JP2001135598A - ウエハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄い半導体チップを形成することができるウ
エハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、
回路基板並びに電子機器を提供することにある。 【解決手段】 ウエハ１０にサポート部材２０を貼り付
けてウエハ１０を補強し、ウエハ１０を切断する。ウエ
ハ１０の裏面１８を研削した後に、ウエハ１０の能動面
１４にサポート部材２０を貼り付ける。サポート部材２
０をチップ２６から剥離した後に、チップ２６を基板３
０に実装する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハのダイシン
グ方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに
電子機器に関する。

【０００２】

【発明の背景】半導体装置の小型化・薄型化に伴い、薄
い半導体チップを形成する方法が開発されている。例え
ば、ウエハの能動面をハーフカットし、ウエハの裏面を
研削することによってウエハを個々の薄い半導体チップ
に分割する方法が知られている。

【０００３】しかし、ハーフカット後のウエハは割れや
すいので、研削する工程に移すにはウエハの取り扱いが
難しい。また、ハーフカットを確実に行うためには、ウ
エハにある程度の厚みが必要となり、元々薄いウエハの
場合にはハーフカットが難しかった。

【０００４】本発明はこの問題点を解決するものであ
り、その目的は、薄い半導体チップを形成することがで
きるウエハのダイシング方法、半導体装置及びその製造
方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係るウエ
ハのダイシング方法は、ウエハにサポート部材を貼り付
けて前記ウエハを補強し、前記サポート部材とともに前
記ウエハを切断することを含む。

【０００６】本発明によれば、ウエハを補強した状態で
切断することができ、ウエハの強度不足による破損を防
止することができる。なお、サポート部材は、ウエハを
補強できる硬さを有するものであれば良い。

【０００７】（２）このウエハのダイシング方法におい
て、前記ウエハの一方の面を研削した後に、前記ウエハ
を切断してもよい。

【０００８】これによれば、ウエハは研削によって薄く
なるが、サポート部材によって補強することができる。
従って、高い歩留まりでダイシングを行うことができ
る。

【０００９】（３）このウエハのダイシング方法におい
て、前記ウエハの第１の面を研削した後に、前記ウエハ
の前記第１の面に前記サポート部材を貼り付けてもよ
い。

【００１０】例えば、ウエハにおける集積回路が形成さ
れた面とは反対側の面（第１の面）を研削し、この研削
された面（第１の面）にサポート部材を貼り付ける。

【００１１】（４）このウエハのダイシング方法におい
て、前記ウエハの第１の面を研削した後に、前記ウエハ
の前記第１の面とは反対側の第２の面に前記サポート部
材を貼り付けてもよい。

【００１２】例えば、ウエハにおける集積回路が形成さ
れた面とは反対側の面（第１の面）を研削し、集積回路
が形成された面（第２の面）にサポート部材を貼り付け
る。

【００１３】（５）このウエハのダイシング方法におい
て、前記ウエハの第１の面に前記サポート部材を貼り付
けた後に、前記ウエハの前記第１の面とは反対側の第２
の面を研削してもよい。

【００１４】例えば、ウエハにおける集積回路が形成さ
れた面（第１の面）にサポート部材を貼り付け、集積回
路が形成された面とは反対側の面（第２の面）を研削す
る。

【００１５】（６）このウエハのダイシング方法におい
て、前記サポート部材を、粘着剤を介して前記ウエハに
貼り付け、前記サポート部材は、前記ウエハよりも前記
粘着剤との粘着力が大きくてもよい。

【００１６】これによれば、後の工程で、ウエハをダイ
シングして得られたチップからサポート部材を剥離する
ときに、粘着剤がチップに残らないようにすることがで
きる。

【００１７】（７）このウエハのダイシング方法におい
て、前記サポート部材を前記ウエハに貼り付ける前に、
前記サポート部材の前記粘着剤との粘着力が、前記ウエ
ハの前記粘着剤との粘着力よりも大きくなるように前記
サポート部材の表面改質加工を施してもよい。

