JP2001137659A - フッ素含有化合物を含む排ガスの処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フッ素含有化合物の分解率が高く、長時間有
効で酸化性ガス、酸性ガス、ＣＯを同時に除去できる排
ガスの処理方法と装置を提供する。 【解決手段】 フッ素含有化合物を含む排ガスから固形
物を分離する固形物処理装置１と、該固形物処理装置か
らの排ガスに分解補助ガスとしてＨ₂及び／又はＨ₂Ｏ、
あるいは、Ｈ₂及び／又はＨ₂ＯとＯ₂を添加する添加手
段と、前記分解補助ガスを添加した排ガスを加熱分解す
る６００℃〜９００℃に加熱したγ−アルミナ２を充填
した加熱分解装置３と、該加熱分解した排ガスから酸性
ガスを除去する酸性ガス処理装置５と、これらの装置を
順次接続する経路とを有することを特徴とするフッ素含
有化合物を含む排ガスの処理装置としたものであり、前
記処理装置は、装置内の圧力を調整する機能を有する空
気エジェクター７を設けるのがよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素含有化合物
を含む排ガスの処理に係り、特に、半導体工業でＣ
₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、ＣＨＦ₃、ＳＦ₆、ＮＦ₃のパーフッ素化
合物やフッ化炭化水素（ＰＦＣ）により半導体製造装置
の内面等をドライクリーニングする工程や、各種成膜を
エッチングする際に排出されるＰＦＣの他に，Ｆ₂、Ｃ
ｌ₂、Ｂｒ₂等の酸化性ガス、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｓ
ｉＦ₄、ＳｉＣｌ₄、ＳｉＢｒ₄、ＣＯＦ₂等の酸性ガスや
ＣＯを効率良く処理する方法と装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体工業においては、半導体製造工程
の中で多種類の有害ガスが使用され、環境への汚染が懸
念される。エッチング工程やＣＶＤ工程等からの排ガス
中に含まれるＰＦＣは、地球温暖化ガスとしてその除去
システムの確立が急務とされている。従来からＰＦＣの
除去方法として、種々の破壊技術や回収技術が提案され
ており、特に破壊技術のうち触媒加熱分解方式として、
次の様な化合物、例えば、Ｐｔ触媒、ゼオライト系触
媒、活性炭、活性アルミナ、アルカリ金属、アルカリ土
類金属、金属酸化物などの使用が挙げられるが、いずれ
も有効な処理方法が見出されていない。また、半導体製
造工程から排出される排ガス中には、ＰＦＣばかりでは
なく、他にＦ₂、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂等の酸化性ガス、ＨＦ、
ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＳｉＦ₄、ＳｉＣｌ₄、ＳｉＢｒ₄、Ｃ
ＯＦ₂等の酸性ガスやＣＯが含まれるが、これら有害ガ
スを完全に効果的に処理する方法が確立されていない。

【０００３】Ｆ₂、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂等の酸化性ガスは、湿
式処理しようとした場合、水だけでは完全に処理するこ
とはできず、アルカリ剤や還元剤を使用する必要があ
り、管理や装置が複雑になる上にコストがかかる等の問
題点があった。ＣＯは、Ｃｕ、Ｍｎ系の酸化剤等で分解
除去する必要があった。ＰＦＣについては、アルミナを
除去剤として用いる処理方法（特開平１０−２８６４３
４）があり、これはＣ₂Ｆ₆に対して分子状酸素と接触さ
せることを特徴としている。この方法では、Ｃ₂Ｆ₆の１
００％分解時の処理量は４．８Ｌ／Ｌと処理剤の寿命が
短い上に、分解時に副生成物として発生するＣＯに関し
ては、何らの有効的な解決策を示しておらず、しかもＰ
ＦＣ以外に共存する酸化性ガスや酸性ガスに対しても、
これらを処理する手立てが開示されていない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術に鑑み、ＰＦＣの分解率が高く、長期間有効でしかも
排ガス中に含まれる酸化性ガス、酸性ガスやＣＯを同時
に有効に除去できるフッ素含有化合物を含む排ガスの処
理方法及び装置を提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、フッ素含有化合物を含む排ガスを、該
排ガス中の固形物を分離した後に、分解補助ガスとして
Ｈ₂及び／又はＨ₂Ｏ、あるいは、Ｈ₂及び／又はＨ₂Ｏと
Ｏ₂を添加し、６００℃〜９００℃のγ−アルミナと接
触して加熱分解し、該分解ガスから酸性ガスを除去して
処理することを特徴とするフッ素含有化合物を含む排ガ
スの処理方法としたものである。前記処理方法におい
て、フッ素含有化合物を含む排ガスは、半導体製造工程
から排出されるパーフッ素化合物、フッ化炭化水素の他
に、酸化性ガス、酸性ガス及びＣＯを含む排ガスとする
ことができる。

