JPH03173129A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
- Publication number
- JPH03173129A JPH03173129A JP1310647A JP31064789A JPH03173129A JP H03173129 A JPH03173129 A JP H03173129A JP 1310647 A JP1310647 A JP 1310647A JP 31064789 A JP31064789 A JP 31064789A JP H03173129 A JPH03173129 A JP H03173129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- plate
- wafer
- polished
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 189
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 61
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、研磨装置に関し、特に半導体製造技術におけ
る半導体ウェハ(以下、ウェハという)の研磨工程にお
いて、研磨中に発生するウェハの保持部材に起因する平
坦度の劣化防止、研磨剤によるウェハ裏面の腐食防止を
図ることが可能とされるワックスレス型の研磨装置に適
用して有効な技術に関する。
る半導体ウェハ(以下、ウェハという)の研磨工程にお
いて、研磨中に発生するウェハの保持部材に起因する平
坦度の劣化防止、研磨剤によるウェハ裏面の腐食防止を
図ることが可能とされるワックスレス型の研磨装置に適
用して有効な技術に関する。
[従来の技術]
半導体製造技術におけるウェハの研磨工程にふいて、た
とえばデバイスの微細化、MO3構造デバイスの進展に
伴い、高精度かつ無欠点表面が要求されている。
とえばデバイスの微細化、MO3構造デバイスの進展に
伴い、高精度かつ無欠点表面が要求されている。
また、研磨のメカニズムが、たとえばコロイダルシリカ
などによるメカニカル的要素と、アルカリによるエツチ
ング要素とを複合したメカノ・ケミカル研磨法であり、
研磨剤や研磨クロスの性質がウェハ表面状態を決める主
要素であるために多くの改良が成されてきたが、最近の
ウェハ精度、特に平坦度向上要求に対しては研磨装置の
重要度が高まっている。
などによるメカニカル的要素と、アルカリによるエツチ
ング要素とを複合したメカノ・ケミカル研磨法であり、
研磨剤や研磨クロスの性質がウェハ表面状態を決める主
要素であるために多くの改良が成されてきたが、最近の
ウェハ精度、特に平坦度向上要求に対しては研磨装置の
重要度が高まっている。
さらに、研磨処理は大別して、ラッピング処理とポリッ
シング処理と呼ばれる2段階の処理で構成され、ラッピ
ング処理においては、スライス状態のウェハの両面の平
坦化が行われ、さらにウェハ全体における厚さのばらつ
きなどが補正される。
シング処理と呼ばれる2段階の処理で構成され、ラッピ
ング処理においては、スライス状態のウェハの両面の平
坦化が行われ、さらにウェハ全体における厚さのばらつ
きなどが補正される。
一方、ポリッシング処理においては、ラッピング処理が
完了した後に、研磨クロスと呼ばれる研摩布によって数
段階にわたる研磨工程が繰り返され、ウェハの表面が所
定精度の鏡面状態とされる。
完了した後に、研磨クロスと呼ばれる研摩布によって数
段階にわたる研磨工程が繰り返され、ウェハの表面が所
定精度の鏡面状態とされる。
そして、このようなポリッシング処理を行う研磨装置の
一つとして、たとえば株式会社工業調査会、昭和60年
11月20日発行、「電子材料別冊、超LSI製造試験
装置ガイドブック」1985年11月号別冊P41〜P
49などの文献に記載されるワックスレス型ポリッシン
グ装置がある。
一つとして、たとえば株式会社工業調査会、昭和60年
11月20日発行、「電子材料別冊、超LSI製造試験
装置ガイドブック」1985年11月号別冊P41〜P
49などの文献に記載されるワックスレス型ポリッシン
グ装置がある。
すなわち、上記ワックスレス型ポリッシング装置におい
ては、研磨クロスが張られた研磨定盤に対向して設けら
れた研磨プレートに、ウェハの外径よりもわずかに大き
な複数の装着孔が形成されたテンプレートを研磨プレー
トに固着させるとともに、個々の装着孔に気孔層を有す
るバックパッドが配置されている。そして、バックパッ
ドにウェハを吸着して固定した後に、研磨クロスに研あ
剤を供給しながら、研磨プレートと研磨定盤との間でウ
ェハに一定の圧力を負荷しつつ、両者を対向面内におい
て相対的に変位させることで、ウェハの研暦面を研磨ク
ロスに摺動させてポリッシング処理を行う機構となって
いる。
ては、研磨クロスが張られた研磨定盤に対向して設けら
