JP2001130003A - 液体吐出ヘッド用基板ユニットおよびその製造方法ならびに液体吐出ヘッド，カートリッジおよび画像形成装置 - Google Patents
液体吐出ヘッド用基板ユニットおよびその製造方法ならびに液体吐出ヘッド，カートリッジおよび画像形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気熱変換素子を覆う保護層を薄くすること
が種々の要因から困難であって耐久性に乏しく、インク
の急速加熱による発泡安定性を向上させることができな
い。 【解決手段】 基板１１に形成された電気熱変換素子１
８と、この電気熱変換素子１８に導通するように基板１
１に形成される一対の電極配線１４ａ，１４ｂと、基板
１１の全域に形成されて電極配線１４ａ，１４ｂおよび
電気熱変換素子１８を覆う２６００〜３４００Åの厚み
の第１保護層１７と、この第１保護層１７の表面に形成
されて前記電気熱変換素子１８およびこれと電極配線１
４ａ，１４ｂとの接続部を覆う第２保護層１６とを具
え、電極配線１４ａ，１４ｂの厚みを１８００〜２４０
０Åの範囲に収め、第２保護層１６によって覆われてい
ない第１保護層１７の部分の厚みを第２保護層１６によ
って覆われた第１保護層１７の部分の厚みよりも薄くし
た。
が種々の要因から困難であって耐久性に乏しく、インク
の急速加熱による発泡安定性を向上させることができな
い。 【解決手段】 基板１１に形成された電気熱変換素子１
８と、この電気熱変換素子１８に導通するように基板１
１に形成される一対の電極配線１４ａ，１４ｂと、基板
１１の全域に形成されて電極配線１４ａ，１４ｂおよび
電気熱変換素子１８を覆う２６００〜３４００Åの厚み
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０Åの範囲に収め、第２保護層１６によって覆われてい
ない第１保護層１７の部分の厚みを第２保護層１６によ
って覆われた第１保護層１７の部分の厚みよりも薄くし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液体を吐出するた
めの液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニットおよびそ
の製造方法ならびにこの基板ユニットを組み込んだ液体
吐出ヘッド、この液体吐出ヘッドと当該液体吐出ヘッド
に供給される液体を貯溜するための液体タンクとを一体
化したカートリッジおよびプリント媒体に画像を形成す
るための画像形成装置に関し、一般的なプリント装置の
ほか、複写機や通信システムを有するファクシミリ、プ
リント部を有するワードプロセッサなどの装置、さらに
は各種処理装置と複合的に組み合わされた産業用記録装
置に適用可能なほか、捺染装置やエッチングなどの加工
装置にも応用することができる。
めの液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニットおよびそ
の製造方法ならびにこの基板ユニットを組み込んだ液体
吐出ヘッド、この液体吐出ヘッドと当該液体吐出ヘッド
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化したカートリッジおよびプリント媒体に画像を形成す
るための画像形成装置に関し、一般的なプリント装置の
ほか、複写機や通信システムを有するファクシミリ、プ
リント部を有するワードプロセッサなどの装置、さらに
は各種処理装置と複合的に組み合わされた産業用記録装
置に適用可能なほか、捺染装置やエッチングなどの加工
装置にも応用することができる。
【０００２】なお、本明細書において、「プリント」ま
たは「記録」とは、文字や図形など有意の情報を形成す
る場合のみならず、有意無意を問わず、また人間が視覚
で知覚し得るように顕在化したものであるか否かを問わ
ず、広くプリント媒体上に画像，模様，パターンなどの
形成、あるいはエッチングなどの加工をも含む。
たは「記録」とは、文字や図形など有意の情報を形成す
る場合のみならず、有意無意を問わず、また人間が視覚
で知覚し得るように顕在化したものであるか否かを問わ
ず、広くプリント媒体上に画像，模様，パターンなどの
形成、あるいはエッチングなどの加工をも含む。
【０００３】また、「プリント媒体」とは、一般的なプ
リント装置で用いられる紙片のみならず、布帛，プラス
チックフィルム，金属板，ガラス，セラミックス，木
材，皮革など、インクを受容可能なものであり、シート
状物体以外の三次元立体、例えば球体や円筒体などもそ
の対象となる。
リント装置で用いられる紙片のみならず、布帛，プラス
チックフィルム，金属板，ガラス，セラミックス，木
材，皮革など、インクを受容可能なものであり、シート
状物体以外の三次元立体、例えば球体や円筒体などもそ
の対象となる。
【０００４】さらに、「液体」とは、上記「プリント
（または記録）」の定義と同様広く解釈されるべきもの
であり、プリント媒体に付与されることによって、画
像，模様，パターンなどの形成、またはプリント媒体の
エッチング加工、あるいはインクの処理（例えばプリン
ト媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶
化）などに供されるものを含む。
（または記録）」の定義と同様広く解釈されるべきもの
であり、プリント媒体に付与されることによって、画
像，模様，パターンなどの形成、またはプリント媒体の
エッチング加工、あるいはインクの処理（例えばプリン
ト媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶
化）などに供されるものを含む。
【０００５】
【従来の技術】現在知られている各種のプリント法のな
かでも、プリント時に騒音の発生がほとんどないノンイ
ンパクトプリント方法であってかつ高速プリントが可能
であり、しかも普通紙に特別の定着処理を必要とせずに
プリントを行えるいわゆる液体噴射プリント法（以下、
インクジェットプリント法と呼称する）は、極めて有用
なプリント方法である。
かでも、プリント時に騒音の発生がほとんどないノンイ
ンパクトプリント方法であってかつ高速プリントが可能
であり、しかも普通紙に特別の定着処理を必要とせずに
プリントを行えるいわゆる液体噴射プリント法（以下、
インクジェットプリント法と呼称する）は、極めて有用
なプリント方法である。
【０００６】このインクジェットプリント法は、インク
やプリント媒体に対するインクのプリント性を調整する
ための処理液（以下、本明細書ではこれらをまとめて便
宜的にインクと呼称する）などのインク滴を種々の作用
原理で飛翔させ、これを紙などのプリント媒体に付着さ
せてプリントを行うものであり、特開昭５２−１１８７
９８号公報において提案されているように、その基本原
理は以下で概説する通りである。すなわち、このインク
ジェットプリント法は、インクを収容可能なインク室中
に導入されたインクに対し情報信号として熱的パルスを
与え、これによりインクの気化膨張に伴って発生する作
用力に従って、インク室に連通する吐出口よりインクを
吐出してインク滴として飛翔せしめ、これをプリント媒
体に付着させてプリントを行う方法である。
やプリント媒体に対するインクのプリント性を調整する
ための処理液（以下、本明細書ではこれらをまとめて便
宜的にインクと呼称する）などのインク滴を種々の作用
原理で飛翔させ、これを紙などのプリント媒体に付着さ
せてプリントを行うものであり、特開昭５２−１１８７
９８号公報において提案されているように、その基本原
理は以下で概説する通りである。すなわち、このインク
ジェットプリント法は、インクを収容可能なインク室中
に導入されたインクに対し情報信号として熱的パルスを
与え、これによりインクの気化膨張に伴って発生する作
用力に従って、インク室に連通する吐出口よりインクを
吐出してインク滴として飛翔せしめ、これをプリント媒
体に付着させてプリントを行う方法である。
【０００７】ところで、この方法は高密度マルチアレイ
構成にして高速プリントおよびカラープリントに適合さ
せやすく、プリント装置の構成が従来のそれに比べて簡
略であるため、プリントヘッド、つまりインクジェット
ヘッドとして全体的にはコンパクト化を図ることが可能
で、かつ量産に向くこと、半導体分野において技術の進
歩と信頼性の向上が著しいＩＣ技術やマイクロ加工技術
の長所を十二分に利用することで長尺化が容易であるこ
となどの利点があり、適用範囲の広い方法である。
構成にして高速プリントおよびカラープリントに適合さ
せやすく、プリント装置の構成が従来のそれに比べて簡
略であるため、プリントヘッド、つまりインクジェット
ヘッドとして全体的にはコンパクト化を図ることが可能
で、かつ量産に向くこと、半導体分野において技術の進
歩と信頼性の向上が著しいＩＣ技術やマイクロ加工技術
の長所を十二分に利用することで長尺化が容易であるこ
となどの利点があり、適用範囲の広い方法である。
【０００８】このインクジェットプリント法で用いられ
るインクジェットプリント装置の特徴的なインクジェッ
トヘッドには、吐出口よりインクを吐出して飛翔的イン
ク滴を形成するための熱エネルギー発生手段が設けられ
ている。この熱エネルギー発生手段は、発生する熱エネ
ルギーを効率良くインクに作用させること、インクジェ
ットヘッドの熱作用のオン／オフ応答速度を高めること
などのため、インクに直接接触するように設けられるの
が望ましいとされている。
るインクジェットプリント装置の特徴的なインクジェッ
トヘッドには、吐出口よりインクを吐出して飛翔的イン
ク滴を形成するための熱エネルギー発生手段が設けられ
ている。この熱エネルギー発生手段は、発生する熱エネ
ルギーを効率良くインクに作用させること、インクジェ
ットヘッドの熱作用のオン／オフ応答速度を高めること
などのため、インクに直接接触するように設けられるの
が望ましいとされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】基本的に、インクジェ
ットヘッドに設けられる熱エネルギー発生手段は、通電
されることによって発熱する発熱抵抗体（電気熱変換素
子）層と、この発熱抵抗体層に通電するための一対の電
極配線とで構成されているため、発熱抵抗体層が直にイ
ンクに接触する状態であると、インクの電気抵抗値によ
ってはインクを通じて電気が流れたり、インクを通じて
の電気の流れによってインク自体が電気分解したり、あ
るいは発熱抵抗体層への通電の際に発熱抵抗体層とイン
クとが反応し、発熱抵抗体層の腐食による抵抗値の変化
や発熱抵抗体層の破損あるいは破壊が生じたりする場合
があった。
ットヘッドに設けられる熱エネルギー発生手段は、通電
されることによって発熱する発熱抵抗体（電気熱変換素
子）層と、この発熱抵抗体層に通電するための一対の電
極配線とで構成されているため、発熱抵抗体層が直にイ
ンクに接触する状態であると、インクの電気抵抗値によ
ってはインクを通じて電気が流れたり、インクを通じて
の電気の流れによってインク自体が電気分解したり、あ
るいは発熱抵抗体層への通電の際に発熱抵抗体層とイン
クとが反応し、発熱抵抗体層の腐食による抵抗値の変化
や発熱抵抗体層の破損あるいは破壊が生じたりする場合
があった。
【００１０】そのために、従来においては、Ｎi，Ｃrな
どの合金や、ＺrＢ2，ＨfＢ2などの金属ホウ化物などを
発熱抵抗材料としての特性に比較的に優れた無機材料で
発熱抵抗体層を構成すると共に、これらで構成された発
熱抵抗体層上にＳiＯ2などの耐酸化性に優れた材料で構
成された保護層を設けることで発熱抵抗体層がインクに
直に接触するのを防止し、上述した問題を解決し、信頼
性および繰り返し使用耐久性の向上を図ろうとすること
が提案されている。
どの合金や、ＺrＢ2，ＨfＢ2などの金属ホウ化物などを
発熱抵抗材料としての特性に比較的に優れた無機材料で
発熱抵抗体層を構成すると共に、これらで構成された発
熱抵抗体層上にＳiＯ2などの耐酸化性に優れた材料で構
成された保護層を設けることで発熱抵抗体層がインクに
直に接触するのを防止し、上述した問題を解決し、信頼
性および繰り返し使用耐久性の向上を図ろうとすること
が提案されている。
【００１１】ところで、このようなインクジェットヘッ
ドの熱エネルギー発生手段を形成するに際しては、発熱
抵抗体層を所定の基板上に形成した後、電極配線および
保護層を順次積層していくのが一般的であり、このよう
な熱エネルギー発生手段の保護層には、上記のような発
熱抵抗体層の破損防止あるいは電極配線間の短絡防止な
どの保護層としての各種の機能を十分に果たすべく、こ
れら発熱抵抗体層や電極配線の所要部をピンホールなど
の欠陥を有することなく一様に被覆することが要求され
る。
ドの熱エネルギー発生手段を形成するに際しては、発熱
抵抗体層を所定の基板上に形成した後、電極配線および
保護層を順次積層していくのが一般的であり、このよう
な熱エネルギー発生手段の保護層には、上記のような発
熱抵抗体層の破損防止あるいは電極配線間の短絡防止な
どの保護層としての各種の機能を十分に果たすべく、こ
れら発熱抵抗体層や電極配線の所要部をピンホールなど
の欠陥を有することなく一様に被覆することが要求され
る。
【００１２】さらにこの保護層の上には、保護層とイン
クとが完全に遮断されるように、第２の比較的薄い保護
層を設けることが一般的に行われる。この保護層は、Ｔ
aなどの金属の薄膜をスパッタリングで成膜するのが一
般的である。この第２保護層を設けることにより、Ｓi
Ｏ2，ＳiＮなどの下部第１保護層が、発熱抵抗体による
熱発生の繰り返しにより亀裂などが生じたとしても、イ
ンクの侵入を防止する役割を果たしている。また、発泡
および消泡の繰り返しによるキャビテーション保護の役
割も果たしており、この第２保護層を設けることによ
り、反復使用耐久性の向上が計られてきた。
クとが完全に遮断されるように、第２の比較的薄い保護
層を設けることが一般的に行われる。この保護層は、Ｔ
aなどの金属の薄膜をスパッタリングで成膜するのが一
般的である。この第２保護層を設けることにより、Ｓi
Ｏ2，ＳiＮなどの下部第１保護層が、発熱抵抗体による
熱発生の繰り返しにより亀裂などが生じたとしても、イ
ンクの侵入を防止する役割を果たしている。また、発泡
および消泡の繰り返しによるキャビテーション保護の役
割も果たしており、この第２保護層を設けることによ
り、反復使用耐久性の向上が計られてきた。
【００１３】しかし、この第２保護層は下部第１保護層
との膜応力が異なることに起因して下部第１保護層に亀
裂を生じさせる原因となるため、基板表面のインクが介
在しない領域は、エッチング法により第２保護層を除去
することが一般的に行われる。
との膜応力が異なることに起因して下部第１保護層に亀
裂を生じさせる原因となるため、基板表面のインクが介
在しない領域は、エッチング法により第２保護層を除去
することが一般的に行われる。
【００１４】また、吐出口を形成する吐出口形成部材と
して樹脂を用いた場合、Ｔaなどの第２保護層は吐出口
形成部材との密着性が極めて低いため、吐出口形成部材
が第２保護層から剥離してしまうことがあった。そこ
で、Ｔaなどの第２保護層が形成された基板と吐出口形
成部材との密着性を向上させるために、基板と吐出口形
成部材との間に密着層としてポリエーテルアミド樹脂を
介在させる提案がされている（特開平１１−３４８２９
０号公報）。
して樹脂を用いた場合、Ｔaなどの第２保護層は吐出口
形成部材との密着性が極めて低いため、吐出口形成部材
が第２保護層から剥離してしまうことがあった。そこ
で、Ｔaなどの第２保護層が形成された基板と吐出口形
成部材との密着性を向上させるために、基板と吐出口形
成部材との間に密着層としてポリエーテルアミド樹脂を
介在させる提案がされている（特開平１１−３４８２９
０号公報）。
【００１５】また、このようなインクジェットヘッド
は、前述したように、一般には電極配線が発熱抵抗体層
の上に形成されるため、電極配線と発熱抵抗体層との間
に段差が生じるが、このような段差部には、層厚の不均
一などが発生し易いため、露出部分を生じることのない
ようにするため、段差を十分に覆うように層形成を実施
せねばならない。このような段差部被覆（以下、これを
「ステップカバレージ」と記述する）が不十分な状態で
は、発熱抵抗体層の露出部分とインクとが直に接触し、
インクが電気分解されたり、インクと発熱抵抗体層を構
成する材料とが化学反応を起こしたりして発熱抵抗体層
が破壊されてしまうことがあった。しかも、このような
段差部には、膜厚の不均一なども生じやすく、このよう
な膜厚の不均一は、熱発生の繰り返しによって保護層に
生じる熱応力の部分集中を招き、保護層に亀裂を生じる
原因ともなり、この亀裂の部分にインクが侵入し、上記
のような発熱抵抗体層の破壊に至ることもあった。さら
には、ピンホールからインクが侵入して発熱抵抗体層が
破壊されることもあった。
は、前述したように、一般には電極配線が発熱抵抗体層
の上に形成されるため、電極配線と発熱抵抗体層との間
に段差が生じるが、このような段差部には、層厚の不均
一などが発生し易いため、露出部分を生じることのない
ようにするため、段差を十分に覆うように層形成を実施
せねばならない。このような段差部被覆（以下、これを
「ステップカバレージ」と記述する）が不十分な状態で
は、発熱抵抗体層の露出部分とインクとが直に接触し、
インクが電気分解されたり、インクと発熱抵抗体層を構
成する材料とが化学反応を起こしたりして発熱抵抗体層
が破壊されてしまうことがあった。しかも、このような
段差部には、膜厚の不均一なども生じやすく、このよう
な膜厚の不均一は、熱発生の繰り返しによって保護層に
生じる熱応力の部分集中を招き、保護層に亀裂を生じる
原因ともなり、この亀裂の部分にインクが侵入し、上記
のような発熱抵抗体層の破壊に至ることもあった。さら
には、ピンホールからインクが侵入して発熱抵抗体層が
破壊されることもあった。
【００１６】従来、このような問題の解決にあたって
は、保護層の膜厚を厚くし、ステップカバレージの向上
やピンホールの減少を図ることが一般に行われている
が、保護層を厚くすることは、ステップカバレージやピ
ンホールの減少に寄与するものの、保護層を厚くするこ
とによってインクへの熱供給が阻害され、以下のような
新たな問題を生じることになった。
は、保護層の膜厚を厚くし、ステップカバレージの向上
やピンホールの減少を図ることが一般に行われている
が、保護層を厚くすることは、ステップカバレージやピ
ンホールの減少に寄与するものの、保護層を厚くするこ
とによってインクへの熱供給が阻害され、以下のような
新たな問題を生じることになった。
【００１７】すなわち、発熱抵抗体層に発生する熱は保
護層を通じてインクに伝達される訳であるが、この熱の
作用面であるところの保護層表面と発熱抵抗体層との間
の熱的抵抗が保護層の層厚を厚くすることで大きくな
り、このため発熱抵抗体層に必要以上の電力負荷をかけ
る必要が生じ、少電力化の点で不利であり、必要以上の
熱が基板に蓄熱されて熱応答性が悪くなり、必要以上の
電力のため発熱抵抗体層の耐久性が悪くなるなどの問題
を新たに生ずる。
護層を通じてインクに伝達される訳であるが、この熱の
作用面であるところの保護層表面と発熱抵抗体層との間
の熱的抵抗が保護層の層厚を厚くすることで大きくな
り、このため発熱抵抗体層に必要以上の電力負荷をかけ
る必要が生じ、少電力化の点で不利であり、必要以上の
熱が基板に蓄熱されて熱応答性が悪くなり、必要以上の
電力のため発熱抵抗体層の耐久性が悪くなるなどの問題
を新たに生ずる。
【００１８】このような問題は、保護層を薄くすれば克
服できるのであるが、保護層の形成に例えばスパッタリ
ングあるいは蒸着などの膜形成方法を用いる従来のイン
クジェットヘッドの製造方法では、ステップカバレージ
の不良などのため、前述のような耐久上の欠点が生じ、
保護層を薄くすることが実質的に困難であった。
服できるのであるが、保護層の形成に例えばスパッタリ
ングあるいは蒸着などの膜形成方法を用いる従来のイン
クジェットヘッドの製造方法では、ステップカバレージ
の不良などのため、前述のような耐久上の欠点が生じ、
保護層を薄くすることが実質的に困難であった。
【００１９】また、上記の如きインクジェットヘッドに
おけるプリントの際には、一般にはインクの急速加熱を
行うほどインクの発泡安定性が向上することが知られて
いる。すなわち、熱エネルギー発生手段に印加する電気
信号、一般には矩形の延期パルスであるが、このパルス
幅を短くすればするほどインクの発泡安定性が良くな
り、これによって飛翔インク滴の吐出安定性が向上して
プリント品位が向上するのである。しかしながら、従来
のインクジェットヘッドにおいては、前述の如く保護層
の膜厚を厚くしなければならず、このため保護層の熱的
抵抗が大きくなって必要以上の熱を熱エネルギー発生手
段で発生させねばならず、耐久性の劣化や熱応答性の低
下を生じる。このため、パルス幅を短くするのも困難で
あり、プリント品位の向上にはおのずと限度があった。
おけるプリントの際には、一般にはインクの急速加熱を
行うほどインクの発泡安定性が向上することが知られて
いる。すなわち、熱エネルギー発生手段に印加する電気
信号、一般には矩形の延期パルスであるが、このパルス
幅を短くすればするほどインクの発泡安定性が良くな
り、これによって飛翔インク滴の吐出安定性が向上して
プリント品位が向上するのである。しかしながら、従来
のインクジェットヘッドにおいては、前述の如く保護層
の膜厚を厚くしなければならず、このため保護層の熱的
抵抗が大きくなって必要以上の熱を熱エネルギー発生手
段で発生させねばならず、耐久性の劣化や熱応答性の低
下を生じる。このため、パルス幅を短くするのも困難で
あり、プリント品位の向上にはおのずと限度があった。
【００２０】さらに、従来のインクジェットヘッドの基
板側の断面構造を表す図２０に示すように、基板１１の
表面部に形成された酸化層１２の表面に発熱抵抗体層１
３をスパッタリング法により積層し、この発熱抵抗体層
１３と接続する少なくとも一対の電極配線１４ａ，１４
ｂを形成する。なお、１５は電極配線１４ａ，１４ｂに
より形成されて発熱抵抗体層１３から立ち上がる段差部
である。
板側の断面構造を表す図２０に示すように、基板１１の
表面部に形成された酸化層１２の表面に発熱抵抗体層１
３をスパッタリング法により積層し、この発熱抵抗体層
１３と接続する少なくとも一対の電極配線１４ａ，１４
ｂを形成する。なお、１５は電極配線１４ａ，１４ｂに
より形成されて発熱抵抗体層１３から立ち上がる段差部
である。
【００２１】このような構成では、前述したように第２
保護層１６で覆われる下部第１保護層１７にピンホール
などの欠陥を生じ易く、特に段差部１５では電極配線１
４ａ，１４ｂが露出し易いため、段差部１５を十分に覆
うように下部第１保護層１７の膜厚を必要以上に厚く
（通常は、電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚の２倍以上）
しなければならなかった。
保護層１６で覆われる下部第１保護層１７にピンホール
などの欠陥を生じ易く、特に段差部１５では電極配線１
