JP2010107497A - 流量センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発熱体81に接続された各配線パターン81aは、それぞれメンブレン33の一の端縁33dに引き出されている。また、各温度検出体83に接続された各配線パターン83aは、それぞれ反対側の他の端縁33cに引き出されている。これにより、発熱体81と各配線パターン83aとの間隔と、各配線パターン81aおよび各配線パターン83a間の間隔とを大きくすることができる。したがって、発熱体81の熱絶縁性を高くすることができるため、流体流量の検出感度を高くすることができる。
【選択図】 図3
Description
メンブレン100の表面には、発熱体90と、温度検出体91,92と、発熱体90から引き出された配線パターン90aと、温度検出体91,92からそれぞれ引き出された配線パターン91a,92aとが配置されている。配線パターン90a,91a,92aは、それぞれメンブレン100の一方の端部101に引き出されている。
したがって、従来の流量センサは、発熱体90から発生した熱が逃げやすいため、流体流量の検出感度を高めにくいという問題がある。
したがって、発熱体から発生した熱を逃げにくくすることができるため、流体流量の検出感度を高めることができる。
また、発熱体、温度検出体、第1の配線および第2の配線をそれぞれ半導体層から形成することにより、伝熱性が高くなる。
したがって、流体流量の検出感度を高めることができる。
また、発熱体の発生する熱がより一層逃げにくくなる結果、発熱体の発熱量が従来よりも少なくて済むため、流量センサの消費電力を低減することもできた。
この実施形態では、流量センサ30は、SOI基板を用いて製造される。図2に示すように、流量センサ30は、シリコン基板40と、シリコン基板40の表面に形成されたシリコン酸化膜50と、シリコン酸化膜50の表面に形成された単結晶シリコン層から形成された配線パターン80と、配線パターン80を覆うシリコン酸化膜60と、シリコン酸化膜60の表面に形成されたシリコン窒化膜70とを備える。
つまり、第1の配線および第2の配線は、メンブレン33の表面にて気体の流れる方向F1に対して略直角に、かつ、互いに反対の方向へ引き出されてなる。
また、各配線パターン81aおよび各配線パターン83a間の間隔を大きくすることができるため、発熱体81から発生した熱が、各配線パターン81aを介して各配線パターン83aに逃げにくい。
したがって、発熱体81の熱絶縁性を高くすることができるため、流体流量の検出感度を高くすることができる。
次に、この出願の発明者らが行った実験内容について説明する。この出願の発明者らは、発熱体81と温度検出体83との間隔と、発熱体81から温度検出体83を通って温度検出体83に最も近いメンブレン33の端縁33aとの間隔とが検出感度に与える影響について調べた。図5は、実験結果を示すグラフである。
次に、この出願の発明者らは、第1および第2の配線の引き出し方向を改良することにより、流量の検出感度がどのくらい改善されるか、シミュレーションを行った。図9は、このシミュレーション1で使用した流量センサのメンブレンの平面説明図であり、(a)は改良前の平面説明図、(b)は改良後の平面説明図である。図10は、このシミュレーションの結果を示す説明図である。
次に、この出願の発明者らは、第1および第2の配線の引き出し方向を改良することにより、発熱体の発熱量がどのくらい少なくなるか、シミュレーションを行った。図11は、このシミュレーションの結果を示す説明図である。
したがって、発熱体81に流す電流を改良前よりも少なくすることができるため、流量センサの消費電力を低減できることが分かった。
次に、この出願の発明者らは、第1および第2の配線の線幅を従来よりも太くすることにより、流量の検出感度がどのくらい改善されるか、シミュレーションを行った。図12は、このシミュレーション3で使用した流量センサのメンブレンの平面説明図である。図13は、図12に示す第2の配線83aの拡大図であり、図14は、図12に示す第1の配線81aの拡大図である。図15は、このシミュレーションの結果を示すグラフである。
また、第1の配線81a,82a,84aが端縁33dと交差する幅Lbと、その端縁33dの幅Wとの比(Lb/W)が、0.5〜0.9の範囲に収まるように各第1の配線81a,82a,84aを形成した。
次に、この出願の発明者らは、第1および第2の配線がメンブレン33の角部と交差する場合と交差しない場合とでメンブレン33の耐圧力に影響が出るか実験を行った。図16は、この実験で使用した流量センサのメンブレンの平面説明図であり、図17は、この実験からの計算の結果を示す説明図である。
次に、この出願の発明者らは、前述したシミュレーション3における比(La/W)および(Lb/W)が、メンブレン33の耐圧力に与える影響について実験から計算を行った。図18は、この計算の結果を示すグラフである。
