JP2001153705A - 熱型センサ、フローセンサおよびフローセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フローセンサにおいて、汎用の半導体プロセ
スラインを用いて、センサの製造ができるようにする。 【解決手段】 空洞部１ａを有する半導体基板１の上
に、下層絶縁膜１２が形成され、その上に流体温度検出
体１０、ヒータ３０および流量検出体２０が形成され、
さらにその上に上層絶縁膜１３が形成された構造となっ
ており、上記した流体温度検出体１０、流量検出体２０
およびヒータ３０が、Ｔｉ、Ｗ、Ｔｉを含む化合物、Ｔ
ｉとＴｉを含む化合物の積層体、Ｗを含む化合物、Ｗと
Ｗを含む化合物の積層体のいずれかで形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱型センサ、流体
の流量を検出するフローセンサおよびフローセンサの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】流体の流量を検出するフローセンサとし
て、半導体基板の空洞部上に誘電性の薄膜が形成され、
その上に流体温度検出体、ヒータおよび流量検出体とし
て金属層が設けられた構造のものが提案されている（例
えば、米国特許第４，８８８，９８８号明細書、特開平
８−２７１３０８号公報、特開平１１−２７１１２３号
公報、特開平５−２２６１３号公報等参照）。

【０００３】このフローセンサにおける金属層の材料と
しては、特開平８−２７１３０８号公報に記載されたＰ
ｔ（白金）、あるいは特開平５−２２６１３号公報に記
載されたＮｉ（ニッケル）などが用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、抵抗体
として用いられるＰｔ、Ｎｉは、半導体プロセスとは整
合性が良くなく、その金属層を形成するために専用のプ
ロセスライン（装置）を使用しなければならず、コスト
的に問題が生じる。

【０００５】本発明は、半導体プロセスと整合性が良い
金属抵抗体を用いた熱型センサを提供することを第１の
目的とする。

【０００６】また、本発明は、流体温度検出体、発熱体
および流量検出体を、半導体プロセスと整合性が良い金
属層としたフローセンサおよびその製造方法を提供する
ことを第２の目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るため、請求項１に記載の発明では、空洞部（１ａ）を
有する基板（１）に空洞部（１ａ）上の全面あるいは一
部分に薄膜構造を有し、その薄膜構造内に少なくとも１
つの発熱素子（３０）としての金属抵抗体を有する構造
において、その金属抵抗体は、チタン、タングステンな
どＩＣ、ＬＳＩに代表される半導体プロセスの配線材料
として用いられている金属およびその化合物よりなる熱
型センサを特徴としている。

【０００８】また、上記第２の目的を達成するため、以
下の技術的手段を採用する。

【０００９】請求項２に記載の発明では、フローセンサ
における流体温度検出体（１０）、発熱体（３０）およ
び流量検出体（２０）を、チタンまたはタングステン若
しくはチタン、タングステンを含む化合物で形成したこ
とを特徴としている。

【００１０】チタンまたはタングステン若しくはチタ
ン、タングステンを含む化合物は、半導体プロセスとは
整合性が良い金属層であるため、このような金属層を用
いることにより製造容易なフローセンサとすることがで
きる。

【００１１】また、流体温度検出体（１０）、発熱体
（３０）および流量検出体（２０）としては、請求項３
に記載の発明のように、チタンとチタンを含む化合物の
積層体またはタングステンを含む化合物との積層体で形
成するようにしてもよい。

【００１２】請求項４に記載の発明では、流体温度検出
体（１０）、発熱体（３０）および流量検出体（２０）
と、第１の絶縁膜（１２）および第２の絶縁膜（１３）
のそれぞれの間に、酸素非透過膜（４０、４１）を設け
たことを特徴としている。

【００１３】このように酸素非透過膜（４０、４１）を
設けることによって、流体温度検出体１０、流量検出体
２０およびヒータ３０を構成するチタンまたはタングス
テンの酸化を防止できるため、センサとしての性能を高
く維持することができる。

