JP2001176957A - 吸着プレート及び真空吸引装置 - Google Patents
吸着プレート及び真空吸引装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸着プレートにてシリコンウエハ等の被加工
物を吸着した場合でも、被加工物を傷つけることのない
吸着プレート及び真空吸引装置を提供すること。 【解決手段】 吸着プレート１７は、シリコンウエハ３
を吸引して保持する吸着面Ｋ側に、吸着面Ｋの周囲を囲
むようにシールするシール部２３を備えるとともに、シ
ール部２３の内側の吸着面Ｋ上に、吸着時の平面度を保
持する複数の突起部２１を備える。この突起部２１の直
径は０．１５〜０．５ｍｍであり、且つ突起部２１の頂
上部２５の角部２７に、０．０１〜０．０５ｍｍの面取
り部２９を備える。更に、シール部２３の高さに対し
て、吸着面Ｋ中心近傍に位置する突起部２１の頂上部２
５の高さが、０．１〜２μｍ低くなっている。
物を吸着した場合でも、被加工物を傷つけることのない
吸着プレート及び真空吸引装置を提供すること。 【解決手段】 吸着プレート１７は、シリコンウエハ３
を吸引して保持する吸着面Ｋ側に、吸着面Ｋの周囲を囲
むようにシールするシール部２３を備えるとともに、シ
ール部２３の内側の吸着面Ｋ上に、吸着時の平面度を保
持する複数の突起部２１を備える。この突起部２１の直
径は０．１５〜０．５ｍｍであり、且つ突起部２１の頂
上部２５の角部２７に、０．０１〜０．０５ｍｍの面取
り部２９を備える。更に、シール部２３の高さに対し
て、吸着面Ｋ中心近傍に位置する突起部２１の頂上部２
５の高さが、０．１〜２μｍ低くなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやガラス等の平板を吸着保持し、加工時の固定や搬送
などに用いることができる吸着プレート及び真空吸引装
置に関するものである。
ハやガラス等の平板を吸着保持し、加工時の固定や搬送
などに用いることができる吸着プレート及び真空吸引装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば平板状の半導体ウエハ
（シリコンウエハ）を研磨加工したり、搬送するため
に、真空引きの技術を利用して、シリコンウエハ等を着
脱自在に吸着する真空吸引装置が使用されている。
（シリコンウエハ）を研磨加工したり、搬送するため
に、真空引きの技術を利用して、シリコンウエハ等を着
脱自在に吸着する真空吸引装置が使用されている。
【０００３】この真空吸引装置は、その本体の先端の吸
引口側に、例えばセラミックス製の円盤状の吸着プレー
ト（いわゆるセラミックス真空チャック）が取り付けら
れたものであり、吸着プレートには、その板厚方向に貫
通する多数の小径の吸着孔が設けられている。
引口側に、例えばセラミックス製の円盤状の吸着プレー
ト（いわゆるセラミックス真空チャック）が取り付けら
れたものであり、吸着プレートには、その板厚方向に貫
通する多数の小径の吸着孔が設けられている。
【０００４】前記真空吸引装置では、真空ポンプ等によ
って真空吸引装置内の空気を吸引して気圧を低下させる
ことにより、吸着プレートの外側面である吸着面に、シ
リコンウエハ等を吸着することができる。ところが、上
述したシリコンウエハ等を真空吸着した場合、シリコン
ウエハと吸着プレートの間に、コンタミネーション（摩
耗による汚れ）やパーティクル（微少なゴミ）が挟ま
り、その盛り上がりによって加工後の面精度が悪くなる
ことがある。
って真空吸引装置内の空気を吸引して気圧を低下させる
ことにより、吸着プレートの外側面である吸着面に、シ
リコンウエハ等を吸着することができる。ところが、上
述したシリコンウエハ等を真空吸着した場合、シリコン
ウエハと吸着プレートの間に、コンタミネーション（摩
耗による汚れ）やパーティクル（微少なゴミ）が挟ま
り、その盛り上がりによって加工後の面精度が悪くなる
ことがある。
【０００５】この対策として、シリコンウエハと吸着プ
レートの接触面積を極力減らすような形状の吸着面を持
った吸着プレートが提案されている。例えば吸着プレー
トにピンを千鳥格子に配列する技術（特開平４−３２３
８４９号公報参照）や、多孔質材に多数の突起を設けた
技術（特開平１０−１２８６３３号公報参照）が記載さ
れている。
レートの接触面積を極力減らすような形状の吸着面を持
った吸着プレートが提案されている。例えば吸着プレー
トにピンを千鳥格子に配列する技術（特開平４−３２３
８４９号公報参照）や、多孔質材に多数の突起を設けた
技術（特開平１０−１２８６３３号公報参照）が記載さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術では、以下の問題があり、必ずしも十分では
ない。つまり、前記従来技術では、多数のピンや突起
（以下突起部と記す）を吸着プレートの表面に形成する
ことで、コンタミネーションやパーティクルの挟まりを
かなり防止できるが、その突起部のために、シリコンウ
エハを真空吸着する場合に別の問題が生じることがあっ
た。
た従来技術では、以下の問題があり、必ずしも十分では
ない。つまり、前記従来技術では、多数のピンや突起
（以下突起部と記す）を吸着プレートの表面に形成する
ことで、コンタミネーションやパーティクルの挟まりを
かなり防止できるが、その突起部のために、シリコンウ
エハを真空吸着する場合に別の問題が生じることがあっ
た。
【０００７】具体的には、シリコンウエハを吸着プレー
トの吸着面に接触させた時に、突起部の角によりシリコ
ンウエハを傷つけることがあった。また、ごくまれにで
はあるが、突起部の方がその角部にて損傷することがあ
り、それがパーティクルの原因ともなるという問題もあ
った。
トの吸着面に接触させた時に、突起部の角によりシリコ
ンウエハを傷つけることがあった。また、ごくまれにで
はあるが、突起部の方がその角部にて損傷することがあ
り、それがパーティクルの原因ともなるという問題もあ
った。
【０００８】本発明は前記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的は、吸着プレートにてシリコン
ウエハ等の被加工物を吸着した場合でも、被加工物を傷
つけることのない吸着プレート及び真空吸引装置を提供
することである。
たものであり、その目的は、吸着プレートにてシリコン
ウエハ等の被加工物を吸着した場合でも、被加工物を傷
つけることのない吸着プレート及び真空吸引装置を提供
することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】（１）前記目的を達成す
るための請求項１の発明は、真空吸引装置本体の吸引口
側に装着され、被加工物を吸引して保持する（即ち吸着
する）セラミックス製の吸着プレートにおいて、前記吸
着プレートは、前記被加工物を吸引して保持する吸着面
側に、該吸着面の周囲を囲むようにシールするシール部
を備えるとともに、該シール部の内側の吸着面上に、複
数の突起部を備え、更に、前記突起部の直径が０．１５
〜０．５ｍｍであり、且つ該突起部の頂上部の角部に、
０．０１〜０．０５ｍｍの面取り部を備えたことを特徴
とする吸着プレートを要旨とする。
るための請求項１の発明は、真空吸引装置本体の吸引口
側に装着され、被加工物を吸引して保持する（即ち吸着
する）セラミックス製の吸着プレートにおいて、前記吸
着プレートは、前記被加工物を吸引して保持する吸着面
側に、該吸着面の周囲を囲むようにシールするシール部
を備えるとともに、該シール部の内側の吸着面上に、複
数の突起部を備え、更に、前記突起部の直径が０．１５
〜０．５ｍｍであり、且つ該突起部の頂上部の角部に、
０．０１〜０．０５ｍｍの面取り部を備えたことを特徴
とする吸着プレートを要旨とする。
【００１０】本発明では、吸着プレートの吸着面の周囲
を囲むようシール部が設けられている。シール部は、例
えば凸状の土手（リム部）が円形に設けられたもの等で
あり、このシール部により、吸着面のシール部より内側
（突起部が設けられた側）と外側との間をシールして分
離する。これにより、外界からの空気の流入が防止され
るので、被加工物を確実に吸着することができる。
を囲むようシール部が設けられている。シール部は、例
えば凸状の土手（リム部）が円形に設けられたもの等で
あり、このシール部により、吸着面のシール部より内側
（突起部が設けられた側）と外側との間をシールして分
離する。これにより、外界からの空気の流入が防止され
るので、被加工物を確実に吸着することができる。
【００１１】また、突起部は、被加工物と吸着面との間
隔をあけて被加工物と吸着プレートの接触面積を減らす
ことができ、これにより、コンタミネーションやパーテ
ィクルの挟まりに起因する面精度の低下を防止すること
ができる。特に、本発明では、突起部の直径が０．１５
〜０．５ｍｍであり、その突起部の頂上部の角部に、
０．０１〜０．０５ｍｍの面取り部を備えているので、
角部がとがっていない。
隔をあけて被加工物と吸着プレートの接触面積を減らす
ことができ、これにより、コンタミネーションやパーテ
ィクルの挟まりに起因する面精度の低下を防止すること
ができる。特に、本発明では、突起部の直径が０．１５
〜０．５ｍｍであり、その突起部の頂上部の角部に、
０．０１〜０．０５ｍｍの面取り部を備えているので、
角部がとがっていない。
【００１２】そのため、例えばシリコンウエハのような
被加工物を吸着した場合でも、被加工物を角部にて傷つ
けることがない。また、突起部の角部は破損しにくいの
で、破片がパーティクルとなることがなく、上述した面
精度の悪化を防止できる。尚、ここで、突起部の直径と
は、例えば図１（ａ）に例示する様に、面取りが行われ
ていない状態を仮定した場合の頂上部の直径である。
被加工物を吸着した場合でも、被加工物を角部にて傷つ
けることがない。また、突起部の角部は破損しにくいの
で、破片がパーティクルとなることがなく、上述した面
精度の悪化を防止できる。尚、ここで、突起部の直径と
は、例えば図１（ａ）に例示する様に、面取りが行われ
ていない状態を仮定した場合の頂上部の直径である。
【００１３】また、面取り部の長さは、面取りが行われ
た部分の辺の最大の長さを示し、例えばＣ面取りの場合
には、図１（ｂ）に例示する様に、直交する各辺ａ、ｂ
の長さの大きい方であり（通常は４５°面取りであるの
でａ＝ｂ）、また、例えばＲ面取りの場合は、図１
（ｃ）に例示する様に、Ｒ面取りの半径Ｒとした場合
も、直交する各辺ａ、ｂの長さの大きい方である。
た部分の辺の最大の長さを示し、例えばＣ面取りの場合
には、図１（ｂ）に例示する様に、直交する各辺ａ、ｂ
の長さの大きい方であり（通常は４５°面取りであるの
でａ＝ｂ）、また、例えばＲ面取りの場合は、図１
（ｃ）に例示する様に、Ｒ面取りの半径Ｒとした場合
も、直交する各辺ａ、ｂの長さの大きい方である。
【００１４】（２）請求項２の発明は、前記突起部の頂
上部の角部に、０．０２〜０．０４ｍｍの面取り部を備
えたことを特徴とする前記請求項１に記載の吸着プレー
トを要旨とする。本発明は、面取り部のより好ましい範
囲を示したものであり、この範囲であれば、角部による
被加工物の傷を一層に防止でき、角部自身の破損も一層
防止できる。
上部の角部に、０．０２〜０．０４ｍｍの面取り部を備
えたことを特徴とする前記請求項１に記載の吸着プレー
トを要旨とする。本発明は、面取り部のより好ましい範
囲を示したものであり、この範囲であれば、角部による
被加工物の傷を一層に防止でき、角部自身の破損も一層
防止できる。
【００１５】（３）請求項３の発明は、前記面取り部
は、Ｃ面取り又はＲ面取りであることを特徴とする前記
請求項１又は２に記載の吸着プレートを要旨とする。本
発明は、面取り部を例示したものであり、いわゆるＣ面
取り及びＲ面取りを採用できる （４）請求項４の発明は、前記シール部の高さに対し
て、前記吸着面中心近傍に位置する突起部の頂上部の高
さが、０．１〜２μｍ低くなっていることを特徴とする
前記請求項１〜３のいずれかに記載の吸着プレートを要
旨とする。
は、Ｃ面取り又はＲ面取りであることを特徴とする前記
請求項１又は２に記載の吸着プレートを要旨とする。本
発明は、面取り部を例示したものであり、いわゆるＣ面
取り及びＲ面取りを採用できる （４）請求項４の発明は、前記シール部の高さに対し
て、前記吸着面中心近傍に位置する突起部の頂上部の高
さが、０．１〜２μｍ低くなっていることを特徴とする
前記請求項１〜３のいずれかに記載の吸着プレートを要
旨とする。
【００１６】真空吸引装置に吸着プレートを装着して、
例えばシリコンウエハ等を研磨する場合には、通常４０
〜５０℃前後の温度状態となり、その熱により吸着プレ
ート自身は僅かに外側に凸に膨張する。この対策とし
て、本発明では、吸着面中心近傍に位置する突起部の頂
上部の高さが、周囲のシール部の高さに対して僅かに低
くしている。つまり、吸着プレートの（突起部が形成す
る）表面は、その中央部がへこんだ凹状となっている。
例えばシリコンウエハ等を研磨する場合には、通常４０
〜５０℃前後の温度状態となり、その熱により吸着プレ
ート自身は僅かに外側に凸に膨張する。この対策とし
て、本発明では、吸着面中心近傍に位置する突起部の頂
上部の高さが、周囲のシール部の高さに対して僅かに低
くしている。つまり、吸着プレートの（突起部が形成す
る）表面は、その中央部がへこんだ凹状となっている。
【００１７】そのため、加工時に吸着プレートの中央が
外側に凸になっても、突起部の高さは中央近傍が低くな
っているので、結果として、吸着プレートの表面は平ら
になる。よって、この極めて平面の吸着プレートによっ
て、被加工物の平面度が向上し、シリコンウエハ等の歩
留まりが高くなる。
外側に凸になっても、突起部の高さは中央近傍が低くな
っているので、結果として、吸着プレートの表面は平ら
になる。よって、この極めて平面の吸着プレートによっ
て、被加工物の平面度が向上し、シリコンウエハ等の歩
留まりが高くなる。
【００１８】（５）請求項５の発明は、真空吸引装置本
体の吸引口側に装着され、被加工物を吸引して保持する
吸着プレートにおいて、前記吸着プレートは、前記被加
工物を吸引して保持する吸着面側に、該吸着面の周囲を
囲ってシールするシール部を備えるとともに、該シール
部の内側の吸着面上に、複数の突起部を備え、更に、前
記シール部の高さに対して、前記吸着面中心近傍に位置
する突起部の頂上部の高さが、０．１〜２μｍ低くなっ
ていることを特徴とする吸着プレートを要旨とする。
体の吸引口側に装着され、被加工物を吸引して保持する
吸着プレートにおいて、前記吸着プレートは、前記被加
工物を吸引して保持する吸着面側に、該吸着面の周囲を
囲ってシールするシール部を備えるとともに、該シール
部の内側の吸着面上に、複数の突起部を備え、更に、前
記シール部の高さに対して、前記吸着面中心近傍に位置
する突起部の頂上部の高さが、０．１〜２μｍ低くなっ
ていることを特徴とする吸着プレートを要旨とする。
【００１９】本発明では、前記請求項４と同様に、吸着
面中心近傍に位置する突起部の頂上部の高さが、周囲の
シール部の高さに対して僅かに低くなっている。そのた
め、研磨等の加工時には、丁度吸着プレートの表面が平
らになるので、被加工物の平面度が向上し、シリコンウ
エハ等の歩留まりが高くなる。
面中心近傍に位置する突起部の頂上部の高さが、周囲の
シール部の高さに対して僅かに低くなっている。そのた
め、研磨等の加工時には、丁度吸着プレートの表面が平
らになるので、被加工物の平面度が向上し、シリコンウ
エハ等の歩留まりが高くなる。
【００２０】（６）請求項６の発明は、前記請求項１〜
５のいずれかに記載の吸着プレートを、前記真空吸引装
置本体の吸引口側に装着したことを特徴とする真空吸引
装置を要旨とする。本発明は、上述した吸着プレートを
真空吸引装置本体に装着した真空吸引装置を示してい
る。従って、この吸着プレートを装着した真空吸引装置
を用いて、被加工物の加工精度を高めることができる。
５のいずれかに記載の吸着プレートを、前記真空吸引装
置本体の吸引口側に装着したことを特徴とする真空吸引
装置を要旨とする。本発明は、上述した吸着プレートを
真空吸引装置本体に装着した真空吸引装置を示してい
る。従って、この吸着プレートを装着した真空吸引装置
を用いて、被加工物の加工精度を高めることができる。
【００２１】尚、吸着プレートは、真空吸引装置本体に
直接に又は各種の中間部材を介して装着することができ
る。また、前記吸着プレートの材質としては、アルミ
ナ、炭化珪素、及び窒化珪素のいずれかを主成分とする
セラミックスを採用できる。
直接に又は各種の中間部材を介して装着することができ
る。また、前記吸着プレートの材質としては、アルミ
ナ、炭化珪素、及び窒化珪素のいずれかを主成分とする
セラミックスを採用できる。
【００２２】更に、前記シール部にて囲まれる吸着面の
外径としては２００〜４００ｍｍφのものを採用でき
る。この範囲であれば、上述した吸着面中心近傍のへこ
みとのバランスがよく、被加工物の研磨等の際に、より
平面になり易く好適である。
外径としては２００〜４００ｍｍφのものを採用でき
る。この範囲であれば、上述した吸着面中心近傍のへこ
みとのバランスがよく、被加工物の研磨等の際に、より
平面になり易く好適である。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の吸着プレート及び
真空吸引装置の実施の形態の例（実施例）を、図面を参
照して説明する。 （実施例）ここでは、シリコンウエハを吸引して保持し
て（即ち吸着して）研磨するために用いられる吸着プレ
ート及び研磨ヘッドを例に挙げる。
真空吸引装置の実施の形態の例（実施例）を、図面を参
照して説明する。 （実施例）ここでは、シリコンウエハを吸引して保持し
て（即ち吸着して）研磨するために用いられる吸着プレ
ート及び研磨ヘッドを例に挙げる。
【００２４】ａ）まず、本実施例の吸着プレートを備え
たポリッシングマシンの全体構成について説明する。図
１に示す様に、ポリッシングマシン１は、半導体ウエハ
であるシリコンウエハ３に対して、化学的機械的研磨
（ＣＭＰ）を行うＣＭＰ装置であり、主として、回転可
能に配置されたプラテン５と、その上面側に配置された
真空吸引装置である研磨ヘッド７とから構成されてい
る。
たポリッシングマシンの全体構成について説明する。図
１に示す様に、ポリッシングマシン１は、半導体ウエハ
であるシリコンウエハ３に対して、化学的機械的研磨
（ＣＭＰ）を行うＣＭＰ装置であり、主として、回転可
能に配置されたプラテン５と、その上面側に配置された
真空吸引装置である研磨ヘッド７とから構成されてい
る。
【００２５】前記プラテン５は円盤状であり、その上部
には上面の全体を覆うように研磨パッド９が設けられて
いる。この研磨パッド９の上面には、研磨時にＣＭＰ用
のスラリー１１が供給される。また、研磨ヘッド７は、
主として、筒状の金属製（例えばＪＩＳ ＳＵＳ３０
４）の研磨ヘッド本体（真空吸引装置本体）１３と、円
盤状のセラミックス製（例えば主成分がアルミナ）の吸
着プレート（いわゆる真空チャック）１７とから構成さ
れている。
には上面の全体を覆うように研磨パッド９が設けられて
いる。この研磨パッド９の上面には、研磨時にＣＭＰ用
のスラリー１１が供給される。また、研磨ヘッド７は、
主として、筒状の金属製（例えばＪＩＳ ＳＵＳ３０
４）の研磨ヘッド本体（真空吸引装置本体）１３と、円
盤状のセラミックス製（例えば主成分がアルミナ）の吸
着プレート（いわゆる真空チャック）１７とから構成さ
れている。
【００２６】前記研磨ヘッド本体１３は、その内部の減
圧空間１９が、真空ポンプ（図示せず）に接続されて、
真空引きされる構成となっている。この研磨ヘッド本体
１３の下端には、その外周から外側に向かって鍔状に突
出する取付部２１が設けられ、この取付部２１にて吸着
プレート１７がネジ（図示せず）により固定されてい
る。つまり、前記吸着プレート１７は、研磨ヘッド本体
１３の下方の吸引口１５を覆うように装着されている。
圧空間１９が、真空ポンプ（図示せず）に接続されて、
真空引きされる構成となっている。この研磨ヘッド本体
１３の下端には、その外周から外側に向かって鍔状に突
出する取付部２１が設けられ、この取付部２１にて吸着
プレート１７がネジ（図示せず）により固定されてい
る。つまり、前記吸着プレート１７は、研磨ヘッド本体
１３の下方の吸引口１５を覆うように装着されている。
【００２７】ｂ）次に、前記吸着プレート１７について
説明する。 図３に示す様に、本実施例では、吸着プレート１７の
上下の表面のうち、図の上方の表面がシリコンウエハ３
を吸着保持する吸着面Ｋ（基板表面）であり、吸着面Ｋ
と反対側の図の下方の表面が非吸着面Ｈ（基板裏面）で
ある。尚、図３では、シリコンウエハ３を吸着した状態
を示しており（但し半分のみを図示）、前記図２では、
この吸着面Ｋ側が下方になる。
説明する。 図３に示す様に、本実施例では、吸着プレート１７の
上下の表面のうち、図の上方の表面がシリコンウエハ３
を吸着保持する吸着面Ｋ（基板表面）であり、吸着面Ｋ
と反対側の図の下方の表面が非吸着面Ｈ（基板裏面）で
ある。尚、図３では、シリコンウエハ３を吸着した状態
を示しており（但し半分のみを図示）、前記図２では、
この吸着面Ｋ側が下方になる。
【００２８】以下詳細に説明する。図４に平面を示す様
に、吸着プレート１７は、直径φ２００ｍｍ×厚み２０
ｍｍの円盤状の基板１７ａを有し、その基板１７ａの吸
着面Ｋ側に多数の突起部２１が格子状に配置され、その
突起部２１の周囲を囲む様に環状に突出した土手である
シール部２３が形成されている。尚、ここでは、基板表
面のうち、シール部２３で囲まれた表面を吸着面Ｋとす
るが、この吸着面Ｋの直径は、φ１９８ｍｍである。
に、吸着プレート１７は、直径φ２００ｍｍ×厚み２０
ｍｍの円盤状の基板１７ａを有し、その基板１７ａの吸
着面Ｋ側に多数の突起部２１が格子状に配置され、その
突起部２１の周囲を囲む様に環状に突出した土手である
シール部２３が形成されている。尚、ここでは、基板表
面のうち、シール部２３で囲まれた表面を吸着面Ｋとす
るが、この吸着面Ｋの直径は、φ１９８ｍｍである。
【００２９】図５に拡大して示す様に、前記突起部２１
は、高さ０．１〜０．５ｍｍ、頂上部の直径０．１５〜
０．５ｍｍの円錐台の形状をしており、１ｍｍの間隔
（ピッチ）で多数が配置されている。特に、突起部２１
の頂上部２５の角部２７は、Ｒ半径が０．０１〜０．０
５ｍｍのＲ面取りが施されて、滑らかな面取り部２９と
なっている。尚、この突起部２１は、吸着時にその先端
が被加工物であるシリコンウエハ３と接して、シリコン
ウエハ３の平面度を保持するためのものである。
は、高さ０．１〜０．５ｍｍ、頂上部の直径０．１５〜
０．５ｍｍの円錐台の形状をしており、１ｍｍの間隔
（ピッチ）で多数が配置されている。特に、突起部２１
の頂上部２５の角部２７は、Ｒ半径が０．０１〜０．０
５ｍｍのＲ面取りが施されて、滑らかな面取り部２９と
なっている。尚、この突起部２１は、吸着時にその先端
が被加工物であるシリコンウエハ３と接して、シリコン
ウエハ３の平面度を保持するためのものである。
【００３０】図４のＡ−Ａ断面の一部を図６に示す様
に、前記シール部２３は、近傍の突起部２１の高さと同
じ様に、高さ０．１〜０．５ｍｍとされ、その厚みは、
０．２〜０．５ｍｍである。このシール部２３は、図３
及び図４に示す様に、全ての突起部２１を囲むようにリ
ング状に配置されており、シリコンウエハ３を吸着する
場合には、突起部２１が形成された吸着面Ｋの内側と外
側とをほぼ気密状態で分離する（シールする）ことがで
きる。
に、前記シール部２３は、近傍の突起部２１の高さと同
じ様に、高さ０．１〜０．５ｍｍとされ、その厚みは、
０．２〜０．５ｍｍである。このシール部２３は、図３
及び図４に示す様に、全ての突起部２１を囲むようにリ
ング状に配置されており、シリコンウエハ３を吸着する
場合には、突起部２１が形成された吸着面Ｋの内側と外
側とをほぼ気密状態で分離する（シールする）ことがで
きる。
【００３１】また、多数の突起部２１のうち、吸着面Ｋ
の中央近傍の突起部２１の高さは、シール部２３の高さ
より０．１〜２μｍ程度低くなっている。これにより、
吸着プレート１７の装着前の段階、即ち研磨等の加工を
行う前の状態では、吸着プレート１７の吸着面Ｋ側の
（突起部２１の頂上部２５が形成する）表面は、中央が
へこんだ凹状となっている。
の中央近傍の突起部２１の高さは、シール部２３の高さ
より０．１〜２μｍ程度低くなっている。これにより、
吸着プレート１７の装着前の段階、即ち研磨等の加工を
行う前の状態では、吸着プレート１７の吸着面Ｋ側の
（突起部２１の頂上部２５が形成する）表面は、中央が
へこんだ凹状となっている。
【００３２】更に、前記吸着プレート１７には、図４に
示す様に、中央とその周囲の８カ所の合計９カ所に、そ
の厚み方向に貫通する小径の吸着孔３１が形成されてい
る。この吸着孔３１は、同一の内径の円柱形状でもよい
が、吸着面Ｋ側の内径（例えばφ０．５ｍｍ）よりも、
吸着面Ｋと反対側の非吸着面Ｈ側の内径（例えばφ３ｍ
ｍ）の方を大きくしてもよい。
示す様に、中央とその周囲の８カ所の合計９カ所に、そ
の厚み方向に貫通する小径の吸着孔３１が形成されてい
る。この吸着孔３１は、同一の内径の円柱形状でもよい
が、吸着面Ｋ側の内径（例えばφ０．５ｍｍ）よりも、
吸着面Ｋと反対側の非吸着面Ｈ側の内径（例えばφ３ｍ
ｍ）の方を大きくしてもよい。
【００３３】尚、吸着プレート１７の非吸着面Ｈ側に
は、吸着プレート１７を研磨ヘッド本体１３に取り付け
るために、その外周の近傍に、複数（例えば６箇所）の
ねじ穴を備えた固定部（図示せず）が設けられている。 前記吸着プレート１７は、下記の製造方法により製造
することができる。
は、吸着プレート１７を研磨ヘッド本体１３に取り付け
るために、その外周の近傍に、複数（例えば６箇所）の
ねじ穴を備えた固定部（図示せず）が設けられている。 前記吸着プレート１７は、下記の製造方法により製造
することができる。
【００３４】アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のセラミック粉末
に、焼結助剤、成形助剤等を添加し、粉砕混合した後、
噴霧乾燥を行い、成形粉末を作製する。この成形粉末
を、ラバープレス法、金型プレス法等により、本実施例
の吸着プレートの形状に成形する。更に、必要に応じ
て、成形後に生加工を行う。
に、焼結助剤、成形助剤等を添加し、粉砕混合した後、
噴霧乾燥を行い、成形粉末を作製する。この成形粉末
を、ラバープレス法、金型プレス法等により、本実施例
の吸着プレートの形状に成形する。更に、必要に応じ
て、成形後に生加工を行う。
【００３５】次に、この成形体を焼成し、セラミックス
焼結体を得る。このセラミックス焼結体に対し、ダイヤ
砥粒による研磨を行い、所要の精度に仕上げる。特に、
本実施例では、吸着面Ｋ側に、突起部２１及びシール部
２３の形成位置を覆うマスキングを行ってから、サンド
ブラストにより、突起部２１及びシール部２３の形成部
分以外を所定の深さ（つまり前記高さ）となるまで除去
し、突起部２１及びシール部２３を形成する。
焼結体を得る。このセラミックス焼結体に対し、ダイヤ
砥粒による研磨を行い、所要の精度に仕上げる。特に、
本実施例では、吸着面Ｋ側に、突起部２１及びシール部
２３の形成位置を覆うマスキングを行ってから、サンド
ブラストにより、突起部２１及びシール部２３の形成部
分以外を所定の深さ（つまり前記高さ）となるまで除去
し、突起部２１及びシール部２３を形成する。
【００３６】ｃ）次に、上述したポリッシングマシン１
の使用方法について説明する。図２に示す様に、真空ポ
ンプを作動させて、研磨ヘッド７内の減圧空間１９の気
圧を下げる。これにより、吸着プレート１７の吸着孔３
１の内外に気圧差を発生させて、吸着プレート１７の吸
着面Ｋにシリコンウエハ３を吸着させる。
の使用方法について説明する。図２に示す様に、真空ポ
ンプを作動させて、研磨ヘッド７内の減圧空間１９の気
圧を下げる。これにより、吸着プレート１７の吸着孔３
１の内外に気圧差を発生させて、吸着プレート１７の吸
着面Ｋにシリコンウエハ３を吸着させる。
【００３７】そして、プラテン５の研磨パッド９と吸着
プレート１７との間にシリコンウエハ３を配置した状態
で、研磨パッド９の表面にＣＭＰ用のスラリー１１を供
給し、プラテン５及び研磨ヘッド７を図示の方向に回転
させて、シリコンウエハ３の下面側の研磨を行う。
プレート１７との間にシリコンウエハ３を配置した状態
で、研磨パッド９の表面にＣＭＰ用のスラリー１１を供
給し、プラテン５及び研磨ヘッド７を図示の方向に回転
させて、シリコンウエハ３の下面側の研磨を行う。
【００３８】ｄ）この様に、本実施例では、突起部２１
の直径が０．１５〜０．５ｍｍであり、その突起部２１
の頂上部２５の角部２７に、０．０１〜０．０５ｍｍの
面取り部２９を設けたので、シリコンウエハ３を吸着し
た場合でも、シリコンウエハ３を角部２７にて傷つける
ことがない。また、突起部２１の角部２７は面取り部２
９により破損しにくくなっているので、その破片がパー
ティクルとなることがなく、よって、シリコンウエハ３
の面精度の悪化を防止できる。
の直径が０．１５〜０．５ｍｍであり、その突起部２１
の頂上部２５の角部２７に、０．０１〜０．０５ｍｍの
面取り部２９を設けたので、シリコンウエハ３を吸着し
た場合でも、シリコンウエハ３を角部２７にて傷つける
ことがない。また、突起部２１の角部２７は面取り部２
９により破損しにくくなっているので、その破片がパー
ティクルとなることがなく、よって、シリコンウエハ３
の面精度の悪化を防止できる。
【００３９】また、本実施例では、吸着面Ｋの中心近傍
に位置する突起部２１の頂上部２５の高さが、０．１〜
２μｍ低くなっているので、シリコンウエハ３の定常的
な研磨加工時には、丁度吸着プレート１７の表面が平ら
になる。そのため、シリコンウエハ３の平面度が向上す
るので、シリコンウエハ３の歩留まりが高くなる。
に位置する突起部２１の頂上部２５の高さが、０．１〜
２μｍ低くなっているので、シリコンウエハ３の定常的
な研磨加工時には、丁度吸着プレート１７の表面が平ら
になる。そのため、シリコンウエハ３の平面度が向上す
るので、シリコンウエハ３の歩留まりが高くなる。
【００４０】尚、本発明は前記実施例になんら限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々の態様で実施しうることはいうまでもない。 （１）例えば前記実施例では、面取り部としてＲ面取り
を例に挙げたが、Ｃ面取りを採用してもよい。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々の態様で実施しうることはいうまでもない。 （１）例えば前記実施例では、面取り部としてＲ面取り
を例に挙げたが、Ｃ面取りを採用してもよい。
【００４１】（２）また、前記実施例では、真空吸引装
置として研磨ヘッドを例に挙げたが、本発明は、単に半
導体ウエハやガラス等を吸着して搬送する搬送装置に適
用することもできる。
置として研磨ヘッドを例に挙げたが、本発明は、単に半
導体ウエハやガラス等を吸着して搬送する搬送装置に適
用することもできる。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述した様に、請求項１の発明で
は、吸着プレートの吸着面に形成された突起部の頂上部
の角部に所定の面取り部が設けられているので、吸着プ
レートにてシリコンウエハ等の被加工物を吸着した場合
でも、被加工物を傷つけることがない。また、突起部の
頂上部の角部が破損しにくく、よってその破片に起因す
る被加工物の面精度の悪化を防止できる。
は、吸着プレートの吸着面に形成された突起部の頂上部
の角部に所定の面取り部が設けられているので、吸着プ
レートにてシリコンウエハ等の被加工物を吸着した場合
でも、被加工物を傷つけることがない。また、突起部の
頂上部の角部が破損しにくく、よってその破片に起因す
る被加工物の面精度の悪化を防止できる。
【００４３】また、請求項５の発明では、吸着面中心近
傍に位置する突起部の頂上部の高さが、周囲のシール部
の高さに対して僅かに低くなっているので、研磨等の加
工時には丁度吸着プレートの表面が平らになり、よっ
て、被加工物の平面度が向上する。
傍に位置する突起部の頂上部の高さが、周囲のシール部
の高さに対して僅かに低くなっているので、研磨等の加
工時には丁度吸着プレートの表面が平らになり、よっ
て、被加工物の平面度が向上する。
【図１】 本発明の用語の内容を示す説明図である。
【図２】 実施例の吸着プレートが用いられるポリッシ
ングマシンの構成を示す説明図である。
ングマシンの構成を示す説明図である。
【図３】 実施例の吸着プレート及びシリコンウエハを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】 実施例の吸着プレートを示す平面図である。
【図５】 実施例の吸着プレートの突起部を拡大して示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】 図４のＡ−Ａ断面の一部を拡大して示す説明
図である。
図である。
１…ポリッシングマシン（ＣＰＭ装置） ３…シリコンウエハ（半導体ウエハ） ７…研磨ヘッド １７…吸着プレート ２１…突起部 ２３…シール部 Ｋ…吸着面 Ｈ…非吸着面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AB04 BC01 CB01 CB03 DA17 5F031 CA02 CA05 HA02 HA03 HA08 HA13 MA22 PA20
Claims (6)
- 【請求項１】 真空吸引装置本体の吸引口側に装着さ
れ、被加工物を吸引して保持するセラミックス製の吸着
プレートにおいて、 前記吸着プレートは、前記被加工物を吸引して保持する
吸着面側に、該吸着面の周囲を囲むようにシールするシ
ール部を備えるとともに、該シール部の内側の吸着面上
に、複数の突起部を備え、 更に、前記突起部の直径が０．１５〜０．５ｍｍであ
り、且つ該突起部の頂上部の角部に、０．０１〜０．０
５ｍｍの面取り部を備えたことを特徴とする吸着プレー
ト。 - 【請求項２】 前記突起部の頂上部の角部に、０．０２
〜０．０４ｍｍの面取り部を備えたことを特徴とする前
記請求項１に記載の吸着プレート。 - 【請求項３】 前記面取り部は、Ｃ面取り又はＲ面取り
であることを特徴とする前記請求項１又は２に記載の吸
着プレート。 - 【請求項４】 前記シール部の高さに対して、前記吸着
面中心近傍に位置する突起部の頂上部の高さが、０．１
〜２μｍ低くなっていることを特徴とする前記請求項１
〜３のいずれかに記載の吸着プレート。 - 【請求項５】 真空吸引装置本体の吸引口側に装着さ
れ、被加工物を吸引して保持する吸着プレートにおい
て、 前記吸着プレートは、前記被加工物を吸引して保持する
吸着面側に、該吸着面の周囲を囲むようにシールするシ
ール部を備えるとともに、該シール部の内側の吸着面上
に、複数の突起部を備え、 更に、前記シール部に対して、前記吸着面中心近傍に位
置する突起部の頂上部の高さが、０．１〜２μｍ低くな
っていることを特徴とする吸着プレート。 - 【請求項６】 前記請求項１〜５のいずれかに記載の吸
着プレートを、前記真空吸引装置本体の吸引口側に装着
したことを特徴とする真空吸引装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36103499A JP3732060B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 吸着プレート及び真空吸引装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36103499A JP3732060B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 吸着プレート及び真空吸引装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176957A true JP2001176957A (ja) | 2001-06-29 |
| JP3732060B2 JP3732060B2 (ja) | 2006-01-05 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36103499A Expired - Fee Related JP3732060B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 吸着プレート及び真空吸引装置 |
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Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2003086664A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 吸着固定装置及びその製造方法 |
| JP2004088077A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエハ処理用部材 |
| KR100533586B1 (ko) * | 2002-10-14 | 2005-12-06 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 기판 지지용 기판 홀더 |
| JP2006054379A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 吸着治具および研磨装置 |
| JP2008085129A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Taiheiyo Cement Corp | 基板載置装置 |
| JP2008311428A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Mitsumi Electric Co Ltd | 基板吸着支持部材及び基板支持方法 |
| JP2010016176A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Kyocera Corp | 試料保持具 |
| JP2019114589A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 真空吸着部材 |
| JP2019114590A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 真空吸着部材 |
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| JPH06151366A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-31 | Nippon Steel Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH08139169A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ウエハ保持台用セラミックス部材の作製方法 |
| JPH09283605A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Canon Inc | 基板の吸着保持装置およびその製造方法 |
| JPH10144777A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 真空吸着装置 |
| JP2001168087A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Nec Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のステージ製造方法 |
-
1999
- 1999-12-20 JP JP36103499A patent/JP3732060B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
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| JP7011459B2 (ja) | 2017-12-21 | 2022-01-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 真空吸着部材 |
| JP7014590B2 (ja) | 2017-12-21 | 2022-02-01 | 日本特殊陶業株式会社 | 真空吸着部材 |
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