JP2000243337A - 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法Info
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- JP2000243337A JP2000243337A JP11041510A JP4151099A JP2000243337A JP 2000243337 A JP2000243337 A JP 2000243337A JP 11041510 A JP11041510 A JP 11041510A JP 4151099 A JP4151099 A JP 4151099A JP 2000243337 A JP2000243337 A JP 2000243337A
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Abstract
電粒子線描画装置を提供する。 【解決手段】 複数の荷電粒子線を縮小投影する縮小電
子光学系4と、縮小電子光学系4の光軸と直交する第1
平面内に2次元に配列された複数の電子光学系から成
り、第1の方向に並ぶ電子光学系は共通の配線で接続さ
れている第1の電子光学系アレイ(LA1)と、前記光軸
と直交する第2平面内に2次元に配列された複数の電子
光学系から成り、前記第1の方向と直交する第2の方向
に並ぶ電子光学系は共通の配線で接続されている第2の
電子光学系アレイ(LA2)とを有し、各荷電粒子線が対
応する前記第1、第2の電子光学系アレイの電子光学系
を介して中間像を形成し、前記中間像が前記縮小電子光
学系を介して前記被露光面に縮小投影される際に発生す
る収差を補正するために前記共通の配線で接続されてい
る複数の電子光学系毎にその光学特性を設定する補正電
子光学系3とを有する。
Description
路等の露光に用いられる電子ビーム露光装置、イオンビ
ーム露光装置等の荷電粒子線露光装置に関するものであ
る。特に、複数の荷電粒子線を用いてパターン描画を行
う荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造
方法に関する。
子線露光装置として、例えば、特開平9-248708に提案さ
れている電子ビーム露光装置がある。この電子ビーム露
光装置は、縮小電子光学系を介して複数の電子ビームを
被露光面に投影し、複数の電子ビームを共通の偏向器に
よって被露光面上を走査すると共に各電子ビームの照射
を個別に制御して、パターンを描画する。そして、この
装置の特徴は、図12に示すような縮小電子光学系の光
軸AXに直交する平面に配列された複数の要素電子光学系
ELからなる要素電子光学系アレイELAを設け、各電子ビ
ームEBが対応する要素電子光学系を介して中間像imgを
形成し、その中間像imgを縮小電子光学系を介して被露
光面に投影すると共に、縮小電子光学系を介して複数の
電子ビームが被露光面に投影する際に発生する収差を補
正するために、複数の要素電子光学系ELの光学特性を個
別に調整しているところにある。
要素電子光学系アレイELAは、開口に対応して形成され
たドーナツ状電極が複数配列された上部電極UE、中間電
極CE、下部電極LEの3枚を絶縁物を介在させて積層され
たもので、各電極の対応する開口で一つ要素電子光学系
ELを構成している。各要素電子光学系の上部・下部の
電極の全てを共通の配線で接続して同一の電位に設定
し、中間電極の電位を個別に設定することにより要素電
子光学系の光学特性を個別に調整している。図12に示
すように、中間電極の電位を個別に設定するには各要素
電子光学系の中間電極を個別の配線wで制御系に接続す
る必要がある。ところが、要素電子光学系の数が増える
と、当然のことながら制御系の対象も増え、更に、配線
が密になるため、配線間で短絡したり、配線同士の影響
により設定電位に誤差が生じるという問題ある。
問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の電子ビー
ム露光装置のある形態は、複数の荷電粒子線を用いて被
露光面を露光する荷電粒子線露光装置において、前記複
数の荷電粒子線を縮小投影する縮小電子光学系と、前記
縮小電子光学系の光軸と直交する第1平面内に2次元に
配列された複数の電子光学系から成り、第1の方向に並
ぶ電子光学系は共通の配線で接続されている第1の電子
光学系アレイと、前記光軸と直交する第2平面内に2次
元に配列された複数の電子光学系から成り、前記第1の
方向と直交する第2の方向に並ぶ電子光学系は共通の配
線で接続されている第2の電子光学系アレイとを有し、
