JP2001235428A - 外観検査装置 - Google Patents
外観検査装置Info
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Abstract
よって、外観検査を良好に行うことができる外観検査装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】 被検体を傾けるチルト手段と、被検体の
表面に対して斜め方向から線を照射する照明手段と、照
明手段によって光が照射された被検体の暗視野像を撮像
する撮像手段と、撮像手段で撮像された暗視野像を用い
て被検体の表面で生じる散乱光を検出することによっ
て、被検体の外観を検査する外観検査手段とを備えて構
成される。
Description
晶基板などの被検体の暗視野像を用いて被検体の外観を
検査する外観検査装置に関する。
半導体ウエハや液晶基板に対する外観検査は、目視によ
る官能検査によって実現されていた。しかし、目視によ
る官能検査は、精度に限界があるばかりでなく、被検体
が複数存在する場合に検査の均一性や安定性を維持する
ことが難しいという問題があった。そのため、外観検査
の自動化が切望されており、近年、半導体ウエハの表面
を撮像して得られる画像に、所定の画像処理を施すこと
によって半導体ウエハの表面の欠陥を検出する技術が実
現されるようになった。
傷や半導体ウエハ上の異物(ダスト、パーティクル等)
が照明光を散乱させる現象に着目し、半導体ウエハの表
面に対して斜め方向から光を照射して得られる画像(以
下、「暗視野像」と称する)に半導体ウエハの表面で生
じる散乱光を検出する画像処理を行って、半導体ウエハ
上の傷や異物による欠陥を検出する外観検査装置が開発
されている。
の方向は多様であり、このような傷による散乱光の輝度
レベルは、傷の方向と照明光の入射方向との関係によっ
て変化することが知られている。一般に、傷の方向が照
明光の入射方向に対して直交する場合、散乱光の輝度レ
ベルは最大になる。そこで、上述した外観検査装置で
は、半導体ウエハを法線を中心に回転させて複数の方位
から照明された半導体ウエハの暗視野像を撮像し、これ
らの暗視野像のうち、散乱光の輝度レベルが最大となる
暗視野像を用いることによって、傷の検出感度を高める
工夫がなされている。
外観検査装置では、表面に周期的なパターンが形成され
た半導体ウエハが被検体となり得る。このような半導体
ウエハの表面では照明光が回折される可能性があり、パ
ターンピッチや照明光に含まれる単色光の波長等が回折
条件を満たす場合、半導体ウエハの暗視野像には回折光
がノイズとして混入し、暗視野像に相当する画像信号の
SN比を低下させてしまう。そのため、外観検査装置で
は、回折光よりも暗い散乱光は精度良く検出できず、傷
や異物による欠陥の検出感度が著しく低下する。
方法として、干渉フィルタ等によって照明光を特定の波
長の単色光に切り換える方法が考えられる。しかし、こ
のような方法では、照明光の光量自体が低下するため、
散乱光の輝度レベルも低下し、散乱光を検出する精度を
向上することは難しい。そこで、請求項1ないし請求項
5に記載の発明は、外観検査に適した暗視野像を撮像す
ることによって、外観検査を良好に行うことができる外
観検査装置を提供することを目的とする。
検体に対して、均一性や安定性に優れた外観検査を速や
かに行える外観検査装置を提供することを別の目的とす
る。
査装置は、被検体を傾けるチルト手段と、被検体の表面
に対して斜め方向から光を照射する照明手段と、前記照
明手段によって光が照射された被検体の暗視野像を撮像
する撮像手段と、前記撮像手段で撮像された暗視野像を
用いて被検体の表面で生じる散乱光を検出することによ
って、被検体の外観を検査する外観検査手段とを備えた
ことを特徴とする。
1に記載の外観検査装置において、前記チルト手段は、
被検体を複数の角度に傾け、前記撮像手段は、前記チル
ト手段で複数の角度に傾けられる被検体について、各々
の角度に対する複数の暗視野像を撮像し、前記外観検査
手段は、前記撮像手段で撮像された複数の暗視野像に相
当する画像信号のSN比を比較し、前記チルト手段によ
って被検体が傾けられた複数の角度のうち、画像信号の
SN比が最も良好な暗視野像が撮像された際の角度を選
択する条件選択部と、前記チルト手段を介して前記条件
選択部で選択された角度に被検体を傾け、該角度に傾け
られた状態で前記撮像手段で撮像された被検体の暗視野
像を用いて被検体の外観を検査する検査部とを備えたこ
とを特徴とする。