４ａ，１４ｂが露出し易いため、段差部１５を十分に覆
うように下部第１保護層１７の膜厚を必要以上に厚く
（通常は、電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚の２倍以上）
しなければならなかった。
【００２２】このようなことから、下部第１保護層１７
の膜厚をステップカバレージを悪くすることなく薄くす
る提案がなされてきた。例えば、特開昭６０−２３４８
５０号公報は下部第１保護層１７の成膜方法としてステ
ップカバレージの良好なバイアススパッタが提案されて
おり、特開昭６２−４５２８３号公報、４５２３７号公
報は下部第１保護層１７を成膜後、エッチバックやスパ
ッタエッチなどでステップの形状を変えてステップカバ
レージを改善することが提案されており、特開昭６２−
４５２８６号公報は保護膜をリフローすることによって
ステップカバレージを向上させることが提案されてい
る。
の膜厚をステップカバレージを悪くすることなく薄くす
る提案がなされてきた。例えば、特開昭６０−２３４８
５０号公報は下部第１保護層１７の成膜方法としてステ
ップカバレージの良好なバイアススパッタが提案されて
おり、特開昭６２−４５２８３号公報、４５２３７号公
報は下部第１保護層１７を成膜後、エッチバックやスパ
ッタエッチなどでステップの形状を変えてステップカバ
レージを改善することが提案されており、特開昭６２−
４５２８６号公報は保護膜をリフローすることによって
ステップカバレージを向上させることが提案されてい
る。
【００２３】しかしながら、バイアススパッタは膜厚安
定性が悪く、また、ターゲット周りからのごみの発生な
どの欠点がある。また、エッチバック、スパッタエッ
ジ、リフローなどの方法は工程数の増加を招きコストア
ップの原因となる。
定性が悪く、また、ターゲット周りからのごみの発生な
どの欠点がある。また、エッチバック、スパッタエッ
ジ、リフローなどの方法は工程数の増加を招きコストア
ップの原因となる。
【００２４】その他の方法として、従来のインクジェッ
トヘッドの基板の部分の断面構造を表す図２１に示すよ
うに、電極配線１４ａ，１４ｂの断面形状をテーパ形状
として保護膜１５のステップカバレージを改善すること
がＨＰジャーナル１９８５年５月号にて提案されてい
る。また、アルカリ性溶液である現像液を用い、電極配
線１４ａ，１４ｂと同時にレジストをもエッチングをす
ることも提案されている。なお、図中の符号で先の図２
０と同一機能の部材にはこれと同一符号を記してある。
トヘッドの基板の部分の断面構造を表す図２１に示すよ
うに、電極配線１４ａ，１４ｂの断面形状をテーパ形状
として保護膜１５のステップカバレージを改善すること
がＨＰジャーナル１９８５年５月号にて提案されてい
る。また、アルカリ性溶液である現像液を用い、電極配
線１４ａ，１４ｂと同時にレジストをもエッチングをす
ることも提案されている。なお、図中の符号で先の図２
０と同一機能の部材にはこれと同一符号を記してある。
【００２５】しかしながら、これらの方法によると段差
部１５のテーパ形状の場所による均一性、再現性などが
悪く、特に大型の基板１１などの場合には不利である。
特に段差部１５のテーパ形状の場所による均一性が悪い
場合には、以下に記載する問題が発生する。
部１５のテーパ形状の場所による均一性、再現性などが
悪く、特に大型の基板１１などの場合には不利である。
特に段差部１５のテーパ形状の場所による均一性が悪い
場合には、以下に記載する問題が発生する。
【００２６】すなわち、段差部１５のテーパ角度が急な
場所では、ステップカバレージが不十分となり前述した
ような問題が発生する。また、テーパ角度が緩い場所で
は、電極配線１４ａ，１４ｂの幅および断面積が小さく
なって他の部分よりも電気抵抗が高くなっているため、
インクジェットヘッド内における配線抵抗のばらつきを
生じ、プリント装置として構成した場合のプリント品位
などに悪影響を与えるという問題が発生する。
場所では、ステップカバレージが不十分となり前述した
ような問題が発生する。また、テーパ角度が緩い場所で
は、電極配線１４ａ，１４ｂの幅および断面積が小さく
なって他の部分よりも電気抵抗が高くなっているため、
インクジェットヘッド内における配線抵抗のばらつきを
生じ、プリント装置として構成した場合のプリント品位
などに悪影響を与えるという問題が発生する。
【００２７】また、その他の方法として、従来のインク
ジェットヘッドの基板の部分の断面構造を表す図２２に
示すように、発熱抵抗体層１３上の保護膜１５を選択的
に薄くする方法も実用化されており、図中の符号で先の
図２０と同一機能の部材にはこれと同一符号を記してあ
る。
ジェットヘッドの基板の部分の断面構造を表す図２２に
示すように、発熱抵抗体層１３上の保護膜１５を選択的
に薄くする方法も実用化されており、図中の符号で先の
図２０と同一機能の部材にはこれと同一符号を記してあ
る。
【００２８】しかしながら、この方法は電極配線１４
ａ，１４ｂを形成した後の絶縁物である保護膜１５ａ，
１５ｂの形成工程が２回必要になることと、選択的に薄
膜化する領域をフォトマスクを使用して露光しなければ
ならず、工程数の増加を招く。また、発熱領域の内側を
選択的に薄膜化するため、外周部において、熱効率が悪
いという欠点も有している。
ａ，１４ｂを形成した後の絶縁物である保護膜１５ａ，
１５ｂの形成工程が２回必要になることと、選択的に薄
膜化する領域をフォトマスクを使用して露光しなければ
ならず、工程数の増加を招く。また、発熱領域の内側を
選択的に薄膜化するため、外周部において、熱効率が悪
いという欠点も有している。
【００２９】
【発明の目的】本発明の目的は、発熱抵抗体上部の第１
保護層を可能な限り薄くすると共に発熱抵抗体の電極配
線および配線層の膜厚を薄くし、第１保護層および配線
層にダメージを与えることなく第２保護層を除去するこ
とにより、インクの急速加熱による発泡安定性を向上さ
せると同時に耐久性を高めた液体吐出ヘッド用基板ユニ
ットを提供することにある。
保護層を可能な限り薄くすると共に発熱抵抗体の電極配
線および配線層の膜厚を薄くし、第１保護層および配線
層にダメージを与えることなく第２保護層を除去するこ
とにより、インクの急速加熱による発泡安定性を向上さ
せると同時に耐久性を高めた液体吐出ヘッド用基板ユニ
ットを提供することにある。
【００３０】本発明の他の目的は、このような液体吐出
基板ユニットを組み込んだ、Ｔaなどの保護層が露出し
ている基板と吐出口形成部材との密着性をより一層高め
た信頼性の高い液体吐出ヘッドを提供することにある。
基板ユニットを組み込んだ、Ｔaなどの保護層が露出し
ている基板と吐出口形成部材との密着性をより一層高め
た信頼性の高い液体吐出ヘッドを提供することにある。
【００３１】本発明のさらに他の目的は、このような液
体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方法およびカートリ
ッジおよび画像形成装置を提供することにある。
体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方法およびカートリ
ッジおよび画像形成装置を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の形態は、
液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これ
によって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドに用
いられる基板ユニットであって、基板の表面部に形成さ
れて熱エネルギーを発生するための電気熱変換素子と、
この電気熱変換素子に導通するように前記基板の表面部
に形成される一対の電極配線と、前記基板の表面部のほ
ぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気
熱変換素子を覆う第１保護層と、この第１保護層の表面
に形成されて前記電気熱変換素子およびこの電気熱変換
素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保
護層とを具え、前記一対の電極配線の厚みは１８００〜
２４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆わ
れた前記第１保護層の部分の厚みは２６００〜３４００
Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆われていな
い前記第１保護層の部分の厚みは、前記第２保護層によ
って覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いこ
とを特徴とするものである。
液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これ
によって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドに用
いられる基板ユニットであって、基板の表面部に形成さ
れて熱エネルギーを発生するための電気熱変換素子と、
この電気熱変換素子に導通するように前記基板の表面部
に形成される一対の電極配線と、前記基板の表面部のほ
ぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気
熱変換素子を覆う第１保護層と、この第１保護層の表面
に形成されて前記電気熱変換素子およびこの電気熱変換
素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保
護層とを具え、前記一対の電極配線の厚みは１８００〜
２４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆わ
れた前記第１保護層の部分の厚みは２６００〜３４００
Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆われていな
い前記第１保護層の部分の厚みは、前記第２保護層によ
って覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いこ
とを特徴とするものである。
【００３３】本発明によると、第１保護層が成膜工程の
追加やマスクの使用を増やすことなく、均一な薄い膜厚
に形成され、電極配線により形成されて基板の表面から
立ち上がる段差部における第１保護層のカバレージ性が
良好に保たれる。
追加やマスクの使用を増やすことなく、均一な薄い膜厚
に形成され、電極配線により形成されて基板の表面から
立ち上がる段差部における第１保護層のカバレージ性が
良好に保たれる。
【００３４】本発明の第２の形態は、液体に熱エネルギ
ーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口か
ら液滴を吐出する液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニ
ットの製造方法であって、基板の表面に熱エネルギーを
発生するための電気熱変換素子を形成するステップと、
この電気熱変換素子に導通するように一対の電極配線を
前記基板の表面部に形成するステップと、前記一対の電
極配線および前記電気熱変換素子を覆う２６００〜３４
００Åの厚みの第１保護層を前記基板の表面部のほぼ全
域に形成するステップと、前記電気熱変換素子およびこ
の電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍
を覆う第２保護層を前記第１保護層の表面にドライエッ
チングにて形成することにより、この第２保護層によっ
て覆われていない前記第１保護層の部分の厚みを当該第
２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚み
よりも薄くするステップとを具え、前記一対の電極配線
の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあることを特徴
とするものである。
ーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口か
ら液滴を吐出する液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニ
ットの製造方法であって、基板の表面に熱エネルギーを
発生するための電気熱変換素子を形成するステップと、
この電気熱変換素子に導通するように一対の電極配線を
前記基板の表面部に形成するステップと、前記一対の電
極配線および前記電気熱変換素子を覆う２６００〜３４
００Åの厚みの第１保護層を前記基板の表面部のほぼ全
域に形成するステップと、前記電気熱変換素子およびこ
の電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍
を覆う第２保護層を前記第１保護層の表面にドライエッ
チングにて形成することにより、この第２保護層によっ
て覆われていない前記第１保護層の部分の厚みを当該第
２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚み
よりも薄くするステップとを具え、前記一対の電極配線
の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあることを特徴
とするものである。
【００３５】本発明によると、ドライエッチングにより
第２保護層を形成する際に、電気熱変換素子および一対
の電極配線に対する損傷が防止される。
第２保護層を形成する際に、電気熱変換素子および一対
の電極配線に対する損傷が防止される。
【００３６】本発明の第３の形態は、液体を吐出するた
めの吐出口と、基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさ
せるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、
前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一
対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成さ
れて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆
う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて前
記電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と前記一対
の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範
囲にあり、前記第２保護層によって覆われた前記第１保
護層の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記
第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の部
分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１
保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とする液体吐
出ヘッドにある。
めの吐出口と、基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさ
せるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、
前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一
対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成さ
れて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆
う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて前
記電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と前記一対
の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範
囲にあり、前記第２保護層によって覆われた前記第１保
護層の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記
第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の部
分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１
保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とする液体吐
出ヘッドにある。
【００３７】本発明の第４の形態は、液体を吐出するた
めの吐出口と、基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさ
せるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、
前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一
対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成さ
れて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆
う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて前
記電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と前記一対
の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを有する
液体吐出ヘッドと、この液体吐出ヘッドに供給される液
体を貯溜するための液体タンクとを具え、前記一対の電
極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前
記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の厚みが
２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記第２保護層に
よって覆われていない前記第１保護層の部分の厚みは、
前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分
の厚みよりも薄いことを特徴とするカートリッジにあ
る。
めの吐出口と、基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさ
せるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、
前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一
対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成さ
れて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆
う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて前
記電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と前記一対
の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを有する
液体吐出ヘッドと、この液体吐出ヘッドに供給される液
体を貯溜するための液体タンクとを具え、前記一対の電
極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前
記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の厚みが
２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記第２保護層に
よって覆われていない前記第１保護層の部分の厚みは、
前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分
の厚みよりも薄いことを特徴とするカートリッジにあ
る。
【００３８】本発明の第５の形態は、液体を吐出するた
めの吐出口と、基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさ
せるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、
前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一
対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成さ
れて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆
う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて前
記電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と前記一対
の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを有する
液体吐出ヘッドの取り付け部を具え、前記一対の電極配
線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前記第
２保護層によって覆われた前記第１保護層の厚みが２６
００〜３４００Åの範囲であり、前記第２保護層によっ
て覆われていない前記第１保護層の部分の厚みは、前記
第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚
みよりも薄いことを特徴とする画像形成装置にある。
めの吐出口と、基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさ
せるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、
前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一
対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成さ
れて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆
う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて前
