JP2010133897A - 熱式流体流量センサおよびその製造方法 - Google Patents
熱式流体流量センサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010133897A JP2010133897A JP2008312359A JP2008312359A JP2010133897A JP 2010133897 A JP2010133897 A JP 2010133897A JP 2008312359 A JP2008312359 A JP 2008312359A JP 2008312359 A JP2008312359 A JP 2008312359A JP 2010133897 A JP2010133897 A JP 2010133897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- fluid flow
- flow sensor
- thermal fluid
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 82
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 35
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims description 9
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 abstract description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 284
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 56
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0067—Mechanical properties
- B81B3/0072—For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
- G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
- G01F1/692—Thin-film arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/696—Circuits therefor, e.g. constant-current flow meters
- G01F1/698—Feedback or rebalancing circuits, e.g. self heated constant temperature flowmeters
- G01F1/699—Feedback or rebalancing circuits, e.g. self heated constant temperature flowmeters by control of a separate heating or cooling element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F5/00—Measuring a proportion of the volume flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0292—Sensors not provided for in B81B2201/0207 - B81B2201/0285
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49083—Heater type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Abstract
【解決手段】発熱抵抗体3、発熱抵抗体用測温抵抗体4、上流側測温抵抗体5A、5Bおよび下流側測温抵抗体5C、5Dの下層の絶縁膜について、圧縮応力を有する膜(第1の絶縁膜14、第3の絶縁膜16および第5の絶縁膜18)と引っ張り応力を有する膜(第2の絶縁膜15および第4の絶縁膜17)とが交互に配置され、かつ引っ張り応力を有する膜が2層以上配置された構成とする。
【選択図】図7
Description
ダイヤフラム構造体内に設けられた発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体と隣り合って設けられた測温抵抗体とを有する、空気流量を計測する熱式流体流量センサであって、
前記発熱抵抗体および前記測温抵抗体の上層および下層に、引っ張り応力を有する第1の膜と圧縮応力を有する第2の膜とが積層された絶縁膜を有し、
少なくとも前記測温抵抗体より下層の前記絶縁膜は、前記第1の膜と前記第2の膜が交互に形成され、かつ前記第1の膜を2層以上有しているものである。
本実施の形態1による熱式流体流量センサの要部平面図の一例を図1に示す。
本実施の形態2では、ウエハ(半導体基板2)上に成膜した膜が有する残留応力によるウエハの反りの防止を考慮したものである。
2 半導体基板
3 発熱抵抗体
4 発熱抵抗体用測温抵抗体
5A、5B 上流側測温抵抗体
5C、5D 下流側測温抵抗体
6 空気温度測温抵抗体
7、8 ヒータ温度制御用抵抗体
9A〜9I 端子電極
10A、10B、10C1、10C2、10D、10E、10F、10G、10H1、10H2、10I1、10I2 引き出し配線
11 開口部
12 ダイヤフラム構造
13 空気の流れ
14 第1の絶縁膜(第2の膜)
15 第2の絶縁膜(第1の膜)
16 第3の絶縁膜(第2の膜)
17 第4の絶縁膜(第1の膜)
18 第5の絶縁膜(第2の膜)
19 第1の金属膜
20 第6の絶縁膜(第2の膜)
21 第7の絶縁膜(第1の膜)
22 第8の絶縁膜(第2の膜)
23 接続孔
24 第2の金属膜
25 保護膜
26 熱式空気流量計
27、27A、27B 支持体
28 外部回路
29 空気通路
30 副通路
31 端子電極
32 金線
33 電源
34 トランジスタ
35 制御回路
36 メモリ回路
Claims (14)
- ダイヤフラム構造体内に設けられた発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体と隣り合って設けられた測温抵抗体とを有する、空気流量を計測する熱式流体流量センサであって、
前記発熱抵抗体および前記測温抵抗体の上層および下層に、引っ張り応力を有する第1の膜と圧縮応力を有する第2の膜とが積層された絶縁膜を有し、
少なくとも前記測温抵抗体より下層の前記絶縁膜は、前記第1の膜と前記第2の膜が交互に形成され、かつ前記第1の膜を2層以上有していることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記第1の膜は、室温における残留応力が700MPa以上の引っ張り応力を有する窒化シリコン膜または窒化アルミニウム膜であることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記第2の膜は、室温における残留応力が300MPa以下の圧縮応力を持つ酸化シリコン膜またはTEOSを原料としてプラズマCVD法で形成した酸化シリコンを主成分とする膜であることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体より下層の前記絶縁膜は、前記第1の膜2層と前記第2の膜3層とが交互に形成された5層構造を有し、前記発熱抵抗体より下層の前記絶縁膜全体の室温における残留応力が引っ張り応力であることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記測温抵抗体の配線ピッチは、20μm以下であることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項5記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記測温抵抗体の配線ピッチは、6μm以下であることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体および前記測温抵抗体より上層の前記絶縁膜は、吸湿防止用窒化シリコン膜を有していることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体より下層の前記絶縁膜に含まれる窒化シリコン膜の層数は、前記発熱抵抗体より上層の前記絶縁膜に含まれる窒化シリコン膜の層数より多いことを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体より下層の前記絶縁膜と前記発熱抵抗体より上層の前記絶縁膜では、構成する膜が非対称であることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記ダイヤフラム構造体は、前記発熱抵抗体の上層および下層に積層した前記絶縁膜で構成されており、前記発熱抵抗体の上層および下層を合わせた前記絶縁膜の総膜厚は1.5μm以上であることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