2に記載の外観検査装置において、前記外観検査手段
は、前記条件選択部で選択された角度を記録する条件記
録部を備え、前記検査部は、前記チルト手段を介して被
検体を傾ける角度を前記条件記録部に記録された角度と
することを特徴とする。請求項4に記載の外観検査装置
は、請求項2または請求項3に記載の外観検査装置にお
いて、前記条件選択部は、前記撮像手段によって撮像さ
れた各々の暗視野像を、一定の閾値を用いて2値化画像
に変換し、各々の2値化画像の「0」を示す画素または
「1」を示す画素を積算して、当該暗視野像に相当する
画像信号のSN比を求めることを特徴とする。
1ないし請求項4の何れか1項に記載の外観検査装置に
おいて、表面に周期的なパターンが形成されている半導
体ウエハまたは液晶基板被検体を被検体とすることを特
徴とする。
実施形態について詳細を説明する。
の機能ブロック図である。図1において、外観検査装置
10は、照明部11、球面反射鏡12、CCD撮像素子
13、AD変換部14、制御部15、チルト用ステージ
16、回転用ステージ17、SN比算出用画像処理部1
8、レシピ記録部19、欠陥検出用画像処理部20およ
び表示部21を有し、制御部15には、CCD撮像素子
13、AD変換部14、チルト用ステージ16、回転用
ステージ17、SN比算出用画像処理部18、レシピ記
録部19、欠陥検出用画像処理部20が接続され、欠陥
検出用画像処理部20には表示部21が接続される。
が形成された半導体ウエハ22を被検体としており、こ
のような半導体ウエハ22は、不図示のカセットから取
り出され、オリエンテーションフラットやノッチを基準
として回転用ステージ17上に所定の方位で配置され
る。また、本実施形態では、チルト用ステージ16上に
回転用ステージ17、半導体ウエハ22および照明部1
1を設けている。そのため、回転用ステージ17によっ
て半導体ウエハ22を回転させたり、チルト用ステージ
16によって半導体ウエハ22を傾けた場合であって
も、半導体ウエハ22に対する照明光の入射角は一定に
保たれる(本実施形態では、このような入射角を88度
とする)。
ジ16のチルト角が0度の状態において、半導体ウエハ
22の法線方向の反射光がCCD撮像素子13の撮像面
に結像するように球面反射鏡12が配置されている。ま
た、本実施形態において、照明部11は、ハロゲンラン
プに代表される白色照明光源を有すると共に、このよう
な白色照明光源に接続された二次光源として、半導体ウ
エハ22の全面が網羅できる長さ(例えば、半導体ウエ
ハ22の直径が8インチである場合には、200mm以上
の長さ)のラインファイバを有する。
て、照明部11は、半導体ウエハ22に対し入射角が8
8度となる光線を照明光として照射し、CCD撮像素子
13は、制御部15から指示されるタイミングで、球面
反射鏡12を介して半導体ウエハ22の暗視野像を撮像
する。このようにして撮像された暗視野像に相当する画
像信号は、AD変換部14によってディジタル化され、
制御部15を介してSN比算出用画像処理部18または
欠陥検出用画像処理部20に供給される。
部15を介して暗視野像に相当する画像信号が供給され
ると、その画像信号に半導体ウエハ22の表面で生じる
散乱光を検出する画像処理を行って、半導体ウエハ22
上の傷や異物による欠陥を検出する。また、このように
して検出された欠陥は、表示部21によって表示され
る。
体ウエハ22は、表面に周期的なパターンが形成されて
いるため、照明光を回折する可能性が高い。例えば、照
明光の入射角をθi、球面反射鏡12の受光角をθd、チ
ルト用ステージ16のチルト角をθtで表し、パターン
ピッチをp、回折次数を示す整数をn、照明光に含まれ
る単色光の波長をλとすると、 p{ sinθi − sin(θd−θt) }= nλ ・・・回折
条件 が成り立つ場合、照明光が回折され、CCD撮像素子1
3によって撮像される暗視野像に回折光がノイズとして
混入することになる。
8度に保たれており、球面反射鏡12の受光角θdは、
チルト用ステージ16のチルト角θtが0度の状態にお
ける半導体ウエハ22の法線方向に相当するので、仮
に、pとλとが回折角0度を満足する回折条件に合致す
ると、暗視野像に回折光が混入する。したがって、本実
施形態では、チルト角θtを調整することによって、暗
視野像への回折光の混入を回避し、暗視野像に相当する
画像信号のSN比の向上をはかる。
びSN比算出用画像処理部18によって、SN比が良好
で欠陥の検出に適した暗視野像を撮像するためのチルト
用ステージ16のチルト角(以下、このようなチルト角
