JP2001178151A - インバータ用コンデンサモジュール、インバータ及びコンデンサモジュール - Google Patents
インバータ用コンデンサモジュール、インバータ及びコンデンサモジュールInfo
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
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- Inverter Devices (AREA)
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- Power Conversion In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気的接続経路における不要インダクタンス
分の発生を抑制することができ、小型であり、大電流用
途に適したインバータ用コンデンサモジュールを提供す
る。 【解決手段】 第１，第２の端子３ａ，３ｂを有する複
数のセラミックコンデンサ３が基板２の第１の面側に搭
載されており、基板２の第１の面には第１の導体１２
が、基板２の第２の面には第２の導体１４が形成されて
おり、第１，第２の端子３ａ，３ｂが、それぞれ、第１
の導体１２及び第２の導体１４に電気的に接続されてお
り、基板２に、スイッチングモジュールの第１，第２の
端子が取り付けられる第１，第２の端子取付け部が形成
されており、該第１，第２の端子取付け部が、第１，第
２の導体１２，１４に電気的に接続されている、インバ
ータ用コンデンサモジュール１。
分の発生を抑制することができ、小型であり、大電流用
途に適したインバータ用コンデンサモジュールを提供す
る。 【解決手段】 第１，第２の端子３ａ，３ｂを有する複
数のセラミックコンデンサ３が基板２の第１の面側に搭
載されており、基板２の第１の面には第１の導体１２
が、基板２の第２の面には第２の導体１４が形成されて
おり、第１，第２の端子３ａ，３ｂが、それぞれ、第１
の導体１２及び第２の導体１４に電気的に接続されてお
り、基板２に、スイッチングモジュールの第１，第２の
端子が取り付けられる第１，第２の端子取付け部が形成
されており、該第１，第２の端子取付け部が、第１，第
２の導体１２，１４に電気的に接続されている、インバ
ータ用コンデンサモジュール１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インバータ装置用
コンデンサモジュール及びインバータ並びにコンデンサ
モジュールに関し、より詳細には、パワーモジュールな
どに好適に用いられるインバータ用コンデンサモジュー
ル、インバータ及びコンデンサモジュールに関する。
コンデンサモジュール及びインバータ並びにコンデンサ
モジュールに関し、より詳細には、パワーモジュールな
どに好適に用いられるインバータ用コンデンサモジュー
ル、インバータ及びコンデンサモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】インバータは、スイッチング素子とコン
デンサとを備える。図１０に示すように、コンデンサ５
１の端子５２がスイッチング素子５３に電気的に接続さ
れている。なお、図１０では、１つの端子５２のみが示
されているが、コンデンサ５１の極性の異なる一対の端
子が、それぞれ、スイッチング素子５３に電気的に接続
されている。また、実際のインバータでは、図示しない
絶縁性を有するハウジング内に、上記コンデンサ５１及
びスイッチング素子５３が搭載されている。
デンサとを備える。図１０に示すように、コンデンサ５
１の端子５２がスイッチング素子５３に電気的に接続さ
れている。なお、図１０では、１つの端子５２のみが示
されているが、コンデンサ５１の極性の異なる一対の端
子が、それぞれ、スイッチング素子５３に電気的に接続
されている。また、実際のインバータでは、図示しない
絶縁性を有するハウジング内に、上記コンデンサ５１及
びスイッチング素子５３が搭載されている。
【０００３】他の電子機器や電子部品と同様に、インバ
ータにおいても小型化が求められている。特開平９−３
０８２６５号公報には、電気自動車用インバータ装置で
あって、設置面積を小さくし、それによって搭載スペー
スの有効利用を図り得る構造が開示されている。
ータにおいても小型化が求められている。特開平９−３
０８２６５号公報には、電気自動車用インバータ装置で
あって、設置面積を小さくし、それによって搭載スペー
スの有効利用を図り得る構造が開示されている。
【０００４】上記先行技術に記載のインバータ装置で
は、スイッチングモジュールの入力端子部に接続された
入力導体板を折り曲げ、該折り曲げられた入力導体板に
電解コンデンサからなる平滑コンデンサを接続すること
により、スイッチングモジュールの上方に平滑コンデン
サが配置されている。ここでは、比較的大きな寸法の電
解コンデンサからなる平滑コンデンサが、スイッチング
モジュールの上方に配置されるので、搭載スペースの低
減が図られている。
は、スイッチングモジュールの入力端子部に接続された
入力導体板を折り曲げ、該折り曲げられた入力導体板に
電解コンデンサからなる平滑コンデンサを接続すること
により、スイッチングモジュールの上方に平滑コンデン
サが配置されている。ここでは、比較的大きな寸法の電
解コンデンサからなる平滑コンデンサが、スイッチング
モジュールの上方に配置されるので、搭載スペースの低
減が図られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
インバータでは、大きな体積を有する電解コンデンサが
用いられているので、コンデンサとスイッチングモジュ
ールとの間の電気的接続部分、例えば上記入力導体板が
ある程度の長さを有する。そのため、この電気的接続部
分によりインダクタンス成分が発生せざるをえなかっ
た。
インバータでは、大きな体積を有する電解コンデンサが
用いられているので、コンデンサとスイッチングモジュ
ールとの間の電気的接続部分、例えば上記入力導体板が
ある程度の長さを有する。そのため、この電気的接続部
分によりインダクタンス成分が発生せざるをえなかっ
た。
【０００６】上記インダクタンス成分を小さくするに
は、スイッチングモジュールのより近くにコンデンサを
配置することが望ましい。従って、従来、スイッチング
モジュールのできるだけ近くにコンデンサが配置されて
いた。
は、スイッチングモジュールのより近くにコンデンサを
配置することが望ましい。従って、従来、スイッチング
モジュールのできるだけ近くにコンデンサが配置されて
いた。
【０００７】しかしながら、上記のように電解コンデン
サはその体積がかなり大きく、従って電解コンデンサと
スイッチングモジュールとの間の電気的接続部分がある
程度の長さを有する以上、インダクタンス成分を小さく
するには限界があった。
サはその体積がかなり大きく、従って電解コンデンサと
スイッチングモジュールとの間の電気的接続部分がある
程度の長さを有する以上、インダクタンス成分を小さく
するには限界があった。
【０００８】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、インバータにおけるコンデンサモジュールと
スイッチングモジュールとの間の電気的接続部分におい
て発生するインダクタンス成分を効果的に低減すること
ができるインバータ用コンデンサモジュール、インバー
タ及びコンデンサモジュールを提供することにある。
を解消し、インバータにおけるコンデンサモジュールと
スイッチングモジュールとの間の電気的接続部分におい
て発生するインダクタンス成分を効果的に低減すること
ができるインバータ用コンデンサモジュール、インバー
タ及びコンデンサモジュールを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、第
１，第２の端子を有する複数個のセラミックコンデンサ
と、対向し合う第１，第２の面と、第１，第２の面を貫
通している複数の貫通孔とを有し、前記複数個のセラミ
ックコンデンサと、スイッチングモジュールとが搭載さ
れる基板とを備えるインバータ用コンデンサモジュール
であって、前記基板の第１の面には第１の導体が形成さ
れており、該第１の導体に、前記複数個のセラミックコ
ンデンサの第１の端子が接続され、前記基板の第２の面
には第２の導体が形成されており、第２の導体に、前記
複数個のセラミックコンデンサの第２の端子が前記貫通
孔を介して接続されており、前記基板に、スイッチング
モジュールの第１，第２の端子が取り付けられる第１，
第２の端子取付け部が形成されており、第１，第２の端
子取付け部が、それぞれ、第１，第２の導体に電気的に
接続されている、インバータ用コンデンサモジュールで
ある。
１，第２の端子を有する複数個のセラミックコンデンサ
と、対向し合う第１，第２の面と、第１，第２の面を貫
通している複数の貫通孔とを有し、前記複数個のセラミ
ックコンデンサと、スイッチングモジュールとが搭載さ
れる基板とを備えるインバータ用コンデンサモジュール
であって、前記基板の第１の面には第１の導体が形成さ
れており、該第１の導体に、前記複数個のセラミックコ
ンデンサの第１の端子が接続され、前記基板の第２の面
には第２の導体が形成されており、第２の導体に、前記
複数個のセラミックコンデンサの第２の端子が前記貫通
孔を介して接続されており、前記基板に、スイッチング
モジュールの第１，第２の端子が取り付けられる第１，
第２の端子取付け部が形成されており、第１，第２の端
子取付け部が、それぞれ、第１，第２の導体に電気的に
接続されている、インバータ用コンデンサモジュールで
ある。
【００１０】第１の発明の特定の局面では、上記第１，
第２の導体が、基板の第１，第２の面において、それぞ
れ、ほぼ全面に渡り形成される。第１の発明において用
いられる上記基板としては、特に限定されるわけではな
いが、合成樹脂またはセラミックスからなるものが好適
に用いられる。
第２の導体が、基板の第１，第２の面において、それぞ
れ、ほぼ全面に渡り形成される。第１の発明において用
いられる上記基板としては、特に限定されるわけではな
いが、合成樹脂またはセラミックスからなるものが好適
に用いられる。
【００１１】本願の第２の発明は、第１，第２の端子を
有する複数個のセラミックコンデンサと、対向し合う第
１，第２の面と、第１，第２の面を貫通している複数の
貫通孔とを有し、前記複数個のセラミックコンデンサと
スイッチングモジュールとが搭載される基板とを備える
インバータ用コンデンサモジュールであって、前記基板
が、絶縁シートと、絶縁シートの両面に積層された第
１，第２の導体を構成する第１，第２の金属板とを有
し、第１の導体側に複数個の前記セラミックコンデンサ
が搭載され、かつ第１の導体に、複数個のセラミックコ
ンデンサの第１の端子が接続され、第２の導体に、複数
個のセラミックコンデンサの第２の端子が、前記貫通孔
を介して接続されており、第１，第２の金属板に、スイ
ッチングモジュールの第１，第２の端子が取り付けられ
る第１，第２の端子取付け部がそれぞれ形成されてい
る、インバータ用コンデンサモジュールである。
有する複数個のセラミックコンデンサと、対向し合う第
１，第２の面と、第１，第２の面を貫通している複数の
貫通孔とを有し、前記複数個のセラミックコンデンサと
スイッチングモジュールとが搭載される基板とを備える
インバータ用コンデンサモジュールであって、前記基板
が、絶縁シートと、絶縁シートの両面に積層された第
１，第２の導体を構成する第１，第２の金属板とを有
し、第１の導体側に複数個の前記セラミックコンデンサ
が搭載され、かつ第１の導体に、複数個のセラミックコ
ンデンサの第１の端子が接続され、第２の導体に、複数
個のセラミックコンデンサの第２の端子が、前記貫通孔
を介して接続されており、第１，第２の金属板に、スイ
ッチングモジュールの第１，第２の端子が取り付けられ
る第１，第２の端子取付け部がそれぞれ形成されてい
る、インバータ用コンデンサモジュールである。
【００１２】第１，第２の発明（以下本発明）におい
て、好ましくは、上記セラミックコンデンサとして、積
層コンデンサが用いられる。また、第１，第２の発明の
特定の局面では、前記第１，第２の導体上に、コンデン
サの第１，第２の端子に接続される部分と第１，第２の
端子取付け部を少なくとも露出させて、残りの領域に絶
縁被膜が形成されている。
て、好ましくは、上記セラミックコンデンサとして、積
層コンデンサが用いられる。また、第１，第２の発明の
特定の局面では、前記第１，第２の導体上に、コンデン
サの第１，第２の端子に接続される部分と第１，第２の
端子取付け部を少なくとも露出させて、残りの領域に絶
縁被膜が形成されている。
【００１３】より好ましくは、上記絶縁膜は、空気より
熱伝導性が高い材料により構成される。本発明の他の特
定の局面では、前記セラミックコンデンサと、前記基板
との間に空気よりも熱伝導性に優れた合成樹脂が充填さ
れている。
熱伝導性が高い材料により構成される。本発明の他の特
定の局面では、前記セラミックコンデンサと、前記基板
との間に空気よりも熱伝導性に優れた合成樹脂が充填さ
れている。
【００１４】本発明のさらに他の特定の局面では、全体
を被覆する外装樹脂層がさらに備えられる。本発明に係
るインバータは、第１，第２の発明に係るコンデンサモ
ジュールと、コンデンサモジュールの基板に設けられた
第１，第２の端子取付け部に取り付けられたスイッチン
グモジュールとを備えることを特徴とする。
を被覆する外装樹脂層がさらに備えられる。本発明に係
るインバータは、第１，第２の発明に係るコンデンサモ
ジュールと、コンデンサモジュールの基板に設けられた
第１，第２の端子取付け部に取り付けられたスイッチン
グモジュールとを備えることを特徴とする。
【００１５】本発明に係るコンデンサモジュールは、第
１，第２の端子を有する複数個のセラミックコンデンサ
と、対向し合う第１，第２の面と、第１，第２の面を貫
通している複数の貫通孔とを有し、前記複数個のセラミ
ックコンデンサが搭載される基板とを備え、前記基板の
第１の面側に、複数個のセラミックコンデンサが搭載さ
れ、該基板の第１の面には第１の導体が形成されてお
り、該第１の導体に複数個のセラミックコンデンサの第
１の端子が接続されており、前記基板の第２の面には第
２の導体が形成されており、第２の導体に、複数個のセ
ラミックコンデンサの第２の端子が前記貫通孔を介して
接続されていることを特徴とする。
１，第２の端子を有する複数個のセラミックコンデンサ
と、対向し合う第１，第２の面と、第１，第２の面を貫
通している複数の貫通孔とを有し、前記複数個のセラミ
ックコンデンサが搭載される基板とを備え、前記基板の
第１の面側に、複数個のセラミックコンデンサが搭載さ
れ、該基板の第１の面には第１の導体が形成されてお
り、該第１の導体に複数個のセラミックコンデンサの第
１の端子が接続されており、前記基板の第２の面には第
２の導体が形成されており、第２の導体に、複数個のセ
ラミックコンデンサの第２の端子が前記貫通孔を介して
接続されていることを特徴とする。
【００１６】本発明に係るコンデンサモジュールでは、
好ましくは、上記セラミックコンデンサとして積層コン
デンサが用いられる。
好ましくは、上記セラミックコンデンサとして積層コン
デンサが用いられる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
具体的な実施例を挙げることにより、本発明を明らかに
する。
具体的な実施例を挙げることにより、本発明を明らかに
する。
【００１８】図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の
実施例に係るインバータ用コンデンサモジュールを示す
平面図及び正面図である。インバータ用コンデンサモジ
ュール１では、基板２上に複数のセラミックコンデンサ
としての積層コンデンサ３〜８が搭載されている。な
お、積層コンデンサ３〜８は、極性が異なる第１，第２
のリード端子を有するが、各第１，第２のリード端子は
金属板の切起しにより形成された多数の金属舌片を有す
る。基板２には、第１，第２の端子取付け部２ａ，２ｂ
が形成されている。ここでは、端子取付け部２ａ，２ｂ
は、基板２に設けられた貫通孔として構成されており、
該貫通孔にスイッチングモジュールの第１，第２の端子
を固定するためにボルト９，１０が挿通されている。
実施例に係るインバータ用コンデンサモジュールを示す
平面図及び正面図である。インバータ用コンデンサモジ
ュール１では、基板２上に複数のセラミックコンデンサ
としての積層コンデンサ３〜８が搭載されている。な
お、積層コンデンサ３〜８は、極性が異なる第１，第２
のリード端子を有するが、各第１，第２のリード端子は
金属板の切起しにより形成された多数の金属舌片を有す
る。基板２には、第１，第２の端子取付け部２ａ，２ｂ
が形成されている。ここでは、端子取付け部２ａ，２ｂ
は、基板２に設けられた貫通孔として構成されており、
該貫通孔にスイッチングモジュールの第１，第２の端子
を固定するためにボルト９，１０が挿通されている。
【００１９】上記基板２に積層コンデンサ３〜８が取り
付けられている構造を、図１及び図３を併せて参照して
説明する。なお、図１（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線に沿う部
分に相当する断面図である。
付けられている構造を、図１及び図３を併せて参照して
説明する。なお、図１（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線に沿う部
分に相当する断面図である。
【００２０】図１（ａ）に示すように、スイッチングモ
ジュール１８は基板２の下方に配置されており、スイッ
チングモジュール１８の上方と基板２を介して重なり合
う位置に積層コンデンサ３〜８が配置されている。
ジュール１８は基板２の下方に配置されており、スイッ
チングモジュール１８の上方と基板２を介して重なり合
う位置に積層コンデンサ３〜８が配置されている。
【００２１】図１（ｂ）に示すように、基板２は、ガラ
スエポキシなどの絶縁性材料になる絶縁性基板本体１１
を有する。なお、絶縁性基板本体１１は、ガラスエポキ
シ以外の他の絶縁性材料、例えばフェノールなどの合成
樹脂やセラミックスにより構成されてもよい。
スエポキシなどの絶縁性材料になる絶縁性基板本体１１
を有する。なお、絶縁性基板本体１１は、ガラスエポキ
シ以外の他の絶縁性材料、例えばフェノールなどの合成
樹脂やセラミックスにより構成されてもよい。
【００２２】絶縁性基板本体１１には、積層コンデンサ
３の第１，第２のリード端子３ａ，３ｂの金属切片部分
が挿入される貫通孔１１ａ，１１ｂが形成されている。
なお、積層コンデンサ３は、上記のように、コンデンサ
素体３ｃの両端面に第１，第２のリード端子３ａ，３ｂ
が接合されたリード付き部品として構成されている。
３の第１，第２のリード端子３ａ，３ｂの金属切片部分
が挿入される貫通孔１１ａ，１１ｂが形成されている。
なお、積層コンデンサ３は、上記のように、コンデンサ
素体３ｃの両端面に第１，第２のリード端子３ａ，３ｂ
が接合されたリード付き部品として構成されている。
【００２３】図３（ａ）に示すように、絶縁性基板本体
１１の上面、すなわち本発明における基板の第１の面に
は、ほぼ全面に渡り、第１の導体１２が形成されてい
る。第１の導体１２は、本実施例ではＣｕからなるが、
ＡｇやＡｌなどの他の導電性材料を用いて構成されても
よい。なお、図１（ｂ）に示すように、第１の導体１２
は、貫通孔１１ａの内周面を経て、ガラスエポキシ基板
１１の下面において、貫通孔１１ａの周縁に至るように
形成されている。他方、第１の導体１２は、ガラスエポ
キシ基板１１の上面において、貫通孔１１ｂの周縁を除
いて形成されている。また、第１の導体１２は、貫通孔
１１ｂ内には至らないように形成されている。
１１の上面、すなわち本発明における基板の第１の面に
は、ほぼ全面に渡り、第１の導体１２が形成されてい
る。第１の導体１２は、本実施例ではＣｕからなるが、
ＡｇやＡｌなどの他の導電性材料を用いて構成されても
よい。なお、図１（ｂ）に示すように、第１の導体１２
は、貫通孔１１ａの内周面を経て、ガラスエポキシ基板
１１の下面において、貫通孔１１ａの周縁に至るように
形成されている。他方、第１の導体１２は、ガラスエポ
キシ基板１１の上面において、貫通孔１１ｂの周縁を除
いて形成されている。また、第１の導体１２は、貫通孔
１１ｂ内には至らないように形成されている。
【００２４】上記第１の導体１２の上面には、絶縁被膜
１３が形成されている。絶縁被膜１３は、ガラスエポキ
シ基板１１の上面において形成されており、かつ貫通孔
１１ｂの周縁に至るように形成されている。従って、リ
ード端子３ｂと、第１の導体１２との短絡が防止され
る。絶縁被膜１３は、例えば適宜の合成樹脂被膜等によ
り形成することができる。
１３が形成されている。絶縁被膜１３は、ガラスエポキ
シ基板１１の上面において形成されており、かつ貫通孔
１１ｂの周縁に至るように形成されている。従って、リ
ード端子３ｂと、第１の導体１２との短絡が防止され
る。絶縁被膜１３は、例えば適宜の合成樹脂被膜等によ
り形成することができる。
【００２５】図３（ｂ）に示すように、ガラスエポキシ
基板１１の下面においては、ほぼ全面に渡り、第２の導
体１４が形成されている。もっとも、第２の導体１４
は、貫通孔１１ａの周縁を除いて形成されている。さら
に、第２の導体１４は、貫通孔１１ａの周縁において、
第１の導体１２の下面に至っている部分と所定距離を隔
てて形成されている。第２の導体１４は、第１の導体１
２と同じ材料で構成されている。もっとも、第２の導体
１４は、他の導電性材料で構成されていてもよい。
基板１１の下面においては、ほぼ全面に渡り、第２の導
体１４が形成されている。もっとも、第２の導体１４
は、貫通孔１１ａの周縁を除いて形成されている。さら
に、第２の導体１４は、貫通孔１１ａの周縁において、
第１の導体１２の下面に至っている部分と所定距離を隔
てて形成されている。第２の導体１４は、第１の導体１
２と同じ材料で構成されている。もっとも、第２の導体
１４は、他の導電性材料で構成されていてもよい。
【００２６】第２の導体１４を被覆するように、絶縁被
膜１５が形成されている（図１（ｂ））。絶縁被膜１５
は、絶縁被膜１３と同様の材料で構成することができ
る。もっとも、絶縁被膜１５は、貫通孔１１ｂの開口周
縁においては、第２の導体１４を露出させるように形成
されている。
膜１５が形成されている（図１（ｂ））。絶縁被膜１５
は、絶縁被膜１３と同様の材料で構成することができ
る。もっとも、絶縁被膜１５は、貫通孔１１ｂの開口周
縁においては、第２の導体１４を露出させるように形成
されている。
【００２７】また、絶縁被膜１５は、貫通孔１１ａの周
縁においては、第１の導体１２の下面に至っている部分
を露出させるように、第１の導体１２上には至らないよ
うに形成されている。
縁においては、第１の導体１２の下面に至っている部分
を露出させるように、第１の導体１２上には至らないよ
うに形成されている。
【００２８】積層コンデンサ３は、そのリード端子３
ａ，３ｂが上記貫通孔１１ａ，１１ｂに挿入されるよう
にして、基板２に搭載される。この場合、リード端子３
ａが半田１６により、第１の導体１２に接合される。他
方、リード端子３ｂが、半田１７により、第２の導体１
４に接合される。
ａ，３ｂが上記貫通孔１１ａ，１１ｂに挿入されるよう
にして、基板２に搭載される。この場合、リード端子３
ａが半田１６により、第１の導体１２に接合される。他
方、リード端子３ｂが、半田１７により、第２の導体１
４に接合される。
【００２９】なお、残りの積層コンデンサ４〜８につい
ても、上記積層コンデンサ３と同様にして基板２に搭載
されている。図１から明らかなように、積層コンデンサ
３の一方の電位に接続されるリード端子３ａが、第１の
導体１２に電気的に接続され、他方の電位に接続される
リード端子３ｂが第２の導体１４に電気的に接続され
る。そして、第１，第２の導体１２，１４は、基板２の
第１の面及び第２の面において、それぞれほぼ全面に渡
り形成されている。
ても、上記積層コンデンサ３と同様にして基板２に搭載
されている。図１から明らかなように、積層コンデンサ
３の一方の電位に接続されるリード端子３ａが、第１の
導体１２に電気的に接続され、他方の電位に接続される
リード端子３ｂが第２の導体１４に電気的に接続され
る。そして、第１，第２の導体１２，１４は、基板２の
第１の面及び第２の面において、それぞれほぼ全面に渡
り形成されている。
【００３０】従って、積層コンデンサモジュール１の端
子取付け部２ａ，２ｂに、スイッチングモジュール１８
を取付け、インバータを構成した場合、第１の導体１２
及び第２の導体１４に電流が流れるが、第１，第２の導
体が基板２の第１，第２の面のほぼ全面積を示すように
形成されているので、多くの電流を流すことができる。
また、この広い面積に渡り第１，第２の導体が形成され
ているので、第１，第２の導体１２，１４内において様
々な方向に電流が流れ、すなわち多数の分流が生じる。
よって、第１の導体１２から第２の導体１４側に電流が
流れる場合、あるいは第２導体１４から第１の導体１２
側に電流が流れる場合のいずれにおいても、第１，第２
の導体１２，１４で構成される電気的接続部分におい
て、インダクタンス分の発生を抑制することができる。
子取付け部２ａ，２ｂに、スイッチングモジュール１８
を取付け、インバータを構成した場合、第１の導体１２
及び第２の導体１４に電流が流れるが、第１，第２の導
体が基板２の第１，第２の面のほぼ全面積を示すように
形成されているので、多くの電流を流すことができる。
また、この広い面積に渡り第１，第２の導体が形成され
ているので、第１，第２の導体１２，１４内において様
々な方向に電流が流れ、すなわち多数の分流が生じる。
よって、第１の導体１２から第２の導体１４側に電流が
流れる場合、あるいは第２導体１４から第１の導体１２
側に電流が流れる場合のいずれにおいても、第１，第２
の導体１２，１４で構成される電気的接続部分におい
て、インダクタンス分の発生を抑制することができる。
【００３１】特に、本実施例のように、第１，第２の端
子取付け部２ａ，２ｂが近接しており、例えば第１の端
子取付け部２ａから、第１の導体１２、積層コンデンサ
３〜８、第２の導体１４を介して第２の端子取付け部２
ｂに電流が流れる場合、基板２の上面と下面とで電流の
流れる方向が逆となるため、それによって発生したイン
ダクタンス分が効果的に相殺される。
子取付け部２ａ，２ｂが近接しており、例えば第１の端
子取付け部２ａから、第１の導体１２、積層コンデンサ
３〜８、第２の導体１４を介して第２の端子取付け部２
ｂに電流が流れる場合、基板２の上面と下面とで電流の
流れる方向が逆となるため、それによって発生したイン
ダクタンス分が効果的に相殺される。
【００３２】加えて、電解コンデンサに比べて非常に小
さい積層コンデンサ３〜８を用いているので、さらに基
板２上に積層コンデンサ３〜８が搭載されており、該基
板２に直接インバータのスイッチングモジュール１８が
取付けられるように構成されているので、インバータの
小型化を図ることができると共に、小型化により電気的
接続部の長さが短くなり、それによっても所望でないイ
ンダクタンス成分の発生を抑制することができる。
さい積層コンデンサ３〜８を用いているので、さらに基
板２上に積層コンデンサ３〜８が搭載されており、該基
板２に直接インバータのスイッチングモジュール１８が
取付けられるように構成されているので、インバータの
小型化を図ることができると共に、小型化により電気的
接続部の長さが短くなり、それによっても所望でないイ
ンダクタンス成分の発生を抑制することができる。
【００３３】さらに、端子取付け部２ａ，２ｂを、スイ
ッチングモジュール１８の第１，第２の端子に直接ボル
トにより締結できるため、スイッチングモジュール１８
とコンデンサ３〜８との間の距離を非常に小さくするこ
とができる。従って、それによっても、コンデンサへの
給電経路におけるインダクタンス成分の低減を図ること
ができる。
ッチングモジュール１８の第１，第２の端子に直接ボル
トにより締結できるため、スイッチングモジュール１８
とコンデンサ３〜８との間の距離を非常に小さくするこ
とができる。従って、それによっても、コンデンサへの
給電経路におけるインダクタンス成分の低減を図ること
ができる。
【００３４】加えて、積層コンデンサモジュール１で
は、積層コンデンサ３〜８が基板２上に併設されている
ので、多段構造のコンデンサモジュールに比べて、表面
積を大きくすることができ、これによって放熱効果を高
め得る。
は、積層コンデンサ３〜８が基板２上に併設されている
ので、多段構造のコンデンサモジュールに比べて、表面
積を大きくすることができ、これによって放熱効果を高
め得る。
【００３５】図４〜図９は、本発明のコンデンサモジュ
ールの他の実施例を説明するための各正面断面図であ
る。なお、図４及び図７〜図９では、図１と同様に、１
個の積層コンデンサが搭載されている部分のみを示す
が、第１の実施例と同様に、複数の積層コンデンサが基
板上に搭載されており、かつ図示しない部分において、
第１の実施例と同様にスイッチングモジュールを取り付
けるための第１，第２の端子取付け部が構成されてい
る。
ールの他の実施例を説明するための各正面断面図であ
る。なお、図４及び図７〜図９では、図１と同様に、１
個の積層コンデンサが搭載されている部分のみを示す
が、第１の実施例と同様に、複数の積層コンデンサが基
板上に搭載されており、かつ図示しない部分において、
第１の実施例と同様にスイッチングモジュールを取り付
けるための第１，第２の端子取付け部が構成されてい
る。
【００３６】図４に示す第２の実施例のコンデンサモジ
ュール３１では、基板３２が、絶縁シート３３の両面に
第１，第２の金属板３４，３５を貼り合わせた構造を有
する。図６に、絶縁シート３３を平面図で示す。絶縁シ
ート３３は、本実施例では、シリコーン樹脂からなり、
０．１〜０．０５ｍｍ程度の厚みを有する。もっとも、
絶縁シート３３は、エポキシ樹脂（レジスト）などの他
の合成樹脂を用いて構成されていてもよい。
ュール３１では、基板３２が、絶縁シート３３の両面に
第１，第２の金属板３４，３５を貼り合わせた構造を有
する。図６に、絶縁シート３３を平面図で示す。絶縁シ
ート３３は、本実施例では、シリコーン樹脂からなり、
０．１〜０．０５ｍｍ程度の厚みを有する。もっとも、
絶縁シート３３は、エポキシ樹脂（レジスト）などの他
の合成樹脂を用いて構成されていてもよい。
【００３７】図５（ａ），（ｂ）は、第１，第２の金属
板３４，３５を示す平面図である。第１，第２の金属板
３４，３５は、本実施例ではＣｕ板からなり、それぞれ
第１，第２の導体を構成している。なお、第１，第２の
金属板３４，３５は、０．５ｍｍ程度の厚みを有するよ
うに構成されている。
板３４，３５を示す平面図である。第１，第２の金属板
３４，３５は、本実施例ではＣｕ板からなり、それぞれ
第１，第２の導体を構成している。なお、第１，第２の
金属板３４，３５は、０．５ｍｍ程度の厚みを有するよ
うに構成されている。
【００３８】このように、絶縁シート３３の両面に第
１，第２の金属板３４，３５を積層した構造の基板を用
いてもよい。この場合においても、第１の導体としての
第１の金属板３４の上面には、絶縁被膜３６が、第２の
導体としての第２の金属板３５の下面には絶縁被膜３７
が形成されている。
１，第２の金属板３４，３５を積層した構造の基板を用
いてもよい。この場合においても、第１の導体としての
第１の金属板３４の上面には、絶縁被膜３６が、第２の
導体としての第２の金属板３５の下面には絶縁被膜３７
が形成されている。
【００３９】そして、基板３２においても、貫通孔１１
ａ，１１ｂが形成されている。もっとも、リード端子３
ａが挿入される貫通孔１１ａにおいては、第１の金属板
３４に形成された貫通孔３４ａの径が、絶縁シート３５
に形成された貫通孔３３ａよりも小さくされている。ま
た、第２の金属板３５の貫通孔３５ａはさらに大きくさ
れている。従って、リード端子３ａを挿入した状態にお
いて、下面側から半田１６をリード端子３ａと第１の金
属板３４とを接合するように付与することができる。こ
の場合、半田１６は、第１の金属板３４の下面及び貫通
孔３４ａ内に至るように付与され、リード端子３ａと第
１の金属板３４とを接合している。また、絶縁シート３
３の貫通孔３３ａよりも貫通孔３５ａが大きいため、半
田１６の金属板３５との接触が確実に抑制される。
ａ，１１ｂが形成されている。もっとも、リード端子３
ａが挿入される貫通孔１１ａにおいては、第１の金属板
３４に形成された貫通孔３４ａの径が、絶縁シート３５
に形成された貫通孔３３ａよりも小さくされている。ま
た、第２の金属板３５の貫通孔３５ａはさらに大きくさ
れている。従って、リード端子３ａを挿入した状態にお
いて、下面側から半田１６をリード端子３ａと第１の金
属板３４とを接合するように付与することができる。こ
の場合、半田１６は、第１の金属板３４の下面及び貫通
孔３４ａ内に至るように付与され、リード端子３ａと第
１の金属板３４とを接合している。また、絶縁シート３
３の貫通孔３３ａよりも貫通孔３５ａが大きいため、半
田１６の金属板３５との接触が確実に抑制される。
【００４０】貫通孔１１ｂにおいては、逆に、第１の金
属板３４に設けられた貫通孔３４ｂが大きくされてお
り、他方、絶縁シート３３及び第２の金属板３５に設け
られた貫通孔３３ｂ，３５ｂはその径が小さくされてい
る。従って、リード端子３ｂを貫通孔１１ｂに挿入した
場合に、リード端子３ｂと第１の金属板３４との接触が
確実に防止される。また、半田１７が第２の金属板３５
の下面側から付与されて、リード端子３ｂと第２の金属
板３５とが接合されている。
属板３４に設けられた貫通孔３４ｂが大きくされてお
り、他方、絶縁シート３３及び第２の金属板３５に設け
られた貫通孔３３ｂ，３５ｂはその径が小さくされてい
る。従って、リード端子３ｂを貫通孔１１ｂに挿入した
場合に、リード端子３ｂと第１の金属板３４との接触が
確実に防止される。また、半田１７が第２の金属板３５
の下面側から付与されて、リード端子３ｂと第２の金属
板３５とが接合されている。
【００４１】図７は、第２の実施例のコンデンサモジュ
ール３１の変形例を示す。図７に示すコンデンサモジュ
ール３８では、絶縁シート３３Ａが、絶縁被膜３６，３
７と同じ材料で構成されている。すなわち、第１，第２
の金属板３４，３５間の絶縁シート３３については、第
２の実施例のように絶縁性接着剤を用いて構成してもよ
く、あるいはコンデンサモジュール３８のように、絶縁
被膜形成材料を用いて構成してもよい。
ール３１の変形例を示す。図７に示すコンデンサモジュ
ール３８では、絶縁シート３３Ａが、絶縁被膜３６，３
７と同じ材料で構成されている。すなわち、第１，第２
の金属板３４，３５間の絶縁シート３３については、第
２の実施例のように絶縁性接着剤を用いて構成してもよ
く、あるいはコンデンサモジュール３８のように、絶縁
被膜形成材料を用いて構成してもよい。
【００４２】この場合、絶縁シート３３Ａの厚みは０．
０５ｍｍ程度とされる。図８は、第１の実施例に係る積
層コンデンサモジュールの変形例を示す正面断面図であ
る。図８に示す積層コンデンサモジュール４１では、基
板２と積層コンデンサ３との間に、空気よりも熱伝導性
に優れた合成樹脂４２が充填されている。合成樹脂４２
は、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂を積層コンデ
ンサ３と基板２との間に注入し、硬化させることにより
形成することができる。上記合成樹脂層４２が、空気よ
り熱伝導性が高いので、合成樹脂層４２の形成により、
熱伝導による放熱が効果的に行われる。従って、第１の
実施例に比べて、コンデンサ３の放熱硬化を格段に高め
ることができる。加えて、コンデンサモジュール４１が
取り付けられる他の素子を介して受ける機械的振動や衝
撃により、コンデンサ３や端子接合部が受ける応力を分
散させ、耐機械的衝撃性を高め得る作用も発揮する。
０５ｍｍ程度とされる。図８は、第１の実施例に係る積
層コンデンサモジュールの変形例を示す正面断面図であ
る。図８に示す積層コンデンサモジュール４１では、基
板２と積層コンデンサ３との間に、空気よりも熱伝導性
に優れた合成樹脂４２が充填されている。合成樹脂４２
は、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂を積層コンデ
ンサ３と基板２との間に注入し、硬化させることにより
形成することができる。上記合成樹脂層４２が、空気よ
り熱伝導性が高いので、合成樹脂層４２の形成により、
熱伝導による放熱が効果的に行われる。従って、第１の
実施例に比べて、コンデンサ３の放熱硬化を格段に高め
ることができる。加えて、コンデンサモジュール４１が
取り付けられる他の素子を介して受ける機械的振動や衝
撃により、コンデンサ３や端子接合部が受ける応力を分
散させ、耐機械的衝撃性を高め得る作用も発揮する。
【００４３】図９は、第１の実施例の積層コンデンサモ
ジュールのさらに他の変形例を示す正面断面図である。
図９に示す積層コンデンサモジュール４３では、全体が
外装樹脂層４４により被覆されている。外装樹脂層４４
としては、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等を
用いることができる。このように、全体を外装樹脂層４
４で被覆することにより、コンデンサ３やリード端子３
ａ，３ｂの基板への接合部分、並びに図示されていない
がスイッチングモジュールが取り付けられる部分の耐衝
撃性を高めることができる。
ジュールのさらに他の変形例を示す正面断面図である。
図９に示す積層コンデンサモジュール４３では、全体が
外装樹脂層４４により被覆されている。外装樹脂層４４
としては、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等を
用いることができる。このように、全体を外装樹脂層４
４で被覆することにより、コンデンサ３やリード端子３
ａ，３ｂの基板への接合部分、並びに図示されていない
がスイッチングモジュールが取り付けられる部分の耐衝
撃性を高めることができる。
【００４４】また、他の部品との間に外装樹脂層４４が
介在することになるため、他の電子部品との短絡を防止
することができる。また、水分や腐食性ガスなどの影響
を抑制することができ、耐環境特性を高め得る。
介在することになるため、他の電子部品との短絡を防止
することができる。また、水分や腐食性ガスなどの影響
を抑制することができ、耐環境特性を高め得る。
【００４５】上述してきた実施例及び変形例では、第
１，第２の導体は、基板の第１，第２の面においてほぼ
全面に渡り形成されていたが、第１，第２の導体は、必
ずしもほぼ全面に渡り形成されている必要はなく、その
場合であっても、第１，第２の導体により電気的接続部
分が構成され、第１，第２の導体で電流の流れる向きが
逆となるため、低インダクタンスのインバータ用コンデ
ンサモジュールを構成することができる。
１，第２の導体は、基板の第１，第２の面においてほぼ
全面に渡り形成されていたが、第１，第２の導体は、必
ずしもほぼ全面に渡り形成されている必要はなく、その
場合であっても、第１，第２の導体により電気的接続部
分が構成され、第１，第２の導体で電流の流れる向きが
逆となるため、低インダクタンスのインバータ用コンデ
ンサモジュールを構成することができる。
【００４６】また、上記実施例及び変形例では、セラミ
ックコンデンサとして積層コンデンサ３〜８を示した
が、セラミックコンデンサとしては、積層コンデンサ以
外の単板型のコンデンサを用いてもよい。
ックコンデンサとして積層コンデンサ３〜８を示した
が、セラミックコンデンサとしては、積層コンデンサ以
外の単板型のコンデンサを用いてもよい。
【００４７】また、コンデンサモジュールにおける基板
上に搭載されるセラミックコンデンサの数についても、
図２に示したものに限定されず、目的とするインバータ
に応じて適宜の数のセラミックコンデンサを搭載すれば
よい。
上に搭載されるセラミックコンデンサの数についても、
図２に示したものに限定されず、目的とするインバータ
に応じて適宜の数のセラミックコンデンサを搭載すれば
よい。
【００４８】また、第１，第２の端子取付け部２ａ，２
ｂに直接ボルトを用いて取り付けられるスイッチングモ
ジュールについては、従来より周知のインバータで用い
られている適宜のスイッチングモジュールを用いること
ができる。
ｂに直接ボルトを用いて取り付けられるスイッチングモ
ジュールについては、従来より周知のインバータで用い
られている適宜のスイッチングモジュールを用いること
ができる。
【００４９】
【発明の効果】第１の発明に係るインバータ用コンデン
サモジュールでは、基板の第１の面及び第２の面のほぼ
全面に渡り第１，第２の導体が形成されており、基板上
に搭載された複数のセラミックコンデンサの第１の端子
が第１の導体に、第２の端子が第２の導体に接続されて
いる。そして、第１，第２の導体が、スイッチングモジ
ュールの第１，第２の端子が取付けられる第１，第２の
端子取付け部に電気的に接続されている。
サモジュールでは、基板の第１の面及び第２の面のほぼ
全面に渡り第１，第２の導体が形成されており、基板上
に搭載された複数のセラミックコンデンサの第１の端子
が第１の導体に、第２の端子が第２の導体に接続されて
いる。そして、第１，第２の導体が、スイッチングモジ
ュールの第１，第２の端子が取付けられる第１，第２の
端子取付け部に電気的に接続されている。
【００５０】すなわち、基板のほぼ全面に渡り第１，第
２の導体が形成されて、セラミックコンデンサとスイッ
チングモジュールとの間の電気的接続部分が構成されて
いる。従って、第１の導体と第２の導体とで電流の流れ
る向きが逆となるため、基板の両面において、発生した
インダクタンス成分が相殺される。よって、低インダク
タンスのインバータ用コンデンサモジュールを提供する
ことができる。
２の導体が形成されて、セラミックコンデンサとスイッ
チングモジュールとの間の電気的接続部分が構成されて
いる。従って、第１の導体と第２の導体とで電流の流れ
る向きが逆となるため、基板の両面において、発生した
インダクタンス成分が相殺される。よって、低インダク
タンスのインバータ用コンデンサモジュールを提供する
ことができる。
【００５１】さらに、第２の導体は、基板の第１の面か
ら第２の面に貫通する貫通孔を介して第２の導体に接続
されており、さらに電解コンデンサよりも遥かに小さな
セラミックコンデンサを用いて構成されているので、イ
ンバータ用コンデンサモジュールの小型化を図ることが
できる。
ら第２の面に貫通する貫通孔を介して第２の導体に接続
されており、さらに電解コンデンサよりも遥かに小さな
セラミックコンデンサを用いて構成されているので、イ
ンバータ用コンデンサモジュールの小型化を図ることが
できる。
【００５２】また、複数個のセラミックコンデンサが第
１の面上に並設されて搭載されている場合には、表面積
が大きくなるので、放熱性を高め得る。よって、放熱効
果が大きいことによっても、大きな電流を流すことが可
能となる。
１の面上に並設されて搭載されている場合には、表面積
が大きくなるので、放熱性を高め得る。よって、放熱効
果が大きいことによっても、大きな電流を流すことが可
能となる。
【００５３】加えて、全体を非常に薄くし得るので、ス
イッチングモジュール上に配置することができ、スイッ
チングモジュール上方の空き空間を有効に利用すること
ができる。
イッチングモジュール上に配置することができ、スイッ
チングモジュール上方の空き空間を有効に利用すること
ができる。
【００５４】第１の発明において、第１，第２の導体が
基板の第１，第２の面においてほぼ全面に渡り形成され
ている場合には、大きな電流を流すことが可能となる。
また、広い面積に渡り第１，第２の導体が形成されるこ
とになり、第１，第２の導体内において様々な方向に電
流が流れるので、第１，第２の導体で構成される電気的
接続部分におけるインダクタンス分の発生をより効果的
に抑制することができる。
基板の第１，第２の面においてほぼ全面に渡り形成され
ている場合には、大きな電流を流すことが可能となる。
また、広い面積に渡り第１，第２の導体が形成されるこ
とになり、第１，第２の導体内において様々な方向に電
流が流れるので、第１，第２の導体で構成される電気的
接続部分におけるインダクタンス分の発生をより効果的
に抑制することができる。
【００５５】基板を合成樹脂またはセラミックスで用い
た場合、上記第１，第２の導体が形成されている基板
を、各種成形方法や焼成方法を用いて容易に構成するこ
とができる。
た場合、上記第１，第２の導体が形成されている基板
を、各種成形方法や焼成方法を用いて容易に構成するこ
とができる。
【００５６】第２の発明に係るインバータ用コンデンサ
モジュールにおいても、基板の第１の面及び第２の面の
ほぼ全面に渡り第１，第２の導体が形成されており、基
板上に搭載された複数のセラミックコンデンサの第１の
端子が第１の導体に、第２の端子が第２の導体に接続さ
れている。そして、第１，第２の導体が、スイッチング
モジュールの第１，第２の端子が取付けられる第１，第
２の端子取付け部に電気的に接続されている。基板のほ
ぼ全面に渡り第１，第２の導体が形成されて、セラミッ
クコンデンサとスイッチングモジュールとの間の電気的
接続部分が構成されている。
モジュールにおいても、基板の第１の面及び第２の面の
ほぼ全面に渡り第１，第２の導体が形成されており、基
板上に搭載された複数のセラミックコンデンサの第１の
端子が第１の導体に、第２の端子が第２の導体に接続さ
れている。そして、第１，第２の導体が、スイッチング
モジュールの第１，第２の端子が取付けられる第１，第
２の端子取付け部に電気的に接続されている。基板のほ
ぼ全面に渡り第１，第２の導体が形成されて、セラミッ
クコンデンサとスイッチングモジュールとの間の電気的
接続部分が構成されている。
【００５７】従って、大きな電流を流すことができ、か
つ第１の導体と第２の導体とで電流の流れる向きが逆と
なるため、基板の両面において発生したインダクタンス
成分同士が相殺される。よって、低インダクタンスのイ
ンバータ用コンデンサモジュールを提供することができ
る。
つ第１の導体と第２の導体とで電流の流れる向きが逆と
なるため、基板の両面において発生したインダクタンス
成分同士が相殺される。よって、低インダクタンスのイ
ンバータ用コンデンサモジュールを提供することができ
る。
【００５８】さらに、第２の導体は、基板の第１の面か
ら第２の面に貫通する貫通孔を介して第２の導体に接続
されており、さらに電解コンデンサよりも遥かに小さな
セラミックコンデンサを用いて構成されているので、イ
ンバータ用コンデンサモジュールの小型化を図ることが
できる。
ら第２の面に貫通する貫通孔を介して第２の導体に接続
されており、さらに電解コンデンサよりも遥かに小さな
セラミックコンデンサを用いて構成されているので、イ
ンバータ用コンデンサモジュールの小型化を図ることが
できる。
【００５９】また、複数個のセラミックコンデンサが第
１の面上に並設されて搭載されている場合には、平面状
に構成されているので、表面積が大きく、放熱性が高め
られる。よって、放熱効果が大きいことによっても、大
きな電流を流すことが可能となる。
１の面上に並設されて搭載されている場合には、平面状
に構成されているので、表面積が大きく、放熱性が高め
られる。よって、放熱効果が大きいことによっても、大
きな電流を流すことが可能となる。
【００６０】加えて、全体を非常に薄くし得るので、ス
イッチングモジュール上に配置することができ、スイッ
チングモジュール上方の空き空間を有効に利用すること
ができる。
イッチングモジュール上に配置することができ、スイッ
チングモジュール上方の空き空間を有効に利用すること
ができる。
【００６１】しかも、第２の発明では、第１，第２の導
体が第１，第２の金属板により構成されているので、基
板が十分な強度を有し、それによって耐衝撃性が高めら
れる。
体が第１，第２の金属板により構成されているので、基
板が十分な強度を有し、それによって耐衝撃性が高めら
れる。
【００６２】本発明において、セラミックコンデンサと
して積層コンデンサを用いた場合には、コンデンサの小
型化及び大容量化を進め得るので、インバータ用コンデ
ンサモジュールのさらなる小型化を図ることができる。
して積層コンデンサを用いた場合には、コンデンサの小
型化及び大容量化を進め得るので、インバータ用コンデ
ンサモジュールのさらなる小型化を図ることができる。
【００６３】第１，第２の導体上にコンデンサの第１，
第２の端子に接続される部分と第１，第２の端子取付け
部を少なくとも露出させて、残りの領域に絶縁被膜が形
成されている場合には、該絶縁被膜により、第１，第２
の端子と、第２の導体または第１の導体との所望でない
短絡を確実に防止することができる。
第２の端子に接続される部分と第１，第２の端子取付け
部を少なくとも露出させて、残りの領域に絶縁被膜が形
成されている場合には、該絶縁被膜により、第１，第２
の端子と、第２の導体または第１の導体との所望でない
短絡を確実に防止することができる。
【００６４】上記絶縁被膜として、空気より熱伝導性が
高い材料を用いた場合には、絶縁被膜により、熱伝導に
よって放熱効果をより一層高めることができる。セラミ
ックコンデンサと基板との間に空気よりも熱伝導性に優
れた合成樹脂が充填されている場合には、該合成樹脂の
熱伝導作用により、放熱効果をより一層高めることがで
きる。
高い材料を用いた場合には、絶縁被膜により、熱伝導に
よって放熱効果をより一層高めることができる。セラミ
ックコンデンサと基板との間に空気よりも熱伝導性に優
れた合成樹脂が充填されている場合には、該合成樹脂の
熱伝導作用により、放熱効果をより一層高めることがで
きる。
【００６５】さらに、全体が外装樹脂層により被覆され
ている場合には、他の部品との電気的絶縁を確実に果た
すことができ、かつ外部の雰囲気と遮断されるため、水
分や所望でないガスなどの影響を抑制することができ、
信頼性を高めることができる。
ている場合には、他の部品との電気的絶縁を確実に果た
すことができ、かつ外部の雰囲気と遮断されるため、水
分や所望でないガスなどの影響を抑制することができ、
信頼性を高めることができる。
【００６６】本発明に係るインバータは、本発明に係る
コンデンサモジュールの基板に設けられた第１，第２の
端子取付け部にスイッチングモジュールが取り付けられ
た構造を有するので、本発明に従って、大電流用途に用
いることができ、小型であり、不要インダクタンス成分
の発生を抑制することができるインバータを提供するこ
とができる。
コンデンサモジュールの基板に設けられた第１，第２の
端子取付け部にスイッチングモジュールが取り付けられ
た構造を有するので、本発明に従って、大電流用途に用
いることができ、小型であり、不要インダクタンス成分
の発生を抑制することができるインバータを提供するこ
とができる。
【００６７】本発明に係るコンデンサモジュールでは、
大きな電流を流すことができ、かつ第１の導体と第２の
導体とで電流の流れる向きが逆となるため、基板の両面
において、発生したインダクタンス成分が相殺される。
よって、低インダクタンスのコンデンサモジュールを提
供することができる。
大きな電流を流すことができ、かつ第１の導体と第２の
導体とで電流の流れる向きが逆となるため、基板の両面
において、発生したインダクタンス成分が相殺される。
よって、低インダクタンスのコンデンサモジュールを提
供することができる。
【００６８】上記セラミックコンデンサとして積層コン
デンサを用いた場合には、コンデンサの小型化及び大容
量化を進め得るので、コンデンサモジュール全体の小型
化を図ることができる。
デンサを用いた場合には、コンデンサの小型化及び大容
量化を進め得るので、コンデンサモジュール全体の小型
化を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るインバータ用コン
デンサモジュールの要部を示す正面断面図。
デンサモジュールの要部を示す正面断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例のインバー
タ用コンデンサモジュールの平面図及び正面図。
タ用コンデンサモジュールの平面図及び正面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例で用いられ
ている基板の上面及び下面に形成されているそれぞれ第
１，第２の導体のパターンを説明するための平面図及び
底面図。
ている基板の上面及び下面に形成されているそれぞれ第
１，第２の導体のパターンを説明するための平面図及び
底面図。
【図４】本発明の第２の実施例に係るインバータ用コン
デンサモジュールの要部を示す正面断面図。
デンサモジュールの要部を示す正面断面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施例で用いられ
ている第１，第２の金属板を説明するための各平面図。
ている第１，第２の金属板を説明するための各平面図。
【図６】第２の実施例で用いられる絶縁シートを説明す
るための平面図。
るための平面図。
【図７】第２の実施例の変形例のコンデンサモジュール
の要部を示す正面断面図。
の要部を示す正面断面図。
【図８】第１の実施例の変形例に係る積層コンデンサモ
ジュールの要部を説明するための正面断面図。
ジュールの要部を説明するための正面断面図。
【図９】第１の実施例のさらに他の変形例に係る積層コ
ンデンサモジュールの要部を示す正面断面図。
ンデンサモジュールの要部を示す正面断面図。
【図１０】従来のインバータの概略構成図。
１…インバータ用コンデンサモジュール ２…基板 ２ａ，２ｂ…第１，第２の端子取付け部 ３〜８…セラミックコンデンサとしての積層コンデンサ ３ａ，３ｂ…第１，第２の端子としてのリード端子 ９，１０…ボルト １１…絶縁性基板本体 １１ａ，１１ｂ…貫通孔 １２…第１の導体 １３…絶縁被膜 １４…第２の導体 １５…絶縁被膜 １６，１７…半田 ３１…インバータ用コンデンサモジュール ３２…基板 ３３…絶縁シート ３３Ａ…絶縁シート ３４，３５…第１，第２の金属板 ３６，３７…絶縁被膜 ３８…インバータ用コンデンサモジュール ４１…インバータ用コンデンサモジュール ４２…合成樹脂 ４３…インバータ用コンデンサモジュール ４４…外装樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E336 AA01 AA11 BB02 CC01 CC53 CC58 EE01 EE12 GG11 5H007 HA03 HA04 5H740 MM10 PP02 PP03
Claims (12)
- 【請求項１】 第１，第２の端子を有する複数個のセラ
ミックコンデンサと、 対向し合う第１，第２の面と、第１，第２の面を貫通し
ている複数の貫通孔とを有し、前記複数個のセラミック
コンデンサと、スイッチングモジュールとが搭載される
基板とを備えるインバータ用コンデンサモジュールであ
って、 前記基板の第１の面には第１の導体が形成されており、
該第１の導体に、前記複数個のセラミックコンデンサの
第１の端子が接続され、 前記基板の第２の面には第２の導体が形成されており、
第２の導体に、前記複数個のセラミックコンデンサの第
２の端子が前記貫通孔を介して接続されており、 前記基板に、スイッチングモジュールの第１，第２の端
子が取り付けられる第１，第２の端子取付け部が形成さ
れており、第１，第２の端子取付け部が、それぞれ、第
１，第２の導体に電気的に接続されている、インバータ
用コンデンサモジュール。 - 【請求項２】 前記第１，第２の導体が、前記基板の第
１，第２の面においてほぼ全面に渡り形成されている、
請求項１に記載のインバータ用コンデンサモジュール。 - 【請求項３】 前記基板が、合成樹脂またはセラミック
スからなることを特徴とする、請求項１に記載のインバ
ータ用コンデンサモジュール。 - 【請求項４】 第１，第２の端子を有する複数個のセラ
ミックコンデンサと、 対向し合う第１，第２の面と、第１，第２の面を貫通し
ている複数の貫通孔とを有し、前記複数個のセラミック
コンデンサとスイッチングモジュールとが搭載される基
板とを備えるインバータ用コンデンサモジュールであっ
て、 前記基板が、絶縁シートと、絶縁シートの両面に積層さ
れた第１，第２の導体を構成する第１，第２の金属板と
を有し、第１の導体側に複数個の前記セラミックコンデ
ンサが搭載され、かつ第１の導体に、複数個のセラミッ
クコンデンサの第１の端子が接続され、 第２の導体に、複数個のセラミックコンデンサの第２の
端子が、前記貫通孔を介して接続されており、 第１，第２の金属板に、スイッチングモジュールの第
１，第２の端子が取り付けられる第１，第２の端子取付
け部がそれぞれ形成されている、インバータ用コンデン
サモジュール。 - 【請求項５】 前記セラミックコンデンサが、積層コン
デンサである、請求項１〜４のいずれかに記載のインバ
ータ用コンデンサモジュール。 - 【請求項６】 前記第１，第２の導体上に、コンデンサ
の第１，第２の端子に接続される部分と第１，第２の端
子取付け部を少なくとも露出させて、残りの領域に絶縁
被膜が形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載
のインバータ用コンデンサモジュール。 - 【請求項７】 前記絶縁被膜が空気より熱伝導性が高い
材料により構成されている、請求項６に記載のインバー
タ用コンデンサモジュール。 - 【請求項８】 前記セラミックコンデンサと、前記基板
との間に空気よりも熱伝導性に優れた合成樹脂が充填さ
れている、請求項１〜７のいずれかに記載のインバータ
用コンデンサモジュール。 - 【請求項９】 全体を被覆する外装樹脂層をさらに備え
る、請求項１〜８のいずれかに記載のインバータ用コン
デンサモジュール。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかに記載のコン
デンサモジュールと、 前記コンデンサモジュールの基板に設けられた第１，第
２の端子取付け部に取り付けられたスイッチングモジュ
ールとを備える、インバータ。 - 【請求項１１】 第１，第２の端子を有する複数個のセ
ラミックコンデンサと、 対向し合う第１，第２の面と、第１，第２の面を貫通し
ている複数の貫通孔とを有し、前記複数個のセラミック
コンデンサが搭載される基板とを備え、 前記基板の第１の面側に、複数個のセラミックコンデン
サが搭載され、該基板の第１の面には第１の導体が形成
されており、該第１の導体に複数個のセラミックコンデ
ンサの第１の端子が接続されており、 前記基板の第２の面には第２の導体が形成されており、
第２の導体に、複数個のセラミックコンデンサの第２の
端子が前記貫通孔を介して接続されている、コンデンサ
モジュール。 - 【請求項１２】 前記セラミックコンデンサが、積層コ
ンデンサである、請求項１１に記載のコンデンサモジュ
ール。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP36154899A JP3351410B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | インバータ用コンデンサモジュール、インバータ及びコンデンサモジュール |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36154899A JP3351410B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | インバータ用コンデンサモジュール、インバータ及びコンデンサモジュール |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001178151A true JP2001178151A (ja) | 2001-06-29 |
| JP3351410B2 JP3351410B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=18474028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36154899A Expired - Lifetime JP3351410B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | インバータ用コンデンサモジュール、インバータ及びコンデンサモジュール |
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