記電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と前記一対
の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを有する
液体吐出ヘッドの取り付け部を具え、前記一対の電極配
線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前記第
２保護層によって覆われた前記第１保護層の厚みが２６
００〜３４００Åの範囲であり、前記第２保護層によっ
て覆われていない前記第１保護層の部分の厚みは、前記
第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚
みよりも薄いことを特徴とする画像形成装置にある。
【００３９】
【発明の実施の形態】本発明の第１の形態による液体吐
出ヘッド用基板ユニットにおいて、一対の電極配線の厚
みが２０００〜２２００Åの範囲にあることが好まし
く、第２保護層によって覆われていない第１保護層の部
分の厚みと、第２保護層によって覆われた第１保護層の
部分の厚みとの差が１００〜２００Åの範囲にあってよ
い。また、第１保護層の厚みが一対の電極配線の厚みの
１.０８倍以上であってよい。
出ヘッド用基板ユニットにおいて、一対の電極配線の厚
みが２０００〜２２００Åの範囲にあることが好まし
く、第２保護層によって覆われていない第１保護層の部
分の厚みと、第２保護層によって覆われた第１保護層の
部分の厚みとの差が１００〜２００Åの範囲にあってよ
い。また、第１保護層の厚みが一対の電極配線の厚みの
１.０８倍以上であってよい。
【００４０】本発明の第２の形態による液体吐出ヘッド
用基板ユニットの製造方法において、第２保護層をドラ
イエッチングによって形成する際に、第２保護層によっ
て覆われていない第１保護層の部分のエッチングされる
厚みを１００〜２００Åの範囲にすることができる。
用基板ユニットの製造方法において、第２保護層をドラ
イエッチングによって形成する際に、第２保護層によっ
て覆われていない第１保護層の部分のエッチングされる
厚みを１００〜２００Åの範囲にすることができる。
【００４１】本発明の第３の形態による液体吐出ヘッド
において、吐出口を形成する吐出口形成部材をさらに設
け、この吐出口形成部材を第２保護層の一部および第２
保護層によって覆われていない第１保護層の部分に密着
層を介して接合するようにしてもよい。この場合、第２
保護層によって覆われた第１保護層の部分と、第２保護
層によって覆われていない第１保護層の部分との境界部
近傍における第１保護層および第２保護層の部分がテー
パ形状を有することが好ましく、このテーパ形状は、第
１保護層のテーパ形状の角度よりも第２保護層のテーパ
形状の角度の方が傾斜が緩やかであることがより好まし
い。密着層がポリエーテルアミド樹脂であってよく、こ
のポリエーテルアミド樹脂が熱可塑性であってよい。吐
出口形成部材が樹脂であってよく、エポキシ樹脂のカチ
オン重合硬化物により形成されていてもよい。吐出口を
電気熱変換素子の対向する側に設けることもでき、吐出
口を相互に平行に少なくとも２列形成し、それぞれ６０
０dpiの間隔で配列すると共に列毎のこれらの配列間隔
を相互に半ピッチずらしたものであってよい。さらに、
液体がインクおよび／またはプリント媒体に吐出される
このインクのプリント性を調整する処理液であってよ
く、電気熱変換素子に与えられる駆動パルスによって吐
出される吐出口からの液体の吐出量が５ピコリットル以
下であってよい。
において、吐出口を形成する吐出口形成部材をさらに設
け、この吐出口形成部材を第２保護層の一部および第２
保護層によって覆われていない第１保護層の部分に密着
層を介して接合するようにしてもよい。この場合、第２
保護層によって覆われた第１保護層の部分と、第２保護
層によって覆われていない第１保護層の部分との境界部
近傍における第１保護層および第２保護層の部分がテー
パ形状を有することが好ましく、このテーパ形状は、第
１保護層のテーパ形状の角度よりも第２保護層のテーパ
形状の角度の方が傾斜が緩やかであることがより好まし
い。密着層がポリエーテルアミド樹脂であってよく、こ
のポリエーテルアミド樹脂が熱可塑性であってよい。吐
出口形成部材が樹脂であってよく、エポキシ樹脂のカチ
オン重合硬化物により形成されていてもよい。吐出口を
電気熱変換素子の対向する側に設けることもでき、吐出
口を相互に平行に少なくとも２列形成し、それぞれ６０
０dpiの間隔で配列すると共に列毎のこれらの配列間隔
を相互に半ピッチずらしたものであってよい。さらに、
液体がインクおよび／またはプリント媒体に吐出される
このインクのプリント性を調整する処理液であってよ
く、電気熱変換素子に与えられる駆動パルスによって吐
出される吐出口からの液体の吐出量が５ピコリットル以
下であってよい。
【００４２】本発明の第４の形態によるカートリッジに
おいて、液体タンクが液体吐出ヘッドに対して着脱可能
に搭載されるものであってもよい。また、液体吐出ヘッ
ドは吐出口が形成された吐出口形成部材をさらに有し、
この吐出口形成部材を第２保護層の一部および第２保護
層によって覆われていない第１保護層の部分に密着層を
介して接合するようにしてもよい。
おいて、液体タンクが液体吐出ヘッドに対して着脱可能
に搭載されるものであってもよい。また、液体吐出ヘッ
ドは吐出口が形成された吐出口形成部材をさらに有し、
この吐出口形成部材を第２保護層の一部および第２保護
層によって覆われていない第１保護層の部分に密着層を
介して接合するようにしてもよい。
【００４３】本発明の第５の形態による画像形成装置に
おいて、液体吐出ヘッドの取り付け部は、液体吐出ヘッ
ドから液体が吐出されるプリント媒体の搬送方向と交差
する方向に走査移動可能なキャリッジを有するものであ
ってよい。また、液体吐出ヘッドは着脱手段を介してキ
ャリッジに対して着脱自在に搭載されるものであってよ
い。液体吐出ヘッドは、吐出口が形成された吐出口形成
部材をさらに有し、この吐出口形成部材を第２保護層の
一部および第２保護層によって覆われていない第１保護
層の部分に密着層を介して接合するようにしてもよい。
おいて、液体吐出ヘッドの取り付け部は、液体吐出ヘッ
ドから液体が吐出されるプリント媒体の搬送方向と交差
する方向に走査移動可能なキャリッジを有するものであ
ってよい。また、液体吐出ヘッドは着脱手段を介してキ
ャリッジに対して着脱自在に搭載されるものであってよ
い。液体吐出ヘッドは、吐出口が形成された吐出口形成
部材をさらに有し、この吐出口形成部材を第２保護層の
一部および第２保護層によって覆われていない第１保護
層の部分に密着層を介して接合するようにしてもよい。
【００４４】
【実施例】本発明をインクジェットプリンタに応用した
実施形態について、図１〜図１９を参照しながら詳細に
説明するが、本発明はこのような実施形態に限らず、こ
れらをさらに組み合わせたり、この明細書の特許請求の
範囲に記載された本発明の概念に包含されるべき他の技
術に応用したりすることができる。
実施形態について、図１〜図１９を参照しながら詳細に
説明するが、本発明はこのような実施形態に限らず、こ
れらをさらに組み合わせたり、この明細書の特許請求の
範囲に記載された本発明の概念に包含されるべき他の技
術に応用したりすることができる。
【００４５】［装置本体］図１および図２にインクジェ
ット記録方式を用いたプリンタの概略構成を示す。図１
において、この実施形態におけるプリンタの外殻をなす
装置本体Ｍ１０００は、下ケースＭ１００１，上ケース
Ｍ１００２，アクセスカバーＭ１００３および排出トレ
イＭ１００４の外装部材と、その外装部材内に収納され
たシャーシＭ３０１９（図２参照）とから構成される。
ット記録方式を用いたプリンタの概略構成を示す。図１
において、この実施形態におけるプリンタの外殻をなす
装置本体Ｍ１０００は、下ケースＭ１００１，上ケース
Ｍ１００２，アクセスカバーＭ１００３および排出トレ
イＭ１００４の外装部材と、その外装部材内に収納され
たシャーシＭ３０１９（図２参照）とから構成される。
【００４６】シャーシＭ３０１９は、所定の剛性を有す
る複数の板状金属部材によって構成され、記録装置の骨
格をなし、後述の各記録動作機構を保持するものとなっ
ている。
る複数の板状金属部材によって構成され、記録装置の骨
格をなし、後述の各記録動作機構を保持するものとなっ
ている。
【００４７】また、下ケースＭ１００１は装置本体Ｍ１
０００の略下半部を、上ケースＭ１００２は装置上本体
Ｍ１０００の略上半部をそれぞれ形成しており、両ケー
スの組合せによって内部に後述の各機構を収納する収納
空間を有する中空体構造をなし、その上面部および前面
部にはそれぞれ開口部が形成されている。
０００の略下半部を、上ケースＭ１００２は装置上本体
Ｍ１０００の略上半部をそれぞれ形成しており、両ケー
スの組合せによって内部に後述の各機構を収納する収納
空間を有する中空体構造をなし、その上面部および前面
部にはそれぞれ開口部が形成されている。
【００４８】さらに、排出トレイＭ１００４はその一端
部が下ケースＭ１００１に回転自在に保持され、その回
転によって下ケースＭ１００１の前面部に形成される開
口部を開閉させ得るようになっている。このため、記録
動作を実行させる際には、排出トレイＭ１００４を前面
側へと回転させて開口部を開成させることにより、ここ
から記録シートが排出可能となると共に排出された記録
シートＰを順次積載し得るようになっている。また、排
紙トレイＭ１００４には、２枚の補助トレイＭ１００４
ａ，Ｍ１００４ｂが収納されており、必要に応じて各ト
レイを手前に引き出すことにより、用紙の支持面積を３
段階に拡大、縮小させ得るようになっている。
部が下ケースＭ１００１に回転自在に保持され、その回
転によって下ケースＭ１００１の前面部に形成される開
口部を開閉させ得るようになっている。このため、記録
動作を実行させる際には、排出トレイＭ１００４を前面
側へと回転させて開口部を開成させることにより、ここ
から記録シートが排出可能となると共に排出された記録
シートＰを順次積載し得るようになっている。また、排
紙トレイＭ１００４には、２枚の補助トレイＭ１００４
ａ，Ｍ１００４ｂが収納されており、必要に応じて各ト
レイを手前に引き出すことにより、用紙の支持面積を３
段階に拡大、縮小させ得るようになっている。
【００４９】アクセスカバーＭ１００３は、その一端部
が上ケースＭ１００２に回転自在に保持され、上面に形
成される開口部を開閉し得るようになっており、このア
クセスカバーＭ１００３を開くことによって本体内部に
収納されている記録ヘッドカートリッジＨ１０００ある
いはインクタンクＨ１９００等の交換が可能となる。な
お、ここでは特に図示しないが、アクセスカバーＭ１０
０３を開閉させると、その裏面に形成された突起がカバ
ー開閉レバーを回転させるようになっており、そのレバ
ーの回転位置をマイクロスイッチなどで検出することに
より、アクセスカバーの開閉状態を検出し得るようにな
っている。
が上ケースＭ１００２に回転自在に保持され、上面に形
成される開口部を開閉し得るようになっており、このア
クセスカバーＭ１００３を開くことによって本体内部に
収納されている記録ヘッドカートリッジＨ１０００ある
いはインクタンクＨ１９００等の交換が可能となる。な
お、ここでは特に図示しないが、アクセスカバーＭ１０
０３を開閉させると、その裏面に形成された突起がカバ
ー開閉レバーを回転させるようになっており、そのレバ
ーの回転位置をマイクロスイッチなどで検出することに
より、アクセスカバーの開閉状態を検出し得るようにな
っている。
【００５０】また、上ケースＭ１００２の後部上面に
は、電源キーＥ００１８およびレジュームキーＥ００１
９が押下可能に設けられると共に、ＬＥＤ Ｅ００２０
が設けられており、電源キーＥ００１８を押下すると、
ＬＥＤ Ｅ００２０が点灯し記録可能であることをオペ
レータに知らせるものとなっている。また、ＬＥＤ Ｅ
００２０は点滅の仕方や色の変化をさせたり、ブザーＥ
００２１（図７）をならしたりすることにより、プリン
タのトラブル等をオペレータに知らせる等種々の表示機
能を有する。なお、トラブル等が解決した場合には、レ
ジュームキーＥ００１９を押下することによって記録が
再開されるようになっている。
は、電源キーＥ００１８およびレジュームキーＥ００１
９が押下可能に設けられると共に、ＬＥＤ Ｅ００２０
が設けられており、電源キーＥ００１８を押下すると、
ＬＥＤ Ｅ００２０が点灯し記録可能であることをオペ
レータに知らせるものとなっている。また、ＬＥＤ Ｅ
００２０は点滅の仕方や色の変化をさせたり、ブザーＥ
００２１（図７）をならしたりすることにより、プリン
タのトラブル等をオペレータに知らせる等種々の表示機
能を有する。なお、トラブル等が解決した場合には、レ
ジュームキーＥ００１９を押下することによって記録が
再開されるようになっている。
【００５１】［記録動作機構］次に、上記プリンタの装
置本体Ｍ１０００に収納、保持される本実施形態におけ
る記録動作機構について説明する。
置本体Ｍ１０００に収納、保持される本実施形態におけ
る記録動作機構について説明する。
【００５２】本実施形態における記録動作機構として
は、記録シートＰを装置本体内へと自動的に給送する自
動給送部Ｍ３０２２と、自動給送部から１枚ずつ送出さ
れる記録シートＰを所望の記録位置へと導くと共に、記
録位置から排出部Ｍ３０３０へと記録シートＰを導く搬
送部Ｍ３０２９と、搬送部Ｍ３０２９に搬送された記録
シートＰに所望の記録を行う記録部と、記録部等に対す
る回復処理を行う回復部Ｍ５０００とから構成されてい
る。
は、記録シートＰを装置本体内へと自動的に給送する自
動給送部Ｍ３０２２と、自動給送部から１枚ずつ送出さ
れる記録シートＰを所望の記録位置へと導くと共に、記
録位置から排出部Ｍ３０３０へと記録シートＰを導く搬
送部Ｍ３０２９と、搬送部Ｍ３０２９に搬送された記録
シートＰに所望の記録を行う記録部と、記録部等に対す
る回復処理を行う回復部Ｍ５０００とから構成されてい
る。
【００５３】（記録部）ここで、記録部を説明する。キ
ャリッジ軸Ｍ４０２１によって移動可能に支持されたキ
ャリッジＭ４００１と、このキャリッジＭ４００１に着
脱可能に搭載される記録ヘッドカートリッジＨ１０００
とからなる。
ャリッジ軸Ｍ４０２１によって移動可能に支持されたキ
ャリッジＭ４００１と、このキャリッジＭ４００１に着
脱可能に搭載される記録ヘッドカートリッジＨ１０００
とからなる。
【００５４】記録ヘッドカートリッジ まず、記録ヘッドカートリッジについて図３〜５に基づ
き説明する。
き説明する。
【００５５】この実施形態における記録ヘッドカートリ
ッジＨ１０００は、図３に示すようにインクを貯留する
インクタンクＨ１９００と、このインクタンクＨ１９０
０から供給されるインクを記録情報に応じてノズルから
吐出させる記録ヘッドＨ１００１とを有し、記録ヘッド
Ｈ１００１は、後述するキャリッジＭ４００１に対して
着脱可能に搭載される、いわゆるカートリッジ方式を採
るものとなっている。
ッジＨ１０００は、図３に示すようにインクを貯留する
インクタンクＨ１９００と、このインクタンクＨ１９０
０から供給されるインクを記録情報に応じてノズルから
吐出させる記録ヘッドＨ１００１とを有し、記録ヘッド
Ｈ１００１は、後述するキャリッジＭ４００１に対して
着脱可能に搭載される、いわゆるカートリッジ方式を採
るものとなっている。
【００５６】ここに示す記録ヘッドカートリッジＨ１０
００では、写真調の高画質なカラー記録を可能とするた
め、インクタンクとして、例えばブラック，ライトシア
ン，ライトマゼンタ，シアン，マゼンタおよびイエロー
の各色独立のインクタンクが用意されており、図４に示
すように、それぞれが記録ヘッドＨ１００１に対して着
脱自在となっている。
００では、写真調の高画質なカラー記録を可能とするた
め、インクタンクとして、例えばブラック，ライトシア
ン，ライトマゼンタ，シアン，マゼンタおよびイエロー
の各色独立のインクタンクが用意されており、図４に示
すように、それぞれが記録ヘッドＨ１００１に対して着
脱自在となっている。
【００５７】そして、記録ヘッドＨ１００１は、図５の
分解斜視図に示すように、記録素子基板Ｈ１１００，第
１のプレートＨ１２００，電気配線基板Ｈ１３００，第
２のプレートＨ１４００，タンクホルダＨ１５００，流
路形成部材Ｈ１６００，フィルタＨ１７００，シールゴ
ムＨ１８００から構成されている。
分解斜視図に示すように、記録素子基板Ｈ１１００，第
１のプレートＨ１２００，電気配線基板Ｈ１３００，第
２のプレートＨ１４００，タンクホルダＨ１５００，流
路形成部材Ｈ１６００，フィルタＨ１７００，シールゴ
ムＨ１８００から構成されている。
【００５８】記録素子基板Ｈ１１００には、Ｓi基板の
片面にインクを吐出するための複数の記録素子と、各記
録素子に電力を供給するＡl等の電気配線とが成膜技術
により形成され、この記録素子に対応した複数のインク
流路と複数の吐出口Ｈ１１００Ｔとがフォトリソグラフ
ィ技術により形成されると共に、複数のインク流路にイ
ンクを供給するためのインク供給口が裏面に開口するよ
うに形成されている。また、記録素子基板Ｈ１１００は
第１のプレートＨ１２００に接着固定されており、ここ
には、記録素子基板Ｈ１１００にインクを供給するため
のインク供給口Ｈ１２０１が形成されている。さらに、
第１のプレートＨ１２００には、開口部を有する第２の
プレートＨ１４００が接着固定されており、この第２の
プレートＨ１４００は、電気配線基板Ｈ１３００と記録
素子基板Ｈ１１００とが電気的に接続されるよう、電気
配線基板Ｈ１３００を保持している。この電気配線基板
Ｈ１３００は、記録素子基板Ｈ１１００にインクを吐出
するための電気信号を印加するものであり、記録素子基
板Ｈ１１００に対応する電気配線と、この電気配線端部
に位置し本体からの電気信号を受け取るための外部信号
入力端子Ｈ１３０１とを有しており、外部信号入力端子
Ｈ１３０１は、後述のタンクホルダＨ１５００の背面側
に位置決め固定されている。
片面にインクを吐出するための複数の記録素子と、各記
録素子に電力を供給するＡl等の電気配線とが成膜技術
により形成され、この記録素子に対応した複数のインク
流路と複数の吐出口Ｈ１１００Ｔとがフォトリソグラフ
ィ技術により形成されると共に、複数のインク流路にイ
ンクを供給するためのインク供給口が裏面に開口するよ
うに形成されている。また、記録素子基板Ｈ１１００は
第１のプレートＨ１２００に接着固定されており、ここ
には、記録素子基板Ｈ１１００にインクを供給するため
のインク供給口Ｈ１２０１が形成されている。さらに、
第１のプレートＨ１２００には、開口部を有する第２の
プレートＨ１４００が接着固定されており、この第２の
プレートＨ１４００は、電気配線基板Ｈ１３００と記録
素子基板Ｈ１１００とが電気的に接続されるよう、電気
配線基板Ｈ１３００を保持している。この電気配線基板
Ｈ１３００は、記録素子基板Ｈ１１００にインクを吐出
するための電気信号を印加するものであり、記録素子基
板Ｈ１１００に対応する電気配線と、この電気配線端部
に位置し本体からの電気信号を受け取るための外部信号
入力端子Ｈ１３０１とを有しており、外部信号入力端子
Ｈ１３０１は、後述のタンクホルダＨ１５００の背面側
に位置決め固定されている。
【００５９】一方、インクタンクＨ１９００を着脱可能
に保持するタンクホルダＨ１５００には、流路形成部材
Ｈ１６００が超音波溶着され、インクタンクＨ１９００
から第１のプレートＨ１２００に亙るインク流路Ｈ１５
０１を形成している。また、インクタンクＨ１９００と
係合するインク流路Ｈ１５０１のインクタンク側端部に
は、フィルタＨ１７００が設けられており、外部からの
塵埃の侵入を防止し得るようになっている。また、イン
クタンクＨ１９００との係合部にはシールゴムＨ１８０
０が装着され、係合部からのインクの蒸発を防止し得る
ようになっている。
に保持するタンクホルダＨ１５００には、流路形成部材
Ｈ１６００が超音波溶着され、インクタンクＨ１９００
から第１のプレートＨ１２００に亙るインク流路Ｈ１５
０１を形成している。また、インクタンクＨ１９００と
係合するインク流路Ｈ１５０１のインクタンク側端部に
は、フィルタＨ１７００が設けられており、外部からの
塵埃の侵入を防止し得るようになっている。また、イン
クタンクＨ１９００との係合部にはシールゴムＨ１８０
０が装着され、係合部からのインクの蒸発を防止し得る
ようになっている。
【００６０】さらに、前述のようにタンクホルダＨ１５
００，流路形成部材Ｈ１６００，フィルタＨ１７００お
よびシールゴムＨ１８００から構成されるタンクホルダ
部と、記録素子基板Ｈ１１００，第１のプレートＨ１２
００，電気配線基板Ｈ１３００および第２のプレートＨ
１４００から構成される記録素子部とを接着等で結合す
ることにより、記録ヘッドＨ１００１を構成している。
００，流路形成部材Ｈ１６００，フィルタＨ１７００お
よびシールゴムＨ１８００から構成されるタンクホルダ
部と、記録素子基板Ｈ１１００，第１のプレートＨ１２
００，電気配線基板Ｈ１３００および第２のプレートＨ
１４００から構成される記録素子部とを接着等で結合す
ることにより、記録ヘッドＨ１００１を構成している。
【００６１】キャリッジ 次に、図２に基づきキャリッジＭ４００１を説明する。
【００６２】図示のように、キャリッジＭ４００１に
は、キャリッジＭ４００１と係合し、記録ヘッドＨ１０
０１をキャリッジＭ４００１の装着位置に案内するため
のキャリッジカバーＭ４００２と、記録ヘッドＨ１００
１のタンクホルダＨ１５００と係合し記録ヘッドＨ１０
０１を所定の装着位置にセットさせるよう押圧するヘッ
ドセットレバーＭ４００７とが設けられている。
は、キャリッジＭ４００１と係合し、記録ヘッドＨ１０
０１をキャリッジＭ４００１の装着位置に案内するため
のキャリッジカバーＭ４００２と、記録ヘッドＨ１００
１のタンクホルダＨ１５００と係合し記録ヘッドＨ１０
０１を所定の装着位置にセットさせるよう押圧するヘッ
ドセットレバーＭ４００７とが設けられている。
【００６３】すなわち、ヘッドセットレバーＭ４００７
はキャリッジＭ４００１の上部にヘッドセットレバー軸
に対して回動可能に設けられると共に、記録ヘッドＨ１
００１との係合部には不図示のヘッドセットプレートが
ばねを介して備えられ、このばね力によって記録ヘッド
Ｈ１００１を押圧しながらキャリッジＭ４００１に装着
する構成となっている。
はキャリッジＭ４００１の上部にヘッドセットレバー軸
に対して回動可能に設けられると共に、記録ヘッドＨ１
００１との係合部には不図示のヘッドセットプレートが
ばねを介して備えられ、このばね力によって記録ヘッド
Ｈ１００１を押圧しながらキャリッジＭ４００１に装着
する構成となっている。
【００６４】また、キャリッジＭ４００１の記録ヘッド
Ｈ１００１との別の係合部にはコンタクトフレキシブル
プリントケーブル（以下、コンタクトＦＰＣと称す）Ｅ
００１１が設けられ、コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１上