【０００６】また、本発明では、フッ素含有化合物を含
む排ガスから固形物を分離する固形物処理装置と、該固
形物処理装置からの排ガスに分解補助ガスとしてＨ₂及
び／又はＨ₂Ｏ、あるいは、Ｈ₂及び／又はＨ₂ＯとＯ₂を
添加する添加手段と、前記分解補助ガスを添加した排ガ
スを加熱分解する６００℃〜９００℃に加熱したγ−ア
ルミナを充填した加熱分解装置と、該加熱分解した排ガ
スから酸性ガスを除去する酸性ガス処理装置と、これら
の装置を順次接続する経路とを有することを特徴とする
フッ素含有化合物を含む排ガスの処理装置としたもので
ある。前記処理装置において、固形物処理装置又は酸性
ガス処理装置としては、水スクラバーを用いることがで
き、また、前記処理装置は、排ガスが通過する装置内の
圧力を調整する機能を有する空気エジェクターを有する
と共に、処理ガスの排出濃度を管理するためのＦＴ−Ｉ
Ｒ分析装置を有することができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明では、フッ素含有化合物を
含む排ガスを、先ず水スクラバー等の固形物処理装置に
通す。その出口ガスを、６００℃〜９００℃のγ−アル
ミナを充填した加熱分解装置に、分解補助ガスとしてＨ
₂、Ｏ₂、Ｈ₂Ｏのいずれか１種類又は複数の成分を添加
して、ＰＦＣ、酸化性ガスやＣＯを酸性ガスとＣＯ₂に
完全分解する。発生する酸性ガスは、最終段で水スクラ
バー等の酸性ガス処理装置で除去するフッ素含有化合物
を含む排ガスの処理方法としたものである。また、本発
明では、排ガスが通過する装置内の圧力を空気エジェク
ターで調整する機能を持ち、処理ガスの排出濃度を管理
するためのＦＴ−ＩＲ分析装置を組み込むことができ
る。

【０００８】次に、本発明を詳細に説明する。ＰＦＣ、
酸化性ガス、酸性ガスやＣＯを含む排ガスを、先ず水ス
クラバー等の固形物処理装置に通す。ここでは、排ガス
に含まれる固形物（ＳｉＯ₂等）や後段の加熱分解装置
内で固形化するおそれのあるＳｉ化合物（ＳｉＦ₄、Ｓ
ｉＣｌ₄、ＳｉＢｒ₄等）を除去する。固形物処理装置を
通さず、直接加熱分解装置に上記排ガスを導入すると、
装置内で目詰まりや閉塞をおこす要因になり、排ガスが
γ−アルミナの充填層を流れなくなるおそれがある。ま
たγ−アルミナの性能を低下させるおそれがある。前段
の固形物処理装置に通すことで、固形物やＳｉ化合物を
含む酸性ガスは除去されるものの、Ｆ₂、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂
等の酸化性ガスの一部とＰＦＣ、ＣＯは全量排出され
る。

【０００９】この排ガスを、６００℃〜９００℃に加熱
したγ−アルミナに接触させて分解処理する際に、分解
補助ガスとしてＨ₂、Ｏ₂、Ｈ₂Ｏのいずれか１種類又は
複数の成分を添加することで、次の反応式にしたがい、
これらは酸性ガスとＣＯに分解される。 ＣＦ₄+２Ｈ₂+Ｏ₂ →ＣＯ₂+４ＨＦ ＣＦ₄+２Ｈ₂Ｏ →ＣＯ₂+４ＨＦ Ｆ₂+Ｈ₂ →２ＨＦ ２Ｆ₂+２Ｈ₂Ｏ →４ＨＦ+Ｏ₂ ２ＣＯ+Ｏ₂ →２ＣＯ₂

