JP2001150337A - 研磨方法および研磨装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

研磨方法および研磨装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法

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JP2001150337A
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Hiroyuki Kojima
弘之 小島
Hidemi Sato
秀己 佐藤
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Hitachi Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】研磨加工プロセスにおける、ドレッサの研削性
能のばらつきに起因する研磨能率の不安定性の改善。 【解決手段】固定定盤7に貼付された研磨パッド6と、
ドレッサ5との間に生じる研削抵抗を研削抵抗センサ8
で測定する。研削抵抗センサ8から得た研磨抵抗と所定
の関数とを用いて信号記憶演算部9でドレス能率を算出
し、ドレッサ5の研削性能を評価する。尚、こうした評
価結果は、ドレッサ5の選別に利用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、加工物の表面の研
磨加工に係り、特に半導体装置の製造プロセスにおける
半導体回路基板表面の平坦化処理に適した研磨方法、研
磨装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】高密度半導体デバイスの作成過程におい
て素子や配線パターンの形成により、デバイス表面には
複雑な凹凸が生ずる。一方、近年の半導体デバイスの高
集積化によって、リソグラフィ工程における投影光学系
に高解像度が要求されており、これに伴う開口数の増大
と共に焦点深度が浅くなっている。このため、前述のデ
バイス表面の凹凸を平坦化する手法として、CMP(化
学的機械的研磨法)が導入されている。
【0003】半導体デバイス表面をCMPにより平坦化
を行う際、研磨を繰り返すことにより研磨パッドの表面
が摩耗し、研磨能率の安定性や基板面内の研磨量の均一
性などの加工特性が悪化する。特に、所定時間で所望の
研磨量を得る為には安定した研磨能率が必要であるた
め、劣化した研磨パッド表面を適宜ダイアモンド砥石等
によりドレシングし、良好な面性状を維持することが必
須である。研磨パッドの研磨能率を維持安定化する1手
法として、研磨パッドの研磨面の表面状態を測定するこ
とにより所定の研磨レートで半導体デバイスの表面を研
磨する方法が特開平10−15807に開示されてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、CMP
において研磨能率を安定化するためには、研磨パッド表
面の面性状を適切に管理することが重要である。しかし
ながら、研磨パッドのドレシングに従来より用いられて
いるダイアモンド電着砥石は、その製法上の制約から砥
石突き出し量や砥粒密度等の管理が困難であるため、ダ
イアモンド電着砥石の製造時の面性状の精度に左右され
て、ドレッサとして用いた際の研削性能のばらつきが大
きい。このため、研削性能の高低に応じて適宜ドレス荷
重を調整する等の手段を講じてもドレシングの効果を一
定水準に保つことが難しく、研磨パッドの研磨能率のば
らつきを引き起こす要因になると考えられている。
【0005】研磨能率を安定化する手段としては、前述
の特開平10-15807などに研磨パッド表面状態を
定量化し、研磨パッドを管理する手法が示されている
が、一連の研磨加工プロセスにおけるドレッサの研削性
能管理に関しては言及していない。また近年、高品質の
半導体デバイスを量産するために、研磨パッドの面性状
を高精度に保つ必要性が高まっており、そのためには一
連の研磨加工プロセスにおいてドレッサ自身の研磨能率
を高精度に保つことが必要であると考えられる。
【0006】本発明は、研磨加工プロセスにおけるドレ
ッサの研削性能を短時間に簡便に計測し、計測結果を基
としたドレッサの管理を行うことで研磨能率の安定性を
改善した研磨方法、ならびに研磨装置を提供することを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、加工物の表面を研磨する方法であって、
研磨工具で前記加工物の表面を研磨する研磨ステップ
と、前記研磨工具表面を修復するための研削工具で前記
研磨工具表面を研削するステップと、前記研磨工具とは
異なる、研削抵抗の測定用に設置された研磨工具表面と
前記研削工具間に生じる研削抵抗を測定するステップ
と、前記測定した前記研削抵抗に基づいて研削性能に関
連する前記研削工具の特性を定量化するステップと、前
記定量化した前記研削工具の特性が所定の基準よりも劣
ったか否かを判定するステップとからなる、測定ステッ
プと、前記測定ステップで前記研削工具の特性が前記所