各荷電粒子線が対応する前記第1、第2の電子光学系ア
レイの電子光学系を介して中間像を形成し、前記中間像
が前記縮小電子光学系を介して前記被露光面に縮小投影
される際に発生する収差を補正するために前記共通の配
線で接続されている複数の電子光学系毎にその光学特性
を設定する補正電子光学系とを有することを特徴とす
る。
る。
徴とする。
れは、同一基板上に形成されていることを特徴とする。
と直交する第3平面内に2次元に配列された複数の電子
光学系を有し、第3の方向に並ぶ電子光学系は共通の配
線で接続されている第3の電子光学系アレイと、前記光
軸と直交する第4平面内に2次元に配列された複数の電
子光学系を有し、前記第3の方向と直交する第4の方向
にに並ぶ電子光学系は共通の配線で接続されている第4
の電子光学系アレイとを有し、前記複数の荷電粒子の各
荷電粒子が対応する前記第1、第2、第3、第4の電子
光学系アレイの電子光学系を介して中間像を形成し、前
記中間像が前記縮小電子光学系を介して前記被露光面に
縮小投影される際に発生する収差を補正するために前記
共通の配線で接続されている複数の電子光学系毎に光学
特性を設定することを特徴とする。
イのそれぞれは、同一基板上に形成されていることを特
徴とする。
る。
徴とする。
3、第4の電子光学系アレイの電子光学系を介して中間
像を形成する際、該各荷電粒子線は略同一な収斂作用を
受け、該各荷電粒子線が前記縮小電子光学系を介して前
記被露光面に縮小投影される際に発生する像面湾曲に応
じた位置に収斂することを特徴とする。
の荷電粒子源を略平行にする照明電子光学系と、前記縮
小電子光学系の光軸に直交する方向に複数の開口を有
し、前記照明電子光学系から略平行な電子ビームが照明
される開口アレイとを有し、前記複数の荷電粒子線の各
荷電粒子線は、該開口アレイの各開口からの荷電粒子線
であることを特徴とする。
段を有することを特徴とする。
向させる複数の偏向手段を有することを特徴とする。
上記荷電粒子線露光装置を用いてデバイスを製造するこ
とを特徴とする。
態では電子ビーム露光装置の例を示す。なお、電子ビー
ムに限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適
用できる。
係る電子ビーム露光装置の要部概略図である。
ッド1b、アノード1cよりなる電子銃1であって、カソー
ド1aから放射された電子はグリッド1b、アノード1cの間
でクロスオーバ像を形成する。(以下、このクロスオー
バ像を電子源と記す)
側焦点位置が電子源位置にあるコンデンサーレンズ2に
よって略平行の電子ビームとなる。本実施形態のコンデ
ンサーレンズ2は、3枚の開口電極で構成されるユニポ
テンシャルレンズである。略平行な電子ビームは、補正
電子光学系3に入射する。要素電子光学系アレイ3は、ア
パーチャアレイ、ブランカーアレイ、要素電子光学系ア
レイユニット、ストッパーアレイで構成される。補正電
子光学系3の詳細については後述する。
形成し、各中間像は後述する縮小電子光学系4によって
縮小投影され、ウエハ5上に光源像を形成する。
像の大きさの整数倍になるように、補正電子光学系3は
複数の中間像を形成する。更に、補正電子光学系3は、
各中間像の光軸方向の位置を縮小電子光学系4の像面湾
曲に応じて異ならせるとともに、各中間像が縮小電子光
学系4よってウエハ5に縮小投影される際に発生する収差
を予め補正している。
3)と第2投影レンズ42(44)とからなる対称磁気タブレッ
トで構成される。第1投影レンズ41(43)の焦点距離をf
1、第2投影レンズ42(44)の焦点距離をf2とすると、こ
の2つのレンズ間距離はf1+f2になっている。光軸上AX
の物点は第1投影レンズ41(43)の焦点位置にあり、その
像点は第2投影レンズ42(44)の焦点に結ぶ。この像は-f
2/f1に縮小される。また、2つのレンズ磁界が互いに逆
方向に作用する様に決定されているので、理論上は、球
面収差、等方性非点収差、等方性コマ収差、像面湾曲収
差、軸上色収差の5つの収差を除いて他のザイデル収差
および回転と倍率に関する色収差が打ち消される。
電子ビームを偏向させて、複数の光源像をウエハ5上で
X,Y方向に略同一の変位量だけ変位させる偏向器であ
る。偏向器6は、図示はされていないが、偏向幅が広い
場合に用いられる主偏向器と偏向幅が狭い場合に用いら
れる副偏向器で構成されていて、主偏向器は電磁型偏向
器で、副偏向器は静電型偏向器である。
収差による光源像のフォーカス位置のずれを補正するダ
イナミックフォーカスコイルであり、8は、ダイナミッ
クフォーカスコイル7と同様に、偏向により発生する偏
向収差の非点収差を補正するダイナミックスティグコイ