【００１０】すなわち、ＰＦＣはＨ₂とＯ₂又はＨ₂Ｏと
の反応によりＣＯ₂とＨＦに分解される。Ｆ₂等の酸性ガ
スはＨ₂又はＨ₂Ｏとの反応によりＨＦの酸性ガスに分解
される。また、ＣＯはＣＯ₂に酸化される。Ｈ₂、Ｏ₂、
Ｈ₂Ｏの添加量は、ＰＦＣについては、ＰＦＣ中のＦ原
子がＨＦになるのに必要なモル数以上のＨ₂ないしＨ₂Ｏ
と、Ｃ原子がＣＯ₂になるのに必要なモル数以上のＯ₂と
を加え、好ましくは上述のＯ₂の最小値に１モル加えた
モル数以上のＯ₂を導入する。酸化性ガスについては、
酸化性ガス中のハロゲン原子（Ｘ）が酸性ガス（ＨＸ）
になるのに必要なモル数以上のＨ₂を導入する。加熱分
解槽からの排ガス中には、酸性ガス（ＨＸ）とＣＯ₂の
み存在し、後処理で水スクラバー等で処理することで、
酸性ガスは完全に除去される。

【００１１】本発明で使用されるアルミナは、均質な細
孔分布を持たないγ体の結晶構造であればよい。 形状
は特に限定するものではないが、球状が取り扱い上好ま
しい。γ−アルミナの粒度は、排ガス通ガス時に通気抵
抗が上昇しない範囲であれば、接触面積を大きくとるた
めに細かい方がよく、０．８ｍｍ〜２．６ｍｍが好まし
い。通ガス時のγ−アルミナの温度は、６００℃〜９０
０℃の範囲でよい。前段の固形物処理装置や後段の酸性
ガス処理装置は、充填塔やスプレー塔が好ましく、散水
できる構造であればよい。加熱分解装置には、Ｈ₂、
Ｏ₂、Ｈ₂Ｏのいずれか１種類又は複数の成分を導入でき
る構造を有しておればよい。

【００１２】図１に、本発明の排ガス処理装置のフロー
概略図を示す。図１において、１は固形物処理装置、２
はγ−アルミナ充填層、３は加熱分解装置、４は洗浄水
循環ポンプ、５は酸性ガス処理装置、６はＦＴ−ＩＲ分
析装置、７は空気エジェクター、８はバイパスバルブで
ある。ＰＦＣ、酸化性ガス、酸性ガス、ＣＯを含んだ排
ガス９は、先ずスプレー塔である固形物処理装置１に通
ガスし、ここで固形物やＳｉ化合物を除去する。その
後、γ−アルミナ２を充填した加熱分解装置３に通ガス
し、Ｈ₂、Ｏ₂、Ｈ₂Ｏを導入して、ここでＰＦＣ、酸化
性ガス、ＣＯを酸性ガスとＣＯ₂に分解する。さらに、
後段のスプレー塔である酸性ガス処理装置５で酸性ガス
を除去し、処理ガス１０を排出する。また、これらの処
理装置内の圧力を調整するために、空気エジェクタ−７
を設け、処理ガスの管理のためＦＴ−ＩＲ分析装置６を
組み込んだ装置とする。スプレー塔に用いる水は、酸性
ガス処理装置５のスプレー塔に水１１を導入して用い、
この使用済の水を洗浄水循環ポンプ４により、固形物処
理装置１のスプレーに用いた後に、排水１２として排出
される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されない。 実施例１ 径２５ｍｍの石英製カラムを用い、これに層高１００ｍ
ｍとなるようにγ−アルミナを充填した。γ−アルミナ
は水澤化学製の市販品を用い（ネオビードＧＢ−０
６）、粒径は０．８ｍｍとした。これをセラミック電気
管状炉に装着し、処理剤層を８００℃に加熱した。ここ
にＮ₂ガスで希釈したＣＦ₄の他に、添加ガスとしてＨ₂
やＯ₂を、それぞれ、ＣＦ₄のＦ原子量に対してＨ原子量
が等原子比以上となるＨ₂量とし、Ｏ₂は導入するＨ₂量
の等モル以上になるようにこれらの総ガス流量４０８ｓ
ｃｃｍで、流入濃度はそれぞれＣＦ₄ １％、Ｈ₂ ３．
０％、Ｏ₂ ５．７％に調製した。処理性能をみるた
め、出口ガスを適宜分析し、ＣＦ₄の除去率が９８％以
下に下がった時点で通ガスを停止し、それまでの通ガス
量からＣＦ₄の処理量を求めた。ＣＦ₄等の分析は、質量
検出器付ガスクロマトグラフ装置によった。その結果、
通ガスを開始して９２０ｍｉｎ後に、除去率が９８％に
下がり、この時点でのＣＦ₄の通ガス量から処理量を求
めると７７Ｌ／Ｌとなった。この間のＣＯの排出濃度
は、常時許容濃度（２５ｐｐｍ）以下であった。

