JP2001250867A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒューズを完全に切断して電気的導通を確実
に絶つことにより歩留りを向上させるとともに、ヒュー
ズの近傍から水分が侵入することを抑止する。 【解決手段】 半導体基板１の上層において層間絶縁膜
３上に形成された複数のヒューズ用配線２を備えた半導
体装置であって、層間絶縁膜３には、隣接するヒューズ
用配線２間において溝７が形成されており、ヒューズ用
配線２の側面から上面にかけてを覆うように所定の膜厚
のシリコン窒化膜８が形成されている。ヒューズ用配線
２の側面及び上面を均一な膜厚のシリコン窒化膜８で覆
うようにしたため、ヒューズ用配線２を覆う膜の強度が
局部的に低下することが抑止され、レーザを照射して切
断する際に温度上昇が不十分の状態で溶融したヒューズ
用配線２が流れ出してしまうことを抑止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特にヒューズ素子を搭載した半導体
装置に適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】近時の半導体装置、特にダイナミック・
ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）等のメモリに
おいては、不良メモリセルを冗長セルへ切り替えるスイ
ッチとして、また、内部レベル調整のための切り替えス
イッチとして、レーザヒューズ（以下、ヒューズと称す
る）が搭載されている。

【０００３】このヒューズの構造は多岐に渡るものであ
るが、通常の金属配線をヒューズとして半導体基板上の
最上層に形成し、レーザの照射によって切断するものが
一般的である。

【０００４】図４は、従来の一般的なヒューズの構造を
示す模式図であり、図４（ａ）は、半導体基板１０１上
の最上層に形成されたヒューズの配置を示す平面図であ
る。そして、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す一点鎖線
ＩＶ−ＩＶ’に沿った断面を示す概略断面図である。ま
た、図４（ｃ）、図４（ｄ）は図４（ａ）に示す一点鎖
線ＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿った断面を示す概略断面図であ
る。ここで、図４（ｃ）は、レーザによるヒューズの切
断前の状態を、図４（ｄ）は、レーザによるヒューズの
切断後の状態を示している。

【０００５】図４を参照しながら、従来の一般的なヒュ
ーズの構造について説明する。図４（ａ）及び図４
（ｂ）に示すように、ヒューズ用配線１０２は、半導体
基板１０１上の最上層部において複数個が並行して配置
されており、それぞれがスルーホール１０８を介して配
線層１０６，１０７を電気的に接続している。ヒューズ
用配線１０２は、層間絶縁膜１０９によって側面及び上
面が覆われており、層間絶縁膜１０９上には最上層の膜
としてシリコン窒化膜１１０が形成されている。

【０００６】ヒューズ用配線１０２を切断する際は、レ
ーザを半導体基板１０１の上方から照射してヒューズ用
配線１０２の温度を上昇させる。ヒューズ用配線１０２
は熱を吸収するに従い、固相から液相、液相から気相へ
と変化し、これに伴う圧力上昇がヒューズ用配線１０２
の周辺部の機械強度を超えたときに爆発し、切断が成さ
れる。切断後には、図４（ｄ）に示すように、ヒューズ
用配線１０２の側面及び上面を覆っていた層間絶縁膜１
０９及びシリコン窒化膜１１０が吹き飛ばされて、凹部
１１２（クレータ）が形成される。

【０００７】このような従来のヒューズの構成において
は、ヒューズ用配線１０２の周囲を囲むように耐湿リン
グ１０３が形成されている。耐湿リング１０３は、半導
体基板１０１上から最上層にかけての複数の層において
リング状に形成された配線層１０４の集合からなるリン
グであり、最も下層においては半導体基板１０１と接続
されている。そして、各配線層１０４はスルーホール１
０５を介して電気的に接続されている。図４（ｄ）に示
すように、レーザを照射してヒューズ用配線１０２を切
断すると、切断位置近傍の層間絶縁膜１０９にクラック
１１１が生じてしまう。耐湿リング１０３は、クラック
１１１から侵入した水分がヒューズ用配線１０２の周辺
に拡散しないように浸透を抑える役割を果たしている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示すような従来のヒューズの構造では、ヒューズ用配線
１０２を切断したときに飛び散った破片が凹部１１２の
底面あるいは側壁に付着することにより、ヒューズ用配
線１０２の一部１０２’が残存するという問題が生じて
いた。これにより、切断が完全に成されない場合が生
じ、切断の歩留りを低下させる要因となっていた。