れた研磨プレートに、ウェハの外径よりもわずかに大き
な複数の装着孔が形成されたテンプレートを研磨プレー
トに固着させるとともに、個々の装着孔に気孔層を有す
るバックパッドが配置されている。そして、バックパッ
ドにウェハを吸着して固定した後に、研磨クロスに研あ
剤を供給しながら、研磨プレートと研磨定盤との間でウ
ェハに一定の圧力を負荷しつつ、両者を対向面内におい
て相対的に変位させることで、ウェハの研暦面を研磨ク
ロスに摺動させてポリッシング処理を行う機構となって
いる。
C発明が解決しようとする課H]
ところが、前記のような従来技術においては、ウェハが
バックパッドを介して取り付けられていることから、研
磨中におけるバックパッドの研磨剤の吸収、バックパッ
ドの硬度変化、およびウェハ吸着面への研磨剤の侵入な
どに対する配慮がなされておらず、バックパッドの劣化
や物理的特性の変化が生じるという欠点がある。
バックパッドを介して取り付けられていることから、研
磨中におけるバックパッドの研磨剤の吸収、バックパッ
ドの硬度変化、およびウェハ吸着面への研磨剤の侵入な
どに対する配慮がなされておらず、バックパッドの劣化
や物理的特性の変化が生じるという欠点がある。
たとえば、ウェハの平坦度を劣化させる原因としては、
バックパッドの外周部分がアルカリ性の研磨剤と接触、
またはバックパッドに侵入することにより弾性および硬
度が変化し、ウェハの支持剛性がバックパッド全面で不
均一となることに起因している。
バックパッドの外周部分がアルカリ性の研磨剤と接触、
またはバックパッドに侵入することにより弾性および硬
度が変化し、ウェハの支持剛性がバックパッド全面で不
均一となることに起因している。
従って、ウェハ平坦度の劣化およびウェハ表面腐食によ
る面粗れなどによって、最近のウェハ精度、特に平坦度
向上の要求に対応できないという問題がある。
る面粗れなどによって、最近のウェハ精度、特に平坦度
向上の要求に対応できないという問題がある。
そこで、本発明の目的は、被研磨物の高精度な平坦度を
得ることができる研磨装置を提供することにある。
得ることができる研磨装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、被研磨物裏面の研磨剤によ
る二次的な腐食による面粗れを防止することが可能とさ
れる研磨装置を提供することにある。
る二次的な腐食による面粗れを防止することが可能とさ
れる研磨装置を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、被研磨物の研旦プレート
への着脱を自動化することができる研磨装置を得ること
にある。
への着脱を自動化することができる研磨装置を得ること
にある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
[課題を解決するための手段]
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の研磨装置は、板面体の被研磨物を研
磨する研磨クロスと、該被研磨物を保持する研磨プレー
トと、該研磨プレートを所定の圧力で加圧する研磨荷重
負荷機構とを備えたワックスレス型の研磨装置であって
、前記被研磨物を、直接、前記研磨プレートの吸着面に
真空吸着保持するものである。
磨する研磨クロスと、該被研磨物を保持する研磨プレー
トと、該研磨プレートを所定の圧力で加圧する研磨荷重
負荷機構とを備えたワックスレス型の研磨装置であって
、前記被研磨物を、直接、前記研磨プレートの吸着面に
真空吸着保持するものである。
また、前記研磨プレートが、多孔質性材料により形成さ
れた研磨プレートとされ、前記被研磨物への吸着力を、
該被研磨物の全面に均一に作用させるようにしたもので
ある。
れた研磨プレートとされ、前記被研磨物への吸着力を、
該被研磨物の全面に均一に作用させるようにしたもので
ある。
さらに、前記研磨プレートの真空・加圧孔が、格子また
はスリット形状、あるいは多孔形状に形成され、前記被
研磨物との接触面積を減少させるようにしたものである
。
はスリット形状、あるいは多孔形状に形成され、前記被
研磨物との接触面積を減少させるようにしたものである
。
また、前転研磨プレートが、前記被研磨物の吸着面の被
研磨物の外周位置にシール部材が配設され、該シール部
材により前記被研磨物と研磨プレートとの間への研磨剤
の侵入が防止されるようにしたものである。
研磨物の外周位置にシール部材が配設され、該シール部
材により前記被研磨物と研磨プレートとの間への研磨剤
の侵入が防止されるようにしたものである。
さらに、前記研磨プレートの真空・加圧孔の内圧が、負
圧または正圧とされることにより前記被研磨物が着脱さ
れるようにしたものである。
圧または正圧とされることにより前記被研磨物が着脱さ
れるようにしたものである。
[作用]
前記した研磨装置によれば、被研磨物を、直接研磨プレ
ートの吸着面に真空吸着保持することにより、従来のよ
うにパックパッドを介する方式を用いずに、直接研磨プ