ルである。
向とZ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Zステージで
あって、前述したステージ基準板13とファラデーカップ
10が固設されている。
(Z軸)と直交するXY方向に移動可能なXYステージ
である。
いて説明する。
系3を見た図であり、図2(B)は図2(A)のAA'断面
図である。
軸AXに沿って、電子銃1側から順に配置された、アパー
チャアレイAA、ブランカーアレイBA、要素電子光学系ア
レイユニットLAU、ストッパーアレイSAで構成される。
が形成されており、コンデンサーレンズ2から略平行な
電子ビームを複数の電子ビームに分割する。
AAで分割された複数の電子ビームを個別に偏向する偏向
手段を一枚の基板上に複数形成したものである。そのひ
とつの偏向手段の詳細を図3に示す。基板301は、開口A
Pを有し、302は、開口APを挟んだ一対の電極で構成さ
れ、偏向機能を有するブランキング電極である。また、
基板上301には、ブランキング電極302を個別にon/offす
るための配線(W)が形成されている。
トLAUは、同一平面内に複数の電子レンズを2次元配列し
て形成した電子レンズアレイである、第1電子光学系ア
レイLA1、第2電子光学系アレイLA2、第3電子レンズ
アレイLA3、第4電子レンズアレイLA4で構成される。
する図である。第1電子レンズアレイLA1は、開口に対
応して形成されたドーナツ状電極が複数配列された上部
電極UE、中間電極CE、下部電極LEの3枚を絶縁物を介在
させて積層されたもので、光軸AX方向に並ぶ上・中・下
電極で一つの電子レンズELいわゆるユニポテンシャル
レンズを構成している。各電子光学系の上部・下部の電
極の全てを共通の配線(w)で接続して同一の電位に設
定している。(本実施形態では、電子ビームの加速電位
にしている)そして、y方向に並ぶ各電子レンズの中間
電極は共通の配線(w)で接続されている。その結果
は、後述するLAU制御回路12により、y方向に並ぶ各
電子レンズの中間電極毎の電位を個別に設定することに
より、y方向に並ぶ電子レンズの光学特性は略同一に設
定され、y方向に並ぶ電子レンズ毎の光学特性(焦点距
離)をそれぞれ個別に設定している。言い換えれば、y
方向に並び同一の光学(焦点距離)に設定される電子レ
ンズを一つのグループとし、y方向と直交するx方向に
並ぶグループの光学特性(焦点距離)をそれぞれ個別に
設定している。
する図である。第2電子レンズアレイLA2が第1電子レ
ンズ系アレイLA1と異なる点は、x方向に並ぶ各電子レ
ンズの中間電極は共通の配線(w)で接続されている点
である。その結果は、後述するLAU制御回路12によ
り、x方向に並ぶ各電子レンズの中間電極毎の電位を個
別に設定することにより、x方向に並ぶ電子レンズの光
学特性は略同一に設定され、x方向に並ぶ電子レンズ毎
の光学特性を個別に設定している。言い換えれば、x方
向に並び同一の光学(焦点距離)に設定される電子レン
ズを一つのグループとし、y方向に並ぶグループの光学
特性(焦点距離)をそれぞれ個別に設定している。
学系アレイLA1に同じであり、第4電子光学系アレイLA
4は、第2電子光学系アレイLA2に同じである。
光学系3によって受ける作用に関して、図6を用いて説
明する。
電子ビームEB1、EB2は、互いに異なるブランキン
グ電極を介して、要素電子光学系アレイユニットLAU
に入射する。電子ビームEB1は、第1電子光学系アレ
イLA1の電子レンズEL11、第2電子光学系アレイLA
2の電子レンズEL21、第3電子レンズアレイLA3の
電子レンズEL31、第4電子レンズアレイLA4の電子
レンズEL41を介して、電子源の中間像img1を形成す
る。一方、電子ビームEB2は、第1電子レンズアレイ
LA1の電子レンズEL12、第2電子レンズアレイLA2
の電子レンズEL22、第3電子レンズアレイLA3の電
子レンズEL32、第4電子レンズアレイLA4の電子レ
ンズEL42を介して、電子源の中間像img2を形成す
る。
ンズアレイLA1のx方向に並ぶ電子レンズは、互いに異
なる焦点距離になるように設定されていて、第2、4電
子レンズアレイLA1のx方向に並ぶ電子レンズは、同一
の焦点距離になるように設定されている。更に、電子ビ
ームEB1が通過する電子レンズEL11、電子レンズ
EL21、電子レンズEL31、電子レンズEL41の
合成焦点距離と、電子ビームEB2が通過する電子レン
ズEL12、電子レンズEL22、電子レンズEL3
2、電子レンズEL42の合成焦点距離が略等しくなる
ように、各電子レンズの焦点距離を設定している。それ
により、電子源の中間像img1とimg2とは略同一の倍率で
形成されると共に、各中間像が縮小電子光学系4を介し
てウエハ5に縮小投影される際に発生する像面湾曲を補
正するために、その像面湾曲に応じて、電子源の中間像
img1とimg2が形成される光軸AX方向の位置を異ならせし
めている。
するブランキング電極に電界が印可されると、図中破線
のようにその軌道を変え、ストッパーアレイSAの各電子
ビームに対応した開口を通過できず、電子ビームEB
1、EB2が遮断される。
てウエハ5に縮小投影される際に発生する像面湾曲を補
正するための、各電子レンズアレイの各電子レンズの焦
点距離の設定方法について説明する。
述べる。
アレイユニットLAUに略平行な電子ビームとして入射
されるので、各電子ビームが通過する4つの電子レンズ
を一つの要素電子光学系EOS(図2参照)と定義する
と、各電子ビームの中間像形成位置はその要素電子電子
光学系の像側焦点位置に形成されることになる。また、
各中間像の形成倍率は略同一にすることが必要であるの
で、各電子ビームの要素電子光学系EOSの焦点距離は略
等しくなくてはならない。すなわち、特開平9-288991で
提案されているように、縮小電子光学系4の像面湾曲に
応じて、各電子ビームの中間像の光軸AX方向の位置を異
ならせるには、各電子ビームが通過する4つの電子レン
ズの焦点距離を調整して、要素電子光学系EOSの像側主
面位置を調整しなければならない。
Lまたは電子ビームを区別するために、図2(A)に示す
ように、各要素電子光学系EOS 、電子レンズELまたは電
子ビームをその配列位置(M,N)で定め、縮小電子光学
系4の倍率1/50とし、その各電子ビーム(M,N)の像面
湾曲を下表に示す。(単位はμm)
に位置する電子レンズの焦点距離を設定する。ここで、
配列位置(M,N) {M=N}の要素電子光学系EOSが2つの
電子レンズBEL1,BEL2(焦点距離f1、f2)で構成さ
れ、本実施形態ではその合成焦点距離f0を100m
m、またその電子レンズの間隔が50mmと仮定する。
すると、像面湾曲を補正するには、配列位置(M,M)の
要素電子光学系EOSの中間像位置(単位mm)下記のよう
にすることが必要である。(ただし、その位置は縮小電
子光学系4の軸上の物点を基準とする。また、縮小電子
光学系4の倍率が1/50であるので、各中間像位置が像面
湾曲の2500倍であって逆方向に位置すると像面湾曲は補
正される。)
主面位置の相対的位置関係が上記中間像の相対的位置関
係になるように、各要素電子光学系EOSの焦点距離f
1、f2を設定する。その実施例を下記に示す。
電子レンズアレイのて対応する電子レンズで構成され、
光学パワーが均等に配分されているとする。同様に、BE
L2が第3電子レンズアレイと第4電子レンズアレイのて対
応する電子レンズで構成され、光学パワーが均等に配分
されているとする。
ズELの焦点距離は、下記のように決定されてしまう。
(各電子レンズアレイの電子レンズは、予めきめられた
方向に並ぶ電子レンズと同一の焦点距離にせっていされ
るから)
設定すると、配列位置(M,M)の要素電子光学系EOSの合
成焦点距離(単位mm)下記のようになり、すなわち各中
間像の形成倍率は略同一になる。また、配列位置(M,
M)の要素電子光学系の中間像位置(単位mm)下記のよ
うになる。(ただし、その位置は縮小電子光学系4の軸
上の物点を基準とする。
して投影されると、本来図7(A)のような像面湾曲が補
正されて図7(B)のようになる。(ただし、図中像面
位置の+方向はZ軸−方向である。)
する中間像の形成倍率を略同一にするために、第1から
第4の電子レンズアレイを必要としたが、形成倍率がバ
ラツキが無視できれば、各要素電子光学系の焦点距離を
像面湾曲に応じて設定すればいいので、例えば、第1電
子電子レンズアレイと第2レンズアレイが有れば十分で
ある。
示す。BA制御回路11は、ブランカーアレイBAのブラン
キング電極のon/offを個別に制御する制御回路、LAU制
御回路12は、レンズアレイユニットLAUの電子光学特
性(焦点距離)を制御する制御回路である。
グコイル8を制御して縮小電子光学系4の非点収差を制御
する制御回路、D_FOCUS制御回路14は、ダイナミックフ
ォーカスコイル7を制御して縮小電子光学系4のフォー
カスを制御する制御回路、偏向制御回路15は偏向器6を
制御する制御回路、光学特性制御回路16は、縮小電子光
学系4の光学特性(倍率、歪曲、回転収差、光軸等)を
調整する制御回路である。
ジ9を駆動制御し、かつXYステージ10の位置を検出
するレーザ干渉計LIMと共同してXYステージ10を駆動
制御する制御回路である。
モリ21からのデータに基づいて、上記複数の制御回路を
制御する。制御系20は、インターフェース22を介して電
子ビーム露光装置全体をコントロールするCPU23によっ
て制御されている。
て本実施形態の電子ビーム露光装置の露光動作について
説明する。
タに基づいて、偏向制御回路15に命じ、偏向器6によっ
て、複数の電子ビーム偏向させるとともに、BA制御回路
11に命じ、ウエハ5に露光すべきパターンに応じてブラ
ンカーアレイBAのブランキング電極を個別にon/offさせ
る。この時XYステージ12はy方向に連続移動してお
り、XYステージの移動に複数の電子ビームが追従する
ように、ス偏向器6によって複数の電子ビームを偏向す
る。そして、各電子ビームは、図9に示すようにウエハ
5上の対応する要素露光領域(EF)を走査露光する。各電
子ビームの要素露光領域(EF)は、2次元に隣接するよ
うに設定されているので、その結果、同時に露光される
複数の要素露光領域(EF)で構成されるサブフィールド
(SF)が露光される。
後、次のサブフィールド(SF2)を露光する為に、偏向制
御回路15に命じ、偏向器6によって、ステージ走査方向
(y方向)と直交する方向(x方向)に複数の電子ビー
ムを偏向させる。この時、偏向によってサブフィールド
が変わることにより、各電子ビームが縮小電子光学系4
を介して縮小投影される際の収差も変わる。そこで、制
御系20は、LAU制御回路12、D_STIG制御回路13、及びD
_FOCUS制御回路14に命じ、変化した収差を補正するよう
に、レンズアレイユニットLAU、ダイナミックスティグ
コイル8、およびダイナミックフォーカスコイル7を調
整する。そして、再度、前述したように、各電子ビーム
が対応する要素露光領域(EF)を露光することにより、
サブフィールド2(SF2)を露光する。そして、図9に示
すように、サブフィールド( SF1〜SF6)を順次露光し
てウエハ5にパターンを露光する。その結果、ウエハ5上
において、ステージ走査方向(y方向)と直交する方向
(x方向)に並ぶサブフィールド( SF1〜SF6)で構成
されるメインフィールド(MF)が露光される。
1(MF1)を露光後、偏向制御回路15に命じ、順次、ス
テージ走査方向(y方向)に並ぶメインフィールド( M
F2、MF3、MF4…)に複数の電子ビームを偏向させると共
に露光し、その結果、図9に示すように、メインフィー
ルド( MF2、MF3、MF4…)で構成されるストライプ(ST
RIPE1)を露光する。そして、XYステージ10をx方
向にステップさせ、次のストライプ(STRIPE2)を露光
する。
電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法の実
施例を説明する。
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2(露光制御データ作成)では設計した回路パ
ターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成す
る。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の
材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプ
ロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御デー
タが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディ
ング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を
含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17
(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18
(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削
り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コスト
に製造することができる。
電粒子線の数が増えても、制御系の対象の増加及び配線
の高密度化を低減でき、安定で描画精度の高い露光がで
きるマルチ荷電粒子線描画装置を提供できる。また、こ
の装置を用いてデバイスを製造すれば、従来以上に高精
度なデバイスを製造することができる。
示す図。
作用に関して説明する図。
Claims (13)
- 【請求項1】 複数の荷電粒子線を用いて被露光面を露
光する荷電粒子線露光装置において、 前記複数の荷電粒子線を縮小投影する縮小電子光学系
と、 前記縮小電子光学系の光軸と直交する第1平面内に2次
元に配列された複数の電子光学系から成り、第1の方向
に並ぶ電子光学系は共通の配線で接続されている第1の
電子光学系アレイと、前記光軸と直交する第2平面内に
2次元に配列された複数の電子光学系から成り、前記第
1の方向と直交する第2の方向に並ぶ電子光学系は共通
の配線で接続されている第2の電子光学系アレイとを有
し、各荷電粒子線が対応する前記第1、第2の電子光学
系アレイの電子光学系を介して中間像を形成し、前記中
間像が前記縮小電子光学系を介して前記被露光面に縮小
投影される際に発生する収差を補正するために前記共通
の配線で接続されている複数の電子光学系毎にその光学
特性を設定する補正電子光学系とを有することを特徴と
する荷電粒子線露光装置。 - 【請求項2】 前記収差は像面湾曲であることを特徴と
する請求項1の荷電粒子露光装置。 - 【請求項3】 前記光学特性は、焦点距離であることを
特徴とする請求項1乃至2の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項4】 前記第1、第2の電子光学系アレイのそれ
ぞれは、同一基板上に形成されていることを特徴とする
請求項1乃至3の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項5】 前記補正電子光学系は、さらに、前記光
軸と直交する第3平面内に2次元に配列された複数の電
子光学系を有し、第3の方向に並ぶ電子光学系は共通の
配線で接続されている第3の電子光学系アレイと、前記
光軸と直交する第4平面内に2次元に配列された複数の
電子光学系を有し、前記第3の方向と直交する第4の方
向にに並ぶ電子光学系は共通の配線で接続されている第
4の電子光学系アレイとを有し、前記複数の荷電粒子の
各荷電粒子が対応する前記第1、第2、第3、第4の電
子光学系アレイの電子光学系を介して中間像を形成し、
前記中間像が前記縮小電子光学系を介して前記被露光面
に縮小投影される際に発生する収差を補正するために前
記共通の配線で接続されている複数の電子光学系毎に光
学特性を設定することを特徴とする請求項1の荷電粒子
線露光装置。 - 【請求項6】 前記第1、第2、第3、第4の電子光学系ア
レイのそれぞれは、同一基板上に形成されていることを
特徴とする請求項5の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項7】 前記収差は像面湾曲であることを特徴と
する請求項4乃至5の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項8】 前記光学特性は、焦点距離であることを
特徴とする請求項4乃至6の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項9】 各荷電粒子が対応する前記第1、第2、
第3、第4の電子光学系アレイの電子光学系を介して中
間像を形成する際、該各荷電粒子線は略同一な収斂作用
を受け、該各荷電粒子線が前記縮小電子光学系を介して
前記被露光面に縮小投影される際に発生する像面湾曲に
応じた位置に収斂することを特徴とする請求項4乃至7
の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項10】 荷電粒子線を放射する線源と、該線源
からの荷電粒子源を略平行にする照明電子光学系と、前
記縮小電子光学系の光軸に直交する方向に複数の開口を
有し、前記照明電子光学系から略平行な電子ビームが照
明される開口アレイとを有し、前記複数の荷電粒子線の
各荷電粒子線は、該開口アレイの各開口からの荷電粒子
線であることを特徴とする 請求項1乃至8の荷電粒子
線露光装置。 - 【請求項11】 前記各荷電粒子線を個別に遮断する遮
断手段を有することを特徴とする請求項1乃至9の荷電
粒子線露光装置。 - 【請求項12】 前記遮断手段は、各荷電粒子線を個別
に偏向させる複数の偏向手段を有することを特徴とする
請求項10の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項13】 請求項1乃至11の荷電粒子線露光装
置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイ
ス製造方法。
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