【０００９】また、近年の半導体装置の微細化に伴いヒ
ューズ間隔も縮小化が要求されてきているが、ヒューズ
間隔を小さくしていった場合、凹部１１２が隣接するヒ
ューズ用配線１０２の近傍にまで達してしまう。そのた
め、次に隣接するヒューズ用配線１０２を切断しようと
した場合に機械的強度が安定せず、レーザ照射による温
度上昇が十分に成されないため切断不良が生じて歩留り
が低下していた。

【００１０】更に、ヒューズ用配線１０２の一部１０
２’が水分、酸、アルカリ等と反応して水性酸化物が形
成されると、切断直後においては導通が絶たれていたと
しても、切断箇所の両側の配線層１０６，１０７に高電
圧が印加されることによってこれらの化合物が移動して
切断抵抗の経時劣化が生じ、切断した位置に電気的なパ
スが形成されてしまうという問題が生じていた。

【００１１】また、凹部１１２の底面から発生するクラ
ック１１１にヒューズ用配線１０２の素材であるアルミ
ニウム等の金属の高圧蒸気がしみ込み、隣接するヒュー
ズ用配線１０２や他の配線層とショートしてしまうとい
った問題も生じていた。このクラック１１１は、隣接ヒ
ューズ間のリークや断線を引き起こすだけでなく、ヒュ
ーズ周辺の回路配線部への直接ダメージや水分侵入によ
る腐食を引き起こす可能性もある。

【００１２】一方、特開平７−３０７３８７号公報に
は、隣接するヒューズ用配線１０２間に溝を形成した構
成が開示されている。図５は、同公報に開示の構成を、
上述の図４と同様に、平面図、断面図で示したものであ
る。図５（ａ）は、半導体基板上の最上層に形成された
ヒューズの配置を示す平面図である。そして、図５
（ｂ）は、図５（ａ）に示す一点鎖線ＶＩ−ＶＩ’に沿
った断面を示す概略断面図である。また、図５（ｃ）、
図５（ｄ）は図５（ａ）に示す一点鎖線Ｖ−Ｖ’に沿っ
た断面を示す概略断面図である。ここで、図５（ｃ）
は、レーザによるヒューズの切断前の状態を、図５
（ｄ）は、レーザによるヒューズの切断後の状態を示し
ている。

【００１３】図５に示す構成では、図５（ｃ）及び図５
（ｄ）に示すように、並行して配置されたヒューズ用配
線１０２の間に溝１１３が形成されている。その他の構
成部材については、図４に示したものと同一であり、図
５においては、図４と同一の機能を有する構成部材につ
いては、同一の符号を記している。

【００１４】同公報に開示の構成によれば、レーザによ
りヒューズ用配線１０２を切断した場合には、図５
（ｄ）に示すように、ヒューズ用配線１０２間に存在す
る溝１１３によって切断開口部が大きくなるため、切断
によって飛び散ったヒューズ用配線１０２の金属が切断
箇所に付着することを抑制することができる。また、図
４に示す構成とは異なり、凹部１１２が形成されること
はないため、ここからのクラック１１１の発生も抑制す
ることができる。

【００１５】このような溝１１３を有するヒューズ構造
は、ヒューズ間に溝１１３を形成するためのマスクを用
いてレジストをパターニングした後、異方性エッチング
を用いて層間絶縁膜１０９に対してヒューズ用配線１０
２の底面深さよりも深い溝１１３を形成することによっ
て作られる。

【００１６】しかしながら、同公報に記載の方法では、
ヒューズ用配線１０２の位置と溝１１３の位置合わせを
厳密に行わないと、ヒューズ用配線１０２の両側面を覆
う層間絶縁膜１０９の厚さが異なることとなる。

【００１７】前述したように、ヒューズ用配線１０２の
切断は、レーザ照射によりヒューズ用配線１０２を構成
する金属材の温度を上昇させ、気化させて破裂させるこ
とにより行う。この際、ヒューズ用配線１０２は層間絶
縁膜１０９によって側面及び上面を覆われているため、
温度上昇により内部の圧力が徐々に高まり、層間絶縁膜
１０９の強度を超えた時に、気化した金属材が破裂して
層間絶縁膜１０９が吹き飛ばされて切断が成される。