【００１４】この場合、請求項５に記載の発明のよう
に、酸素非透過膜（４１）を、流体温度検出体（１
０）、発熱体（３０）および流量検出体（２０）のそれ
ぞれを覆うように形成すれば、チタンまたはタングステ
ンの酸化を防止する効果を高めることができる。

【００１５】上記した酸素非透過膜（４０、４１）は、
請求項６に記載の発明のように、窒素を含む化合物を用
いることができる。例えば、請求項７に記載の発明のよ
うな窒化チタン膜あるいは請求項８に記載の発明のよう
な窒化シリコン膜を用いることができる。

【００１６】また、第１の絶縁膜（１２）と第２の絶縁
膜（１３）は、請求項９に記載の発明のように、窒化シ
リコンと酸化シリコンとを組み合わせた膜によりそれぞ
れ形成することができる。

【００１７】上記したフローセンサは、請求項１０ない
し１２に記載の製造方法によって、製造することができ
る。

【００１８】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態にかか
るフローセンサの平面図、図２に、図１中のＡ−Ａ断面
図を示す。この実施形態においては、感熱式のフローセ
ンサ（流量センサ）を、エンジンの吸気流量計に用いた
ものとしている。

【００２０】このフローセンサは、単結晶シリコン等で
形成された半導体基板１の上に、下層絶縁膜（第１の絶
縁膜）１２が形成され、その上に、流体温度検出体１
０、ヒータ（発熱体）３０および流量検出体（測温体）
２０が形成され、さらにその上に、上層絶縁膜（第２の
絶縁膜）１３が形成された構造となっている。

【００２１】下層絶縁膜１２は、シリコン窒化膜よりな
る第１下層絶縁膜１２ａとシリコン酸化膜よりなる第２
下層絶縁膜１２ｂとから構成され、上層絶縁膜１３は、
シリコン酸化膜よりなる第１上層絶縁膜１３ａとシリコ
ン窒化膜よりなる第２上層絶縁膜１３ｂとから構成され
ている。また、流体温度検出体１０、流量検出体２０お
よびヒータ３０は、下層絶縁膜１２と上層絶縁膜１３の
間に配置され、上層絶縁膜１３によって覆われている。

【００２２】半導体基板１には、ヒータ３０と流量検出
体２０が形成された図１の点線で囲む領域において、図
２に示すように、空洞部１ａが形成されている。この空
洞部１ａの形成により、空洞部１ａ上にダイヤフラムの
薄膜構造部が形成され、その薄膜構造部にヒータ３０と
流量検出体２０が配置される。

【００２３】流体温度検出体１０、流量検出体２０およ
びヒータ３０は、吸気流れの順方向（図１中の白抜き矢
印で示す順流方向）に対し、上流側からこの順で配置さ
れている。

【００２４】流体温度検出体１０は、吸気温を検出する
もので、ヒータ３０の熱がその温度検出に影響を及ぼさ
ないようにヒータ３０から十分離隔した位置に配設され
ている。ヒータ３０は、流体温度検出体１０で検出され
た温度より一定温度高い基準温度になるように、図示し
ない制御回路によって制御される。

【００２５】なお、流体温度検出体１０、流量検出体２
０およびヒータ３０は、抵抗体膜であり、チタン（Ｔ
ｉ）またはＴｉを含む化合物により形成されている。ま
た、それらは、ＴｉとＴｉを含む化合物の積層体で形成
されていてもよい。さらに、それらはタングステン
（Ｗ）またはＷを含む化合物若しくはＷとＷを含む化合
物の積層体により形成されていてもよい。

【００２６】また、流体温度検出体１０、流量検出体２
０およびヒータ３０は、それぞれの接続端子３５を介し
て外部回路（上記した制御回路を含む）と電気的に接続
されている。

【００２７】次に、フローセンサの検出原理を説明す
る。

【００２８】ヒータ３０は、流体温度検出体１０で検出
する温度よりも一定温度高い基準温度になるように、制
御回路によってその通電が制御される。すなわち、空気
流によってヒータ３０の温度が基準温度より低下し、ヒ
ータ３０の抵抗値が低下すると、ヒータ３０に電流が流
れ、ヒータ３０の温度が上昇して基準温度に達すると、
ヒータ３０に流れる電流が遮断されるように制御され
る。このようにして、ヒータ３０の温度は、流体温度検
出体１０で検出する温度よりも一定温度高い基準温度に
設定される。

【００２９】図３に、ヒータ３０の温度分布と、流量検
出体２０の検出温度と、基準温度との関係を示す。

【００３０】吸気が順流方向に流れている場合、ヒータ
３０の吸気流れ上流部３０ａは、吸気流れによって吸気
流れ下流部３０ｂよりも冷却される。このため、吸気流
れ上流部３０ａの温度は、基準温度より低下する。吸気
流れ上流部３０ａの温度が低下すると、その抵抗値が低
下するので、ヒータ３０全体の抵抗値が低下する。する
と、低下した抵抗値を上昇させるために、ヒータ３０に
供給される電流値が上昇し、ヒータ３０の吸気流れ下流
部３０ｂの温度が基準温度よりも上昇する。吸気流れ下
流部３０ｂの温度が上昇すると、その抵抗値が上昇する
ので、ヒータ３０全体の抵抗値が上昇する。ヒータ３０
の吸気流れ上流部３０ａは、吸気流れによって冷却され
るので、基準温度を下回ったままである。ヒータ３０の
吸気流れ下流部３０ｂから吸気流れ上流部３０ａに熱が
伝わる電熱長は長く、吸気流れ下流部３０ｂから吸気流
れ上流部３０ａに熱が伝わりにくいので、ヒータ３０の
吸気流れ上流部３０ａの温度は基準温度よりも低く、吸
気流れ下流部３０ｂの温度は基準温度よりも高い状態が
保持される。

【００３１】流量検出体２０は、ヒータ３０の吸気流れ
上流部３０ａ近傍に配置されているので、流量検出体２
０によって検出される温度は、ヒータ３０の吸気流れ上
流部３０ａとほぼ等しい温度になる。つまり。流量検出
体２０の検出温度は、吸気流れが順方向のとき基準温度
よりも低くなり、逆方向のとき基準温度よりも高くな
る。また、流量検出体２０の検出温度と基準温度との差
が大きくなるほど、吸気流れ方向に関わらず吸気流量が
多いことを表す。図４に、吸気流れ方向および吸気流量
に対する流量検出体の検出温度の変化を示す。

【００３２】このように、流量検出体２０の温度は、吸
気流量および吸気流れ方向によって変化する。流量検出
体２０の温度が変化すると、その抵抗値が変化するた
め、図示しない検出回路で流量検出体２０の抵抗値の変
化を検出することにより、吸気流量および吸気流れ方向
を検出することができる。

【００３３】なお、基準温度は、流体温度検出体１０の
検出温度、つまり吸気温度により変動するので、図４に
示す流量検出体２０の検出温度の変化を示すグラフも吸
気温により変動する。制御回路は、流体温度検出体１０
の検出温度に基づき、ヒータ３０の温度を制御するよう
になっているため、吸気温が変動しても吸気流れの方向
と吸気流量とを測定することができる。

【００３４】次に、上記したフローセンサの製造方法に
ついて、図５に示す工程図を参照して順に説明する。 ［図５（ａ）の工程］半導体基板１として単結晶のシリ
コン基板を用い、半導体基板１の一面側にＳｉ₃Ｎ₄膜１
２ａとＳｉＯ₂膜１２ｂとを組み合わせた２層ＳｉＮ／
ＳｉＯ₂により下層絶縁膜１２を形成する。このように
２層膜を用いたのは、圧縮応力膜と引っ張り応力膜を組
み合わせて下部膜に生じる応力を緩和させているためで
ある。

【００３５】続いて、流体温度検出体１０、流量検出体
２０およびヒータ３０となるＴｉ膜またはＷ膜（抵抗体
膜）を真空蒸着、スパッタ等により、２０００Å堆積さ
せる。堆積後、ＲＩＥ、イオンミリング等によるエッチ
ングにてパターニングを行い、流体温度検出体１０、流
量検出体２０およびヒータ３０を形成する。 ［図５（ｂ）の工程］下層絶縁膜１２と同様に、Ｓｉ₃
Ｎ₄膜とＳｉＯ₂膜とを組み合わせた２層ＳｉＯ₂／ＳＩ
Ｎにより上層絶縁膜１３を形成する。ここで、流体温度
検出体１０、流量検出体２０およびヒータ３０を膜構造
のほぼ中心に配置し、その上下に上層絶縁膜１３および
下層絶縁膜１２を対称に配置することで、温度変化して
も反り変動が生じず、熱ストレスに対して強い構造が形
成できる。

【００３６】なお、上層絶縁膜１３および下層絶縁膜１
２としては、ダイヤフラムを半導体基板１上に橋架する
ための構造体となり、抵抗体膜の保護膜として作用する
ものであれば、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、ＭｇＯ
膜などの単一膜あるいは多層膜を用いることもできる。

【００３７】そして、上層絶縁膜１３を堆積させた後、
上層絶縁膜１３を部分的にエッチングして開口部を形成
し、全面にＡｌ（アルミ）を蒸着した後、エッチングし
て開口部に接続端子３５を形成する。 ［図５（ｃ）の工程］ＴＭＡＨ溶液等により、裏面から
下層絶縁膜１２との境界面まで異方性エッチングを行
い、空洞部１ａを形成する。なお、そのエッチングは、
ＴＭＡＨ溶液による異方性エッチングに限らず、空洞部
１ａが形成できればＫＯＨ溶液等を用いてもよい。

【００３８】このようにして、図１、図２に示すフロー
センサを製造することができる。

【００３９】上記した実施形態によれば、流体温度検出
体１０、流量検出体２０およびヒータ３０をＴｉまたは
Ｗにより形成しているから、従来のようなＰｔ、Ｎｉな
どで形成したものと比べ、半導体プロセスと整合させる
ことができ、汎用なプロセスライン（装置）を使用する
ことができるため、センサを安価に製造することができ
る。

【００４０】なお、上記した製造方法において、流体温
度検出体１０、流量検出体２０およびヒータ３０を、Ｔ
ｉを含む化合物、ＴｉとＴｉを含む化合物の積層体、Ｗ
を含む化合物、ＷとＷを含む化合物の積層体のいずれか
で形成するようにしてもよい。 （第２実施形態）図６に、本発明の第２実施形態にかか
るフローセンサの断面図、図７に図６中の丸で示した部
分の拡大図を示す。

【００４１】この実施形態においては、図７に示すよう
に、流体温度検出体１０、流量検出体２０およびヒータ
３０の上下に、流体温度検出体１０、流量検出体２０お
よびヒータ３０に酸素が拡散するのを防止する層、すな
わち酸素非透過膜（例えば、窒素を含む化合物、具体的
には窒化チタン膜あるいは窒化シリコン膜）４０が、そ
れぞれ設けられている。

【００４２】また、第２下層絶縁膜１２ｂおよび第１上
層絶縁膜１３ａは、酸素の拡散を防止することができる
ように窒化シリコン膜等の膜を用いている。

【００４３】このように、流体温度検出体１０、流量検
出体２０およびヒータ３０の上下に酸素非透過膜４０を
それぞれ設け、さらに第２下層絶縁膜１２ｂおよび第１
上層絶縁膜１３ａとして窒化シリコン膜を用いることに
より、ＴｉまたはＷよりなる流体温度検出体１０、流量
検出体２０およびヒータ３０に酸素が拡散するのを防止
することができる。このことにより、流体温度検出体１
０、流量検出体２０およびヒータ３０のＴｉまたはＷが
酸化するのが防止されるため、センサとしての性能を高
く維持することができる。

【００４４】この第２実施形態におけるフローセンサ
は、以下のようにして製造することができる。

【００４５】まず、半導体基板１上に下層絶縁膜１２を
形成する。そして、この下層絶縁膜１２上に第１の酸素
非透過膜４０ａ形成し、第１の酸素非透過膜４０ａに、
流体温度検出体１０、流量検出体２０およびヒータ３０
となるＴｉまたはＷの抵抗体膜を形成する。続いて、抵
抗体膜上に第２の酸素非透過膜４０ｂを形成した後、第
１の酸素非透過膜４０ａ、抵抗体膜および第２の酸素非
透過膜４０ｂを共にパターニングし、パターニングされ
た抵抗膜により流体温度検出体１０、流量検出体２０お
よびヒータ３０を形成する。この後、上層絶縁膜１３を
形成し、所定の工程を経た後、空洞部１ａを第１実施形
態と同様にして形成する。

【００４６】なお、下層絶縁膜１２、上層絶縁膜１３
は、第１実施形態と同様の２層構造とし、第１、第２の
酸素非透過膜４０ａ、４０ｂとしては、窒化チタン膜あ
るいは窒化シリコン膜を用いる。 （第３実施形態）上記した第２実施形態では、流体温度
検出体１０、流量検出体２０およびヒータ３０の上下に
酸素非透過膜４０をそれぞれ設けるものを示したが、図
８に示すように、流体温度検出体１０、流量検出体２０
およびヒータ３０の周り全体を酸素非透過膜４１で覆う
ようにしてもよい。

【００４７】このようにすれば、一層効果的に、流体温
度検出体１０、流量検出体２０およびヒータ３０への酸
素の拡散を防止することができる。

【００４８】この第３実施形態におけるフローセンサ
は、以下のようにして製造することができる。

【００４９】まず、半導体基板１上に下層絶縁膜１２を
形成する。そして、この下層絶縁膜１２上に第１の酸素
非透過膜４１ａを形成し、第１の酸素非透過膜４１ａ上
に、流体温度検出体１０、流量検出体２０およびヒータ
３０となるＴｉまたはＷの抵抗体膜を形成した後、抵抗
体膜をパターニングして流体温度検出体１０、流量検出
体２０およびヒータ３０の形状とする。続いて、第２の
酸素非透過膜４１ｂを形成した後、第１の酸素非透過膜
４１ａと第２の酸素非透過膜４１ｂを共にパターニング
する。この後、上層絶縁膜１３を形成し、所定の工程を
経た後、空洞部１ａを第１実施形態と同様にして形成す
る。

【００５０】なお、下層絶縁膜１２、上層絶縁膜１３
は、第１実施形態と同様の２層構造とし、第１、第２の
酸素非透過膜４１ａ、４１ｂとしては、窒化チタン膜あ
るいは窒化シリコン膜を用いる。

【００５１】上記した第２、第３実施形態において、流
体温度検出体１０、流量検出体２０およびヒータ３０と
しては、ＴｉまたはＷ以外に、Ｔｉを含む化合物、Ｔｉ
とＴｉを含む化合物の積層体、Ｗを含む化合物、ＷとＷ
を含む化合物の積層体のいずれかで形成されたものであ
ってもよい。

【００５２】また、上記した第１乃至第３実施形態にお
いては、空洞部１ａを半導体基板１の裏面側に形成し
て、空洞部１ａ上にダイヤフラムの薄膜構造部を設ける
ものを示したが、半導体基板１の表面側において、ヒー
タ３０と流量検出体２０が形成された領域に空洞部を形
成し、その空洞部上の薄膜構造部により半導体基板１を
橋架するような構造としてもよい。

【００５３】また、流量検出体２０は、ヒータ３０の片
側に設けるものに限らず、ヒータ３０の両側に設けるも
のであってもよい。この場合、その両側の流量検出体２
０の温度差に基づいて流量が検出される。

【００５４】なお、本発明は、空洞部１ａを有する基板
１に空洞部１ａ上の全面あるいは一部分に薄膜構造を有
し、その薄膜構造内に少なくとも１つの発熱素子３０と
しての金属抵抗体を有する構造のものであれば、上記し
たフローセンサ以外の熱型センサにも広く適用でき、そ
の際に、金属抵抗体として、チタン、タングステンなど
ＩＣ、ＬＳＩに代表される半導体プロセスの配線材料と
して用いられている金属およびその化合物よりなるもの
を用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態にかかるフローセンサの
平面図である。

【図２】図１中のＡ−Ａ断面図である。

【図３】ヒータ３０の温度分布と、流量検出体２０の検
出温度と、基準温度との関係を示す図である。

【図４】吸気流れ方向および吸気流量に対する流量検出
体の検出温度の変化を示す図である。

【図５】本発明の第１実施形態にかかるフローセンサの
製造方法を示す工程図である。

【図６】本発明の第２実施形態にかかるフローセンサの
断面図である。

【図７】図６中の丸で示した部分の拡大図である。

【図８】本発明の第３実施形態にかかるフローセンサの
断面図である。

【符号の説明】

１…半導体基板、１ａ…空洞、１２…下層絶縁膜、１２
ａ…第１下層絶縁膜、１２ｂ…第２下層絶縁膜、１３…
上層絶縁膜、１３ａ…第１上層絶縁膜、１３ｂ…第２上
層絶縁膜、１０…流体温度検出体、２０…流量検出体、
３０…ヒータ、４０、４１…酸素非透過膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大原 淳士 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 2F035 EA08 4M112 AA10 BA01 CA02 CA07 CA13 CA14 DA03 DA04 DA08 DA09 EA03 EA06 EA07 EA11

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 空洞部（１ａ）を有する基板（１）に前
   記空洞部（１ａ）上の全面あるいは一部分に薄膜構造を
   有し、その薄膜構造内に少なくとも１つの発熱素子（３
   ０）としての金属抵抗体を有する構造において、その金
   属抵抗体は、チタン、タングステンなどＩＣ、ＬＳＩに
   代表される半導体プロセスの配線材料として用いられて
   いる金属およびその化合物よりなることを特徴とする熱
   型センサ。
2. 【請求項２】 半導体基板（１）上に流体温度検出体
   （１０）、発熱体（３０）および流量検出体（２０）が
   形成され、前記流体温度検出体（１０）で検出した温度
   に基づいて前記発熱体（３０）の温度を基準温度に設定
   し、このときの前記流量検出体（２０）の抵抗値に基づ
   いて流体の流量を検出するようにしたフローセンサにお
   いて、 前記流体温度検出体（１０）、発熱体（３０）および流
   量検出体（２０）が、チタンまたはタングステン若しく
   はチタン、タングステンを含む化合物で形成されている
   ことを特徴とするフローセンサ。
3. 【請求項３】 前記流体温度検出体（１０）、前記発熱
   体（３０）および前記流量検出体（２０）が、チタンと
   チタンを含む化合物の積層体またはタングステンを含む
   化合物との積層体で形成されていることを特徴とする請
   求項２に記載のフローセンサ。
4. 【請求項４】 前記流体温度検出体（１０）、前記発熱
   体（３０）および前記流量検出体（２０）は、第１の絶
   縁膜（１２）と第２の絶縁膜（１３）の間に配置されて
   おり、前記流体温度検出体（１０）、前記発熱体（３
   ０）および前記流量検出体（２０）と、前記第１の絶縁
   膜（１２）および前記第２の絶縁膜（１３）のそれぞれ
   の間に、酸素非透過膜（４０、４１）が設けられている
   ことを特徴とする請求項２または３に記載のフローセン
   サ。
5. 【請求項５】 前記酸素非透過膜（４１）は、前記流体
   温度検出体（１０）、前記発熱体（３０）および前記流
   量検出体（２０）のそれぞれを覆うように形成されてい
   ることを特徴とする請求項４に記載のフローセンサ。
6. 【請求項６】 前記酸素非透過膜（４０、４１）は、窒
   素を含む化合物で形成されていることを特徴とする請求
   項４または５に記載のフローセンサ。
7. 【請求項７】 前記酸素非透過膜（４０、４１）は、窒
   化チタン膜よりなることを特徴とする請求項６に記載の
   フローセンサ。
8. 【請求項８】 前記酸素非透過膜（４０、４１）は、窒
   化シリコン膜よりなることを特徴とする請求項６に記載
   のフローセンサ。
9. 【請求項９】 前記第１の絶縁膜（１２）と前記第２の
   絶縁膜（１３）は、窒化シリコンと酸化シリコンとを組
   み合わせた膜によりそれぞれ形成されていることを特徴
   とする請求項４ないし８のいずれか１つに記載のフロー
   センサ。
10. 【請求項１０】 半導体基板（１）の一面側に第１の絶
    縁膜（１２）を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜（１２）の上に、流体温度検出体（１
    ０）、発熱体（３０）および流量検出体（２０）を、チ
    タンまたはタングステン若しくはチタン、タングステン
    を含む化合物で形成する工程と、 前記第１の絶縁膜（１２）、前記流体温度検出体（１
    ０）、前記発熱体（３０）および前記流量検出体（２
    ０）の上に、第２の絶縁膜（１３）を形成する工程とを
    有することを特徴とするフローセンサの製造方法。
11. 【請求項１１】 半導体基板（１）の一面側に第１の絶
    縁膜（１２）を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜（１２）の上に第１の酸素非透過膜
    （４０ａ）を形成する工程と、 前記第１の酸素非透過膜（４０ａ）の上に抵抗体膜を形
    成する工程と、 前記抵抗体膜の上に第２の酸素非透過膜（４０ｂ）を形
    成した後、前記第１の酸素非透過膜（４０ａ）、前記抵
    抗体膜および前記第２の酸素非透過膜（４０ｂ）を共に
    パターニングし、このパターニングされた前記抵抗膜に
    より流体温度検出体（１０）、発熱体（３０）および流
    量検出体（２０）を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜（１２）、前記流体温度検出体（１
    ０）、前記発熱体（３０）および前記流量検出体（２
    ０）の上に、第２の絶縁膜（１３）を形成する工程とを
    有することを特徴としたフローセンサの製造方法。
12. 【請求項１２】 半導体基板（１）の一面側に第１の絶
    縁膜（１２）を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜（１２）の上に第１の酸素非透過膜
    （４１ａ）を形成する工程と、 前記第１の酸素非透過膜（４１ａ）の上に、流体温度検
    出体（１０）、発熱体（３０）および流量検出体（２
    ０）を形成する工程と、 第２の酸素非透過膜（４１ｂ）を形成した後、前記第１
    の酸素非透過膜（４１ａ）と前記第２の酸素非透過膜
    （４１ｂ）を共にパターニングして、前記第１の酸素非
    透過膜（４１ａ）と第２の酸素非透過膜（４１ｂ）によ
    り前記流体温度検出体（１０）、前記発熱体（３０）お
    よび前記流量検出体（２０）を覆った状態にする工程
    と、 前記第１の絶縁膜（１２）、前記流体温度検出体（１
    ０）、前記発熱体（３０）および前記流量検出体（２
    ０）の上に、第２の絶縁膜（１３）を形成する工程とを
    有することを特徴としたフローセンサの製造方法。