KR100832076B1 - 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 처리방법 및처리장치 - Google Patents

플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 처리방법 및처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 개선된 처리장치는 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스로부터 고형물을 분리하는 고형물 처리수단(1)과, 상기 고형물 처리수단으로부터의 배출가스에 분해 분해 보조 가스로서 H2 및/또는 H2O 또는 H2 및/또는 H2O 및 O2를 첨가하는 첨가수단과, 상기 분해 보조 가스가 첨가된 배출가스를 열분해하는 600℃∼900℃로 가열한 γ-알루미나(2)를 충전한 열분해수단(3)과, 상기 열분해한 배출가스로부터 산성가스를 제거하는 산성가스 처리수단(5)과, 이들 수단을 순차적으로 연결하는 경로를 포함하여 이루어진다. 상기 장치는 장치내의 압력을 조절할 수 있는 공기이젝터(7)를 포함하는 것이 바람직하다.

Description

플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 처리방법 및 처리장치{METHOD AND APPARATUS FOR TREATING A WASTE GAS CONTAINING FLUORINE-CONTAINING COMPOUNDS}
도 1은 본 발명의 배출가스 처리장치의 공정도이다.
본 발명은 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 처리에 관한 것이다. 특히, 반도체 제조공장에서, 특히, 제조장치의 내면 등을 드라이클리닝하는 단계 및 C2F6, C3F8, CHF3, SF6, NF3와 같은 할로겐화 탄화수소 및 퍼플루오로탄소(PFCs)가 용착된 각종 막의 에칭 단계에서 배출되는 PFC 외에 F2, Cl2 및 Br2 등의 산화성 가스, HF, HCl, HBr, SiF4, SiCl4, SiBr4 및 COF2 등의 산성가스 및 CO를 효율적으로 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 제조공장에는 여러 종류의 유해가스가 사용되어 잠재적으로 환경을 오염시킬 수 있다. 에칭단계 및 CVD 단계의 전형적인 결과물인 배출가스 중에 함유되는 PFC는 지구온난화의 원인으로 생각되므로, 이를 제거하는 효율적인 시스템의 확립이 급선무이다.
지금까지 PFC의 제거방법으로서 여러 가지 파괴기술이나 회수기술이 제안되어 왔다. 촉매 열분해는 파괴기술의 하나로, Pt 촉매, 제올라이트계 촉매, 활성탄, 활성 알루미나, 알칼리금속, 알칼리토 금속 및 금속산화물 등의 다용도 화합물을 사용한다. 그러나, 이들 촉매 화합물 중 완전히 만족스러운 것은 없다.
반도체 제조공정으로부터 배출되는 배출가스 중에는 PFC 외에 F2, Cl2 및 Br2 등의 산화성 가스, HF, HCl, HBr, SiF4, SiCl4, SiBr4 및 COF2 등의 산성가스 및 CO가 함유되나; 아직도 이들 유해가스를 완전히 효과적으로 처리하는 방법이 확립되어 있지 않다.
F2, Cl2 및 Br2 등의 산화성 가스를 습식처리하고자 하였을 경우, 물만으로는 완전히 처리할 수가 없다. 또한 알칼리제나 환원제를 사용할 경우, 공정 관리 뿐만 아니라 처리장치가 복잡해지고, 또한 처리 비용이 많이 든다.
C0를 제거하기 위해서는 Cu 또는 Mn계 산화제와 같은 산화제로 분해할 필요가 있다. PFC에 대해서는 알루미나를 제거제로서 사용하는 처리방법(일본 특허공개 제 286434호/1998)이 있으며, 이 방법은 산소분자와 C2F6를 접촉시키는 것을 특징으로 하고 있다. 그러나, 알루미나의 수명이 매우 짧고, 100% 분해시의 C2F6의 처리량은 단지 4.8L/L인데다가; C2F6의 분해시에 부산물로 발생하는 CO를 처리하기 위한 아무런 효과적인 해결책을 나타내지 않고 있으며, 또한 PFC와 수반하여 일어 나는 산화성 가스나 산성가스에 대해서도 마찬가지다.