のコンタクト部と記録ヘッドＨ１００１に設けられたコ
ンタクト部（外部信号入力端子）Ｈ１３０１とが電気的
に接触し、記録のための各種情報の授受や記録ヘッドＨ
１００１への電力の供給などを行い得るようになってい
る。
Ｈ１００１との別の係合部にはコンタクトフレキシブル
プリントケーブル（以下、コンタクトＦＰＣと称す）Ｅ
００１１が設けられ、コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１上
のコンタクト部と記録ヘッドＨ１００１に設けられたコ
ンタクト部（外部信号入力端子）Ｈ１３０１とが電気的
に接触し、記録のための各種情報の授受や記録ヘッドＨ
１００１への電力の供給などを行い得るようになってい
る。
【００６５】ここでコンタクトＦＰＣ Ｅ００１１のコ
ンタクト部とキャリッジＭ４００１との間には不図示の
ゴムなどの弾性部材が設けられ、この弾性部材の弾性力
とヘッドセットレバーばねによる押圧力とによってコン
タクト部とキャリッジＭ４００１との確実な接触を可能
とするようになっている。さらにコンタクトＦＰＣＥ０
０１１はキャリッジＭ４００１の背面に搭載されたキャ
リッジ基板Ｅ００１３に接続されている（図７参照）。
ンタクト部とキャリッジＭ４００１との間には不図示の
ゴムなどの弾性部材が設けられ、この弾性部材の弾性力
とヘッドセットレバーばねによる押圧力とによってコン
タクト部とキャリッジＭ４００１との確実な接触を可能
とするようになっている。さらにコンタクトＦＰＣＥ０
０１１はキャリッジＭ４００１の背面に搭載されたキャ
リッジ基板Ｅ００１３に接続されている（図７参照）。
【００６６】［スキャナ］この実施形態におけるプリン
タは、記録ヘッドを示すようなスキャナと交換すること
で読取装置としても使用することができる。
タは、記録ヘッドを示すようなスキャナと交換すること
で読取装置としても使用することができる。
【００６７】このスキャナは、プリンタ側のキャリッジ
と共に移動し、記録媒体に代えて給送された原稿画像を
副走査方向において読み取るようになっており、その読
み取り動作と原稿の給送動作とを交互に行うことによ
り、１枚の原稿画像情報を読み取るようになっている。
と共に移動し、記録媒体に代えて給送された原稿画像を
副走査方向において読み取るようになっており、その読
み取り動作と原稿の給送動作とを交互に行うことによ
り、１枚の原稿画像情報を読み取るようになっている。
【００６８】図６はこのスキャナＭ６０００の概略構成
を示す図である。
を示す図である。
【００６９】図示のように、スキャナホルダＭ６００１
は箱型形状をなしており、その内部には読み取りに必要
な光学系・処理回路などが収納されている。また、この
スキャナＭ６０００をキャリッジＭ４００１へと装着し
た時、原稿面と対面する部分にはスキャナ読取レンズＭ
６００６が設けられており、ここから原稿画像を読み取
るようになっている。スキャナ照明レンズＭ６００５は
内部に不図示の光源を有し、その光源から発せられた光
が原稿へと照射される。
は箱型形状をなしており、その内部には読み取りに必要
な光学系・処理回路などが収納されている。また、この
スキャナＭ６０００をキャリッジＭ４００１へと装着し
た時、原稿面と対面する部分にはスキャナ読取レンズＭ
６００６が設けられており、ここから原稿画像を読み取
るようになっている。スキャナ照明レンズＭ６００５は
内部に不図示の光源を有し、その光源から発せられた光
が原稿へと照射される。
【００７０】スキャナホルダＭ６００１の底部に固定さ
れたスキャナカバーＭ６００３は、スキャナホルダＭ６
００１内部を遮光するように嵌合し、側面に設けられた
ルーバー状の把持部によってキャリッジＭ４００１への
着脱操作性の向上を図っている。スキャナホルダＭ６０
０１の外形形状は記録ヘッドＨ１００１と略同形状であ
り、キャリッジＭ４００１へは記録ヘッドカートリッジ
Ｈ１０００と同様の操作で着脱することができる。
れたスキャナカバーＭ６００３は、スキャナホルダＭ６
００１内部を遮光するように嵌合し、側面に設けられた
ルーバー状の把持部によってキャリッジＭ４００１への
着脱操作性の向上を図っている。スキャナホルダＭ６０
０１の外形形状は記録ヘッドＨ１００１と略同形状であ
り、キャリッジＭ４００１へは記録ヘッドカートリッジ
Ｈ１０００と同様の操作で着脱することができる。
【００７１】また、スキャナホルダＭ６００１には、処
理回路を有する基板が収納される一方、この基板に接続
されたスキャナコンタクトＰＣＢが外部に露出するよう
設けられており、キャリッジＭ４００１へとスキャナＭ
６０００を装着した際、スキャナコンタクトＰＣＢ Ｍ
６００４がキャリッジＭ４００１側のコンタクトＦＰＣ
Ｅ００１１に接触し、基板を、キャリッジＭ４００１
を介して本体側の制御系に電気的に接続させるようにな
っている。
理回路を有する基板が収納される一方、この基板に接続
されたスキャナコンタクトＰＣＢが外部に露出するよう
設けられており、キャリッジＭ４００１へとスキャナＭ
６０００を装着した際、スキャナコンタクトＰＣＢ Ｍ
６００４がキャリッジＭ４００１側のコンタクトＦＰＣ
Ｅ００１１に接触し、基板を、キャリッジＭ４００１
を介して本体側の制御系に電気的に接続させるようにな
っている。
【００７２】次に、本発明の実施形態における電気的回
路構成を説明する。
路構成を説明する。
【００７３】図７は、この実施形態における電気的回路
の全体構成を概略的に示す図である。
の全体構成を概略的に示す図である。
【００７４】この実施形態における電気的回路は、主に
キャリッジ基板（ＣＲＰＣＢ）Ｅ００１３，メインＰＣ
Ｂ（Printed Circuit Board）Ｅ００１４，電源ユニッ
トＥ００１５等によって構成されている。
キャリッジ基板（ＣＲＰＣＢ）Ｅ００１３，メインＰＣ
Ｂ（Printed Circuit Board）Ｅ００１４，電源ユニッ
トＥ００１５等によって構成されている。
【００７５】ここで、電源ユニットはメインＰＣＢ Ｅ
００１４と接続され、各種駆動電源を供給するものとな
っている。
００１４と接続され、各種駆動電源を供給するものとな
っている。
【００７６】また、キャリッジ基板Ｅ００１３は、キャ
リッジＭ４００１（図２）に搭載されたプリント基板ユ
ニットであり、コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１を通じて
記録ヘッドとの信号の授受を行うインタフェースとして
機能する他、キャリッジＭ４００１の移動に伴ってエン
コーダセンサＥ０００４から出力されるパルス信号に基
づき、エンコーダスケールＥ０００５とエンコーダセン
サＥ０００４との位置関係の変化を検出し、その出力信
号をフレキシブルフラットケーブル（ＣＲＦＦＣ）Ｅ０
０１２を通じてメインＰＣＢ Ｅ００１４へと出力す
る。
リッジＭ４００１（図２）に搭載されたプリント基板ユ
ニットであり、コンタクトＦＰＣ Ｅ００１１を通じて
記録ヘッドとの信号の授受を行うインタフェースとして
機能する他、キャリッジＭ４００１の移動に伴ってエン
コーダセンサＥ０００４から出力されるパルス信号に基
づき、エンコーダスケールＥ０００５とエンコーダセン
サＥ０００４との位置関係の変化を検出し、その出力信
号をフレキシブルフラットケーブル（ＣＲＦＦＣ）Ｅ０
０１２を通じてメインＰＣＢ Ｅ００１４へと出力す
る。
【００７７】さらに、メインＰＣＢはこの実施形態にお
けるインクジェット記録装置の各部の駆動制御を司るプ
リント基板ユニットであり、紙端検出センサ（ＰＥセン
サ）Ｅ０００７，ＡＳＦセンサＥ０００９，カバーセン
サＥ００２２，パラレルインタフェース（パラレルＩ／
Ｆ）Ｅ００１６，シリアルインタフェース（シリアルＩ
／Ｆ）Ｅ００１７，レジュームキーＥ００１９，ＬＥＤ
Ｅ００２０，電源キーＥ００１８，ブザーＥ００２１
等に対するＩ／Ｏポートを基板上に有し、さらにＣＲモ
ータＥ０００１，ＬＦモータＥ０００２，ＰＧモータＥ
０００３と接続されてこれらの駆動を制御する他、イン
ク切れセンサＥ０００６，ＧＡＰセンサＥ０００８，Ｐ
ＧセンサＥ００１０，ＣＲＦＦＣ Ｅ００１２，電源ユ
ニットＥ００１５との接続インタフェースを有する。
けるインクジェット記録装置の各部の駆動制御を司るプ
リント基板ユニットであり、紙端検出センサ（ＰＥセン
サ）Ｅ０００７，ＡＳＦセンサＥ０００９，カバーセン
サＥ００２２，パラレルインタフェース（パラレルＩ／
Ｆ）Ｅ００１６，シリアルインタフェース（シリアルＩ
／Ｆ）Ｅ００１７，レジュームキーＥ００１９，ＬＥＤ
Ｅ００２０，電源キーＥ００１８，ブザーＥ００２１
等に対するＩ／Ｏポートを基板上に有し、さらにＣＲモ
ータＥ０００１，ＬＦモータＥ０００２，ＰＧモータＥ
０００３と接続されてこれらの駆動を制御する他、イン
ク切れセンサＥ０００６，ＧＡＰセンサＥ０００８，Ｐ
ＧセンサＥ００１０，ＣＲＦＦＣ Ｅ００１２，電源ユ
ニットＥ００１５との接続インタフェースを有する。
【００７８】図８は、メインＰＣＢの内部構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【００７９】図において、Ｅ１００１はＣＰＵであり、
このＣＰＵ Ｅ１００１は内部にオシレータＯＳＣ Ｅ
１００２を有すると共に、発振回路Ｅ１００５に接続さ
れてその出力信号Ｅ１０１９によりシステムクロックを
発生する。また、制御バスＥ１０１４を通じてＲＯＭ
Ｅ１００４およびＡＳＩＣ（Application Specific Int
egrated Circuit）Ｅ１００６に接続され、ＲＯＭに格
納されたプログラムに従って、ＡＳＩＣの制御，電源キ
ーからの入力信号Ｅ１０１７およびレジュームキーから
の入力信号Ｅ１０１６，カバー検出信号Ｅ１０４２，ヘ
ッド検出信号（ＨＳＥＮＳ）Ｅ１０１３の状態の検知を
行い、さらにブザー信号（ＢＵＺ）Ｅ１０１８によりブ
ザーＥ００２１を駆動し、内蔵されるＡ／Ｄコンバータ
Ｅ１００３に接続されるインク切れ検出信号（ＩＮＫ
Ｓ）Ｅ１０１１およびサーミスタ温度検出信号（ＴＨ）
Ｅ１０１２の状態の検知を行う一方、その他各種論理演
算・条件判断等を行い、インクジェット記録装置の駆動
制御を司る。
このＣＰＵ Ｅ１００１は内部にオシレータＯＳＣ Ｅ
１００２を有すると共に、発振回路Ｅ１００５に接続さ
れてその出力信号Ｅ１０１９によりシステムクロックを
発生する。また、制御バスＥ１０１４を通じてＲＯＭ
Ｅ１００４およびＡＳＩＣ（Application Specific Int
egrated Circuit）Ｅ１００６に接続され、ＲＯＭに格
納されたプログラムに従って、ＡＳＩＣの制御，電源キ
ーからの入力信号Ｅ１０１７およびレジュームキーから
の入力信号Ｅ１０１６，カバー検出信号Ｅ１０４２，ヘ
ッド検出信号（ＨＳＥＮＳ）Ｅ１０１３の状態の検知を
行い、さらにブザー信号（ＢＵＺ）Ｅ１０１８によりブ
ザーＥ００２１を駆動し、内蔵されるＡ／Ｄコンバータ
Ｅ１００３に接続されるインク切れ検出信号（ＩＮＫ
Ｓ）Ｅ１０１１およびサーミスタ温度検出信号（ＴＨ）
Ｅ１０１２の状態の検知を行う一方、その他各種論理演
算・条件判断等を行い、インクジェット記録装置の駆動
制御を司る。
【００８０】ここで、ヘッド検出信号Ｅ１０１３は、記
録ヘッドカートリッジＨ１０００からフレキシブルフラ
ットケーブルＥ００１２，キャリッジ基板Ｅ００１３お
よびコンタクトフレキシブルプリントケーブルＥ００１
１を介して入力されるヘッド搭載検出信号であり、イン
クエンド検出信号はインクエンドセンサＥ０００６から
出力されるアナログ信号、サーミスタ温度検出信号Ｅ１
０１２はキャリッジ基板Ｅ００１３上に設けられたサー
ミスタ（図示せず）からのアナログ信号である。
録ヘッドカートリッジＨ１０００からフレキシブルフラ
ットケーブルＥ００１２，キャリッジ基板Ｅ００１３お
よびコンタクトフレキシブルプリントケーブルＥ００１
１を介して入力されるヘッド搭載検出信号であり、イン
クエンド検出信号はインクエンドセンサＥ０００６から
出力されるアナログ信号、サーミスタ温度検出信号Ｅ１
０１２はキャリッジ基板Ｅ００１３上に設けられたサー
ミスタ（図示せず）からのアナログ信号である。
【００８１】Ｅ１００８はＣＲモータドライバであっ
て、モータ電源（ＶＭ）Ｅ１０４０を駆動源とし、ＡＳ
ＩＣ Ｅ１００６からのＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６
に従ってＣＲモータ駆動信号Ｅ１０３７を生成し、ＣＲ
モータＥ０００１を駆動する。Ｅ１００９はＬＦ／ＰＧ
モータドライバであって、モータ電源Ｅ１０４０を駆動
源とし、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのパルスモータ制御
信号（ＰＭ制御信号）Ｅ１０３３に従ってＬＦモータ駆
動信号Ｅ１０３５を生成し、これによってＬＦモータを
駆動すると共に、ＰＧモータ駆動信号Ｅ１０３４を生成
してＰＧモータを駆動する。
て、モータ電源（ＶＭ）Ｅ１０４０を駆動源とし、ＡＳ
ＩＣ Ｅ１００６からのＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６
に従ってＣＲモータ駆動信号Ｅ１０３７を生成し、ＣＲ
モータＥ０００１を駆動する。Ｅ１００９はＬＦ／ＰＧ
モータドライバであって、モータ電源Ｅ１０４０を駆動
源とし、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのパルスモータ制御
信号（ＰＭ制御信号）Ｅ１０３３に従ってＬＦモータ駆
動信号Ｅ１０３５を生成し、これによってＬＦモータを
駆動すると共に、ＰＧモータ駆動信号Ｅ１０３４を生成
してＰＧモータを駆動する。
【００８２】Ｅ１０１０は電源制御回路であり、ＡＳＩ
Ｃ Ｅ１００６からの電源制御信号Ｅ１０２４に従って
発光素子を有する各センサ等への電源供給を制御する。
パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６
からのパラレルＩ／Ｆ信号Ｅ１０３０を、外部に接続さ
れるパラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１に伝達し、また
パラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１の信号をＡＳＩＣ
Ｅ１００６に伝達する。シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７
は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのシリアルＩ／Ｆ信号Ｅ
１０２８を、外部に接続されるシリアルＩ／Ｆケーブル
Ｅ１０２９に伝達し、また同ケーブルＥ１０２９からの
信号をＡＳＩＣ Ｅ１００６に伝達する。
Ｃ Ｅ１００６からの電源制御信号Ｅ１０２４に従って
発光素子を有する各センサ等への電源供給を制御する。
パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６
からのパラレルＩ／Ｆ信号Ｅ１０３０を、外部に接続さ
れるパラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１に伝達し、また
パラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１の信号をＡＳＩＣ
Ｅ１００６に伝達する。シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７
は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのシリアルＩ／Ｆ信号Ｅ
１０２８を、外部に接続されるシリアルＩ／Ｆケーブル
Ｅ１０２９に伝達し、また同ケーブルＥ１０２９からの
信号をＡＳＩＣ Ｅ１００６に伝達する。
【００８３】一方、電源ユニットＥ００１５からは、ヘ
ッド電源（ＶＨ）Ｅ１０３９，モータ電源（ＶＭ）Ｅ１
０４０およびロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ１０４１が供給
される。また、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのヘッド電源
ＯＮ信号（ＶＨＯＮ）Ｅ１０２２およびモータ電源ＯＮ
信号（ＶＭＯＭ）Ｅ１０２３が電源ユニットＥ００１５
に入力され、それぞれヘッド電源Ｅ１０３９およびモー
タ電源Ｅ１０４０のオン／オフを制御する。電源ユニッ
トＥ００１５から供給されたロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ
１０４１は、必要に応じて電圧変換された上で、メイン
ＰＣＢ Ｅ００１４内外の各部へ供給される。
ッド電源（ＶＨ）Ｅ１０３９，モータ電源（ＶＭ）Ｅ１
０４０およびロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ１０４１が供給
される。また、ＡＳＩＣ Ｅ１００６からのヘッド電源
ＯＮ信号（ＶＨＯＮ）Ｅ１０２２およびモータ電源ＯＮ
信号（ＶＭＯＭ）Ｅ１０２３が電源ユニットＥ００１５
に入力され、それぞれヘッド電源Ｅ１０３９およびモー
タ電源Ｅ１０４０のオン／オフを制御する。電源ユニッ
トＥ００１５から供給されたロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ
１０４１は、必要に応じて電圧変換された上で、メイン
ＰＣＢ Ｅ００１４内外の各部へ供給される。
【００８４】またヘッド電源Ｅ１０３９は、メインＰＣ
Ｂ Ｅ００１４上で平滑された後にフレキシブルフラッ
トケーブルＥ００１１へと送出され、記録ヘッドカート
リッジＨ１０００の駆動に用いられる。
Ｂ Ｅ００１４上で平滑された後にフレキシブルフラッ
トケーブルＥ００１１へと送出され、記録ヘッドカート
リッジＨ１０００の駆動に用いられる。
【００８５】Ｅ１００７はリセット回路で、ロジック電
源電圧Ｅ１０４０の低下を検出して、ＣＰＵ Ｅ１００
１およびＡＳＩＣ Ｅ１００６にリセット信号（ＲＥＳ
ＥＴ）Ｅ１０１５を供給し、初期化を行う。
源電圧Ｅ１０４０の低下を検出して、ＣＰＵ Ｅ１００
１およびＡＳＩＣ Ｅ１００６にリセット信号（ＲＥＳ
ＥＴ）Ｅ１０１５を供給し、初期化を行う。
【００８６】このＡＳＩＣ Ｅ１００６は１チップの半
導体集積回路であり、制御バスＥ１０１４を通じてＣＰ
Ｕ Ｅ１００１によって制御され、前述したＣＲモータ
制御信号Ｅ１０３６，ＰＭ制御信号Ｅ１０３３，電源制
御信号Ｅ１０２４，ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２およ
びモータ電源ＯＮ信号Ｅ１０２３等を出力し、パラレル
Ｉ／Ｆ Ｅ００１６およびシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７
との信号の授受を行う他、ＰＥセンサＥ０００７からの
ＰＥ検出信号（ＰＥＳ）Ｅ１０２５，ＡＳＦセンサＥ０
００９からのＡＳＦ検出信号（ＡＳＦＳ）Ｅ１０２６，
ＧＡＰセンサＥ０００８からのＧＡＰ検出信号（ＧＡＰ
Ｓ）Ｅ１０２７，ＰＧセンサＥ０００７からのＰＧ検出
信号（ＰＧＳ）Ｅ１０３２の状態を検知し、その状態を
表すデータを制御バスＥ１０１４を通じてＣＰＵ Ｅ１
００１に伝達し、入力されたデータに基づきＣＰＵ Ｅ
１００１はＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８の駆動を制御して
ＬＥＤ Ｅ００２０の点滅を行う。さらに、エンコーダ
信号（ＥＮＣ）Ｅ１０２０の状態を検知してタイミング
信号を生成し、ヘッド制御信号Ｅ１０２１で記録ヘッド
カートリッジＨ１０００とのインタフェースをとって記
録動作を制御する。ここにおいて、エンコーダ信号（Ｅ
ＮＣ）Ｅ１０２０はフレキシブルフラットケーブルＥ０
０１２を通じて入力されるＣＲエンコーダセンサＥ００
０４の出力信号である。また、ヘッド制御信号Ｅ１０２
１は、フレキシブルフラットケーブルＥ００１２，キャ
リッジ基板Ｅ００１３およびコンタクトＦＰＣ Ｅ００
１１を経て記録ヘッドＨ１０００に供給される。
導体集積回路であり、制御バスＥ１０１４を通じてＣＰ
Ｕ Ｅ１００１によって制御され、前述したＣＲモータ
制御信号Ｅ１０３６，ＰＭ制御信号Ｅ１０３３，電源制
御信号Ｅ１０２４，ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２およ
びモータ電源ＯＮ信号Ｅ１０２３等を出力し、パラレル
Ｉ／Ｆ Ｅ００１６およびシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７
との信号の授受を行う他、ＰＥセンサＥ０００７からの
ＰＥ検出信号（ＰＥＳ）Ｅ１０２５，ＡＳＦセンサＥ０
００９からのＡＳＦ検出信号（ＡＳＦＳ）Ｅ１０２６，
ＧＡＰセンサＥ０００８からのＧＡＰ検出信号（ＧＡＰ
Ｓ）Ｅ１０２７，ＰＧセンサＥ０００７からのＰＧ検出
信号（ＰＧＳ）Ｅ１０３２の状態を検知し、その状態を
表すデータを制御バスＥ１０１４を通じてＣＰＵ Ｅ１
００１に伝達し、入力されたデータに基づきＣＰＵ Ｅ
１００１はＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８の駆動を制御して
ＬＥＤ Ｅ００２０の点滅を行う。さらに、エンコーダ
信号（ＥＮＣ）Ｅ１０２０の状態を検知してタイミング
信号を生成し、ヘッド制御信号Ｅ１０２１で記録ヘッド
カートリッジＨ１０００とのインタフェースをとって記
録動作を制御する。ここにおいて、エンコーダ信号（Ｅ
ＮＣ）Ｅ１０２０はフレキシブルフラットケーブルＥ０
０１２を通じて入力されるＣＲエンコーダセンサＥ００
０４の出力信号である。また、ヘッド制御信号Ｅ１０２
１は、フレキシブルフラットケーブルＥ００１２，キャ
リッジ基板Ｅ００１３およびコンタクトＦＰＣ Ｅ００
１１を経て記録ヘッドＨ１０００に供給される。
【００８７】図９は、ＡＳＩＣ Ｅ１００６の内部構成
を示すブロック図である。なお、同図において、各ブロ
ック間の接続については、記録データやモータ制御デー
タ等、ヘッドや各部機構部品の制御にかかわるデータの
流れのみを示しており、各ブロックに内蔵されるレジス
タの読み書きに係わる制御信号やクロック、ＤＭＡ制御
にかかわる制御信号などは図面上の記載の煩雑化を避け
るため省略している。
を示すブロック図である。なお、同図において、各ブロ
ック間の接続については、記録データやモータ制御デー
タ等、ヘッドや各部機構部品の制御にかかわるデータの
流れのみを示しており、各ブロックに内蔵されるレジス
タの読み書きに係わる制御信号やクロック、ＤＭＡ制御
にかかわる制御信号などは図面上の記載の煩雑化を避け
るため省略している。
【００８８】図中、Ｅ２００２はＰＬＬであり、図９に
示すようにＣＰＵ Ｅ１００１から出力されるクロック
信号（ＣＬＫ）Ｅ２０３１およびＰＬＬ制御信号（ＰＬ
ＬＯＮ）Ｅ２０３３により、ＡＳＩＣ Ｅ１００６内の
大部分へと供給するクロック（図示しない）を発生す
る。
