が生じたときは、この
余を1又は複数の低階調画素に対し面積階調のアルゴリ
ズムに従って配置する手段とにより構成されることを特
徴とする。
【0010】請求項4の発明における好ましい態様とし
て、前記信号処理回路を構成する各手段を、例えば除算
回路、エンコーダ回路、加算回路などで構成される組み
合わせ回路で実現する。あるいは、CPUなどの演算処
理回路と上記各手段の処理手順を記述したプログラムを
用い、このプログラムに従ってCPUを制御することに
より、上記各演算処理を実行するように構成する。
【0011】さらに請求項5の発明は、請求項4におい
て、前記面積階調のアルゴリズムは、Bayer形のデ
ィザマトリクスであることを特徴とする。
【0012】請求項5の発明における好ましい態様とし
て、前記面積階調のアルゴリズムを誤差分散形のディザ
マトリクスとする。
【0013】上記構成による液晶表示装置によれば、前
記信号処理回路で変換された高精細、低階調信号により
表示を行うようにしたため、通常よりも階調数の少ない
D/Aコンバータを使うことが可能となり、基板上にお
けるD/Aコンバータの占有面積を少なくすることがで
きる。この場合、画面上での階調情報は少なくなるが、
人間の目は高精細ディスプレイのように細かなピッチで
変化するパターンに対してはコントラストに対する感度
が落ちるため、階調情報が少なくなっても視者に認識さ
れにくく、このため通常の階調数をもつD/Aコンバー
タを使用した場合と遜色のない画質を得ることができ
る。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係わる液晶表示
装置の実施形態を添付の図面を参照しながら説明する。
【0015】図1は、この実施形態に係わる駆動回路一
体型の液晶表示装置の回路構成図である。また図2は、
図1に示す表示画素部110の部分断面図である。
【0016】この液晶表示装置100は、複数の表示画
素10が形成された表示画素部110、走査線ドライバ
120、信号線ドライバ130、及び信号処理回路14
0とから構成されている。
【0017】このうち、走査線ドライバ120、信号線
ドライバ130及び信号処理回路140は、アレイ基板
101上において、後述する信号線11、走査線12及
び画素電極14などと一体に形成されている。
【0018】表示画素部110は、アレイ基板101上
に複数本の信号線11及びこれと交差する複数本の走査
線12がマトリクス状に配置されており、両線の各交差
部にはスイッチ素子としてのTFT13が配設されてい
る。信号線11と走査線12とは、図示しない絶縁膜に
より電気的に絶縁されている。
【0019】TFT13のソース電極は信号線11に接
続され、ドレイン電極は画素電極14に接続されてい
る。この画素電極14と相対して配置された対向電極1
5は、図2に示すように対向基板102上に形成されて
いる。画素電極14と対向電極15の間には液晶層16
が狭持され、液晶容量(Clc)を形成している。ま
た、画素電極14には対向電極15との電位関係を保持
するために、並列に補助容量17が接続されている。こ
の補助容量17は画素電極14と図示しない補助容量配
線との間に容量(Cs)を形成している。
【0020】対向電極15には、外部駆動回路150か
ら一定のコモン電圧が与えられている。後述する信号線
ドライバ130から信号線11を通じて書き込まれたビ
デオ信号(階調信号)は、液晶容量Clcと容量Csに
より1フレーム走査期間保持される。
【0021】走査線ドライバ120は、シフトレジスタ
121及びバッファ回路122などで構成されており、
外部駆動回路150から供給される垂直のクロック/ス
タート信号に基づいて、各走査線12に順次走査信号を
出力する。
【0022】信号線ドライバ130は、シフトレジスタ
131、D/Aコンバータ132及び図示しないビデオ
バス配線などで構成されている。シフトレジスタ131
は、外部駆動回路150からビデオ信号とともに供給さ
れる水平のクロック/スタート信号に基づいて、ビデオ
信号を所定のタイミングで信号線11にサンプリングす
る。
【0023】信号処理回路140は、外部駆動回路15
0から入力される低精細、高階調信号を、高精細、低階
調信号に変換して信号線ドライバ130に供給する。
【0024】このような階調信号の変換を実現するた
め、信号処理回路140は、外部駆動回路150から入
力される低精細の一画素に対応する高階調信号の階調レ
ベル(以下、階調情報)を、前記低精細の一画素に相当
する高精細の低階調画素数で除算し、その商を前記高階
調信号を低階調画素に分散するための近似値として算出
する近似値算出回路141と、前記除算により余りが生
じたときは、この余りを1又は複数の低階調画素に対し
面積階調のアルゴリズムに従って配置する余配置回路1
42とから構成されている。これらの回路141、14
2は、例えば除算回路、エンコーダ回路、加算回路など
で構成される組み合わせ回路で実現することができる。
【0025】外部駆動回路150は、図示しないコント
ロールICなどで構成され、外部機器から供給される基
準クロック信号やデジタルのビデオ信号などを適宜に変
換及び加工して、走査線ドライバ120や信号処理回路
140などに出力する。この外部駆動回路150と液晶
表示装置100との間は、図示しないFPC(フレキシ
ブル配線基板)により電気的に接続されている。
【0026】次に、信号処理回路140における階調信
号の変換処理について説明する。
【0027】ここでは、低精細、高階調信号を高精細、
低階調信号に変換する例として、図3に示すような0か
ら255階調の高階調信号(以下、8ビット階調信号)
を、0から15階調の低階調信号(以下、4ビット階調
信号)に変換する場合を例として説明する。なお、8ビ
ット階調信号の一画素は、4ビット階調信号の16画素
(4×4のマトリクス配列)に対応するものとする。
【0028】まず、外部駆動回路150から信号処理回
路140に入力された8ビット階調信号の階調情報は、
近似値算出回路141で除算される。ここでは、8ビッ
ト階調信号を16個の4ビット階調信号にするために、
階調情報は16で除算される。この除算の結果、商及び
(又は)余りが出力される。ここで得られた商は、8ビ
ット階調信号を16個の画素に分散するための近似値と
なる。したがって、商は16個の画素に分散される。例
えば図3の階調情報16について見てみると、16/1
6=1(商)となるため、16個の画素に1が分散され
る。また余りが出た場合には、余配置回路142におい
て、1又は複数の画素に対し面積階調のアルゴリズムで
あるBayer形のディザマトリクスに従って配置され
る。
【0029】図4は4×4のBayer形ディザマトリ
クスの説明図である。このディザマトリクスは、余りと
して出力された階調情報を16個の画素上にランダムに
配置するための順序を示すテーブルであり、0から15
までの番号が所定の規則に従って配置されている。
【0030】面積階調のアルゴリズムとしては、このB
ayer形のディザマトリクスのほかに、誤差分散形の
ディザマトリクスなどがある。
【0031】近似値算出回路141による除算で出力さ
れた余りは、図4に示すマトリクスに従って配置され
る。例えば図3の階調情報17について見てみると、余
り1は図4の「0」に対応する位置に配置され、その画
素のみ階調情報は2となる。また階調情報19について
見てみると、余り3は、図4の「0」、「1」、「2」
に対応する位置に配置され、その3つの画素の階調情報
はそれぞれ2となる。
【0032】図3に示すように、8ビット階調信号を4
ビット階調信号に変換した場合は、階調情報が少なくな
るため、画像品位の低下が懸念される。しかし、200
ppi程度以上の高精細ディスプレイでは、視者が通常
の視距離から見た場合、その画素ピッチは眼の解像度限
界(視角約1分、45cmの距離から画素ピッチ:12
7μm(200ppi)のディスプレイを見る場合に相
当)に近づくが、人間の目は、このような細かなピッチ
で変化するパターンに対してはコントラストに対する感
度が落ちることが明らかとなっている(河原・大頭:応
用物理、p128〜p138(1977)など)。すな
わち、高精細ディスプレイにおいては、必ずしも高階調
信号は必要ではなく、画像品位の劣化が認識されない範
囲で階調数を落とすことができることになる。
【0033】この実施形態においては、印刷物並みの解
像度を実現するために、画素ピッチを200ppiとし
た。また、カラー表示を行うために3色ストライプ配
列、すなわちR,G,Bの順に信号線毎に別々の色のス
トライプ形状のカラーフィルタを用い、3信号線ピッチ
で1画素を構成するようにしているため、信号線間隔は
42μmと狭くなっている。このため、一般的な液晶表
示装置で使われる6〜8ビット階調のD/Aコンバータ
を5mm程度の額縁幅に収めることは困難であり、広い
額縁幅が必要となる。一方、この実施形態の場合には、
4ビット階調のD/Aコンバータ(132)を使うこと
ができるため、5mm程度の狭い額縁幅に収めることが
可能となり、コンパクトな液晶表示装置を実現すること
ができる。しかも、200ppiの高精細ディスプレイ
で表示した場合でも、全信号線に8ビット階調のD/A
コンバータを接続した場合と遜色ない画質を得ることが
できる。
【0034】このように、除算により得られた商を16
個の画素に分散することにより、画面上の高精細部にお
いて必要な階調(この例では4ビット階調)を確保する
ことができるだけでなく、除算による余りはディザマト
リクスに従って配置されるため、空間周波数の低い部分
においても高階調表示を行うことができる。
【0035】次に、信号処理回路140による階調信号
の変換処理をCPUなどの演算処理回路とプログラムを
用いて実現した場合の実施形態について説明する。
【0036】図5は、信号処理回路140による階調信
号の変換処理の手順を示すフローチャートである。信号