본 발명은 상기 종래 기술을 감안하여, PFC의 분해율이 높아, 장기간 유효하며 또한 배출가스 중에 함유되는 산화성 가스, 산성가스 및 CO를 동시에 유효하게 제거할 수 있는 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 이러한 방법에 필요한 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 첫번째 목적은, 배출가스로부터 고형물을 분리하는 단계, 분해 보조가스로서 H2 및/또는 H2O 또는 H2 및/또는 H2O 및 O2 를 첨가하는 단계, 일반적으로 500∼1000℃, 바람직하게는 600∼900℃, 더욱 바람직하게는 700∼900℃에서 γ-알루미나와 접촉시켜 배출가스를 열분해하는 단계 및 상기 분해된 배출가스로부터 산성가스를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 처리방법으로 달성할 수 있다.
이 방법에 있어서, 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스는 반도체 제조공정으로부터 배출되는 퍼플루오로탄소 및 플루오르화 탄화수소 뿐만 아니라 산화성 가스, 산성가스 및 CO를 함유하는 배출가스일 수 있다.
본 발명의 두번째 목적은, 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스로부터 고형물을 분리하는 고형물 처리수단과, 상기 고형물 처리수단으로부터의 배출가스에 분해 보조가스로서 H2 및/또는 H2O 또는 H2 및/또는 H2O 및 O2를 첨가하는 첨가수단과, 상기 분해 보조가스를 첨가한 배출가스를 열분해하는 600℃∼900℃로 가열한 γ-알루미나를 충전한 열분해수단과, 상기 열분해한 배출가스로부터 산성가스를 제거하는 산성가스 처리수단과, 이들 수단을 순차적으로 연결하는 경로를 포함하여 이루어지는 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 처리장치에 의해 이루어질 수 있다.
상기 처리장치에 있어서, 고형물 처리수단 또는 산성가스 처리수단으로서는 물 스크러버를 사용할 수 있다. 또한 상기 처리장치는 배출가스가 통과하는 장치내의 압력을 조정하는 기능을 가지는 공기이젝터를 갖는 동시에, 처리된 가스의 배출농도를 관리하기 위한 FT-IR 분석기를 가질 수 있다.
본 발명에서는 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스를 처리하는 첫번째 단계는 배출가스를 물 스크러버 등의 고형물 처리수단에 통과시키는 것이다. 그 출구가스를 500∼1000℃, 바람직하게는 600∼900℃, 더욱 바람직하게는 700∼900℃에서 가열된 γ-알루미나로 충전한 열분해수단에, 분해 보조가스로서 H2 및/또는 H2O 또는 H2 및/또는 H2O 및 O2를 첨가하여 통과시켜, PFC, 산화성 가스 및 CO를 산성가스와 CO2로 완전분해한다. 발생하는 산성가스는 물 스크러버 등의 산성가스 처리수단에 의해 제거한다.
본 발명에서는 배출가스가 통과하는 장치내의 압력을 조정할 수 있는 공기이젝터와, 처리된 가스의 배출농도를 관리하기 위한 FT-IR 분석기를 사용할 수 있다.
본 발명을 하기에 상세하게 설명한다. 첫번째 단계에서, PFC, 산화성 가스, 산성가스 및 CO를 함유하는 배출가스를 물 스크러버 등의 고형물 처리수단에 통과시켜, 배출가스 내의 고형물(SiO2 등)뿐만 아니라 다음 단계의 열분해수단내에서 고형화될 우려가 있는 Si 화합물(SiF4, SiCl4, SiBr4 등)을 제거한다. 배출가스를 고형물 처리수단을 통과시키지 않고 직접 열분해수단에 도입하면, 막힘이나 폐색을 일으키는 요인이 되어, 배출가스가 충전된 γ-알루미나층을 원활하게 흐르지 않게 될 우려가 있다. 또 γ-알루미나의 성능을 저하시킬 우려가 있다. 배출가스를 고형물 처리장치에 통과시킴으로써 고형물이나 Si 화합물을 함유하는 산성가스는 제거되기는 하나, F2, Cl2, Br2 등의 산화성 가스의 일부와 PFC, CO는 전량 배출된다.