示すようにＣＰＵ Ｅ１００１から出力されるクロック
信号（ＣＬＫ）Ｅ２０３１およびＰＬＬ制御信号（ＰＬ
ＬＯＮ）Ｅ２０３３により、ＡＳＩＣ Ｅ１００６内の
大部分へと供給するクロック（図示しない）を発生す
る。
【００８９】また、Ｅ２００１はＣＰＵインタフェース
（ＣＰＵＩ／Ｆ）であり、リセット信号Ｅ１０１５，Ｃ
ＰＵ Ｅ１００１から出力されるソフトリセット信号
（ＰＤＷＮ）Ｅ２０３２，クロック信号（ＣＬＫ）Ｅ２
０３１および制御バスＥ１０１４からの制御信号によ
り、以下に説明するような各ブロックに対するレジスタ
読み書き等の制御や、一部ブロックへのクロックの供
給，割り込み信号の受け付け等（いずれも図示しない）
を行い、ＣＰＵ Ｅ１００１に対して割り込み信号（Ｉ
ＮＴ）Ｅ２０３４を出力し、ＡＳＩＣ Ｅ１００６内部
での割り込みの発生を知らせる。
（ＣＰＵＩ／Ｆ）であり、リセット信号Ｅ１０１５，Ｃ
ＰＵ Ｅ１００１から出力されるソフトリセット信号
（ＰＤＷＮ）Ｅ２０３２，クロック信号（ＣＬＫ）Ｅ２
０３１および制御バスＥ１０１４からの制御信号によ
り、以下に説明するような各ブロックに対するレジスタ
読み書き等の制御や、一部ブロックへのクロックの供
給，割り込み信号の受け付け等（いずれも図示しない）
を行い、ＣＰＵ Ｅ１００１に対して割り込み信号（Ｉ
ＮＴ）Ｅ２０３４を出力し、ＡＳＩＣ Ｅ１００６内部
での割り込みの発生を知らせる。
【００９０】また、Ｅ２００５はＤＲＡＭであり、記録
用のデータバッファとして、受信バッファＥ２０１０，
ワークバッファＥ２０１１，プリントバッファＥ２０１
４および展開用データバッファＥ２０１６などの各領域
を有すると共に、モータ制御用としてモータ制御バッフ
ァＥ２０２３を有し、さらにスキャナ動作モード時に使
用するバッファとして、上記の各記録用データバッファ
に代えてスキャナ取込みバッファＥ２０２４，スキャナ
データバッファＥ２０２６および送出バッファＥ２０２
８などの領域を有する。
用のデータバッファとして、受信バッファＥ２０１０，
ワークバッファＥ２０１１，プリントバッファＥ２０１
４および展開用データバッファＥ２０１６などの各領域
を有すると共に、モータ制御用としてモータ制御バッフ
ァＥ２０２３を有し、さらにスキャナ動作モード時に使
用するバッファとして、上記の各記録用データバッファ
に代えてスキャナ取込みバッファＥ２０２４，スキャナ
データバッファＥ２０２６および送出バッファＥ２０２
８などの領域を有する。
【００９１】また、このＤＲＡＭ Ｅ２００５は、ＣＰ
Ｕ Ｅ１００１の動作に必要なワーク領域としても使用
されている。すなわち、Ｅ２００４はＤＲＡＭ制御部で
あり、制御バスによるＣＰＵ Ｅ１００１からＤＲＡＭ
Ｅ２００５へのアクセスと、後述するＤＭＡ制御部Ｅ
２００３からＤＲＡＭ Ｅ２００５へのアクセスとを切
り替えて、ＤＲＡＭ Ｅ２００５への読み書き動作を行
う。
Ｕ Ｅ１００１の動作に必要なワーク領域としても使用
されている。すなわち、Ｅ２００４はＤＲＡＭ制御部で
あり、制御バスによるＣＰＵ Ｅ１００１からＤＲＡＭ
Ｅ２００５へのアクセスと、後述するＤＭＡ制御部Ｅ
２００３からＤＲＡＭ Ｅ２００５へのアクセスとを切
り替えて、ＤＲＡＭ Ｅ２００５への読み書き動作を行
う。
【００９２】ＤＭＡ制御部Ｅ２００３では、各ブロック
からのリクエスト（図示せず）を受け付け、アドレス信
号や制御信号（図示せず），書込み動作の場合には書込
みデータ（Ｅ２０３８，Ｅ２０４１，Ｅ２０４４，Ｅ２
０５３，Ｅ２０５５およびＥ２０５７）などをＲＡＭ制
御部に出力してＤＲＡＭアクセスを行う。また読み出し
の場合には、ＤＲＡＭ制御部Ｅ２００４からの読み出し
データ（Ｅ２０４０，Ｅ２０４３，Ｅ２０４５，Ｅ２０
５１，Ｅ２０５４，Ｅ２０５６，Ｅ２０５８およびＥ２
０５９）をリクエスト元のブロックに受け渡す。
からのリクエスト（図示せず）を受け付け、アドレス信
号や制御信号（図示せず），書込み動作の場合には書込
みデータ（Ｅ２０３８，Ｅ２０４１，Ｅ２０４４，Ｅ２
０５３，Ｅ２０５５およびＥ２０５７）などをＲＡＭ制
御部に出力してＤＲＡＭアクセスを行う。また読み出し
の場合には、ＤＲＡＭ制御部Ｅ２００４からの読み出し
データ（Ｅ２０４０，Ｅ２０４３，Ｅ２０４５，Ｅ２０
５１，Ｅ２０５４，Ｅ２０５６，Ｅ２０５８およびＥ２
０５９）をリクエスト元のブロックに受け渡す。
【００９３】また、Ｅ２００６は１２８４Ｉ／Ｆであ
り、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御により、パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６を通じ
て図示しない外部ホスト機器との双方向通信インタフェ
ースを行う他、記録時にはパラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６
からの受信データ（ＰＩＦ受信データＥ２０３６）をＤ
ＭＡ処理によって受信制御部Ｅ２００８へと受け渡し、
スキャナ読み取り時にはＤＲＡＭ Ｅ２００５内の送出
バッファＥ２０２８に格納されたデータ（１２８４送信
データ（ＲＤＰＩＦ）Ｅ２０５９）をＤＭＡ処理により
パラレルＩ／Ｆに送信する。
り、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御により、パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６を通じ
て図示しない外部ホスト機器との双方向通信インタフェ
ースを行う他、記録時にはパラレルＩ／Ｆ Ｅ００１６
からの受信データ（ＰＩＦ受信データＥ２０３６）をＤ
ＭＡ処理によって受信制御部Ｅ２００８へと受け渡し、
スキャナ読み取り時にはＤＲＡＭ Ｅ２００５内の送出
バッファＥ２０２８に格納されたデータ（１２８４送信
データ（ＲＤＰＩＦ）Ｅ２０５９）をＤＭＡ処理により
パラレルＩ／Ｆに送信する。
【００９４】Ｅ２００７はＵＳＢＩ／Ｆであり、ＣＰＵ
Ｉ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵＥ１００１の制御に
より、シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７を通じて、図示しな
い外部ホスト機器との双方向通信インタフェースを行う
他、印刷時にはシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７からの受信
データ（ＵＳＢ受信データＥ２０３７）をＤＭＡ処理に
より受信制御部Ｅ２００８に受け渡し、スキャナ読み取
り時にはＤＲＡＭＥ２００５内の送出バッファＥ２０２
８に格納されたデータ（ＵＳＢ送信データ（ＲＤＵＳ
Ｂ）Ｅ２０５８）をＤＭＡ処理によりシリアルＩ／Ｆ
Ｅ００１７に送信する。受信制御部Ｅ２００８は、１２
８４Ｉ／Ｆ Ｅ２００６またはＵＳＢＩ／Ｆ Ｅ２００
７のうちの選択されたＩ／Ｆからの受信データ （ＷＤ
ＩＦ）Ｅ２０３８）を受信バッファ制御部Ｅ２０３９の
管理する受信バッファ書込みアドレスに書込む。
Ｉ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵＥ１００１の制御に
より、シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７を通じて、図示しな
い外部ホスト機器との双方向通信インタフェースを行う
他、印刷時にはシリアルＩ／Ｆ Ｅ００１７からの受信
データ（ＵＳＢ受信データＥ２０３７）をＤＭＡ処理に
より受信制御部Ｅ２００８に受け渡し、スキャナ読み取
り時にはＤＲＡＭＥ２００５内の送出バッファＥ２０２
８に格納されたデータ（ＵＳＢ送信データ（ＲＤＵＳ
Ｂ）Ｅ２０５８）をＤＭＡ処理によりシリアルＩ／Ｆ
Ｅ００１７に送信する。受信制御部Ｅ２００８は、１２
８４Ｉ／Ｆ Ｅ２００６またはＵＳＢＩ／Ｆ Ｅ２００
７のうちの選択されたＩ／Ｆからの受信データ （ＷＤ
ＩＦ）Ｅ２０３８）を受信バッファ制御部Ｅ２０３９の
管理する受信バッファ書込みアドレスに書込む。
【００９５】Ｅ２００９は圧縮・伸長ＤＭＡであり、Ｃ
ＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵＥ１００１の制
御により、受信バッファＥ２０１０上に格納された受信
データ（ラスタデータ）を受信バッファ制御部Ｅ２０３
９の管理する受信バッファ読み出しアドレスから読み出
し、そのデータ（ＲＤＷＫ）Ｅ２０４０を指定されたモ
ードに従って圧縮・伸長し、記録コード列（ＷＤＷＫ）
Ｅ２０４１としてワークバッファ領域に書込む。
ＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵＥ１００１の制
御により、受信バッファＥ２０１０上に格納された受信
データ（ラスタデータ）を受信バッファ制御部Ｅ２０３
９の管理する受信バッファ読み出しアドレスから読み出
し、そのデータ（ＲＤＷＫ）Ｅ２０４０を指定されたモ
ードに従って圧縮・伸長し、記録コード列（ＷＤＷＫ）
Ｅ２０４１としてワークバッファ領域に書込む。
【００９６】Ｅ２０１３は記録バッファ転送ＤＭＡであ
り、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０７の制御によりワークバッファＥ２０１１上の記録コ
ード（ＲＤＷＰ）Ｅ２０４３を読み出し、各記録コード
を記録ヘッドカートリッジＨ１０００へのデータ転送順
序に適するようなプリントバッファＥ２０１４上のアド
レスに並べ替えて転送（ＷＤＷＰ Ｅ２０４４）する。
また、Ｅ２０１２はワーククリアＤＭＡであり、ＣＰＵ
Ｉ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御
によって記録バッファ転送ＤＭＡ Ｅ２０１５による転
送が完了したワークバッファ上の領域に対し、指定した
ワークフィルデータ（ＷＤＷＦ）Ｅ２０４２を繰返し書
込む。
り、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０７の制御によりワークバッファＥ２０１１上の記録コ
ード（ＲＤＷＰ）Ｅ２０４３を読み出し、各記録コード
を記録ヘッドカートリッジＨ１０００へのデータ転送順
序に適するようなプリントバッファＥ２０１４上のアド
レスに並べ替えて転送（ＷＤＷＰ Ｅ２０４４）する。
また、Ｅ２０１２はワーククリアＤＭＡであり、ＣＰＵ
Ｉ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御
によって記録バッファ転送ＤＭＡ Ｅ２０１５による転
送が完了したワークバッファ上の領域に対し、指定した
ワークフィルデータ（ＷＤＷＦ）Ｅ２０４２を繰返し書
込む。
【００９７】Ｅ２０１５は記録データ展開ＤＭＡであ
り、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御により、ヘッド制御部Ｅ２０１８からのデー
タ展開タイミング信号Ｅ２０５０をトリガとして、プリ
ントバッファ上に並べ替えて書込まれた記録コードと展
開用データバッファＥ２０１６上に書込まれた展開用デ
ータとを読み出し、展開記録データ（ＲＤＨＤＧ）Ｅ２
０４５を生成し、これをカラムバッファ書込みデータ
（ＷＤＨＤＧ）Ｅ２０４７としてカラムバッファＥ２０
１７に書込む。ここで、カラムバッファＥ２０１７は、
記録ヘッドカートリッジＨ１０００へと転送データ（展
開記録データ）とを一時的に格納するＳＲＡＭであり、
記録データ展開ＤＭＡとヘッド制御部とのシェークハン
ド信号（図示せず）によって両ブロックにより共有管理
されている。
り、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御により、ヘッド制御部Ｅ２０１８からのデー
タ展開タイミング信号Ｅ２０５０をトリガとして、プリ
ントバッファ上に並べ替えて書込まれた記録コードと展
開用データバッファＥ２０１６上に書込まれた展開用デ
ータとを読み出し、展開記録データ（ＲＤＨＤＧ）Ｅ２
０４５を生成し、これをカラムバッファ書込みデータ
（ＷＤＨＤＧ）Ｅ２０４７としてカラムバッファＥ２０
１７に書込む。ここで、カラムバッファＥ２０１７は、
記録ヘッドカートリッジＨ１０００へと転送データ（展
開記録データ）とを一時的に格納するＳＲＡＭであり、
記録データ展開ＤＭＡとヘッド制御部とのシェークハン
ド信号（図示せず）によって両ブロックにより共有管理
されている。
【００９８】Ｅ２０１８はヘッド制御部で、ＣＰＵＩ／
Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御によ
り、ヘッド制御信号を介して記録ヘッドカートリッジＨ
１０００またはスキャナとのインタフェースを行う他、
エンコーダ信号処理部Ｅ２０１９からのヘッド駆動タイ
ミング信号Ｅ２０４９に基づき、記録データ展開ＤＭＡ
に対してデータ展開タイミング信号Ｅ２０５０の出力を
行う。
Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御によ
り、ヘッド制御信号を介して記録ヘッドカートリッジＨ
１０００またはスキャナとのインタフェースを行う他、
エンコーダ信号処理部Ｅ２０１９からのヘッド駆動タイ
ミング信号Ｅ２０４９に基づき、記録データ展開ＤＭＡ
に対してデータ展開タイミング信号Ｅ２０５０の出力を
行う。
【００９９】また、印刷時には、ヘッド駆動タイミング
信号Ｅ２０４９に従って、カラムバッファから展開記録
データ（ＲＤＨＤ）Ｅ２０４８を読み出し、そのデータ
をヘッド制御信号Ｅ１０２１を通じて記録ヘッドカート
リッジＨ１０００に出力する。
信号Ｅ２０４９に従って、カラムバッファから展開記録
データ（ＲＤＨＤ）Ｅ２０４８を読み出し、そのデータ
をヘッド制御信号Ｅ１０２１を通じて記録ヘッドカート
リッジＨ１０００に出力する。
【０１００】また、スキャナ読み取りモードにおいて
は、ヘッド制御信号Ｅ１０２１を通して入力された取込
みデータ（ＷＤＨＤ）Ｅ２０５３をＤＲＡＭ Ｅ２００
５上のスキャナ取込みバッファＥ２０２４へとＤＭＡ転
送する。Ｅ２０２５はスキャナデータ処理ＤＭＡであ
り、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御により、スキャナ取込みバッファＥ２０２４
に蓄えられた取込みバッファ読み出しデータ（ＲＤＡ
Ｖ）Ｅ２０５４を読み出し、平均化等の処理を行った処
理済データ（ＷＤＡＶ）Ｅ２０５５をＤＲＡＭ Ｅ２０
０５上のスキャナデータバッファＥ２０２６に書込む。
は、ヘッド制御信号Ｅ１０２１を通して入力された取込
みデータ（ＷＤＨＤ）Ｅ２０５３をＤＲＡＭ Ｅ２００
５上のスキャナ取込みバッファＥ２０２４へとＤＭＡ転
送する。Ｅ２０２５はスキャナデータ処理ＤＭＡであ
り、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御により、スキャナ取込みバッファＥ２０２４
に蓄えられた取込みバッファ読み出しデータ（ＲＤＡ
Ｖ）Ｅ２０５４を読み出し、平均化等の処理を行った処
理済データ（ＷＤＡＶ）Ｅ２０５５をＤＲＡＭ Ｅ２０
０５上のスキャナデータバッファＥ２０２６に書込む。
【０１０１】Ｅ２０２７はスキャナデータ圧縮ＤＭＡで
あり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１
００１の制御により、スキャナデータバッファＥ２０２
６上の処理済データ（ＲＤＹＣ）Ｅ２０５６を読み出し
てデータ圧縮を行い、圧縮データ（ＷＤＹＣ）Ｅ２０５
７を送出バッファＥ２０２８に書込み転送する。
あり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１
００１の制御により、スキャナデータバッファＥ２０２
６上の処理済データ（ＲＤＹＣ）Ｅ２０５６を読み出し
てデータ圧縮を行い、圧縮データ（ＷＤＹＣ）Ｅ２０５
７を送出バッファＥ２０２８に書込み転送する。
【０１０２】Ｅ２０１９はエンコーダ信号処理部であ
り、エンコーダ信号（ＥＮＣ）を受けてＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御で定められたモードに従ってヘッド駆動タイ
ミング信号Ｅ２０４９を出力する他、エンコーダ信号Ｅ
１０２０から得られるキャリッジＭ４００１の位置や速
度にかかわる情報をレジスタに格納してＣＰＵ Ｅ１０
０１に提供する。ＣＰＵ Ｅ１００１はこの情報に基づ
き、ＣＲモータＥ０００１の制御における各種パラメー
タを決定する。また、Ｅ２０２０はＣＲモータ制御部で
あり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１
００１の制御により、ＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６を
出力する。
り、エンコーダ信号（ＥＮＣ）を受けてＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御で定められたモードに従ってヘッド駆動タイ
ミング信号Ｅ２０４９を出力する他、エンコーダ信号Ｅ
１０２０から得られるキャリッジＭ４００１の位置や速
度にかかわる情報をレジスタに格納してＣＰＵ Ｅ１０
０１に提供する。ＣＰＵ Ｅ１００１はこの情報に基づ
き、ＣＲモータＥ０００１の制御における各種パラメー
タを決定する。また、Ｅ２０２０はＣＲモータ制御部で
あり、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１
００１の制御により、ＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６を
出力する。
【０１０３】Ｅ２０２２はセンサ信号処理部で、ＰＧセ
ンサＥ００１０，ＰＥセンサＥ０００７，ＡＳＦセンサ
Ｅ０００９およびＧＡＰセンサＥ０００８等から出力さ
れる各検出信号を受け、ＣＰＵ Ｅ１００１の制御で定
められたモードに従ってこれらのセンサ情報をＣＰＵ
Ｅ１００１に伝達する他、ＬＦ／ＰＧモータ制御部ＤＭ
Ａ Ｅ２０２１に対してセンサ検出信号Ｅ２０５２を出
力する。
ンサＥ００１０，ＰＥセンサＥ０００７，ＡＳＦセンサ
Ｅ０００９およびＧＡＰセンサＥ０００８等から出力さ
れる各検出信号を受け、ＣＰＵ Ｅ１００１の制御で定
められたモードに従ってこれらのセンサ情報をＣＰＵ
Ｅ１００１に伝達する他、ＬＦ／ＰＧモータ制御部ＤＭ
Ａ Ｅ２０２１に対してセンサ検出信号Ｅ２０５２を出
力する。
【０１０４】ＬＦ／ＰＧモータ制御ＤＭＡＥ２０２１
は、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御により、ＤＲＡＭ Ｅ２００５上のモータ制
御バッファＥ２０２３からパルスモータ駆動テーブル
（ＲＤＰＭ）Ｅ２０５１を読み出してパルスモータ制御
信号Ｅを出力する他、動作モードによってはセンサ検出
信号を制御のトリガとしてパルスモータ制御信号Ｅ１０
３３を出力する。
は、ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１０
０１の制御により、ＤＲＡＭ Ｅ２００５上のモータ制
御バッファＥ２０２３からパルスモータ駆動テーブル
（ＲＤＰＭ）Ｅ２０５１を読み出してパルスモータ制御
信号Ｅを出力する他、動作モードによってはセンサ検出
信号を制御のトリガとしてパルスモータ制御信号Ｅ１０
３３を出力する。
【０１０５】また、Ｅ２０３０はＬＥＤ制御部であり、
ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１
の制御により、ＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８を出力する。
さらに、Ｅ２０２９はポート制御部であり、ＣＰＵＩ／
Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御によ
り、ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２，モータ電源オン信
号Ｅ１０２３および電源制御信号Ｅ１０２４を出力す
る。
ＣＰＵＩ／Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１
の制御により、ＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８を出力する。
さらに、Ｅ２０２９はポート制御部であり、ＣＰＵＩ／
Ｆ Ｅ２００１を介したＣＰＵ Ｅ１００１の制御によ
り、ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２，モータ電源オン信
号Ｅ１０２３および電源制御信号Ｅ１０２４を出力す
る。
【０１０６】次に、上記のように構成された本発明の実
施形態におけるインクジェット記録装置の動作を図１０
のフローチャートに基づき説明する。
施形態におけるインクジェット記録装置の動作を図１０
のフローチャートに基づき説明する。
【０１０７】ＡＣ電源に本装置が接続されると、まず、
ステップＳ１では装置の第１の初期化処理を行う。この
初期化処理では、本装置のＲＯＭおよびＲＡＭのチェッ
クなどの電気回路系のチェックを行い、電気的に本装置
が正常に動作可能であるかを確認する。
ステップＳ１では装置の第１の初期化処理を行う。この
初期化処理では、本装置のＲＯＭおよびＲＡＭのチェッ
クなどの電気回路系のチェックを行い、電気的に本装置
が正常に動作可能であるかを確認する。
【０１０８】次にステップＳ２では、装置本体Ｍ１００
０の上ケースＭ１００２に設けられた電源キーＥ００１
８がＯＮされたかどうかの判断を行い、電源キーＥ００
１８が押された場合には、次のステップＳ３へと移行
し、ここで第２の初期化処理を行う。
０の上ケースＭ１００２に設けられた電源キーＥ００１
８がＯＮされたかどうかの判断を行い、電源キーＥ００
１８が押された場合には、次のステップＳ３へと移行
し、ここで第２の初期化処理を行う。
【０１０９】この第２の初期化処理では、本装置の各種
駆動機構およびヘッド系のチェックを行う。すなわち、
各種モータの初期化やヘッド情報の読み込みを行うに際
し、本装置が正常に動作可能であるかを確認する。
駆動機構およびヘッド系のチェックを行う。すなわち、
各種モータの初期化やヘッド情報の読み込みを行うに際
し、本装置が正常に動作可能であるかを確認する。
【０１１０】次にステップＳ４ではイベント待ちを行
う。すなわち、本装置に対して外部Ｉ／Ｆからの指令イ
ベント，ユーザ操作によるパネルキーイベントおよび内
部的な制御イベントなどを監視し、これらのイベントが
発生すると当該イベントに対応した処理を実行する。
う。すなわち、本装置に対して外部Ｉ／Ｆからの指令イ
ベント，ユーザ操作によるパネルキーイベントおよび内
部的な制御イベントなどを監視し、これらのイベントが
発生すると当該イベントに対応した処理を実行する。
【０１１１】例えば、ステップＳ４で外部Ｉ／Ｆからの
印刷指令イベントを受信した場合にはステップＳ５へと
移行し、同ステップでユーザ操作による電源キーイベン
