JPH10339701A

JPH10339701A - 基板の欠陥検査装置及び欠陥検査方法

Info

Publication number: JPH10339701A
Application number: JP9164951A
Authority: JP
Inventors: Kinya Kato; 欣也加藤
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-06-06
Filing date: 1997-06-06
Publication date: 1998-12-22
Anticipated expiration: 2017-06-06
Also published as: JP3832028B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の各層毎の種々の欠陥を高い信頼性をも
って検査する。【解決手段】基板Ｗの表面の法線に対して光軸が８０
°〜８９°の角度θｉをもって配置された照明光学系１
０と、前記照明光学系１０によって照明された基板Ｗの
表面に関する情報を含んだ光を受光する受光手段３０
と、前記基板Ｗからの所定の光を選択的に受光するため
に、前記受光手段の受光角を設定する受光角設定手段４
０と、前記基板Ｗの表面と交差する軸線回りに前記基板
を回転させる回転機構５０とを備える。照明光学系の光
軸が基板表面の法線に対して９０°に近い角度をもって
配置されているので、照明光の大半が基板の表面で反射
され、主として基板の表面の情報が取り出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の欠陥検査装
置及び欠陥検査方法に関し、特に基板表面の膜厚むら、
汚れ、基板に形成されたパターンの段差、露光忘れ、表
面の傷等のマクロ的欠陥を検査する欠陥検査装置及び欠
陥検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体用ウエハなどの基板を自動検査す
るための従来技術としては、特公平６−８７８９号公報
に開示されているように、基板に対する照明光の入射角
を可変にし、基板表面からの正反射光をカメラで撮影し
てその画像情報を基に基板の汚れ、傷などの欠陥を検査
する方法がある。また、特開平８−７５６６１号公報に
は、基板上の繰り返しパタ―ンからの回折光のみを受光
して基板上の傷、異物、シミなどの欠陥を検査する方法
が開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】半導体を製造する際に
は、基板は多数のプロセスを経て処理されるので、それ
らのプロセス毎の検査や管理が必要となるが、以上のよ
うな従来技術によれば、特に重ねて形成された複数の層
のうち１層を分離して検査することが困難であった。

【０００４】半導体ウエハのなかには、周期的な繰り返
しパタ―ンの上に透明な薄膜などが塗布され、表面がほ
とんど平坦なものや、あるいは表面層とその下の層で繰
り返しパタ―ンのピッチが異なるようなものが存在す
る。

【０００５】例えば前者のような表面が平坦な試料から
の回折光を受光すると、下層の繰り返しパタ―ンからの
情報が中心で、表面の薄膜のマクロ的検査は困難であっ
た。

【０００６】また後者のような場合は、検査すべき層の
パタ―ンのピッチに合わせて回折光を受光できればよい
が、表面層の透明薄膜のパタ―ンピッチが下層のパタ―
ンピッチの整数倍になった場合は、それぞれの回折光を
別々に受光することが困難であるため、工程（層）毎の
欠陥情報を誤り無く検出することが困難であった。

【０００７】そこで本発明は、工程（層）毎の種々の欠
陥を高い信頼性をもって検査できる欠陥検査装置及び欠
陥検査方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明による基板の欠陥検査装置は、
図１と図２に示されるように、基板Ｗの表面の法線に対
して光軸が８０°〜８９°の角度θｉをもって配置され
た照明光学系１０と；前記照明光学系１０によって照明
された基板Ｗの表面に関する情報を含んだ光を受光する
受光手段３０と；前記基板Ｗからの所定の光を選択的に
受光するために、前記受光手段の受光角を設定する受光
角設定手段４０と；前記基板Ｗの表面と交差する軸線回
りに前記基板を回転させる回転機構５０とを備える。

【０００９】このように構成すると、照明光学系の光軸
が基板表面の法線に対して８０°〜８９°という９０°
に近い角度をもって配置されているので、照明光の大半
が基板の表面で反射され、主として基板の表面の情報が
取り出される。そのような情報を含んだ光を受光する受
光手段が、受光角設定手段により所定の受光角に設定さ
れようになっているので、基板からの所定の光、例えば
所定の方向に向かう回折光を選択的に受光することがで
きる。また、基板の表面と交差する軸線回りに基板を回
転させる回転機構を備えるので、任意の方向のパターン
や傷に対処できる。ここで、その軸線は一般的には基板
の表面に垂直な軸線である。

