JP2014521957A - ウェハの欠陥検出 - Google Patents
ウェハの欠陥検出 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014521957A JP2014521957A JP2014522998A JP2014522998A JP2014521957A JP 2014521957 A JP2014521957 A JP 2014521957A JP 2014522998 A JP2014522998 A JP 2014522998A JP 2014522998 A JP2014522998 A JP 2014522998A JP 2014521957 A JP2014521957 A JP 2014521957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image data
- wafer
- inspection system
- optical
- different
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 285
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 194
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 280
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 272
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 51
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 306
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 37
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 37
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 33
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 2
- 238000003709 image segmentation Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 0 C(C1)C2C1*CC2 Chemical compound C(C1)C2C1*CC2 0.000 description 1
- 235000006719 Cassia obtusifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000014552 Cassia tora Nutrition 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005314 correlation function Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T5/00—Image enhancement or restoration
- G06T5/50—Image enhancement or restoration using two or more images, e.g. averaging or subtraction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/8867—Grading and classifying of flaws using sequentially two or more inspection runs, e.g. coarse and fine, or detecting then analysing
- G01N2021/887—Grading and classifying of flaws using sequentially two or more inspection runs, e.g. coarse and fine, or detecting then analysing the measurements made in two or more directions, angles, positions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/20—Special algorithmic details
- G06T2207/20212—Image combination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本願は、「ウェハの欠陥検出システムおよび方法(Systems and Methods for Detecting Defects on a Wafer)」という名称で2009年1月26日に出願された米国特許出願第12/359,476号の一部継続出願である。この特許出願は、本明細書にその全文が記載されたものとして、参照により援用される。
Claims (21)
- ウェハの欠陥を検出する方法であって、
検査システムの焦点に対しては第1および第2の異なる値を使用し、前記検査システムの他の全光学的パラメータに対しては同じ値を使用してウェハをスキャンすることによりウェハの出力を生成すること、
焦点に対する前記第1の値を使用して生成される出力を使用した前記ウェハの第1の画像データ、および焦点に対する前記第2の値を使用して生成される出力を使用した前記ウェハに対する第2の画像データを生成すること、
ウェハの実質的に同じ位置に対応する前記第1の画像データおよび前記第2の画像データを組み合わせて、それにより、前記ウェハに対する追加の画像データを生成すること、
前記追加の画像データを使用して前記ウェハの欠陥を検出すること、
を含む方法。 - 前記生成するステップの間に、第1および第2の出力が、別個に生成される請求項1に記載の方法。
- 第1および第2の出力が、前記検査システムの異なる検出器を使用して別個かつ同時に生成される請求項1に記載の方法。
- 検査システムの他の全ての光学的パラメータに対する同じ値が、前記検査システムの他の光学的状態に比べて、前記ウェハの最良の信号対雑音比を生成する前記検査システムの光学的状態を規定する請求項1に記載の方法。
- 焦点に対する前記第1および第2の異なる値が、前記検査システムの焦点外の値である請求項1に記載の方法。
- 焦点に対する前記第1および第2の異なる値が、前記検査システムの焦点内値を含まない請求項1に記載の方法。
- 焦点に対する前記第1および第2の異なる値が、前記検査システムの前記焦点深度に等しい値だけ異なる請求項1に記載の方法。
- 第1および第2の出力が、前記検査システムの第1および第2の検出器を使用して別個かつ同時に生成され、前記第1および第2の検出器が、前記検査システムの光学軸に沿ったオフセット位置を有する請求項1に記載の方法。
- 第1および第2の出力が、前記検査システムの第1および第2の検出器を使用して別個かつ同時に生成され、前記第1の検出器が、前記検査システムの焦点面の第1の側に配置され、前記第2の検出器が、前記第1の側の反対側の、前記焦点面の第2の側に配置される請求項1に記載の方法。
- 前記第1の画像データ中のノイズが、前記第2の画像データ中のノイズと無相関である請求項1に記載の方法。
- 検査システムの他の全ての光学的パラメータに対する同じ値が、前記検査システムの照射および集光パラメータに対する値を含む請求項1に記載の方法。
- 前記出力を生成することが、コヒーレント光を使用して行われる請求項1に記載の方法。
- 前記組み合わせることが、ウェハの実質的に同じ位置に対応する前記第1の画像データと前記第2の画像データとの画像相関をとることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記組み合わせることが、前記第1および第2の画像データのピクセルレベルで行われる請求項1に記載の方法。
- 欠陥検出が、前記組み合わせるステップの前に行われる請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥に対応する前記追加の画像データの部分が、前記追加の画像データの部分を生成するために組み合わされる前記第1および第2の画像データの部分より大きな信号対ノイズ比を有する請求項1に記載の方法。
- 前記追加の画像データが、前記第1および第2の画像データよりノイズが少ない請求項1に記載の方法。
- 前記追加の画像データが、前記第1および第2の画像データよりスペックルノイズが少ない請求項1に記載の方法。
- 前記第1の画像データを使用して前記ウェハの欠陥を検出すること、
前記第2の画像データを使用して前記ウェハの欠陥を検出すること、
前記ウェハで検出された前記欠陥を、前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記追加の画像データのいずれかを使用して検出された欠陥の組み合わせとして報告すること、
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - コンピュータに実装されたウェハの欠陥検出方法をコンピュータシステムに実行させるための保存されたプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータに実装された方法が、