レート剛体表面に被研磨物を真空吸着させ、常時被研磨
物の支持剛性を安定化させることができる。
ートの吸着面に真空吸着保持することにより、従来のよ
うにパックパッドを介する方式を用いずに、直接研磨プ
レート剛体表面に被研磨物を真空吸着させ、常時被研磨
物の支持剛性を安定化させることができる。
また、前記研磨プレートを、多孔質性材料によって形成
することにより、被研磨物の真空吸着力を被研磨物全面
に均一に作用させ、被研磨物の吸着力を向上させること
ができる。
することにより、被研磨物の真空吸着力を被研磨物全面
に均一に作用させ、被研磨物の吸着力を向上させること
ができる。
さらに、前記研磨プレートの真空・加圧孔を、格子ふよ
びスリット形状、あるいは多孔形状に形成することによ
り、被研磨物との接触面積を減少させ、研磨プレート吸
着面の異物付着の影響を小さくすることができる。
びスリット形状、あるいは多孔形状に形成することによ
り、被研磨物との接触面積を減少させ、研磨プレート吸
着面の異物付着の影響を小さくすることができる。
また、前記研磨プレートにおいて、被研磨物吸着面の被
研磨物の外周位置にシール部材を配設することにより、
被研磨物と研磨プレートとの間への研磨剤の侵入を防止
し、被研磨物裏面の腐食を抑制することができる。
研磨物の外周位置にシール部材を配設することにより、
被研磨物と研磨プレートとの間への研磨剤の侵入を防止
し、被研磨物裏面の腐食を抑制することができる。
さらに、前記研磨プレートの真空・加圧孔の内圧を、負
圧または正圧とすることにより、被研磨物の着脱を自動
化することができる。
圧または正圧とすることにより、被研磨物の着脱を自動
化することができる。
[実施例〕
第1図は本発明の一実施例である研磨装置の研磨プレー
トを示す要部拡大断面図、第2図〜第5図は本実施例の
研磨プレートの変形例を示す要部拡大断面図、第6図は
第5図の研磨プレートの吸着面を示す平面図、第7図は
本実施例の研磨装置の概略を示す正面図、第8図は本実
施例の研磨装置の研磨プレートを示す平面図である。
トを示す要部拡大断面図、第2図〜第5図は本実施例の
研磨プレートの変形例を示す要部拡大断面図、第6図は
第5図の研磨プレートの吸着面を示す平面図、第7図は
本実施例の研磨装置の概略を示す正面図、第8図は本実
施例の研磨装置の研磨プレートを示す平面図である。
まず、第7図により本実施例の研磨装置の構成を説明す
る。
る。
本実施例の研磨装置は、たとえば半導体製造工程におけ
るウェハ(被研磨物) 1のワックスレス型のポリッシ
ング装置2とされ、水平に配置される研磨定盤3と、ウ
ェハ1を研磨する研磨クロス4と、ウェハ1を保持する
研磨プレート5と、この研磨プレート5を所定の圧力で
押圧する加圧シリンダ(研磨荷重負荷機構)6とから構
成されている。そして、研磨定盤3が回転運動すること
によってポリッシング処理が行われる構造となっている
。
るウェハ(被研磨物) 1のワックスレス型のポリッシ
ング装置2とされ、水平に配置される研磨定盤3と、ウ
ェハ1を研磨する研磨クロス4と、ウェハ1を保持する
研磨プレート5と、この研磨プレート5を所定の圧力で
押圧する加圧シリンダ(研磨荷重負荷機構)6とから構
成されている。そして、研磨定盤3が回転運動すること
によってポリッシング処理が行われる構造となっている
。
研磨定盤3は、下面中央部に設けられた駆動軸3aを介
して、図示しないモータなどの駆動源によって所定の速
度において回転される構造となっている。
して、図示しないモータなどの駆動源によって所定の速
度において回転される構造となっている。
ウェハ1は、シリコン(Si)単結晶からなる棒状のイ
ンゴットを横断面方向にスライスして得られるものであ
り、第8図に示すようにその周縁の一部に結晶基準位置
を示す直線状のオリエンテーションフラットlaが形成
されている。
ンゴットを横断面方向にスライスして得られるものであ
り、第8図に示すようにその周縁の一部に結晶基準位置
を示す直線状のオリエンテーションフラットlaが形成
されている。
研磨クロス4は、研磨定盤3の上面、すなわち研磨プレ
ート5に対する対向面に張り付けられ、研磨定盤3が駆
動されることによってウェハ1をポリッシング処理する
ものである。
ート5に対する対向面に張り付けられ、研磨定盤3が駆
動されることによってウェハ1をポリッシング処理する
ものである。
研磨プレート5には、第1図に示すようにウェハlの吸
着面に通じる複数の真空・加圧孔5aが形成され、ウェ
ハlの背面側を着脱自在に吸着して固定する構造となっ
ている。また、ウェハ1の外周位置に0リング(シール
部材)7が装着される装着溝5bが形成され、Oリング
7によってつエバ1と研磨プレート5との開への研磨剤
8の侵入が防止される構造となっている。
着面に通じる複数の真空・加圧孔5aが形成され、ウェ
ハlの背面側を着脱自在に吸着して固定する構造となっ
ている。また、ウェハ1の外周位置に0リング(シール
部材)7が装着される装着溝5bが形成され、Oリング