이어서, 고형물 처리수단으로부터의 배출가스를 열분해수단에 도입하여, 500∼1000℃, 바람직하게는 600∼900℃, 더욱 바람직하게는 700∼900℃로 가열한 γ-알루미나에 접촉시켜 분해한다. 이 때, 분해 보조가스로서 H2 및/또는 H2O; 또는 H2 및/또는 H2O 및 O2를 배출가스에 첨가하여 배출가스의 성분은 다음 반응식에 따라 산성가스 및 CO2로 분해된다:
CF4 + 2H2 + O2 → CO2 + 4HF
CF4 + 2H2O → CO2 + 4HF
F2 + H2 → 2HF
2F2 + 2H2O → 4HF + O2
2CO + O2 → 2CO2
따라서, PFC는 H2와 O2 또는 H2O와 반응하여 CO2와 HF로 분해된다. F2 등의 산성가스는 H2 또는 H2O와 반응하여 다른 산성가스 HF로 분해된다. 일산화탄소(CO)는 CO2로 산화된다.
PFC에 대해서는, PFC 중의 F 원자가 HF가 되는 데에 필요한 몰 수 이상의 H2 또는 H2O와, PFC 중의 C 원자가 CO2가 되는 데에 필요한 몰 수 이상의 O2를 첨가한다. 바람직하게는, 상기한 O2의 최소값에 1몰 첨가한 몰 수 이상의 O2를 도입한다. 산화성 가스에 대해서는, 산화성 가스중의 할로겐원자(X)가 산성가스(HX)가 되는 데에 필요한 몰 수 이상의 H2를 도입한다.
열분해수단으로부터의 배출가스 중에는 산성가스(HX)와 CO2만 존재하고, 후처리에 의해 물 스크러버 등의 산성가스 처리수단으로 처리함으로써 산성가스는 완전히 제거된다.
본 발명에서 사용되는 알루미나는 균질한 세공분포를 갖지 않는 γ-결정 구조를 가질 수 있다. 알루미나의 형상은 특별히 한정하는 것은 아니나, 구형상이 취급이 쉽고 따라서 바람직하다. 배출가스의 통기저항이 과도하게 증가하지 않는 범위라면, γ-알루미나의 입자크기는 가능한 한 미세한 쪽이 좋으며, 0.8mm 내지 2.6mm가 바람직하다. 배출가스의 통기시에 γ-알루미나는 500∼1000℃, 바람직하게는 600∼900℃, 더욱 바람직하게는 700∼900℃에서 유지될 수 있다.
고형물 처리수단 및 산성가스 처리수단은 충전컬럼이나 스프레이컬럼이 바람직하고, 물을 뿌릴 수 있는 구조이면 된다. 열분해수단은 분해 보조가스로서 H2 및/또는 H2O 또는 H2 및/또는 H2O 및 O2를 도입할 수 있는 구조를 가지고 있어야 한다.
도 1은 본 발명의 배출가스 처리장치의 공정도이다. 이 장치는 일반적으로 고형물 처리수단(1), γ-알루미나충전층(2), 열분해수단(3), 세정수 순환펌프(4), 산성가스 처리수단(5), FT-IR 분석기(6), 공기이젝터(7) 및 바이패스 밸브(8)을 포함하여 이루어진다.
PFC, 산화성 가스, 산성 가스 및 CO를 함유하는 배출가스(9)는 먼저 고형물 및 Si 화합물을 제거하기 위해 스프레이 컬럼(고형물 처리 수단)(1)을 통과한다. 그리고 나서, 배출가스는 PFC, 산화성 가스 및 CO를 산성가스 및 CO2로 분해하기 위해 H2, O2 및 H2O가 공급되는 열분해수단(3)을 통과한다. 산성가스는 처리된 가스(10)가 나오는 다음 스프레이 컬럼(산성가스 처리수단)(5)를 통과하여 제거된다.
공기이젝터(7)는 각 처리수단의 압력을 조절하기 위해 설치되고, FT-IR 분석기(6)는 처리된 가스를 모니터하기 위해 제공된다.
스프레이 물(11)은 산성가스 처리수단(5)으로 도입되고, 사용된 물은 세정수 순환펌프(4)에 의해 고형물 처리수단(1)으로 이동하고; 물은 스프레이로 사용된 후 폐수(12)로서 방출된다.
실시예
이하에 본 발명을 실시예에 의하여 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다.
실시예 1
25mmΦ의 석영 컬럼을 높이가 100mm가 되도록 γ-알루미나로 충전하였다. γ-알루미나는 입자크기가 0.8mm인 미즈사와가가쿠제의 시판품(네오비드 GB-08)이었다. 석영 컬럼을 세라믹 전기로에 장착하여 알루미나층을 800℃로 가열하였다.
여기에 N2 가스로 희석한 CF4 외에 분해 보조가스로서 H2 및 O2를, 각각 CF4의 F 원자수에 대하여 H 원자수가 등원자수 이상이 되는 H2 량으로 하고, O2는 도입하는 H2 량의 동일한 몰 이상이 되도록 공급하였다. 이들 가스는 408sccm의 총 유량로 컬럼에 유입되었고, 유입농도는 각각 1% (CF4), 3.0% (H2), 5.7% (O2)이었다.
처리 시스템의 성능을 평가하기 위하여, 출구가스를 정기적으로 분석하고, CF4의 제거율이 98% 이하로 내려간 시점에서 CF4 가스의 통기를 정지하였다. 시스템을 통과한 CF4 의 양으로부터 처리량을 구하였다. CF4 및 다른 가스의 분석은 질량검출기가 부착된 가스 크로마토그래피 장치를 사용하여 수행하였다.
그 결과, 통기를 개시하여 920분 후에 CF4 제거율이 98%로 내려갔다. 이 시점에서, 공급된 CF4의 양으로부터 구한 처리량은 77 L/L이었다. 전체 실험에서 CO의 배출농도는 항상 허용농도(25ppm) 이하였다.
비교예 1
동일한 γ-알루미나를 동일한 양으로 충전하고, 동일한 온도로 가열하여 실시예 1과 동일한 장치를 사용하여 실험을 수행하였다. 총 가스 유량은 408sccm이었고; 공급가스는 N2-희석 CF4 및 SiF4의 혼합물이었고; 그 외에 분해 보조가스로서 H2 및 O2를 각각 CF4 및 SiF4의 총 F 원자수에 대하여 H 원자수가 등원자수 이상이 되는 H2 량으로 하고, O2는 도입하는 H2 량의 동일한 몰 이상이 되도록 공급하였다. 이들 가스는 각각 0.95%(CF4), 0.97%(SiF4), 5.3%(H2) 및 6.0%(O2)의 농도로 컬럼에 도입하였다.
그 결과, CF4/SiF4 가스의 통기를 개시하여 510분 후에 CF4의 제거율이 98% 이하로 내려갔다. 이 때의 처리량은 40L/L로, CF4 가스 단독 통기시에 비하여 처리량이 약 절반이었다. 전체 실험에서, CO의 농도는 항상 허용농도 이하였다.
실시예 2
동일한 γ-알루미나를 동일한 양으로 충전하고, 동일한 온도로 가열하여 실시예 1과 동일한 장치를 사용하여 실험을 수행하였다. 총 가스 유량은 408sccm이었고; 공급가스는 N2-희석 CF4 및 F2의 혼합물이었고, 그 외에 분해 보조가스로서 H2 및 O2를 각각 CF4나 F2의 총 F 원자수에 대하여 H 원자수가 등원자수 이상이 되는 H2 량으로 하고, O2는 도입하는 H2 량의 동일한 몰 이상이 되도록 공급하였다. 이들 가스를 각각 0.92%(CF4), 1.1%(F2), 5.0%(H2) 및 6.0%(O2)의 농도로 컬럼에 유입하였다.
그 결과, CF4/F2 가스의 통기를 개시하고 25시간 후에 CF4의 제거율이 98% 이하로 내려갔다. 이 때의 처리량은 115L/L로, CF4 단독 통기시에 비하여 처리량이 1.51배였다. 전체 실험에서, CO 및 F2의 농도는 항상 허용수준(F2의 허용농도는 1ppm) 이하이며, F2는 HF로 분해되어 있었다.
참고예 1
동일한 γ-알루미나를 동일한 양으로 충전하고, 동일한 온도로 가열하여 실시예 1과 동일한 장치를 사용하여 실험을 수행하였다. 총 가스 유량은 408sccm이었고; N2-희석 CO 외에 O2를 CO가 CO2로 되는 데에 필요한 몰 수 이상이 되는 몰로 공급하였고; 유입농도는 각각 1.4%(CO), 5.7%(O2)이었다. 30분 동안 공급가스가 통기하는 내내, CO의 농도는 항상 검출한계(2ppm) 이하였고; CO의 전량이 CO2로 산화되어 있었다.
비교예 2
동일한 γ-알루미나를 동일한 양으로 충전하고, 동일한 온도로 가열하여 실시예 1과 동일한 장치를 사용하여 실험을 수행하였다. 총 가스 유량은 408sccm이었고; N2-희석 CO 외에 H2O를 CO의 22배에 상당하는 0.090ml/분의 유량로 도입하고; CO의 유입농도는 1.3%이었다.
그 결과, 공급가스의 15분 통기에서 CO가 1000ppm 리크되었다. 명백히, CO의 농도는 H2O의 첨가만으로는 허용농도(25ppm) 이하로 줄일 수 없었다.
참고예 2
동일한 γ-알루미나를 동일한 양으로 충전하고, 동일한 온도로 가열하여 실시예 1과 동일한 장치를 사용하여 실험을 수행하였다. 총 가스 유량은 408sccm이었고; N2-희석 CO 외에 H2O를 CO의 18배에 상당하는 0.090ml/분의 유량로 도입하고, O2를 CO가 CO2로 되는 데에 필요한 몰 수 이상의 몰로 공급하고; CO 및 O2의 유입농도는 각각 1.5%, 3.4% 이었다.
그 결과, 3시간 동안 공급가스 통기 후, CO의 농도는 검출한계(2ppm) 이하로 감소하였다. 명백히, CO는 O2를 첨가함으로써 CO2로 산화되었다.
실시예 3
동일한 γ-알루미나를 동일한 양으로 충전하고, 온도를 700℃로 가열하여 실시예 1과 동일한 장치를 사용하여 실험을 수행하였다. 총 가스 유량은 408sccm이었고; N2-희석 CF4 외에 H2O를 CF4의 14배에 상당하는 O.040ml/분의 유량로 도입하 고, O2는 CF4의 C 원자가 CO2로 되는 데에 필요한 몰 수 이상이 되는 몰로 공급하였고; CF4 및 O2의 유입농도는 각각 0.89%, 3.0% 이었다.
그 결과, 23시간 동안 공급가스 통기 후, CF4의 제거율이 98% 이하로 저하되었다. 이 때의 처리량은 110L/L로, H2 및 O2 첨가시의 CF4 처리량의 1.4배였다. 전체 실험에서, CO의 농도는 허용수준 이하였다.
비교예 3
산화성 가스 및 산성가스의 처리에서 습식공정의 효과를 평가하기 위하여, 물세정컬럼(210mmφ×430mmH/래쉬히링 충전높이 170mm)에 총 배출가스량 60L/분 및 물 스프레이량 3.5L/분을 공급하였다. 배출가스는 유입농도가 각각 110Oppm, 160Oppm 및 510Oppm인 F2, SiF4 및 Cl2으로 만들어졌다. 컬럼의 출구에서 F2, SiF4 및 Cl2는 각각 11ppm, < 1ppm, 및 330Oppm의 농도로 검출되었다. 명백히, SiF4는 효과적으로 처리되었으나, F2 및 Cl2는 리크되었다.
실시예 4
고형물 처리수단으로서 물세정컬럼(210mmφ×430mmH/래쉬히링 충전 높이 170mm)을 사용하였다. 이 컬럼에 예열실과 촉매 충전실을 포함하여 이루어지는 열분해수단 및 물세정컬럼과 동일한 산성가스 처리수단을 결합시켰다. FT-IR 분석기(MATTSON제 Infinity 6000)를 사용하여 산성가스 처리수단의 출구가스를 모니터하였고, 다이토제작소제 공기이젝터를 사용하여 실험 시스템 내의 압력을 조절하였다. 고형물 처리수단 및 산성가스 처리수단에 각각 2L/분 및 4L/분의 유량으로 세정수를 공급하였다. 열분해수단에 10L/분 및 2.4ml/분의 유량으로 공기 및 순수한 물을 공급하였다. 촉매는 15L의 γ-알루미나(미즈사와 가가쿠제/네오비드 GB-08)였다.
배출가스 중의 수분을 제거하기 위하여 FT-IR 분석기의 전단에 가스 드라이어(PERMAPUR제 MD-70-72P)를 설치하였다. 공기이젝터에 30L/분의 유량으로 공기를 공급하여 시스템 내의 압력을 -0.5kPa의 부압(negative value)으로 유지하였다. 배출가스를 60L/분의 유량으로 도입하고, 이는 CF4, SiF4, F2 및 CO를 각각 0.5%, 0.3%, 0.3% 및 0.3%의 농도로 함유하는 N2 베이스로부터 제조하였다. 배출가스를 먼저 고형물 처리수단에 통과시킨 후, 물과 O2를 첨가하면서 촉매층을 700℃로 가온한 열분해수단에 통과시켰다. 또한 배출가스를 산성가스 처리수단에 통기시켜 처리후의 가스를 FT-IR에 의해 연속적으로 분석하였다. 배출가스를 10시간 통기한 후, CO2는 6900ppm 검출되고, CF4, SiF4, HF 및 CO는 각각 1ppm 이하로 처리되어 있었다. F2는 따로 이온 크로마토그래프로 분석하였으나 검출되지 않았다.
실시예 5
CF4 대신에 C2F6을 도입하고, C2F6, SiF4, F2 및 CO를 각각 0.5%, 0.3%, 0.3% 및 0.3%의 농도로 함유하는 N2 베이스로부터 배출가스를 제조한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 조건하에서 동일한 실험장치로 배출가스를 처리하였다. 이 배출가스를 고형물 처리수단, 열분해수단 및 산성가스 처리수단에 통과시켰다.
산성가스 처리수단에서 나온 처리된 가스를 FT-IR로 연속적으로 분석하였다. 배출가스를 1O시간 통기시킨 후, CO2는 11OOOppm 검출되고, C2F6, SiF4, HF 및 CO는 모두 1ppm 이하로 처리되어 있었다. F2는 이온 크로마토그래프로 분석하였으나 검출되지 않았다.