処理回路140においては、このフローチャートを記述
したプログラムに従ってCPUが制御される。
【0037】まず、外部駆動回路150から入力された
8ビット階調信号の階調情報Xを16で除算する(ステ
ップ101)。ここで、商:A、余り:Bを出力する。
続いて、前記商Aを16個の画素に分散し(ステップ1
02)、余りBが少なくとも1以上かどうかを判定する
(ステップ103)。Yesであれば、余りBをBay
er形のディザマトリクスに従って配置し(ステップ1
04)、4×4のマトリクス配列の4ビットデータをシ
フトレジスタ131に出力する(ステップ105)。ま
たステップ103でNoあれば、ステップ105へ進
み、ステップ102で得られた4×4のマトリクス配列
の4ビットデータをシフトレジスタ131に出力する。
このような階調信号の変換処理は入力された階調信号に
ついて逐次に実行される。
【0038】次に、この実施形態による液晶表示装置1
00の製造方法を図6を用いて説明する。図6は液晶表
示装置の製造プロセスを示す概略断面図であり、破線の
右側の領域は画素部(表示画素部110)、左側の領域
が駆動回路部(走査線ドライバ120など)を示してい
る。以下、図6の(a)〜(f)の順に説明する。
【0039】(a)ガラスなどの透明絶縁基板50上
に、プラズマCVD法により厚さ50nmのアモルファ
スシリコン(a−Si)薄膜51を堆積し、このアモル
ファスシリコン薄膜51をXeClエキシマレーザ装置
でアニールすることで多結晶化する。ここで、前記Xe
Clエキシマレーザ装置からのレーザ光52は、図中A
の方向に走査され、このレーザ光52が照射された領域
は結晶化され多結晶シリコン膜53となる。その際、レ
ーザ照射エネルギーを段階的に上げて複数回照射を行う
ことにより、アモルファスシリコン膜中の水素を効果的
に抜くことができ、結晶化時のアブレーションを防ぐこ
とができる。なお、照射エネルギーは200〜500m
J/cm とする。
【0040】(b)多結晶シリコン膜53をフォトリソ
グラフィ法を用いてパターニングし、薄膜トランジスタ
の活性層54を形成する。
【0041】(c)シリコン酸化膜によるゲート絶縁膜
55をプラズマCVD法で形成した後、モリブデン−タ
ングステン合金膜をスパッタ法で成膜、パターニングす
ることでゲート電極56を形成する。また、前記パター
ニング時に走査線も同時に形成する。ゲート絶縁膜55
としては、このほかに窒化シリコン膜や常圧CVD法に
よるシリコン酸化膜を使うことができる。
【0042】ゲート電極56を形成後に、ゲート電極5
6をマスクとしてイオンドーピング法で不純物を打ち込
み、薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域54aを
形成する。不純物としては、N−chトランジスタにつ
いてはリンを、P−chトランジスタについてはボロン
を用いることができる。画素部のトランジスタについて
はオフ時のリーク電流を抑えるためにLDD(Ligh
tly DopedDrain)構造を用いるのが効果
的である。この場合、ソース/ドレイン電極54aへの
不純物注入後にゲート電極56を再パターニングし、一
定量だけ細かくした後、再度低濃度の不純物打ち込みを
行う。
【0043】(d)ゲート電極56上にプラズマCVD
法又は常圧CVD法でシリコン酸化膜による第1の層間
絶縁膜57を形成する。
【0044】(e)第1の層間絶縁膜57及びゲート絶
縁膜55にコンタクトホールを形成後、スパッタ法でA
l膜を形成、パターニングすることでソース/ドレイン
電極59、60を形成する。このとき、信号線も同時に
形成する。
【0045】(f)前記Al膜上に低誘電率絶縁膜(第
2の層間絶縁膜)61を形成する。低誘電率絶縁膜61
としてはプラズマCVD法で作成した窒化シリコン膜で
もよいし、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜等の低誘電
率絶縁膜の多層膜でもよい。そして、低誘電率絶縁膜6
1にコンタクトホールを形成し、ITO(Indium
Tin Oxide)膜62を形成、パターニングす
ることで画素電極を形成する。
【0046】以上のプロセスにより、透明絶縁基板50
上に画素部と駆動回路部とを一体で形成することができ
る。この後、透明絶縁基板50と、図示しない対向電極
が形成された対向基板とを対向し、周囲をエポキシ樹脂
からなるシール材で密閉し、内部に液晶組成物を注入、
封止することで液晶表示装置を完成することができる
(図2参照)。
【0047】なお、p−Si(ポリシリコン)TFT
は、a−SiTFTに比べて電子の移動度が二桁程度高
いため、TFTサイズを小さくすることが可能であり、
周辺駆動回路をも同時に基板上に一体に形成することが
できる。この周辺回路としては、高速化、低消費電力化
を図るためにCMOS構造とすることが望ましい。その
ため、前記不純物ドーピング工程は、レジストマスクを
用いてP型及びN型不純物ドーピング工程の2回に分け
て行っている。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係わる
液晶表示装置においては、外部から入力された低精細、
高階調信号を高精細、低階調信号に変換して表示するよ
うにしたため、通常よりも階調数の少ないD/Aコンバ
ータを使うことが可能となり、基板上におけるD/Aコ
ンバータの占有面積を少なくすることができる。しか
も、高精細ディスプレイにおいても、通常の階調数をも
つD/Aコンバータを使用した場合と遜色のない画質を
得ることができるため、高精細でかつコンパクトな液晶
表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態に係わる駆動回路一体型の液晶表示装
置の回路構成図。
【図2】図1に示す表示画素部の部分断面図。
【図3】8ビット階調信号を4ビット階調信号に変換処
理したときの説明図。
【図4】4×4のBayer形ディザマトリクスの説明
図。
【図5】信号処理回路による階調信号の変換処理の手順
を示すフローチャート。
【図6】液晶表示装置の製造プロセスを示す概略断面
図。
【符号の説明】
100…液晶表示装置,101…アレイ基板,102…
対向基板 110…表示画素部,120…走査線ドライバ,130
…信号線ドライバ 132…D/Aコンバータ,140…信号処理回路, 141…近似値算出回路,142…余配置回路,150
…外部駆動回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641P 641H 650 650C H04N 5/66 102 H04N 5/66 102B Fターム(参考) 2H093 NA54 NC24 ND06 ND17 ND43 5C006 AA13 AC21 AF47 AF82 BB16 BC16 BF03 FA43 5C058 AA06 BA08 BA25 BB05 5C080 AA10 BB05 DD22 EE29 FF11 GG09 GG12 JJ01 JJ02 JJ06 JJ07 5G435 AA18 BB12 CC09 EE30 EE34

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに交差する複数の走査線及び複数の
    信号線、これら走査線及び信号線の各交差部に配置され
    た複数のスイッチ素子、前記スイッチ素子を介して前記
    信号線に接続された複数の画素電極、及び外部から入力
    された階調信号を前記画素電極に書き込む駆動回路が一
    体に形成された第1の電極基板と、前記画素電極と相対
    する対向電極が形成された第2の電極基板と、これら基
    板間に介在された液晶層とを備えた液晶表示装置におい
    て、 外部から入力された低精細、高階調信号を高精細、低階
    調信号に変換して前記駆動回路に供給する信号処理回路
    を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記信号処理回路を、前記第1の電極基
    板上に前記駆動回路とともに一体で形成したことを特徴
    とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記高階調信号がiビット信号で、低階
    調信号がjビット信号のときに、jビットの階調画素で
    iビット階調の表示を行うことを特徴とする請求項1に
    記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記信号処理回路は、低精細の一画素に
    対応する高階調信号の階調レベルを、前記低精細の一画
    素に相当する高精細の低階調画素数で除算し、その商を
    前記高階調信号を低階調画素に分散するための近似値と
    して算出する手段と、前記除算により余が生じたとき
    は、この余を1又は複数の低階調画素に対し面積階調の
    アルゴリズムに従って配置する手段とから構成されるこ
    とを特徴とする請求項1及び2に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記面積階調のアルゴリズムは、Bay
    er形のディザマトリクスであることを特徴とする請求
    項4に記載の液晶表示装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100512512B1 (ko) * 2001-11-14 2005-09-07 산요덴키가부시키가이샤 반도체 장치
WO2009122863A1 (ja) * 2008-04-03 2009-10-08 コニカミノルタエムジー株式会社 画像表示システム及び画像表示プログラム

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