7によってつエバ1と研磨プレート5との開への研磨剤
8の侵入が防止される構造となっている。
また、研磨プレート5には、その背面側に従動軸9が接
続され、この従動軸9が軸受10および上下動自在なト
ルカ−アーム11を介して図示しない筐体に支持されて
いる。そして、従動軸9の内部には、真空・加圧孔9a
が形成され、この真空・加圧孔9aが図示しない流体圧
源に接続されている。また、従動軸9の上端側には、従
動軸9に軸方向に推力を加える加圧シリンダ6が接続さ
れ、研磨プレート5の上下動の制御、および所定の圧力
で研磨プレート5を研磨定盤3側に押圧する構造となっ
ている。
続され、この従動軸9が軸受10および上下動自在なト
ルカ−アーム11を介して図示しない筐体に支持されて
いる。そして、従動軸9の内部には、真空・加圧孔9a
が形成され、この真空・加圧孔9aが図示しない流体圧
源に接続されている。また、従動軸9の上端側には、従
動軸9に軸方向に推力を加える加圧シリンダ6が接続さ
れ、研磨プレート5の上下動の制御、および所定の圧力
で研磨プレート5を研磨定盤3側に押圧する構造となっ
ている。
さらに、研磨プレート50表面、すなわち研磨定盤3に
対する対向面には円形のテンプレート12が取り付けら
れている。そして、このテンプレート12には、たとえ
ば第8図に示すように従動軸9を囲むように5つの装着
孔12aが周方向を等分する位置に開設され、これらの
装着孔12aにウェハ1がそれぞれ装着される構造とな
っている。
対する対向面には円形のテンプレート12が取り付けら
れている。そして、このテンプレート12には、たとえ
ば第8図に示すように従動軸9を囲むように5つの装着
孔12aが周方向を等分する位置に開設され、これらの
装着孔12aにウェハ1がそれぞれ装着される構造とな
っている。
加圧シリンダ6は、研磨プレート5に所定の押圧力を与
え、テンブレー)12の装着孔12aに装着されたそれ
ぞれのウェハlに、たとえば100〜250g/cm2
程度の圧力を加えるものである。そして、研磨定盤3の
中央部に配置される図示しないノズルなどから研磨剤8
を供給し、研磨定盤3の回転による遠心力によって研磨
クロス4の外側に分散させながら、ウェハ1の表面をポ
リッシング処理する構造となっている。
え、テンブレー)12の装着孔12aに装着されたそれ
ぞれのウェハlに、たとえば100〜250g/cm2
程度の圧力を加えるものである。そして、研磨定盤3の
中央部に配置される図示しないノズルなどから研磨剤8
を供給し、研磨定盤3の回転による遠心力によって研磨
クロス4の外側に分散させながら、ウェハ1の表面をポ
リッシング処理する構造となっている。
次に、本実施例の作用について説明する。
始めに、研磨定盤3から研磨プレート5を離間させた状
態において、研磨プレート5に固定されたテンプレート
12のそれぞれの装着孔12aにウェハlを装着する。
態において、研磨プレート5に固定されたテンプレート
12のそれぞれの装着孔12aにウェハlを装着する。
そして、流体圧源(図示せず)の駆動によって研磨プレ
ート5の真空・加圧孔5aの内圧を負圧、すなわち真空
状態とし、ウェハ1の背面を研磨プレート5の吸着面に
吸着させて安定に固定する。
ート5の真空・加圧孔5aの内圧を負圧、すなわち真空
状態とし、ウェハ1の背面を研磨プレート5の吸着面に
吸着させて安定に固定する。
続いて、加圧シリンダ6を作動させることによって研磨
プレート5を研磨定盤3に向かって降下させ、研磨プレ
ート5と研磨定盤3との間でウェハ1を所定の圧力で押
圧し、安定に吸着されたウェハ1に対して、回転する研
磨定盤3に張られている研ツクロス4を摺動させてポリ
ッシング処理を行う。
プレート5を研磨定盤3に向かって降下させ、研磨プレ
ート5と研磨定盤3との間でウェハ1を所定の圧力で押
圧し、安定に吸着されたウェハ1に対して、回転する研
磨定盤3に張られている研ツクロス4を摺動させてポリ
ッシング処理を行う。
この場合に、研磨剤8を供給しながら、ポリッシング処
理を所定の時間だけ継続することによって、研磨クロス
4に接するウェハ1の表面を鏡面状態に研磨することが
できる。
理を所定の時間だけ継続することによって、研磨クロス
4に接するウェハ1の表面を鏡面状態に研磨することが
できる。
さらに、装着されたウェハ1のポリッシング処理が終了
した後に、上記と逆の工程、すなわち加圧シリンダ6を
作動させることによって研磨プレート5を上昇させ、流
体圧源の駆動によって研磨プレート5の真空・加圧孔5
aの内圧を正圧状態とし、ウェハ1の吸着を解除する。
した後に、上記と逆の工程、すなわち加圧シリンダ6を
作動させることによって研磨プレート5を上昇させ、流
体圧源の駆動によって研磨プレート5の真空・加圧孔5
aの内圧を正圧状態とし、ウェハ1の吸着を解除する。
そして、テンプレート12の装着孔12aからウニ/”
i lを取り出し、研はプレート5を研磨定盤3から離
間させ、新たなウェハ1に交換して再びポリッシング処
理を実施する。