【００１８】ヒューズ用配線１０２の両側面における層
間絶縁膜１０９の膜厚が異なると、両側面における機械
的強度が不均一となるため、破裂に必要な圧力に到達す
る前に薄い側の側壁が破れてしまい、温度上昇が十分で
ないヒューズ用配線１０２の金属材が溝１１３に向かっ
て排出されるという現象が発生する。この場合、ヒュー
ズ用配線１０２は完全に気化しておらず、液体の状態の
まま排出されるため、ヒューズ用配線１０２の切断が完
全に成されないという問題が生じていた。

【００１９】そして、ヒューズ用配線１０２の両側面に
おける層間絶縁膜１０９の膜厚を均一にするためには、
ヒューズ用配線１０２の位置に合わせて溝１１３を形成
する必要があり、溝１１３を形成するためのレジストの
フォトマスクの位置合わせが非常に煩雑なものとなって
いた。

【００２０】また、同公報に記載の方法では、ヒューズ
用配線１０２の両側に溝１１３を形成したことにより、
この溝１１３において層間絶縁膜１０９の側面が露出し
てしまう。シリコン酸化膜等から成る層間絶縁膜１０９
は一般に耐湿性が良好でないため、この露出部位から水
分が侵入してしまうという問題も生じていた。

【００２１】このため、ヒューズ部の外周に幅太の積層
配線から成る耐湿リング１０３を設けておく必要が生
じ、ヒューズ領域を縮小する上での障害となっていた。
特に、信号配線の配線材として銅などの耐湿性が劣る材
料を用いた場合には、耐湿リング１０３自体が腐食する
可能性があり、信頼性が低下するという問題も生じてい
た。

【００２２】また、微細化の要請によりヒューズ間隔を
狭める場合には、ヒューズ用配線１０２の底面近傍まで
の深さを有する溝１１３をエッチングすることが極めて
困難になるという問題もあった。

【００２３】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたものであり、ヒューズ用配線を完全に切断し
て電気的導通を確実に絶つことができるようにすること
により切断の歩留りを向上させるとともに、大面積を要
する耐湿リングを設けることなく、ヒューズ用配線の近
傍から水分が侵入することを抑止できるようにし、且
つ、簡素な工程でヒューズ用配線間に確実に溝を形成し
て微細化を達成することを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板の上層において第１の絶縁膜上に形成された
複数のヒューズ用配線を備えた半導体装置であって、前
記第１の絶縁膜には、少なくとも隣接する前記ヒューズ
用配線間において前記ヒューズ配線同士の間隔と同一幅
の溝が形成されており、前記ヒューズ用配線の側面から
上面にかけてを覆うとともに前記溝の内面を覆うように
略均一な膜厚の第２の絶縁膜が形成されている。

【００２５】本発明の半導体装置の一態様例において
は、前記第２の絶縁膜がシリコン窒化膜等の耐湿性を有
する絶縁膜である。

【００２６】本発明の半導体装置の一態様例において
は、前記ヒューズ用配線の全周が前記溝により囲まれて
いる。

【００２７】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板の上層に形成された第１の絶縁膜上に所定形状の複
数のヒューズ用配線を形成する第１の工程と、前記ヒュ
ーズ用配線をマスクとして、隣接する前記ヒューズ用配
線の間における前記第１の絶縁膜を所定量除去して溝を
形成する第２の工程と、前記ヒューズ用配線の側面及び
上面にかけてを覆うとともに前記溝の内面を覆う所定の
膜厚の第２の絶縁膜を形成する第３の工程とを有する。

【００２８】本発明の半導体装置の製造方法の一態様例
においては、前記第２の絶縁膜をシリコン窒化膜等の耐
湿性を有する絶縁膜としている。

【００２９】

【作用】本発明は上記技術手段より成るので、ヒューズ
用配線の両側面における絶縁膜の膜厚が均一に形成され
るため、両側面における絶縁膜の強度が均一に形成され
る。従って、レーザの照射によりヒューズ用配線を切断
する際に、一方の側面における絶縁膜が先に破れて温度
上昇が不十分のままヒューズ用配線が液体の状態で当該
側面から流出することを抑止することができ、ヒューズ
用配線の確実な切断が可能となる。