前述の実施形態では、メンブレン32上に発熱体81、発熱体温度制御抵抗体82、温度検出体83、中点出力部84および配線81a〜84aを配置した構成の流量センサについて説明したが、発熱体温度制御抵抗体82および配線82aを備えていない流量センサにも、この出願に係る発明を適用することができる。また、温度検出体83を一方のみ備える流量センサにも、この出願に係る発明を適用することができる。さらに、温度検出体83を一方のみ備え、発熱体温度制御抵抗体82および配線82aを備えていない流量センサにも、この出願に係る発明を適用することができる。さらに、中点出力部84の配線84aを温度検出体83の配線83aと同じ方向に引き出した構成の流量センサにも、この出願に係る発明を適用することができる。この場合、配線83a,84aを第2の配線として扱えば良い。
40・・シリコン基板、41・・空洞部、42・・底部、43・・開口部、
33a〜33d・・端縁(底部の縁)、80・・配線パターン、81・・発熱体、
82・・発熱体温度制御抵抗体、83・・温度検出体、84・・中点出力部、
81a〜84a・・配線。
Claims (13)
- 流体の流れの中に配設された基板と、
前記基板の一面側に配置された発熱体および温度検出体と、
前記基板の一面側にて少なくとも前記発熱体から引き出された第1の配線と、
前記基板の一面側にて少なくとも前記温度検出体から引き出された第2の配線と、
を備え、前記流体の流れによる前記発熱体からの熱の分布の変化に基づいて、前記温度検出体により前記流体の流量を検出するようにした流量センサにおいて、
前記第1および第2の配線は、前記基板の一面側にて互いに反対の方向へ引き出されてなることを特徴とする流量センサ。 - 前記基板の他面側に凹部が形成されており、
前記温度検出体は、前記発熱体と間隔を置いて前記発熱体の両側に配置されており、
前記発熱体および前記各温度検出体は、前記凹部の底部の前記基板の一面側に配置されてなることを特徴とする請求項1に記載の流量センサ。 - 前記発熱体から一方の前記温度検出体までの距離と、前記発熱体から前記一方の温度検出体を通って前記一方の温度検出体に最も近い前記底部の縁までの距離との比が、0.19〜0.70であることを特徴とする請求項2に記載の流量センサ。
- 前記比が、略0.4であることを特徴とする請求項3に記載の流量センサ。
- 前記基板は、
シリコン基板を支持基板、絶縁膜を埋め込み層、半導体層をSOI層としたSOI基板からなり、
前記凹部は、
前記シリコン基板に形成された空洞部を前記基板の一の面側にて前記絶縁膜で覆うことにより形成されてなり、
前記発熱体、温度検出体、第1の配線および第2の配線は、それぞれ前記半導体層から形成されてなることを特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれか1つに記載の流量センサ。 - 前記第1および第2の配線が、前記底部の角部およびその近傍の底部の縁と交差していないことを特徴とする請求項2ないし請求項5のいずれか1つに記載の流量センサ。
- 前記底部において相互に隣接する角部間の縁の長さを100%とした場合に、前記近傍の底部の縁は、前記相互に隣接する各角部からそれぞれ10%以内の長さに存在する縁であることを特徴とする請求項6に記載の流量センサ。
- 前記第1の配線が交差する前記底部の縁を第1の縁とした場合に、前記第1の配線の線幅が少なくとも前記発熱体の幅よりも広く、かつ、前記第1の配線が前記第1の縁と交差する幅と、前記第1の縁の幅との比を示す第1の比が0.5〜0.9であることを特徴とする請求項2ないし請求項7のいずれか1つに記載の流量センサ。
- 前記第2の配線が交差する前記底部の縁を第2の縁とした場合に、前記第2の配線の線幅が前記温度検出体の幅よりも広く、かつ、前記第2の配線が前記第2の縁と交差する幅と、前記第2の幅との比を示す第2の比が0.5〜0.9であることを特徴とする請求項2ないし請求項8のいずれか1つに記載の流量センサ。
- 前記第1の配線が交差する前記底部の縁を第1の縁とし、前記第2の配線が交差する前記底部の縁を第2の縁とした場合に、前記第1の配線が前記第1の縁と交差する幅と前記第1の縁の幅との比を示す第1の比と、前記第2の配線が前記第2の縁と交差する幅と前記第2の縁の幅との比を示す第2の比とが略等しいことを特徴とする請求項2ないし請求項7のいずれか1つに記載の流量センサ。
- 前記第1および第2の比がそれぞれ0.5〜0.9であることを特徴とする請求項10に記載の流量センサ。
- 前記第1および第2の配線は、前記基板の一面側にて前記流体の流れる方向に対して略直角方向に、かつ、互いに反対の方向へ引き出されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれか1つに記載の流量センサ。
- 前記第1の配線には、前記基板の一面側にて前記発熱体以外のものから引き出された配線が含まれていることを特徴とする請求項1ないし請求項12のいずれか1つに記載の流量センサ。
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