前記発熱抵抗体および前記測温抵抗体は、金属膜、金属窒化化合物、金属シリサイド化合物、ポリシリコンまたはドープシリコンからなり、
前記金属膜は、モリブデン、アルファタンタル、チタン、タングステン、コバルト、ニッケル、鉄、ニオブ、ハフニウム、クロム、ジルコニウム、白金、またはベータタンタルのうちのいずれかを主成分とし、
前記金属窒化化合物は、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンまたは窒化チタンのうちのいずれかであり、
前記金属シリサイド化合物は、タングステンシリサイド、モリブデンシリサイド、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドのうちのいずれかであり、
前記ドープシリコンは、リンまたはホウ素がドープされていることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - 請求項1記載の熱式流体流量センサにおいて、
平面で前記第1の膜の外周は、少なくともダイヤフラム内の微細配線部を覆う領域であり、前記ダイヤフラム構造体の外周より10μm以上内側となっていることを特徴とする熱式流体流量センサ。 - ダイヤフラム構造体内に設けられた発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体と隣り合って設けられた測温抵抗体とを有する、空気流量を計測する熱式流体流量センサの製造方法であって、
(a)半導体基板上に引っ張り応力を有する第1の膜と圧縮応力を有する第2の膜とを積層する工程、
(b)前記第1の膜をパターニングする工程、
(c)前記(b)工程後、前記第1の膜および前記第2の膜上に前記発熱抵抗体と前記測温抵抗体とを形成する工程、
(d)前記発熱抵抗体と前記測温抵抗体の存在下で、前記半導体基板上に前記(a)工程とは異なる引っ張り応力を有する前記第1の膜と圧縮応力を有する前記第2の膜とを積層する工程、
を含み、
前記(b)工程では、平面で前記第1の膜の外周が前記ダイヤフラム構造体の外周より内側となるようにパターニングすることを特徴とする熱式流体流量センサの製造方法。 - 請求項13記載の熱式流体流量センサの製造方法において、
平面で前記第1の膜の外周は、前記ダイヤフラム構造体の外周より10μm以上内側とすることを特徴とする熱式流体流量センサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008312359A JP5276964B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 |
EP09015011.1A EP2204346B1 (en) | 2008-12-08 | 2009-12-03 | Thermal fluid flow sensor and method of manufacturing the same |
CN200910253536.3A CN101750123B (zh) | 2008-12-08 | 2009-12-08 | 热式流体流量传感器及其制造方法 |
CN201210209399.5A CN102735298B (zh) | 2008-12-08 | 2009-12-08 | 热式流体流量传感器 |
US12/633,142 US8429964B2 (en) | 2008-12-08 | 2009-12-08 | Thermal fluid flow sensor having stacked insulating films above and below heater and temperature-measuring resistive elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008312359A JP5276964B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010133897A true JP2010133897A (ja) | 2010-06-17 |
JP2010133897A5 JP2010133897A5 (ja) | 2011-10-27 |
JP5276964B2 JP5276964B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=42084618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008312359A Active JP5276964B2 (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8429964B2 (ja) |
EP (1) | EP2204346B1 (ja) |
JP (1) | JP5276964B2 (ja) |
CN (2) | CN101750123B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8468883B2 (en) | 2009-11-06 | 2013-06-25 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal type flow sensor having a humidity detection portion and an air flow detecting portion |
WO2013136856A1 (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 |
WO2014021034A1 (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
US8714008B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-05-06 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal fluid flow sensor and method of manufacturing the same |
WO2015166770A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
JP2016070765A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体センサの製造方法 |
US9766106B2 (en) | 2011-11-28 | 2017-09-19 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal air flow sensor |
US9970802B2 (en) | 2013-11-20 | 2018-05-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermal-type flow-rate sensor |
JP2020091191A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式センサおよびその製造方法並びに半導体装置 |
JP2020193862A (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式センサ、及び内燃機関用湿度検出装置 |
DE112020001589T5 (de) | 2019-06-17 | 2021-12-30 | Hitachi Astemo, Ltd. | Wärmesensorvorrichtung |
JP2023516429A (ja) * | 2020-03-06 | 2023-04-19 | レイセオン カンパニー | 窒化アルミニウム撓み防止層を有する半導体デバイス |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5542505B2 (ja) * | 2010-04-01 | 2014-07-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量センサ |
JP5372976B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2013-12-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量センサ |
DE102011004782A1 (de) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Harting Kgaa | Ablösbare Mikro- und Nanobauteile für platzsparenden Einsatz |