【００３０】また、本発明の他の特徴によれば、ヒュー
ズ用配線の両側面に耐湿性を有する絶縁膜を形成するこ
とにより、上層から水が侵入することが抑止されるとと
もに、耐湿リングを設ける必要がなくなるため、省スペ
ース化を達成することができる。

【００３１】また、本発明の他の特徴によれば、ヒュー
ズ用配線をマスクとして隣接するヒューズ用配線間に溝
を形成するため、溝を形成するための高精度位置合わせ
工程の必要がなくなるとともに、幅狭の溝を容易に形成
することができ、装置の微細化を達成することが可能と
なる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る半導体装置の構成を示す模式図である。図１
（ａ）は、半導体基板上の最上層に形成されたヒューズ
の配置を示す平面図である。そして、図１（ｂ）は、図
１（ａ）に示す一点鎖線Ｉ−Ｉ’に沿った断面を示す概
略断面図である。また、図１（ｃ）、図１（ｄ）は図１
（ａ）に示す一点鎖線ＩＩ−ＩＩ’に沿った断面を示す
概略断面図である。ここで、図１（ｃ）は、ヒューズを
切断する前の状態を、図１（ｄ）は、レーザ照射により
ヒューズを切断した後の状態を示している。また、図１
（ａ）においては、シリコン窒化膜８を省略した状態の
平面図を示している。

【００３３】図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、ヒ
ューズ用配線２は、半導体基板１上の最上層部におい
て、層間絶縁膜３上に複数個が並行して形成されてい
る。ヒューズ用配線２は、通常の配線材料であるアルミ
ニウム、銅等の材料から成るものであり、上層及び下層
にはチタン膜、窒化チタン膜等のバリアメタル膜が形成
されたものである。また、層間絶縁膜３としては、埋め
込み性に優れ、低誘電率のＨＤＰ−ＵＳＧ（High-Densi
ty Plasma-Undoped Silicate Glass）膜、ＢＰＳＧ（bo
ro-phospho silicate glass）膜等を用いる。図１
（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、ヒューズ用配線２
によって、スルーホール６に充填された配線材を介して
ヒューズ用配線２よりも下層に形成された配線層４及び
配線層５が電気的に接続されている。

【００３４】層間絶縁膜３には、隣接するヒューズ用配
線２間において溝７が形成されている。溝７は、底面の
位置がヒューズ用配線２と層間絶縁膜３との界面よりも
下に位置するようにその深さが設定されるとともに、側
面の位置が各ヒューズ用配線２の側面の位置と同じにな
るようにその幅が設定されている。一方、図１（ｂ）に
示すように、ヒューズ用配線２の延在する方向におい
て、ヒューズ用配線２の端部には溝７’が形成されてい
る。溝７と溝７’は底面が同一であり両者は互いに接続
されている。

【００３５】そして、ヒューズ用配線２の側面及び上面
を覆うように、シリコン窒化膜８が形成されている。シ
リコン窒化膜８は隣接するヒューズ用配線２間において
は溝７の側面及び底面を覆うように形成されている。ま
た、図１（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜８は溝
７’の側面及び底面も覆うように形成されている。

【００３６】上述のように溝７の底面をヒューズ用配線
２と層間絶縁膜３の界面よりも深い位置に設定するとと
もに、溝７の側面を各ヒューズ用配線２の側面と同じ位
置に設定することにより、ヒューズ用配線２の側面は全
てシリコン窒化膜８によって覆われることとなる。この
ように、耐湿性に優れたシリコン窒化膜８によってヒュ
ーズ用配線２を完全に覆うことにより、耐湿リングを設
けることなく水分の侵入を抑止することができる。ま
た、各ヒューズ用配線２の間を全て溝７として形成する
ことにより、ヒューズ用配線２と溝７との厳密な位置合
わせは不要となり、ヒューズ用配線２の両側面における
シリコン窒化膜８の付着量は同等となる。そして、ヒュ
ーズ用配線２の両側面におけるシリコン窒化膜８の膜厚
を略同一とすることにより、両側面におけるシリコン窒
化膜８の強度を均一に保つことができる。

【００３７】このように、ヒューズ用配線２の両側面に
シリコン窒化膜８を均一に形成することにより、ヒュー
ズ用配線２にレーザを照射した際に、温度上昇が十分で
ない状態でシリコン窒化膜８が破れてしまうことを抑止
することができる。従って、シリコン窒化膜８が破れて
液状のヒューズ用配線２が流れ出してしまうことを抑止
でき、レーザ照射によってヒューズ用配線２を加熱して
圧力を十分に高めた後、確実に破裂させてヒューズ用配
線２の切断を確実に行うことができる。

【００３８】図１（ｄ）は、レーザ照射による切断後の
ヒューズ用配線２の状態を示す断面図である。ここで
は、図１（ｃ）に示す３本のヒューズ用配線２のうち、
真ん中の１本を切断した状態を示している。レーザ照射
によってヒューズ用配線２の温度が上昇すると、シリコ
ン窒化膜８の内部の圧力が高まり、圧力がシリコン窒化
膜８の機械的強度を超えた時点で、破裂によりシリコン
窒化膜８が飛ばされてヒューズ用配線２が切断される。
ヒューズ用配線２の両側面におけるシリコン窒化膜８の
膜厚は均一であるため、圧力が低い状態でシリコン窒化
膜８が破れないようにすることができ、ヒューズ用配線
２の温度を十分高めて確実に切断することができる。

【００３９】また、ヒューズ用配線２の両側における層
間絶縁膜３に溝７を、ヒューズ用配線２の長手方向の端
部における層間絶縁膜３に溝７’を形成しているため、
破裂後においては図４（ｄ）で説明したような凹部１１
２が形成されることはない（図１（ｄ）参照）。従っ
て、切断後においてヒューズ用配線２の一部が残存して
しまうことを抑止でき、配線層４と配線層５の間に電気
的なパスが形成されてしまうことを抑止することができ
る。また、切断後において層間絶縁膜３にクラックが形
成されてしまうことを抑止することもできる。

【００４０】次に、図２を参照しながら、図１に示した
ヒューズを製造するための製造方法について説明する。
図２は、ヒューズの製造方法を工程順に示す概略断面図
である。

【００４１】図２（ａ）に示すように、先ず、半導体基
板１上の上層に層間絶縁膜３を形成し、ヒューズ用配線
２を含む各種配線層を形成した後、再び層間絶縁膜３を
形成して配線層を覆う。

【００４２】次に、図２（ｂ）に示すように、ヒューズ
用配線２が形成された所定の領域に開口９ａを有するフ
ォトレジスト９をフォトリソグラフィーにより形成す
る。その後、この形成したフォトレジスト９を用いてエ
ッチングレートを層間絶縁膜３に合わせて異方性エッチ
ングを行い、ヒューズ用配線２の間に溝７を形成する。
この場合、開口９ａの内部においては、ヒューズ用配線
２自体がエッチングマスクとなり、配線がない場所のみ
が溝７として深くエッチングされる。この際、溝７の底
面がヒューズ用配線２の下面よりも下層に位置するよう
にエッチングの量を制御する。

【００４３】溝７が形成されるのと同時に、図１（ｂ）
に示すように、ヒューズ用配線２の長手方向の端部にお
いても層間絶縁膜３に溝７’が形成される。このよう
に、ヒューズ用配線２の長手方向の端部にも溝７’を形
成することによって、切断の際に溝７’の近傍からクラ
ックが生じることも抑止することができる。

【００４４】次に、図２（ｃ）に示すように、灰化処理
（アッシング）等により、層間絶縁膜３上のフォトレジ
スト９を除去する。

【００４５】次に、図２（ｄ）に示すように、半導体基
板１上の全面にシリコン窒化膜８を形成してヒューズ用
配線２の側面及び上面を覆う。これにより、溝７，７’
もシリコン窒化膜８によって埋め込まれ、図１に示すよ
うなヒューズ構造が完成する。ヒューズ用配線２を覆う
シリコン窒化膜８の機械的強度はシリコン窒化膜８の膜
厚を可変することにより自由に設定可能である。従っ
て、ヒューズ用配線２を気化して破裂させるために必要
な強度を任意に設定することができる。