【００１０】ここで、請求項２に記載のように、受光角
設定手段は、照明光学系と基板とを一体的に傾斜させて
受光角を設定するように構成されていてもよい。

【００１１】このように構成すると、照明光学系と基板
とを一体的に傾斜させるので、照明光の入射角は一定に
保ったまま、受光角を任意に設定できる。また、検査装
置中で受光光学系を固定的に配置することができる。

【００１２】請求項３に係る発明による基板の欠陥検査
方法は、基板の表面に対して８０°〜８９°の入射角を
もって前記基板を照明する照明工程と；前記照明工程で
照明された前記基板にて生ずる、前記基板の表面に関す
る情報を含んだ光のうちの所定の光を、選択的に受光す
る受光工程と；前記受光工程で得られた情報に基づいて
前記基板の欠陥を検出する工程とを備える。

【００１３】この方法では、基板表面に対して８０°〜
８９°という９０°に近い角度をもって基板が照明され
るので、照明光の大半が基板の表面で反射され、主とし
て基板の表面の情報が取り出される。基板の表面に関す
る情報を含んだ光のうちの所定の光を選択的に受光する
ので、選択された光に応じた欠陥が検出される。

【００１４】上記方法では、請求項４に記載のように、
前記受光工程は、前記基板にて生ずる所定の回折光、散
乱光あるいは正反射光を選択的に受光するのが望まし
い。

【００１５】この場合、選択された光が正反射光であれ
ば、基板表面の膜厚むら、しみや汚れに関する情報が、
回折光であれば、基板上のパターンの情報が、そして散
乱光であれば、表面の傷や異物の情報が主として拾われ
る。そして欠陥を検出する工程で、それらの基板に係わ
る欠陥が検出される。

【００１６】以上の方法では、請求項５に記載のよう
に、前記欠陥を検出する工程は、前記受光工程で得られ
た情報と前記基板の基準状態を示す基準情報とを比較す
る工程をさらに備えてもよい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は、本発明による基
板の欠陥検査装置の実施の形態を示す側面図であり、図
２は図１の装置の平面図である。

【００１８】図１に示されるように、照明光学系１０は
基板ステ―ジＳＴＧに対して相対的に固定されている。
基板ステ―ジＳＴＧ上に取り付けられていてもよい。さ
らに基板ステージＳＴＧの上面には、基板Ｗを載置する
面を有する試料台２０が設けられている。

【００１９】照明光学系には、照明光を供給するライト
ガイド１１がその光射出端面１２を基板Ｗの方向に向け
て配置されている。射出端面１２の光の進行方向には、
試料台に載置される基板の表面の法線に平行な方向にパ
ワ―を持つ円筒凹面鏡１３が、その焦点位置に射出端面
１２が位置するように配置され、円筒凹面鏡１３で反射
された射出端面１２からの光の進行方向には、前記法線
に直角な方向にパワ―を持つ円筒凹面鏡１４が、その焦
点位置に射出端面１２が位置するように配置されてい
る。

【００２０】ここで、円筒凹面鏡１４で反射された射出
端面１２からの光が、試料台２０上に載置された基板Ｗ
の表面に、８０°〜８９°の角度をもって入射するよう
に、照明光学系１０は配置されている。即ち、照明光学
系１０の光軸が、試料台２０上に載置された基板Ｗの表
面に、前記のような角度をもつように、配置されてい
る。

【００２１】このように構成されているので、ライトガ
イド１１の射出端面１２から射出された光は、基板の表
面の法線方向、即ち鉛直方向、基板表面の法線直角方
向、即ち水平方向の両方向共に実質的に平行である光束
Ｌ１となって基板Ｗを９０°に近い入射角（基板の表面
にすれすれの入射角）で入射し、基板の表面を照明す
る。このため媒質の異なる境界面での光の反射、屈折に
関するフレネルの式により、照明光の大半は基板の表面
で反射されるので、基板（被検試料）内部の情報ではな
く、主に表面の情報を取り出すことができる。

【００２２】また基板Ｗを照明する照明光学系の開口数
（Ｎ．Ａ．）が、基板表面の法線と照明光学系１０の光
軸とを含む面方向、図１でいえば紙面方向と、それに直
交する方向とで等しくなるように、ライトガイド１１の
端面１２の形状は、円筒凹面鏡１３と円筒凹面鏡１４の
それぞれの焦点距離に比例する寸法とするとよい。

【００２３】一方、基板の表面状態に関する情報を含ん
だ基板からの光を受光する受光光学系３０が、基板から
の光の進行方向に設けられている。図１中、受光光学系
３０は、凹面反射鏡３１が基板Ｗからの正反射光を受光
する方向、即ち本実施の形態では、基板上の反射角が８
０°〜８９°の入射角と同じ角度で入射点おける法線に
対して反対側の方向に配置されている。さらに凹面反射
鏡３１からの反射光の進行方向には、結像レンズ３２と
２次元イメ―ジセンサ３３がこの順に、かつ基板Ｗの表
面と２次元イメ―ジセンサ３３の表面とが実質的に共役
になるように配置されている。

【００２４】したがって、基板Ｗで正反射された平行な
光束Ｌ２は凹面反射鏡３１で反射され、結像レンズ３２
の入射瞳位置に集光され、基板Ｗの表面の正反射画像を
２次元イメ―ジセンサ３３上に結ぶ。

【００２５】ここで照明効率の点からも、照明光学系１
０の開口数（Ｎ．Ａ．）と受光光学系系３０の開口数は
実質的に揃えておくことが望ましい。

【００２６】基板Ｗの表面のレジスト塗布むらや部分的
な露光異常などの原因による異常な段差などがあると反
射率がそのような異常を反映したものとなり、正常な基
板のそれとは異なるので、比較することにより異常を検
出することができる。

【００２７】次に回折光を受光する場合を考える。被検
基板Ｗ上に周期的な繰り返しパタ―ンがあればそのピッ
チに応じて回折光が生ずる。図１のように入射角θｉに
対する回折角θｄは、パタ―ンのピッチと波長をそれぞ
れｐ、λ、回折の次数をｍ（整数）とすると以下の関係
を満足する。

【００２８】 sinθｄ―sinθｉ＝ｍλ／ｐ（１）入射角が９０゜に近い場合、式（１）におけるsinθｉ
は、ほぼ１に等しくなるので、sinθｉ＝１と置けば、
式（１）は、 sinθｄ＝ｍλ／ｐ＋１（２）となる。

【００２９】回折光を受光する場合はパタ―ンのピッチ
情報に応じて、式（１）で決まる受光角に設定しなけれ
ばならないが、受光光学系３０ａ全体を基板Ｗの中心の
回りに回転させることにより受光角を調節し、図１の破
線で示めされるように、基板表面からの射出角を式
（１）で求められる回折角θｄに設定することにより、
回折光Ｌ３による画像を得ることができる。

【００３０】ここで正常なパタ―ンに対してパタ―ン段
差や凹凸の比率（デュ―ティ―比）が異なると、回折効
率が異なり、回折像の明るさが正常なパタ―ンのそれと
は異なるので、比較することにより異常を検査すること
ができる。

【００３１】照明系の入射角を９０゜付近にすることに
より、表面反射率を高め、表面からの回折光を効率良く
受光する点は、正反射光受光の場合と同様である。なお
受光角を変化させる他の方法として、照明光学系１０と
基板Ｗとの相対的位置関係を一定に保持したまま、ステ
―ジＳＴＧ全体を傾斜させてもよい。そのために、基板
ステージＳＴＧには、受光角設定手段４０が設けられて
いる。その回転軸は、ほぼ基板Ｗの表面を含む平面内に
あり、照明光学系１０の光軸に直交する方向に向いてい
る。

【００３２】また散乱光を受光する場合は、パタ―ンか
らの回折光が２次元イメージセンサ３３に直接入射しな
い方向に受光光学系３０を設定するのが望ましい。散乱
光の検出は基板Ｗ上の異物や傷の検出に有効であるが、
傷による散乱光は傷に対して直角の方向に強く出るの
で、傷の方向によって散乱光を受光すべき方向が異な
る。したがって、基板Ｗを載置する試料台２０が３６０
゜回転できる構造になっている。試料台２０は、基板ス
テージＳＴＧに設けられた、試料台２０の基板Ｗを載置
する上面、ひいては基板Ｗの表面の法線に平行な回転軸
を有する回転機構５０（図１参照）により回転される。
回転機構５０は、基板ステ―ジＳＴＧ上に取り付けられ
ていてもよい。

【００３３】このようにして、基板Ｗは、上記法線回り
に少なくとも０゜、４５゜の２方向で検査される。おの
おのの回転角における画像と正常なパタ―ンの画像とを
比較することにより異常を検査する点では前述２方式と
同様である。

【００３４】以上のように、任意の受光角を選択できる
構成、及び基板表面の法線回りに回転して異なった方向
から基板の表面を観察できるように構成することによ
り、最適な観察の方向を設定できる他、異なる条件下で
得られる複数の画像情報を基に基板上の欠陥検査を行う
こともできる。

【００３５】図２に示されるように、凹面反射鏡３１の
反射方向を基板Ｗの中心からずらしてあるのは、反射光
による検出をする際に、反射光に回折光の影響が及ばな
いようにするためである。

【００３６】次に、図３〜図５を参照して、本発明に係
る基板の欠陥検査方法の実施の形態を説明する。図３
は、検査開始を開始して、回折光を選択的に受光して行
う検査のフローを示し、図４は、正反射光を選択的に受
光して行う検査のフローを示し、図５は、散乱光を選択
的に受光して行う検査及び、基板の良、不良を判別し、
欠陥検査方法を終了するまでのフローを示している。

【００３７】先ず図３に示されるように、本実施の形態
では、基板に形成されているパターンに関する情報を読
みとる（工程ＳＰ１）。そのパターンが周期性パターン
であるかを判断して（工程ＳＰ２）、周期性パターンで
なければ、回折光を受光して行う検査は不要であるの
で、正反射光を受光する検査（図４、工程ＳＰ８）にバ
イパスしてよい（Ｘ１）。

【００３８】周期性パターン、例えばラインアンドスペ
ースパターンであれば、基板の表面の法線回りの回転角
を、照明光を入射させる方向に対してラインの方向が直
交するように設定する（工程ＳＰ３）。

【００３９】また、パターンピッチに対する回折角を、
式（１）あるいは式（２）にしたがって計算する（工程
ＳＰ４）。計算で求められた回折角θｄに、受光角度を
設定する（工程ＳＰ５）。もちろん、ここで工程３は工
程５の後でもよい。

【００４０】以上のようにして方向と傾斜が設定された
基板の表面に、９０°近い入射角で照明光を照射する
（工程６）。そして基板表面の情報を取り込んで基板か
ら生じる回折光を受光する。ここで、受光角は回折光を
受光しながら最も適切な角度にさらに調整してもよい。

【００４１】取り込まれた画像を、予め用意されている
欠陥のない基板の状態を与える基準画像と比較して（工
程８）、許容できる程度に同じではない場合には不要品
と判断して、そのような基板は不良品トレイに納める
（Ｘ３、図５、工程２８）。

【００４２】工程８で、基準画像と同じと判定された場
合は次の工程に移る（Ｘ１、図４、工程ＳＰ１１）。

【００４３】なお、基板に形成されているパターンに関
する情報が、基板毎の特性として事前に知られていれ
ば、読みとる工程ＳＰ１と周期性パターンかの判断工程
ＳＰ２は省略して、以下説明する直接Ｘ１以下の正反射
受光工程、あるいは乱反射受光工程から、本検査方法を
開始してもよい。

【００４４】図４を参照して、正反射光を受光して行わ
れる検査工程を説明する。先ず、受光角を照明光の入射
角と同一に設定する（工程ＳＰ１１）。次に、傾斜が
（受光角が）設定された基板の表面に、９０°近い入射
角で照明光を照射する（工程１２）。そして基板表面の
情報を取り込んで基板から反射する正反射光を受光し、
正反射画像を取り込む。ここで、受光角は反射光を受光
しながら最も適切な角度にさらに調整してもよい。

【００４５】取り込まれた正反射画像を、予め用意され
ている欠陥のない基板の状態を与える基準画像と比較し
て（工程１４）、許容できる程度に同じではない場合に
は不要品と判断して、そのような基板は不良品トレイに
納める（Ｘ３、図５、工程２８）。工程１４で、基準画
像と同じと判定された場合は次の工程に移る（Ｘ２、図
５、工程ＳＰ２１）。

【００４６】図５を参照して、乱反射光を受光して行わ
れる検査工程を説明する。先ず、受光光学系を基板に対
して、乱反射光を受光するに適した受光角に設定する。
乱反射光は、正反射あるいは回折光の場合と違って、ほ
ぼあらゆる方向に発せられるが、例えば正反射光を避け
る方向、あるいは１次、２次の回折光の方向を避ける方
向に設定すれば、効率良く乱反射光による観察ができ
る。

【００４７】このようにして方向と傾斜が設定された基
板の表面に、９０°近い入射角で照明光を照射する（工
程２２）。そして基板表面の情報を取り込んで基板から
生じる散乱光を受光する。ここで、受光角はあらためて
散乱光を受光しながら最も適切な角度にさらに調整して
もよい。

【００４８】取り込まれた画像を、予め用意されている
欠陥のない基板の状態を与える基準画像と比較して（工
程２４）、許容できる程度に同じではない場合には不良
品と判断して、そのような基板は不良品トレイに納める
（Ｘ３、工程２８）。そしてまだ検査すべ基板が残って
いるか否かを判断する（工程ＳＰ２９）。

【００４９】工程２４で、基準画像と同じと判定された
場合は、次にさらに基板表面の法線回りの別の角度から
観察するかを判断し、別の角度から観察する場合は、こ
こで基板を回転し（工程ＳＰ２６）、工程ＳＰ２１に戻
り、その位置において散乱光を受光して行う検査を繰り
返す。

【００５０】工程２５で、基板をさらに回転させて観察
する必要がないと判断された場合は、基板を良品トレイ
に納める（工程ＳＰ２７）。そしてまだ検査すべき基板
が残っているか否かを判断する（工程ＳＰ２９）。

【００５１】まだ検査すべき基板が残っている場合は、
次の基板を検査テーブルに載せ（工程ＳＰ３０）、その
基板が前に検査された基板と同じ種類の基板かを判断
し、同じ種類ではなければ工程ＳＰ１に戻り（Ｘ４）、
パターン情報の読込から工程を繰り返す。同じ種類であ
れば、パターン情報の読込みは不要であるので、工程Ｓ
Ｐ２に戻る。

【００５２】工程２９で全ての基板が検査されたと判断
されると、この検査は終了する（ＥＮＤ）。

【００５３】以上、周期性パターンを受光する回折光受
光の工程、正反射光受光の工程、乱反射光受光の工程の
順番で実行する場合を説明したが、順番はこの限りにあ
らず、例えば正反射、乱反射、回折光の順番でもよい。
また、周期性パターンを有さない基板の場合は回折光受
光検査は省略してよいが、一般的には正反射工程と、乱
反射工程は省略しない。

【００５４】以上説明したように、欠陥のない基板の状
態即ち基準状態と、検査される基板を状態とを比較する
ことにより、欠陥を判別することができる。

【００５５】以上のように、周期性を有する繰り返しパ
タ―ンの上に透明な薄膜などが塗布され、表面がほとん
ど平坦な試料の表面状態を検査する場合は、異物からの
散乱光を検出することにより異物を検出することができ
る。また表面の膜厚むらなどは表面の正反射画像が明る
さのむらとなるので検出することができる。

【００５６】ここで、表面の反射率をできるだけ高め、
照明光が下層まで到達しないようにするために、照明系
の入射角は８０°〜８９°とし、できるだけ９０゜に近
い角度にする。望ましくは８７°〜８９°とする。例え
ば一実施例では入射角８８゜とする。この場合照明光の
大半（９０％以上）が表面で反射される。図１は、入射
角８８°の場合を示しているが、図１の（ａ）は、入射
する照明光と正反射光との関係が分かり易いように、入
射角８０°の場合の試料周辺を部分的に示している。

【００５７】また、表面層と下層の繰り返しパタ―ンの
ピッチが異なるような試料では、検査すべき層のパタ―
ンのピッチに合わせて回折光を受光しなければならない
が、表面層と下層からの回折光同士がうまく分離できな
い場合（ピッチが整数倍の場合）も、やはり照明系の入
射角は８０°〜８９°とし、できるだけ９０゜に近くす
る。さらに８７°〜８９°とするのが望ましい。例えば
望ましい実施例では入射角を８８゜とする。このように
することにより、基板の表面反射率を高め、表面からの
回折光を効率良く受光することができる。

【００５８】このように試料に応じて最適な検出なモ―
ドを選択することによって、工程毎の種々の欠陥に対し
て信頼性の高い検査が可能となる。

【００５９】また、照明光学系１０及び受光光学系３０
はテレセントリック光学系とするのが望ましい。このよ
うに構成すれば、被検査基板の表面全体にわたって同一
入射角をもって照明が行われ、また同一受光角をもって
観察することができる。したがって、基板表面の欠陥を
検査するのに、目視検査でよく行われるように基板の傾
斜を少しづつ変化させる必要がない。

【００６０】また、照明光学系１０は互いに直交方向で
パワ―の異なる２群の光学要素から成り、開口絞りの寸
法形状が前記パワ―に逆比例するように構成してもよ
い。

【００６１】以上のように本発明によれば試料基板に応
じて反射光、回折光、散乱光の中から最適な検出モ―ド
を選択することができ、さまざまの工程における種々の
欠陥に対して信頼性の高い検査が可能となる。

【００６２】また、装置が表面の画像情報を入手するよ
うな構成となっているので、工程終了毎にこれらの検査
を行うことが望ましい。

【００６３】またこれらの方法は、半導体ウエハばかり
でなく、液晶用の大型基板等の欠陥、異物の検出にも応
用できる。

【００６４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、照明光が
基板に対して８０°〜８９°の角度で入射するので、大
半の光が基板の表面で反射され、第１層である表面の欠
陥を検出することが可能となる。また基板の表面から所
定の光を選択的に受光するので、例えば正反射光、散乱
光、回折光の中からいずれかの光を選択して受光でき、
それらの光で検出するのに適した欠陥を検出することを
可能にする。このようにして、基板の各層毎の種々の欠
陥を高い信頼性をもって検査することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の欠陥検出装置の実施の形態を示す側面
図である。

【図２】図１の装置の平面図である。

【図３】本発明の欠陥検出方法の実施の形態中、回折光
を受光して行う方法の部分を示すフロー図である。

【図４】本発明の欠陥検出方法の実施の形態中、正反射
光を受光して行う方法の部分を示すフロー図である。

【図５】本発明の欠陥検出方法の実施の形態中、散乱光
を受光して行う方法の部分を示すフロー図である。

【符号の説明】

１０照明光学系１１ライトガイド（光ファイバー）１２射出端面１３円筒凹面鏡１４円筒凹面鏡２０試料台３０受光光学系３１凹面反射鏡３２結像レンズ３３２次元イメージセンサ４０受光角設定手段５０回転機構 θｉ入射角 θｄ回折角Ｗ基板ＳＴＧ基板ステージＬ１入射光Ｌ２反射光Ｌ３回折光

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の欠陥検査装置であって；前記基板
の表面の法線に対して光軸が８０°〜８９°の角度をも
って配置された照明光学系と；前記照明光学系によって
照明された基板の表面に関する情報を含んだ光を受光す
る受光手段と；前記基板からの所定の光を選択的に受光
するために、前記受光手段の受光角を設定する受光角設
定手段と；前記基板の表面と交差する軸線回りに前記基
板を回転させる回転機構とを備えることを特徴とする；
基板の欠陥検査装置。
【請求項２】前記受光角設定手段は、前記照明光学系
と前記基板とを一体的に傾斜させて受光角を設定するよ
うに構成されたことを特徴とする；請求項１に記載の、
基板の欠陥検査装置。
【請求項３】基板の表面に対して８０°〜８９°の入
射角をもって前記基板を照明する照明工程と；前記照明
工程で照明された前記基板にて生ずる、前記基板の表面
に関する情報を含んだ光のうちの所定の光を、選択的に
受光する受光工程と；前記受光工程で得られた情報に基
づいて前記基板の欠陥を検出する工程とを備えることを
特徴とする；基板の欠陥検査方法。
【請求項４】前記受光工程は、前記基板にて生ずる所
定の回折光、散乱光あるいは正反射光を選択的に受光す
ることを特徴とする；請求項３に記載の、基板の欠陥検
査方法。
【請求項５】前記欠陥を検出する工程は、前記受光工
程で得られた情報と前記基板の基準状態を示す基準情報
とを比較する工程をさらに備えることを特徴とする；請
求項３または請求項４に記載の、基板の欠陥検査方法。