定の基準よりも劣ったと判定された場合に、前記研削工
具を交換するステップとを有することを特徴とする研磨
方法を提供する。
【0008】また、上記課題を解決するために、本発明
は、研磨工具と加工物に相対的な運動を与えて前記加工
物の表面を研磨する研磨装置であって、前記研磨工具と
前記加工物とをそれぞれ保持し、前記研磨工具と前記加
工物とに前記相対的な運動を与える駆動手段と、前記研
磨工具表面を補修するための研削工具と、前記研磨工具
と前記研削工具とをそれぞれ保持し、前記研磨工具と前
記研削工具とに相対的な運動を与える駆動手段と、前記
研磨工具とは異なる、研削抵抗の測定用に設置された研
磨工具と前記研削工具との間に生じる研削抵抗を測定す
る測定手段と、前記測定手段が測定した前記研削抵抗に
基づいて、研削性能に関連する前記研削工具の特性を定
量化する定量化手段と、前記定量化手段が定量化した前
記研削工具の特性が所定の基準よりも劣ったか否かを判
定する判定手段と、前記判定手段が前記研削工具の研磨
特性が前記所定の基準よりも劣ったと判定した場合に、
前記研削工具を交換する手段とを備えることを特徴とす
る研磨装置を提供する。
【0009】また、上記課題を達成するために、本発明
では、第1の研磨工具で半導体装置の表面を研磨する半
導体装置の製造方法であって、研削工具で前記第1の研
磨工具表面を研削し、前記研削工具の研削抵抗の測定用
に設置された第2の研磨工具と前記研削工具間に生じる
研削抵抗を測定し、前記測定した前記研削抵抗に基づい
て研削性能に関連する前記研削工具の特性を定量化し、
前記定量化した前記研削工具の特性が所定の基準よりも
劣ったか否かを判定し、前記研削工具の特性が前記所定
の基準よりも劣ったと判定された場合に前記研削工具の
交換がなされ、前記所定の基準より優れる研削工具によ
り前記第1の研磨工具を研削し、前記第1の研磨工具に
より半導体装置の表面を研磨することを特徴とする半導
体装置の製造方法を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係る一実施の形態について説明する。図1は本実施
例に用いた研磨装置の概略図である。
【0011】本研磨装置は、研磨パッド1を貼付した研
磨定盤2を回転させ、任意の研磨圧で加工物保持器3に
保持された加工物4を研磨パッド1に押し付けながら摺
動させ、スラリ(非図示)を加工物4と研磨パッド1の
間に供給し研磨を行う。また、任意のタイミングでドレ
ッサ5を用いて研磨パッド1のドレシングを行うことが
できる。以上のような研磨装置としての周知の基本構成
に加えて、更に、ドレッサの研削抵抗を計測するための
固定定盤7、固定定盤7に貼付された研磨パッド6、研
削抵抗センサ8および信号記憶演算部9、ドレッサ交換
装置13と、ドレッサ5の研削性能の評価結果等を表示
する表示装置10と、目標とするドレス能率等の所定の
設定値を入力する入力装置14とを備える。
【0012】まず、研削抵抗センサ8による研磨抵抗測
定方法について説明する。
【0013】ドレス荷重11を印加して研磨パッド6を
ドレシングする際、研磨パッド6、ドレッサ5間に生じ
る研削抵抗はドレッサ軸12を介して研削抵抗センサ8
によって研削抵抗信号に変換され、信号記憶演算部9に
入力される(図1参照)。
【0014】次に、信号記憶演算部9の機能的な構成に
ついて説明する。
【0015】信号記憶演算部9は、ドレッサの研削性能
を評価し、またドレス能率を算出する演算部9bと、ド
レッサ交換装置13と表示装置10を制御する制御部9
aを備える。尚、実際には演算部9b、制御部9aとは、
CPU(不図示)と、メモリ9cに格納されたデータと
により実現されるプロセスのことである。以下、9b、
9aで実行される処理について説明する。
【0016】演算部9bは、研削抵抗センサ8からの研
削抵抗信号と、研磨抵抗とドレス能率を関係付ける関数
fとを用いて、ドレス能率を算出する。
【0017】ここで述べる研削抵抗とドレス能率を関係
付ける関数fとは、実験データに基づいて予め作成して
おいた関数のことである。即ち、研削抵抗の測定と同時
に、研磨パッドの削れ量を計測し、得られた研磨パッド
削れ量をドレス時間で除すことによってドレス能率kを
逐次測定し、これを前記研削抵抗とを対応付けて表示す
ると、図2に示すように、おおむね両者の値を一意に対
応付けることができる関数が存在することが判る。この
関数fがここで述べた研削抵抗とドレス能率kとを関連
付ける関数fである。尚、この関数fはドレッサの種類
により異なり、ドレッサの種類によりf、f1、f2、
・・・と求められる。また関数fは、ドレス条件、研磨
パッドの材質の影響を受けるため、前記項目毎に関数f
の補正を行う。
【0018】そして、算出された研磨能率kに基づい
て、ドレッサ5の研削性能の優劣を評価する。尚、本実
施の形態では、上記ドレス能率kが所定の値を下回った
場合に、ドレッサ5の研削性能が不足していると判定す
る。
【0019】一方,制御部9aは、現状のドレス能率を
表示装置10に表示すると共に、演算部9bがドレッサ
5の研削性能の不足を判定した場合には、ドレッサ交換
装置13に動作指令を与え、ドレッサ5の交換を行う。
【0020】以上で、本研磨装置が備える各構成につい
ての説明を終る。
【0021】尚、本実施の形態では、信号記憶演算部9
がドレッサ交換装置13を制御するようにしているが、
必ずしもこのようにする必要はなく、表示装置10の表
示を監視する作業者に、ドレッシング交換のタイミング
を判断させて、ドレッサの交換をさせるようにしても構
わない。
【0022】また、本研磨装置の研削力評価方法を用い
て、ドレッサの研削性能を評価して、使用するドレッサ
の選別を予め行っても良い。
【0023】次に、図1に示した研磨装置を用いた研磨
加工の実施例について、後述の従来の研磨加工の実施例
と比較しながら説明する。尚、本願発明による研磨加工
の実施例、および従来の研磨加工の実施例の双方におけ
る基本的な研磨条件ならびにドレッサ等は以下の通りで
あり、研磨対象とするSiウエハの目標研磨量を600
nmとした。
【0024】(1)スラリ:SiO2砥粒含有率3%の
水溶液 (2)スラリ供給量:200ml/min (3)研磨圧:350g/cm2 (4)研磨定盤2の回転速度:188rad/min (5)加工物4の回転角速度:188rad/min (6)加工物4: Si酸化膜(約2μm)付きSiウ
エハ(直径125mm) (7)研磨時間:3min (8)ドレス荷重:3kgf (9)ドレッサ回転速度:188rad/min まず、研磨能率の安定化の効果を確認する。
【0025】両研磨加工によって、それぞれ、2000
枚のSiウエハを連続して研磨した後、各Siウエハの
研磨量を測定する。尚、ここでは、従来の研磨加工にお
いては、100枚のSiウェハを研磨する毎にドレッサ
5を交換する。また、本願発明の研磨装置を用いた研磨
加工においても100枚のSiウェハを研磨する毎にド
レッサ5を交換するが、交換時にドレス能率の自動判定
を行い、ドレッサ5のドレス能率が所定の値より低い場
合に、ドレッサ5を再交換することとする。これは、S
iウェハ等の半導体装置の製造方法の実施形態において
も同様とする。具体的には、Siウェハの製造工程のド
レッサ5の交換時において、ドレッサ5のドレス能率の
自動判定を研削抵抗の測定用の研磨工具を用いて行う。
そして、測定されたドレス能率が所定の値よりも低い場
合には、ドレッサ5を再交換して再交換されたドレッサ
5のドレス能率をまた測定する。測定されたドレス能率
が所定の値より高い場合には、交換された新規なドレッ
サ5によりSiウェハの研磨工具の研削を行いつつ、研
磨工具によりSiウェハを研磨するのである。
【0026】その結果、従来の研磨加工によれば、20
00枚のSiウエハの研磨量に約±5.1%(1σ)の
ばらつきが生じるのに対して、本研磨装置を用いた研磨
加工によれば、2000枚のSiウエハの研磨量のばら
つきが約±2.4%(1σ)に抑制されることが確認さ
れた(図3参照)。また本発明の研磨加工工程を組み込
んだSiウェハ等の半導体装置の製造方法においても、
同様の結果を得ることができる。以上の結果から、本発
明による研磨能率の安定化の効果が達成されていること
が確認された。
【0027】また、本実施例では、ドレッサ5の研磨能
率は、ドレッサ5の初期状態におけるドレス能率に大き
く依存するため、Siウェハを100枚研磨し終わった
後に、次の新しいドレッサ5のドレス能率の測定をする
こととしている。しかし、さらに研磨パッドの研磨精度
を上げるために、上記のタイミングのみならず、例えば
Siウェハを100枚の中間時点である50枚目を研磨
する毎にドレッサ5のドレス能率の自動測定をし、ドレ
ス能率が所定の性能条件を満たさないと判断された場合
には、ドレッサ5を交換し、満たす場合には、ドレッサ
5をそのまま継続使用するプロセスを加えることもでき
る。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、研磨加工プロセスにお
けるドレッサの研削性能の計測を短時間に簡便に実施で
き、計測された結果を基としたドレッサの管理を行うこ
とで研磨能率の安定性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態に係る研磨装置の基本構成
を示した図である。
【図2】 研削抵抗センサ出力とドレス能率との関係を示
した図である。
【図3】 本発明の実施の形態に係る研磨装置を使用する
ことにより得られる効果を説明するための図である。
【符号の説明】
1…研磨パッド 2…研磨定盤 3…加工物保持器 4…加工物 5…ドレッサ 6…研磨パッド 7…固定定盤 8…研削抵抗センサ 9…信号記憶演算部 10…表示装置 11…ドレス荷重 12…ドレッサ軸 13…ドレッサ交換装置 14…入力装置

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】加工物の表面を研磨する方法であって、 第1の研磨工具で前記加工物の表面を研磨する研磨ステ
    ップと、 研削工具で前記第1の研磨工具表面を研削するステップ
    と、 研削抵抗の測定用に設置された第2の研磨工具表面と前
    記研削工具間に生じる研削抵抗を測定するステップと、