【００４６】以上説明したように、本発明の実施形態に
よれば、ヒューズ用配線２が存在しない部分をエッチン
グして溝７を形成し、その後ヒューズ用配線２の側面及
び上面にシリコン窒化膜８を成長させてヒューズを形成
するようにしたので、ヒューズ用配線２の側面及び上面
を均一な膜厚のシリコン窒化膜８で覆うことができ、ヒ
ューズ用配線２を覆う膜の強度が局部的に低下すること
を抑止できる。これにより、レーザを照射してヒューズ
用配線２を切断する際に、温度上昇が不十分な状態でシ
リコン窒化膜８が破れて溶融状態のヒューズ用配線２が
流出してしまうことを抑止できる。

【００４７】また、ヒューズ用配線２の両側における層
間絶縁膜３に溝７を形成することにより、層間絶縁膜３
に凹部（クレータ）が形成されることがなく、切断後に
ヒューズ用配線２の一部が残存して配線層４と配線層５
の間に電気的パスが形成されてしまうことを抑止するこ
とができる。また、層間絶縁膜３に凹部が形成されるこ
とがないため、下層に向かってクラックが発生すること
を抑止することができる。

【００４８】従って、レーザを照射することにより、確
実にヒューズ用配線２を切断することができ、安定した
切断歩留りを得ることができる。

【００４９】更に、ヒューズ用配線２及び下層の層間絶
縁膜３が、耐湿性に優れたシリコン窒化膜８に完全に覆
われる構造となるため、層間絶縁膜３に水分が侵入する
ことを抑止することができる。従って、従来のようにヒ
ューズ用配線２を囲むように耐湿リングを形成する必要
がなくなり、ヒューズ領域の縮小化及び製造工程の簡略
化を実現することができるとともに、コストを低減させ
ることが可能となる。また、図５に示した溝１１３に比
べて本実施形態の溝７を幅広にできるため、ヒューズ用
配線２の底面より深い溝７の形成を容易に行うことがで
きる。

【００５０】（変形例）次に、上述の実施形態の変形例
について図３を参照しながら説明する。図３は、図１
（ｃ）に相当する断面を示す概略断面図であり、この変
形例においては、ヒューズ用配線２を覆う積層膜以外の
構成要素については図１に示したものと同一である。

【００５１】図３に示すように、この変形例において
は、ヒューズ用配線２の側面及び上面は、シリコン窒化
膜８の代わりに２層構造の積層膜１０によって覆われて
いる。積層膜１０は、例えばシリコン酸化膜１０ａとシ
リコン窒化膜１０ｂの積層から成る膜であって、ここで
はシリコン酸化膜１０ａが直接ヒューズ用配線２を覆
い、更にその外側をシリコン窒化膜１０ｂが覆う構成と
されている。積層膜１０として３層以上から構成される
膜を用いても良い。

【００５２】このように、ヒューズ用配線２をシリコン
窒化膜１０ｂで直接覆わず、間にシリコン酸化膜１０ａ
を介在させることによって、ヒューズ用配線２とシリコ
ン窒化膜１０ｂとの間にストレスが生じることを抑止す
ることができる。また、積層膜１０を構成する膜を適宜
選択することによって、ヒューズ用配線２の両側の機械
的強度を所望の値に設定することも可能である。

【００５３】なお、本発明の特徴をまとめると以下に記
載の通りとなる。

【００５４】（１）半導体基板の上層において第１の絶
縁膜上に形成された複数のヒューズ用配線を備えた半導
体装置であって、前記第１の絶縁膜には、少なくとも隣
接する前記ヒューズ用配線間において前記ヒューズ配線
同士の間隔と同一幅の溝が形成されており、前記ヒュー
ズ用配線の側面から上面にかけてを覆うとともに前記溝
の内面を覆うように略均一な膜厚の第２の絶縁膜が形成
されていることを特徴とする半導体装置。

【００５５】（２）前記第２の絶縁膜がシリコン窒化膜
等の耐湿性を有する絶縁膜であることを特徴とする
（１）に記載の半導体装置。

【００５６】（３）前記第２の絶縁膜は複数の膜が積層
されて構成された膜であることを特徴とする（１）に記
載の半導体装置。

【００５７】（４）前記溝の底面が前記ヒューズ用配線
の下面よりも下層に位置することを特徴とする（１）に
記載の半導体装置。

【００５８】（５）前記ヒューズ用配線の全周が前記溝
により囲まれていることを特徴とする（１）に記載の半
導体装置。

【００５９】（６）半導体基板の上層に形成された第１
の絶縁膜上に所定形状の複数のヒューズ用配線を形成す
る第１の工程と、前記ヒューズ用配線をマスクとして、
隣接する前記ヒューズ用配線の間における前記第１の絶
縁膜を所定量除去して溝を形成する第２の工程と、前記
ヒューズ用配線の側面及び上面にかけてを覆うとともに
前記溝の内面を覆う所定の膜厚の第２の絶縁膜を形成す
る第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。

【００６０】（７）前記第２の絶縁膜をシリコン窒化膜
等の耐湿性を有する絶縁膜としたことを特徴とする
（６）に記載の半導体装置の製造方法。

【００６１】（８）前記第３の工程において、前記第２
の絶縁膜を複数の膜から成る積層膜として形成すること
を特徴とする（６）に記載の半導体装置の製造方法。

【００６２】（９）前記第２の工程において、前記溝の
底面が前記ヒューズ用配線の下面よりも下に位置するよ
うに前記溝を形成することを特徴とする（６）に記載の
半導体装置の製造方法。

【００６３】（１０）前記第２の工程において、隣接す
る前記ヒューズ用配線の間とともに前記ヒューズ用配線
の長手方向の端部における前記第１の絶縁膜を所定量除
去して前記溝を形成することにより、前記ヒューズ用配
線の全周に前記溝を形成するようにしたことを特徴とす
る（６）に記載の半導体装置の製造方法。

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば、ヒューズ用配線の切断
を安定的かつ確実に行うことができ、切断の歩留りを向
上させることができる。従って、半導体装置の信頼性を
向上させることが可能となる。

【００６５】また、本発明の他の特徴によれば、大面積
を要する耐湿リングを設けることなく水分の侵入を抑止
することができ、ヒューズ部における面積の更なる縮小
化を実現することができる。

【００６６】また、本発明の他の特徴によれば、マスク
の位置合わせを行うことなく、ヒューズ用配線間に溝を
形成することができるため、簡素な工程で確実に溝を形
成するとともに微細化を達成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒュー
ズの構成を示す模式図である。

【図２】本発明の一実施形態に係るヒューズの製造方法
を工程順に示す模式図である。

【図３】本発明の一実施形態の変形例に係るヒューズの
構成を示す模式図である。

【図４】従来の半導体装置のヒューズの構成を示す模式
図である。

【図５】従来の半導体装置のヒューズの構成を示す模式
図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ ヒューズ用配線 ３ 層間絶縁膜 ４，５ 配線層 ６ スルーホール ７，７’ 溝 ８ シリコン窒化膜 ９ フォトレジスト ９ａ 開口 １０ 積層膜 １０ａ シリコン酸化膜 １０ｂ シリコン窒化膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の上層において第１の絶縁膜
   上に形成された複数のヒューズ用配線を備えた半導体装
   置であって、 前記第１の絶縁膜には、少なくとも隣接する前記ヒュー
   ズ用配線間において前記ヒューズ配線同士の間隔と同一
   幅の溝が形成されており、 前記ヒューズ用配線の側面から上面にかけてを覆うとと
   もに前記溝の内面を覆うように略均一な膜厚の第２の絶
   縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記第２の絶縁膜がシリコン窒化膜等の
   耐湿性を有する絶縁膜であることを特徴とする請求項１
   に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記ヒューズ用配線の全周が前記溝によ
   り囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の半導
   体装置。
4. 【請求項４】 半導体基板の上層に形成された第１の絶
   縁膜上に所定形状の複数のヒューズ用配線を形成する第
   １の工程と、 前記ヒューズ用配線をマスクとして、隣接する前記ヒュ
   ーズ用配線の間における前記第１の絶縁膜を所定量除去
   して溝を形成する第２の工程と、 前記ヒューズ用配線の側面及び上面にかけてを覆うとと
   もに前記溝の内面を覆う所定の膜厚の第２の絶縁膜を形
   成する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装
   置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記第２の絶縁膜をシリコン窒化膜等の
   耐湿性を有する絶縁膜としたことを特徴とする請求項４
   に記載の半導体装置の製造方法。