본 발명에 의하면, 반도체제조공정으로부터 배출되는 PFC, 산화성 가스, 산성가스나 CO를 함유하는 유해하면서도 지구온난화를 촉진시키는 배출가스를 높은 분해율로 장시간 처리를 행할 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 배출가스의 처리방법에 있어서,
    퍼플루오로-탄소 및 CO를 함유하는 배출가스로부터 고형물을 분리하는 단계,
    독립적으로 상기 배출 가스에 분해 보조가스로서 H2 및 O2를 첨가함으로써 조정된 배출 가스를 제공하는 단계,
    열분해수단 내에서 500∼1000℃의 온도에서 상기 조정된 배출가스를 γ-알루미나로 구성된 촉매와 접촉시키고, 이로써 상기 퍼플루오로-탄소를 열분해하고 상기 CO가 CO2로 전환되어 상기 조정된 배출 가스 내의 CO의 농도가 25ppm 미만으로 감소되고, 이로써 분해된 배출가스를 제공하는 단계, 그리고
    상기 분해된 배출가스로부터 산성가스를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 배출가스의 처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조정된 배출가스는 600∼900℃의 온도에서 γ-알루미나와 접촉하는 것을 특징으로 하는 배출가스의 처리방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 배출가스로부터 고형물을 분리하는 단계는 산화성 가스, 산성가스 및 CO 뿐만 아니라 퍼플루오로-탄소 및 플루오르화 탄화수소를 함유하는 배출가스로부터 고형물을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배출가스의 처리방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    산화성 가스, 산성가스 및 CO 뿐만 아니라 퍼플루오로-탄소 및 플루오르화 탄화수소를 함유하는 상기 배출가스로부터 고형물을 분리하는 단계는 반도체 제조공정으로부터 공급된 배출가스로부터 고형물을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배출가스의 처리방법.
  5. 반도체 제조공정으로부터의 플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스의 처리장치에 있어서,
    플루오르-함유 화합물을 함유하는 배출가스로부터 고형물 및 Si 화합물을 포함하는 산성가스를 분리하는 고형물 처리수단;
    상기 고형물 처리수단으로부터 방출된 배출가스에 분해 보조가스로서 H2 및 O2, 또는 H2O 및 O2를 첨가하는 첨가수단;
    산성가스 및 CO2 퍼플루오로-탄소로 분해하고, 상기 고형물처리수단으로부터 방출된 가스 및 CO를 산성화하고, 상기 분해보조가스가 첨가되는, 예비가열수단 및 500∼1000℃의 온도로 가열된 γ-알루미나로 충전된 촉매 챔버를 포함하는 열분해수단;
    상기 열분해수단으로부터 방출된 산성가스를 제거하는 산성가스처리수단;
    상기 배출가스를 상기 고형물처리수단으로 공급하는 공급경로;
    상기 고형물처리수단과 상기 열분해수단을 상호연결하는 제1경로 및 상기 열분해수단 및 상기 산성가스처리수단을 상호연결하는 제2경로;
    상기 산성가스처리수단으로부터 처리된 가스를 방출하기 위한 방출경로;
    바이패스밸브의 활성시 상기 배출가스가 상기 고형물처리수단으로 들어가지않고 상기 공급경로에서 상기 방출경로로 전달되도록하는 바이패스밸브를 갖는, 상기 공급경로 및 상기 방출경로를 상호연결하는 바이패스;
    상기 고형물 처리수단, 상기 열분해수단, 상기 산성가스 처리수단, 상기 제1경로 및 제2경로 각각의 네거티브 압력을 유지하기 위해, 상기 방출경로 내에 위치한 공기이젝터; 및
    상기 산성가스 처리수단으로부터 방출된 처리된 가스의 방출밀도를 조절하기 위하여 상기 공기이젝터의 바로 윗부분에 위치한 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 고형물 처리수단 및 상기 산성가스 처리수단 중 어느 하나는 물 스크러버를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  7. 삭제
  8. 제 1항에 있어서, 상기 배출가스를 열분해하는 단계는 상기 배출가스를 700∼900℃의 온도에서 γ-알루미나와 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배출가스의 처리방법.
  9. 제 5항에 있어서, 상기 분석기는 FT-IR 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 FT-IR 분석기는 상기 처리된 가스의 배출농도를 조절하기 위해 상기 산성가스 처리수단으로부터 방출된 처리된 가스를 모니터하기 위한 것을 특징으로 하는 처리장치.
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