トが発生した場合にはステップＳ１０へと移行し、同ス
テップでその他のイベントが発生した場合にはステップ
Ｓ１１へと移行する。
印刷指令イベントを受信した場合にはステップＳ５へと
移行し、同ステップでユーザ操作による電源キーイベン
トが発生した場合にはステップＳ１０へと移行し、同ス
テップでその他のイベントが発生した場合にはステップ
Ｓ１１へと移行する。
【０１１２】ここで、ステップＳ５では外部Ｉ／Ｆから
の印刷指令を解析し、指定された紙種別，用紙サイズ，
印刷品位および給紙方法などを判断し、その判断結果を
表すデータを本装置内のＲＡＭ Ｅ２００５に記憶し、
ステップＳ６へと進む。
の印刷指令を解析し、指定された紙種別，用紙サイズ，
印刷品位および給紙方法などを判断し、その判断結果を
表すデータを本装置内のＲＡＭ Ｅ２００５に記憶し、
ステップＳ６へと進む。
【０１１３】次いでステップＳ６ではステップＳ５で指
定された給紙方法により給紙を開始し、用紙を記録開始
位置まで送り、ステップＳ７に進む。
定された給紙方法により給紙を開始し、用紙を記録開始
位置まで送り、ステップＳ７に進む。
【０１１４】ステップＳ７では記録動作を行う。この記
録動作では、外部Ｉ／Ｆから送出されてきた記録データ
を記録バッファに一旦格納し、次いでＣＲモータＥ００
０１を駆動してキャリッジＭ４００１の走査方向への移
動を開始すると共に、プリントバッファＥ２０１４に格
納されている記録データを記録ヘッドＨ１００１へと供
給して１行分の記録を行い、１行分の記録データの記録
動作が終了するとＬＦモータＥ０００２を駆動し、ＬＦ
ローラＭ３００１を回転させて用紙を副走査方向へと送
る。この後、上記動作を繰り返し実行し、外部Ｉ／Ｆか
らの１ページ分の記録データの記録が終了すると、ステ
ップ８へと進む。
録動作では、外部Ｉ／Ｆから送出されてきた記録データ
を記録バッファに一旦格納し、次いでＣＲモータＥ００
０１を駆動してキャリッジＭ４００１の走査方向への移
動を開始すると共に、プリントバッファＥ２０１４に格
納されている記録データを記録ヘッドＨ１００１へと供
給して１行分の記録を行い、１行分の記録データの記録
動作が終了するとＬＦモータＥ０００２を駆動し、ＬＦ
ローラＭ３００１を回転させて用紙を副走査方向へと送
る。この後、上記動作を繰り返し実行し、外部Ｉ／Ｆか
らの１ページ分の記録データの記録が終了すると、ステ
ップ８へと進む。
【０１１５】ステップＳ８では、ＬＦモータＥ０００２
を駆動し、排紙ローラＭ２００３を駆動し、用紙が完全
に本装置から送り出されたと判断されるまで紙送りを繰
返し、終了した時点で用紙は排紙トレイＭ１００４ａ上
に完全に排紙された状態となる。
を駆動し、排紙ローラＭ２００３を駆動し、用紙が完全
に本装置から送り出されたと判断されるまで紙送りを繰
返し、終了した時点で用紙は排紙トレイＭ１００４ａ上
に完全に排紙された状態となる。
【０１１６】次にステップＳ９では、記録すべき全ペー
ジの記録動作が終了したか否かを判定し、記録すべきペ
ージが残存する場合には、ステップＳ５へと復帰し、以
下、前述のステップＳ５〜Ｓ９までの動作を繰り返し、
記録すべき全てのページの記録動作が終了した時点で記
録動作は終了し、その後ステップＳ４へと移行し、次の
イベントを待つ。
ジの記録動作が終了したか否かを判定し、記録すべきペ
ージが残存する場合には、ステップＳ５へと復帰し、以
下、前述のステップＳ５〜Ｓ９までの動作を繰り返し、
記録すべき全てのページの記録動作が終了した時点で記
録動作は終了し、その後ステップＳ４へと移行し、次の
イベントを待つ。
【０１１７】一方、ステップＳ１０ではプリンタ終了処
理を行い、本装置の動作を停止させる。つまり、各種モ
ータやヘッドなどの電源を切断するために、電源を切断
可能な状態に移行した後、電源を切断してステップＳ４
に進み、次のイベントを待つ。
理を行い、本装置の動作を停止させる。つまり、各種モ
ータやヘッドなどの電源を切断するために、電源を切断
可能な状態に移行した後、電源を切断してステップＳ４
に進み、次のイベントを待つ。
【０１１８】また、ステップＳ１１では、上記以外の他
のイベント処理を行う。例えば、本装置の各種パネルキ
ーや外部Ｉ／Ｆからの回復指令や内部的に発生する回復
イベントなどに対応した処理を行う。なお、処理終了後
にはステップＳ４に進み、次のイベントを待つ。
のイベント処理を行う。例えば、本装置の各種パネルキ
ーや外部Ｉ／Ｆからの回復指令や内部的に発生する回復
イベントなどに対応した処理を行う。なお、処理終了後
にはステップＳ４に進み、次のイベントを待つ。
【０１１９】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に
説明する。
説明する。
【０１２０】（実施例１）実施例１における記録ヘッド
Ｈ１００１の一部を破断状態で図１１に示し、その基板
ユニットの主要部の平面形状を図１２に示し、そのXIII
−XIII矢視断面構造，XIV−XIV矢視断面構造を図１３，
図１４にそれぞれ示す。すなわち、１１は電気熱変換素
子１８が設けられる記録素子基板Ｈ１１００としての基
板であり、電気熱変換素子１８は一対の電極配線１４
ａ，１４ｂとの間に位置する発熱抵抗体層１３によって
形成される。１５は一対の電極配線１４ａ，１４ｂによ
り形成されて発熱抵抗体層１３から立ち上がる段差部、
１７は第１保護層、１６は第２保護層をそれぞれ示す。
また、１９はインク滴を吐出させるための吐出口であっ
て、上述した吐出口Ｈ１１００Ｔに相当する。２０はこ
れら吐出口１９にインクを供給するためのインク室、２
１はインク室２０にインクを供給するために基板１１に
開口するインク供給口であり、上述したインク供給口Ｈ
１２０１に対応する。
Ｈ１００１の一部を破断状態で図１１に示し、その基板
ユニットの主要部の平面形状を図１２に示し、そのXIII
−XIII矢視断面構造，XIV−XIV矢視断面構造を図１３，
図１４にそれぞれ示す。すなわち、１１は電気熱変換素
子１８が設けられる記録素子基板Ｈ１１００としての基
板であり、電気熱変換素子１８は一対の電極配線１４
ａ，１４ｂとの間に位置する発熱抵抗体層１３によって
形成される。１５は一対の電極配線１４ａ，１４ｂによ
り形成されて発熱抵抗体層１３から立ち上がる段差部、
１７は第１保護層、１６は第２保護層をそれぞれ示す。
また、１９はインク滴を吐出させるための吐出口であっ
て、上述した吐出口Ｈ１１００Ｔに相当する。２０はこ
れら吐出口１９にインクを供給するためのインク室、２
１はインク室２０にインクを供給するために基板１１に
開口するインク供給口であり、上述したインク供給口Ｈ
１２０１に対応する。
【０１２１】基板１１は、通常、Ｓiウェハ上に発熱抵
抗体層１３および一対の電極配線１４ａ，１４ｂなどを
フォトリソグラフィ技術によってパターニングし、イン
ク室２０、吐出口１９を感光性樹脂によって作成し、異
方性エッチングなどによってインク供給口２１を形成し
た後、Ｓiウェハを切断することによって形成される。
そして、この基板１１には、電気熱変換素子１８を駆動
するための電気的信号の受け渡しを行う電気配線基板Ｈ
１３００（図５参照）が実装技術によって接続される。
つまり、この電気配線基板Ｈ１３００には、電気熱変換
素子１８に電流をスイッチングさせるパワートランジス
タおよびこのパワートランジスタを制御するためのＣＭ
ＯＳロジック回路などが駆動手段として半導体技術を利
用して形成され、電極配線１４ａ，１４ｂを介して電気
熱変換素子１８に接続している。
抗体層１３および一対の電極配線１４ａ，１４ｂなどを
フォトリソグラフィ技術によってパターニングし、イン
ク室２０、吐出口１９を感光性樹脂によって作成し、異
方性エッチングなどによってインク供給口２１を形成し
た後、Ｓiウェハを切断することによって形成される。
そして、この基板１１には、電気熱変換素子１８を駆動
するための電気的信号の受け渡しを行う電気配線基板Ｈ
１３００（図５参照）が実装技術によって接続される。
つまり、この電気配線基板Ｈ１３００には、電気熱変換
素子１８に電流をスイッチングさせるパワートランジス
タおよびこのパワートランジスタを制御するためのＣＭ
ＯＳロジック回路などが駆動手段として半導体技術を利
用して形成され、電極配線１４ａ，１４ｂを介して電気
熱変換素子１８に接続している。
【０１２２】本実施例では、インク供給口２１を挟んで
相互に平行な２列の吐出口１９を相互に半ピッチずらし
ていわゆるジグザグ状に配列しており、各列の吐出口１
９に対応するインク室２０の間隔を６００dpiのピッチ
でそれぞれ配列させている。
相互に平行な２列の吐出口１９を相互に半ピッチずらし
ていわゆるジグザグ状に配列しており、各列の吐出口１
９に対応するインク室２０の間隔を６００dpiのピッチ
でそれぞれ配列させている。
【０１２３】各々のインク室２０には電気熱変換素子１
８が設けられ、それぞれ吐出口１９から４ピコリットル
のインク滴を吐出できるようにしている。
８が設けられ、それぞれ吐出口１９から４ピコリットル
のインク滴を吐出できるようにしている。
【０１２４】本実施例では基板１１としてＳiウェハを
使用おり、このＳiウェハを熱酸化により、数μｍ程度
のＳiＯ2膜である酸化層１２を形成する。その後、スパ
ッタリングにより発熱抵抗体層１３を５００Å程度の厚
みで形成する。この発熱抵抗体層１３として本実施例で
はＴaＮを用いたが、ＨfＢ2やＴaＳiＮなどを使用して
もよい。そして、電極配線１４ａ，１４ｂとしてＡl層
を２１００Åの膜厚にし、±３００Åの膜厚の公差にて
成膜した後、マスクを使用して配線領域をパターニング
する。本実施例では、電極配線１４ａ，１４ｂとしてＡ
lを用いているが、Ａl−Ｓi，Ａl−ＣuまたはＡl−Ｓi
−Ｃuなどの合金を用いてもよい。そして、発熱抵抗体
層１３と電極配線１４ａ，１４ｂとを同時にドライエッ
チングによりエッチングし、次に電気熱変換素子１８の
部分を形成するため、マスクを使用してパターニングを
実施し、その後、電気熱変換素子１８の部分のＡl層を
ウェットエッチングにて除去する。
使用おり、このＳiウェハを熱酸化により、数μｍ程度
のＳiＯ2膜である酸化層１２を形成する。その後、スパ
ッタリングにより発熱抵抗体層１３を５００Å程度の厚
みで形成する。この発熱抵抗体層１３として本実施例で
はＴaＮを用いたが、ＨfＢ2やＴaＳiＮなどを使用して
もよい。そして、電極配線１４ａ，１４ｂとしてＡl層
を２１００Åの膜厚にし、±３００Åの膜厚の公差にて
成膜した後、マスクを使用して配線領域をパターニング
する。本実施例では、電極配線１４ａ，１４ｂとしてＡ
lを用いているが、Ａl−Ｓi，Ａl−ＣuまたはＡl−Ｓi
−Ｃuなどの合金を用いてもよい。そして、発熱抵抗体
層１３と電極配線１４ａ，１４ｂとを同時にドライエッ
チングによりエッチングし、次に電気熱変換素子１８の
部分を形成するため、マスクを使用してパターニングを
実施し、その後、電気熱変換素子１８の部分のＡl層を
ウェットエッチングにて除去する。
【０１２５】このように、電極配線１４ａ，１４ｂの膜
厚を２１００Å程度まで薄くしたが、電極配線１４ａ，
１４ｂの膜厚を薄くすることは、配線抵抗を上昇させる
ものであり、その配線抵抗により、電力の消費が増大
し、さらに基板１１の温度上昇を招来することから、従
来では電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚を厚くしていた。
厚を２１００Å程度まで薄くしたが、電極配線１４ａ，
１４ｂの膜厚を薄くすることは、配線抵抗を上昇させる
ものであり、その配線抵抗により、電力の消費が増大
し、さらに基板１１の温度上昇を招来することから、従
来では電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚を厚くしていた。
【０１２６】しかし、その配線抵抗と発熱抵抗体層１３
の抵抗値とを比較すると、配線抵抗の割合は微々たるも
のであり、本発明のように膜厚を薄くすることは、電力
ロスや昇温の見地からは大きな問題にはならず、却って
発熱抵抗体層１３を覆う第１保護層１７の膜厚を薄くで
きることによる省電力化や熱応答性および発熱抵抗体層
１３の耐久性などにおける改善の効果の方が非常に大き
いことが本実施例による検証により実証できた。
の抵抗値とを比較すると、配線抵抗の割合は微々たるも
のであり、本発明のように膜厚を薄くすることは、電力
ロスや昇温の見地からは大きな問題にはならず、却って
発熱抵抗体層１３を覆う第１保護層１７の膜厚を薄くで
きることによる省電力化や熱応答性および発熱抵抗体層
１３の耐久性などにおける改善の効果の方が非常に大き
いことが本実施例による検証により実証できた。
【０１２７】電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚の最小値
は、その幅と膜厚とで決定される単位断面積中に、どれ
だけの電流がどれだけの時間通電されるかという電流密
度の観点より判断される。電流密度が高く、通電時間が
長いと、エレクトロマイグレーションにより、電極配線
材料１４ａ，１４ｂを構成する材料の抵抗値が上昇して
ゆくことは、通常良く知られている。
は、その幅と膜厚とで決定される単位断面積中に、どれ
だけの電流がどれだけの時間通電されるかという電流密
度の観点より判断される。電流密度が高く、通電時間が
長いと、エレクトロマイグレーションにより、電極配線
材料１４ａ，１４ｂを構成する材料の抵抗値が上昇して
ゆくことは、通常良く知られている。
【０１２８】しかし、基板１１に形成される電極配線１
４ａ，１４ｂの通電可能な繰り返し耐用回数は、３×１
０8から１×１０9回程度であり、また１回の通電時間
は、１μｍ程度の非常に短い時間であり、さらにその繰
り返し駆動周波数は、３０kＨz程度である。
４ａ，１４ｂの通電可能な繰り返し耐用回数は、３×１
０8から１×１０9回程度であり、また１回の通電時間
は、１μｍ程度の非常に短い時間であり、さらにその繰
り返し駆動周波数は、３０kＨz程度である。
【０１２９】本実施例における基板１１を用い、上述し
た電極配線１４ａ，１４ｂのエレクトロマイグレーショ
ンを評価したところ、電流密度を１.５×１０7A/cm、通
電パルス幅を１.３μｓ、基板１１の温度を６０℃で一
定の状態に保ち、３×１０9パルスまで通電試験を実施
したが、電極配線１４ａ，１４ｂの抵抗値変化を示す現
象は全く見られなかった。
た電極配線１４ａ，１４ｂのエレクトロマイグレーショ
ンを評価したところ、電流密度を１.５×１０7A/cm、通
電パルス幅を１.３μｓ、基板１１の温度を６０℃で一
定の状態に保ち、３×１０9パルスまで通電試験を実施
したが、電極配線１４ａ，１４ｂの抵抗値変化を示す現
象は全く見られなかった。
【０１３０】上述のような電極配線１４ａ，１４ｂの形
成後、ＳiＮによる第１保護層１７をＣＶＤ法により成
膜する。このＳiＮの第１保護層１７は、膜厚を３００
０Åにし、±４００Åを公差範囲として成膜したが、酸
化シリコンを第１保護層１７として成膜することも可能
である。
成後、ＳiＮによる第１保護層１７をＣＶＤ法により成
膜する。このＳiＮの第１保護層１７は、膜厚を３００
０Åにし、±４００Åを公差範囲として成膜したが、酸
化シリコンを第１保護層１７として成膜することも可能
である。
【０１３１】次に、第２保護層１６として、Ｔaをスパ
ッタリングにより形成するが、その膜厚を２３００Åに
し、±２８０Åの公差範囲にて成膜した。このＴaに代
えてＴaＮやＴaＳiＮなどを第２保護層１６として採用
してもよい。
ッタリングにより形成するが、その膜厚を２３００Åに
し、±２８０Åの公差範囲にて成膜した。このＴaに代
えてＴaＮやＴaＳiＮなどを第２保護層１６として採用
してもよい。
【０１３２】次に第２保護層１６であるＴaの不要な部
分を削除するため、再度パターニングした後、ドライエ
ッチング法により除去する。このドライエッチングの時
間設定は、電気熱変換素子１８の配列方向に沿って平行
に配列する発熱抵抗体層１３（およびこれに交互に重な
る電極配線１４ａ，１４ｂ）の間の凹部２２に第２保護
層１６が残留しないように、オーバーエッチング状態に
設定される。第２保護層１６が残留すると、第２保護層
が残留した部分（以下「残留部」とも言う）の下部の第
１保護層１７にピンホールがあった場合、配線電極と残
留部とが通電して残留部は酸化される。ここで、残留部
が必要として残した第２保護層１６と通電する場合、第
２保護層１６の必要部分まで酸化されてしまい、キャビ
テーション保護ができなくなる恐れがある。そこで、第
２保護層１６の不要部分を残留させずに除去するため
に、オーバーエッチング量は１００Å以上であることが
好ましい。また、このようなオーバーエッチングによ
り、第２保護層１６が除去された領域の第１保護層１７
の膜厚は、第２保護層１６を構成するＴaが存在する領
域の膜厚よりも薄くなっているが、電極配線を確実に保
護するためにはその差が２００Å以下であることが好ま
しい。
分を削除するため、再度パターニングした後、ドライエ
ッチング法により除去する。このドライエッチングの時
間設定は、電気熱変換素子１８の配列方向に沿って平行
に配列する発熱抵抗体層１３（およびこれに交互に重な
る電極配線１４ａ，１４ｂ）の間の凹部２２に第２保護
層１６が残留しないように、オーバーエッチング状態に
設定される。第２保護層１６が残留すると、第２保護層
が残留した部分（以下「残留部」とも言う）の下部の第
１保護層１７にピンホールがあった場合、配線電極と残
留部とが通電して残留部は酸化される。ここで、残留部
が必要として残した第２保護層１６と通電する場合、第
２保護層１６の必要部分まで酸化されてしまい、キャビ
テーション保護ができなくなる恐れがある。そこで、第
２保護層１６の不要部分を残留させずに除去するため
に、オーバーエッチング量は１００Å以上であることが
好ましい。また、このようなオーバーエッチングによ
り、第２保護層１６が除去された領域の第１保護層１７
の膜厚は、第２保護層１６を構成するＴaが存在する領
域の膜厚よりも薄くなっているが、電極配線を確実に保
護するためにはその差が２００Å以下であることが好ま
しい。
【０１３３】このドライエッチングにおいては、エッチ
ングガスの噴射方向を例えば基板１１の表面に対して垂
直に設定することにより、発熱抵抗体層１３およびこれ
に重なる電極配線１４ａ，１４ｂにより形成されて基板
１１の表面（図示例では酸化層１２の表面）から立ち上
がる段差部２３の部分の第１保護層１７は、エッチング
ガスの噴射方向に対して傾斜した状態となり、ここに亀
裂が入っていたとしてもエッチングガスの浸入が緩和さ
れる結果、発熱抵抗体層１３上に重なる電極配線１４
ａ，１４ｂが損傷を受けるような不具合は発生しない。
尤も、オーバーエッチングにより第１保護層１７を多く
削りすぎた場合、膜質が粗になっている段差部２３のエ
ッチングが速いため電極配線１４ａ，１４ｂが損傷を受
ける恐れがある。
ングガスの噴射方向を例えば基板１１の表面に対して垂
直に設定することにより、発熱抵抗体層１３およびこれ
に重なる電極配線１４ａ，１４ｂにより形成されて基板
１１の表面（図示例では酸化層１２の表面）から立ち上
がる段差部２３の部分の第１保護層１７は、エッチング
ガスの噴射方向に対して傾斜した状態となり、ここに亀
裂が入っていたとしてもエッチングガスの浸入が緩和さ
れる結果、発熱抵抗体層１３上に重なる電極配線１４
ａ，１４ｂが損傷を受けるような不具合は発生しない。
尤も、オーバーエッチングにより第１保護層１７を多く
削りすぎた場合、膜質が粗になっている段差部２３のエ
ッチングが速いため電極配線１４ａ，１４ｂが損傷を受
ける恐れがある。
【０１３４】このような異方性のドライエッチングを行
うことにより、基板１１の表面から立ち上がる段差部２
３の部分の第１保護層１７に亀裂が入っていても、発熱
抵抗体層１３上に重なる電極配線１４ａ，１４ｂの損傷
を受けにくくしている。
うことにより、基板１１の表面から立ち上がる段差部２
３の部分の第１保護層１７に亀裂が入っていても、発熱
抵抗体層１３上に重なる電極配線１４ａ，１４ｂの損傷
を受けにくくしている。
【０１３５】これに対し、上述した第２保護層１６の不
要部分をウェットエッチングにて行った場合の基板表面
の状態を図１５に示し、そのXVI−XVI矢視断面構造を図
１６に示すが、本実施例と同一機能の部材にはこれと同
一符号を記してある。すなわち、ウェットエッチングに
より第２保護層１６の不要部分を除去した場合、エッチ
ング液が段差部２３において第１保護層１７に存在する
亀裂から浸透し、電極配線１４ａ，１４ｂをエッチング
してしまい、欠陥部２４が形成されてしまうことが判明
した。しかしながら、本実施例のように第２保護層１６
の不要部分をドライエッチングにより除去した場合、第
１保護層１７のピンホールや亀裂などの存在の如何にか
かわらず、上述したように電極配線１４ａ，１４ｂがエ
ッチングされるような不具合を防止することができる。
要部分をウェットエッチングにて行った場合の基板表面
の状態を図１５に示し、そのXVI−XVI矢視断面構造を図
１６に示すが、本実施例と同一機能の部材にはこれと同
一符号を記してある。すなわち、ウェットエッチングに
より第２保護層１６の不要部分を除去した場合、エッチ
ング液が段差部２３において第１保護層１７に存在する
亀裂から浸透し、電極配線１４ａ，１４ｂをエッチング
してしまい、欠陥部２４が形成されてしまうことが判明
した。しかしながら、本実施例のように第２保護層１６
の不要部分をドライエッチングにより除去した場合、第
１保護層１７のピンホールや亀裂などの存在の如何にか
かわらず、上述したように電極配線１４ａ，１４ｂがエ
ッチングされるような不具合を防止することができる。
【０１３６】また、上述のドライエッチングでオーバー
エッチング状態にする際、第２保護層によって覆われた
第１保護層の部分と第２保護層によって覆われていない
第１保護層の部分との境界部近傍の第1保護層および第
２保護層の部分をテーパ形状にすることができる。該テ
ーパ形状については、実施例２の中で後述する。
エッチング状態にする際、第２保護層によって覆われた
第１保護層の部分と第２保護層によって覆われていない
第１保護層の部分との境界部近傍の第1保護層および第
２保護層の部分をテーパ形状にすることができる。該テ
ーパ形状については、実施例２の中で後述する。
【０１３７】このようにして作られた基板ユニットを組
み込んだ記録ヘッドＨ１００１を作成し、インクの吐出
繰り返し耐用回数の評価を実施した。３×１０8回以上
が耐用目標回数であるが、１×１０9回繰り返しても、
発熱抵抗体層１３の断線などの不具合は発生しなかっ
た。この試験で使用した記録ヘッドＨ１００１における
電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚に対し、第１保護層１７
の膜厚はおよそ１.１４倍であった。
み込んだ記録ヘッドＨ１００１を作成し、インクの吐出
繰り返し耐用回数の評価を実施した。３×１０8回以上
が耐用目標回数であるが、１×１０9回繰り返しても、
発熱抵抗体層１３の断線などの不具合は発生しなかっ
た。この試験で使用した記録ヘッドＨ１００１における
電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚に対し、第１保護層１７
の膜厚はおよそ１.１４倍であった。
【０１３８】（実施例２）実施例２における液体吐出ヘ
ッドの主要部の平面形状を図１７に示し、そのXVIII−X
VIII矢視断面構造を図１８に示す。ここで、２５は吐出
口を形成する吐出口形成部材であり、２６は基板と吐出
口形成部材との密着性を向上させるための密着層であ
る。基板と吐出口形成部材とが接合されたものは記録素
子基板Ｈ１１００に対応する。その他の構成および効果
については、実施例１とほぼ同様である。
ッドの主要部の平面形状を図１７に示し、そのXVIII−X
VIII矢視断面構造を図１８に示す。ここで、２５は吐出
口を形成する吐出口形成部材であり、２６は基板と吐出
口形成部材との密着性を向上させるための密着層であ
る。基板と吐出口形成部材とが接合されたものは記録素
子基板Ｈ１１００に対応する。その他の構成および効果
については、実施例１とほぼ同様である。
【０１３９】図１７および図１８に示した液体吐出ヘッ
ドは、実施例１で説明したものとほぼ同様の液体吐出ヘ
ッド用基板ユニット２７に、密着層２６および吐出口形
成部材２５を形成して作製される。
ドは、実施例１で説明したものとほぼ同様の液体吐出ヘ
ッド用基板ユニット２７に、密着層２６および吐出口形
成部材２５を形成して作製される。
【０１４０】まず、実施例１で説明したものとほぼ同様
の液体吐出ヘッド用基板ユニット２７に、密着層２６と
してポリエーテルアミド樹脂を以下の方法で厚み２.０
μｍで形成した。このポリエーテルアミド樹脂には、日
立化成工業（株）社製ＨＩＭＡＬ１２００を用い、スピ
ナーで基板ユニット２７上に塗布し、１００℃／３０分
＋２５０℃／１時間ベークを行った。
の液体吐出ヘッド用基板ユニット２７に、密着層２６と
してポリエーテルアミド樹脂を以下の方法で厚み２.０
μｍで形成した。このポリエーテルアミド樹脂には、日
立化成工業（株）社製ＨＩＭＡＬ１２００を用い、スピ
ナーで基板ユニット２７上に塗布し、１００℃／３０分
＋２５０℃／１時間ベークを行った。
【０１４１】次いでＨＩＭＡＬ上に東京応化工業（株）
社製ポジレジストＯＦＰＲ８００を用いてパターニング
を行い、更にＯＦＰＲパターンをマスクとしてＯ2プラ
ズマアッシングによりＨＩＭＡＬ層のパターニングを行
い、最後にマスクとして使用したＯＦＰＲパターンを剥
離することで図１７および図１８に示したように密着層
２６を形成した。
社製ポジレジストＯＦＰＲ８００を用いてパターニング
を行い、更にＯＦＰＲパターンをマスクとしてＯ2プラ
ズマアッシングによりＨＩＭＡＬ層のパターニングを行
い、最後にマスクとして使用したＯＦＰＲパターンを剥
離することで図１７および図１８に示したように密着層
２６を形成した。
【０１４２】次いで基板ユニット上に、溶解可能な感光
性材料である東京応化工業（株）ポジレジストＯＤＵＲ
を塗布し、インク流路パターン（不図示）をパターニン
グした（厚み１２μｍ）。
性材料である東京応化工業（株）ポジレジストＯＤＵＲ
を塗布し、インク流路パターン（不図示）をパターニン
グした（厚み１２μｍ）。
【０１４３】さらに、吐出口形成部材２５として被覆樹
脂層を基板ユニット２７上に形成し、パターニングによ
って吐出口１９を形成した。被覆樹脂層としては、吐出
口１９をフォトリソグラフィーで容易にかつ精度よく形
成できることから、感光性のものが好ましい。また、基
板ユニット２７との密着性、耐インク性を有することが
要求されるため、エポキシ樹脂のカチオン重合硬化物を
構造材料とするものを用いた。
脂層を基板ユニット２７上に形成し、パターニングによ
って吐出口１９を形成した。被覆樹脂層としては、吐出
口１９をフォトリソグラフィーで容易にかつ精度よく形
成できることから、感光性のものが好ましい。また、基
板ユニット２７との密着性、耐インク性を有することが
要求されるため、エポキシ樹脂のカチオン重合硬化物を
構造材料とするものを用いた。
【０１４４】次いで、ＣＤＥ（ケミカルドライエッチン
グ）でインク供給口２１上のＳiＮ膜を除去し、溶解液
に浸すことによりＯＤＵＲを除去することによって、イ
ンク供給口２１上のＳiＮ膜およびＯＤＵＲからなるイ
ンク流路パターンを除去し、さらに吐出口形成部材２５
であるエポキシ樹脂を完全に硬化させるために１８０℃
で１時間の加熱を行い、液体吐出ヘッドを得た。
グ）でインク供給口２１上のＳiＮ膜を除去し、溶解液
に浸すことによりＯＤＵＲを除去することによって、イ
ンク供給口２１上のＳiＮ膜およびＯＤＵＲからなるイ
ンク流路パターンを除去し、さらに吐出口形成部材２５
であるエポキシ樹脂を完全に硬化させるために１８０℃
で１時間の加熱を行い、液体吐出ヘッドを得た。
【０１４５】さらに、吐出口形成部材２５であるエポキ
シ樹脂を完全に硬化させるために１８０℃で１時間の加
熱を行い、液体吐出ヘッドを得た。吐出口形成部材２５
は、図１７および図１８に示したように第２保護層１６
の一部および第２保護層１６によって覆われていない第
１保護層１７の部分に密着層を介して接合されている。
このように密着層２６を介することにより、第１保護層
１７および第２保護層１６を形成した基板ユニット２７
と吐出口形成部材２５との密着性は改善されている。
シ樹脂を完全に硬化させるために１８０℃で１時間の加
熱を行い、液体吐出ヘッドを得た。吐出口形成部材２５
は、図１７および図１８に示したように第２保護層１６
の一部および第２保護層１６によって覆われていない第
１保護層１７の部分に密着層を介して接合されている。
このように密着層２６を介することにより、第１保護層
１７および第２保護層１６を形成した基板ユニット２７
と吐出口形成部材２５との密着性は改善されている。
【０１４６】本実施例では、以下に述べるように、密着
性をさらに高めることにより、吐出口形成部材２５の剥
れを防止し、液体吐出ヘッドの信頼性を向上させること
ができる。
性をさらに高めることにより、吐出口形成部材２５の剥
れを防止し、液体吐出ヘッドの信頼性を向上させること
ができる。
【０１４７】実施例１で述べたように、基板ユニットを
作製する際、第２保護層１６によって覆われていない第
１保護層１６の部分の厚みを第２保護層１６によって覆
われた第１保護層１７の部分の厚みよりも薄くした場
合、第２保護層１６によって覆われた第１保護層１７の
部分と第２保護層１６によって覆われていない第１保護
層１７の部分との境界部近傍に第２保護層１６だけでな
く第1保護層１７による側壁２８が形成される。その結
果、基板ユニット２７上に密着層２６および吐出口形成
部材２５を形成して作製された液体吐出ヘッドにおい
て、第２保護層１６の近傍における第１保護層１７と密
着層２６との密着性が向上し、吐出口形成部材２５の剥
れが生じにくくなる。
作製する際、第２保護層１６によって覆われていない第
１保護層１６の部分の厚みを第２保護層１６によって覆
われた第１保護層１７の部分の厚みよりも薄くした場
合、第２保護層１６によって覆われた第１保護層１７の
部分と第２保護層１６によって覆われていない第１保護
層１７の部分との境界部近傍に第２保護層１６だけでな
く第1保護層１７による側壁２８が形成される。その結
果、基板ユニット２７上に密着層２６および吐出口形成
部材２５を形成して作製された液体吐出ヘッドにおい
て、第２保護層１６の近傍における第１保護層１７と密
着層２６との密着性が向上し、吐出口形成部材２５の剥
れが生じにくくなる。
【０１４８】ここで、ドライエッチングでオーバーエッ
チング状態することにより側壁２８を形成する場合、側
壁２８をテーパ形状にすることができる。実施例１で説
明した図１３は第１保護層１７と第２保護層１６のテー
パ形状の角度がほぼ等しい場合の実施例である。図１８
は第２保護層１６のテーパ形状の角度よりも第１保護層
１７のテーパ形状の角度の方が傾斜が緩やかである場合
の実施例である。また、テーパ形状は、曲率を持つもの
であってもよい。よりいっそう密着性を向上させるため
には第１保護層および第２保護層のテーパ形状の角度傾
斜が急であるほどよい。
チング状態することにより側壁２８を形成する場合、側
壁２８をテーパ形状にすることができる。実施例１で説
明した図１３は第１保護層１７と第２保護層１６のテー
パ形状の角度がほぼ等しい場合の実施例である。図１８
は第２保護層１６のテーパ形状の角度よりも第１保護層
１７のテーパ形状の角度の方が傾斜が緩やかである場合
の実施例である。また、テーパ形状は、曲率を持つもの
であってもよい。よりいっそう密着性を向上させるため
には第１保護層および第２保護層のテーパ形状の角度傾
斜が急であるほどよい。
【０１４９】（その他の実施例）上述の実施例１および
２では吐出口１９と電気熱変換素子１８とが対向するサ
イドシュータータイプの記録ヘッドＨ１００１について
説明したが、吐出口の開口方向が電気熱変換素子の表面
に対してほぼ直交するエッジシュータータイプのインク
ジェットヘッドに対しても本発明を応用することが可能
である。
２では吐出口１９と電気熱変換素子１８とが対向するサ
イドシュータータイプの記録ヘッドＨ１００１について
説明したが、吐出口の開口方向が電気熱変換素子の表面
に対してほぼ直交するエッジシュータータイプのインク
ジェットヘッドに対しても本発明を応用することが可能
である。
【０１５０】このような本発明による液体吐出ヘッドの
他の実施例の外観を図１９に示すが、先の実施例と同一
機能の部材にはこれと同一符号を記すに止め、重複する
説明は省略するものとする。すなわち、基板１１上に
は、溝付き部材２５が接合され、基板１１との間に所定
間隔で配列する吐出口１９と、これら吐出口１９にそれ
ぞれインク路２６を介して連通する共通インク室２７
と、この共通インク室２７にインクを供給するためのイ
ンク供給口２８とが形成されている。インク供給口２８
から共通インク室２７内に供給されたインクは、インク
路２６内にて電気熱変換体１８により膜沸騰を生じ、吐
出口１９からインク滴となって吐出するようになってい
る。
他の実施例の外観を図１９に示すが、先の実施例と同一
機能の部材にはこれと同一符号を記すに止め、重複する
説明は省略するものとする。すなわち、基板１１上に
は、溝付き部材２５が接合され、基板１１との間に所定
間隔で配列する吐出口１９と、これら吐出口１９にそれ
ぞれインク路２６を介して連通する共通インク室２７
と、この共通インク室２７にインクを供給するためのイ
ンク供給口２８とが形成されている。インク供給口２８
から共通インク室２７内に供給されたインクは、インク
路２６内にて電気熱変換体１８により膜沸騰を生じ、吐
出口１９からインク滴となって吐出するようになってい
る。
【０１５１】本実施例においても、基板１１上に形成さ
れる電気熱変換体１８は、上述した実施例と同一構成を
有するものである。
れる電気熱変換体１８は、上述した実施例と同一構成を
有するものである。
【０１５２】
【発明の効果】本発明によると、基板の表面部のほぼ全
域に形成されて一対の電極配線および電気熱変換素子を
覆う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて
電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と一対の電極
配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを設け、一対の
電極配線の厚みを１８００〜２４００Åの範囲内にし、
第２保護層によって覆われた第１保護層の部分の厚みを
２６００〜３４００Åの範囲内にすると共に第２保護層
によって覆われていない第１保護層の部分の厚みを第２
保護層によって覆われた第１保護層の部分の厚みよりも
薄くしたので、第１保護層を成膜工程の追加やマスクの
使用を増やすことなく、均一な薄い膜厚にすることがで
きる。また、電極配線により形成されて基板の表面から
立ち上がる段差部における第１保護層のカバレージ性を
良好に保つことができる。
域に形成されて一対の電極配線および電気熱変換素子を
覆う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて
電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と一対の電極
配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを設け、一対の
電極配線の厚みを１８００〜２４００Åの範囲内にし、
第２保護層によって覆われた第１保護層の部分の厚みを
２６００〜３４００Åの範囲内にすると共に第２保護層
によって覆われていない第１保護層の部分の厚みを第２
保護層によって覆われた第１保護層の部分の厚みよりも
薄くしたので、第１保護層を成膜工程の追加やマスクの
使用を増やすことなく、均一な薄い膜厚にすることがで
きる。また、電極配線により形成されて基板の表面から
立ち上がる段差部における第１保護層のカバレージ性を
良好に保つことができる。
【０１５３】このため、液体の急速加熱が可能となって
発泡安定性を向上させることができる結果、液体吐出ヘ
ッドの省電力化および昇温の抑制が可能となり、基板の
蓄熱が抑制されて熱応答性が向上し、駆動周波数を高め
て高品位のプリント作業を実現することができる。しか
も、電気熱変換素子の吐出耐久性の優れた信頼性の高い
液体吐出ヘッドを従来と変りない工数で得ることができ
る。
発泡安定性を向上させることができる結果、液体吐出ヘ
ッドの省電力化および昇温の抑制が可能となり、基板の
蓄熱が抑制されて熱応答性が向上し、駆動周波数を高め
て高品位のプリント作業を実現することができる。しか
も、電気熱変換素子の吐出耐久性の優れた信頼性の高い
液体吐出ヘッドを従来と変りない工数で得ることができ
る。
【０１５４】特に、一対の電極配線の厚みを２０００〜
２２００Åの範囲にした場合には、第１保護層の膜厚を
より薄く均一化することができ、熱発生の繰り返しに伴
う熱応力の部分集中によって保護層に亀裂が発生し、こ
の亀裂部分から液体が侵入して発熱抵抗層の破壊に至る
断線事故を防止することができ、耐久性を向上させるこ
とができる。
２２００Åの範囲にした場合には、第１保護層の膜厚を
より薄く均一化することができ、熱発生の繰り返しに伴
う熱応力の部分集中によって保護層に亀裂が発生し、こ
の亀裂部分から液体が侵入して発熱抵抗層の破壊に至る
断線事故を防止することができ、耐久性を向上させるこ
とができる。
【０１５５】電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子
と一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層を第
１保護層の表面にドライエッチングにて形成することに
より、この第２保護層によって覆われていない第１保護
層の部分の厚みを当該第２保護層によって覆われた第１
保護層の部分の厚みよりも薄くし、一対の電極配線の厚
みを１８００〜２４００Åの範囲にした場合には、電気
熱変換素子および電極配線に対して損傷を与えないよう
にすることができる。
と一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層を第
１保護層の表面にドライエッチングにて形成することに
より、この第２保護層によって覆われていない第１保護
層の部分の厚みを当該第２保護層によって覆われた第１
保護層の部分の厚みよりも薄くし、一対の電極配線の厚
みを１８００〜２４００Åの範囲にした場合には、電気
熱変換素子および電極配線に対して損傷を与えないよう
にすることができる。
【０１５６】また、第１保護層および第２保護層の吐出
口形成部材に覆われる部分をテーパ形状にすることによ
り、第２保護層の近傍における前記第１保護層と吐出口
形成部材との密着性が向上し、吐出口形成部材の剥れが
生じにくくなる。
口形成部材に覆われる部分をテーパ形状にすることによ
り、第２保護層の近傍における前記第１保護層と吐出口
形成部材との密着性が向上し、吐出口形成部材の剥れが
生じにくくなる。
【０１５７】このため、電気熱変換素子や一対の電極配
線および基板に設けられる駆動素子などに対し、第２保
護層を除去することによって露出する第１保護層は、水
分の付着や高湿の環境下において、十分な機能を発揮す
ることができる。
線および基板に設けられる駆動素子などに対し、第２保
護層を除去することによって露出する第１保護層は、水
分の付着や高湿の環境下において、十分な機能を発揮す
ることができる。
【０１５８】吐出口を相互に平行に少なくとも２列形成
し、それぞれ６００dpiの間隔で配列すると共に列毎の
これらの配列間隔を相互に半ピッチずらした場合には、
１２００dpiの高性能な液体吐出ヘッドを得ることがで
きる。
し、それぞれ６００dpiの間隔で配列すると共に列毎の
これらの配列間隔を相互に半ピッチずらした場合には、
１２００dpiの高性能な液体吐出ヘッドを得ることがで
きる。
【０１５９】電気熱変換素子に単独に与えられる駆動パ
ルスによって吐出される吐出口から吐出される液体の吐
出量が４ピコリットルの場合には、画像の分解能を向上
させて得られる画像品質を大幅に向上させることができ
る。
ルスによって吐出される吐出口から吐出される液体の吐
出量が４ピコリットルの場合には、画像の分解能を向上
させて得られる画像品質を大幅に向上させることができ
る。
【図１】本発明の実施形態におけるインクジェットプリ
ンタの外観構成を示す斜視図である。
ンタの外観構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示すものの外装部材を取り外した状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に用いる記録ヘッドカートリ
ッジを組立てた状態を示す斜視図である。
ッジを組立てた状態を示す斜視図である。
【図４】図３に示す記録ヘッドカートリッジを示す分解
斜視図である。
斜視図である。
【図５】図４に示した記録ヘッドを斜め下方から観た分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図６】本発明の実施形態におけるスキャナカートリッ
ジを示す斜視図である。
ジを示す斜視図である。
【図７】本発明の実施形態における電気的回路の全体構
成を概略的に示すブロック図である。
成を概略的に示すブロック図である。
【図８】図７に示したメインＰＣＢの内部構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図９】図８に示したＡＳＩＣの内部構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１０】本発明の実施形態の動作を示すフローチャー
トである。
トである。
【図１１】本発明による液体吐出ヘッドの一実施例の概
略構造を表す破断斜視図である。
略構造を表す破断斜視図である。
【図１２】図１１に示した実施例における基板の主要部
の平面図である。
の平面図である。
【図１３】図１２中のXIII−XIII矢視断面図である。
【図１４】図１２中のXIV−XIV矢視断面図である。
【図１５】第２保護層をウェットエッチングにより形成
した場合の基板の主要部の平面図である。
した場合の基板の主要部の平面図である。
【図１６】図１５中のXVI−XVI矢視断面図である。
【図１７】本発明による液体吐出ヘッドの他の実施例に
おける主要部の平面図である。
おける主要部の平面図である。
【図１８】図１７中のXVIII−XVIII矢視断面図である。
【図１９】本発明による液体吐出ヘッドの別な実施例の
外観の一部を表す斜視図である。
外観の一部を表す斜視図である。
【図２０】従来のインクジェットヘッドの基板の構造の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図２１】従来のインクジェットヘッドの基板の構造の
他の例を示す断面図である。
他の例を示す断面図である。
【図２２】従来のインクジェットヘッドの基板の構造の
別な例を示す断面図である。
別な例を示す断面図である。
１１ 基板（記録素子基板Ｈ１１００） １２ 酸化層 １３ 発熱抵抗体層 １４ａ，１４ｂ 電極配線 １５ 段差部 １６ 第１の保護層 １７ 第２の保護層 １８ 電気熱変換素子 １９ 吐出口（Ｈ１１００Ｔ） ２０ インク室 ２１ インク供給口（Ｈ１２０１） ２２ 凹部 ２３ 段差部 ２４ 欠陥部 ２５ 吐出口形成部材 ２６ 密着層 ２７ 基板ユニット ２８ 側壁 Ｍ１０００ 装置本体 Ｍ１００１ 下ケース Ｍ１００２ 上ケース Ｍ１００３ アクセスカバー Ｍ１００４ 排出トレイ Ｍ２０１５ 紙間調整レバー Ｍ２００３ 排紙ローラ Ｍ３００１ ＬＦローラ Ｍ３０１９ シャーシ Ｍ３０２２ 自動給送部 Ｍ３０２９ 搬送部 Ｍ３０３０ 排出部 Ｍ４００１ キャリッジ Ｍ４００２ キャリッジカバー Ｍ４００７ ヘッドセットレバー Ｍ４０２１ キャリッジ軸 Ｍ５０００ 回復系ユニット Ｍ６０００ スキャナ Ｍ６００１ スキャナホルダ Ｍ６００３ スキャナカバー Ｍ６００４ スキャナコンタクトＰＣＢ Ｍ６００５ スキャナ照明レンズ Ｍ６００６ スキャナ読取レンズ１ Ｍ６１００ 保管箱 Ｍ６１０１ 保管箱ベース Ｍ６１０２ 保管箱カバー Ｍ６１０３ 保管箱キャップ Ｍ６１０４ 保管箱バネ Ｅ０００１ キャリッジモータ Ｅ０００２ ＬＦモータ Ｅ０００３ ＰＧモータ Ｅ０００４ エンコーダセンサ Ｅ０００５ エンコーダスケール Ｅ０００６ インクエンドセンサ Ｅ０００７ ＰＥセンサ Ｅ０００８ ＧＡＰセンサ（紙間センサ） Ｅ０００９ ＡＳＦセンサ Ｅ００１０ ＰＧセンサ Ｅ００１１ コンタクトＦＰＣ（フレキシブルプリント
ケーブル） Ｅ００１２ ＣＲＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブ
ル） Ｅ００１３ キャリッジ基板 Ｅ００１４ メイン基板 Ｅ００１５ 電源ユニット Ｅ００１６ パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１７ シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１８ 電源キー Ｅ００１９ レジュームキー Ｅ００２０ ＬＥＤ Ｅ００２１ ブザー Ｅ００２２ カバーセンサ Ｅ１００１ ＣＰＵ Ｅ１００２ ＯＳＣ（ＣＰＵ内蔵オシレータ） Ｅ１００３ Ａ／Ｄ（ＣＰＵ内蔵Ａ／Ｄコンバータ） Ｅ１００４ ＲＯＭ Ｅ１００５ 発振回路 Ｅ１００６ ＡＳＩＣ Ｅ１００７ リセット回路 Ｅ１００８ ＣＲモータドライバ Ｅ１００９ ＬＦ／ＰＧモータドライバ Ｅ１０１０ 電源制御回路 Ｅ１０１１ ＩＮＫＳ（インクエンド検出信号） Ｅ１０１２ ＴＨ（サーミスタ温度検出信号） Ｅ１０１３ ＨＳＥＮＳ（ヘッド検出信号） Ｅ１０１４ 制御バス Ｅ１０１５ ＲＥＳＥＴ（リセット信号） Ｅ１０１６ ＲＥＳＵＭＥ（リジュームキー入力） Ｅ１０１７ ＰＯＷＥＲ（電源キー入力） Ｅ１０１８ ＢＵＺ（ブザー信号） Ｅ１０１９ 発振回路出力信号 Ｅ１０２０ ＥＮＣ（エンコーダ信号） Ｅ１０２１ ヘッド制御信号 Ｅ１０２２ ＶＨＯＮ（ヘッド電源ＯＮ信号） Ｅ１０２３ ＶＭＯＮ（モータ電源ＯＮ信号） Ｅ１０２４ 電源制御信号 Ｅ１０２５ ＰＥＳ（ＰＥ検出信号） Ｅ１０２６ ＡＳＦＳ（ＡＳＦ検出信号） Ｅ１０２７ ＧＡＰＳ（ＧＡＰ検出信号） Ｅ００２８ シリアルＩ／Ｆ信号 Ｅ１０２９ シリアルＩ／Ｆケーブル Ｅ１０３０ パラレルＩ／Ｆ信号 Ｅ１０３１ パラレルＩ／Ｆケーブル Ｅ１０３２ ＰＧＳ（ＰＧ検出信号） Ｅ１０３３ ＰＭ制御信号（パルスモータ制御信号） Ｅ１０３４ ＰＧモータ駆動信号 Ｅ１０３５ ＬＦモータ駆動信号 Ｅ１０３６ ＣＲモータ制御信号 Ｅ１０３７ ＣＲモータ駆動信号 Ｅ００３８ ＬＥＤ駆動信号 Ｅ１０３９ ＶＨ（ヘッド電源） Ｅ１０４０ ＶＭ（モータ電源） Ｅ１０４１ ＶＤＤ（ロジック電源） Ｅ１０４２ ＣＯＶＳ（カバー検出信号） Ｅ２００１ ＣＰＵ Ｉ／Ｆ Ｅ２００２ ＰＬＬ Ｅ２００３ ＤＭＡ制御部 Ｅ２００４ ＤＲＡＭ制御部 Ｅ２００５ ＤＲＡＭ Ｅ２００６ １２８４ Ｉ／Ｆ Ｅ２００７ ＵＳＢ Ｉ／Ｆ Ｅ２００８ 受信制御部 Ｅ２００９ 圧縮Å伸長ＤＭＡ Ｅ２０１０ 受信バッファ Ｅ２０１１ ワークバッファ Ｅ２０１２ ワークエリアＤＭＡ Ｅ２０１３ 記録バッファ転送ＤＭＡ Ｅ２０１４ プリントバッファ Ｅ２０１５ 記録データ展開ＤＭＡ Ｅ２０１６ 展開用データバッファ Ｅ２０１７ カラムバッファ Ｅ２０１８ ヘッド制御部 Ｅ２０１９ エンコーダ信号処理部 Ｅ２０２０ ＣＲモータ制御部 Ｅ２０２１ ＬＦ／ＰＧモータ制御部 Ｅ２０２２ センサ信号処理部 Ｅ２０２３ モータ制御バッファ Ｅ２０２４ スキャナ取込みバッファ Ｅ２０２５ スキャナデータ処理ＤＭＡ Ｅ２０２６ スキャナデータバッファ Ｅ２０２７ スキャナデータ圧縮ＤＭＡ Ｅ２０２８ 送出バッファ Ｅ２０２９ ポート制御部 Ｅ２０３０ ＬＥＤ制御部 Ｅ２０３１ ＣＬＫ（クロック信号） Ｅ２０３２ ＰＤＷＭ（ソフト制御信号） Ｅ２０３３ ＰＬＬＯＮ（ＰＬＬ制御信号） Ｅ２０３４ ＩＮＴ（割り込み信号） Ｅ２０３６ ＰＩＦ受信データ Ｅ２０３７ ＵＳＢ受信データ Ｅ２０３８ ＷＤＩＦ（受信データ／ラスタデータ） Ｅ２０３９ 受信バッファ制御部 Ｅ２０４０ ＲＤＷＫ（受信バッファ読み出しデータ／
ラスタデータ） Ｅ２０４１ ＷＤＷＫ（ワークバッファ書込みデータ／
記録コード） Ｅ２０４２ ＷＤＷＦ（ワークフィルデータ） Ｅ２０４３ ＲＤＷＰ（ワークバッファ読み出しデータ
／記録コード） Ｅ２０４４ ＷＤＷＰ（並べ替え記録コード） Ｅ２０４５ ＲＤＨＤＧ（記録展開用データ） Ｅ２０４７ ＷＤＨＤＧ（カラムバッファ書込みデータ
／展開記録データ） Ｅ２０４８ ＲＤＨＤ（カラムバッファ読み出しデータ
／展開記録データ） Ｅ２０４９ ヘッド駆動タイミング信号 Ｅ２０５０ データ展開タイミング信号 Ｅ２０５１ ＲＤＰＭ（パルスモータ駆動テーブル読み
出しデータ） Ｅ２０５２ センサ検出信号 Ｅ２０５３ ＷＤＨＤ（取込みデータ） Ｅ２０５４ ＲＤＡＶ（取込みバッファ読み出しデー
タ） Ｅ２０５５ ＷＤＡＶ（データバッファ書込みデータ／
処理済データ） Ｅ２０５６ ＲＤＹＣ（データバッファ読み出しデータ
／処理済データ） Ｅ２０５７ ＷＤＹＣ（送出バッファ書込みデータ／圧
縮データ） Ｅ２０５８ ＲＤＵＳＢ（ＵＳＢ送信データ／圧縮デー
タ） Ｅ２０５９ ＲＤＰＩＦ（１２８４送信データ） Ｈ１０００ 記録ヘッドカートリッジ Ｈ１００１ 記録ヘッド Ｈ１１００ 記録素子基板 Ｈ１１００Ｔ 吐出口 Ｈ１２００ 第１のプレート Ｈ１２０１ インク供給口 Ｈ１３００ 電気配線基板 Ｈ１３０１ 外部信号入力端子 Ｈ１４００ 第２のプレート Ｈ１５００ タンクホルダ Ｈ１５０１ インク流路 Ｈ１６００ 流路形成部材 Ｈ１７００ フィルタ Ｈ１８００ シールゴム Ｈ１９００ インクタンク
ケーブル） Ｅ００１２ ＣＲＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブ
ル） Ｅ００１３ キャリッジ基板 Ｅ００１４ メイン基板 Ｅ００１５ 電源ユニット Ｅ００１６ パラレルＩ／Ｆ Ｅ００１７ シリアルＩ／Ｆ Ｅ００１８ 電源キー Ｅ００１９ レジュームキー Ｅ００２０ ＬＥＤ Ｅ００２１ ブザー Ｅ００２２ カバーセンサ Ｅ１００１ ＣＰＵ Ｅ１００２ ＯＳＣ（ＣＰＵ内蔵オシレータ） Ｅ１００３ Ａ／Ｄ（ＣＰＵ内蔵Ａ／Ｄコンバータ） Ｅ１００４ ＲＯＭ Ｅ１００５ 発振回路 Ｅ１００６ ＡＳＩＣ Ｅ１００７ リセット回路 Ｅ１００８ ＣＲモータドライバ Ｅ１００９ ＬＦ／ＰＧモータドライバ Ｅ１０１０ 電源制御回路 Ｅ１０１１ ＩＮＫＳ（インクエンド検出信号） Ｅ１０１２ ＴＨ（サーミスタ温度検出信号） Ｅ１０１３ ＨＳＥＮＳ（ヘッド検出信号） Ｅ１０１４ 制御バス Ｅ１０１５ ＲＥＳＥＴ（リセット信号） Ｅ１０１６ ＲＥＳＵＭＥ（リジュームキー入力） Ｅ１０１７ ＰＯＷＥＲ（電源キー入力） Ｅ１０１８ ＢＵＺ（ブザー信号） Ｅ１０１９ 発振回路出力信号 Ｅ１０２０ ＥＮＣ（エンコーダ信号） Ｅ１０２１ ヘッド制御信号 Ｅ１０２２ ＶＨＯＮ（ヘッド電源ＯＮ信号） Ｅ１０２３ ＶＭＯＮ（モータ電源ＯＮ信号） Ｅ１０２４ 電源制御信号 Ｅ１０２５ ＰＥＳ（ＰＥ検出信号） Ｅ１０２６ ＡＳＦＳ（ＡＳＦ検出信号） Ｅ１０２７ ＧＡＰＳ（ＧＡＰ検出信号） Ｅ００２８ シリアルＩ／Ｆ信号 Ｅ１０２９ シリアルＩ／Ｆケーブル Ｅ１０３０ パラレルＩ／Ｆ信号 Ｅ１０３１ パラレルＩ／Ｆケーブル Ｅ１０３２ ＰＧＳ（ＰＧ検出信号） Ｅ１０３３ ＰＭ制御信号（パルスモータ制御信号） Ｅ１０３４ ＰＧモータ駆動信号 Ｅ１０３５ ＬＦモータ駆動信号 Ｅ１０３６ ＣＲモータ制御信号 Ｅ１０３７ ＣＲモータ駆動信号 Ｅ００３８ ＬＥＤ駆動信号 Ｅ１０３９ ＶＨ（ヘッド電源） Ｅ１０４０ ＶＭ（モータ電源） Ｅ１０４１ ＶＤＤ（ロジック電源） Ｅ１０４２ ＣＯＶＳ（カバー検出信号） Ｅ２００１ ＣＰＵ Ｉ／Ｆ Ｅ２００２ ＰＬＬ Ｅ２００３ ＤＭＡ制御部 Ｅ２００４ ＤＲＡＭ制御部 Ｅ２００５ ＤＲＡＭ Ｅ２００６ １２８４ Ｉ／Ｆ Ｅ２００７ ＵＳＢ Ｉ／Ｆ Ｅ２００８ 受信制御部 Ｅ２００９ 圧縮Å伸長ＤＭＡ Ｅ２０１０ 受信バッファ Ｅ２０１１ ワークバッファ Ｅ２０１２ ワークエリアＤＭＡ Ｅ２０１３ 記録バッファ転送ＤＭＡ Ｅ２０１４ プリントバッファ Ｅ２０１５ 記録データ展開ＤＭＡ Ｅ２０１６ 展開用データバッファ Ｅ２０１７ カラムバッファ Ｅ２０１８ ヘッド制御部 Ｅ２０１９ エンコーダ信号処理部 Ｅ２０２０ ＣＲモータ制御部 Ｅ２０２１ ＬＦ／ＰＧモータ制御部 Ｅ２０２２ センサ信号処理部 Ｅ２０２３ モータ制御バッファ Ｅ２０２４ スキャナ取込みバッファ Ｅ２０２５ スキャナデータ処理ＤＭＡ Ｅ２０２６ スキャナデータバッファ Ｅ２０２７ スキャナデータ圧縮ＤＭＡ Ｅ２０２８ 送出バッファ Ｅ２０２９ ポート制御部 Ｅ２０３０ ＬＥＤ制御部 Ｅ２０３１ ＣＬＫ（クロック信号） Ｅ２０３２ ＰＤＷＭ（ソフト制御信号） Ｅ２０３３ ＰＬＬＯＮ（ＰＬＬ制御信号） Ｅ２０３４ ＩＮＴ（割り込み信号） Ｅ２０３６ ＰＩＦ受信データ Ｅ２０３７ ＵＳＢ受信データ Ｅ２０３８ ＷＤＩＦ（受信データ／ラスタデータ） Ｅ２０３９ 受信バッファ制御部 Ｅ２０４０ ＲＤＷＫ（受信バッファ読み出しデータ／
ラスタデータ） Ｅ２０４１ ＷＤＷＫ（ワークバッファ書込みデータ／
記録コード） Ｅ２０４２ ＷＤＷＦ（ワークフィルデータ） Ｅ２０４３ ＲＤＷＰ（ワークバッファ読み出しデータ
／記録コード） Ｅ２０４４ ＷＤＷＰ（並べ替え記録コード） Ｅ２０４５ ＲＤＨＤＧ（記録展開用データ） Ｅ２０４７ ＷＤＨＤＧ（カラムバッファ書込みデータ
／展開記録データ） Ｅ２０４８ ＲＤＨＤ（カラムバッファ読み出しデータ
／展開記録データ） Ｅ２０４９ ヘッド駆動タイミング信号 Ｅ２０５０ データ展開タイミング信号 Ｅ２０５１ ＲＤＰＭ（パルスモータ駆動テーブル読み
出しデータ） Ｅ２０５２ センサ検出信号 Ｅ２０５３ ＷＤＨＤ（取込みデータ） Ｅ２０５４ ＲＤＡＶ（取込みバッファ読み出しデー
タ） Ｅ２０５５ ＷＤＡＶ（データバッファ書込みデータ／
処理済データ） Ｅ２０５６ ＲＤＹＣ（データバッファ読み出しデータ
／処理済データ） Ｅ２０５７ ＷＤＹＣ（送出バッファ書込みデータ／圧
縮データ） Ｅ２０５８ ＲＤＵＳＢ（ＵＳＢ送信データ／圧縮デー
タ） Ｅ２０５９ ＲＤＰＩＦ（１２８４送信データ） Ｈ１０００ 記録ヘッドカートリッジ Ｈ１００１ 記録ヘッド Ｈ１１００ 記録素子基板 Ｈ１１００Ｔ 吐出口 Ｈ１２００ 第１のプレート Ｈ１２０１ インク供給口 Ｈ１３００ 電気配線基板 Ｈ１３０１ 外部信号入力端子 Ｈ１４００ 第２のプレート Ｈ１５００ タンクホルダ Ｈ１５０１ インク流路 Ｈ１６００ 流路形成部材 Ｈ１７００ フィルタ Ｈ１８００ シールゴム Ｈ１９００ インクタンク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年８月３０日（２０００．８．３
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１７】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１８】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 桂 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 照井 真 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (25)
- 【請求項１】 液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を
生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体
吐出ヘッドに用いられる基板ユニットであって、 基板の表面部に形成されて熱エネルギーを発生するため
の電気熱変換素子と、 この電気熱変換素子に導通するように前記基板の表面部
に形成される一対の電極配線と、 前記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電
極配線および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、 この第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子
およびこの電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接
続部近傍を覆う第２保護層とを具え、前記一対の電極配
線の厚みは１８００〜２４００Åの範囲にあり、前記第
２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚み
は２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記第２保護層
によって覆われていない前記第１保護層の部分の厚み
は、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の
部分の厚みよりも薄いことを特徴とする液体吐出ヘッド
用基板ユニット。 - 【請求項２】 前記一対の電極配線の厚みが好ましくは
２０００〜２２００Åの範囲にあることを特徴とする請
求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。 - 【請求項３】 前記第２保護層によって覆われていない
前記第１保護層の部分の厚みと、前記第２保護層によっ
て覆われた前記第１保護層の部分の厚みとの差は、２０
０Å以内であることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。 - 【請求項４】 前記第２保護層によって覆われていない
前記第１保護層の部分の厚みと、前記第２保護層によっ
て覆われた前記第１保護層の部分の厚みとの差は、１０
０Å以上であることを特徴とする請求項１から請求項３
の何れかに記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。 - 【請求項５】 前記第１保護層の厚みが前記一対の電極
配線の厚みの１.０８倍以上であることを特徴とする請
求項１から請求項４の何れかに記載の液体吐出ヘッド用
基板ユニット。 - 【請求項６】 液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を
生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体
吐出ヘッドに用いられる基板ユニットの製造方法であっ
て、 基板の表面に熱エネルギーを発生するための電気熱変換
素子を形成するステップと、 この電気熱変換素子に導通するように一対の電極配線を
前記基板の表面部に形成するステップと、 前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う２
６００〜３４００Åの厚みの第１保護層を前記基板の表
面部のほぼ全域に形成するステップと、 前記電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と前記一
対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層を前記第
１保護層の表面にドライエッチングにて形成することに
より、この第２保護層によって覆われていない前記第１
保護層の部分の厚みを当該第２保護層によって覆われた
前記第１保護層の部分の厚みよりも薄くするステップと
を具え、前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４０
０Åの範囲にあることを特徴とする液体吐出ヘッド用基
板ユニットの製造方法。 - 【請求項７】 前記第２保護層をドライエッチングによ
って形成する際に、前記第２保護層によって覆われてい
ない前記第１保護層の部分のエッチングされる厚みが２
００Å以内であることを特徴とする請求項６に記載の液
体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方法。 - 【請求項８】 前記第２保護層をドライエッチングによ
って形成する際に、前記第２保護層によって覆われてい
ない前記第１保護層の部分のエッチングされる厚みが１
００Å以上であることを特徴とする請求項６または請求
項７に記載の液体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方
法。 - 【請求項９】 液体を吐出するための吐出口と、 基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エ
ネルギーを発生する電気熱変換素子と、 前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一
対の電極配線と、 前記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電
極配線および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、 この第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子
およびこの電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接
続部近傍を覆う第２保護層とを具え、前記一対の電極配
線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前記第
２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚み
は２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記第２保護層
によって覆われていない前記第１保護層の部分の厚み
は、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の
部分の厚みよりも薄いことを特徴とする液体吐出ヘッ
ド。 - 【請求項１０】 前記吐出口は、相互に平行に少なくと
も２列に形成され、それぞれ６００dpiの間隔で配列す
ると共に列毎のこれらの配列間隔が相互に半ピッチずれ
ていることを特徴とする請求項９に記載の液体吐出ヘッ
ド。 - 【請求項１１】 前記液体は、インクおよび／またはプ
リント媒体に吐出されるこのインクのプリント性を調整
する処理液であることを特徴とする請求項９または請求
項１０に記載の液体吐出ヘッド。 - 【請求項１２】 前記電気熱変換素子に与えられる駆動
パルスによって吐出される前記吐出口からの液体の吐出
量が５ピコリットル以下であることを特徴とする請求項
９から請求項１１の何れかに記載の液体吐出ヘッド。 - 【請求項１３】 前記吐出口を形成する吐出口形成部材
をさらに有し、 この吐出口形成部材は、前記第２保護層の一部および前
記第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の
部分に密着層を介して接合されたものであることを特徴
とする請求項９から請求項１２の何れかに記載の液体吐
出ヘッド。 - 【請求項１４】 前記第２保護層によって覆われた前記
第１保護層の部分と前記第２保護層によって覆われてい
ない前記第１保護層の部分との境界部近傍の前記第１保
護層および前記第２保護層の部分がテーパ形状を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の液体吐出ヘッド。 - 【請求項１５】 前記テーパ形状は、第１保護層のテー
パ形状の角度よりも第２保護層のテーパ形状の角度の方
が傾斜が緩やかであることを特徴とする請求項１４に記
載の液体吐出ヘッド。 - 【請求項１６】 前記密着層がポリエーテルアミド樹脂
であることを特徴とする請求項１３から請求項１５の何
れかに記載の液体吐出ヘッド。 - 【請求項１７】 前記吐出口形成部材がエポキシ樹脂の
カチオン重合硬化物により形成されていることを特徴と
する請求項１３から請求項１６の何れかに記載の液体吐
出ヘッド。 - 【請求項１８】 前記吐出口が前記電気熱変換素子の対
向する側に設けられていることを特徴とする請求項１３
から請求項１７の何れかに記載の液体吐出ヘッド。 - 【請求項１９】 液体を吐出するための吐出口と、基板
に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エネル
ギーを発生する電気熱変換素子と、前記基板に形成され
て前記電気熱変換素子に導通する一対の電極配線と、前
記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極
配線および前記電気熱変換素子を覆う厚みの第１保護層
と、この第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換
素子およびこの電気熱変換素子と前記一対の電極配線と
の接続部近傍を覆う第２保護層とを有する液体吐出ヘッ
ドと、 この液体吐出ヘッドに供給される液体を貯溜するための
液体タンクとを具え、前記一対の電極配線の厚みが１８
００〜２４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によっ
て覆われた前記第１保護層の部分の厚みは２６００〜３
４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆われ
ていない前記第１保護層の部分の厚みは、前記第２保護
層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも
薄いことを特徴とするカートリッジ。 - 【請求項２０】 前記液体タンクが前記液体吐出ヘッド
に対して着脱可能に搭載されることを特徴とする請求項
１９に記載のカートリッジ。 - 【請求項２１】 前記液体吐出ヘッドは、前記吐出口が
形成された吐出口形成部材をさらに有し、 この吐出口形成部材は、前記第２保護層によって覆われ
ていない前記第１保護層の部分および前記第２保護層の
一部に密着層を介して接合されたものであることを特徴
とする請求項１９または請求項２０に記載のカートリッ
ジ。 - 【請求項２２】 液体を吐出するための吐出口と、基板
に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エネル
ギーを発生する電気熱変換素子と、前記基板に形成され
て前記電気熱変換素子に導通する一対の電極配線と、基
板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線
および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、この第
１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および
この電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近
傍を覆う第２保護層とを有する液体吐出ヘッドの取り付
け部を具え、前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２
４００Åの範囲にあるとともに、前記第２保護層によっ
て覆われた前記第１保護層の部分の厚みは２６００〜３
４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆われ
ていない前記第１保護層の部分の厚みは、前記第２保護
層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも
薄いことを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２３】 前記液体吐出ヘッドの取り付け部は、
前記液体吐出ヘッドから液体が吐出されるプリント媒体
の搬送方向と交差する方向に走査移動可能なキャリッジ
を有することを特徴とする請求項２２に記載の画像形成
装置。 - 【請求項２４】 前記液体吐出ヘッドは、着脱手段を介
して前記キャリッジに対して着脱自在に搭載されること
を特徴とする請求項２３に記載の画像形成装置。 - 【請求項２５】 前記液体吐出ヘッドは、前記吐出口が
形成された吐出口形成部材をさらに有し、 前記吐出口形成部材は、前記第２保護層によって覆われ
ていない前記第１保護層の部分および前記第２保護層の
一部に密着層を介して接合されたものであることを特徴
とする請求項２２から請求項２４の何れかに記載の画像
形成装置。
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