【００１８】これによれば、表面において粘着剤との粘
着力が低い材料であっても、表面改質加工を施すことで
サポート部材として使用することができる。

【００１９】（８）このウエハのダイシング方法におい
て、前記粘着剤は、水剥離性、熱剥離性及び電磁波硬化
剥離性のいずれかの材料であってもよい。

【００２０】これによれば、水、熱及び電磁波のいずれ
かを粘着剤に与えることで、粘着剤を剥離しやすくする
ことができる。

【００２１】（９）本発明に係る半導体装置の製造方法
は、上記ウエハのダイシング方法によって前記ウエハを
切断して得られたチップを基板に実装することを含む。

【００２２】（１０）この半導体装置の製造方法におい
て、前記サポート部材を前記チップから剥離した後に、
前記チップを前記基板に実装してもよい。

【００２３】（１１）この半導体装置の製造方法におい
て、前記チップを前記基板に実装した後に、前記サポー
ト部材を前記チップから剥離してもよい。

【００２４】これによれば、チップには、基板に実装さ
れたときにサポート部材が接着されているので、サポー
ト部材はチップの保護部材にもなる。また、サポート部
材は、チップが基板に実装されてから剥離されるので、
剥離しやすい。

【００２５】（１２）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、ウエハの第１の面を研削する工程と、前記第１の
面にサポート部材を貼り付ける工程と、前記ウエハを、
前記サポート部材とともに切断する工程と、前記ウエハ
を切断して得られたチップを、フェースダウン構造を形
成するように基板に実装する工程と、前記チップから前
記サポート部材を剥離する工程と、を有する。

【００２６】本発明によれば、ウエハを補強した状態で
切断することができ、ウエハの強度不足による破損を防
止することができる。なお、サポート部材は、ウエハを
補強できる硬さを有するものであれば良い。

【００２７】（１３）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、ウエハの第１の面を研削する工程と、前記第１の
面を研削する工程の後に、前記ウエハの前記第１の面と
は反対側の第２の面にサポート部材を貼り付ける工程
と、前記ウエハを、前記サポート部材とともに切断する
工程と、前記ウエハを切断して得られたチップを、フェ
ースアップ構造を形成するように基板に実装する工程
と、前記チップから前記サポート部材を剥離する工程
と、を有する。

【００２８】本発明によれば、ウエハを補強した状態で
切断することができ、ウエハの強度不足による破損を防
止することができる。なお、サポート部材は、ウエハを
補強できる硬さを有するものであれば良い。

【００２９】（１４）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、ウエハの第１の面にサポート部材を貼り付ける工
程と、前記サポート部材を貼り付ける工程の後、前記ウ
エハの前記第１の面とは反対側の第２の面を研削する工
程と、前記ウエハを、前記サポート部材とともに切断す
る工程と、前記ウエハを切断して得られたチップを、フ
ェースアップ構造を形成するように基板に実装する工程
と、前記チップから前記サポート部材を剥離する工程
と、を有する。

【００３０】本発明によれば、ウエハを補強した状態で
切断することができ、ウエハの強度不足による破損を防
止することができる。なお、サポート部材は、ウエハを
補強できる硬さを有するものであれば良い。

【００３１】（１５）本発明に係る半導体装置は、上記
方法で製造されてなる。

【００３２】（１６）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が実装されてなる。

【００３３】（１７）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面を参
照して詳細に説明する。本発明は、ウエハを研削してか
らこれにサポート部材を貼り付ける場合（第１、２、４
及び５の実施の形態）と、ウエハにサポート部材を貼り
付けてからウエハを研削する場合（第３及び６の実施の
形態）と、を含む。

【００３５】本発明は、サポート部材をウエハの裏面に
貼り付ける場合（第１及び２の実施の形態）と、サポー
ト部材をウエハの能動面に貼り付ける場合（第３〜６の
実施の形態）と、を含む。

【００３６】本発明は、サポート部材をチップから剥離
してからチップを基板に実装する場合（第１、５及び６
の実施の形態）と、チップを基板に実装してからサポー
ト部材をチップから剥離する場合（第２、３及び４の実
施の形態）と、を含む。サポート部材のチップからの剥
離が先であれば、チップの実装にはフェースアップ構造
及びフェースダウン構造のいずれでも適用することが可
能である（第１、５及び第６の実施の形態）。サポート
部材が貼り付けられたままチップを基板に実装するとき
には、サポート部材がチップの能動面に貼り付けられて
おりフェースアップ構造を形成する場合（第３及び４の
実施の形態）と、サポート部材がチップの裏面に貼り付
けられておりフェースダウン構造を形成する場合（第２
の実施の形態）と、を含む。

【００３７】（第１の実施の形態）図１（Ａ）〜図１
（Ｅ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態
では、ウエハを切断するときに、本発明に係るウエハの
ダイシング方法を適用する。ウエハのダイシング方法
は、チップの製造方法でもある。