i lを取り出し、研はプレート5を研磨定盤3から離
間させ、新たなウェハ1に交換して再びポリッシング処
理を実施する。
以上のように、本実施例の研磨装置であるポリッシング
装置2においては、研磨プレート5に複数の真空・加圧
孔5aが形成され、この真空・加圧孔5aが流体圧源(
図示せず)に接続されることにより、従来のように研磨
中における研磨剤8の吸収、硬度変化などを生じるバッ
クパッドを用いることなく、被研磨物であるウェハ1を
研磨プレート5の吸着面に直接真空吸着し、常時ウェハ
1の支持剛性を安定化させることができる。この場合に
、研磨プレート5に、第1図および第2図のように複数
個の真空・加圧孔5aが形成されることにより、ウェハ
1の真空吸着力をウェハ1の全面に均一に作用させるこ
とができる。
装置2においては、研磨プレート5に複数の真空・加圧
孔5aが形成され、この真空・加圧孔5aが流体圧源(
図示せず)に接続されることにより、従来のように研磨
中における研磨剤8の吸収、硬度変化などを生じるバッ
クパッドを用いることなく、被研磨物であるウェハ1を
研磨プレート5の吸着面に直接真空吸着し、常時ウェハ
1の支持剛性を安定化させることができる。この場合に
、研磨プレート5に、第1図および第2図のように複数
個の真空・加圧孔5aが形成されることにより、ウェハ
1の真空吸着力をウェハ1の全面に均一に作用させるこ
とができる。
なお、研磨プレート5については、第3図および第4図
のように、たとえばアルミナ系砥粒製などの多孔質性吸
着板(多孔質性材料)13を吸着面に固定することによ
り、上記と同様にウェハlの真空吸着力をウェハ1の全
面に均一に作用させることができるので、平坦度精度の
向上が可能である。
のように、たとえばアルミナ系砥粒製などの多孔質性吸
着板(多孔質性材料)13を吸着面に固定することによ
り、上記と同様にウェハlの真空吸着力をウェハ1の全
面に均一に作用させることができるので、平坦度精度の
向上が可能である。
また、第1図および第2図のように、ウェハ1の吸着面
のウェハ1の外周位置にシール部材であるOリング7を
配設したり、また第3図のように、ウェハ1の吸着後に
ウェハ1の外周位置にシール剤(シール部材)14を塗
布したり、さらに第4図および第5図のように、ウェハ
1の外周位置にエツジシール材(シール部材)15を配
設することにより、ウェハ1と研磨プレート5との間へ
の研磨剤8の侵入を防止することができる。
のウェハ1の外周位置にシール部材であるOリング7を
配設したり、また第3図のように、ウェハ1の吸着後に
ウェハ1の外周位置にシール剤(シール部材)14を塗
布したり、さらに第4図および第5図のように、ウェハ
1の外周位置にエツジシール材(シール部材)15を配
設することにより、ウェハ1と研磨プレート5との間へ
の研磨剤8の侵入を防止することができる。
さらに、研磨プレート5の吸着面に、たとえば第5図お
よび第6図のように、間隔が0.1〜10mmの格子状
に底面直径が0.1〜lQmmの円錐形状溝5Cが形成
される場合においては、吸着面がウェハ1の全面と接触
せず、ウェハ1の支持面積が減少されることにより、研
磨プレート5の吸着面の異物付着の影響を小さくするこ
とができる。
よび第6図のように、間隔が0.1〜10mmの格子状
に底面直径が0.1〜lQmmの円錐形状溝5Cが形成
される場合においては、吸着面がウェハ1の全面と接触
せず、ウェハ1の支持面積が減少されることにより、研
磨プレート5の吸着面の異物付着の影響を小さくするこ
とができる。
また、上記何れの場合にも、ウェハ1の吸着時は真空・
加圧孔5aの内圧を負圧状態とし、またウェハ1の取外
し時においては正圧状態とすることにより、ウェハ1の
取付および取外しを容易に行うことができる。
加圧孔5aの内圧を負圧状態とし、またウェハ1の取外
し時においては正圧状態とすることにより、ウェハ1の
取付および取外しを容易に行うことができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、本実施例の研磨装置における研磨プレート5
については、第1図〜第6図に示すような真空・加圧孔
5a、格子状の円錐形状溝5cなどの形状および構造に
限定されるものではなく、たとえばスリット溝など他の
様々な形状の研磨プレート5についても適用可能である
。
については、第1図〜第6図に示すような真空・加圧孔
5a、格子状の円錐形状溝5cなどの形状および構造に
限定されるものではなく、たとえばスリット溝など他の
様々な形状の研磨プレート5についても適用可能である
。
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその利用分野である半導体製造技術におけるウェハ
の研磨工程に用いられるワックスレス型の研磨装置に適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、たとえばハードディスク装置における磁気デ