    前記測定した前記研削抵抗に基づいて研削性能に関連す
    る前記研削工具の特性を定量化するステップと、前記定
    量化した前記研削工具の特性が所定の基準よりも劣った
    か否かを判定するステップとからなる、測定ステップ
    と、 前記測定ステップで前記研削工具の特性が前記所定の基
    準よりも劣ったと判定された場合に、前記研削工具を交
    換するステップとを有することを特徴とする研磨方法。
  2. 【請求項2】第1の研磨工具と加工物に相対的な運動を
    与えて前記加工物の表面を研磨する研磨装置であって、 前記第1の研磨工具と前記加工物とに相対的な運動を与
    える第1の駆動手段と、 前記第1の研磨工具表面を補修するための研削工具と、 前記第1の研磨工具と前記研削工具とに相対的な運動を
    与える第2の駆動手段と、 前記研削工具の研削抵抗の測定用に設置された第2の研
    磨工具と、 前記第2の研磨工具と前記研削工具との間に生じる研削
    抵抗を測定する測定手段と、 前記測定手段の出力する前記研削抵抗に基づいて、研削
    性能に関連する前記研削工具の特性を定量化する定量化
    手段と、 前記定量化手段が定量化した前記研削工具の特性が所定
    の基準よりも劣ったか否かを判定する判定手段と、 前記判定手段が前記研削工具の研磨特性が前記所定の基
    準よりも劣ったと判定した場合に、前記研削工具を交換
    する手段とを備えることを特徴とする研磨装置。
  3. 【請求項3】第1の研磨工具と加工物に相対的な運動を
    与えて前記加工物の表面を研磨する研磨装置であって、 前記第1の研磨工具と前記加工物とに相対的な運動を与
    える第1の駆動手段と、 前記第1の研磨工具表面を補修するための研削工具と、 前記第1の研磨工具と前記研削工具とに相対的な運動を
    与える第2の駆動手段と、 前記研削工具の研削抵抗の測定用に設置された第2の研
    磨工具と、 前記第2の研磨工具と前記研削工具との間に生じる研削
    抵抗を測定する測定手段と、 前記測定手段の出力する前記研削抵抗に基づいて、研削
    性能に関連する前記研削工具の特性を定量化する定量化
    手段と、 前記定量化手段が定量化した前記研削工具の特性を出力
    表示する出力手段とを備えることを特徴とする研磨装
    置。
  4. 【請求項4】第1の研磨工具で半導体装置の表面を研磨
    する半導体装置の製造方法であって、 研削工具で前記第1の研磨工具表面を研削し、前記研削
    工具の研削抵抗の測定用に設置された第2の研磨工具と
    前記研削工具間に生じる研削抵抗を測定し、前記測定し
    た前記研削抵抗に基づいて研削性能に関連する前記研削
    工具の特性を定量化し、前記定量化した前記研削工具の
    特性が所定の基準よりも劣ったか否かを判定し、前記研
    削工具の特性が前記所定の基準よりも劣ったと判定され
    た場合に前記研削工具の交換がなされ、前記所定の基準
    より優れる研削工具により前記第1の研磨工具を研削
    し、前記第1の研磨工具により半導体装置の表面を研磨
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004002681A1 (ja) * 2002-06-28 2004-01-08 Nikon Corporation 研磨パッド等の寿命・良否判定方法、研磨パッドのコンディショニング方法、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
KR100462868B1 (ko) * 2001-06-29 2004-12-17 삼성전자주식회사 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너
JP2006192546A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Ricoh Co Ltd 表面研磨加工法及び加工装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100462868B1 (ko) * 2001-06-29 2004-12-17 삼성전자주식회사 반도체 폴리싱 장치의 패드 컨디셔너
WO2004002681A1 (ja) * 2002-06-28 2004-01-08 Nikon Corporation 研磨パッド等の寿命・良否判定方法、研磨パッドのコンディショニング方法、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
JP2006192546A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Ricoh Co Ltd 表面研磨加工法及び加工装置
JP4646638B2 (ja) * 2005-01-14 2011-03-09 株式会社リコー 表面研磨加工法及び加工装置

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