【００３８】図１（Ａ）に示すウエハ１０は、シリコン
などの半導体からなる半導体ウエハであり、一方の面に
複数の集積回路（ＬＳＩ回路パターン等）や複数のパッ
ドが形成されている。ウエハ１０は、各集積回路ごとに
切断されてチップ（ベアチップ）が得られる。

【００３９】本実施の形態では、ウエハ１０の研削（裏
面研削）工程を行う。図１（Ａ）には、研削工程として
ラッピングの例を示す。ラッピング台（研磨盤）１２の
上にウエハ１０を配置する。ウエハ１０の能動面（集積
回路が形成された面）１４は、予め保護フィルム（保護
テープ）等によって保護されていてもよい。

【００４０】ラッピング台１２とウエハ１０との間に、
研磨剤１６を介在させる。研磨剤１６は、ウエハ１０の
裏面（集積回路が形成された面とは反対側の面）１８に
接触する。研削工程において、ウエハ１０の厚みが所定
の厚さとなるよう、ウエハ１０の裏面１８を研磨剤１６
により研磨する。例えば、ウエハ１０の厚みが約５０μ
ｍ程度となるまで研磨を行うが、その薄さは特に限定さ
れない。研削工程は、ラッピングの他に、グラインディ
ングや化学的エッチングによって行ってもよい。

【００４１】そして、ウエハ１０の研磨を行った後に、
図１（Ｂ）に示すようにサポート部材２０をウエハ１０
に貼り付ける。サポート部材２０は、少なくとも一定形
状を維持する硬さを有する。ウエハ１０にサポート部材
２０を貼り付けることにより、薄型化したウエハ１０を
補強することができる。サポート部材２０として、ウエ
ハ１０と同質の材料を用いることで、サポート部材２０
がウエハ１０と同程度の強度を有してもよい。例えば、
ウエハ１０の材料がシリコンである場合には、サポート
部材２０には、シリコンやガラスを用いてもよい。ま
た、サポート部材２０の材料としてはこれに限られるも
のではなく、セラミックや、ガラスエポキシ、ポリイミ
ド樹脂等の有機材料でも良い。

【００４２】本実施の形態においては、薄型化したウエ
ハ１０にサポート部材２０を貼り付けることにより、ウ
エハ１０の厚みを擬似的に増加させているということも
できる。例えば、約５０μｍの薄さのウエハ１０が、約
２００〜３００μｍ以上の厚みのウエハと同程度の強度
を有することになる。なお、サポート部材２０をウエハ
１０に貼り付けた状態において、ウエハ１０が切断可能
な強度を確保できるのであれば、ウエハ１０及びサポー
ト部材２０の合計の厚さは限定されない。

【００４３】ウエハ１０とサポート部材２０とは、粘着
剤２２を介して貼り付けてもよい。例えば、ウエハ１０
の研削された面（裏面１８）に、粘着剤２２を介してサ
ポート部材２０を貼り付ける。粘着剤２２として、シー
ト状のものを用いても良いし、ペースト状のものを用い
ても良い。

【００４４】粘着剤２２は、後の工程で、少なくともウ
エハ１０から剥離できる材料であることが好ましい。剥
離が可能であれば、粘着剤２２は、硬化する材料すなわ
ち接着剤（接着材料）であってもよい。接着剤は、接着
時には接着力を保つとともに一定処理により容易に剥離
可能な性質を有することが好ましい。接着剤として、水
剥離性接着部材、熱剥離性接着部材、電磁波硬化剥離性
接着部材（紫外線剥離性接着部材、光硬化剥離性接着部
材、電子線硬化剥離性部材等）などを使用してもよい。
水剥離性の接着部材としては、水溶性の部材、例えばア
ムレコプロダクツ社の仮付け接着剤を使用することがで
きる。熱剥離性接着部材としては、熱を与えると接着表
面から発泡して剥離する性質を有するものを用いること
ができる。熱剥離性接着剤としては、日東電工（株）の
リバアルファ（登録商標）シリーズを使用することがで
きる。電磁波硬化剥離性接着部材としては、紫外線、
光、電子線などを照射することにより樹脂硬化が進み、
粘着力が低下するものなどがある。