US9746361B2 (en) | 2012-04-11 | 2017-08-29 | University Of Virginia Patent Foundation | Gaseous flow sensor and related method thereof |
DE112012006391B4 (de) * | 2012-06-15 | 2022-04-28 | Hitachi Astemo, Ltd. | Durchflusssensoren und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP5675716B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2015-02-25 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
CN103151253B (zh) * | 2013-02-22 | 2015-07-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 |
GB201410317D0 (en) * | 2014-06-10 | 2014-07-23 | Spts Technologies Ltd | Substrate |
JP6438706B2 (ja) * | 2014-08-22 | 2018-12-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | センサ装置 |
JP6283427B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-02-21 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量センサ |
JP6295209B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2018-03-14 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサ |
JP6300773B2 (ja) * | 2015-10-23 | 2018-03-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
DE102016206549A1 (de) * | 2016-04-19 | 2017-10-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement für thermische Anemometrie |
CN106898829B (zh) * | 2017-03-02 | 2023-11-21 | 华霆(合肥)动力技术有限公司 | 电池***失稳检测设备及方法 |
DE102017112611A1 (de) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | Heraeus Noblelight Gmbh | Infrarotstrahler und Verfahren für dessen Herstellung |
CN108328570A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-27 | 北京航天控制仪器研究所 | 一种带有薄膜背腔结构的mems芯片裂片方法及支撑工装 |
JP6661678B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2020-03-11 | 三菱電機株式会社 | 熱式検出センサ |
JP7112001B2 (ja) * | 2020-10-15 | 2022-08-03 | ダイキン工業株式会社 | 熱式流速・流量センサ、及び空気調和機 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001141540A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-25 | Robert Bosch Gmbh | 質量流量センサー |
WO2003052355A1 (fr) * | 2001-12-14 | 2003-06-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Debitmetre |
JP2003279394A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Hitachi Ltd | ガス流量計及びその製造方法 |
JP2006242941A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | マイクロヒータ及びセンサ |
JP2007309914A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-29 | Denso Corp | 物理量センサの製造方法 |
JP2008170382A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Hitachi Ltd | 熱式流体流量センサ及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19744228C1 (de) | 1997-10-07 | 1998-11-26 | Bosch Gmbh Robert | Sensor mit einer Membran |
JP3867393B2 (ja) | 1998-03-20 | 2007-01-10 | 株式会社デンソー | マイクロヒータおよびその製造方法ならびにエアフローセンサ |
JPH11295127A (ja) | 1998-04-06 | 1999-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 流量検出素子及び流量センサ並びに流量検出素子の製造方法 |
JP3468731B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2003-11-17 | 株式会社日立製作所 | 熱式空気流量センサ、素子および内燃機関制御装置 |
JP2002131106A (ja) | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Hitachi Ltd | マイクロヒータならびに熱式空気流量計 |
JP3678180B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2005-08-03 | 株式会社デンソー | フローセンサ |
US7360416B2 (en) * | 2005-07-07 | 2008-04-22 | Ricoh Company, Ltd. | Non-contact condensation detecting apparatus |
JP4966526B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2012-07-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 流量センサ |
JP5202007B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-06-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサ |
JP5406674B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2014-02-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-08 JP JP2008312359A patent/JP5276964B2/ja active Active
-
2009
- 2009-12-03 EP EP09015011.1A patent/EP2204346B1/en active Active
- 2009-12-08 US US12/633,142 patent/US8429964B2/en active Active
- 2009-12-08 CN CN200910253536.3A patent/CN101750123B/zh active Active
- 2009-12-08 CN CN201210209399.5A patent/CN102735298B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001141540A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-25 | Robert Bosch Gmbh | 質量流量センサー |
WO2003052355A1 (fr) * | 2001-12-14 | 2003-06-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Debitmetre |
JP2003279394A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Hitachi Ltd | ガス流量計及びその製造方法 |
JP2006242941A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | マイクロヒータ及びセンサ |
JP2007309914A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-29 | Denso Corp | 物理量センサの製造方法 |
JP2008170382A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Hitachi Ltd | 熱式流体流量センサ及びその製造方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8468883B2 (en) | 2009-11-06 | 2013-06-25 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal type flow sensor having a humidity detection portion and an air flow detecting portion |
US8714008B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-05-06 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal fluid flow sensor and method of manufacturing the same |
US9379302B2 (en) | 2011-03-25 | 2016-06-28 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Method of manufacturing the thermal fluid flow sensor |
DE112011105883B4 (de) * | 2011-11-28 | 2021-01-28 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermischer Luftmengenmesser |
US9766106B2 (en) | 2011-11-28 | 2017-09-19 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal air flow sensor |
WO2013136856A1 (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 |
JP2013190320A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 |
WO2014021034A1 (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
JP2014032014A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 熱式空気流量センサ |
US9719824B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-08-01 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal air flow sensor |
US9970802B2 (en) | 2013-11-20 | 2018-05-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermal-type flow-rate sensor |
WO2015166770A1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
JP2015210201A (ja) * | 2014-04-28 | 2015-11-24 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式空気流量センサ |
JP2016070765A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体センサの製造方法 |
JP2020091191A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式センサおよびその製造方法並びに半導体装置 |
JP6990165B2 (ja) | 2018-12-05 | 2022-01-12 | 日立Astemo株式会社 | 熱式センサおよびその製造方法並びに半導体装置 |
JP2020193862A (ja) * | 2019-05-28 | 2020-12-03 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式センサ、及び内燃機関用湿度検出装置 |
JP7163247B2 (ja) | 2019-05-28 | 2022-10-31 | 日立Astemo株式会社 | 熱式センサ、及び内燃機関用湿度検出装置 |
DE112020001589T5 (de) | 2019-06-17 | 2021-12-30 | Hitachi Astemo, Ltd. | Wärmesensorvorrichtung |
US11982555B2 (en) | 2019-06-17 | 2024-05-14 | Hitachi Astemo, Ltd. | Thermal sensor device |
JP2023516429A (ja) * | 2020-03-06 | 2023-04-19 | レイセオン カンパニー | 窒化アルミニウム撓み防止層を有する半導体デバイス |
JP7479493B2 (ja) | 2020-03-06 | 2024-05-08 | レイセオン カンパニー | 窒化アルミニウム撓み防止層を有する半導体デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5276964B2 (ja) | 2013-08-28 |
US8429964B2 (en) | 2013-04-30 |
CN102735298B (zh) | 2015-07-15 |
EP2204346B1 (en) | 2017-03-15 |
CN101750123B (zh) | 2012-08-15 |
EP2204346A1 (en) | 2010-07-07 |
US20100139391A1 (en) | 2010-06-10 |
CN102735298A (zh) | 2012-10-17 |
CN101750123A (zh) | 2010-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5276964B2 (ja) | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 | |
JP5406674B2 (ja) | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 | |
JP5202007B2 (ja) | 熱式流体流量センサ | |
US7673508B2 (en) | Thermal type fluid flow sensor | |
JP5526065B2 (ja) | 熱式センサおよびその製造方法 | |
US7404320B2 (en) | Flow sensor using a heat element and a resistance temperature detector formed of a metal film | |
WO2012014956A1 (ja) | 熱式流量計 | |
JP5753807B2 (ja) | 熱式流体流量センサおよびその製造方法 | |
JP5492834B2 (ja) | 熱式流量計 | |
JP4258084B2 (ja) | フローセンサおよびその製造方法 | |
JP6421071B2 (ja) | 流量センサ | |
JP5108158B2 (ja) | 流量センサ | |
JP2004294207A (ja) | センサ装置 | |
JP3971920B2 (ja) | 流れ特性測定用素子及びその製造方法 | |
JP5184592B2 (ja) | 流量センサ | |
JP2016070765A (ja) | 熱式流体センサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110913 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5276964 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |