JP2009026850A - Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】新規な研磨パッド13をCMP装置の回転定盤14上にセットする。次に、新規な研磨パッド13の厚みを測定する。この測定結果は研磨制御部19に入力される。次に、研磨制御部19は、データテーブル19bを参照して、新しい研磨パッド13の厚みに対応する閾値を決定する。さらに、こうして求められた閾値を登録する。その後、この閾値を用いて研磨対象のウェハー11を研磨する。詳細には、渦電流センサーの出力が閾値に達するまでウェハー11を高速研磨し、閾値に達した時点で高速研磨から低速研磨に切り替え、研磨終点を検出した時点で研磨を終了する。
【選択図】図1
Description
12 研磨ヘッド
12a ガイドリング
13 研磨パッド
14 回転定盤
15 スラリー供給部
16 パッドプローブ
17 ドレッサー
18 渦電流センサー
19 研磨制御部
19a メモリ
19b データテーブル
19c 閾値データ
50 基準ウェハー
51 金属膜(タングステン膜)
100 CMP装置
Claims (8)
- 交換可能な研磨パッドと、
前記研磨パッドを介してウェハー上の研磨対象膜の膜厚を測定する膜厚センサーと、
前記膜厚センサーの出力値が閾値を超えたことに応答して研磨条件を切り替える研磨制御部とを備え、
前記研磨制御部は、研磨パッドが交換されたとき、新規な研磨パッドの厚みに応じた前記閾値を記憶する記憶部を備えることを特徴とするCMP装置。 - 前記記憶部は、前記研磨対象膜の膜厚を一定とした場合における研磨パッドの厚みと膜厚センサーの出力値との関係を示す変換情報をさらに記憶しており、
前記研磨制御部は、前記変換情報を参照して、前記新規な研磨パッドの厚みに応じた膜厚センサーの出力値を求め、当該出力値を前記閾値として登録することを特徴とする請求項1に記載のCMP装置。 - 前記研磨制御部は、所定の膜厚を有する研磨対象膜が形成された基準ウェハーをセットした後、前記膜厚センサーを用いて前記研磨対象膜の膜厚を測定し、前記膜厚センサーの出力値を前記閾値として登録することを特徴とする請求項1に記載のCMP装置。
- 前記膜厚センサーが渦電流センサーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のCMP装置。
- 前記研磨対象膜が金属膜又は金属化合物膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のCMP装置。
- 新規な研磨パッドをセットする研磨パッドセッティングステップ、
前記新規な研磨パッドの厚みに基づいて補正された所定の閾値を登録する閾値登録ステップ、
研磨対象のウェハーをセットし、膜厚センサーで研磨対象膜の膜厚を監視しながら高速研磨を行う高速研磨ステップ、
前記膜厚センサーの出力が前記閾値に達したとき前記高速研磨から低速研磨に切り替える研磨条件切替ステップ、及び
研磨終点まで前記ウェハーの低速研磨を行う低速研磨ステップを備えることを特徴とするCMPによるウェハー研磨方法。 - 前記閾値登録ステップは、
前記研磨対象膜の膜厚を一定とした場合における研磨パッドの厚みと膜厚センサーの出力値との関係を示す変換情報を参照して、前記新規な研磨パッドの厚みに対応する前記膜厚センサーの出力値を求めるステップ、及び
当該出力値を前記閾値として登録するステップを含むことを特徴とする請求項6に記載のウェハー研磨方法。 - 前記閾値登録ステップは、
所定の膜厚を有する研磨対象膜が形成された基準ウェハーを前記研磨ヘッドにセットするステップ、
前記膜厚センサーを用いて前記研磨対象膜の膜厚を測定するステップ、及び
前記膜厚センサーの出力値を前記閾値として登録するステップを含むことを特徴とする請求項6に記載のウェハー研磨方法。
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