JP2001093273A - 磁気固定メモリの書き込み方法及び磁気固定メモリ - Google Patents
磁気固定メモリの書き込み方法及び磁気固定メモリInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 新規な磁気固定メモリの書き込み方法及び磁
気固定メモリを提供する。 【解決手段】 基板上に電歪効果を有する強誘電体材料
からなる格子状の下地層を形成する。そして、この格子
状の下地層の交差部上に磁歪効果を有する磁性材料から
なる磁性薄膜を形成する。前記格子状の下地層の所定の
行及び列に電圧を印加することにより、前記所定の行及
び列が交差する部分に大きな歪を生じさせる。そして、
この歪をかかる部分に形成された磁性薄膜に伝達させる
ことにより、前記磁性薄膜が有する磁気弾性効果によっ
て、前記磁性薄膜の磁化を反転させ、書き込みを行う。
気固定メモリを提供する。 【解決手段】 基板上に電歪効果を有する強誘電体材料
からなる格子状の下地層を形成する。そして、この格子
状の下地層の交差部上に磁歪効果を有する磁性材料から
なる磁性薄膜を形成する。前記格子状の下地層の所定の
行及び列に電圧を印加することにより、前記所定の行及
び列が交差する部分に大きな歪を生じさせる。そして、
この歪をかかる部分に形成された磁性薄膜に伝達させる
ことにより、前記磁性薄膜が有する磁気弾性効果によっ
て、前記磁性薄膜の磁化を反転させ、書き込みを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気固定メモリの
書き込み方法及び磁気固定メモリに関し、さらに詳しく
は、大容量かつ過酷な条件下、例えば、宇宙空間での使
用に耐え得るような高集積素子として好適に使用するこ
とが可能な、磁気固定メモリの書き込み方法及び磁気固
定メモリに関する。
書き込み方法及び磁気固定メモリに関し、さらに詳しく
は、大容量かつ過酷な条件下、例えば、宇宙空間での使
用に耐え得るような高集積素子として好適に使用するこ
とが可能な、磁気固定メモリの書き込み方法及び磁気固
定メモリに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ＲＡＭの高密度化が高速に
進められている一方で、磁性薄膜の磁化状態をメモリと
するＲＡＭ（磁気固定メモリ：ＭＲＡＭ）は、古くから
提案されながら半導体技術の発展に追いつかない状態で
あった。しかしながら、最近は磁性薄膜の技術が向上す
るとともに、磁気固定メモリが本来持っている安定性
（耐放射線、耐熱擾乱など）が注目されるに至って、主
に米国を中心として磁気固定メモリの開発が進められよ
うになってきた。
進められている一方で、磁性薄膜の磁化状態をメモリと
するＲＡＭ（磁気固定メモリ：ＭＲＡＭ）は、古くから
提案されながら半導体技術の発展に追いつかない状態で
あった。しかしながら、最近は磁性薄膜の技術が向上す
るとともに、磁気固定メモリが本来持っている安定性
（耐放射線、耐熱擾乱など）が注目されるに至って、主
に米国を中心として磁気固定メモリの開発が進められよ
うになってきた。
【０００３】図１は、従来の磁気固定メモリにおける書
き込み方法の一例を説明するための模式図である。従来
の磁気固定メモリは、例えば、図１に示すように格子状
に縦列の外部配線Ｌｘ１〜Ｌｘ５及び横列の外部配線Ｌ
ｙ１〜Ｌｙ５が配置されてなる電極を具えている。そし
て、外部配線Ｌｘ１〜Ｌｘ５並びにＬｙ１〜Ｌｙ５がそ
れぞれ交差する部分において、磁性薄膜ａ１〜ｅ５が形
成されたような構成を採っている。
き込み方法の一例を説明するための模式図である。従来
の磁気固定メモリは、例えば、図１に示すように格子状
に縦列の外部配線Ｌｘ１〜Ｌｘ５及び横列の外部配線Ｌ
ｙ１〜Ｌｙ５が配置されてなる電極を具えている。そし
て、外部配線Ｌｘ１〜Ｌｘ５並びにＬｙ１〜Ｌｙ５がそ
れぞれ交差する部分において、磁性薄膜ａ１〜ｅ５が形
成されたような構成を採っている。
【０００４】そして、例えば、磁性薄膜ｃ３の磁化を反
転させて磁気固定メモリに書き込みを行うに際しては、
外部配線Ｌｘ３とＬｙ３とに外部から所定のパルス電流
を印加し、これによって発生する高い磁場を利用して行
う。そして、かかる書き込み情報を読み出すにあたって
は、磁性薄膜ｃ３の近傍に設置させた磁気センサーによ
って磁性薄膜ｃ３の磁化方向を検出することによって行
っている。
転させて磁気固定メモリに書き込みを行うに際しては、
外部配線Ｌｘ３とＬｙ３とに外部から所定のパルス電流
を印加し、これによって発生する高い磁場を利用して行
う。そして、かかる書き込み情報を読み出すにあたって
は、磁性薄膜ｃ３の近傍に設置させた磁気センサーによ
って磁性薄膜ｃ３の磁化方向を検出することによって行
っている。
【０００５】このような磁気固定メモリは、原理的に半
導体ＲＡＭよりも高速の書き込みが可能である。さら
に、磁性薄膜を始め、使用材料の大部分が金属材料であ
るために微細加工が容易であるという利点もある。ま
た、磁化状態を担う電子の密度が半導体キャリアに比べ
て数桁高いために、将来の高密度化には極めて高い可能
性を秘めている。
導体ＲＡＭよりも高速の書き込みが可能である。さら
に、磁性薄膜を始め、使用材料の大部分が金属材料であ
るために微細加工が容易であるという利点もある。ま
た、磁化状態を担う電子の密度が半導体キャリアに比べ
て数桁高いために、将来の高密度化には極めて高い可能
性を秘めている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在試
作が進んでいる磁気固定メモリは、上述したように外部
配線にパルス電流を印加し、高い磁場を発生させること
によって行っている。このため、外部配線の抵抗熱が大
きくなってしまい、磁気固定メモリを構成する素子自体
の温度が極めて高くなってしまう。したがって、外部配
線の密度を増加させて、磁気固定メモリの記録密度を向
上させようとすると、前記抵抗熱が大きくなって配線の
破損、並びに磁化状態の不安定化という問題を生じさせ
る場合がある。その結果、記録密度の向上にはある程度
の限界があった。また、パルス電流によって発生する磁
場、いわゆるパルス磁場の局所化は極めて困難であり、
かかる観点からも磁気固定メモリの固定化の記録密度の
向上を困難ならしめている。
作が進んでいる磁気固定メモリは、上述したように外部
配線にパルス電流を印加し、高い磁場を発生させること
によって行っている。このため、外部配線の抵抗熱が大
きくなってしまい、磁気固定メモリを構成する素子自体
の温度が極めて高くなってしまう。したがって、外部配
線の密度を増加させて、磁気固定メモリの記録密度を向
上させようとすると、前記抵抗熱が大きくなって配線の
破損、並びに磁化状態の不安定化という問題を生じさせ
る場合がある。その結果、記録密度の向上にはある程度
の限界があった。また、パルス電流によって発生する磁
場、いわゆるパルス磁場の局所化は極めて困難であり、
かかる観点からも磁気固定メモリの固定化の記録密度の
向上を困難ならしめている。
【０００７】本発明は、上記のような問題を生じさせる
ことのない、新規な磁気固定メモリの書き込み方法及び
磁気固定メモリを提供することを目的とする。
ことのない、新規な磁気固定メモリの書き込み方法及び
磁気固定メモリを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気固定メモリ
の書き込み方法は、上記課題を解決すべく、基板上に電
歪効果を有する強誘電体材料からなる格子状の下地層を
形成するとともに、この格子状の下地層の交差部上に磁
歪効果を有する磁性材料からなる磁性薄膜を形成する。
そして、前記格子状の下地層の所定の行及び列に電圧を
印加することにより、前記所定の行及び列の交差部上に
形成された前記磁性薄膜の磁化を反転させて、書き込み
を行うことを特徴とする。
の書き込み方法は、上記課題を解決すべく、基板上に電
歪効果を有する強誘電体材料からなる格子状の下地層を
形成するとともに、この格子状の下地層の交差部上に磁
歪効果を有する磁性材料からなる磁性薄膜を形成する。
そして、前記格子状の下地層の所定の行及び列に電圧を
印加することにより、前記所定の行及び列の交差部上に
形成された前記磁性薄膜の磁化を反転させて、書き込み
を行うことを特徴とする。
【０００９】また、本発明の磁気固定メモリは、基板
と、電歪効果を有する強誘電体材料からなる下地層と、
磁歪効果を有する磁性材料からなる磁性薄膜とを具え
る。そして、前記下地層は前記基板上において格子状に
形成されてなり、前記磁性薄膜は格子状に形成された前
記下地層の交差部に形成されたことを特徴とする。
と、電歪効果を有する強誘電体材料からなる下地層と、
磁歪効果を有する磁性材料からなる磁性薄膜とを具え
る。そして、前記下地層は前記基板上において格子状に
形成されてなり、前記磁性薄膜は格子状に形成された前
記下地層の交差部に形成されたことを特徴とする。
【００１０】本発明者らは、新規な磁気固定メモリの書
き込み方法、並びにこれを実現するための新規な磁気固
定メモリを開発すべく鋭意検討を続けた。その結果、基
板上に電歪効果を有する強誘電体材料からなる下地層を
格子状に設置し、この格子状の下地層の各行及び各列が
交差する部分に磁歪効果を有する磁性材料からなる磁性
薄膜を形成することにより、前記格子状の下地層が従来
の磁気固定メモリにおける外部配線の作用を果たすこと
を見出した。以下、本発明の磁気固定メモリの書き込み
方法を模式図によって説明する。
き込み方法、並びにこれを実現するための新規な磁気固
定メモリを開発すべく鋭意検討を続けた。その結果、基
板上に電歪効果を有する強誘電体材料からなる下地層を
格子状に設置し、この格子状の下地層の各行及び各列が
交差する部分に磁歪効果を有する磁性材料からなる磁性
薄膜を形成することにより、前記格子状の下地層が従来
の磁気固定メモリにおける外部配線の作用を果たすこと
を見出した。以下、本発明の磁気固定メモリの書き込み
方法を模式図によって説明する。
【００１１】図２は、本発明の磁気固定メモリの書き込
み方法を説明するための模式図である。図２示す磁気固
定メモリは、図示しない基板上に電歪効果を有する強誘
電体材料からなる格子状の下地層Ｐを有している。そし
て、下地層Ｐの各列Ｘ１〜Ｘ５及び各行Ｙ１〜Ｙ５が交
差する部分において、磁歪効果を有する磁性材料からな
る磁性薄膜Ａ１〜Ｅ５が形成されている。
み方法を説明するための模式図である。図２示す磁気固
定メモリは、図示しない基板上に電歪効果を有する強誘
電体材料からなる格子状の下地層Ｐを有している。そし
て、下地層Ｐの各列Ｘ１〜Ｘ５及び各行Ｙ１〜Ｙ５が交
差する部分において、磁歪効果を有する磁性材料からな
る磁性薄膜Ａ１〜Ｅ５が形成されている。
【００１２】そして、例えば、磁性薄膜Ｃ３の磁化を反
転させて書き込みを行う場合は、下地層Ｐの列Ｘ３と行
Ｙ３とに所定の電圧を印加する。すると、列Ｘ３と行Ｙ
３とが交差する部分において、下地層Ｐを構成する強誘
電体材料の電歪効果に起因した比較的大きな歪が生じ
る。すると、この歪はかかる箇所に形成された磁性薄膜
Ｃ３に伝達され、磁性薄膜Ｃ３自体も歪む。
転させて書き込みを行う場合は、下地層Ｐの列Ｘ３と行
Ｙ３とに所定の電圧を印加する。すると、列Ｘ３と行Ｙ
３とが交差する部分において、下地層Ｐを構成する強誘
電体材料の電歪効果に起因した比較的大きな歪が生じ
る。すると、この歪はかかる箇所に形成された磁性薄膜
Ｃ３に伝達され、磁性薄膜Ｃ３自体も歪む。
【００１３】磁気固定メモリを構成する磁性薄膜は磁歪
効果を有する磁性材料によって構成されているため、磁
性薄膜Ｃ３の歪は磁気的な歪エネルギーに変換される。
そして、この歪エネルギーに基づく磁気弾性効果によっ
て磁性薄膜Ｃ３の磁化が反転するものである。なお、上
記において列Ｘ３と行Ｙ３とが交差する部分以外におい
ては、電歪効果による歪は十分大きくないために、上記
のような磁性薄膜の磁化の反転は生じない。
効果を有する磁性材料によって構成されているため、磁
性薄膜Ｃ３の歪は磁気的な歪エネルギーに変換される。
そして、この歪エネルギーに基づく磁気弾性効果によっ
て磁性薄膜Ｃ３の磁化が反転するものである。なお、上
記において列Ｘ３と行Ｙ３とが交差する部分以外におい
ては、電歪効果による歪は十分大きくないために、上記
のような磁性薄膜の磁化の反転は生じない。
【００１４】本発明の磁気固定メモリの書き込み方法及
び磁気固定メモリは、上記のように電歪効果を有する強
誘電体材料からなる下地層の電歪効果、並びに磁歪効果
を有する磁性材料からなる磁性薄膜の磁歪効果を利用し
て書き込みを行うものである。この下地層には所定の電
圧が印加されるが、下地層は絶縁性の強誘電体材料から
なるため、実際に電流が流れることはない。したがっ
て、従来のように外部配線を用いることに起因した抵抗
熱の発生を防止することができるので、下地層の格子間
隔を小さくして磁気固定メモリの高密度化を図った場合
においても、従来のような配線の破損並びに磁化状態の
不安定化という問題を生じることがない。このため、極
めて簡易に高密度の磁気固定メモリを得ることができ
る。
び磁気固定メモリは、上記のように電歪効果を有する強
誘電体材料からなる下地層の電歪効果、並びに磁歪効果
を有する磁性材料からなる磁性薄膜の磁歪効果を利用し
て書き込みを行うものである。この下地層には所定の電
圧が印加されるが、下地層は絶縁性の強誘電体材料から
なるため、実際に電流が流れることはない。したがっ
て、従来のように外部配線を用いることに起因した抵抗
熱の発生を防止することができるので、下地層の格子間
隔を小さくして磁気固定メモリの高密度化を図った場合
においても、従来のような配線の破損並びに磁化状態の
不安定化という問題を生じることがない。このため、極
めて簡易に高密度の磁気固定メモリを得ることができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。本発明の磁気固定メモリの
書き込み方法及び磁気固定メモリにおいては、前記下地
層が電歪効果を有する強誘電体材料からなることが必要
である。電歪効果を有し、上記「課題を解決するための
手段」において述べたようにして磁気固定メモリに書き
込みを行うことができれば、その種類については特に限
定されない。
に基づいて詳細に説明する。本発明の磁気固定メモリの
書き込み方法及び磁気固定メモリにおいては、前記下地
層が電歪効果を有する強誘電体材料からなることが必要
である。電歪効果を有し、上記「課題を解決するための
手段」において述べたようにして磁気固定メモリに書き
込みを行うことができれば、その種類については特に限
定されない。
【００１６】しかしながら、前記下地層は、１０―４以
上の電歪定数を有する強誘電体材料から形成されている
ことが好ましく、さらには１０―３以上の電歪定数を有
していることが好ましい。これによって、下地層の厚さ
や下地層の格子間隔、並びに下地層上に形成された磁歪
効果を有する磁性薄膜の厚さや材料の種類によらず、下
地層の有する電歪効果によって磁性薄膜内の磁化を容易
に反転させることができる。
上の電歪定数を有する強誘電体材料から形成されている
ことが好ましく、さらには１０―３以上の電歪定数を有
していることが好ましい。これによって、下地層の厚さ
や下地層の格子間隔、並びに下地層上に形成された磁歪
効果を有する磁性薄膜の厚さや材料の種類によらず、下
地層の有する電歪効果によって磁性薄膜内の磁化を容易
に反転させることができる。
【００１７】このような強誘電体材料としては、チタン
酸鉛、酸化亜鉛、ニオブ酸リチウム、及びジルコン酸鉛
−チタン酸鉛固溶体（ＰＺＴ）を挙げることができる。
そして、これら材料の少なくとも１種から前記下地層を
構成することが好ましい。
酸鉛、酸化亜鉛、ニオブ酸リチウム、及びジルコン酸鉛
−チタン酸鉛固溶体（ＰＺＴ）を挙げることができる。
そして、これら材料の少なくとも１種から前記下地層を
構成することが好ましい。
【００１８】また、本発明の磁性薄膜についても、磁歪
効果を有し、上記「課題を解決するための手段」で述べ
たように、下地層からの歪を感受して磁性的な歪エネル
ギーに変換し、これによる磁化弾性効果によって磁化反
転できるものであれば、その具体的な構成については、
特に限定されるものではない。
効果を有し、上記「課題を解決するための手段」で述べ
たように、下地層からの歪を感受して磁性的な歪エネル
ギーに変換し、これによる磁化弾性効果によって磁化反
転できるものであれば、その具体的な構成については、
特に限定されるものではない。
【００１９】しかしながら、前記磁性薄膜は１０−５以
上、さらには１０−４以上の磁歪定数を有するように形
成することが好ましい。これによって、磁性薄膜自体の
厚さ、並びに下地層を構成する強誘電体材料の種類、さ
らには下地層の格子間隔などに依存することなく、容易
に磁化反転を行うことができる。
上、さらには１０−４以上の磁歪定数を有するように形
成することが好ましい。これによって、磁性薄膜自体の
厚さ、並びに下地層を構成する強誘電体材料の種類、さ
らには下地層の格子間隔などに依存することなく、容易
に磁化反転を行うことができる。
【００２０】また、上記磁性薄膜は、ニッケル、鉄コバ
ルト、鉄ニッケル、コバルトパラジウム、鉄アルミニウ
ムなどの遷移金属合金、遷移金属と周期律表第IIIＡ
族、ＩVＡ族、第IIIＢ族、第ＩVＢ族、第ＶＢ族、及び
第VIＢ族の金属元素とからなる合金、及び希土類−遷移
金属合金から選ばれる少なくとも１種の磁性材料から構
成することが好ましい。そして、これらの磁性材料がア
モルファスに結合してなる、いわゆるアモルファス薄膜
であることが好ましい。これによって、前述したように
磁性薄膜自体の厚さや下地層を構成する強誘電体材料な
どによらず容易に磁化反転ができるとともに、磁歪定数
の値を任意に調節することができ、上記１０―５以上の
磁歪定数を有する磁性薄膜を簡易に得ることができる。
ルト、鉄ニッケル、コバルトパラジウム、鉄アルミニウ
ムなどの遷移金属合金、遷移金属と周期律表第IIIＡ
族、ＩVＡ族、第IIIＢ族、第ＩVＢ族、第ＶＢ族、及び
第VIＢ族の金属元素とからなる合金、及び希土類−遷移
金属合金から選ばれる少なくとも１種の磁性材料から構
成することが好ましい。そして、これらの磁性材料がア
モルファスに結合してなる、いわゆるアモルファス薄膜
であることが好ましい。これによって、前述したように
磁性薄膜自体の厚さや下地層を構成する強誘電体材料な
どによらず容易に磁化反転ができるとともに、磁歪定数
の値を任意に調節することができ、上記１０―５以上の
磁歪定数を有する磁性薄膜を簡易に得ることができる。
【００２１】また、前記基板は、熱酸化シリコンや、ガ
ラスなど公知一般の材料から構成することができる。さ
らに、強誘電体材料からなる下地層の結晶性を良好にす
るという観点から、基板と下地層との間にチタンなどか
らなるバッファ層を設けることもできる。
ラスなど公知一般の材料から構成することができる。さ
らに、強誘電体材料からなる下地層の結晶性を良好にす
るという観点から、基板と下地層との間にチタンなどか
らなるバッファ層を設けることもできる。
【００２２】なお、磁気固定メモリの書き込まれた情報
の読み取りは、例えば、非磁性膜を介して交換結合した
磁性膜よりなる人工格子膜を磁化検出センサーとして用
いる。そして、前記人工格子膜上に読み出し用の配線を
形成し、前記人工格子膜で検出した磁化の大きさを電気
信号として読み出す。
の読み取りは、例えば、非磁性膜を介して交換結合した
磁性膜よりなる人工格子膜を磁化検出センサーとして用
いる。そして、前記人工格子膜上に読み出し用の配線を
形成し、前記人工格子膜で検出した磁化の大きさを電気
信号として読み出す。
【００２３】前記下地層を格子状に形成するには、基板
上に前記強誘電体材料からなる薄膜を均一に形成した
後、この薄膜上にポジ型フォトレジストを格子状に形成
し、前記薄膜を露光現像することによって行う。そし
て、格子状の下地層の各行及び各列が交差する部分に磁
性薄膜を形成する場合においても、前記同様に前記格子
状の下地層上に上記磁性材料からなる均一な磁性薄膜を
形成した後、フォトレジストを用いた露光現像処理によ
って行う。
上に前記強誘電体材料からなる薄膜を均一に形成した
後、この薄膜上にポジ型フォトレジストを格子状に形成
し、前記薄膜を露光現像することによって行う。そし
て、格子状の下地層の各行及び各列が交差する部分に磁
性薄膜を形成する場合においても、前記同様に前記格子
状の下地層上に上記磁性材料からなる均一な磁性薄膜を
形成した後、フォトレジストを用いた露光現像処理によ
って行う。
【００２４】
【実施例】基板として、表面酸化シリコン基板を用い、
この基板上に上記のような露光現像処理を行うことによ
って、縦横の格子間隔が１μｍのＰＺＴからなる格子状
の下地層を厚さ２５０ｎｍに形成した。そして、この下
地層の各行及び各列の交差部においてニッケルからなる
磁性薄膜を上記のような露光現像処理によって、厚さ２
０ｎｍに形成した。その後、この下地層の格子間隔に一
致するようにしてＦｅＮｉ／Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏからなる
人工格子膜を形成した後、この人工格子膜上に読み出し
用の配線を形成した。そして、下地層の各行及び各列
に、それぞれ５〜６Ｖの電圧を印加したところ、各交差
部における磁性薄膜の磁化の反転が観察された。すなわ
ち、本発明によって磁気固定メモリへの書き込みが実際
に可能であることを確認した。
この基板上に上記のような露光現像処理を行うことによ
って、縦横の格子間隔が１μｍのＰＺＴからなる格子状
の下地層を厚さ２５０ｎｍに形成した。そして、この下
地層の各行及び各列の交差部においてニッケルからなる
磁性薄膜を上記のような露光現像処理によって、厚さ２
０ｎｍに形成した。その後、この下地層の格子間隔に一
致するようにしてＦｅＮｉ／Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏからなる
人工格子膜を形成した後、この人工格子膜上に読み出し
用の配線を形成した。そして、下地層の各行及び各列
に、それぞれ５〜６Ｖの電圧を印加したところ、各交差
部における磁性薄膜の磁化の反転が観察された。すなわ
ち、本発明によって磁気固定メモリへの書き込みが実際
に可能であることを確認した。
【００２５】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能であ
る。
態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は
上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸
脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能であ
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、磁気固定メモリへの書
き込みに際し、従来のように外部配線を用いる必要がな
い。したがって、この外部配線に流す電流によって発生
する抵抗熱を防止することができ、従来のように抵抗熱
に起因した高密度記録の達成が阻害されない。このた
め、磁気固定メモリに対して極めて高い密度での記録を
簡易に行うことができる。
き込みに際し、従来のように外部配線を用いる必要がな
い。したがって、この外部配線に流す電流によって発生
する抵抗熱を防止することができ、従来のように抵抗熱
に起因した高密度記録の達成が阻害されない。このた
め、磁気固定メモリに対して極めて高い密度での記録を
簡易に行うことができる。
【図１】 従来の磁気固定メモリへの書き込み方法を説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
【図２】 本発明の磁気固定メモリへの書き込み方法を
説明するための模式図である。
説明するための模式図である。
ａ１〜ｅ５、Ａ１〜Ｅ５ 磁性薄膜 Ｌｘ１〜Ｌｘ５ 縦列の外部配線（外部配線の各列） Ｌｙ１〜Ｌｙ５ 横列の外部配線（外部配線の各行） Ｘ１〜Ｘ５ 格子状の下地層の縦列（格子状の下地層の
各列） Ｙ１〜Ｙ５ 格子状の下地層の横列（格子状の下地層の
各行）
各列） Ｙ１〜Ｙ５ 格子状の下地層の横列（格子状の下地層の
各行）
フロントページの続き (72)発明者 深道 和明 宮城県仙台市太白区山田自由が丘33番26号 (72)発明者 北上 修 宮城県仙台市泉区館一丁目６番16号 Ｆターム(参考） 5E049 AA01 AA04 AA07 AA10 AC01 BA06 CB01 CC01
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に電歪効果を有する強誘電体材料
からなる格子状の下地層を形成するとともに、この格子
状の下地層の交差部上に磁歪効果を有する磁性材料から
なる磁性薄膜を形成し、前記格子状の下地層の所定の行
及び列に電圧を印加することにより、前記所定の行及び
列の交差部上に形成された前記磁性薄膜の磁化を反転さ
せて、書き込みを行うことを特徴とする、磁気固定メモ
リの書き込み方法。 - 【請求項２】 前記下地層は、１０―４以上の電歪定数
を有する強誘電体材料からなることを特徴とする、請求
項１に記載の磁気固定メモリの書き込み方法。 - 【請求項３】 前記下地層は、チタン酸鉛、酸化亜鉛、
ニオブ酸リチウム、及びジルコン酸鉛−チタン酸鉛固溶
体から選ばれる少なくとも１種の強誘電体材料からなる
ことを特徴とする、請求項２に記載の磁気固定メモリの
書き込み方法。 - 【請求項４】 前記磁性薄膜は、１０―５以上の磁歪定
数を有する磁性材料からなることを特徴とする、請求項
１〜３のいずれか一に記載の磁気固定メモリの書き込み
方法。 - 【請求項５】 前記磁性薄膜はアモルファス薄膜である
ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の
磁気固定メモリの書き込み方法。 - 【請求項６】 基板と、電歪効果を有する強誘電体材料
からなる下地層と、磁歪効果を有する磁性材料からなる
磁性薄膜とを具え、前記下地層は前記基板上において格
子状に形成されてなり、前記磁性薄膜は格子状に形成さ
れた前記下地層の交差部に形成されたことを特徴とす
る、磁気固定メモリ。
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