【００１４】比較例１ 実施例１と同じ試験装置を用い、γ−アルミナや充填
量、温度は同じとした。総ガス流量は４０８ｓｃｃｍ
で、Ｎ₂希釈のＣＦ₄の他にＳｉＦ₄を混合し、他に添加
ガスとしてＨ₂やＯ₂を、それぞれ、ＣＦ₄やＳｉＦ₄の総
Ｆ原子量に対してＨ原子量が等原子比以上となるＨ₂量
とし、Ｏ₂は導入するＨ₂量の等モル以上になるように、
流入濃度はそれぞれＣＦ₄ ０．９５％、ＳｉＦ₄ ０．
９７％、Ｈ₂５．３％、Ｏ₂ ６．０％に調製した。その
結果、通ガスを開始して５１０ｍｉｎ後に、ＣＦ₄の除
去率が９８％以下に下がり、この時の処理量は４０Ｌ／
Ｌと、ＣＦ₄単独通ガス時に比ベてＣＦ₄／ＳｉＦ₄混合
通ガス時では、処理量が約半分に低下し、また、この間
ＣＯは常時許容濃度以下であった。

【００１５】実施例２ 実施例１と同じ試験装置を用しγ−アルミナや充填量、
温度は同じとした。総ガス流量は４０８ｓｃｃｍで、Ｎ
₂希釈のＣＦ₄の他にＦ₂を混合し、他に添加ガスとして
Ｈ₂やＯ₂を、それぞれ、ＣＦ₄やＦ₂の総Ｆ原子量に対し
てＨ原子量が等原子比以上となるＨ₂量とし、Ｏ₂は導入
するＨ₂量の等モル以上になるように、流入濃度は、そ
れぞれＣＦ₄ ０．９２％、Ｆ₂ １．１％、Ｈ₂ ５．
０％、Ｏ₂６．０％に調製した。その結果、通ガスを開
始して２５ｈｒ後に、ＣＦ₄の除去率が９８％以下とな
り、この時の処理量は１１５Ｌ／Ｌと、ＣＦ₄単独通ガ
ス時に比べて、ＣＦ₄／Ｆ ₂混合通ガス時では、処理量が
１．５１倍増えていた。また、この間ＣＯやＦ₂は常時
許容濃度以下（Ｆ₂の許容濃度は１ｐｐｍ）であり、Ｆ₂
はＨＦに分解されていた。

【００１６】参考例１ 実施例１と同じ試験装置で、γ−アルミナや充填量、温
度は同じとした。総ガス流量は４０８ｓｃｃｍで、Ｎ₂
希釈のＣＯの他に、Ｏ₂をＣＯがＣＯ₂になるのに必要な
モル数以上になるように、流入濃度はそれぞれＣＯ
１．４％、Ｏ₂５．７％に調製した。その結果３０ｍｉ
ｎの通ガスの間ＣＯは常時検出限界以下（２ｐｐｍ）に
処理され、全量ＣＯ₂に酸化されていた。

【００１７】比較例２ 実施例１と同じ試験装置で、γ−アルミナや充填量、温
度は同じとした。総ガス流量は４０８ｓｃｃｍで、Ｎ₂
希釈のＣＯの他に、Ｈ₂Ｏを流量比でＣＯの２２倍に相
当する量の０．０９０ｍｌ／ｍｉｎ導入し、流入濃度は
ＣＯ １．３％に調製した。その結果、１５ｍｉｎの通
ガスでＣＯが１０００ｐｐｍリークした。ＣＯはＨ ₂Ｏ
の添加だけでは、許容濃度以下（２５ｐｐｍ）に処理で
きなかった。

【００１８】参考例２ 実施例１と同じ試験装置で、γ−アルミナや充填量、温
度は同じとした。総ガス流量は４０８ｓｃｃｍで、Ｎ₂
希釈のＣＯの他に、Ｈ₂Ｏを流量比でＣＯの１８倍に相
当する量の０．０９０ｍｌ／ｍｉｎ導入し、Ｏ₂をＣＯ
がＣＯ₂になるのに必要なモル数以上になるように、流
入濃度はそれぞれＣＯ １．５％、Ｏ₂ ３．４％に調
製した。その結果、通適ガス３ｈｒ後においてＣＯは検
出限界以下（２ｐｐｍ）に処理されていた。ＣＯはＯ₂
を添加することで、ＣＯ₂に酸化された。