【００４５】粘着剤２２は、ウエハ１０から剥離しやす
いが、サポート部材２０から剥離しにくいことが好まし
い。このような粘着剤２２によれば、ウエハ１０からサ
ポート部材２０を剥離したときに、粘着剤２２がサポー
ト部材２０に付着してウエハ１０に残らない。ウエハ１
０とサポート部材２０とが異なる性質を有する場合に
は、このような特性を有する粘着剤２２を選択すればよ
い。

【００４６】あるいは、サポート部材２０における粘着
剤２２との粘着力（接着力）を強化するために、サポー
ト部材２０に表面改質加工を施してもよい。詳しくは、
サポート部材２０における粘着剤２２が設けられる面
（ウエハ１０に貼り付けられる面）に表面改質加工を施
す。表面改質加工の一つとして、サポート部材２０の表
面の粗化処理がある。粗化処理は、表面を研磨するとい
った物理的処理によって行っても良いし、表面を酸化さ
せたり、表面を親水化処理（シランカップリング処理や
プライマー処理等）するといった化学的処理により行っ
ても良い。

【００４７】粗化処理により、サポート部材２０の粘着
剤２２との粘着力（接着力）を、ウエハ１０に比して強
化する。こうすることで、サポート部材２０をチップ２
６から分離する際に、粘着剤２２を、サポート部材２０
とともにチップ２６から剥離させることができる。

【００４８】次に、図１（Ｃ）に示すように、ウエハ１
０を切断する（ダイシング工程）。すなわち、サポート
部材２０に接着されたウエハ１０を、ダイシングソー２
４などにより切断する。上述したように本実施の形態に
おいては、薄型化したウエハ１０をサポート部材２０と
接着したことにより補強している。このため、ダイシン
グ工程におけるウエハ１０の強度不足によるウエハの破
損（ヒビ、欠け、割れ等）を防止することができる。な
お、ダイシング時にウエハ１０を固定するために、ウエ
ハ１０にウエハシートが貼り付けられているとしても、
ウエハシートは、ウエハ１０を補強する強度を有してお
らず、一定の形状を維持しない材料からなるので、サポ
ート部材２０ではない。

【００４９】そして、ウエハ１０を複数（図１（Ｄ）に
は１つのみを示す）のチップ（ベアチップ）２６に切断
する。チップ（例えば半導体チップ）２６の平面形状は
一般的には矩形である。チップ２６の一方の面に、複数
のパッドが形成されている。パッドは、チップ２６の面
の少なくとも１辺（多くの場合、２辺又は４辺）に沿っ
て並んでいる。パッドは、アルミニウムなどで薄く平ら
に形成されている。パッドの少なくとも一部を避けてチ
ップ２６には、パッシベーション膜（図示しない）が形
成されている。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ
₂、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成することができ
る。

【００５０】なお、ウエハ１０に形成されたパッドにバ
ンプを形成してから、ウエハ１０を切断してもよい。こ
れにより得られるチップ２６を、フリップチップとして
使用することができる。

【００５１】チップ２６からサポート部材２０を分離
（剥離）する。粘着剤２２が水剥離性接着部材である場
合には、水を粘着剤２２に与えることで、サポート部材
２０とチップ２６とを分離させることができる。この場
合、水を与えるまではサポート部材２０とチップ２６と
の接続状態は持続するため、チップの取り扱い（製造の
操作）が容易である。

【００５２】粘着剤２２が熱剥離性接着部材である場合
には、ダイシング工程後においてチップを加熱処理する
ときの熱を利用してもよい。そして、熱剥離性接着部材
を発泡させることにより、熱剥離性接着部材の接着面積
を減少させてチップ２６とサポート部材２０との分離を
行うことができる。これによれば、チップ２６とサポー
ト部材２０との分離に、特別な工程を設けることなく処
理できるため、処理の効率化を図ることができる。

【００５３】粘着剤２２が電磁波硬化剥離性接着部材で
ある場合には、サポート部材２０として、ガラス等の電
磁波を透過させる性質を有するものを使用し、サポート
部材２０を通して電磁波を粘着剤２２に照射してもよ
い。紫外線剥離、光や電子線などによる剥離は低コスト
で行えるというメリットがある。

【００５４】本実施の形態においては、サポート部材２
０の表面（ウエハ１０との接着面）を粗化処理してある
ため、サポート部材２０に対する粘着剤２２の粘着力
（接着力）が、ウエハ１０に対する粘着剤２２の粘着力
（接着力）に比して強化されている。このため、サポー
ト部材２０をチップ２６から分離させる際に、粘着剤２
２をサポート部材２０と一体的にチップ２６から剥離さ
せることができ、チップ２６に粘着剤２２が残存するこ
とを防止できる。

