JP4621076B2 - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
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Description
図2は、本実施形態に係る電子ビーム露光装置の構成図である。
一方、制御部200は、電子銃制御部202、電子光学系制御部203、マスク偏向制御部204、マスクステージ制御部205、ブランキング制御部206、基板偏向制御部207、ウェハステージ制御部208及び近接効果補正部1を有する。これらのうち、電子銃制御部202は電子銃101を制御して、電子ビームEBの加速電圧やビーム放射条件等を制御する。また、電子光学系制御部203は、電磁レンズ102、105、108、111、114、116及び121への電流量等を制御して、これらの電磁レンズが構成される電子光学系の倍率や焦点位置等を調節する。ブランキング制御部206は、ブランキング電極127への印加電圧を制御することにより、露光開始前から発生している電子ビームEBを遮蔽板115上に偏向し、露光前に基板W上に電子ビームEBが照射されるのを防ぐ。
図4は、露光データの流れを示す図である。
以下、近接効果の補正の処理について図6のフローチャートを参照して説明する。
以下、式(1)で表した蓄積エネルギー分布関数に基づいて近接効果補正を行う例について説明する。ここでは、図8に示すようにメッシュ領域が2つ(領域81a及び領域81b)の場合を例にとって説明する。例えば、メッシュサイズが1μmで切られており、縦1μm×横2μmの領域にパターンがすべて入っているような場合である。
図10に、本実施形態の近接効果補正を所定のパターンに対して行った結果を示す。ここでは、図10(a)に示すような、領域91、92内にパターン91a〜91c及び92a〜92cが存在する場合を対象とした。
Claims (8)
- 電子ビームが照射される一定の領域をメッシュにより区分けし、各区分けされた領域の面積に対する該区分けされた領域に照射される予定のパターン面積の比率を求めて面積密度マップを作成する面積密度マップ作成手段と、
2次元配列データの積和演算を行う積和演算手段と2次元配列データの加算演算を行う加算手段とを備え前記面積密度マップを参照して電子ビームの露光量を補正する近接効果補正手段とを有し、
前記近接効果補正手段は、前記各メッシュに含まれるパターンの面積密度の2次元配列データを第1のメモリに格納し、Eを蓄積エネルギー、Dを露光量分布、M 1 を蓄積エネルギーEに寄与するエネルギーを示す行列、ηを後方散乱の比率を表す係数、M=(2η/π)M 1 としたとき、前方散乱を無視した式(A)で表される露光量分布と蓄積エネルギーの関係式を式(B)に変形して、式(B)における右辺のDの係数が0に収束するようにし、前記蓄積エネルギーEを前記面積密度とおいて、前記積和演算手段及び加算手段により積和演算及び加算を所定の回数行って、前記式(B)の左辺のDを右辺のDに代入する操作を繰り返し行い、前記面積密度の2次元配列データを線形変換して算出し、近接効果の補正に用いる露光量データの2次元配列データとして第2のメモリに格納することを特徴とする電子ビーム露光装置。
- 前記積和演算手段は、第1の2次元配列データから第2の2次元配列データへの線形変換を行う際に、該第1の2次元配列データの前記各メッシュの周囲のデータに重みをつけて加算することを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。
- 前記周囲のデータにつける重みは、当該周囲の領域が当該メッシュに影響を与える度合いを示すガウス分布の値であることを特徴とする請求項2に記載の電子ビーム露光装置。
- 前記積和演算手段は、各メッシュのx方向に隣接するメッシュのデータとガウス分布の値との畳み込み積分及び各メッシュのy方向に隣接するメッシュのデータとガウス分布の値との畳み込み積分を行うことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。
- 前記積和演算手段において、第1の2次元配列データを入力して得られる第2の2次元配列データの絶対値の最大値は、該第1の2次元配列データの絶対値の最大値より小さくなることを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。
- 前記加算手段は、2つの2次元配列データの各要素にそれぞれ所定の重みをつけて該各要素毎に加算することを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。
- 前記積和演算及び加算はシェーダーによって行うことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。
- 前記近接効果補正手段によって得られる露光量データに基づいて電子ビーム露光を行うことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の電子ビーム露光装置。
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