【００１９】実施例３ 実施例１と同じ試験装置で、γ−アルミナや充填量は同
じで、温度を７００℃にした。総ガス流量は４０８ｓｃ
ｃｍで、Ｎ₂希釈のＣＦ₄の他に、Ｈ₂Ｏを流量比でＣＦ₄
の１４倍に相当する量の０．０４０ｍｌ／ｍｉｎ導入
し、Ｏ₂はＣＦ₄のＣ原子がＣＯ₂になるのに必要なモル
数以上を加え、流量濃度としてそれぞれＣＦ₄ ０．８
９％、Ｏ₂ ３．０％に調製した。その結果、通ガス２
３ｈｒ後においてＣＦ₄の除去率が９８％に低下し、こ
の時の処理量は１１０Ｌ／Ｌと、Ｈ₂、Ｏ₂添加時のＣＦ
₄処理量の１．４倍に増えていた。この間ＣＯは常時許
容濃度以下に処理されていた。

【００２０】比較例３ 湿式での酸化性ガスや酸性ガスの処理効果をみるため、
水洗浄塔（２１０ｍｍφ×４３０ｍｍ^h／ラシヒリング
充填高さ１７０ｍｍ）に総排ガス量６０Ｌ／ｍｉｎ、散
水量３．５Ｌ／ｍｉｎを導入し、流入濃度としてそれぞ
れＦ₂ １１００ｐｐｍ、ＳｉＦ₄ １６００ｐｐｍ、Ｃ
ｌ₂ ５１００ｐｐｍに調製した。水洗浄槽出口でＦ₂
１１ｐｐｍ、ＳｉＦ₄ ＜１ｐｐｍ、Ｃｌ₂ ３３００ｐ
ｐｍが検出され、ＳｉＦ₄は処理されるものの、Ｆ₂、Ｃ
ｌ₂が除去しきれずリークした。

【００２１】実施例4 固形物処理装置として水洗浄塔（２１０ｍｍφ×４３０
ｍｍ^h／ラシヒリング充填高さ１７０ｍｍ）を用い、加
熱分解装置として予熱室と充填室を設け、酸性ガス処理
装置として前と同じ水洗浄塔を使用した。酸性ガス処理
装置の出口ガスをモニターするため、ＦＴ−ＩＲ分析装
置（ＭＡＴＴＳＯＮ製Ｉｎｆｉｎｉｔｙ６０００）を設
置し、装置内の圧力を調整するため空気エジェクター
(大東製作所製 空気エゼクター)を備えた。固形物処理
装置や酸性ガス処理装置に洗浄水をそれぞれ２Ｌ／ｍｉ
ｎ、４Ｌ／ｍｉｎ通水した。加熱分解装置に空気１０Ｌ
／ｍｉｎと純水２．４ｍｌ／ｍｉｎを導入した。これの
充填室にγ−アルミナ(水澤化学製／ネオビードＧＢ―
０６)を１５Ｌ入れた。

【００２２】ＦＴ−ＩＲ分析装置の前段に排ガス中の水
分を除去するためのガスドライアー（ＰＥＲＭＡＰＵＲ
Ｅ製 ＭＤ−７０−７２Ｐ）を加えた。空気エジェクタ
ーに空気３０Ｌ／ｍｉｎを導入し、装置内の圧力を−
０．５ＫＰａの負圧に保った。総流量６０Ｌ／ｍｉｎで
Ｎ₂べ一スにＣＦ₄、ＳｉＦ₄、Ｆ₂、ＣＯがそれぞれ０．
５％、０．３％、０．３％、０．３％の濃度になる様に
調製した。これを固形物処理装置に通した後に、水とＯ
₂を加えながら触媒層を７００℃に加温した加熱分解装
置に通した。さらに酸性ガス処理装置に通ガスし、処理
後のガスをＦＴ−ＩＲで連続的に測定した。その結果、
１０時間通ガスした時点で、ＣＯ₂のみ６９００ｐｐｍ
検出され、ＣＦ₄、ＳｉＦ₄、ＨＦ、ＣＯはすべて１ｐｐ
ｍ以下に処理されていた。Ｆ₂は別にイオンクロマトグ
ラフで分析したが、不検出であった。