【００５５】そして、図１（Ｅ）に示すように、チップ
２６の実装を行う。本実施の形態では、フェースアップ
構造及びフェースダウン構造のいずれを形成してもよ
い。フェースアップ構造を形成するときには、チップ２
６の能動素子が形成された面を上方（基板３０とは反対
方向）に向けて、基板３０にチップ２６を搭載する。基
板３０とチップ２６とは、図示しない接着剤によって接
着してもよい。

【００５６】本実施の形態では、チップ２６の電極（パ
ッド）と、基板３０に形成された配線パターン３８と
を、ワイヤ３２で電気的に接続する（ワイヤボンディン
グ）。変形例として、チップ２６のパッドにバンプを設
け、リード（インナーリード）をバンプに接合してもよ
い。その場合、ギャングボンディング及びシングルポイ
ントボンディング、フェイスダウンボンディングのいず
れを適用してもよい。

【００５７】また、チップ２６の周囲を、樹脂などの封
止材３４にて封止する。封止材３４は、チップ２６の表
面や、パッド又は配線パターン３８とワイヤ３２との電
気的な接続部などを保護する。基板３０には、例えばチ
ップ２６の搭載面の反対側の面に、外部端子（例えば半
田ボール）３６を設けてもよい。

【００５８】こうして得られた半導体装置は、薄型（例
えば厚み５０μｍ）のチップ２６を有する。チップ２６
は、擬似厚みを保持させていたサポート部材２０から分
離されている。このため、チップ２６を用いる電子機器
の厚さを薄くでき、厚さ方向に重ねるスペースができる
ので、実装密度を高くすることができる。従って、高性
能な半導体装置や電子機器を製造することが可能とな
る。

【００５９】以上説明したように、本実施の形態では、
薄型化（例えば５０μｍ程度）されたウエハ１０にサポ
ート部材２０を接着することにより、ウエハ１０の厚み
を擬似的に増加させることができ、ウエハ１０の厚み方
向強度を補強させることができる。そして、ダイシング
工程において、ウエハ１０を補強して切断することがで
きるので、強度不足によるウエハ１０の破損を防止させ
ることができ、薄型のチップ２６を高い歩留まりで製造
することができる。

【００６０】（第２の実施の形態）図２（Ａ）及び図２
（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態
では、第１の実施の形態の図１（Ａ）〜図１（Ｃ）まで
の工程を行って、サポート部材２０が貼り付けられたチ
ップ２６を得る。ただし、本実施の形態では、チップ２
６がフリップチップ（パンプが設けられたチップ）であ
ることが好ましい。したがって、ウエハ１０にバンプ２
８を形成してからこれをダイシングするか、ウエハ１０
をダイシングしてからチップ２６にバンプ２８を設け
る。

【００６１】そして、図２（Ａ）に示すように、フェー
スダウン構造を形成するように、チップ２６を基板３０
に実装する。すなわち、チップ２６の表面（バンプ２８
が設けられた面）を基板３０に向けて、基板３０にチッ
プ２６を搭載する。

【００６２】基板３０とチップ２６とは、接着剤４０に
よって接着する。接着剤４０は、液状又はゲル状の接着
剤であってもよいし、シート状の接着シートであっても
よい。接着剤４０は、エポキシ樹脂を主な材料とするも
のであってもよい。接着剤４０は、絶縁性のものであっ
てもよい。このような接着剤４０は、他の実施の形態で
も使用することができる。

【００６３】本実施の形態では、接着剤４０中に、被接
続体同士の電気的な接続性能を向上させるために、導電
性物質を含んでいてもよい。導電性物質は、例えば、ロ
ウ材、ハンダ等の粒子で構成され、それらが接着材料中
に分散している。こうすることで、被接続体同士の接合
時に、その粒子が接合のロウとして働き、接合性をさら
に著しく向上することができる。

【００６４】接着剤４０は、導電粒子が分散された異方
性導電接着剤（ＡＣＡ）、例えば異方性導電膜（ＡＣ
Ｆ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）であってもよい。
異方性導電接着剤は、バインダに導電粒子（フィラー）
が分散されたもので、分散剤が添加される場合もある。
異方性導電接着剤のバインダとして、熱硬化性の接着剤
が使用されることが多い。その場合には、配線パターン
３８とバンプ２８との間に、導電粒子が介在して両者間
の電気的な接続が図られる。

【００６５】絶縁性の接着剤４０の収縮力を利用して、
配線パターン３８とバンプ２８とを直接的に接合すると
ともに、接着剤４０にて基板３０とチップ２６とを接着
してもよい。配線パターン３８に導電性突起（バンプ）
が形成されていれば、電気的な接続の信頼性を向上する
ことができる。

【００６６】配線パターン３８とバンプ２８との電気的
な接続には、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ハンダなどによ
る金属接合を適用してもよい。金属接合は、配線パター
ン３８とバンプ２８との接触した部分に形成される。例
えば、配線パターン３８及びバンプ２８の接触する部分
に、熱のみ、超音波振動のみ、あるいは超音波振動及び
熱などを印加して両者を接合する。接合されると、振動
や熱によって配線パターン３８及びバンプ２８を構成す
る材料が拡散して金属接合が形成される。

【００６７】以上の説明では、チップ２６にバンプ２８
を設けたが、チップ２６にバンプ２８を設けずに、配線
パターン３８にバンプを設けてもよい。

【００６８】実装工程で、チップ２６に貼り付けられて
いるサポート部材２０は、チップ２６の実装面とは反対
側（外側）に配置されている。このため、実装工程でも
チップ２６の強度を補強させることができる。また、チ
ップ２６を基板３０に対して押圧するときに、サポート
部材２０が緩衝材又は保護材の役目を果たす。例えば、
サポート部材２０を介してコレットがチップ２６を押圧
するので、チップ２６の破損を防止できる。

【００６９】そして、上記実装工程を行った後に、図２
（Ｂ）に示すように、チップ２６からサポート部材２０
を分離（剥離）する工程を行う。すなわち、粘着剤２２
をサポート部材２０とともにチップ２６から分離させ
る。詳しくは、第１の実施の形態で、図１（Ｄ）を参照
して説明した通りである。もしくは、上記の実装工程で
サポート部材２０の分離性能が阻害されない程度の工程
を施し、サポート部材２０を分離した後、実装を完結さ
せるようにしてもよい。例えば、実装工程で加熱が必要
であれば、チップ２６を基板３０に仮固定できるくらい
の加熱をしておき、サポート部材２０を分離後、最終的
な加熱を行うようにしてもよい。さらに、フェイスダウ
ンボンディングに加熱が必要であれば、フェイスダウン
ボンディングの加熱と、加熱によるサポート部材２０の
分離とを兼ねて行うようにしてもよい。

【００７０】その後、必要であれば、基板３０には、例
えばチップ２６の搭載面の反対側の面に、外部端子（例
えば半田ボール）３６を設けてもよい。こうして、図２
（Ｂ）に示すように、半導体装置が得られる。

【００７１】以上説明したように、フェイスダウンボン
ディングを適用して半導体装置の製造を行う場合には、
チップ２６の強さを補強した状態で実装処理を行うこと
ができる。このため、チップの薄型化で問題となってい
た強度不足による破損を実装工程においても防止させる
ことができ、半導体装置の製造歩留まりをより高くする
ことができる。

【００７２】（第３の実施の形態）図３（Ａ）〜図３
（Ｅ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明する図である。

【００７３】本実施の形態では、図３（Ａ）に示すよう
に、ウエハ１０にサポート部材２０を貼り付けてから、
ウエハ１０を研削する。詳しくは、ウエハ１０における
集積回路等が形成された面（能動面１４）にサポート部
材２０を貼り付けて、その裏面１８を研削する。こうす
ることで、能動面１４を保護しながらウエハ１０の研削
を行うことができる。また、サポート部材２０が能動面
１４を保護するので、保護テープが不要になる。上記点
を除き、本実施の形態にも、第１の実施の形態で説明し
た内容が該当する。

【００７４】こうして、図３（Ｂ）に示すように、サポ
ート部材２０が貼り付けられた薄型のウエハ１０が得ら
れ、これを図３（Ｃ）に示すようにダイシングする。そ
の詳細については、第１の実施の形態で説明した通りで
ある。

【００７５】次に、図３（Ｄ）に示すように、サポート
部材２０が貼り付けられたチップ２６を、フェースアッ
プ構造を形成するように基板３０に搭載する。詳しく
は、チップ２６におけるサポート部材２０が貼り付けら
れた面とは反対側の面（研削された面）を、基板３０に
向けて、チップ２６を基板３０に搭載する。その詳細に
ついては、サポート部材２０が貼り付けられている点を
除き、第１の実施の形態で図１（Ｅ）を参照して説明し
た内容が該当する。

【００７６】そして、サポート部材２０をチップ２６か
ら剥離する。その詳細については、チップ２６が基板３
０に取り付けられている点を除き、第１の実施の形態で
図１（Ｄ）を参照して説明した内容が該当する。

【００７７】その後、第１の実施の形態で図１（Ｅ）を
参照して説明したように、必要に応じて、ワイヤ３２等
を使用した電気的な接続を行い、封止材３４を設け、外
部端子３６を設ける。

【００７８】本実施の形態によれば、サポート部材２０
をウエハ１０に貼り付けて、このウエハ１０を研削する
ので、研削工程においてもウエハ１０を補強することが
できる。ダイシング工程における効果については、第１
の実施の形態で説明した通りであり、チップ２６の実装
工程における効果については、第２の実施の形態で説明
した通りである。

【００７９】（第４の実施の形態）図４は、本発明を適
用した第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を
説明する図である。

【００８０】本実施の形態では、図１（Ａ）に示すよう
にウエハ１０を研削した後に、図４に示すように、ウエ
ハ１０にサポート部材２０を貼り付ける。サポート部材
２０は、第１の実施の形態（図１（Ｂ）参照）とは反対
側に貼り付ける。すなわち、サポート部材２０を、ウエ
ハ１０の能動面１４に貼り付ける。その後の工程は、第
３の実施の形態（図３（Ｃ）〜図３（Ｅ）参照）で説明
した通りである。

【００８１】本実施の形態でも、研削工程については第
１の実施の形態で説明した効果が得られ、実装工程につ
いては第３の実施の形態で説明した効果が得られる。

【００８２】（第５の実施の形態）本実施の形態では、
ウエハを研削してからこれにサポート部材を貼り付けて
ダイシングし、チップからサポート部材を剥離してか
ら、チップを実装する。第４の実施の形態と異なるの
は、チップの実装前にサポート部材を剥離する点であ
る。

【００８３】すなわち、図１（Ａ）に示すようにウエハ
１０の裏面１８を研削し、図４に示すようにウエハ１０
の能動面１４にサポート部材２０を貼り付け、図３
（Ｃ）に示すようにダイシングする。そして、図１
（Ｄ）に示すように、チップ２６からサポート部材２０
を剥離して、チップ２６を基板３０に実装する。なお、
チップ２６は、フェースアップ構造及びフェースダウン
構造のいずれを形成するように実装されてもよい。

【００８４】本実施の形態でも、第１の実施の形態で説
明した効果を達成することができる。

【００８５】（第６の実施の形態）本実施の形態では、
ウエハの能動面にサポート部材を貼り付けてから、ウエ
ハを研削してダイシングし、サポート部材を剥離してか
らチップを基板に実装する。第３の実施の形態と異なる
のは、サポート部材を剥離してからチップを基板に実装
する点である。

【００８６】すなわち、図３（Ａ）に示すように、ウエ
ハ１０の能動面１４にサポート部材２０を貼り付け、図
３（Ｃ）に示すようにダイシングする。そして、図１
（Ｄ）に示すように、チップ２６からサポート部材２０
を剥離して、チップ２６を基板３０に実装する。なお、
チップ２６は、フェースアップ構造及びフェースダウン
構造のいずれを形成するように実装してもよい。

【００８７】本実施の形態でも、第１及び第３の実施の
形態で説明した効果を達成することができる。

【００８８】図５には、本発明の実施の形態に係る半導
体装置１を実装した回路基板１０００が示されている。
半導体装置１は、上述した実施の形態で説明した方法で
得られたチップを含み、パッケージ化されていてもよい
し、チップにバンプが形成されたフリップチップであっ
てもよい。回路基板１０００には、例えばガラスエポキ
シ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回
路基板１０００には、例えば銅からなる配線パターンが
形成されている。配線パターンのボンディング部（例え
ばランド）と半導体装置１の外部電極とを機械的に接続
することでそれらの電気的導通が図られる。

【００８９】なお、パッケージ化された半導体装置１
は、実装面積をベアチップ（フリップチップ）にて実装
する面積にまで小さくすることができる。この回路基板
１０００を電子機器に用いれば電子機器自体の小型化が
図れる。また、同一面積内においては、より実装スペー
スを確保することができ、高機能化を図ることも可能で
ある。

【００９０】半導体装置１又は回路基板１０００を備え
る電子機器として、図６にノート型パーソナルコンピュ
ータ２０００が示され、図７には携帯電話器３０００が
示されている。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｅ）は、本発明を適用した
第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図
である。

【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｂ）は、本発明を適用した
第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図
である。

【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｅ）は、本発明を適用した
第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図
である。

【図４】図４は、本発明を適用した第４の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を示す図である。

【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置が実装された回路基板を示す図である。

【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。

【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。

【符号の説明】

１０ ウエハ １４ 能動面 １６ 裏面 ２０ サポート部材 ２２ 粘着剤 ２６ チップ ３０ 基板

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハにサポート部材を貼り付けて前記
   ウエハを補強し、前記サポート部材とともに前記ウエハ
   を切断することを含むウエハのダイシング方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のウエハのダイシング方法
   において、 前記ウエハの一方の面を研削した後に、前記ウエハを切
   断するウエハのダイシング方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載のウエハのダイシング方法
   において、 前記ウエハの第１の面を研削した後に、前記ウエハの前
   記第１の面に前記サポート部材を貼り付けるウエハのダ
   イシング方法。
4. 【請求項４】 請求項２記載のウエハのダイシング方法
   において、 前記ウエハの第１の面を研削した後に、前記ウエハの前
   記第１の面とは反対側の第２の面に前記サポート部材を
   貼り付けるウエハのダイシング方法。
5. 【請求項５】 請求項２記載のウエハのダイシング方法
   において、 前記ウエハの第１の面に前記サポート部材を貼り付けた
   後に、前記ウエハの前記第１の面とは反対側の第２の面
   を研削するウエハのダイシング方法。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
   のウエハのダイシング方法において、 前記サポート部材を、粘着剤を介して前記ウエハに貼り
   付け、 前記サポート部材は、前記ウエハよりも前記粘着剤との
   粘着力が大きいウエハのダイシング方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載のウエハのダイシング方法
   において、 前記サポート部材を前記ウエハに貼り付ける前に、前記
   サポート部材の前記粘着剤との粘着力が、前記ウエハの
   前記粘着剤との粘着力よりも大きくなるように前記サポ
   ート部材の表面改質加工を施すウエハのダイシング方
   法。
8. 【請求項８】 請求項６又は請求項７記載のウエハのダ
   イシング方法において、 前記粘着剤は、水剥離性、熱剥離性及び電磁波硬化剥離
   性のいずれかの材料であるウエハのダイシング方法。
9. 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれかに記載
   されたウエハのダイシング方法によって前記ウエハを切
   断して得られたチップを基板に実装することを含む半導
   体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
    において、 前記サポート部材を前記チップから剥離した後に、前記
    チップを前記基板に実装する半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
    において、 前記チップを前記基板に実装した後に、前記サポート部
    材を前記チップから剥離する半導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 ウエハの第１の面を研削する工程と、 前記第１の面にサポート部材を貼り付ける工程と、 前記ウエハを、前記サポート部材とともに切断する工程
    と、 前記ウエハを切断して得られたチップを、フェースダウ
    ン構造を形成するように基板に実装する工程と、 前記チップから前記サポート部材を剥離する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 ウエハの第１の面を研削する工程と、 前記第１の面を研削する工程の後に、前記ウエハの前記
    第１の面とは反対側の第２の面にサポート部材を貼り付
    ける工程と、 前記ウエハを、前記サポート部材とともに切断する工程
    と、 前記ウエハを切断して得られたチップを、フェースアッ
    プ構造を形成するように基板に実装する工程と、 前記チップから前記サポート部材を剥離する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 ウエハの第１の面にサポート部材を貼
    り付ける工程と、 前記サポート部材を貼り付ける工程の後、前記ウエハの
    前記第１の面とは反対側の第２の面を研削する工程と、 前記ウエハを、前記サポート部材とともに切断する工程
    と、 前記ウエハを切断して得られたチップを、フェースアッ
    プ構造を形成するように基板に実装する工程と、 前記チップから前記サポート部材を剥離する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項９から請求項１４のいずれかに
    記載された方法で製造されてなる半導体装置。
16. 【請求項１６】 請求項１５記載の半導体装置が実装さ
    れてなる回路基板。
17. 【請求項１７】 請求項１５記載の半導体装置を有する
    電子機器。