検査システムの焦点に対しては第1および第2の異なる値を使用し、前記検査システムの他の全光学的パラメータに対しては同じ値を使用して、前記ウェハをスキャンすることにより生成される出力を取得すること、
焦点に対する前記第1の値を使用して生成される前記出力を使用して前記ウェハに対する第1の画像データ、および焦点に対する前記第2の値を使用して生成される前記出力を使用して前記ウェハに対する第2の画像データを生成すること、
ウェハの実質的に同じ位置に対応する前記第1の画像データおよび第2の画像データを組み合わせ、それにより、前記ウェハに対する追加の画像データを生成すること、
前記追加の画像データを使用して前記ウェハの欠陥を検出すること、
を含む媒体。 - ウェハの欠陥を検出するように構成された検査サブシステムおよびコンピュータサブシステムを含むシステムであって、
前記検査サブシステムが、前記検査システムの焦点に対しては第1および第2の異なる値を使用し、前記検査システムの他の全光学的パラメータに対しては同じ値を使用して、前記ウェハをスキャンすることによりウェハの出力を生成するように構成され、
前記コンピュータサブシステムが、焦点に対する前記第1の値を使用して生成される前記出力を使用した前記ウェハに対する第1の画像データ、および焦点に対する前記第2の値を使用して生成される前記出力を使用した前記ウェハに対する第2の画像データを生成し、ウェハの実質的に同じ位置に対応する前記第1の画像データおよび第2の画像データを組み合わせて、前記ウェハに対する追加の画像データを生成し、前記追加の画像データを使用して前記ウェハの欠陥を検出するように構成された、
システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/193,492 US8605275B2 (en) | 2009-01-26 | 2011-07-28 | Detecting defects on a wafer |
US13/193,492 | 2011-07-28 | ||
PCT/US2012/048324 WO2013016526A1 (en) | 2011-07-28 | 2012-07-26 | Detecting defects on a wafer |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017151695A Division JP6448722B2 (ja) | 2011-07-28 | 2017-08-04 | ウェハの欠陥検出 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014521957A true JP2014521957A (ja) | 2014-08-28 |
JP6190363B2 JP6190363B2 (ja) | 2017-08-30 |
Family
ID=47601536
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014522998A Active JP6190363B2 (ja) | 2011-07-28 | 2012-07-26 | ウェハの欠陥検出 |
JP2017151695A Active JP6448722B2 (ja) | 2011-07-28 | 2017-08-04 | ウェハの欠陥検出 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017151695A Active JP6448722B2 (ja) | 2011-07-28 | 2017-08-04 | ウェハの欠陥検出 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8605275B2 (ja) |
JP (2) | JP6190363B2 (ja) |
KR (4) | KR102232913B1 (ja) |
IL (1) | IL230700B (ja) |
TW (2) | TWI615608B (ja) |
WO (1) | WO2013016526A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016540231A (ja) * | 2013-11-29 | 2016-12-22 | ネックスティン,インコーポレイテッド | ウェーハ映像検査装置 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
WO2010014609A2 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer |
KR101908749B1 (ko) | 2010-12-16 | 2018-10-16 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 웨이퍼 검사 |
US9279774B2 (en) | 2011-07-12 | 2016-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
US9189844B2 (en) * | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
TW201430336A (zh) * | 2013-01-23 | 2014-08-01 | Huang Tian Xing | 缺陷檢測方法、裝置及系統 |
US9619876B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on wafers based on 2D scatter plots of values determined for output generated using different optics modes |
US9008410B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-04-14 | Kla-Tencor Corporation | Single die inspection on a dark field inspection tool |
US9696264B2 (en) * | 2013-04-03 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for determining defect depths in vertical stack memory |
US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
US9747670B2 (en) * | 2013-06-26 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for improving wafer surface inspection sensitivity |
DE102013013022A1 (de) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Verfahren zur Identifikation defekter Pixel eines Bildaufnahmesensors |
CN103604814A (zh) * | 2013-10-23 | 2014-02-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种芯片缺陷的检测方法 |
EP2930549B1 (en) | 2014-04-08 | 2023-05-03 | European Molecular Biology Laboratory | An optical arrangement and method for imaging a sample |
US9766187B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Repeater detection |
US9766186B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Array mode repeater detection |
US9719943B2 (en) * | 2014-09-30 | 2017-08-01 | Kla-Tencor Corporation | Wafer edge inspection with trajectory following edge profile |
US9734422B2 (en) * | 2014-11-12 | 2017-08-15 | Kla-Tencor Corporation | System and method for enhanced defect detection with a digital matched filter |
US9816940B2 (en) | 2015-01-21 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corporation | Wafer inspection with focus volumetric method |
US9841512B2 (en) * | 2015-05-14 | 2017-12-12 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing radiation-induced false counts in an inspection system |