を「最適条件」と称する)を選択する処理(以下、「最
適条件選択処理」と称する)を実現する。図2は、制御
部15の最適条件選択処理の動作フローチャートであ
り、図3および図4は、SN比算出用画像処理部18の
動作フローチャートである。
に、予め決められた3段階のチルト角(例えば、0度、
5度、10度)で半導体ウエハ22を傾け、各々のチル
ト角で半導体ウエハ22を複数の方位に回転させながら
暗視野像を撮像する例を示しているが、チルト角は、3
段階に限定する必要はなく、更に細かい間隔で多くの角
度を設定しても良い。
が、以下では、本実施形態の特徴である最適条件選択処
理の動作の説明を図2、図3および図4を参照して行
い、他の動作の説明は省略する。なお、最適情報選択処
理では、傷や異物による欠陥が生じていなし半導体ウエ
ハを被検体として用いるものとする。まず、制御部15
は、予め決められた3段階のチルト角のうち、第1のチ
ルト角に半導体ウエハ22を傾けることをチルト用ステ
ージ16に指示する。また、制御部15は、所定の角度
間隔で半導体ウエハ22を回転することを回転用ステー
ジ17に指示し、半導体ウエハ22が所定の方位を示し
た時点で、CCD撮像素子13に暗視野像を撮像するこ
とを指示する。
て、半導体ウエハ22は、第1のチルト角に傾けられ
(図2S1)、複数の方位から順次照明され、CCD撮
像素子13は、各々の方位に対応する複数の暗視野像を
撮像する(図2S2)。なお、半導体ウエハ22を回転
する角度間隔を45度とした場合、半導体ウエハ22を
0度、45度、90度、135度の4方位に回転して暗
視野像を撮像することによって、半導体ウエハ22の全
面を包含することが可能となる。勿論、角度間隔は45
度に限定する必要はなく、更に細かくしても良い。
3のチルト角についても、第1のチルト角と同様の処理
を行う。すなわち、半導体ウエハ22は、第2のチルト
角に傾けられ(図2S3)、複数の方位から順次照明さ
れ、CCD撮像素子13は、各々の方位に対応する複数
の暗視野像を撮像する(図2S4)。次に、半導体ウエ
ハ22は、第3のチルト角に傾けられ(図2S5)、複
数の方位から順次照明され、CCD撮像素子13は、各
々の方位に対応する複数の暗視野像を撮像する(図2S
6)。
暗視野像は、AD変換部14によってディジタル化され
るが、制御部15は、このような複数の暗視野像に相当
する画像信号をSN比算出用画像処理部18に供給する
と共に、各々の暗視野像に相当する画像信号のSN比の
算出をSN比算出用画像処理部18に指示する(図2S
7)。
が所定のレベル以上となる画素では、回折光がノイズと
して混入していることになるため、暗視野像に相当する
画像信号のSN比は、このような画素の数によって評価
することが可能である。しかし、AD変換部14によっ
てディジタル化された暗視野像の各画素の階調レベル
は、ほとんど0に近い値を示し、半導体ウエハ22の背
景部分の画素の階調レベルに近い値となるため、このよ
うな暗視野像をそのまま用いて、各画素の階調レベルを
所定の階調レベルと比較することは難しい。
前処理として、暗視野像に階調変換を施し、SN比の算
出に適した画像に変換する。以下、SN比算出用画像処
理部18によって行われるSN比を算出する処理(階調
変換を含む)の詳細を説明する。ただし、以下では、S
N比を算出する処理の説明を簡単にするため、ディジタ
ル化された暗視野像を、CCD撮像素子13の各画素に
対応する階調レベルの配列によって表すことにし、各画
素の位置を「右方向を正とする横軸X」と「下方向を正
とする縦軸Y」とで構成される座標系で示す。また、以
下では、各画素の階調レベルに対して同一の処理を繰り
返し行うため、処理の対象となる画素を、単に「処理対
象画素」と称し、処理対象画素の座標を(xi,yj)で示
す。ただし、xi、yjの最小値は0とし、xiの最大値
はXmaxで示し、yjの最大値はYmaxで示す。
算出の第1段階として、以下のようにして、階調変換を
行う。ただし、以下では、AD変換部14によってディ
ジタル化された暗視野像の各画素の階調レベルを、CC
D撮像素子13の各画素に対応付けてI0(xi,yj)で
示し、階調変換時の係数をa1phaで示し、階調変換後の
各画素の階調レベルをI1(xi,yj)で示し、画像信号
の最大階調レベルをImaxで示す。
理対象画素を選択して(xi,yj)を設定する(図3S
1)。なお、本実施形態では、図3S1が行われる度
に、(xi,yj)に(0,0)〜(Xmax,Ymax)が順次設定さ
れるものとする。次に、SN比算出用画像処理部18
は、I1(xi,yj)を I1(xi,yj)=alpha×I0(xi,yj) によって算出する(図3S2)。
I1(xi,yj)がImax以上であるか否かを判定し(図3
S3)、I1(xi,yj)がImax以上である場合、I1(x
i,yj)をImaxに変更する(図3S4)。次に、SN比
算出用画像処理部18は、(xi,yj)に(Xmax,Ymax)が
設定されているか否かを判定し(図3S5)、(xi,y
j)に(Xmax,Ymax)が設定されていない場合には、図3
S1以降の処理を繰り返し行って、全ての画素に対して
階調変換を行う。
ると、SN比算出用画像処理部18は、SN比の算出の
第2段階として、以下のようにして、2値化変換を行
う。ただし、以下では、2値化変換時の基準レベルをI
REFで示し、2値化変換後の各画素の階調レベルをI
TH(xi,yj)で示す。まず、SN比算出用画像処理部1
8は、図3S1と同様に(xi,yj)を設定し(図3S
6)、I1(xi,yj)がIREF未満であるか否かを判定す
る(図3S7)。
I1(xi,yj)がIREF未満である場合、ITH(xi,yj)
を0とし(図3S8)、I1(xi,yj)がIREF以上であ
る場合、ITH(xi,yj)を1とする(図3S9)。次
に、SN比算出用画像処理部18は、(xi,yj)に(Xma
x,Ymax)が設定されているか否かを判定し(図3S1
0)、(xi,yj)に(Xmax,Ymax)が設定されていない場
合には、図3S6以降の処理を繰り返し行って、全ての
画素に対して2値化変換を行う。
ハ22の背景部分の画素の階調レベルよりも大きな値と
する。なお、このような基準レベルは、通常、外観検査
装置10内の配置や光源の光量等によって決まるため、
一義的に定まる値であると言える。以上説明したような
2値化変換によって、暗視野像は2値化画像に変換され
るが、SN比算出用画像処理部18は、このような2値
化画像から「0」を示す画素を以下のように積算してS
N比を求める。ただし、以下では、SN比をηで示し、
ηの値が大きいほどSN比が高いものとする。
に0を代入して初期化を行い(図4S11)、図3S1
と同様に(xi,yj)を設定する(図4S12)。そし
て、SN比算出用画像処理部18は、ITH(xi,yj)が
0であるか否かを判定し(図4S13)、ITH(xi,y
j)が0である場合、ηをインクリメントする(図4S1
4)。
(xi,yj)に(Xmax,Ymax)が設定されているか否かを判
定し(図4S15)、(xi,yj)に(Xmax,Ymax)が設定
されていない場合には、図4S12以降の処理を繰り返
し行う。以上説明した処理(図3S1〜図4S15)に
よって、1つの暗視野像に相当する画像信号のSN比の
算出が完了する。SN比算出用画像処理部18は、同様
の処理を繰り返し行うことによって、複数の暗視野像に
相当する画像信号のSN比を算出する。
8によって、複数の暗視野像に相当する画像信号のSN
比が算出されると、同一のチルト角において撮像された
複数の暗視野像毎に、画像信号のSN比の総和を求める
(図2S8)。そして、制御部15は、このようにして
求めたSN比の総和を比較し、SN比の総和が最大とな
るチルト角を最適条件として選択し、レシピ記録部19
に記録する(図2S9)。
9に記録された最適条件は、操作者によって欠陥検出の
開始が指示されると、制御部15によって読み出され
る。そして、チルト用ステージ16が、制御部15の指
示によって、最適条件に対応するチルト角に傾けられ
る。
が良好で欠陥の検出に適した暗視野像が撮像できるた
め、半導体ウエハ22上の傷や異物による欠陥を精度良
く検出することができる。また、本実施形態では、最適
条件が記録されているため、半導体ウエハ22と同一の
パターンが形成された半導体ウエハについても、SN比
が良好で欠陥の検出に適した暗視野像を撮像できる。し
たがって、本実施形態によれば、複数の半導体ウエハが
検査対象であっても、欠陥の検出の均一性や安定性を維
持できる。
において撮像された複数の暗視野像毎に画像信号のSN
比の総和を求め、SN比の総和が最大となるチルト角を
最適条件としているため、各々のチルト角における特定
の方位に対する画像信号のSN比を比較して最適条件を
選択する場合と比べて、信頼性の高い最適条件が得られ
る。
る過程で、全てのチルト角で複数の方位に対応する暗視
野像を撮像してから、同一のチルト角において撮像され
た複数の暗視野像毎に、画像信号のSN比の総和を求め
ているが、各々のチルト角で複数の方位に対応する暗視
野像が撮像された時点で、これらの暗視野像に相当する
画像信号のSN比の総和を求めても良い。
ることによって、半導体ウエハ22上の傷や異物による
欠陥のみが検出されているが、半導体ウエハ22の明視
野像を撮像する機能と、撮像した明視野像と予め与えら
れている正常な半導体ウエハの明視野像とを比較して輝
度レベルに差異が生じる部分を検出する画像処理を行う
機能とを付加することによって、半導体ウエハ22上の
傷や異物による欠陥だけでなく、露光むら・露光不良・
レジストの塗りむら等による欠陥を検出することも可能
である。
「0」を示す画素を積算してSN比を求め、SN比の総
和が最大となるチルト角を最適条件として選択している
が、例えば、2値化画像の「1」を示す画素の積算値を
算出し、このような積算値が小さいほどSN比が高いも
のとして、積算値の総和が最小となるチルト角を最適条
件として選択しても良い。
5に記載の発明では、チルト手段によって被検体を傾け
ることができる。そのため、表面に周期的なパターンが
形成されている半導体ウエハや液晶基板被検体が被検体
であっても、回折光によるノイズの混入が抑制された暗
視野像を撮像することが可能である。
明では、SN比が良好な暗視野像が撮像できる角度に、
被検体を傾けることができる。そのため、SN比が良好
な暗視野像を撮像することができ、被検体の外観検査の
精度を確実に向上させることができる。また、請求項3
に記載の発明では、SN比が良好な暗視野像が撮像でき
る角度を記録することができるため、被検体が複数存在
する場合であっても、均一性や安定性に優れた外観検査
を速やかに行える。
る。
である。
(続き)である。
Claims (5)
- 【請求項1】 被検体を傾けるチルト手段と、 被検体の表面に対して斜め方向から光を照射する照明手
段と、 前記照明手段によって光が照射された被検体の暗視野像
を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段で撮像された暗視野像を用いて被検体の表
面で生じる散乱光を検出することによって、被検体の外
観を検査する外観検査手段とを備えたことを特徴とする
外観検査装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の外観検査装置におい
て、 前記チルト手段は、 被検体を複数の角度に傾け、 前記撮像手段は、 前記チルト手段で複数の角度に傾けられる被検体につい
て、各々の角度に対する複数の暗視野像を撮像し、 前記外観検査手段は、 前記撮像手段で撮像された複数の暗視野像に相当する画
像信号のSN比を比較し、前記チルト手段によって被検
体が傾けられた複数の角度のうち、画像信号のSN比が
最も良好な暗視野像が撮像された際の角度を選択する条
件選択部と、 前記チルト手段を介して前記条件選択部で選択された角
度に被検体を傾け、該角度に傾けられた状態で前記撮像
手段で撮像された被検体の暗視野像を用いて被検体の外
観を検査する検査部とを備えたことを特徴とする外観検
査装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の外観検査装置におい
て、 前記外観検査手段は、 前記条件選択部で選択された角度を記録する条件記録部
を備え、 前記検査部は、 前記チルト手段を介して被検体を傾ける角度を前記条件
記録部に記録された角度とすることを特徴とする外観検
査装置。 - 【請求項4】 請求項2または請求項3に記載の外観検
査装置において、 前記条件選択部は、 前記撮像手段によって撮像された各々の暗視野像を、一
定の閾値を用いて2値化画像に変換し、各々の2値化画
像の「0」を示す画素または「1」を示す画素を積算し
て、当該暗視野像に相当する画像信号のSN比を求める
ことを特徴とする外観検査装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし請求項4の何れか1項に
記載の外観検査装置において、 表面に周期的なパターンが形成されている半導体ウエハ
または液晶基板被検体を被検体とすることを特徴とする
外観検査装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000046056A JP2001235428A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 外観検査装置 |
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