ィスク、またはフォトマスク製造における石英ガラスな
どの他の研磨装置についても広く適用可能である。
明をその利用分野である半導体製造技術におけるウェハ
の研磨工程に用いられるワックスレス型の研磨装置に適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、たとえばハードディスク装置における磁気デ
ィスク、またはフォトマスク製造における石英ガラスな
どの他の研磨装置についても広く適用可能である。
[発明の効果コ
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下g己のとおり
である。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下g己のとおり
である。
(1〕、板面体の被研磨物を研磨する研磨クロスと、こ
の被研磨物を保持する研磨プレートと、この研磨プレー
トを所定の圧力で加圧する研磨荷重負荷機構とを備えた
ワックスレス型の研磨装置において、板面体の被研磨物
を、直接研磨プレートの吸着面に真空吸着保持すること
により、従来のようにパックパッドを介することなく、
直接、研磨プレート剛体表面に被研磨物を真空吸着させ
、常時被研磨物の支持剛性を安定化させることができる
ので、従来のようなパックパッドに起因する被研磨物へ
の支持剛性の不均一が抑制され、被研磨物の平坦度劣化
の防止が可能である。
の被研磨物を保持する研磨プレートと、この研磨プレー
トを所定の圧力で加圧する研磨荷重負荷機構とを備えた
ワックスレス型の研磨装置において、板面体の被研磨物
を、直接研磨プレートの吸着面に真空吸着保持すること
により、従来のようにパックパッドを介することなく、
直接、研磨プレート剛体表面に被研磨物を真空吸着させ
、常時被研磨物の支持剛性を安定化させることができる
ので、従来のようなパックパッドに起因する被研磨物へ
の支持剛性の不均一が抑制され、被研磨物の平坦度劣化
の防止が可能である。
(2)、研磨プレートを、多孔質性材料によって形成す
ることにより、被研磨物の真空吸着力を被研磨物の全面
に均一に作用させることができるので、被研磨物の吸着
力を向上させることができると同時に、平坦度精度の向
上が可能である。
ることにより、被研磨物の真空吸着力を被研磨物の全面
に均一に作用させることができるので、被研磨物の吸着
力を向上させることができると同時に、平坦度精度の向
上が可能である。
(3)、研磨プレートの真空・加圧孔を、格子およびス
リット形状、あるいは多孔形状に形成することにより、
研磨プレートの吸着面に非接触面が形成され、被研磨物
の支持面積を減少させることができるので、従来のよう
に被研磨物の裏面および吸着面に付着する環境中の異物
によって異物箇所の研磨圧力が上昇し、局部的に研磨速
度が上昇することが防止され、異物による平坦度劣化の
防止が可能である。
リット形状、あるいは多孔形状に形成することにより、
研磨プレートの吸着面に非接触面が形成され、被研磨物
の支持面積を減少させることができるので、従来のよう
に被研磨物の裏面および吸着面に付着する環境中の異物
によって異物箇所の研磨圧力が上昇し、局部的に研磨速
度が上昇することが防止され、異物による平坦度劣化の
防止が可能である。
(4)、研磨プレートにおいて、被研磨物の吸着面の被
研磨物の外周位置にシール部材を配設することにより、
被研磨物と研磨プレートとの間への研…剤の侵入を防止
することができるので、被研磨物の裏面の二次的な隙間
腐食および局部腐食による面粗れを防止することが可能
である。
研磨物の外周位置にシール部材を配設することにより、
被研磨物と研磨プレートとの間への研…剤の侵入を防止
することができるので、被研磨物の裏面の二次的な隙間
腐食および局部腐食による面粗れを防止することが可能
である。
(5)、研磨プレートの真空・加圧孔の内圧を、負圧ま
たは正圧とすることにより、被研磨物の取付および取外
しを自動で行うことができるので、被研磨物の着脱を自
動化することができる研磨装置を得ることができる。
たは正圧とすることにより、被研磨物の取付および取外
しを自動で行うことができるので、被研磨物の着脱を自
動化することができる研磨装置を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例である研磨装置の研磨プレー
トを示す要部拡大断面図、 第2図〜第5図は本実施例の研磨プレートの変形例を示
す要部拡大断面図、 第6図は第5図の研磨プレートの吸着面を示す平面図、 第7図は本実施例の研磨装置の概略を示す正面図、 第8図は本実施例の研磨装置の研磨プレートを示す平面
図である。 1・・・ウェハ(被研磨物)、1a・・・オリエンテー
ションフラット、2・・・ポリッシング装置(研磨装置
)、3・・・研磨定盤、3a・・・駆動軸、4・・・研
磨クロス、5・・・研磨プレート、5a・、・・真空・
加圧孔、5b・・・装着溝、5C・・・円錐形状溝、6
・・・加圧シリンダ(研諮荷重負荷機構)、7・・・0
リング(シール部材)、8・・・研磨剤、9・・・従動
輪、9a・・・真空・加圧孔、10・・・軸受、11・
・・トルカ−アーム、12・・・テンプレート、12a
・・・装着孔、13・・・多孔質性吸着板(多孔質性材
料)、14・・・シール剤(ンール部材)、15・・・
エツジシール材(シール部材)。 7:0リング(シール部材) 頃 1ど0 4;研磨クロス 5:研磨プレート 6:加圧シリンダ (研磨荷重負荷機構)
トを示す要部拡大断面図、 第2図〜第5図は本実施例の研磨プレートの変形例を示
す要部拡大断面図、 第6図は第5図の研磨プレートの吸着面を示す平面図、 第7図は本実施例の研磨装置の概略を示す正面図、 第8図は本実施例の研磨装置の研磨プレートを示す平面
図である。 1・・・ウェハ(被研磨物)、1a・・・オリエンテー
ションフラット、2・・・ポリッシング装置(研磨装置
)、3・・・研磨定盤、3a・・・駆動軸、4・・・研
磨クロス、5・・・研磨プレート、5a・、・・真空・
加圧孔、5b・・・装着溝、5C・・・円錐形状溝、6
・・・加圧シリンダ(研諮荷重負荷機構)、7・・・0
リング(シール部材)、8・・・研磨剤、9・・・従動
輪、9a・・・真空・加圧孔、10・・・軸受、11・
・・トルカ−アーム、12・・・テンプレート、12a
・・・装着孔、13・・・多孔質性吸着板(多孔質性材
料)、14・・・シール剤(ンール部材)、15・・・
エツジシール材(シール部材)。 7:0リング(シール部材) 頃 1ど0 4;研磨クロス 5:研磨プレート 6:加圧シリンダ (研磨荷重負荷機構)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、板面体の被研磨物を研磨する研磨クロスと、該被研
磨物を保持する研磨プレートと、該研磨プレートを所定
の圧力で加圧する研磨荷重負荷機構とを備えたワックス
レス型の研磨装置であって、前記被研磨物を、直接、前
記研磨プレートの吸着面に真空吸着保持することを特徴
とする研磨装置。 2、前記研磨プレートが、多孔質性材料により形成され
た研磨プレートとされ、前記被研磨物への吸着力を、該
被研磨物の全面に均一に作用させることを特徴とする請
求項1記載の研磨装置。 3、前記研磨プレートの真空・加圧孔が、格子またはス
リット形状、あるいは多孔形状に形成され、前記被研磨
物との接触面積が減少されることを特徴とする請求項1
記載の研磨装置。 4、前記研磨プレートが、前記被研磨物の吸着面の被研
磨物の外周位置にシール部材が配設され、該シール部材
により前記被研磨物と研磨プレートとの間への研磨剤の
侵入が防止されることを特徴とする請求項1、2または
3記載の研磨装置。 5、前記研磨プレートの真空・加圧孔の内圧が、負圧ま
たは正圧とされることにより前記被研磨物が着脱される
ことを特徴とする請求項1、2、3、または4記載の研
磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1310647A JPH03173129A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1310647A JPH03173129A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03173129A true JPH03173129A (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=18007767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1310647A Pending JPH03173129A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03173129A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
US5791973A (en) * | 1995-04-10 | 1998-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for holding substrate to be polished and apparatus and method for polishing substrate |
US6030488A (en) * | 1997-02-06 | 2000-02-29 | Speedfam Co., Ltd. | Chemical and mechanical polishing apparatus |
US7582221B2 (en) * | 2000-10-26 | 2009-09-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer manufacturing method, polishing apparatus, and wafer |
TWI503205B (zh) * | 2009-03-06 | 2015-10-11 | Lg Chemical Ltd | 玻璃研磨系統 |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP1310647A patent/JPH03173129A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
US5527209A (en) * | 1993-09-09 | 1996-06-18 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head adapted for easy removal of wafers |
US5791973A (en) * | 1995-04-10 | 1998-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for holding substrate to be polished and apparatus and method for polishing substrate |
US5921853A (en) * | 1995-04-10 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for polishing substrate using resin film or multilayer polishing pad |
US6030488A (en) * | 1997-02-06 | 2000-02-29 | Speedfam Co., Ltd. | Chemical and mechanical polishing apparatus |
US7582221B2 (en) * | 2000-10-26 | 2009-09-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer manufacturing method, polishing apparatus, and wafer |
TWI503205B (zh) * | 2009-03-06 | 2015-10-11 | Lg Chemical Ltd | 玻璃研磨系統 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4597228A (en) | Vacuum suction device | |
JP3287761B2 (ja) | 真空吸着装置および加工装置 | |
JPH0855826A (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
JP2002524281A (ja) | 基板を化学機械的に研磨するためのキャリアヘッド | |
JPH09270401A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
KR100730501B1 (ko) | 웨이퍼 접착 장치와 웨이퍼 접착 방법 및 웨이퍼 연마방법 | |
JPS6015147B2 (ja) | 表裏両外面を有する基板ウェファの保持および平面化方法 | |
JP2006303329A (ja) | シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置 | |
JPH03173129A (ja) | 研磨装置 | |
JP2000233366A (ja) | 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法 | |
JP2538511B2 (ja) | 半導体基板の研磨用保持板 | |
JP2001121413A (ja) | 平板状の被加工材の保持方法 | |
JP7471086B2 (ja) | チャックテーブル及び加工装置 | |
CN110605636B (zh) | 卡盘台、磨削装置及磨削品的制造方法 | |
JPH0236066A (ja) | 研磨布および研磨装置 | |
JPH09246218A (ja) | 研磨方法および装置 | |
JP2003165048A (ja) | 研磨具の整形方法および研磨装置 | |
JPH0567371B2 (ja) | ||
JP2007019317A (ja) | スピンチャック及びその製造方法 | |
JPH11170169A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法およびその装置 | |
JP4202703B2 (ja) | 研磨装置 | |
JPH04206930A (ja) | 半導体ウェーハの研磨用チャック | |
JP2000308961A (ja) | 貼付プレートおよびその製法 | |
JP4169432B2 (ja) | 被加工物の保持具、研磨装置及び研磨方法 | |
JPH11104958A (ja) | 研磨装置 |