KR102368587B1 (ko) | 2015-10-21 | 2022-03-02 | 삼성전자주식회사 | 검사 장치, 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 시스템, 및 반도체 소자의 제조 방법 |
US10043265B2 (en) * | 2016-03-17 | 2018-08-07 | Kla-Tencor Corporation | System, method and computer program product for identifying fabricated component defects using a local adaptive threshold |
US10551608B2 (en) * | 2016-03-24 | 2020-02-04 | Molecular Devices, Llc | Imaging system with ancillary image detector for sample location |
US10115040B2 (en) * | 2016-09-14 | 2018-10-30 | Kla-Tencor Corporation | Convolutional neural network-based mode selection and defect classification for image fusion |
US10739275B2 (en) | 2016-09-15 | 2020-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous multi-directional laser wafer inspection |
US10481111B2 (en) | 2016-10-21 | 2019-11-19 | Kla-Tencor Corporation | Calibration of a small angle X-ray scatterometry based metrology system |
US10504213B2 (en) | 2016-11-22 | 2019-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Wafer noise reduction by image subtraction across layers |
US10402688B2 (en) * | 2016-12-07 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Data augmentation for convolutional neural network-based defect inspection |
US10234402B2 (en) * | 2017-01-05 | 2019-03-19 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for defect material classification |
US10964013B2 (en) * | 2017-01-10 | 2021-03-30 | Kla-Tencor Corporation | System, method for training and applying defect classifiers in wafers having deeply stacked layers |
US10957033B2 (en) * | 2017-07-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Repeater defect detection |
KR102368435B1 (ko) | 2017-07-28 | 2022-03-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 검사 장치, 기판 검사 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
JP2019138660A (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-22 | 東芝メモリ株式会社 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
US10557802B2 (en) * | 2018-05-09 | 2020-02-11 | Kla-Tencor Corporation | Capture of repeater defects on a semiconductor wafer |
US11151711B2 (en) * | 2018-06-06 | 2021-10-19 | Kla-Tencor Corporation | Cross layer common-unique analysis for nuisance filtering |
CN112955926A (zh) * | 2018-10-23 | 2021-06-11 | Asml荷兰有限公司 | 用于自适应对准的方法和装置 |
US10801968B2 (en) | 2018-10-26 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Algorithm selector based on image frames |
US11138722B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-10-05 | Kla-Tencor Corporation | Differential imaging for single-path optical wafer inspection |
CN110208284B (zh) * | 2019-05-27 | 2021-09-17 | 武汉中导光电设备有限公司 | 一种多通道缺陷合并分析的方法及*** |
CN114040069B (zh) * | 2021-11-05 | 2023-03-24 | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 | 基于探测器通道的自动对焦方法和装置、设备及存储介质 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235853A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-08-31 | Applied Materials Inc | 空中画像を使用するレチクル検査のための方法及び装置 |
JP2001235428A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nikon Corp | 外観検査装置 |
JP2005098970A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 異物識別方法及び異物識別装置 |
US7659975B1 (en) * | 2005-09-21 | 2010-02-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of a wafer or setting up an inspection process |
JP2011053085A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Sumco Corp | ウェーハ表面のlpd検出方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4707610A (en) * | 1985-07-03 | 1987-11-17 | Siscan Systems, Inc. | Method and apparatus for measuring surface profiles |
US20040057044A1 (en) | 1994-12-08 | 2004-03-25 | Mehrdad Nikoonahad | Scanning system for inspecting anamolies on surfaces |
US6256093B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | On-the-fly automatic defect classification for substrates using signal attributes |
US6366352B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Optical inspection method and apparatus utilizing a variable angle design |
JP2001168158A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Nec Corp | 光学的パターン検査装置 |
US6781687B2 (en) * | 2002-09-26 | 2004-08-24 | Orbotech Ltd. | Illumination and image acquisition system |
JP4489777B2 (ja) | 2003-06-10 | 2010-06-23 | ケーエルエー−テンコール コーポレイション | マルチチャネルデータのグラフィック表現を用いて基板の表面において生じる欠陥を分類するための方法及びシステム |