【００２３】実施例５ 実施例４と同じ処理装置や処理条件の下で、ＣＦ₄の替
わりにＣ₂Ｆ₆を導入し、総流量６０Ｌ／ｍｉｎでＮ₂べ
一スにＣ₂Ｆ₆、ＳｉＦ₄、Ｆ₂、ＣＯがそれぞれ０．５
％、０．３％、０．３％、０．３％の濃度になる様に調
製した。これを同処理装置に通ガスし、酸性ガス処理装
置の処理ガスをＦＴ―ＩＲで連続的に測定した。その結
果として、１０時間通ガスしたところで、ＣＯ₂のみ１
１０００ｐｐｍ検出され、Ｃ₂Ｆ₆、ＳｉＦ₄、ＨＦ、Ｃ
Ｏはすべて１ｐｐｍ以下に処理できていた。Ｆ₂は同様
にイオンクロマトグラフで分析したが検出されなかっ
た。

【００２４】

【発明の効果】本発明によれば、半導体製造工程から排
出されるＰＦＣ、酸化性ガス、酸性ガスやＣＯを含む有
害かつ地球温暖化を促進させる排ガスを高い分解率で長
時間処理が行える効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の排ガス処理装置のフロー概略図。

【符号の説明】

１：固形物処理装置、２：γ−アルミナ充填層、３：加
熱分解装置、４：洗浄水循環ポンプ、５：酸性ガス処理
装置、６：ＦＴ−ＩＲ分析装置、７：空気エジェクタ
ー、８：バイパスバルブ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠原 豊司 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 4D002 AA08 AA17 AA22 AA26 AB01 AC10 BA02 BA05 BA14 CA01 CA03 CA07 DA35 DA46 DA54 DA70 EA02 EA05 GA01 GA02 GA03 GB02 GB11 HA02 4D048 AA11 AA13 AB03 AB05 AC01 AC06 AC10 BA03X BA41X BB01 CA04 CC26 CC38 CC53 CD02 DA01 DA02 DA03 DA07 DA08 DA13 4G069 AA02 BA01A BA01B CA02 CA10 CA19 DA06 EA01Y EB14Y EB18Y EC22X EC22Y

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フッ素含有化合物を含む排ガスを、該排
   ガス中の固形物を分離した後に、分解補助ガスとしてＨ
   ₂及び／又はＨ₂Ｏ、あるいは、Ｈ₂及び／又はＨ₂ＯとＯ
   ₂を添加し、６００℃〜９００℃のγ−アルミナと接触
   して加熱分解し、該分解ガスから酸性ガスを除去して処
   理することを特徴とするフッ素含有化合物を含む排ガス
   の処理方法。
2. 【請求項２】 前記フッ素含有化合物を含む排ガスは、
   半導体製造工程から排出されるパーフッ素化合物、フッ
   化炭化水素の他に、酸化性ガス、酸性ガス及びＣＯを含
   む排ガスであることを特徴とする請求項１記載のフッ素
   含有化合物を含む排ガスの処理方法。
3. 【請求項３】 フッ素含有化合物を含む排ガスから固形
   物を分離する固形物処理装置と、該固形物処理装置から
   の排ガスに分解補助ガスとしてＨ₂及び／又はＨ₂Ｏ、あ
   るいは、Ｈ₂及び／又はＨ₂ＯとＯ₂を添加する添加手段
   と、前記分解補助ガスを添加した排ガスを加熱分解する
   ６００℃〜９００℃に加熱したγ−アルミナを充填した
   加熱分解装置と、該加熱分解した排ガスから酸性ガスを
   除去する酸性ガス処理装置と、これらの装置を順次接続
   する経路とを有することを特徴とするフッ素含有化合物
   を含む排ガスの処理装置。
4. 【請求項４】 前記固形物処理装置又は酸性ガス処理装
   置が、水スクラバーであることを特徴とする請求項３記
   載のフッ素含有化合物を含む排ガスの処理装置。
5. 【請求項５】 前記処理装置は、排ガスが通過する装置
   内の圧力を調整する機能を有する空気エジェクターを有
   すると共に、処理ガスの排出濃度を管理するためのＦＴ
   −ＩＲ分析装置を有することを特徴とする請求項３又は
   ４記載のフッ素含有化合物を含む排ガスの処理装置。