US7646906B2 (en) * | 2004-01-29 | 2010-01-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data |
RU2305320C2 (ru) | 2004-07-02 | 2007-08-27 | Алексей Александрович Бендицкий | Способ формирования матричного изображения объекта |
JP4625716B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2011-02-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US7747062B2 (en) | 2005-11-09 | 2010-06-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods, defect review tools, and systems for locating a defect in a defect review process |
WO2007092950A2 (en) | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and systems for determining a characteristic of a wafer |
JP5132982B2 (ja) | 2007-05-02 | 2013-01-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置および方法 |
US8213704B2 (en) * | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US8126255B2 (en) * | 2007-09-20 | 2012-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions |
JP4573308B2 (ja) | 2008-04-03 | 2010-11-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 表面検査装置及び方法 |
US8223327B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
US9601393B2 (en) * | 2009-02-06 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corp. | Selecting one or more parameters for inspection of a wafer |
-
2011
- 2011-07-28 US US13/193,492 patent/US8605275B2/en active Active
-
2012
- 2012-07-26 KR KR1020197021532A patent/KR102232913B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-26 TW TW105127602A patent/TWI615608B/zh active
- 2012-07-26 JP JP2014522998A patent/JP6190363B2/ja active Active
- 2012-07-26 KR KR1020147005001A patent/KR102004530B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-26 WO PCT/US2012/048324 patent/WO2013016526A1/en active Application Filing
- 2012-07-26 TW TW101127047A patent/TWI554753B/zh active
- 2012-07-26 KR KR1020217008511A patent/KR102356941B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-26 KR KR1020227002214A patent/KR102407075B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-01-28 IL IL230700A patent/IL230700B/en active IP Right Grant
-
2017
- 2017-08-04 JP JP2017151695A patent/JP6448722B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235853A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-08-31 | Applied Materials Inc | 空中画像を使用するレチクル検査のための方法及び装置 |
JP2001235428A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nikon Corp | 外観検査装置 |
JP2005098970A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 異物識別方法及び異物識別装置 |
US7659975B1 (en) * | 2005-09-21 | 2010-02-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of a wafer or setting up an inspection process |
JP2011053085A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Sumco Corp | ウェーハ表面のlpd検出方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016540231A (ja) * | 2013-11-29 | 2016-12-22 | ネックスティン,インコーポレイテッド | ウェーハ映像検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018009995A (ja) | 2018-01-18 |
TWI554753B (zh) | 2016-10-21 |
TWI615608B (zh) | 2018-02-21 |
KR102232913B1 (ko) | 2021-03-30 |
US8605275B2 (en) | 2013-12-10 |
KR20140054134A (ko) | 2014-05-08 |
JP6190363B2 (ja) | 2017-08-30 |
KR20190090874A (ko) | 2019-08-02 |
JP6448722B2 (ja) | 2019-01-09 |
KR20210034699A (ko) | 2021-03-30 |
KR102356941B1 (ko) | 2022-02-08 |
IL230700A0 (en) | 2014-03-31 |
WO2013016526A1 (en) | 2013-01-31 |
KR102004530B1 (ko) | 2019-07-26 |
KR102407075B1 (ko) | 2022-06-08 |
IL230700B (en) | 2020-07-30 |
TW201319554A (zh) | 2013-05-16 |
TW201643415A (zh) | 2016-12-16 |
KR20220014340A (ko) | 2022-02-04 |
US20120044486A1 (en) | 2012-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6448722B2 (ja) | ウェハの欠陥検出 | |
JP6231156B2 (ja) | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 | |
US9619876B2 (en) | Detecting defects on wafers based on 2D scatter plots of values determined for output generated using different optics modes | |
TWI597489B (zh) | 於暗場檢測工具上之單一晶粒檢測 | |
JP2012518278A (ja) | ウェハー上の欠陥検出 | |
TW201443423A (zh) | 包括具有多重及可選擇之光譜頻帶之平行成像路徑之檢測系統 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160531 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170804 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6190363 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |